專利名稱：半導(dǎo)體封裝件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有膠體 以覆蓋芯片的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展，小尺寸的半導(dǎo)體封裝件受到高度的矚目。一般來說，縮小 半導(dǎo)體封裝件的尺寸為目前的趨勢。然而，當(dāng)越來越多的組件配置在半導(dǎo)體封裝件的基板 的表面上來提供多種功能時，半導(dǎo)體封裝件的尺寸難以縮減。以電感配置在半導(dǎo)體封裝件的基板上為例說明。為了讓電感具有較高的電感值， 電感的尺寸必須加大。如此一來，電感占用了更多基板的空間，使得半導(dǎo)體封裝件的尺寸對 應(yīng)地增加。因此，如何縮小半導(dǎo)體封裝件的尺寸，乃為相關(guān)業(yè)者主要的課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要提供一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，其具有減少半導(dǎo)體封裝件的尺 寸及制造成本的優(yōu)點。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種半導(dǎo)體封裝件，包括一載體、一芯片、一金屬片及 一封膠。芯片配置于載體上。金屬片具有一第一部份及一第二部份，其中第一部份及第二 部份定義一容置空間，且第二部份電性連接于載體。封膠覆蓋芯片，且至少部份的封膠填充 于容置空間中。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，包括形成一金屬 片，金屬片具有一第一部份及一第二部份，其中第一部份及第二部份定義一容置空間；配置 金屬片于一載體上，且電性連接第二部份于載體，載體具有一芯片配置于其上；以及形成一 封膠，以覆蓋芯片且填充容置空間。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作 詳細(xì)說明如下


圖IA繪示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體封裝件的示意圖。圖IB繪示圖IA中的半導(dǎo)體封裝件的上視圖。圖2A繪示圖IA中的金屬片的示意圖。圖2B及2C繪示具有不同形狀的金屬片的例子。圖3A 3F繪示圖IA中的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的示意圖。圖4繪示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體封裝件的示意圖。圖5繪示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體封裝件的上視圖。圖6繪示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體封裝件的上視圖。
主要組件符號說明100、200、500、600 半導(dǎo)體封裝件110:載體111、112:接墊120、520、620 芯片130、130，、130”、230、530、531、630 金屬片130a 容置空間131、131，、131”第一部份132、132，、132” 第二部份133 第三部份140、540、640 封膠160 焊球170 導(dǎo)線302 金屬板304:部份D 距離L 長度L1、L2、L3、L4 線M 金屬條θ :角度
具體實施例方式第一實施例請參照圖IA及圖1Β，圖IA繪示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體封裝件的示意圖， 且圖IB繪示圖IA中的半導(dǎo)體封裝件的上視圖。半導(dǎo)體封裝件100包括一載體110、一芯片 120、一金屬片130及一封膠140。芯片120配置于載體110上。金屬片130具有一第一部 份131及一第二部份132。第一部份131及第二部份132定義一容置空間130a，且第二部 份132電性連接于載體110。封膠140覆蓋芯片120，且至少部分的封膠140填充于容置空 間130a中。半導(dǎo)體封裝件100將進(jìn)一步說明如下。于本實施例中，金屬片130更具有一第三 部份133，容置空間130a更由第三部份133所定義。封膠140填充于容置空間130a中，且 封膠140覆蓋金屬片130，使得金屬片130嵌入于封膠140中。由于封膠140的配置用以保 護(hù)芯片120，因此，嵌入在封膠140中的金屬片130僅需接墊111及112的空間，以讓第二部 份132及第三部份133經(jīng)由接墊111及112電性連接于載體110。此外，金屬片130可用以作為例如是一電感的組件，以取代整個配置在載體110的 表面上的組件。以金屬片130用以作為一電感為例說明。當(dāng)需使用一具有較高的電感值的 電感時，嵌入于封膠140中的金屬片130的尺寸可增加，而不會額外地占用載體110的空 間。如此一來，半導(dǎo)體封裝件100的集積度可增加，以縮減半導(dǎo)體封裝件100的尺寸。請參照圖2A，其繪示圖IA中的金屬片的示意圖。第一部份131實質(zhì)上垂直于第二部份132及第三部份133，以定義容置空間130a。