專利名稱：：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置或它們的制造方法。本發(fā)明特別涉及一種具有由將氧化物半導(dǎo)體膜用于溝道形成區(qū)的薄膜晶體管(下面稱為TFT)構(gòu)成的電路的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。例如，本發(fā)明涉及一種電子設(shè)備，其中作為其部件安裝了以液晶顯示面板為代表的電光裝置或具有有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
：作為以液晶顯示裝置為代表的顯示裝置的開關(guān)元件，廣泛地使用將非晶硅等的硅層用作溝道層的薄膜晶體管(TFT)。使用非晶硅的薄膜晶體管具有如下特性雖然其場效應(yīng)遷移率低，但是可以對應(yīng)于玻璃基板的大面積化。此外，近年來，使用呈現(xiàn)半導(dǎo)體特性的金屬氧化物制造薄膜晶體管，并將它應(yīng)用于電子器件及光器件的技術(shù)受到矚目。例如，已知如下事實(shí)在金屬氧化物中，氧化鎢、氧化錫、氧化銦、氧化鋅等呈現(xiàn)半導(dǎo)體特性。公開了將由這種金屬氧化物構(gòu)成的透明半導(dǎo)體層用作溝道形成區(qū)的薄膜晶體管(專利文獻(xiàn)1)。另外，對如下技術(shù)進(jìn)行檢討，即通過使用具有透光性的氧化物半導(dǎo)體層形成晶體管的溝道層，且使用具有透光性的透明導(dǎo)電膜形成柵電極、源電極、漏電極，提高開口率(專利文獻(xiàn)2)。通過提高開口率，光利用效率提高，從而顯示裝置可以實(shí)現(xiàn)節(jié)省電力及小型化。另一方面，從對于顯示裝置的大型化、對便攜式設(shè)備的應(yīng)用的方面來看，需要提高開口率并進(jìn)一步減少耗電量。作為電光元件的對透明電極的金屬輔助布線的布線方法，已知如下方法以能夠在透明電極的上面或下面與透明電極導(dǎo)通并重疊金屬輔助布線和透明電極的方式配置布線(例如，參照專利文獻(xiàn)3)。使用IT0、Sn02等的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成設(shè)置在有源矩陣基板的附加電容用電極，并且已知如下結(jié)構(gòu)為了降低附加電容用電極的電阻，以與附加電容電極接觸的方式設(shè)置由金屬膜構(gòu)成的輔助布線(例如，參照專利文獻(xiàn)4)。已知如下事實(shí)在使用非晶氧化物半導(dǎo)體膜的場效應(yīng)晶體管中，作為形成柵電極、源電極及漏電極的各電極的材料，可以使用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅、ZnO,SnO2等的透明電極，Al、Ag、Cr、Ni、Mo、Au、Ti、Ta等的金屬電極或包括它們的合金的金屬電極等，并且可以層疊兩層以上的上述材料來減少接觸電阻或提高界面強(qiáng)度(例如，參照專利文獻(xiàn)5)。已知如下事實(shí)作為使用非晶氧化物半導(dǎo)體的晶體管的源電極、漏電極及柵電極、輔助電容電極的材料，可以使用銦(In)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)等的金屬、氧化銦(In2O3)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎘(CdO)、氧化銦鎘(CdIn2O4)、氧化鎘錫(Cd2SnO4)、氧化鋅錫(Zn2SnO4)等的氧化物材料，并且柵電極、源電極及漏電極的材料可以是相同的或互不相同的(例如，參照專利文獻(xiàn)6、7)。專利文獻(xiàn)1日本專利公開2004-103957號公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本專利公開2007-81362號公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本專利公開平2-82221號公報(bào)專利文獻(xiàn)4日本專利公開平2-310536號公報(bào)專利文獻(xiàn)5日本專利公開2008-243928號公報(bào)專利文獻(xiàn)6日本專利公開2007-109918號公報(bào)專利文獻(xiàn)7日本專利公開2007-115807號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)方式的目的在于提供低耗電量的半導(dǎo)體裝置；提供布線電阻低的半導(dǎo)體裝置；提供減少成本的半導(dǎo)體裝置；提供透射率高的半導(dǎo)體裝置；提供高精細(xì)的半導(dǎo)體裝置；提供開口率高的半導(dǎo)體裝置；提供具有大保持電容的半導(dǎo)體裝置；減少漏光的半導(dǎo)體裝置；減少饋通電壓的半導(dǎo)體裝置；或者提供容易形成耗盡層的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置，包括設(shè)置在具有絕緣表面的基板上的半導(dǎo)體層；包括與半導(dǎo)體層電連接的第一電極的第一布線；覆蓋半導(dǎo)體層和第一電極地形成的絕緣膜；以及包括隔著絕緣膜地設(shè)置在半導(dǎo)體層上的第二電極的第二布線，其中，第一電極包括第一導(dǎo)電層，第一布線包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，第二電極包括第三導(dǎo)電層，并且，第二布線包括第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層。此外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置，包括設(shè)置在具有絕緣表面的基板上的半導(dǎo)體層；包括與半導(dǎo)體層連接的第一電極的第一布線；覆蓋半導(dǎo)體層和第一電極地形成的絕緣膜；包括隔著絕緣膜地設(shè)置在半導(dǎo)體層上的第二電極的第二布線；以及第三布線，其中，第一電極包括第一導(dǎo)電層，第一布線包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，第二電極包括第三導(dǎo)電層，第二布線包括第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層，并且，第三布線包括第五導(dǎo)電層和第六導(dǎo)電層。在上述半導(dǎo)體裝置中，第一導(dǎo)電層及第三導(dǎo)電層優(yōu)選具有透光性。第二導(dǎo)電層及第四導(dǎo)電層的導(dǎo)電率優(yōu)選高于第一導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層或具有透光性的導(dǎo)電層的導(dǎo)電率。第二導(dǎo)電層及第四導(dǎo)電層優(yōu)選具有遮光性。另外，在上述半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體層優(yōu)選是包含銦、鎵或鋅的氧化物半導(dǎo)體層。作為本說明書中可以使用的氧化物半導(dǎo)體的一例，有表示為InM03(Zn0)m(m>0)的氧化物半導(dǎo)體。在此，M表示選自鎵(Ga)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、錳(Mn)及鈷(Co)中的一種金屬元素或多種金屬元素。例如，在選擇Ga作為M的情況下，除了只有Ga時(shí)之外，有時(shí)包括選擇Ga以外的上述金屬元素諸如Ga和Ni或Ga和Fe等。此外，在上述氧化物半導(dǎo)體中，有不僅包含作為M的金屬元素，而且還包含作為雜質(zhì)元素的Fe、Ni等其他過渡金屬元素或該過渡金屬的氧化物的氧化物半導(dǎo)體。在本說明書中，在上述氧化物半導(dǎo)體中，將作為M至少包含鎵的氧化物半導(dǎo)體稱為In-Ga-Zn-O類氧化物半導(dǎo)體，有時(shí)將使用該材料的薄膜也稱為In-Ga-Zn-O類非單晶膜。作為氧化物半導(dǎo)體，除了上述以外還可以應(yīng)用In-Sn-Zn-O類、In-Al-Zn-O類、Sn-Ga-Zn-O類、Al-Ga-Zn-O類、Sn-Al-Zn-O類、In-Zn-O類、Sn-Zn-O類、Al-Zn-O類、In-O類、Sn-O類、Zn-O類的氧化物半導(dǎo)體。通過對這些氧化物半導(dǎo)體添加抑制晶化并使它保持非晶狀態(tài)的雜質(zhì)，可以實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的特性的穩(wěn)定化。另外，用于本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體層具有透光性即可。作為具有透光性的半導(dǎo)體層，例如可以使用氧化物半導(dǎo)體。此外，除了氧化物半導(dǎo)體之外，還可以使用結(jié)晶半導(dǎo)體(單晶半導(dǎo)體或多晶半導(dǎo)體)、非晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體等。而且，在上述半導(dǎo)體裝置中通過將多級灰度掩模用于第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層等的加工，可以使用一個(gè)掩模(中間掩模)來形成具有透光性的區(qū)域(高透光率的區(qū)域)和具有遮光性的區(qū)域(低透光率的區(qū)域)。因此，可以在不增加掩模數(shù)量的情況下形成具有透光性的區(qū)域(高透光率的區(qū)域)和具有遮光性的區(qū)域(低透光率的區(qū)域)。注意，在本說明書中半導(dǎo)體裝置是指能夠利用半導(dǎo)體特性而工作的所有裝置，半導(dǎo)體電路、顯示裝置、光電器件、發(fā)光顯示裝置及電子設(shè)備都是半導(dǎo)體裝置。注意，本說明書中的顯示裝置是指圖像顯示裝置、發(fā)光裝置、或光源(包括照明裝置)。另外，顯示裝置還包括安裝有連接器，諸如FPC(FlexiblePrintedCircuit；柔性印刷電路)、TAB(TapeAutomatedBonding；載帶自動鍵合)帶或TCP(TapeCarrierPackage；載帶封裝)的模塊；將印刷線路板固定到TAB帶或TCP端部的模塊；以及通過COG(ChipOnGlass；玻璃上芯片)方式將IC(集成電路)直接安裝到顯示元件上的模塊。此外，可以使用各種方式的開關(guān)。例如有電開關(guān)或機(jī)械開關(guān)等。換言之，只要可以控制電流的流動即可，而不局限于特定的開關(guān)。例如，作為開關(guān)，可以使用晶體管(例如，雙極晶體管或MOS晶體管等)、二極管(例如，PN二極管、PIN二極管、肖特基二極管、MIM(MetalInsulatorMetal；金屬-絕緣體-金屬)二極管、MIS(MetalInsulatorSemiconductor；金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)二極管、二極管連接的晶體管等)等?；蛘?，可以使用組合了它們的邏輯電路作為開關(guān)。作為機(jī)械開關(guān)的例子，有像數(shù)字微鏡裝置(DMD)那樣的利用MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)的開關(guān)。該開關(guān)具有以機(jī)械方式可動的電極，并且通過使該電極移動來控制導(dǎo)通和非導(dǎo)通以實(shí)現(xiàn)工作。在將晶體管用作開關(guān)的情況下，由于該晶體管僅作為開關(guān)工作，因此對晶體管的極性(導(dǎo)電類型)沒有特別限制。然而，在想要抑制截止電流的情況下，優(yōu)選采用具有小截止電流的極性的晶體管。作為截止電流小的晶體管，有具有LDD區(qū)的晶體管或具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管等?；蛘?，當(dāng)用作開關(guān)的晶體管的源極端子的電位以與低電位側(cè)電源(Vss、GND、0V等)的電位接近的值工作時(shí)，優(yōu)選采用N溝道型晶體管，相反，當(dāng)源極端子的電位以與高電位側(cè)電源(Vdd等)的電位接近的值工作時(shí)，優(yōu)選采用P溝道型晶體管。這是因?yàn)槿缦戮壒嗜羰荖溝道型晶體管，則當(dāng)源極端子以與低電位側(cè)電源的電位接近的值工作時(shí)可以增大柵極-源極間電壓的絕對值，若是P溝道型晶體管，則當(dāng)源極端子以與高電位側(cè)電源的電位接近的值工作時(shí)可以增大柵極_源極間電壓的絕對值，因此作為開關(guān)使其更精確地工作。另外，這是因?yàn)橛捎诰w管進(jìn)行源極跟隨工作的情況少，所以導(dǎo)致輸出電壓的大小變小的情況少。另外，也可以使用N溝道型晶體管和P溝道型晶體管雙方，將CMOS型開關(guān)用作開關(guān)。當(dāng)采用CMOS型開關(guān)時(shí)，若P溝道型晶體管及N溝道型晶體管中的某一方的晶體管導(dǎo)通則電流流動，因此容易用作開關(guān)。例如，即使向開關(guān)輸入的輸入信號的電壓高或低，也可以適當(dāng)?shù)剌敵鲭妷骸６?，由于可以降低用來使開關(guān)導(dǎo)通或截止的信號的電壓振幅值，所以還可以減少功耗。此外，在將晶體管用作開關(guān)的情況下，開關(guān)具有輸入端子(源極端子及漏極端子中的一方)、輸出端子(源極端子及漏極端子中的另一方)、以及控制導(dǎo)通的端子(柵極端子)。另一方面，在將二極管用作開關(guān)的情況下，開關(guān)有時(shí)不具有控制導(dǎo)通的端子。因此，與使用晶體管作為開關(guān)的情況相比，通過使用二極管作為開關(guān)，可以減少用來控制端子的布線。此外，明確地描述“A和B連接”的情況包括如下情況A和B電連接；A和B在功能上連接；以及A和B直接連接。在此，以A和B為對象物(例如，裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜、層等)。因此，還包括附圖或文章所示的連接關(guān)系以外的連接關(guān)系，而不局限于規(guī)定的連接關(guān)系例如附圖或文章所示的連接關(guān)系。例如，在A和B電連接的情況下，也可以在A和B之間連接一個(gè)以上的能夠電連接A和B的元件(例如開關(guān)、晶體管、電容元件、電感器、電阻元件、二極管等)。或者，在A和B在功能上連接的情況下，也可以在A和B之間連接一個(gè)以上的能夠在功能上連接A和B的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉(zhuǎn)換電路(DA轉(zhuǎn)換電路、AD轉(zhuǎn)換電路、Y(伽馬)校正電路等)、電位電平轉(zhuǎn)換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位電平的電平轉(zhuǎn)移電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運(yùn)算放大器、差動放大電路、源極跟隨電路、緩沖電路等)、信號產(chǎn)生電路、存儲電路、控制電路等)。例如，雖然在A和B之間夾有其他電路，但是在從A輸出的信號傳送到B的情況下，A和B功能上連接。此外，當(dāng)明確地描述“A和B電連接”時(shí)，包括如下情況A和B電連接(就是說，在A和B之間夾有其他元件或其他電路而連接)；A和B在功能上連接(就是說，在A和B之間夾有其他電路而在功能上連接)；以及，A和B直接連接(就是說，在A和B之間不夾有其他元件或其他電路而連接)。就是說，在明確地描述“電連接”的情況下，與僅僅簡單地明確描述“連接”的情況相同。此外，顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發(fā)光元件、以及作為具有發(fā)光元件的裝置的發(fā)光裝置可以采用各種方式或各種元件。例如，作為顯示元件、顯示裝置、發(fā)光元件或發(fā)光裝置，可以具有對比度、亮度、反射率、透射率等因電磁作用而變化的顯示媒體如EL(電致發(fā)光)元件(包含有機(jī)物及無機(jī)物的EL元件、有機(jī)EL元件、無機(jī)EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍(lán)色LED等)、晶體管(根據(jù)電流發(fā)光的晶體管)、電子發(fā)射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、光柵光閥(GLV)、等離子體顯示面板(PDP)、數(shù)字微鏡設(shè)備(DMD)、壓電陶瓷顯示器、碳納米管等。此外，作為使用EL元件的顯示裝置，可以舉出EL顯示器，作為使用電子發(fā)射元件的顯示裝置，可以舉出場致發(fā)射顯示器(FED)或SED方式平面型顯示器(SED:Surface-conductionElectron-emitterDisplay；表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器)等，作為使用液晶元件的顯示裝置，可以舉出液晶顯示器(透射型液晶顯示器、半透射型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)，并且作為使用電子墨水或電泳元件的顯示裝置，可以舉出電子紙。另外，EL元件是具有陽極、陰極、以及夾在陽極和陰極之間的EL層的元件。另外，作為EL層，可以具有利用來自單重態(tài)激子的發(fā)光(熒光)的層、利用來自三重態(tài)激子的發(fā)光(磷光)的層、包含利用來自單重態(tài)激子的發(fā)光(熒光)的層和來自三重態(tài)激子的發(fā)光(磷光)的層的層、由有機(jī)物形成的層、由無機(jī)物形成的層、包括由有機(jī)物形成的層和由無機(jī)物形成的層的層、包含高分子材料的層、包含低分子材料的層、以及包含高分子材料和低分子材料的層等。然而，不局限于此，作為EL元件可以具有各種元件。另外，電子發(fā)射元件是將高電場集中到陰極來抽出電子的元件。例如，作為電子發(fā)射元件，可以具有主軸(spindle)型、碳納米管(CNT)型、層疊有金屬-絕緣體-金屬的MIM(Metal-Insulator-Metal)型、層疊有金屬-絕緣體-半導(dǎo)體的MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型、MOS型、硅型、薄膜二極管型、金剛石型、金屬-絕緣體-半導(dǎo)體-金屬型等的薄膜型、HEED型、EL型、多孔硅型、表面?zhèn)鲗?dǎo)(SCE)型等。然而，不局限于此，可以使用各種元件作為電子發(fā)射元件。另外，液晶元件是由一對電極及液晶構(gòu)成并且利用液晶的光學(xué)調(diào)制作用來控制光的透過或非透過的元件。