專利名稱：基板結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種基板結(jié)構(gòu)，特別是有關(guān)于一種應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
軟性顯示器已成為新時(shí)代新穎顯示器的發(fā)展趨勢(shì)，而發(fā)展有源式軟性顯示器更是主流趨勢(shì)，世界各大研發(fā)公司均由現(xiàn)行厚重且易破碎的玻璃基板跨入非玻璃系且重量更輕的軟性塑料基板材料發(fā)展，并朝向有源式全彩的TFT顯示面板邁進(jìn)。目前，針對(duì)開發(fā)有源式軟性顯示器的技術(shù)有a-Si TFT,LPTSTFT及OTFT三種選擇，在顯示介質(zhì)的部分包含EPD、 ECD、LCD 及 EL。在制造方式的選擇可以分成batch type及roll to roll兩種方式，若選擇bitch type方式進(jìn)行TFT元件制造，可利用現(xiàn)有TFT設(shè)備進(jìn)行制作，具有相當(dāng)優(yōu)勢(shì)，但必須發(fā)展所謂基板轉(zhuǎn)移或離膜技術(shù)，將軟性顯示器從玻璃上轉(zhuǎn)移到其它塑料基板上或取下。而以roll to roll方式則必須利用全新設(shè)備來進(jìn)行，并必須克服轉(zhuǎn)動(dòng)及接觸所引發(fā)的相關(guān)問題。以I^atch type方式進(jìn)行制造TFT結(jié)構(gòu)主要有三種方式，一為SEC利用PES當(dāng)基板轉(zhuǎn)貼于硅芯片上，利用低溫a-Si TFT技術(shù)開發(fā)7"VGA (640 X 480) plastic LCD，而此法需要一耐高溫、低熱膨脹系數(shù)、低光遲滯性且抗化性佳的高透明基板材料，并配合適當(dāng)?shù)哪z材及良好的離型技術(shù)。=Skik0 Epson以LPTS transfer技術(shù)進(jìn)行TFT背板開發(fā)，在玻璃基板上進(jìn)行LPTS TFT背板制作，完成后，Seiko Epson再利用激光退火(laser annealing) 0 所謂transfer技術(shù)主要優(yōu)點(diǎn)為TFT元件工藝溫度不受塑料基板的限制，因此，有較好的特性，故一般具高透光性塑料基板便可以被用來使用，但其transfer機(jī)制及轉(zhuǎn)貼技術(shù)顯得更加重要。另外，第三種為Wiilips利用聚亞酰胺(PI)涂布于玻璃上，進(jìn)行a-Si TFT-EPD顯示器的開發(fā)，并利用transfer技術(shù)將PI基板在玻璃上取下。該技術(shù)雖然利用傳統(tǒng)PI塑料基板而具有耐高溫的特性，直接涂布于玻璃上，不但工藝溫度可以超過300°C，又可以省去轉(zhuǎn)貼的步驟，但仍必須利用激光去除玻璃基板。由于與軟性基板材料不匹配且熱阻低，因此，傳統(tǒng)離型層材料并不適合應(yīng)用于TFT工藝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種適合應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)及其制造方法。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，包括一支撐載體； 一離型層，以一第一面積覆蓋該支撐載體；以及一軟性基板，以一第二面積覆蓋該離型層與該支撐載體，其中該第二面積大于該第一面積且該軟性基板對(duì)該支撐載體的密著度大于該離型層對(duì)該支撐載體的密著度。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一支撐載體；以一第一面積覆蓋一離型層于該支撐載體上；以及以一第二面積覆蓋一軟性基板于該離型層與該支撐載體上，其中該第二面積大于該第一面積且該軟性基板對(duì)該支撐載體的密著度大于該離型層對(duì)該支撐載體的密著度。該制造方法還包括以該離型層的兩端點(diǎn)或其內(nèi)側(cè)為切除點(diǎn)，切除部分該軟性基板與該支撐載體，以分離該離型層、該軟性基板與該支撐載體。本發(fā)明將離型層材料涂布于支撐載體(例如玻璃基板)上，以形成一或復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)塊。之后，將軟性基板材料涂布于離型層與支撐載體上，以形成一雙層基板結(jié)構(gòu)，適合應(yīng)用于軟性基板的分離。本發(fā)明提供一種可通過現(xiàn)有半導(dǎo)體設(shè)備制作的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)， 其利用兩種離型層與支撐載體密著度的差異，先將密著度較差的離型層以較小面積成型于支撐載體上，再將與支撐載體密著度較佳的離型層(例如軟性顯示器基板)以較大面積覆蓋在較差密著度的離型層上并與支撐載體有接觸。以該方式制作的基板結(jié)構(gòu)，可確保其在 TFT工藝中不會(huì)脫落，并在完成工藝后，將外邊未含密著度較差離型層的部分切除，即可輕易分離密著度較佳的離型層與支撐載體。分離后，密著度較佳的離型層(例如軟性顯示器基板)仍可保持完整，不致?lián)p傷。


為使本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下圖1是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖IA是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一種應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)的上視圖；圖2A 2D為本發(fā)明的一實(shí)施例，一種應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面示意圖。主要元件符號(hào)說明10:基板結(jié)構(gòu)12:支撐載體14:離型層16:軟性基板A1、A2:覆蓋面積C、C’ 切除點(diǎn)