第一部份131具有數(shù)個金屬條M。此些 金屬條M實質(zhì)上共平面。相鄰的兩個金屬條M間的一角度θ小于180°，例如是90°。于 圖IB及圖2Α的例子中，此些金屬條M形成一 S形結(jié)構(gòu)。當(dāng)金屬片130的長度L需增加以 提高電感值時，使用更多的金屬條M不會增加金屬片130占用載體110的空間。也就是說， 金屬片130占用載體110的空間僅為配置接墊111及112所需的空間。第二部份132的一端部及第三部份133的一端部分別連接于接墊111及112，使得 金屬片130電性連接于載體110。于本實施例中，接墊111及112可根據(jù)載體110的形式 來進(jìn)行表面處理，以改善表面的特性。舉例來說，當(dāng)載體110為一導(dǎo)線架時，各接墊111及 112的表面可鍍銀?；蛘?，當(dāng)載體110為一基板時，各接墊111及112的表面可鍍鎳/金。具有第一部份131及第二部份132的金屬片130可為其它形狀。請參照圖2Β及 圖2C，其繪示具有不同形狀的金屬片的例子。于圖2Β及圖2C中，第一部份131，及131”為 螺旋狀金屬條。更具體來說，于圖2Β中，金屬片130’具有第一部份131’及第二部份132’， 第一部份131’為方螺旋狀，且第二部份132’的一端部用以連接于接墊。于圖2C中，金屬 片130”具有第一部份131”及第二部份132”，第一部份131”為圓螺旋狀，且第二部份132” 的一端部用以連接于接墊。金屬片130’及130”可用以作為例如是天線的組件。當(dāng)具有第 二部份132’的金屬片130’欲電性連接于載體110時，載體110上僅需配置一個接墊，以連 接于第二部份132’的端部。假設(shè)金屬片130’及130”欲用以作為電感時，金屬片130’及 130”需具有第三部份(未繪示)，且載體上需配置兩個接墊。此外，于本實施例中，第一部份131位于芯片120的上方。一般來說，芯片120及 載體110經(jīng)由導(dǎo)線170來彼此電性連接。各導(dǎo)線170的頂端接近第一部份131。為了避免 各導(dǎo)線170的頂端接觸到第一部份131，第一部份131及芯片120的一上表面的距離D應(yīng)設(shè) 計。舉例來說，距離D較佳地大于4密爾。另外，為了讓半導(dǎo)體封裝件100電性連接于其它基板，半導(dǎo)體封裝件100可更包括 數(shù)個焊球160，配置于載體110的底部上。于本實施例中，半導(dǎo)體封裝件100可經(jīng)由包括下述的步驟的方法制造。請參照圖 3Α 3F，其繪示圖IA中的半導(dǎo)體封裝件100的制造方法的示意圖。首先，形成金屬片130，金屬片130具有第一部份131及第二部份132。第一部份 131及第二部份132定義容置空間130a。金屬片130可利用下述的方式形成。請參照圖3A， 其繪示金屬板302的上視圖。首先，移除一金屬板302的一部份304，以形成第一部份131、 第二部份132及第三部份133。然后，如圖3B所示，沿著線Ll至L4彎折金屬板302，使得 由第一部份131、第二部份132及第三部份133所定義的容置空間130a形成，以形成金屬片 130。金屬片130的側(cè)視圖繪示于圖3C。移除金屬板302的部份304的步驟例如是以蝕刻 或干蝕刻的方式執(zhí)行。接著，如圖3D所示，配置金屬片130于載體110上，且電性連接第二部份132于載 體110，載體110具有芯片120配置于其上。于本實施例中，第一部份131配置于芯片120 的上方。金屬片130配置以分別連接第二部份132及第三部份133的端部于接墊111及 112。之后，如圖3E所示，形成封膠140以覆蓋芯片120，且填充容置空間130a。于形成 封膠140的步驟中，封膠140可形成以覆蓋金屬片130，以嵌入金屬片130于封膠140中來節(jié)省載體110被占用的空間。較佳地，如圖3F所示，半導(dǎo)體封裝件100的制造方法更包括配置數(shù)個焊球160于 載體110的底部上。如此一來，半導(dǎo)體封裝件100可經(jīng)由焊球160電性連接于其它基板。于另一實施例的半導(dǎo)體封裝件中，基于金屬片130的功能，第三部份133可省略。 舉例來說，假如金屬片130欲用以作為一天線，則第三部份133可省略，且載體110上僅需 配置接墊112。于再另一實施例中，金屬片130可露出于封膠140外。第二實施例請參照圖4，其繪示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體封裝件的示意圖。半導(dǎo)體封裝 件200包括一載體110、一芯片120、一金屬片230及一封膠140。相較于第一實施例的半導(dǎo) 體封裝件100，半導(dǎo)體封裝件200的金屬片230配置于載體110上，且位于芯片120旁。因 此，半導(dǎo)體封裝件200亦可具有類似于半導(dǎo)體封裝件100所能達(dá)到的優(yōu)點。此外，相較于半導(dǎo)體封裝件100的制造方法的步驟，第二實施例的配置金屬片230 的步驟是不同的。更具體來說，金屬片230配置于芯片120旁。第二實施例中類似于第一 實施例的方法的其它步驟將不會于此重復(fù)說明。第三實施例除了第一實施例的半導(dǎo)體封裝件100及第二實施例的半導(dǎo)體封裝件200之外，另 一實施例的半導(dǎo)體封裝件500可具有多個金屬片，只要此些金屬片嵌入于封膠中，如圖5所 示。