另外，液晶的光學(xué)調(diào)制作用由施加到液晶的電場(包括橫向電場、縱向電場或傾斜方向電場)控制。另外，作為液晶元件，可以舉出向列液晶、膽甾相(cholesteric)液晶、近晶液晶、盤狀液晶、熱致液晶、溶致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC)、強(qiáng)介電液晶、反強(qiáng)介電液晶、主鏈型液晶、側(cè)鏈型高分子液晶、等離子體尋址液晶(PALC)、香蕉型液晶等。此外，作為液晶的驅(qū)動方式，可以采用TN(TwistedNematic；扭轉(zhuǎn)向列)模式、STN(SuperTwistedNematic；超扭曲向列)模式、IPS(In-Plane-Switching；平面內(nèi)切換)模式、FFS(FringeFieldSwitching；邊緣場切換)模式、MVA(Multi-domainVerticalAlignment；多象限垂直取向)模ζ、PVA(PatternedVerticalAlignment；i.向豐勾M)IlASV(AdvancedSuperView；流動超視覺)模式、ASM(AxiallySymmetricalignedMicro-cell；軸對稱排列微單元)模式、OCB(OpticallyCompensatedBirefringence；光學(xué)補(bǔ)償雙折射)模式、ECB(ElectricallyControlledBirefringence；電控雙折身寸)模式、FLC(FerroelectricLiquidCrystal；鐵電液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectricLiquidCrystal；反鐵電液晶)模式、PDLC(PolymerDispersedLiquidCrystal；聚合物分散液晶)模式、賓主模式、藍(lán)相(BluePhase)等。然而，不局限于此，作為液晶元件及其驅(qū)動方式，可以使用各種液晶及其驅(qū)動方式。另外，電子紙是指利用分子來進(jìn)行顯示的制品(如光學(xué)各向異性、染料分子取向等)；利用粒子來進(jìn)行顯示的制品(如電泳、粒子移動、粒子旋轉(zhuǎn)、相變等)；通過使薄膜的一端進(jìn)行移動而進(jìn)行顯示的制品；利用分子的發(fā)色/相變來進(jìn)行顯示的制品；通過分子的光吸收而進(jìn)行顯示的制品；電子和空穴相結(jié)合而通過自發(fā)光來進(jìn)行顯示的制品；等。例如，作為電子紙的顯示方法，可以使用微囊型電泳、水平移動型電泳、垂直移動型電泳、球狀扭轉(zhuǎn)球、磁性扭轉(zhuǎn)球、圓柱扭轉(zhuǎn)球方式、帶電色粉、電子粉粒狀材料、磁泳型、磁熱敏式、電潤濕、光散射(透明白濁)、膽甾相液晶/光導(dǎo)電層、膽甾相液晶、雙穩(wěn)態(tài)向列液晶、強(qiáng)介電液晶、二色性色素液晶分散型、可動薄膜、利用無色染料的著色和去色、光致變色、電致變色、電沉積、柔性有機(jī)EL等。然而，不局限于此，作為電子紙及其顯示方法，可以使用各種電子紙及其顯示方法。在此，可以通過使用微囊型電泳，解決遷移粒子的凝集和沉淀即電泳方式的缺點(diǎn)。電子粉粒狀材料具有高速響應(yīng)性、高反射率、廣視角、低功耗、存儲性等的優(yōu)點(diǎn)。另外，等離子體顯示面板具有如下結(jié)構(gòu)，即以狹窄的間隔使表面形成有電極的基板和表面形成有電極及微小的槽且在槽內(nèi)形成有熒光體層的基板相對，并裝入稀有氣體。或者，等離子體顯示面板也可以具有從上下用膜狀的電極夾住等離子體管的結(jié)構(gòu)。等離子體管是在玻璃管內(nèi)密封放電氣體、RGB每一個(gè)的熒光體等而得到的。此外，通過在電極之間施加電壓產(chǎn)生紫外線，并使熒光體發(fā)光，從而可以進(jìn)行顯示。此外，等離子體顯示面板可以是DC型PDP或AC型PDP。在此，作為等離子體顯示面板的驅(qū)動方法，可以使用AWS(AddressWhiIeSustain)驅(qū)動；將子幀分為復(fù)位期間、地址期間、維持期間的ADS(AddressDisplayS印arated；地址顯示分離)驅(qū)動；CLEAR(HI-CONTRAST&LOffENERGYADDRESS&REDUCTIONOFFALSECONTOURSEQUENCE；高對比度低能量地址和減小動態(tài)假輪廓)驅(qū)動；ALIS(AlternateLightingofSurfaces；交替發(fā)光表面)方式；TERES(TechnologyofReciprocalSustainer；倒易維持技術(shù))驅(qū)動等。然而，不局限于此，作為等離子體顯示面板的驅(qū)動方式，可以使用各種方式。另外，需要光源的顯示裝置，例如液晶顯示器(透射型液晶顯示器、半透射型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)、利用光柵光閥(GLV)的顯示裝置、利用數(shù)字微鏡設(shè)備(DMD)的顯示裝置等的光源，可以使用電致發(fā)光、冷陰極管、熱陰極管、LED、激光光源、汞燈等。然而，不限定于此，可以使用各種光源作為光源。此外，作為晶體管，可以使用各種方式的晶體管。因此，對所使用的晶體管的種類沒有限制。例如，可以使用具有以非晶硅、多晶硅或微晶(也稱為微晶、納米晶、半非晶(semi-amorphous))硅等為代表的非單晶半導(dǎo)體膜及單晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管(TFT)等。在使用TFT的情況下，具有各種優(yōu)點(diǎn)。例如，因?yàn)榭梢栽诒仁褂脝尉Ч钑r(shí)低的溫度下進(jìn)行制造，因此可以實(shí)現(xiàn)制造成本的降低、或制造裝置的大型化。由于可以使制造裝置變大，所以可以在大型基板上制造。因此，可以同時(shí)制造很多顯示裝置，所以可以以低成本制造。再者，由于制造溫度低，因此可以使用低耐熱性基板。由此，可以在具有透光性的基板上制造晶體管。并且，可以使用形成在具有透光性的基板上的晶體管來控制顯示元件中的光透過。或者，因?yàn)榫w管的膜厚較薄，所以構(gòu)成晶體管的膜的一部分能夠透過光。因此，可以提高開口率。另外，當(dāng)制造多晶硅時(shí)，可以通過使用催化劑(鎳等)進(jìn)一步提高結(jié)晶性，從而制造電特性良好的晶體管。其結(jié)果是，可以在基板上一體地形成柵極驅(qū)動電路(掃描線驅(qū)動電路)、源極驅(qū)動電路(信號線驅(qū)動電路)、以及信號處理電路(信號產(chǎn)生電路、Y校正電路、DA轉(zhuǎn)換電路等)。另外，當(dāng)制造微晶硅時(shí)，可以通過使用催化劑(鎳等)進(jìn)一步提高結(jié)晶性，從而制造電特性良好的晶體管。此時(shí)，僅通過進(jìn)行熱處理而不進(jìn)行激光輻照，就可以提高結(jié)晶性。其結(jié)果是，可以在基板上一體地形成源極驅(qū)動電路的一部分(模擬開關(guān)等)以及柵極驅(qū)動電路(掃描線驅(qū)動電路)。再者，當(dāng)為了實(shí)現(xiàn)結(jié)晶化而不進(jìn)行激光輻照時(shí)，可以抑制硅結(jié)晶性的不均勻。因此，可以顯示提高了圖像質(zhì)量的圖像。另外，可以不使用催化劑(鎳等)而制造多晶硅或微晶硅。另外，雖然優(yōu)選對面板的整體使硅的結(jié)晶性提高到多晶或微晶等，但不限定于此。也可以只在面板的一部分區(qū)域中提高硅的結(jié)晶性。通過選擇性地照射激光等，可以選擇性地提高結(jié)晶性。例如，也可以只對作為像素以外的區(qū)域的外圍電路區(qū)照射激光。或者，也可以只對柵極驅(qū)動電路、源極驅(qū)動電路等的區(qū)域照射激光。或者，也可以只對源極驅(qū)動電路的一部分(例如模擬開關(guān))的區(qū)域照射激光。其結(jié)果是，可以只在需要使電路高速地進(jìn)行工作的區(qū)域中提高硅的結(jié)晶性。在像素區(qū)中，由于使其高速地工作的必要性低，所以即使不提高結(jié)晶性，也可以使像素電路工作而不發(fā)生問題。由于提高結(jié)晶性的區(qū)域較少即可，所以也可以縮短制造工序，且可以提高產(chǎn)率并降低制造成本。由于所需要的制造裝置的數(shù)量較少就能夠進(jìn)行制造，所以可以降低制造成本?；蛘撸梢允褂冒雽?dǎo)體基板或SOI基板等來形成晶體管。通過這樣，可以制造特性、尺寸及形狀等的不均勻性低、電流供給能力高且尺寸小的晶體管。如果使用這些晶體管，則可以謀求電路的低功耗或電路的高集成化?；蛘?，可以使用具有ZnO、a-InGaZnO、SiGe,GaAs,IZO、ITO、SnO,TiO、AlZnSnO(AZTO)等的化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體的晶體管、以及對這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體進(jìn)行薄膜化后的薄膜晶體管等。通過這樣，可以降低制造溫度，例如可以在室溫下制造晶體管。其結(jié)果是，可以在低耐熱性的基板、例如塑料基板或薄膜基板上直接形成晶體管。此外，這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體不僅可以用于晶體管的溝道形成區(qū)，而且還可以作為其他用途來使用。例如，這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體可以作為電阻元件、像素電極、具有透光性的電極來使用。再者，由于它們可以與晶體管同時(shí)成膜或形成，所以可以降低成本。或者，可以使用通過噴墨法或印刷法而形成的晶體管等。通過這樣，可以在室溫下進(jìn)行制造，以低真空度制造，或在大型基板上進(jìn)行制造。由于即使不使用掩模(標(biāo)線(reticule))也可以進(jìn)行制造，所以可以容易地改變晶體管的布局。再者，由于不需要抗蝕齊U，所以可以減少材料費(fèi)用，并減少工序數(shù)量。并且，因?yàn)橹辉谛枰牟糠稚闲纬赡?，所以與在整個(gè)面上形成膜之后進(jìn)行蝕刻的制造方法相比，可以實(shí)現(xiàn)低成本且不浪費(fèi)材料。或者，可以使用具有有機(jī)半導(dǎo)體或碳納米管的晶體管等。通過這樣，可以在能夠彎曲的基板上形成晶體管。因此，能夠增強(qiáng)使用了這種基板的半導(dǎo)體裝置的耐沖擊性。再者，可以使用各種結(jié)構(gòu)的晶體管。例如，可以使用MOS型晶體管、結(jié)型晶體管、雙極晶體管等來作為晶體管。通過使用MOS型晶體管，可以減小晶體管尺寸。因此，可以安裝多個(gè)晶體管。通過使用雙極晶體管，可以使大電流流過。因此，可以使電路高速地工作。此外，也可以將MOS型晶體管、雙極晶體管等混合而形成在一個(gè)基板上。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)低功耗、小型化、高速工作等。除此之外，還可以采用各種晶體管。另外，可以使用各種基板形成晶體管。對基板的種類沒有特別的限制。作為該基板，例如可以使用單晶基板(例如，硅基板)、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、金屬基板、不銹鋼基板、具有不銹鋼箔的基板、鎢基板、具有鎢箔的基板、柔性基板等。作為玻璃基板的一例，有鋁硼硅酸鹽玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃等。作為撓性基板的一例，有以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)為代表的塑料或丙烯酸樹脂等的具有柔性的合成樹脂等。除此之外，還有貼合薄膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟化乙烯、氯乙烯等)、包含纖維狀的材料的紙、基材薄膜(聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、無機(jī)蒸鍍薄膜、紙類等)等?；蛘?，也可以使用某個(gè)基板來形成晶體管，然后將晶體管轉(zhuǎn)置到另一基板上，并在另一基板上配置晶體管。作為轉(zhuǎn)置晶體管的基板，可以使用單晶基板、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、紙基板、玻璃紙基板、石材基板、木材基板、布基板(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)、或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造纖維、再生聚酯)等)、皮革基板、橡皮基板、不銹鋼基板、具有不銹鋼箔的基板等。或者，也可以使用人等的動物皮膚(表皮、真皮)或皮下組織作為基板。或者，也可以使用某個(gè)基板形成晶體管，并拋光該基板以使其變薄。作為進(jìn)行拋光的基板，可以使用單晶基板、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、不銹鋼基板、具有不銹鋼箔的基板等。通過使用這些基板，可以謀求形成特性良好的晶體管、形成低功耗的晶體管、制造不容易被破壞的裝置、賦予耐熱性、輕量化或薄型化。此外，可以采用各種結(jié)構(gòu)的晶體管，而不局限于特定的結(jié)構(gòu)。例如，可以采用具有兩個(gè)以上的柵電極的多柵極結(jié)構(gòu)。如果采用多柵極結(jié)構(gòu)，則由于將溝道區(qū)串聯(lián)連接，所以成為多個(gè)晶體管串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。通過采用多柵極結(jié)構(gòu)，可以降低截止電流，提高晶體管的耐壓性(提高可靠性)?；蛘?，利用多柵極結(jié)構(gòu)，當(dāng)在飽和區(qū)工作時(shí)，即使漏極/源極間的電壓變化，漏極/源極間電流的變化也不太大，從而可以使電壓/電流特性的斜率平坦。如果利用斜率平坦的電壓/電流特性，則可以實(shí)現(xiàn)理想的電流源電路或電阻值非常高的主動負(fù)載。其結(jié)果是，可以實(shí)現(xiàn)特性良好的差動電路或電流反射鏡電路。作為其他的例子，可以采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)。因?yàn)橥ㄟ^采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，可以增加溝道區(qū)，所以可以增加電流值。或者，通過采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，容易產(chǎn)生耗盡層，因此可以實(shí)現(xiàn)S值的改善。此外，通過采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，從而成為多個(gè)晶體管并聯(lián)連接這樣的結(jié)構(gòu)。也可以采用將柵電極配置在溝道區(qū)之上的結(jié)構(gòu)、將柵電極配置在溝道區(qū)之下的結(jié)構(gòu)、正交錯(cuò)結(jié)構(gòu)、反交錯(cuò)結(jié)構(gòu)、將溝道區(qū)分割成多個(gè)區(qū)的結(jié)構(gòu)、并聯(lián)連接溝道區(qū)的結(jié)構(gòu)、或者串聯(lián)連接溝道區(qū)的結(jié)構(gòu)。而且，還可以采用溝道區(qū)(或其一部分)與源電極或漏電極重疊的結(jié)構(gòu)。通過采用溝道區(qū)(或其一部分)與源電極或漏電極重疊的結(jié)構(gòu)，可以防止因電荷積存在溝道區(qū)的一部分而造成的工作不穩(wěn)定?；蛘?，可以應(yīng)用設(shè)置LDD區(qū)的結(jié)構(gòu)。通過設(shè)置LDD區(qū)，可以謀求降低截止電流或者提高晶體管的耐壓性(提高可靠性)。或者，通過設(shè)置LDD區(qū)，當(dāng)在飽和區(qū)工作時(shí)，即使漏極·源極之間的電壓變化，漏極·源極之間的電流的變化也不太大，從而可以使電壓·電流特性的斜率平坦。另外，作為晶體管，可以采用各種各樣的類型，可以使用各種基板來形成。因此，為了實(shí)現(xiàn)規(guī)定功能所需要的所有電路可以形成在同一基板上。例如，為了實(shí)現(xiàn)規(guī)定功能所需要的所有電路也可以使用玻璃基板、塑料基板、單晶基板或SOI基板等各種基板來形成。通過使用同一基板來形成為了實(shí)現(xiàn)規(guī)定功能所需要的所有電路，從而可以通過減少部件個(gè)數(shù)來降低成本，或可以通過減少與電路部件之間的連接件數(shù)來提高可靠性?；蛘?，也可以將為了實(shí)現(xiàn)規(guī)定功能所需要的電路的一部分形成在某個(gè)基板上，并將為了實(shí)現(xiàn)規(guī)定功能所需要的電路的另一部分形成在另一個(gè)基板上。換而言之，也可以不使用同一基板來形成為了實(shí)現(xiàn)規(guī)定功能所需要的所有電路。例如，也可以利用晶體管將為了實(shí)現(xiàn)規(guī)定功能所需要的電路的一部分形成在玻璃基板上，將為了實(shí)現(xiàn)規(guī)定功能所需要的電路的另一部分形成在單晶基板上，并通過COG(ChipOnGlass:玻璃上芯片)將由使用單晶基板形成的晶體管所構(gòu)成的IC芯片連接到玻璃基板，從而在玻璃基板上配置該IC芯片?；蛘撸部梢允褂肨AB(TapeAutomatedBonding卷帶自動接合)或印刷電路板使該IC芯片和玻璃基板連接。像這樣，通過將電路的一部分形成在同一基板上，從而可以通過減少部件個(gè)數(shù)來降低成本、或可以通過減少與電路部件之間的連接件數(shù)來提高可靠性?；蛘?，驅(qū)動電壓高的部分及驅(qū)動頻率高的部分的電路，由于其功耗大，因此不將該部分的電路形成在同一基板上，取而代之，例如如果將該部分的電路形成在單晶基板上以使用由該電路構(gòu)成的IC芯片，則能夠防止功耗的增加。另外，一個(gè)像素指的是能夠控制明亮度的一個(gè)要素。因此，作為一個(gè)例子，設(shè)一個(gè)像素表示一個(gè)顏色要素，并用該一個(gè)顏色要素來表現(xiàn)明亮度。因此，在采用由R(紅色)、G(綠色)和B(藍(lán)色)這些顏色要素構(gòu)成的彩色顯示裝置的情況下，將像素的最小單位設(shè)為由R的像素、G的像素、以及B的像素這三個(gè)像素構(gòu)成的像素。再者，顏色要素并不局限于三種顏色，也可以使用三種以上的顏色，并且可以使用RGB以外的顏色。例如，可以加上白色來實(shí)現(xiàn)RGBW(W是白色)。或者，可以對RGB加上黃色、藍(lán)綠色、紫紅色、翡翠綠及朱紅色等的一種以上的顏色?；蛘?，例如，也可以對RGB追加與RGB中的至少一種顏色類似的顏色。