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖1，根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，說明一種應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)。 基板結(jié)構(gòu)10包括一支撐載體12、一離型層14以及一軟性基板16。離型層14以一第一面積Al覆蓋支撐載體12，軟性基板16以一第二面積A2覆蓋離型層14與支撐載體12。值得注意的是，第二面積A2大于第一面積Al且軟性基板16對(duì)支撐載體12的密著度大于離型層14對(duì)支撐載體12的密著度。支撐載體12可包括玻璃或硅晶片。離型層14對(duì)支撐載體12的密著度介于OB IB (百格刀密著度測(cè)試)。離型層14可由例如聚對(duì)二甲苯(parylene)或環(huán)烯共聚物(cyclic olefincopolymers,C0C)的材質(zhì)所構(gòu)成。若離型層14為環(huán)烯共聚物(COC)時(shí)，可具有下列化學(xué)式(I)或(II)。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一支撐載體；一離型層，以一第一面積覆蓋該支撐載體；以及一軟性基板，以一第二面積覆蓋該離型層與該支撐載體，其中該第二面積大于該第一面積且該軟性基板對(duì)該支撐載體的密著度大于該離型層對(duì)該支撐載體的密著度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該支撐載體包括玻璃或硅晶片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該離型層對(duì)該支撐載體的密著度為OB 1B。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該離型層包括聚對(duì)二甲苯或環(huán)烯共聚物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該環(huán)烯共聚物具有下列化學(xué)式(I)或(II)其中X為30 70，X+Y為100，R為氫、甲基或乙基。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該環(huán)烯共聚物溶于有機(jī)溶劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該離型層包括一或復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該離型層的固含量介于1 20%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該離型層的厚度介于0.2 20微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該離型層的厚度介于0.5 5微米。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該軟性基板對(duì)該支撐載體的密著度為1 5B。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該軟性基板包括聚亞酰胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚原冰烯、聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚醚亞酰胺。
13.根據(jù)權(quán)利要求12項(xiàng)所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該聚亞酰胺具有下列化學(xué)式(III)
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該軟性基板還包括一硅氧烷化合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該軟性基板還包括氧化硅。
16.一種應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括 提供一支撐載體；以一第一面積覆蓋一離型層于該支撐載體上；以及以一第二面積覆蓋一軟性基板于該離型層與該支撐載體上，其中該第二面積大于該第一面積且該軟性基板對(duì)該支撐載體的密著度大于該離型層對(duì)該支撐載體的密著度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該離型層包括一或復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)塊。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該離型層以涂布或蒸鍍方式覆蓋于該支撐載體上。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中該軟性基板以涂布方式覆蓋于該離型層與該支撐載體上。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括以該離型層的兩端點(diǎn)或其內(nèi)側(cè)為切除點(diǎn)，切除部分該軟性基板與該支撐載體，以分離該離型層、該軟性基板與該支撐載體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種應(yīng)用于軟性電子元件的基板結(jié)構(gòu)，包括一支撐載體；一離型層，以一第一面積覆蓋該支撐載體；以及一軟性基板，以一第二面積覆蓋該離型層與該支撐載體，其中該第二面積大于該第一面積且該軟性基板對(duì)該支撐載體的密著度大于該離型層對(duì)該支撐載體的密著度。本發(fā)明還提供一種上述基板結(jié)構(gòu)的制造方法。
文檔編號(hào)H01L27/12GK102194829SQ20101013518
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2010年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月11日
發(fā)明者呂奇明, 廖學(xué)一, 蘇俊瑋 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院