舉例來說，其中一個金屬片530可為S形結(jié)構(gòu)，且另一個金屬片531可為方螺旋狀。金 屬片530及531皆配置于芯片520之旁，且位于封膠540中。第四實施例請參照圖6，其繪示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導(dǎo)體封裝件600的上視圖。半導(dǎo)體 封裝件600具有為方螺旋狀的金屬片360。金屬片630配置于封膠640中。部份的金屬片 630配置于接近芯片620的一側(cè)的位置，且另一部份的金屬片630配置于接近芯片620的另 一側(cè)的位置。本發(fā)明上述實施例所揭露的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，金屬片嵌入于封膠中， 使得載體的尺寸減少且半導(dǎo)體封裝件的尺寸亦減少。再者，半導(dǎo)體封裝件的成本降低。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā) 明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動 與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括 一載體；一芯片，配置于該載體上；一金屬片，具有一第一部份及一第二部份，其中該第一部份及該第二部份定義一容置 空間，且該第二部份電性連接于該載體；以及一封膠，覆蓋該芯片，且至少部分的該封膠填充于該容置空間中。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該第一部份具有數(shù)個金屬條，兩個相鄰的 該些金屬條間的一角度小于180°，且該些金屬條實質(zhì)上共平面。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該第一部份為一螺旋狀金屬條。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該第一部份位于該芯片的上方。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該金屬片配置于該載體上，且位于該芯片旁。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該第一部份實質(zhì)上垂直于該第二部份。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該載體具有一接墊，且該第二部份的一端 部連接于該接墊。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該載體為一導(dǎo)線架，且該接墊的一表面鍍銀。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該載體為一基板，且該接墊的一表面鍍鎳/金。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該第一部份與該芯片的一上表面的距離 大于4密爾。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該封膠覆蓋該金屬片。
12.—種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，包括形成一金屬片，該金屬片具有一第一部份及一第二部份，其中該第一部份及該第二部 份定義一容置空間；配置該金屬片于一載體上，且電性連接該第二部份于該載體，該載體具有一芯片配置 于其上；以及形成一封膠，以覆蓋芯片且填充該容置空間。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中形成該金屬片的該步驟包括 移除一金屬板的一部分，以形成該第一部份及該第二部份；以及彎折該第金屬板，以形成由該第一部份及該第二部份所定義的該容置空間。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該第一部份具有數(shù)個金屬條，兩個相鄰的該些金 屬條間的一角度小于180°，且該些金屬條實質(zhì)上共平面。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中該載體具有一接墊配置于其上，且于配置該金屬 片的該步驟中，該金屬片配置以連接該金屬片的該第二部份的一端部于該接墊。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝件，包括一載體、一芯片、一金屬片及一封膠。芯片配置于載體上。金屬片具有一第一部份及一第二部份，其中第一部份及第二部份定義一容置空間，且第二部份電性連接于載體。封膠覆蓋芯片，且至少部份的封膠填充于容置空間中。
文檔編號H01L21/50GK102005438SQ20101013441
公開日2011年4月6日 申請日期2010年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月3日
發(fā)明者尹妍霰, 金錫奉 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司