例如，可以采用R、G、B1、B2。Bl和B2雖然都是藍(lán)色，但是波長稍微不同。與此同樣，可以采用R1、R2、G、B。通過采用這種顏色要素，可以進(jìn)行更逼真的顯示。通過采用這種顏色要素，可以降低功耗。作為其他例子，關(guān)于一個(gè)顏色要素，在使用多個(gè)區(qū)來控制明亮度的情況下，可以將所述區(qū)中的一個(gè)作為一個(gè)像素。因此，作為一個(gè)例子，在進(jìn)行面積灰度的情況或具有子像素(副像素)的情況下，每一個(gè)顏色要素具有控制明亮度的多個(gè)區(qū)，雖然由它們?nèi)w來表現(xiàn)灰度，但是可以將控制明亮度的區(qū)域中的一個(gè)作為一個(gè)像素。因此，在此情況下，一個(gè)顏色要素由多個(gè)像素構(gòu)成?；蛘?，即使在一個(gè)顏色要素中具有多個(gè)控制明亮度的區(qū)域，也可以將它們匯總而將一個(gè)顏色要素作為一個(gè)像素。因此，在此情況下，一個(gè)顏色要素由一個(gè)像素構(gòu)成?；蛘撸P(guān)于一個(gè)顏色要素，在使用多個(gè)區(qū)來控制明亮度的情況下，由于像素的不同，有對顯示有貢獻(xiàn)的區(qū)域的大小不同的情況。或者，在一個(gè)顏色要素所具有的多個(gè)控制明亮度的區(qū)域中，也可以使提供給各個(gè)區(qū)的信號稍微不同，從而擴(kuò)大視角。就是說，一個(gè)顏色要素所具有的多個(gè)區(qū)分別具有的像素電極的電位也可以互不相同。其結(jié)果是，施加到液晶分子的電壓根據(jù)各像素電極而各不相同。因此，可以擴(kuò)大視角。再者，在明確地記載“一個(gè)像素(三種顏色)，，的情況下，將R、G和B三個(gè)像素看作一個(gè)像素。在明確地記載“一個(gè)像素(一種顏色)”的情況下，當(dāng)每個(gè)顏色要素具有多個(gè)區(qū)時(shí)，將該多個(gè)區(qū)匯總并看作一個(gè)像素。另外，像素有時(shí)配置(排列)為矩陣形狀。這里，像素配置(排列)為矩陣形狀包括如下情況在縱向或橫向上，在直線上排列而配置像素的情況，或者，在鋸齒形的線上配置像素的情況。因此，在以三色的顏色要素(例如RGB)進(jìn)行全彩色顯示的情況下，也包括進(jìn)行條形配置的情況，或者將三種顏色要素的點(diǎn)配置為三角形狀的情況。再者，還包括以拜爾(Bayer)方式進(jìn)行配置的情況。此外，顏色要素的每個(gè)點(diǎn)也可以具有不同大小的顯示區(qū)。由此，可以實(shí)現(xiàn)低功耗、或顯示元件的長壽命化。此外，可以采用在像素上具有主動元件的有源矩陣方式、或在像素上沒有主動元件的無源矩陣方式。在有源矩陣方式中，作為主動元件(有源元件、非線性元件)，不僅可以使用晶體管，而且還可使用各種主動元件(有源元件、非線性元件)。例如，可以使用MIM(MetalInsulatorMetal；金屬-絕緣體-金屬)或TFD(ThinFilmDiode；薄膜二極管)等。由于這些元件的制造工序少，所以可以降低制造成本或提高成品率。再者，由于元件尺寸小，所以可以提高開口率，并實(shí)現(xiàn)低功耗或高亮度化。另外，除了有源矩陣方式以外，還可以采用沒有使用主動元件(有源元件、非線性元件)的無源矩陣型。由于不使用主動元件(有源元件、非線性元件)，所以制造工序少，可以降低制造成本或提高成品率。由于不使用主動元件(有源元件、非線性元件)，所以可以提高開口率，并實(shí)現(xiàn)低功耗或高亮度化。此外，晶體管是指包括柵極、漏極、以及源極的至少具有三個(gè)端子的元件，且在漏區(qū)和源區(qū)之間具有溝道區(qū)，電流能夠通過漏區(qū)、溝道區(qū)、以及源區(qū)流動。這里，因?yàn)樵礃O和漏極根據(jù)晶體管的結(jié)構(gòu)或工作條件等而改變，因此很難限定哪個(gè)是源極或漏極。因此，有時(shí)不將用作源極及漏極的區(qū)域稱為源極或漏極。在此情況下，作為一個(gè)例子，有時(shí)將它們分別記為第一端子和第二端子?；蛘?，有時(shí)將它們分別記為第一電極和第二電極?；蛘?，有時(shí)將它們記為第一區(qū)和第二區(qū)。另外，晶體管也可以是包括基極、發(fā)射極和集電極的至少具有三個(gè)端子的元件。在此情況下，也與上述同樣地有時(shí)將發(fā)射極和集電極分別記為第一端子和第二端子等。再者，柵極是指包括柵電極和柵極布線(也稱為柵極線、柵極信號線、掃描線、掃描信號線等)的整體，或者是指這些中的一部分。柵電極指的是通過柵極絕緣膜而與形成溝道區(qū)的半導(dǎo)體重疊的部分的導(dǎo)電膜。此外，柵電極的一部分有時(shí)通過柵極絕緣膜而與LDD(LightlyDopedDrain；輕摻雜漏極)區(qū)或源區(qū)(或漏區(qū))重疊。柵極布線是指用于連接各晶體管的柵電極之間的布線、用于連接各像素所具有的柵電極之間的布線、或用于連接?xùn)烹姌O和其他布線的布線。但是，也存在著用作柵電極并用作柵極布線的部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)。這種部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)可以稱為柵電極或柵極布線。換言之，也存在著無法明確區(qū)分柵電極和柵極布線的區(qū)域。例如，在溝道區(qū)與延伸而配置的柵極布線的一部分重疊的情況下，該部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)不僅用作柵極布線，但也用作柵電極。因此，這種部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)可以稱為柵電極或柵極布線。另外，用與柵電極相同的材料形成、且形成與柵電極相同的島(island)而連接的部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)也可以稱為柵電極。與此同樣，用與柵極布線相同的材料形成、且形成與柵極布線相同的島(island)而連接的部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)也可以稱為柵極布線。嚴(yán)格而言，有時(shí)這種部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)與溝道區(qū)不重疊，或者，不具有與其他柵電極之間實(shí)現(xiàn)連接的功能。但是，根據(jù)制造時(shí)的規(guī)格等關(guān)系，具有由與柵電極或柵極布線相同的材料形成且形成與柵電極或柵極布線相同的島(island)而連接的部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)。因此，這種部分(區(qū)、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵電極或柵極布線。另外，例如在多柵極晶體管中，在很多情況下一個(gè)柵電極和其他的柵電極通過由與柵電極相同的材料形成的導(dǎo)電層實(shí)現(xiàn)連接。因?yàn)檫@種部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)是用于連接?xùn)烹姌O和柵電極的部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)，因此可以稱為柵極布線，但是由于也可以將多柵極晶體管看作一個(gè)晶體管，所以也可以稱為柵電極。換言之，由與柵電極或柵極布線相同的材料形成、且形成與柵電極或柵極布線相同的島(island)而連接的部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)也可以稱為柵電極或柵極布線。而且，例如，由與柵電極或柵極布線不同的材料形成的導(dǎo)電層也可以稱為柵電極或柵極布線，其中，該導(dǎo)電層是連接?xùn)烹姌O和柵極布線的部分的導(dǎo)電膜。另外，柵極端子是指柵電極的部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)或與柵電極電連接的部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)中的一部分。再者，在將某個(gè)布線稱為柵極布線、柵極線、柵極信號線、掃描線、掃描信號線等的情況下，該布線有時(shí)不連接到晶體管的柵極。在此情況下，柵極布線、柵極線、柵極信號線、掃描線、掃描信號線有時(shí)表示以與晶體管的柵極相同的層形成的布線、由與晶體管的柵極相同的材料形成的布線、或與晶體管的柵極同時(shí)成膜的布線。作為一個(gè)例子，可以舉出保持電容用布線、電源線、基準(zhǔn)電位供給布線等。此外，源極是指包括源區(qū)、源電極和源極布線(也稱為源極線、源極信號線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號線等)的整體，或者是指這些中的一部分。源區(qū)是指包含很多P型雜質(zhì)(硼或鎵等)或N型雜質(zhì)(磷或砷等)的半導(dǎo)體區(qū)。因此，稍微包含P型雜質(zhì)或N型雜質(zhì)的區(qū)域，艮口，所謂的LDD(LightlyDopedDrain；輕摻雜漏極)區(qū)，不包括在源區(qū)。源電極是指以與源區(qū)不相同的材料形成并與源區(qū)電連接而配置的部分的導(dǎo)電層。但是，源電極有時(shí)包括源區(qū)而稱為源電極。源極布線是指用于連接各晶體管的源電極之間的布線、用于連接各像素所具有的源電極之間的布線、或用于連接源電極和其他布線的布線。但是，也存在著作為源電極和源極布線起作用的部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)。這種部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)可以稱為源電極或源極布線。換而言之，也存在著無法明確區(qū)分源電極和源極布線的區(qū)域。例如，在源區(qū)與延伸而配置的源極布線的一部分重疊的情況下，該部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)作為源極布線起作用，但也作為源電極起作用。因此，這種部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)可以稱為源電極或源極布線。另外，以與源電極相同的材料形成且形成與源電極相同的島(island)而連接的部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)、或連接源電極和源電極的部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)也可以稱為源電極。另外，與源區(qū)重疊的部分也可以稱為源電極。與此相同，以與源極布線相同的材料形成且形成與源極布線相同的島(island)而連接的區(qū)域也可以稱為源極布線。嚴(yán)格而言，該部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)有時(shí)不具有與其他源電極之間實(shí)現(xiàn)連接的功能。但是，因?yàn)橹圃鞎r(shí)的規(guī)格等的關(guān)系，具有以與源電極或源極布線相同的材料形成且與源電極或源極布線連接的部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)。因此，這樣的部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)也可以稱為源電極或源極布線。另外，例如，也可以將用與源電極或源極布線不同的材料形成的導(dǎo)電層稱為源電極或源極布線，其中，該導(dǎo)電膜是連接源電極和源極布線的部分的導(dǎo)電層。再者，源極端子是指源區(qū)、源電極、與源電極電連接的部分(區(qū)、導(dǎo)電層、布線等)中的一部分。另外，在將某個(gè)布線稱為源極布線、源極線、源極信號線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號線等的情況下，該布線有時(shí)不連接到晶體管的源極(漏極)。在此情況下，源極布線、源極線、源極信號線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號線有時(shí)表示以與晶體管的源極(漏極)相同的層形成的布線、以與晶體管的源極(漏極)相同的材料形成的布線、或與晶體管的源極(漏極)同時(shí)成膜的布線。作為一個(gè)例子，可以舉出保持電容用布線、電源線、基準(zhǔn)電位供給布線等。另外，漏極與源極同樣。再者，半導(dǎo)體裝置是指具有包括半導(dǎo)體元件(晶體管、二極管、閘流晶體管等)的電路的裝置。而且，也可以將通過利用半導(dǎo)體特性來起作用的所有裝置稱為半導(dǎo)體裝置?；蛘?，將具有半導(dǎo)體材料的裝置稱為半導(dǎo)體裝置。而且，顯示裝置指的是具有顯示元件的裝置。此外，顯示裝置也可以具有包含顯示元件的多個(gè)像素。此外，顯示裝置可以包括驅(qū)動多個(gè)像素的外圍驅(qū)動電路。此外，驅(qū)動多個(gè)像素的外圍驅(qū)動電路也可以與多個(gè)像素形成在同一基板上。此外，顯示裝置可以包括通過引線鍵合或凸起等而配置在基板上的外圍驅(qū)動電路、所謂的通過玻璃上芯片(COG)而連接的IC芯片、或者通過TAB等而連接的IC芯片。此外，顯示裝置也可以包括安裝有IC芯片、電阻元件、電容元件、電感器、晶體管等的柔性印刷電路(FPC)。此外，顯示裝置可以包括通過柔性印刷電路(FPC)等實(shí)現(xiàn)連接、并安裝有IC芯片、電阻元件、電容元件、電感器、晶體管等的印刷線路板(PWB)。另外，顯示裝置也可以包括偏振板或相位差板等的光學(xué)片。此外，顯示裝置還包括照明裝置、框體、聲音輸入輸出裝置、光傳感器等。此外，照明裝置也可以具有背光燈單元、導(dǎo)光板、棱鏡片、擴(kuò)散片、反射片、光源(LED、冷陰極管等)、冷卻裝置(水冷式、空氣冷卻式)等。另外，發(fā)光裝置指的是具有發(fā)光元件等的裝置。在具有發(fā)光元件作為顯示元件的情況下，發(fā)光裝置是顯示裝置的一個(gè)具體例子。另外，反射裝置指的是具有光反射元件、光衍射元件、光反射電極等的裝置。另外，液晶顯示裝置指的是具有液晶元件的顯示裝置。作為液晶顯示裝置，可以舉出直觀型、投射型、透射型、反射型、半透射型等。另外，驅(qū)動裝置指的是具有半導(dǎo)體元件、電路、電子電路的裝置。例如，對從源極信號線向像素內(nèi)的信號輸入進(jìn)行控制的晶體管(有時(shí)稱為選擇用晶體管、開關(guān)用晶體管等)、將電壓或電流提供到像素電極的晶體管、將電壓或電流提供到發(fā)光元件的晶體管等，是驅(qū)動裝置的一個(gè)例子。再者，將信號提供到柵極信號線的電路(有時(shí)稱為柵極驅(qū)動器、柵極線驅(qū)動電路等)、將信號提供到源極信號線的電路(有時(shí)稱為源極驅(qū)動器、源極線驅(qū)動電路等)等，是驅(qū)動裝置的一個(gè)例子。再者，有可能重復(fù)具有顯示裝置、半導(dǎo)體裝置、照明裝置、冷卻裝置、發(fā)光裝置、反射裝置、驅(qū)動裝置等。例如，顯示裝置有時(shí)具有半導(dǎo)體裝置及發(fā)光裝置。或者，半導(dǎo)體裝置有時(shí)具有顯示裝置及驅(qū)動裝置。再者，明確地記載“在A的上面形成B”或“在A上形成B”的情況不局限于B直接接觸地形成在A的上面的情況。還包括不直接接觸的情況，即，在A和B之間夾有其他對象物的情況。這里，A和B是對象物(例如裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜、層等)。因此，例如，明確地記載“在層A的上面(或?qū)覣上)形成層B”的情況包括如下兩種情況層B直接接觸地形成在層A的上面的情況；以及在層A的上面直接接觸地形成其他層(例如層C或?qū)覦等)，并且層B直接接觸地形成在所述其他層上的情況。另外，其他層(例如層C或?qū)覦等)可以是單層或多層。而且，關(guān)于明確地記載“在A的上方形成B”的情況也同樣地，不局限于B直接接觸A的上面的情況，而還包括在A和B之間夾有其他對象物的情況。因此，例如，“在層A的上方形成層B”的情況包括如下兩種情況層B直接接觸地形成在層A的上面的情況；以及在層A之上直接接觸地形成其他層(例如層C或?qū)覦等)，并且層B直接接觸地形成在所述其他層上的情況。此外，其他層(例如層C或?qū)覦等)可以是單層或多層。另外，明確地記載“在A的上面形成B”、“在A上形成B”、或“在A的上方形成B”的情況還包括在A的斜上面形成B的情況。另外，“在A的下面形成B”或“在A的下方形成B”的情況與上述情況同樣。而且，明確記載為單數(shù)的情況優(yōu)選是單數(shù)。但是本發(fā)明不局限于此，也可以是復(fù)數(shù)。與此同樣，明確記載為復(fù)數(shù)的情況優(yōu)選是復(fù)數(shù)，但是本發(fā)明不局限于此，也可以是單數(shù)。此外，在附圖中，有時(shí)為清楚地說明而夸大了大小、層的厚度或區(qū)域。此外，在附圖中，示意性地示出理想例子，而不局限于附圖所示的形狀或數(shù)值等。例如，可以包括制造技術(shù)所引起的形狀不均勻、或誤差等所引起的形狀不均勻、或者雜波所引起的信號、電壓或電流不均勻或者定時(shí)的偏差所引起的信號、電壓或電流不均勻等。另外，在很多情況下，專門用語是用來描述特定的實(shí)施方式或?qū)嵤├鹊?，但不局限于此。此外，沒有被定義的術(shù)語(包括專門用語或?qū)W術(shù)用語等科技術(shù)語)可以表示與普通的本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的一般意思相同的意思。由詞典等定義的詞句優(yōu)選被解釋為不與有關(guān)技術(shù)的背景產(chǎn)生矛盾的意思。另外，第一、第二、第三等這些詞用來有區(qū)別地描述各種因素、構(gòu)件、區(qū)、層、領(lǐng)域。因此，第一、第二、第三等這些詞不限定因素、構(gòu)件、區(qū)、層、領(lǐng)域等個(gè)數(shù)。再者，例如，可以用“第二”或“第三”等替換“第一”。注意，“上”、“上方”、“下”、“下方”、“橫”、“右”、“左”、“斜”、“里邊”或“前邊”等表示空間配置的詞句在很多情況下用來以附圖簡單地示出某種因素或特征和其他因素或特征的關(guān)聯(lián)。但是，不局限于此，這些表示空間配置的詞句除了附圖所描述的方向以外還可以包括其他方向。例如，明確地記載“在A之上B”的情況不局限于B存在于A之上的情況。附圖中的裝置可以反轉(zhuǎn)或者轉(zhuǎn)動180°，所以還可以包括B存在于A之下的情況。如此，“上”這詞句除了“上”這方向以外還可以包括“下”這方向。但是，不局限于此，附圖中的裝置轉(zhuǎn)動為各種方向，所以“上”這詞句除了“上”及“下”這些方向以外還可以包括“橫”、“右”、“左”、“斜”、“里邊”或“前邊”等其他方向。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式可以形成具有透光性的晶體管或具有透光性的電容元件。因此，即使在像素中配置晶體管及電容元件，也可以在形成有晶體管及電容元件的部分中透過光，所以可以提高開口率。再者，因?yàn)榭梢允褂秒娮璧颓覍?dǎo)電率高的材料形成連接晶體管和元件(例如，其他的晶體管)的布線或連接電容元件和元件(例如，其他的電容元件)的布線，所以可以減少信號的波形畸變，并減少布線電阻所引起的電壓降低。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的俯視圖及截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的截面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的截面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的截面圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的俯視圖及截面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的俯視圖及截面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的俯視圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的俯視圖及截面圖11是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的俯視圖及截面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的俯視圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的俯視圖及截面圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的俯視圖及截面圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的俯視圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的俯視圖及截面圖；圖17是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的截面圖；圖18是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的截面圖；圖19是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的截面圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的截面圖；圖21是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的截面圖；圖22是說明多級灰度掩模的圖；圖23是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的截面圖；圖24是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的框圖；圖25是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的截面圖；圖26是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體裝置的電路圖；圖27是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置的截面圖；圖28是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置的俯視圖及截面圖；圖29是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置的俯視圖及截面圖；圖30是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置的圖；圖31是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的電子設(shè)備的圖；圖32是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的電子設(shè)備的圖；圖33是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的電子設(shè)備的圖；圖34是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的電子設(shè)備的圖；圖35是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的截面圖；圖36是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的俯視圖；圖37是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的電路的圖；圖38是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的電路的圖；圖39是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的電路的圖；圖40是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示元件的電位的圖；圖41是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示畫面的圖。具體實(shí)施例方式下面，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式將參照附圖進(jìn)行說明。但是，本發(fā)明可以以多個(gè)不同形式來實(shí)施，所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)，就是其方式和詳細(xì)內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在下面所示的實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。在本說明書中，“膜”是指形成在整個(gè)面上并沒有進(jìn)行圖案形成。另外“層”是由抗蝕劑掩模等圖案形成為所希望的形狀。注意，如上述“膜”和“層”的區(qū)別是為了方便起見進(jìn)行的，有時(shí)并不特別區(qū)別地使用膜和層。另外，至于層疊膜的各個(gè)層，有時(shí)并不區(qū)別使用膜和層。另外，在本說明書中，為了方便區(qū)別要素，使用“第一”、“第二”或“第三”等的附有序數(shù)詞的用詞，該用詞不是用來限制個(gè)數(shù)，也不是用來限制配置及工序的順序。注意，在某一個(gè)實(shí)施方式中所說明的內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)對于該實(shí)施方式所說明的其他內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)和/或在一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)施方式中所說明的內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)可以進(jìn)行應(yīng)用、組合或置換等。注意，在實(shí)施方式中所說明的內(nèi)容是指在各種實(shí)施方式中利用各種附圖而說明的內(nèi)容、或利用說明書所記載的文章而說明的內(nèi)容。注意，可以通過將在某一個(gè)實(shí)施方式中所說明的附圖(也可以是其一部分)，與該附圖的其他部分、在該實(shí)施方式中所說明的其他附圖(也可以其一部分)和/或在一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)施方式中所說明的附圖(也可以是其一部分)進(jìn)行組合，從而構(gòu)成更多的附圖。注意，可以在某一個(gè)實(shí)施方式中所描述的附圖或者文章中，取出其一部分而構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。從而，在記載有說明某一部分的附圖或者文章的情況下，取出其一部分的附圖或者文章的內(nèi)容也是作為發(fā)明的一個(gè)方式而公開的，所以能夠構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。因此，例如，可以在記載有一個(gè)或多個(gè)有源元件(晶體管、二極管等)、布線、無源元件(電容元件、電阻元件等)、導(dǎo)電層、絕緣層、半導(dǎo)體層、有機(jī)材料、無機(jī)材料、零部件、基板、模塊、裝置、固體、液體、氣體、工作方法、制造方法等的附圖(截面圖、俯視圖、電路圖、框圖、流程圖、工序圖、立體圖、立面圖、配置圖、時(shí)序圖、結(jié)構(gòu)圖、示意圖、圖表、表、光路圖、向量圖、狀態(tài)圖、波形圖、照片、化學(xué)式等)或者文章中，取出其一部分而構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。實(shí)施方式1在本實(shí)施方式中，參照圖1至圖15說明半導(dǎo)體裝置及其制造工序。圖1示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。圖IA是俯視圖，而圖IB是沿著圖IA中的A-B截?cái)嗟慕孛鎴D。圖IA所示的半導(dǎo)體裝置包括像素部，該像素部包括配置在第一方向的多個(gè)布線(例如，柵極布線及電容布線)、配置在第二方向的多個(gè)布線(例如，源極布線)以及這些布線的交叉部附近的多個(gè)晶體管。另外，配置在第一方向的布線和配置在第二方向的布線優(yōu)選正交。注意，在本說明書中，像素部是指由多個(gè)柵極布線及多個(gè)源極布線圍成的區(qū)域。圖1所示的晶體管150在具有絕緣表面的基板100上由半導(dǎo)體層103a、設(shè)置在半導(dǎo)體層103a上的用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層106a、106b、設(shè)置在用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層106a、106b上的柵極絕緣膜110、設(shè)置在柵極絕緣膜110上且設(shè)置在導(dǎo)電層106a和106b之間的用作柵電極的導(dǎo)電層113a構(gòu)成。因此，晶體管150是所謂的頂柵型晶體管。但是，也可以在溝道(半導(dǎo)體層103a)的下側(cè)配置有柵電極。半導(dǎo)體層103a優(yōu)選具有氧化物。但是，不局限于此，而半導(dǎo)體層可以不具有氧化物。例如，可以使用硅、砷化鎵、化合物半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體、碳納米管等形成半導(dǎo)體層103a。此外，使用具有透光性的材料形成構(gòu)成晶體管150的半導(dǎo)體層103a、用作柵電極的導(dǎo)電層113a、用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層106a、106b等中的一部分或全部。像這樣，通過使用具有透光性的材料形成構(gòu)成晶體管150的半導(dǎo)體層及導(dǎo)電層等中的一部分或全部，可以使形成有晶體管的部分透過光，從而可以提高像素部的開口率。在很多情況下，將構(gòu)成柵電極、源電極或漏電極的導(dǎo)電層延長，以在同一個(gè)島上形成連接元件和元件，例如連接晶體管和晶體管的布線。因此，在很多情況下，連接晶體管的柵極和別的晶體管的柵極的布線(稱為柵極布線)由與晶體管的柵電極相同的層結(jié)構(gòu)或相同材料形成，并且連接晶體管的源極和別的晶體管的源極的布線(稱為源極布線)由與晶體管的源電極相同的層結(jié)構(gòu)或相同材料形成。由此，在作為柵電極、源電極或漏電極使用具有透光性的材料而形成的情況下，柵極布線及源極布線與柵電極及源電極或漏電極同樣，使用具有透光性的材料形成。與具有遮光性及反射性的材料例如鋁、鉬、鈦、鎢、釹、銅、銀、鉻等相比，具有透光性的材料例如氧化銦錫、氧化銦鋅及氧化銦錫鋅等的導(dǎo)電率低。因此，當(dāng)使用具有透光性的材料形成布線時(shí)，布線電阻增高。例如，在制造大型顯示裝置的情況下，因?yàn)椴季€延長，所以布線電阻成為極高。當(dāng)布線電阻增高時(shí)，發(fā)生在該布線傳播的信號的波形畸變，由于布線電阻所導(dǎo)致的電壓下降，而供應(yīng)的電壓變小。因此，有如下憂慮供應(yīng)準(zhǔn)確的電壓和電流變得困難，進(jìn)行正常的顯示和工作變得困難。于是，層疊具有透光性的導(dǎo)電層113a和具有遮光性的導(dǎo)電層116a來形成與晶體管150的柵電極電連接的柵極布線，并且層疊具有透光性的導(dǎo)電層106a和具有遮光性的導(dǎo)電層109a來形成與晶體管150的源電極或漏電極電連接的源極布線。換言之，晶體管150的柵電極由具有透光性的導(dǎo)電層113a的一部分形成。而且，晶體管150的源電極或漏電極由具有透光性的導(dǎo)電層106a的一部分形成。導(dǎo)電層113a的透光率優(yōu)選充分高。此外，導(dǎo)電層113a的透光率優(yōu)選高于導(dǎo)電層116a的透光率。此外，優(yōu)選的是，導(dǎo)電層116a的電阻率充分低，導(dǎo)電率充分高。另外，導(dǎo)電層116a的電阻率優(yōu)選低于導(dǎo)電層113a的電阻率。但是，因?yàn)閷?dǎo)電層116a用作導(dǎo)電層，所以導(dǎo)電層116a的電阻率優(yōu)選低于絕緣層的電阻率。通過層疊具有透光性的導(dǎo)電層和具有遮光性的導(dǎo)電層來形成柵極布線或源極布線，可以減少布線電阻。此外，通過減少布線電阻，可以減少信號的波形畸變且減少布線電阻所導(dǎo)致的電壓下降。此外，通過減少布線電阻所導(dǎo)致的電壓下降，可以供給正確的電壓及電流。由此，可以制造大型顯示裝置。此外，因?yàn)闁艠O布線或源極布線由具有遮光性的導(dǎo)電層構(gòu)成，所以可以對像素之間進(jìn)行遮光。換言之，可以利用配置在行方向上的柵極布線和配置在列方向上的源極布線，來不使用黑矩陣地對像素之間的空隙進(jìn)行遮光。但是，也可以使用黑矩陣。另外，從顯示特性的觀點(diǎn)來看，需要像素具有大電容元件并實(shí)現(xiàn)高開口率化。通過各像素具有高開口率，提高光利用效率，因此實(shí)現(xiàn)顯示裝置的低耗電化及小型化。近年來，像素尺寸的微細(xì)化進(jìn)步，需要提供更高清晰的圖像。但是，像素尺寸的微細(xì)化導(dǎo)致占據(jù)在一個(gè)像素中的晶體管及布線的形成面積增大，因此降低像素的開口率。為了在規(guī)定的像素尺寸中獲得高開口率，必須高效地設(shè)計(jì)像素的電路結(jié)構(gòu)所需要的要素。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的電容布線，優(yōu)選配置在與柵極布線相同的第一方向上，且在像素區(qū)中使用具有透光性的導(dǎo)電層113b形成上述電容布線。而且，在與源極布線重疊的區(qū)域中，也可以層疊具有透光性的導(dǎo)電層113b和具有遮光性的導(dǎo)電層116b以提高導(dǎo)電率。此外，在電容布線中形成有保持電容部160。保持電容部160與晶體管150的源電極及漏電極中的一方(導(dǎo)電層106b)連接。以柵極絕緣膜110為電介質(zhì)使用用作電極的導(dǎo)電層106b和導(dǎo)電層113b構(gòu)成保持電容部160。另外，因?yàn)樵谙袼仉姌O和導(dǎo)電層113b之間形成電容，所以也可以將該電容用作保持電容。雖然在本實(shí)施方式中示出將電容布線的寬度和柵極布線的寬度形成為相同的例子，但是也可以將電容布線的寬度和柵極布線的寬度形成為不同。優(yōu)選將電容布線的寬度形成為大于柵極布線的寬度。通過擴(kuò)大電容布線的寬度，可以將保持電容部160的面積變大。如此，通過由具有透光性的導(dǎo)電層106b及導(dǎo)電層113b構(gòu)成保持電容部160，可以使形成有保持電容部160的部分透光，而可以提高開口率。另外，通過由具有透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成保持電容部160，可以不使開口率降低而使保持電容部160的尺寸增大，因此即使晶體管截止，也提高像素電極的電位保持特性，而提高顯示質(zhì)量。另外，可以使饋通電位降低。或者，由于對噪聲的耐性提高，因此可以減少串?dāng)_(crosstalk)。此外，由于可以實(shí)現(xiàn)正確的電壓，因此還可以減少閃爍?？梢愿咝У夭季窒袼氐碾娐方Y(jié)構(gòu)所需要的電路要素。另外，將圖1所示的晶體管150可以用于設(shè)置在以液晶顯示裝置或EL顯示裝置為代表的發(fā)光顯示裝置的像素部中的像素晶體管。因此，在圖1中，在柵極絕緣膜110、絕緣膜117中設(shè)置有接觸孔130，在絕緣膜117上設(shè)置有像素電極層(具有透光性的導(dǎo)電層119a、119c)，通過設(shè)置在柵極絕緣膜110、絕緣膜117中的接觸孔130，像素電極層(具有透光性的透明導(dǎo)電層119a)和導(dǎo)電層106b連接。接著，使用圖2至圖5說明半導(dǎo)體裝置的制造工序的一例。首先，在具有絕緣表面的基板100上形成氧化物半導(dǎo)體膜101(參照圖2A和2B)。例如，作為具有絕緣表面的基板100，可以使用用于液晶顯示裝置等的可見光可透過的玻璃基板。上述玻璃基板優(yōu)選為無堿玻璃基板。作為無堿玻璃基板，例如使用鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃等的玻璃材料。除此之外，作為具有絕緣表面的基板100還可以使用陶瓷基板、石英基板或藍(lán)寶石基板等由絕緣體構(gòu)成的絕緣基板、其表面使用絕緣材料覆蓋的由硅等半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體基板、其表面使用絕緣材料覆蓋的由金屬或不銹鋼等導(dǎo)體構(gòu)成的導(dǎo)電基板等。另外，也可以使用PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)等的塑料基板。也可以在具有絕緣表面的基板100上設(shè)置作為基底膜的絕緣膜。絕緣膜具有防止來自基板100的堿金屬(Li、Cs、Na等)、堿土金屬(Ca、Mg等)或其他金屬元素等雜質(zhì)擴(kuò)散的功能。注意，將Na的濃度設(shè)定為5X1019/cm3以下，優(yōu)選設(shè)定為lX1018/cm3以下。絕緣膜可以由選自氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜、氧氮化鋁膜、氮氧化鋁膜中的一種的單層結(jié)構(gòu)或多種膜的層疊結(jié)構(gòu)而形成。更優(yōu)選的是，在氮化硅膜上設(shè)置氧化硅膜。通過使用氮化硅膜，可以充分地防止雜質(zhì)的擴(kuò)散。此外，通過在其上設(shè)置氧化硅膜，可以避免氮化半導(dǎo)體膜和半導(dǎo)體層的接觸。這是因?yàn)楫?dāng)?shù)枘ず桶雽?dǎo)體層接觸時(shí)，半導(dǎo)體層可能受到氫化的緣故。但是，不局限于此而可以使氮化硅膜和半導(dǎo)體層彼此接觸。作為形成氧化物半導(dǎo)體膜101的氧化物半導(dǎo)體，優(yōu)選使用具有表示為InMO3(ZnO)ffl(m>0)的結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體，特別優(yōu)選使用In-Ga-Zn-O類氧化物半導(dǎo)體。另外，M示出選自鎵(Ga)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、錳(Mn)及鈷(Co)中的一種金屬元素或多種金屬元素。例如，作為M，有時(shí)采用Ga，有時(shí)包含Ga以外的上述金屬元素諸如Ga和Ni或Ga和Fe等。此外，在上述氧化物半導(dǎo)體中，有不僅包含作為M的金屬元素，而且還包含作為雜質(zhì)元素的Fe、Ni等其他遷移金屬元素或該遷移金屬的氧化物的氧化物半導(dǎo)體。在本說明書中，也將具有表示為InMO3(ZnO)mOii>0)的結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體中的具有作為M至少包含Ga的結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體稱為In-Ga-Zn-O類氧化物半導(dǎo)體，并且也將該薄膜稱為In-Ga-Zn-O類的非單晶膜。至于In-Ga-Zn-O類非單晶膜的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，通過XRD(X線衍射)分析觀察到非晶結(jié)構(gòu)。注意，至于用于分析的樣品的In-Ga-Zn-O類非單晶膜，在通過濺射法形成之后，對它以200°C至500°C，典型地以300°C至400°C進(jìn)行10分鐘至100分鐘的熱處理。通過將In-Ga-Zn-O類非單晶膜用作薄膜晶體管的激活層，可以制造具有如下電特性的薄膜晶體管當(dāng)柵極電壓為士20V時(shí)，導(dǎo)通截止比為IO9以上，遷移率為10cm2/V·s以上。但是，氧化物半導(dǎo)體膜101不局限于具有表示為InM03(Zn0)m(m>0)的結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體膜。例如，還可以使用具有氧化銦(InOx)、氧化鋅(ZnOx)、氧化錫(SnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(IndiumTinOxide:ΙΤ0)、包含氧化硅的氧化銦錫(ITSO)、添加有鎵的氧化鋅(GZO)等的氧化物半導(dǎo)體膜。將氧化物半導(dǎo)體膜101的膜厚度設(shè)定為50nm以上，優(yōu)選設(shè)定為60nm以上至150nm。此外，氧化物半導(dǎo)體膜101有時(shí)在后面形成的用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層106a和106b之間具有其膜厚度比與導(dǎo)電層106a、106b重疊的區(qū)域的膜厚度薄的區(qū)域。因在對導(dǎo)電層106a、106b進(jìn)行蝕刻時(shí)半導(dǎo)體層103a的一部分也被蝕刻而產(chǎn)生上述情況。因此，通過將氧化物半導(dǎo)體膜101的膜厚度設(shè)定為50nm以上，可以防止溝道形成區(qū)因蝕刻而消失的情況。氧化物半導(dǎo)體膜101的載流子濃度范圍優(yōu)選低于IXIO1Vcm3(更優(yōu)選為IXlO11/cm3以上)。當(dāng)氧化物半導(dǎo)體膜101的載流子濃度范圍超過上述范圍時(shí)，有薄膜晶體管成為常導(dǎo)通狀態(tài)(nomally-on)的憂慮。氧化物半導(dǎo)體膜101也可以包含絕緣雜質(zhì)。作為該雜質(zhì)，有以氧化硅、氧化鍺、氧化鋁等為代表的絕緣氧化物、以氮化硅、氮化鋁等為代表的絕緣氮化物或者氧氮化硅、氧氮化鋁等的絕緣氧氮化物。以不影響到氧化物半導(dǎo)體的導(dǎo)電性的濃度對氧化物半導(dǎo)體添加這些絕緣氧化物、絕緣氮化物或絕緣氧氮化物。通過使氧化物半導(dǎo)體膜101包含絕緣雜質(zhì)，可以抑制該氧化物半導(dǎo)體膜101的晶化。通過抑制氧化物半導(dǎo)體膜101的晶化，可以實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的特性的穩(wěn)定化。例如，通過使In-Ga-Zn-O類氧化物半導(dǎo)體包含氧化硅等的雜質(zhì)，即使進(jìn)行300°C至600°C的熱處理也可以防止該氧化物半導(dǎo)體的晶化或微晶粒的生成。在將In-Ga-Zn-O類氧化物半導(dǎo)體用作溝道形成區(qū)的薄膜晶體管的制造工序中，可以通過熱處理提高S值(subthresholdswingvalue，亞閾值擺動值)及場效應(yīng)遷移率，并且在這種情況下也可以防止薄膜晶體管成為常導(dǎo)通狀態(tài)。此外，在該薄膜晶體管受到熱應(yīng)力、偏置應(yīng)力的情況下也可以防止閾值電壓的變動。作為應(yīng)用于氧化物半導(dǎo)體膜101的氧化物半導(dǎo)體，除了上述之外還可以應(yīng)用In-Sn-Zn-O類、In-Al-Zn-O類、Sn-Ga-Zn-O類、Al-Ga-Zn-O類、Sn-Al-Zn-O類、In-Zn-O類、Sn-Zn-O類、Al-Zn-O類、In-O類、Sn-O類、Zn-O類的氧化物半導(dǎo)體。此外，通過對上述氧化物半導(dǎo)體添加抑制晶化并使它們保持非晶狀態(tài)的雜質(zhì)，可以實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的特性的穩(wěn)定化。在本發(fā)明的一個(gè)方式中使用的半導(dǎo)體層只要具有透光性，而除了氧化物半導(dǎo)體之外還可以使用結(jié)晶半導(dǎo)體(單晶半導(dǎo)體或多晶半導(dǎo)體)、非晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體等。注意，當(dāng)在基板100上形成絕緣膜時(shí)，也可以在形成氧化物半導(dǎo)體膜101之前對絕緣膜的表面進(jìn)行等離子體處理。通過進(jìn)行等離子體處理，可以去除附著于絕緣膜表面的塵屑(微粒等)。當(dāng)進(jìn)行等離子體處理時(shí)，通過使用脈沖直流(DC)電源，可以減少塵屑且膜厚度分布也變均勻，所以是優(yōu)選的。另外，在進(jìn)行上述等離子體處理之后，通過不暴露于大氣地形成氧化物半導(dǎo)體膜101，可以抑制在絕緣膜和氧化物半導(dǎo)體膜101的界面上附著塵屑或水分。此外，作為濺射裝置，還可以使用能夠設(shè)置多個(gè)材料不同的靶材的多元濺射裝置。多元濺射裝置既可以在同一處理室中層疊形成不同膜，又可以在同一處理室中同時(shí)對多種材料進(jìn)行濺射形成一個(gè)膜。再者，也可以采用在處理室內(nèi)具備磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)的磁控管濺射裝置的方法(磁控管濺射法)、利用使用微波并產(chǎn)生的等離子體的ECR濺射法等。另外，還可以采用在成膜時(shí)使靶材物質(zhì)和濺射氣體成分起化學(xué)反應(yīng)而形成它們的化合物的反應(yīng)濺射法，以及在成膜時(shí)對基板也施加電壓的偏壓濺射法等。接著，在氧化物半導(dǎo)體膜101上形成抗蝕劑掩模102，使用該抗蝕劑掩模102選擇性地蝕刻氧化物半導(dǎo)體膜101，來形成島狀半導(dǎo)體層103a(參照圖2C、2D)。在形成抗蝕劑掩模時(shí)采用旋涂法的情況下，為了提高抗蝕劑饃的均勻性，使用大量的抗蝕劑材料和顯影液，不需要的材料的耗量多。尤其是基板大型化時(shí)，在使用旋涂法的成膜方法中，因?yàn)樾D(zhuǎn)大型基板的機(jī)構(gòu)規(guī)模大且材料液的浪費(fèi)及污水量多，所以從大量生產(chǎn)的觀點(diǎn)來看，這是不利的。另外，當(dāng)對矩形的基板進(jìn)行旋涂時(shí)，在涂布膜上容易發(fā)生以旋轉(zhuǎn)軸為中心的圓形的不均勻。在此，采用噴墨法等液滴噴射法、絲網(wǎng)印刷法等選擇性地形成抗蝕劑材料膜，并進(jìn)行暴露形成抗蝕劑掩模。通過選擇性地形成抗蝕劑材料膜，可以使抗蝕劑材料的使用量縮減，而可以實(shí)現(xiàn)大幅度的成本降低，來對應(yīng)于IOOOmmX1200mm、IlOOmmX1250mm、1150mmX1300mm等的大面積基板。但是，不局限于此。作為此時(shí)的蝕刻方法可以使用濕蝕刻或干蝕刻。在此，通過使用醋酸、硝酸和磷酸的混合液的濕蝕刻，去除氧化物半導(dǎo)體膜101的不需要的部分形成島狀氧化物半導(dǎo)體層103a。注意，在上述蝕刻之后去除抗蝕劑掩模102a。另外，使用濕蝕刻的蝕刻劑只要能夠蝕刻氧化物半導(dǎo)體膜101即可，不局限于上述蝕刻劑。在進(jìn)行干蝕刻的情況下，優(yōu)選使用含有氯的氣體或?qū)新鹊臍怏w添加氧的氣體。通過使用含有氯和氧的氣體，可以獲得用作基底膜的絕緣膜和氧化物半導(dǎo)體膜101的蝕刻選擇比，可以充分地減少對于絕緣膜的損傷。另外，作為用于干蝕刻的蝕刻裝置，可以使用如下裝置利用反應(yīng)性離子蝕刻法(ReactiveIonEtching;RIE法)的蝕亥Ij裝置；利用ECR(ElectronCyclotronResonance；電子回旋加速器諧振)或ICP(InductivelyCoupledPlasma；感應(yīng)耦合等離子體)等的高密度等離子體源的干蝕刻裝置。另外，作為與ICP蝕刻裝置相比在較大面積上容易獲得均勻放電的干蝕刻裝置，有ECCP(EnhancedCapacitivelyCoupledPlasma增大電容耦合等離子體)模式的蝕刻裝置，在該蝕刻裝置中，使上部電極接地，將13.56MHz的高頻電源連接到下部電極，并將3.2MHz的低頻電源連接到下部電極。當(dāng)采用該ECCP模式的蝕刻裝置時(shí)，可以對應(yīng)作為基板使用超過3m的尺寸的第10代的基板的情況。然后，優(yōu)選進(jìn)行200°C至600°C，代表為300°C至500°C的熱處理。在此，在氮?dú)夥障乱?50°C進(jìn)行一個(gè)小時(shí)的熱處理。通過該熱處理進(jìn)行構(gòu)成半導(dǎo)體層103a的In-Ga-Zn-O類氧化物半導(dǎo)體的原子級的重新排列。由于可以釋放阻礙半導(dǎo)體層103a中的載流子遷移的應(yīng)變，所以該熱處理(還包括光退火等)是重要的。注意，進(jìn)行上述熱處理的時(shí)序只要在形成半導(dǎo)體層103a之后，就沒有特別的限制。接著，在島狀的半導(dǎo)體層103a上形成導(dǎo)電膜104(參照圖2E、2F)。作為導(dǎo)電膜104，可以使用氧化銦錫(ITO)、包含氧化硅的氧化銦錫(ITSO)、有機(jī)銦、有機(jī)錫、氧化鋅(ZnO)、氮化鈦等。此外，還可以使用包含氧化鋅的氧化銦鋅(IndiumZincOxide:ΙΖ0)、包含鎵(Ga)的氧化鋅、氧化錫(SnO2)、包含氧化鎢的氧化銦、包含氧化鎢的氧化銦鋅、包含氧化鈦的氧化銦、包含氧化鈦的氧化銦錫等。也可以通過濺射法使用上述材料的單層結(jié)構(gòu)或兩層以上的層疊結(jié)構(gòu)來形成導(dǎo)電膜104。但是，當(dāng)采用層疊結(jié)構(gòu)時(shí)，多個(gè)膜的透光率都充分高。接著，在導(dǎo)電膜104上形成抗蝕劑掩模105a、105b，使用該抗蝕劑掩模105a、105b對導(dǎo)電膜104選擇性地進(jìn)行蝕刻，來形成用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層106a、106b(參照圖2G、2H)。另外，在上述蝕刻之后去除抗蝕劑掩模105a、105b。此時(shí)，為了提高后面形成的柵極絕緣膜110的覆蓋性并防止斷裂，優(yōu)選將用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層106a、106b的端部蝕刻為錐形。另外，源電極或漏電極包括源極布線等的由上述導(dǎo)電膜形成的電極及布線。接著，在島狀的半導(dǎo)體層103a、導(dǎo)電層106a、106b上形成導(dǎo)電膜107(參照圖3A、3B)?？梢允褂萌缦虏牧系膯螌踊?qū)盈B形成導(dǎo)電膜107:鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、鉻(Cr)、銻(Sb)、鈮(Nb)、鈰(Ce)等的金屬材料、以這些金屬材料為主要成分的合金材料或以這些金屬材料為成分的氮化物。優(yōu)選使用鋁等的低電阻導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電膜107。當(dāng)在導(dǎo)電層106a、106b(或?qū)щ娔?04)上形成導(dǎo)電膜107時(shí)，這兩個(gè)膜可能會起反應(yīng)。例如，當(dāng)將ITO用于導(dǎo)電層106a、106b并將鋁用于導(dǎo)電膜107時(shí)，可能會產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)。因此，為了避免化學(xué)反應(yīng)的產(chǎn)生，優(yōu)選在導(dǎo)電層106a、106b和導(dǎo)電膜107之間使用高熔點(diǎn)材料。例如，作為高熔點(diǎn)材料的例子，可以舉出鉬、鈦、鎢、鉭、鉻等。而且，優(yōu)選的是，在使用高熔點(diǎn)材料的膜上使用導(dǎo)電率高的材料形成多層的導(dǎo)電層106a、106b。作為導(dǎo)電率高的材料，可以舉出鋁、銅、銀等。例如，當(dāng)以層疊結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電層106a、106b時(shí)，可以采用如下層疊結(jié)構(gòu)第一層是鉬，第二層是鋁，第三層是鉬；或者第一層是鉬，第二層是包含微量的釹的鋁，第三層是鉬。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以防止小丘的產(chǎn)生。另外，優(yōu)選的是，具有透光性的導(dǎo)電層的厚度低于具有遮光性的導(dǎo)電層的厚度。但是，不局限于此。接著，在導(dǎo)電膜107上形成抗蝕劑掩模108，使用該抗蝕劑掩模108對導(dǎo)電膜107進(jìn)行蝕刻，來形成導(dǎo)電層109a(參照圖3C、3D)。在上述蝕刻之后去除抗蝕劑掩模108。其結(jié)果是，使形成有抗蝕劑掩模108的部分殘留地去除導(dǎo)電膜107，導(dǎo)電層106a露出。由此，導(dǎo)電層109a和導(dǎo)電層106a中的各層所具有的表面積互不相同。也就是說，導(dǎo)電層106a所具有的表面積比導(dǎo)電層109a所具有的表面積大。或者，導(dǎo)電層109a和導(dǎo)電層106a包括導(dǎo)電層109a和導(dǎo)電層106a重疊的區(qū)域以及導(dǎo)電層109a和導(dǎo)電層106a不重疊的區(qū)域。在導(dǎo)電層106a和導(dǎo)電層109a重疊的區(qū)域中，導(dǎo)電層106a和導(dǎo)電層109a用作源極布線，在導(dǎo)電層106a和導(dǎo)電層109a不重疊的區(qū)域中，導(dǎo)電層106a用作源電極或漏電極。通過使用具有透光性的材料形成用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層106a，可以在形成有源電極或漏電極的部分中也透過光，所以可以提高像素的開口率。此外，通過使用其導(dǎo)電率比導(dǎo)電層106a的導(dǎo)電率高的材料形成導(dǎo)電層109a，減少源極布線的布線電阻并減少耗電量。另夕卜，由于使用具有遮光性的導(dǎo)電層構(gòu)成源極布線，因此可以對像素之間進(jìn)行遮光。此外，可以提高對比度。注意，說明在形成導(dǎo)電層106a、106b之后形成導(dǎo)電層109a的工序，但是該順序也可以是相反的。換言之，也可以在形成源極布線的一部分的導(dǎo)電層109a之后形成用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層106a、106b(參照圖7)。此外，導(dǎo)電層106b還用作保持電容部160的電極。接著，在覆蓋導(dǎo)電層106a、106b的形成柵極絕緣膜110之后形成導(dǎo)電膜111(參照圖3E和3F)。柵極絕緣膜110可以由氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜、氧氮化鋁膜、氮氧化鋁膜、氧化鉭膜的單層或?qū)盈B形成。柵極絕緣膜110可以通過濺射法、CVD法等以50nm以上且250nm以下的厚度形成。例如，作為柵極絕緣膜110可以通過濺射法以IOOnm的厚度形成氧化硅膜。另外，可以通過濺射法以IOOnm的厚度形成氧化鋁膜。通過由致密的膜形成柵極絕緣膜110，可以防止水分或氧從基板100—側(cè)進(jìn)入到半導(dǎo)體層103a。另外，也可以防止基板100所包含的堿金屬(Li、Cs、Na等)或堿土金屬(Ca、Mg等)或其他金屬元素等雜質(zhì)進(jìn)入到半導(dǎo)體層103a。注意，將Na的濃度設(shè)定為5XIO19/cm3以下，優(yōu)選設(shè)定為lX1018/cm3以下。因此，可以抑制使用氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體特性的變動。另外，也可以提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。作為柵極絕緣膜110，可以設(shè)置氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅等的具有氧或氮的絕緣膜、DLC(類金剛石碳)等的包含碳的膜、由環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯酸樹脂等的有機(jī)材料或硅烷材料構(gòu)成的膜例如硅烷樹脂等構(gòu)成的膜的單層或?qū)盈B。另外，柵極絕緣膜110優(yōu)選具有透光性。優(yōu)選使用與形成導(dǎo)電膜104的材料大致相同的材料形成導(dǎo)電膜111。但是不局限于此。大致相同的材料是指其主要成分的元素相同的材料。在雜質(zhì)水平中，有時(shí)包含的元素的種類和濃度不相同。像這樣，當(dāng)通過使用大致相同的材料并采用濺射或蒸鍍形成導(dǎo)電膜111時(shí)，有導(dǎo)電膜111與導(dǎo)電膜104可以使用共同的材料的優(yōu)點(diǎn)。通過導(dǎo)電膜111和導(dǎo)電膜104使用共同的材料，可以使用相同的制造裝置，順利地進(jìn)行制造工序，提高生產(chǎn)能力，并實(shí)現(xiàn)低成本化。接著，在導(dǎo)電膜111上形成抗蝕劑掩模112a、112b，使用該抗蝕劑掩模112a、112b選擇性地蝕刻導(dǎo)電膜111，來形成導(dǎo)電層1133、11313(參照圖44和48)。注意，在上述蝕刻之后去除抗蝕劑掩模112a、112b。接著，在導(dǎo)電層113a、113b、柵極絕緣膜110上形成導(dǎo)電膜114(參照圖4C和4D)。導(dǎo)電膜114可以使用鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、鉻(Cr)、銻(Sb)、鈮(Nb)、鋪(Ce)等的金屬材料、以這些金屬材料為主要成分的合金材料、或以這些金屬材料為成分的氮化物，以單層或?qū)盈B形成。優(yōu)選使用鋁等的低電阻導(dǎo)電材料而形成。此外，優(yōu)選使用與形成導(dǎo)電膜107的材料不同的材料形成導(dǎo)電膜114?；蛘?，優(yōu)選使用與導(dǎo)電膜107不同的層疊結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電膜114。這是因?yàn)槿缦戮壒室话愕?，在半?dǎo)體裝置的制造工序中，施加到導(dǎo)電膜114的溫度和施加到導(dǎo)電膜107的溫度不同。一般地，與導(dǎo)電膜114相比，導(dǎo)電膜107處于較高溫的狀態(tài)。因此，優(yōu)選的是，與導(dǎo)電膜114相比，導(dǎo)電膜107采用熔點(diǎn)較高的材料或?qū)盈B結(jié)構(gòu)?；蛘?，優(yōu)選的是，與導(dǎo)電膜114相比，導(dǎo)電膜107采用較不容易產(chǎn)生小丘的材料或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。或者，由于導(dǎo)電膜114有時(shí)構(gòu)成接收映像信號的信號線，優(yōu)選使用其布線電阻比導(dǎo)電膜107的布線電阻低的材料或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。另外，優(yōu)選的是，與具有遮光性的導(dǎo)電層相比，具有透光性的導(dǎo)電層的厚度較薄。與在導(dǎo)電層106a、106b(或?qū)щ娔?04)上形成導(dǎo)電膜107的情況相同地，在導(dǎo)電層113a、113b(或?qū)щ娔?11)上形成導(dǎo)電膜114的情況下，這兩個(gè)膜會起反應(yīng)。由此，優(yōu)選的是，當(dāng)導(dǎo)電層113a、113b上形成導(dǎo)電膜114時(shí)也在導(dǎo)電層113a、113b和導(dǎo)電膜114之間使用高熔點(diǎn)材料。例如，作為高熔點(diǎn)材料的例子，可舉出鉬、鈦、鎢、鉭、鉻等。而且，在使用高熔點(diǎn)材料的膜上使用高導(dǎo)電率的材料以多層膜形成導(dǎo)電膜114是優(yōu)選的。作為高導(dǎo)電率的材料，可舉出鋁、銅、銀等。接著，在導(dǎo)電膜114上形成抗蝕劑掩模115，使用該抗蝕劑掩模115蝕刻導(dǎo)電膜114，形成導(dǎo)電層116a(參照圖4E和4F)。上述蝕刻之后去除抗蝕劑掩模115。其結(jié)果，導(dǎo)電膜114留下形成有抗蝕劑掩模115的部分而被去除，來使導(dǎo)電層113a露出。由此，導(dǎo)電層116a和導(dǎo)電層113a分別具有的表面積不同。就是說，導(dǎo)電層113a所具有的表面積大于導(dǎo)電層116a所具有的表面積。或者，導(dǎo)電層116a和導(dǎo)電層113a具有導(dǎo)電層116a和導(dǎo)電層113a重疊的區(qū)域、導(dǎo)電層116a和導(dǎo)電層113a不重疊的區(qū)域。在導(dǎo)電層113a和導(dǎo)電層116a中重疊的區(qū)域中，導(dǎo)電層113a和導(dǎo)電層116a用作柵極布線，并且在導(dǎo)電層113a和導(dǎo)電層116a不重疊的區(qū)域中，導(dǎo)電層113a用作柵電極。通過使用具有透光性的材料形成用作柵電極的導(dǎo)電層113a，即使在形成有柵電極的部分也可以透光，可以提高像素的開口率。另外，通過使用其導(dǎo)電率比導(dǎo)電層113a高的材料形成用作柵極布線的導(dǎo)電層111a，可以降低布線電阻，且降低耗電量。另外，源極布線因?yàn)橛删哂姓诠庑缘膶?dǎo)電層116a構(gòu)成，所以可以對像素之間進(jìn)行遮光。也就是說，可以利用配置在行方向上的柵極布線和配置在列方向上的源極布線對像素之間的空隙進(jìn)行遮光。注意，雖然說明在形成導(dǎo)電層113a、113b之后，形成導(dǎo)電層116a的工序，但是也可以將形成的順序反過來。就是說，在形成用作柵極布線的導(dǎo)電層116a之后，可以形成用作柵電極的導(dǎo)電層113a(參照圖7)。另外，在與柵極布線相同的方向上配置有電容布線。在像素區(qū)中，電容布線優(yōu)選由導(dǎo)電層113b形成，但是也可以在與源極布線重疊的區(qū)域中層疊導(dǎo)電層113b和導(dǎo)電層116b。通過層疊導(dǎo)電層113b和其導(dǎo)電率比導(dǎo)電層113b高的導(dǎo)電層116b，可以降低電阻(參照圖1A)。雖然在本實(shí)施方式中示出將電容布線的寬度和柵極布線的寬度形成為相同的例子，但是也可以將電容布線的寬度和柵極布線的寬度形成為不同。優(yōu)選將電容布線的寬度形成為大于柵極布線的寬度。可以將保持電容部160的表面積變大。像這樣，通過使用具有透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成保持電容部160，也可以在形成有保持電容部160的部分透過光，因此可以提高開口率。此外，通過使用具有透光性的材料構(gòu)成保持電容部160，可以增大保持電容部160，因此在晶體管截止時(shí)像素電極的電位保持特性提高且顯示質(zhì)量提高。另外，可以減少饋通電位。通過上述步驟，可以制造晶體管150、保持電容部160。此外，晶體管150、保持電容部160可以為具有透光性的元件。注意，在形成半導(dǎo)體層103a之后，在形成源電極、源極布線之后，在形成柵極絕緣膜之后及在形成柵電極之后的任一中，也可以進(jìn)行提高半導(dǎo)體層103a的一部分的區(qū)域或全部的區(qū)域的電導(dǎo)率的處理。例如，作為提高電導(dǎo)率的處理，可以舉出氫化處理等。通過將包含氫的氮化硅設(shè)置在半導(dǎo)體層103a的上層并施加熱，可以進(jìn)行半導(dǎo)體層103a的氫化處理?；蛘?，通過在氫氣氛中施加熱，可以使氧化物半導(dǎo)體層氫化。另外，如圖6A所示那樣，通過在與晶體管151的半導(dǎo)體層103a的溝道形成區(qū)重疊的區(qū)域中形成溝道保護(hù)層120a，可以在氧化物半導(dǎo)體層103a中形成選擇性地提高電導(dǎo)率的區(qū)域121a、121b。溝道保護(hù)層120a優(yōu)選由氧化硅形成。由此，可以抑制氫進(jìn)入到在半導(dǎo)體層103a的溝道形成區(qū)中。注意，也可以在提高電導(dǎo)率的處理之后去除溝道保護(hù)層120a。另外，溝道保護(hù)層120b也可以由抗蝕劑形成(參照圖6B)。在此情況下，優(yōu)選在氫化處理之后去除抗蝕劑。如此，通過對氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行提高電導(dǎo)率的處理，可以在晶體管中容易流過電流，且降低電容元件的電阻。在圖6A中，雖然示出將晶體管151的溝道保護(hù)層120a設(shè)置為接觸于半導(dǎo)體層103a的例子，但是也可以將溝道保護(hù)層120a設(shè)置在柵極絕緣膜110上。另外，通過調(diào)整溝道保護(hù)層和用作柵電極的導(dǎo)電層的形狀，使溝道保護(hù)層大于導(dǎo)電層，可以形成偏移區(qū)域。溝道保護(hù)層120a可以防止當(dāng)對導(dǎo)電層106a、106b進(jìn)行蝕刻時(shí)半導(dǎo)體層103a也被蝕刻的情況。因此，可以減少半導(dǎo)體層103a的厚度。若半導(dǎo)體層103a較薄，則容易產(chǎn)生耗盡層。由此可以減少S值。也可以減少截止電流。或者，如圖6C所示，也可以在半導(dǎo)體層103a上形成設(shè)置有其導(dǎo)電率比半導(dǎo)體層103a高的區(qū)域121a、121b的晶體管152。接著，在形成絕緣膜117之后，在絕緣膜117上形成抗蝕劑掩模(未圖示)，使用該抗蝕劑掩模，對絕緣膜117進(jìn)行蝕刻，來在絕緣膜117形成接觸孔130(參照圖5A、5B)。絕緣膜117用作使形成有晶體管150、保持電容部160或布線等的表面平坦的絕緣膜。由于也可以將晶體管150、保持電容部160形成為具有透光性的元件，因此配置有它們的區(qū)域也可以用作開口區(qū)。由此，緩和晶體管150、保持電容部160或布線等所產(chǎn)生的凹凸來使形成有這些元件的上面為平坦是有效的。此外，絕緣膜117用作保護(hù)晶體管150避免雜質(zhì)等的影響的絕緣膜。絕緣膜117例如可以由具有氮化硅的膜形成。具有氮化硅的膜的阻擋雜質(zhì)的效果好，所以是優(yōu)選的?；蛘?，絕緣膜117可以由具有有機(jī)材料的膜形成。作為有機(jī)材料的例子，優(yōu)選使用丙烯酸樹月旨、聚酰亞胺、聚酰胺等。這些有機(jī)材料使凹凸平坦的功能好，所以是優(yōu)選的。由此，優(yōu)選的是，當(dāng)絕緣膜117采用具有氮化硅的膜和具有有機(jī)材料的膜的層疊結(jié)構(gòu)時(shí)，在下側(cè)配置具有氮化硅的膜，而在上側(cè)配置具有有機(jī)材料的膜。另外，當(dāng)采用層疊結(jié)構(gòu)形成絕緣膜117時(shí)，各膜的透光性優(yōu)選充分高。此外，可以使用感光材料。在這種情況下，不對絕緣膜117進(jìn)行蝕刻來形成接觸孔。另外，絕緣膜117還可以具有濾色片的功能。因?yàn)橥ㄟ^在基板100—側(cè)設(shè)置濾色片，不需要在對置基板一側(cè)設(shè)置濾色片，且不需要用來調(diào)整兩個(gè)基板的位置的余地，所以容易制造面板。另外，不需要形成絕緣膜117。也可以在與柵電極、柵極布線相同的層上有像素電極。接著，在絕緣膜117及接觸孔130上形成導(dǎo)電膜118(參照圖5C和5D)。優(yōu)選由與形成導(dǎo)電膜104、導(dǎo)電膜111的材料大致相同的材料形成導(dǎo)電膜118。像這樣，通過使用大致相同的材料，具有如下優(yōu)點(diǎn)在利用濺射法、蒸鍍等形成導(dǎo)電膜118的情況下，可以與導(dǎo)電膜104、導(dǎo)電膜111使用共同的材料。通過可以使用共同的材料，可以使用同一制造裝置，這樣可以順利進(jìn)行制造工序，并可以提高產(chǎn)率，從而可以實(shí)現(xiàn)低成本化。但是，也可以使用與導(dǎo)電膜104、導(dǎo)電膜111不同的材料形成導(dǎo)電膜118。通過在導(dǎo)電膜118上形成抗蝕劑掩模(未圖示)，使用該抗蝕劑掩模選擇性地蝕刻導(dǎo)電膜118，來形成導(dǎo)電層119a、119b、119c(參照圖5E和5F)。注意，在上述蝕刻之后去除抗蝕劑掩模。導(dǎo)電層119a、119b、119c用作像素電極。此外，導(dǎo)電層119a、119b、119c可以通過接觸孔130使源極布線、源電極、柵極布線、柵電極、像素電極、電容布線、保持電容部的電極等彼此連接。因此，導(dǎo)電層119a至119c可以用作用來連接導(dǎo)體和導(dǎo)體的布線。雖然導(dǎo)電層119a至119c的厚度優(yōu)選比用于包括源電極的源極布線的具有透光性的導(dǎo)電層或用于包括柵電極的柵極布線的導(dǎo)電層的厚度薄，但是本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于此。導(dǎo)電層119a至119c的厚度也可以比用于包括源電極的源極布線的具有透光性的導(dǎo)電層或用于包括柵電極的柵極布線的具有透光性的導(dǎo)電層的厚度厚。如上所述，可以制造圖IA和IB所示的半導(dǎo)體裝置。通過本實(shí)施方式所示的制造方法，可以形成具有透光性的晶體管150及具有透光性的保持電容部160。因此，當(dāng)在像素中配置晶體管、電容元件時(shí)也可以在形成有晶體管、電容元件的部分透過光，所以可以提高開口率。再者，由于連接晶體管和元件(例如，其他的晶體管)的布線可以由電阻率低且導(dǎo)電率高的材料形成，因此可以減少信號的波形畸變且減少布線電阻所引起的電壓降低。接著，參照圖7至圖15說明半導(dǎo)體裝置的另一個(gè)例子。另外，圖7至圖15所示的半導(dǎo)體裝置的大部分與圖1共同。因此，下面省略重復(fù)的部分僅說明不同之處。圖7A是俯視圖，圖7B是沿著圖7A中的A-B截?cái)嗟慕孛鎴D，圖7C是沿著圖7A中的C-D截?cái)嗟慕孛鎴D。圖1示出在具有透光性的導(dǎo)電層上層疊具有遮光性的導(dǎo)電層形成柵極布線及源極布線的例子，但是也可以在具有遮光性的導(dǎo)電層上層疊具有透光性的導(dǎo)電層形成(參照圖7)。用作柵電極的具有透光性的導(dǎo)電層113a連接到用作柵極布線的具有遮光性的導(dǎo)電層116a即可。此外，用作源電極或漏電極的具有透光性的導(dǎo)電層106a連接到用作源極布線的具有遮光性的導(dǎo)電層109a即可。圖8A是俯視圖，圖8B是沿著圖8A中的A_B截?cái)嗟慕孛鎴D，圖8C是沿著圖8A中的C-D截?cái)嗟慕孛鎴D。在圖1中，按順序?qū)盈B具有透光性的導(dǎo)電層和具有遮光性的導(dǎo)電層形成柵極布線及源極布線的例子，但是也可以使用具有遮光性的導(dǎo)電層形成柵極布線及源極布線(參照圖8)。用作柵電極的具有透光性的導(dǎo)電層113a和用作柵極布線的具有遮光性的導(dǎo)電層116a連接即可。此外，用作源電極或漏電極的具有透光性的導(dǎo)電層106a和用作源極布線的具有遮光性的導(dǎo)電層109a連接即可。注意，在圖7中說明按順序形成具有遮光性的導(dǎo)電層及具有透光性的導(dǎo)電層的情況，并且在圖8中說明使用具有遮光性的導(dǎo)電層形成柵極布線及源極布線的情況，但是也可以按順序?qū)盈B具有透光性的導(dǎo)電層和具有遮光性的導(dǎo)電層而形成。在本實(shí)施方式中可以在像素內(nèi)形成晶體管，所以可以將晶體管形成得較大。例如，如圖9所示那樣，可以制造其溝道寬度W或溝道長度L長于柵極布線寬度的晶體管153。通過將晶體管變大，可以充分提高其電流能力，且縮短對于像素的信號寫入時(shí)間。而且可以減少截止電流，而減少閃爍等。因此，可以提供高清晰的顯示裝置。注意，在保護(hù)電路、柵極驅(qū)動器或源極驅(qū)動器等外圍驅(qū)動電路部分中，不需要使晶體管部分透光。因此，可以在像素部中使用具有透光性的材料形成晶體管或電容元件，在外圍驅(qū)動電路部分中使用具有遮光性的材料形成晶體管或電容元件(參照圖25A)。圖10A是俯視圖，圖10B是沿著圖10A中的A-B截?cái)嗟慕孛鎴D。圖10與圖1的不同點(diǎn)如下使導(dǎo)電層106c和導(dǎo)電層113c的表面積大于導(dǎo)電層106b和導(dǎo)電層113b。保持電容部161的尺寸優(yōu)選為像素間距的七成以上或八成以上。另外，在導(dǎo)電層106c上的導(dǎo)電層109b上實(shí)現(xiàn)與像素電極的接觸。下面，與圖1A和1B所示的結(jié)構(gòu)相同，所以省略詳細(xì)說明。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以將高透光率的保持電容部161形成得較大。通過將保持電容部161形成得較大，即使晶體管截止，也提高像素電極的電位保持特性，而提高顯示質(zhì)量。另外，可以使饋通電位降低。另外，在將保持電容部161形成得較大的情況下，即使在形成有保持電容部161的部分，也可以透過光，因此可以提高開口率且降低耗電量。另外，即使像素電極的接觸孔的凹凸導(dǎo)致液晶的取向混亂，也可以由具有遮光性的導(dǎo)電層109b防止漏光。圖11A是俯視圖，圖11B是沿著圖11A中的A-B截?cái)嗟慕孛鎴D。圖11所示的半導(dǎo)體裝置示出如下結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體層103a的一部分設(shè)置導(dǎo)電率高的區(qū)域(也表示為n+區(qū))，并且將用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層106a、106b設(shè)置為與柵電極不重疊。在半導(dǎo)體層103a中，可以在與導(dǎo)電層106a、106b連接的區(qū)域設(shè)置導(dǎo)電率高的區(qū)域。另外，可以將導(dǎo)電率高的區(qū)域設(shè)置為與柵電極(導(dǎo)電層113a)重疊或設(shè)置為與它不重疊。如圖6所示，通過對半導(dǎo)體層103a選擇性地添加氫，形成導(dǎo)電率高的區(qū)域。對需要提高導(dǎo)電率的部分添加氫即可。此外，通過將源電極及漏電極設(shè)置為不與柵電極重疊，可以抑制產(chǎn)生在源電極及漏電極與柵電極之間的寄生電容。因此，可以減少饋通。在圖11中，提高半導(dǎo)體層103a的一分的導(dǎo)電率。通過采用這種結(jié)構(gòu)，在晶體管154中不需要重疊柵電極和源電極或漏電極。另外，各個(gè)源極布線、柵極布線采用具有遮光性的導(dǎo)電層和具有透光性的導(dǎo)電層的層疊，但是不局限于此。源極布線及柵極布線可以僅由具有遮光性的導(dǎo)電層構(gòu)成，或者源電極及漏電極可以僅由具有透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成。例如，圖12示出如下情況柵極布線僅由具有遮光性的導(dǎo)電層構(gòu)成，源極布線僅由具有遮光性的導(dǎo)電層構(gòu)成，漏電極僅由具有透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成。源極布線僅由具有遮光性的導(dǎo)電層構(gòu)成，柵極布線也僅由具有遮光性的導(dǎo)電層構(gòu)成。電容布線可以由具有遮光性的導(dǎo)電層形成或由具有透光性的導(dǎo)電層形成。在形成源電極的具有透光性的導(dǎo)電層和柵極布線重疊的區(qū)域中也可以形成有具有遮光性的導(dǎo)電層。在圖13A、圖14A中示出發(fā)光顯示裝置的例子作為像素的結(jié)構(gòu)的一例。圖13A所示的像素包括按順序?qū)盈B導(dǎo)電層106a和導(dǎo)電層109a而成的柵極布線、按順序?qū)盈B導(dǎo)電層113a和導(dǎo)電層116a而成的源極布線、開關(guān)用的晶體管150、驅(qū)動用的晶體管155、保持電容部162以及按順序?qū)盈B導(dǎo)電層106d和導(dǎo)電層109c而成的電源線。此外，圖14A所示的像素包括按順序?qū)盈B導(dǎo)電層106a和導(dǎo)電層109a而成的柵極布線以及按順序?qū)盈B導(dǎo)電層113a和導(dǎo)電層116a而成的源極布線、開關(guān)用的晶體管150、驅(qū)動用的晶體管156、保持電容部164、按順序?qū)盈B導(dǎo)電層106d和導(dǎo)電層109c而成的電源線。圖13A、圖14A所示的晶體管150由具有絕緣表面的基板100上的半導(dǎo)體層103a、設(shè)置在半導(dǎo)體層103a上的用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層106a、106c、設(shè)置在導(dǎo)電層106a、106c上的柵極絕緣膜110、設(shè)置在柵極絕緣膜110上并設(shè)置在導(dǎo)電層106a和106c之間的用作柵電極的導(dǎo)電層113a構(gòu)成。此外，驅(qū)動用的晶體管155及驅(qū)動用的晶體管156由具有絕緣表面的基板100上的半導(dǎo)體層103b、設(shè)置在半導(dǎo)體層103b上的用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層106d、106e、設(shè)置在導(dǎo)電層106d、106e上的柵極絕緣膜110以及設(shè)置在柵極絕緣膜110上并設(shè)置在導(dǎo)電層106d和106e之間的用作柵電極的導(dǎo)電層113c或113d構(gòu)成。此夕卜，在圖13中，保持電容部162由導(dǎo)電層106e和導(dǎo)電層113c構(gòu)成，在圖14中，保持電容部164由導(dǎo)電層106e和導(dǎo)電層113d構(gòu)成。另外，雖然如圖13B所示，當(dāng)連接?xùn)艠O和漏極時(shí)通過接觸孔132、133隔著最上面的ITO連接，但是也可以如圖14B所示，使柵極和漏極通過接觸孔131直接連接。在此情況下可以增大像素電極的面積，所以開口率提高。此外，可以降低電阻值。雖然圖13以及圖14所示的半導(dǎo)體裝置示出具有開關(guān)用的晶體管150、驅(qū)動用的晶體管155或156的兩個(gè)晶體管的情況，但是也可以在一個(gè)像素中設(shè)置三個(gè)以上的晶體管。如此，本發(fā)明的一個(gè)方式中，即使在一個(gè)像素中設(shè)置兩個(gè)以上的晶體管的情況下，也使形成有晶體管的部分透光，因此可以提高開口率。圖15是晶體管具有導(dǎo)電層106a圍繞導(dǎo)電層106b的形狀(例如，U形或C形)的情況下的俯視圖。圖15所示的晶體管156在具有絕緣表面的基板100上由半導(dǎo)體層103c、設(shè)置在半導(dǎo)體層103c上的用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層106a、106b、設(shè)置在導(dǎo)電層106a、106b上的柵極絕緣膜110以及設(shè)置在柵極絕緣膜110上的用作柵電極的導(dǎo)電層113a構(gòu)成。像這樣，源電極及漏電極的一方具有圍繞源電極及漏電極的另一方的形狀(例如，U形、C形)。源電極和漏電極之間的距離保持為大致一定。由于通過將晶體管156形成為上述形狀，可以增大該晶體管的溝道的寬度，且增大載流子移動的區(qū)域的面積，因此可以增大電流量，且縮小晶體管的面積。此外，還可以減少電特性的不均勻。另外，在本實(shí)施方式中說明設(shè)置電容布線的結(jié)構(gòu)，也可以不設(shè)置電容布線而以將像素電極隔著絕緣膜與相鄰的柵極布線重疊的方式設(shè)置保持電容(參照圖36)。本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施方式2在本實(shí)施方式中，參照圖16至圖23說明半導(dǎo)體裝置的制造工序的一例。注意，本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置及其制造工序的大部分與實(shí)施方式1相同。因此，下面省略重復(fù)的部分且詳細(xì)地說明不同之處。圖16示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。圖16A是俯視圖，圖16B是沿著圖16A中的A-B截?cái)嗟慕孛鎴D。接著，參照圖17至22說明圖16所示的半導(dǎo)體裝置的制造工序的一例。此外，在本實(shí)施方式中說明使用多級灰度掩模制造半導(dǎo)體裝置的情況。首先，在具有絕緣表面的基板200上形成半導(dǎo)體層203(參照圖17A和17B)。對于基板200的材料、半導(dǎo)體層203的材料及制造方法，可以參照實(shí)施方式1所示的基板100、半導(dǎo)體層103a。此外，在具有絕緣表面的基板200上設(shè)置用作基底膜的絕緣膜。接著，在半導(dǎo)體層203上形成導(dǎo)電膜204、導(dǎo)電膜205(參照圖17C、17D)。對于導(dǎo)電膜204、導(dǎo)電膜205的材料及制造方法，可以參照實(shí)施方式1所示的導(dǎo)電膜104、導(dǎo)電膜107。接著，在導(dǎo)電膜205上形成抗蝕劑掩模206a、206b。作為抗蝕劑掩模206a、206b，通過使用多級灰度掩模，可以形成具有不同厚度的區(qū)域的抗蝕劑掩模。通過使用多級灰度掩模，減少所使用的光掩模數(shù)量，而減少制造工序，所以是優(yōu)選的。在本實(shí)施方式中，可以在形成導(dǎo)電膜204、205的圖案的工序和形成導(dǎo)電膜212、213的圖案的工序(參照圖19C、19D)中使用多級灰度掩模。多級灰度掩模是指可以以多個(gè)階段的光量進(jìn)行曝光的掩模，代表性的可以以區(qū)域、半曝光區(qū)域以及非曝光區(qū)域的三個(gè)階段進(jìn)行曝光。通過使用多級灰度掩模，能以一次的曝光及顯影的工序形成具有多個(gè)(代表性的為兩種)厚度的抗蝕劑掩模。由此，通過使用多級灰度掩模，可以減少光掩模數(shù)量。圖22A1及圖22B1是示出代表性的多級灰度掩模的截面圖。圖22A1表示灰度色調(diào)掩模403，圖22B1表示半色調(diào)掩模414。圖22A1所示的灰度色調(diào)掩模403由在具有透光性的基板400上使用遮光層形成的遮光部401、以及根據(jù)遮光層的圖案設(shè)置的衍射光柵部402構(gòu)成。衍射光柵部402通過具有以用于曝光的光的分辨極限以下的間隔設(shè)置的狹縫、點(diǎn)或網(wǎng)眼等，來控制透光率。此外，設(shè)置在衍射光柵部402的狹縫、點(diǎn)或網(wǎng)眼既可以為周期性的，又可以為非周期性的。作為具有透光性的基板400可以使用石英等形成。構(gòu)成遮光部401及衍射光柵部402的遮光層使用金屬膜形成即可，優(yōu)選使用鉻或氧化鉻等設(shè)置。在對灰度色調(diào)掩模403照射用于曝光的光的情況下，如圖22A-2所示，重疊于遮光部401的區(qū)域的透光率為0%，不設(shè)置遮光部401及衍射光柵部402的區(qū)域的透光率為100%。此外，根據(jù)衍射光柵的狹縫、點(diǎn)或網(wǎng)眼的間隔等衍射光柵部402的透光率可以被調(diào)整為大約10%至70%的范圍內(nèi)。圖22B1所示的半色調(diào)掩模414由在具有透光性的基板411上使用半透光層形成的半透光部412、以及使用遮光層形成的遮光部413構(gòu)成。半透光部412可以使用MoSiN、MoSi、MoSiO、MoSiON、CrSi等的層形成。遮光部413使用與灰度色調(diào)掩模的遮光層同樣的金屬膜形成即可，優(yōu)選使用鉻或氧化鉻等。在對半色調(diào)掩模414照射用于曝光的光的情況下，如圖22B-2所示，重疊于遮光部413的區(qū)域的透光率為0%，不設(shè)置遮光部413及半透光部412的區(qū)域的透光率為100%。此夕卜，根據(jù)形成的材料的種類或形成的膜厚等半透光部412的透光率可以被調(diào)整為大約10%至70%的范圍內(nèi)。通過使用多級灰度掩模，可以形成三個(gè)曝光級別的掩模，該三個(gè)曝光級別為曝光部分、中間曝光部分、以及未曝光部分，并且通過進(jìn)行一次的曝光及顯影工序，可以形成具有多個(gè)(典型為兩種)厚度區(qū)域的抗蝕劑掩模。由此，通過使用多級灰度掩模，可以減少光掩模數(shù)量。如圖17E和17F所示的半色調(diào)掩模在透光的基板300上由半透射層301a、301b及遮光層301c構(gòu)成。從而，在導(dǎo)電膜205上將在后面成為源極布線的部分的抗蝕劑掩模形成為較厚，將在后面成為源電極或漏電極的部分的抗蝕劑掩模形成為較薄(參照圖17E和17F)。使用抗蝕劑掩模206a、206b，對導(dǎo)電膜204、205的不需要的部分選擇性地進(jìn)行蝕刻并去除，來形成導(dǎo)電層207a、208a、導(dǎo)電層207b、208b(參照圖18A和18B)。接著，對抗蝕劑掩模206a、206b進(jìn)行以氧等離子體的灰化。通過對抗蝕劑掩模206a、206b進(jìn)行以氧等離子體的灰化，抗蝕劑掩模206b被去除而使導(dǎo)電層207b露出。另夕卜，抗蝕劑掩模206a縮小，其作為抗蝕劑掩模209留下(參照圖18C和18D)。如此，通過使用利用多級灰度掩模形成的抗蝕劑掩模，不再增加抗蝕劑掩模，因此可以使工序簡化。接著，使用抗蝕劑掩模209對導(dǎo)電層207a、207b進(jìn)行蝕刻來形成導(dǎo)電層210a(參照圖18E和18F)。在上述蝕刻之后去除抗蝕劑掩模209。其結(jié)果，導(dǎo)電層207b被去除，而使導(dǎo)電層208b露出。此外，以留下形成有抗蝕劑掩模209的部分的方式去除導(dǎo)電層207a，并且使導(dǎo)電層208a露出。通過蝕刻形成的導(dǎo)電層210和導(dǎo)電層208a和導(dǎo)電層209a的各個(gè)層所具有的表面積大不一樣。換言之，導(dǎo)電層208a所具有的表面積大于導(dǎo)電層210a所具有的表面積?；蛘?，導(dǎo)電層210a和導(dǎo)電層208a具有導(dǎo)電層210a和導(dǎo)電層208a重疊的區(qū)域以及導(dǎo)電層210a和導(dǎo)電層208a不重疊的區(qū)域。在導(dǎo)電層208a和導(dǎo)電層210a重疊的區(qū)域中，導(dǎo)電層208a和導(dǎo)電層210a用作柵極布線，并且在導(dǎo)電層208a和導(dǎo)電層210a不重疊的區(qū)域中，導(dǎo)電層208a用作源電極或漏電極。通過使用具有透光性的材料形成用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層208a，可以提高像素的開口率。另外，通過層疊導(dǎo)電層208a和其導(dǎo)電率比導(dǎo)電層208a高的210a形成用作源極布線的導(dǎo)電層，可以降低布線電阻，且降低耗電量。另外，源極布線因?yàn)橛删哂姓诠庑缘膶?dǎo)電層210a構(gòu)成，所以可以對像素之間進(jìn)行遮光。如此，通過使用多級灰度掩模，可以用一個(gè)掩模形成具有透光性的區(qū)域(高透光率的區(qū)域)和具有遮光性的區(qū)域(低透光率的區(qū)域)。因此可以不增加掩模數(shù)量地形成具有透光性的區(qū)域(高透光率的區(qū)域)和具有遮光性的區(qū)域(低透光率的區(qū)域)。接著，在導(dǎo)電層208a、208b上形成柵極絕緣膜211，然后在柵極絕緣膜211上形成導(dǎo)電膜212、導(dǎo)電膜213(參照圖19A和19B)。至于導(dǎo)電膜212、導(dǎo)電膜213的材料及制造方法，可以參照實(shí)施方式1所示的柵極絕緣膜110、導(dǎo)電膜111、導(dǎo)電膜114。接著，使用半色調(diào)掩模在導(dǎo)電膜213上形成抗蝕劑掩模214a、214b。半色調(diào)掩模在透光的基板302上由半透射層303a、303b以及遮光層303c及303d構(gòu)成。因此，在導(dǎo)電膜213上，將在后面成為柵極布線的部分上的抗蝕劑掩模形成得較厚，并將在后面成為柵電極的部分上的抗蝕劑掩模形成得較薄(參照圖19C、19D)。使用抗蝕劑掩模214a、214b，對導(dǎo)電膜212、213的不需要的部分選擇性地進(jìn)行蝕刻并去除，來形成導(dǎo)電層215a、216a、導(dǎo)電層215b、216b(參照圖20A和20B)。接著，對抗蝕劑掩模214a、214b進(jìn)行以氧等離子體的灰化。通過對抗蝕劑掩模214a、214b進(jìn)行以氧等離子體的灰化，抗蝕劑掩模214a、214b縮小而其作為抗蝕劑掩模217a、217b留下。如此，通過使用利用多級灰度掩模形成的抗蝕劑掩模，不再增加抗蝕劑掩模，因此可以使工序簡化。接著，使用抗蝕劑掩模217a、217b對導(dǎo)電層215a、215b進(jìn)行蝕刻(參照圖20E和20F)。其結(jié)果，以留下形成有抗蝕劑掩模217a、217b的部分的方式去除導(dǎo)電層215a、215b而導(dǎo)電層216a、216b露出。由此形成的導(dǎo)電層218a、218b和導(dǎo)電層216a、216b的各個(gè)層所具有的表面積大不一樣。換言之，導(dǎo)電層216a、216b所具有的表面積大于導(dǎo)電層218a、218b所具有的表面積?；蛘撸瑢?dǎo)電層216a和導(dǎo)電層218a具有導(dǎo)電層216a和導(dǎo)電層218a重疊的區(qū)域以及導(dǎo)電層216a和導(dǎo)電層218a不重疊的區(qū)域。注意，在上述蝕刻之后去除抗蝕劑掩模217a、217b。至少包括導(dǎo)電層218a的區(qū)域用作柵極布線，并且包括導(dǎo)電層216a的區(qū)域用作柵電極。通過使用具有透光性的導(dǎo)電層形成用作柵電極或漏電極的導(dǎo)電層216a，可以提高像素的開口率。另外，通過層疊導(dǎo)電層216a、其導(dǎo)電率比導(dǎo)電層216a高的導(dǎo)電層218a形成用作柵極布線的導(dǎo)電層216a和導(dǎo)電層218a，可以降低布線電阻，且降低耗電量。另外，柵極布線因?yàn)橛删哂姓诠庑缘膶?dǎo)電層218a構(gòu)成，所以可以對像素之間進(jìn)行遮光。換言之，借助于設(shè)在行方向上的柵極布線、以及設(shè)在列方向上的源極布線，即使不使用黑矩陣也可以對像素之間的空隙進(jìn)行遮光。此外，在與柵極布線相同的方向上配置有電容布線。電容布線由導(dǎo)電層216b和其導(dǎo)電率比導(dǎo)電層216b高的導(dǎo)電層218b形成。通過這樣形成，可以減少布線電阻并減少耗電量。另外，導(dǎo)電層216b也用作保持電容部260的電極。在電容布線中，以柵極絕緣膜211為電介質(zhì)，保持電容部260由用作電極的導(dǎo)電層208b和導(dǎo)電層216b構(gòu)成。如此，通過由具有透光性的導(dǎo)電層構(gòu)成保持電容部260，可以使形成在保持電容部260的部分透光，而可以提高開口率。另外，通過由具有透光性的材料構(gòu)成保持電容部260，也可以將保持電容部260的尺寸增大，因此即使晶體管截止，也提高像素電極的電位保持特性，而提高顯示質(zhì)量。另外，可以使饋通電位降低。通過上述，可以制造圖16所示的晶體管250、保持電容部260。接著，在形成絕緣膜219之后，在絕緣膜219上形成抗蝕劑掩模(未圖示)，使用該抗蝕劑掩模對絕緣膜219進(jìn)行蝕刻，來在絕緣膜219中形成接觸孔(參照圖21A、21B)。接著，在絕緣膜219及接觸孔上形成導(dǎo)電膜220。至于絕緣膜219、導(dǎo)電膜220的材料及制造方法可以參照實(shí)施方式1的絕緣膜117、導(dǎo)電膜118。注意，也可以不形成絕緣膜219。也可以在與柵電極、柵極布線相同的層上設(shè)置有像素電極。接著，在導(dǎo)電膜220上形成抗蝕劑掩模(未圖示)，使用該抗蝕劑掩模選擇性地蝕刻導(dǎo)電膜220，來形成導(dǎo)電層221&、22113、221(；(參照圖21(和210)。導(dǎo)電層2213、22113、2210用作像素電極。注意，在上述蝕刻之后去除抗蝕劑掩模。通過上述，可以制造半導(dǎo)體裝置。通過多級灰度掩模能夠形成三個(gè)曝光級別的掩模，該三個(gè)曝光級別為曝光部分、中間曝光部分、以及未曝光部分，并且通過進(jìn)行一次的曝光及顯影工序，可以形成具有多個(gè)(典型為兩種)厚度區(qū)域的抗蝕劑掩模。由此，通過使用多級灰度掩模，可以減少光掩模數(shù)量。另外，通過本實(shí)施方式所示的制造方法，可以形成具有透光性的晶體管250及具有透光性的保持電容部260。因此，在像素中，連接晶體管和元件(例如別的晶體管)的布線可以使用低電阻率且電導(dǎo)率高的材料形成，因此可以減少信號的波狀畸變，而可以減少由于布線電阻導(dǎo)致的電壓下降。注意，在保護(hù)電路、柵極驅(qū)動器或源極驅(qū)動器等外圍驅(qū)動電路部分中，不需要使晶體管部分透光。因此，在像素部中使用具有透光性的材料形成晶體管或電容元件，也可以在外圍驅(qū)動電路部分中使用具有遮光性的材料形成晶體管或電容元件(參照圖25B)。雖然在本實(shí)施方式中說明當(dāng)形成源極布線、源電極、柵極布線或柵電極時(shí)使用多級灰度掩模的情況，但是本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于此。例如，當(dāng)形成半導(dǎo)體膜、源極布線、源電極時(shí)也可以使用多級灰度掩模。雖然在本實(shí)施方式中說明在形成柵極布線的工序和形成源極布線的工序中都使用多級灰度掩模的情況，但是也可以在形成柵極布線的工序及形成源極布線的工序中的一方使用多級灰度掩模。此外，在形成半導(dǎo)體層和源極布線的工序中也可以使用多級灰度掩模。圖23A示出使用多級灰度掩模形成半導(dǎo)體層和源極布線及源電極的情況。此外，圖23B示出使用多級灰度掩模形成半導(dǎo)體層、源極布線及源電極來形成保持電容部的情況。另外，當(dāng)在半導(dǎo)體膜的溝道形成區(qū)上形成溝道保護(hù)膜時(shí)也可以使用多級灰度掩模(參照圖23C)。由于在圖23B、23C中，將晶體管250的半導(dǎo)體層和保持電容部260的氧化物半導(dǎo)體層形成為一個(gè)島，因此容易進(jìn)行用來形成氧化物半導(dǎo)體層的布局。此外，因?yàn)榭梢詼p少接觸孔的數(shù)量，所以可以減少接觸電阻。此外，可以減少接觸不良。接著，圖35A示出使用多級灰度掩模形成半導(dǎo)體層203b及用作源極布線的導(dǎo)電層210a的情況。此外，圖35B示出使用多級灰度掩模形成半導(dǎo)體層203b及用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層208c、208d。本實(shí)施方式與其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施方式3在本實(shí)施方式中，下面說明在顯示裝置中，在同一基板上至少制造驅(qū)動電路的一部分和配置在像素部的薄膜晶體管的例子。圖24A示出顯示裝置的一例的有源矩陣型液晶顯示裝置的框圖的一例。圖24A所示的顯示裝置包括具有多個(gè)在基板5300上具備顯示元件的像素的像素部5301；選擇各像素的掃描線驅(qū)動電路5302；以及控制對被選擇的像素輸入視頻信號的信號線驅(qū)動電路5303。圖24B所示的發(fā)光顯示裝置包括具有多個(gè)在基板5400上具備顯示元件的像素的像素部5401；選擇各像素的第一掃描線驅(qū)動電路5402及第二掃描線驅(qū)動電路5404；以及控制對被選擇的像素輸入視頻信號的信號線驅(qū)動電路5403。在輸入到圖24B所示的發(fā)光顯示裝置的像素的視頻信號為數(shù)字方式的情況下，通過切換晶體管的導(dǎo)通和截止，像素處于發(fā)光或非發(fā)光狀態(tài)。因此，可以采用面積灰度法或時(shí)間灰度法進(jìn)行灰度顯示。面積灰度法是一種驅(qū)動法，其中通過將一個(gè)像素分割為多個(gè)子像素并根據(jù)視頻信號獨(dú)立驅(qū)動各子像素，來進(jìn)行灰度顯示。此外，時(shí)間灰度法是一種驅(qū)動法，其中通過控制像素發(fā)光的期間，來進(jìn)行灰度顯示。因?yàn)榘l(fā)光元件的響應(yīng)速度比液晶元件等快，所以與液晶元件相比適合于時(shí)間灰度法。在采用時(shí)間灰度法進(jìn)行顯示的情況下，將一個(gè)幀期間分割為多個(gè)子幀期間。然后，根據(jù)視頻信號，在各子幀期間中使像素的發(fā)光元件處于發(fā)光或非發(fā)光狀態(tài)。通過將一個(gè)幀期間分割為多個(gè)子幀期間，可以利用視頻信號控制在一個(gè)幀期間中像素發(fā)光的期間的總長度，并可以進(jìn)行灰度顯示。注意，在圖24B所示的發(fā)光顯示裝置中示出一種例子，其中當(dāng)在一個(gè)像素中配置兩個(gè)開關(guān)用TFT時(shí)，使用第一掃描線驅(qū)動電路5402生成輸入到一方的開關(guān)用TFT的柵極布線的第一掃描線的信號，而使用第二掃描線驅(qū)動電路5404生成輸入到另一方的開關(guān)用TFT的柵極布線的第二掃描線的信號。但是，也可以使用一個(gè)掃描線驅(qū)動電路生成輸入到第一掃描線的信號和輸入到第二掃描線的信號。此外，例如根據(jù)一個(gè)像素所具有的開關(guān)用TFT的數(shù)量，可能會在各像素中設(shè)置多個(gè)用來控制開關(guān)元件的工作的掃描線。在此情況下，既可以使用一個(gè)掃描線驅(qū)動電路生成輸入到多個(gè)掃描線的所有信號，又可以使用多個(gè)掃描線驅(qū)動電路生成輸入到多個(gè)掃描線的所有信號。根據(jù)實(shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?，形成配置在液晶顯示裝置的像素部的薄膜晶體管。此外，因?yàn)閷?shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?所示的薄膜晶體管是η溝道型TFT，所以在驅(qū)動電路中將可以由η溝道型TFT構(gòu)成的驅(qū)動電路的一部分形成在與像素部的薄膜晶體管同一基板上。此外，在發(fā)光顯示裝置中也可以將能夠由η溝道型TFT構(gòu)成的驅(qū)動電路的一部分形成在與像素部的薄膜晶體管同一基板上。另外，也可以僅使用與實(shí)施方式1和實(shí)施方式2所示的η溝道型TFT制造信號線驅(qū)動電路及掃描線驅(qū)動電路。注意，在保護(hù)電路、柵極驅(qū)動器及源極驅(qū)動器等外圍驅(qū)動電路部分中，不需要在晶體管中透光。因此，也可以在像素部中，在晶體管和電容元件中透光，并且在外圍驅(qū)動電路部分中，不使在晶體管中透光。圖25Α示出不使用多級灰度掩模地形成薄膜晶體管的情況，圖25Β示出使用多級灰度掩模地形成薄膜晶體管的情況。不使用多級灰度掩模形成的薄膜晶體管由設(shè)置在具有絕緣表面的基板100上的半導(dǎo)體層171、設(shè)置在半導(dǎo)體層171上的用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層172、設(shè)置在導(dǎo)電層172上的柵極絕緣膜110以及設(shè)置在柵極絕緣膜110上的用作柵電極的導(dǎo)電層174構(gòu)成。可以使用具有遮光性的導(dǎo)電層形成用作柵電極的導(dǎo)電層174、用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層172(參照圖25Α)。此外，在用作柵電極的導(dǎo)電層174上形成有絕緣膜175。使用多級灰度掩模形成的薄膜晶體管由設(shè)置在具有絕緣表面的基板200上的半導(dǎo)體層271、設(shè)置在半導(dǎo)體層271上的用作源電極或漏電極的導(dǎo)電層272、273、設(shè)置在導(dǎo)電層273上的柵極絕緣膜以及設(shè)置在柵極絕緣膜上的用作柵電極的導(dǎo)電層275、276構(gòu)成?？梢詫盈B具有透光性的導(dǎo)電層和具有遮光性的導(dǎo)電層分別形成柵電極、源電極或漏電極(參照圖25B)。此外，在用作柵電極的導(dǎo)電層275、276上形成有絕緣膜277。在保護(hù)電路、柵極驅(qū)動器及源極驅(qū)動器等的外圍驅(qū)動電路部分中，不需要在晶體管中透過光。因此，本發(fā)明的一個(gè)方式所使用的半導(dǎo)體層除了氧化物半導(dǎo)體之外還可以使用結(jié)晶半導(dǎo)體(單晶半導(dǎo)體或多晶半導(dǎo)體)、非晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體等。此外，上述驅(qū)動電路除了液晶顯示裝置及發(fā)光顯示裝置以外還可以用于利用與開關(guān)元件電連接的元件來驅(qū)動電子墨水的電子紙。作為電子紙，有電泳顯示裝置(電泳顯示器)等，并具有如下優(yōu)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)與紙相同的易讀性、與其他的顯示裝置相比其耗電量小、可形成為薄且輕的形狀。本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。實(shí)施方式4接著，說明半導(dǎo)體裝置的一個(gè)方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，作為顯示裝置說明具有利用電致發(fā)光的發(fā)光元件的發(fā)光顯示裝置。對利用電致發(fā)光的發(fā)光元件根據(jù)其發(fā)光材料是有機(jī)化合物還是無機(jī)化合物來進(jìn)行區(qū)別，一般來說，前者被稱為有機(jī)EL元件，而后者被稱為無機(jī)EL元件。在有機(jī)EL元件中，通過對發(fā)光元件施加電壓，電子和空穴從一對電極分別注入到包含發(fā)光有機(jī)化合物的層，以產(chǎn)生電流。然后，由于這些載流子(電子和空穴)的復(fù)合，發(fā)光有機(jī)化合物形成激發(fā)態(tài)，并且當(dāng)該激發(fā)態(tài)恢復(fù)到基態(tài)時(shí)，得到發(fā)光。根據(jù)這種機(jī)制，該發(fā)光元件稱為電流激勵(lì)型發(fā)光元件。根據(jù)其元件的結(jié)構(gòu)，將無機(jī)EL元件分類為分散型無機(jī)EL元件和薄膜型無機(jī)EL元件。分散型無機(jī)EL元件包括在粘合劑中分散有發(fā)光材料的粒子的發(fā)光層，且其發(fā)光機(jī)制是利用施主能級和受主能級的施主_受主復(fù)合型發(fā)光。薄膜型無機(jī)EL元件具有利用電介質(zhì)層夾住發(fā)光層再被電極夾住的結(jié)構(gòu)，并且其發(fā)光機(jī)制是利用金屬離子的內(nèi)殼電子躍遷的局部型發(fā)光。注意，在此使用有機(jī)EL元件作為發(fā)光元件而進(jìn)行說明。接著，說明可應(yīng)用數(shù)字時(shí)間灰度驅(qū)動的像素的結(jié)構(gòu)及像素的工作。圖26是示出可以應(yīng)用數(shù)字時(shí)間灰度驅(qū)動的像素的結(jié)構(gòu)的一例的圖。在此，示出在一個(gè)像素中使用兩個(gè)將半導(dǎo)體層用于溝道形成區(qū)域的η溝道型晶體管的例子。圖26Α所示的像素6400包括開關(guān)用晶體管6401、驅(qū)動用晶體管6402、發(fā)光元件6404以及電容元件6403。在開關(guān)用晶體管6401中，柵極連接于掃描線6406，第一電極(源電極及漏電極中的一方)連接于信號線6405，第二電極(源電極及漏電極中的另一方)連接于驅(qū)動晶體管6402的柵極。在驅(qū)動用晶體管6402中，柵極通過電容元件6403連接于電源線6407，第一電極連接于電源線6407，第二電極連接于發(fā)光元件6404的第一電極(像素電極)。發(fā)光元件6404的第二電極相當(dāng)于共同電極6408。此外，將發(fā)光元件6404的第二電極(共同電極6408)設(shè)置為低電源電位。另外，低電源電位是指，以電源線6407所設(shè)定的高電源電位為基準(zhǔn)滿足低電源電位<高電源電位的電位，作為低電源電位例如可以設(shè)定為GND、0V等。將該高電源電位與低電源電位的電位差施加到發(fā)光元件6404，為了使發(fā)光元件6404產(chǎn)生電流以使發(fā)光元件6404發(fā)光，以高電源電位與低電源電位的電位差為發(fā)光元件6404的正向閾值電壓(Vth)以上的方式分別設(shè)定其電位。另外，還可以使用驅(qū)動用晶體管6402的柵極電容代替電容元件6403而省略電容元件6403。至于驅(qū)動用晶體管6402的柵極電容，可以在溝道形成區(qū)與柵電極之間形成電容。這里，在采用電壓輸入電壓驅(qū)動方式的情況下，對驅(qū)動用晶體管6402的柵極輸入能夠使驅(qū)動用晶體管6402充分成為導(dǎo)通或截止的兩個(gè)狀態(tài)的視頻信號。即，驅(qū)動用晶體管6402在線性區(qū)域進(jìn)行工作。由于驅(qū)動用晶體管6402在線性區(qū)域進(jìn)行工作，將比電源線6407的電壓高的電壓施加到驅(qū)動用晶體管6402的柵極。另外，對信號線6405施加(電源線電壓+驅(qū)動用晶體管6402的Vth)以上的電壓。另外，當(dāng)進(jìn)行模擬灰度級驅(qū)動而代替數(shù)字時(shí)間灰度級驅(qū)動時(shí)，通過使信號的輸入不同，可以使用與圖26A相同的像素結(jié)構(gòu)。在進(jìn)行模擬灰度驅(qū)動的情況下，對驅(qū)動晶體管6402的柵極施加發(fā)光元件6404的正向電壓+驅(qū)動晶體管6402的Vth以上的電壓。發(fā)光元件6404的正向電壓是指在設(shè)定為所希望的亮度時(shí)的電壓，至少包括正向閾值電壓。注意，通過輸入使驅(qū)動晶體管6402在飽和區(qū)中工作的視頻信號，可以在發(fā)光元件6404使電流流過。為了使驅(qū)動晶體管6402在飽和區(qū)中工作，而將電源線6407的電位設(shè)定為高于驅(qū)動晶體管6402的柵極電位。通過將視頻信號設(shè)定為模擬方式，可以在發(fā)光元件6404中使根據(jù)視頻信號的電流流過來進(jìn)行模擬灰度驅(qū)動。注意，圖26A所示的像素結(jié)構(gòu)不局限于此。例如，還可以對圖26A所示的像素追加開關(guān)、電阻元件、電容元件、晶體管或邏輯電路等。例如，也可以采用圖26B所示的結(jié)構(gòu)。圖26B所示的像素6410包括開關(guān)用晶體管6401、驅(qū)動用晶體管6402、發(fā)光元件6404及電容元件6403。在開關(guān)用晶體管6401中，柵極連接到掃描線6406，第一電極(源電極及漏電極中的一方)連接到信號線6405，第二電極(源電極及漏電極中的另一方)連接到驅(qū)動晶體管6402的柵極。在驅(qū)動用晶體管6402中，柵極通過電容元件6403連接到發(fā)光元件6404的第一電極(像素電極)，第一電極連接到施加脈沖電壓的布線6246，第二電極連接到發(fā)光元件6404的第一電極。發(fā)光元件6404的第二電極相當(dāng)于共同電極6408。當(dāng)然，也可以對該結(jié)構(gòu)追加開關(guān)、電阻元件、電容元件、晶體管或邏輯電路等。接著，參照圖27A、27B、27C說明發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。在此，以驅(qū)動用TFT是圖10所示的晶體管150的情況為例子來說明像素的截面結(jié)構(gòu)?？梢耘c實(shí)施方式1和實(shí)施方式2所示的晶體管同樣制造用于圖27A、27B和27C的半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動用TFT的TFT7001、7011、7021，并且這些TFT是包括氧化物半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體層的具有高電特性的薄膜晶體管。發(fā)光元件的陽極及陰極中之至少一方是透明以取出發(fā)光即可。而且，有如下結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件，即在基板上形成薄膜晶體管及發(fā)光元件，并從與基板相反的面發(fā)光的頂部發(fā)射、從基板一側(cè)發(fā)光的底部發(fā)射、以及從基板一側(cè)及與基板相反的面發(fā)光的雙面發(fā)射。圖26所示的像素結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于任何發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。參照圖27A說明頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。在圖27A中示出當(dāng)驅(qū)動用TFT的TFT7001為圖10所示的晶體管150并且從發(fā)光元件7002發(fā)射的光穿過陽極7005—側(cè)時(shí)的像素的截面圖。在圖27A中，發(fā)光元件7002的陰極7003與驅(qū)動用TFT的TFT7001電連接，并且在陰極7003上按順序?qū)盈B有發(fā)光層7004、陽極7005。至于陰極7003，只要是功函數(shù)低且反射光的導(dǎo)電膜，就可以使用各種材料。例如，優(yōu)選采用Ca、Al、MgAg、AlLi等。而且，發(fā)光層7004可以由單層或?qū)盈B多層構(gòu)成。在發(fā)光層7004由多層構(gòu)成時(shí)，在陰極7003上按順序?qū)盈B電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層。另外，不需要都設(shè)置所有這種層。使用透光性導(dǎo)電材料形成陽極7005，例如也可以使用具有透光性的導(dǎo)電膜例如包含氧化鎢的氧化銦、包含氧化鎢的氧化銦鋅、包含氧化鈦的氧化銦、包含氧化鈦的氧化銦錫、氧化銦錫(下面，表示為ITO)、氧化銦鋅、添加有氧化硅的氧化銦錫等。由陰極7003及陽極7005夾有發(fā)光層7004的區(qū)域相當(dāng)于發(fā)光元件7002。在圖27A所示的像素中，從發(fā)光元件7002發(fā)射的光如箭頭所示那樣發(fā)射到陽極7005—側(cè)。注意，當(dāng)在驅(qū)動電路中，設(shè)置在半導(dǎo)體層上的柵電極使用與陰極7003相同的材料形成時(shí)，可以使工序簡化，這是優(yōu)選的。也可以在陽極上形成絕緣膜。例如，由于SiNx、Si0x具有吸濕性，因此可以防止EL元件的劣化。此外，通過作為陰極采用半透射膜(透射率為30%至80%，反射率為30%至60%)并采用微腔結(jié)構(gòu)(微諧振器)，可以提高顏色純度。接著，參照圖27B說明底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。在圖27B中，示出在驅(qū)動用TFT7011是圖10所示的晶體管150并且從發(fā)光元件7012發(fā)射的光發(fā)射到陰極7013—側(cè)的情況下的像素的截面圖。在圖27B中，在與驅(qū)動TFT7011電連接的具有透光性的導(dǎo)電層7017上形成有發(fā)光元件7012的陰極7013，并且在陰極7013上按順序?qū)盈B有發(fā)光層7014、陽極7015。另外，在陽極7015具有透光性的情況下，也可以覆蓋陽極上地形成有用來反射光或遮光的屏蔽膜7016。與圖27A的情況同樣，至于陰極7013，只要是功函數(shù)低的導(dǎo)電材料，就可以使用各種材料。但是，將其厚度設(shè)定為透光的程度(優(yōu)選為5nm至30nm左右)。例如，可以將膜厚度為20nm的鋁膜用作陰極7013。而且，與圖27A同樣，發(fā)光層7014可以由單層或?qū)盈B多層構(gòu)成。陽極7015不需要透光，但是可以與圖27A同樣使用具有透光性的導(dǎo)電材料形成。并且，雖然屏蔽膜7016例如可以使用反射光的金屬等，但是不局限于金屬膜。例如，也可以使用添加有黑色的顏料的樹脂等。由陰極7013及陽極7015夾有發(fā)光層7014的區(qū)域相當(dāng)于發(fā)光元件7012。在圖27B所示的像素中，從發(fā)光元件7012發(fā)射的光如箭頭所示那樣發(fā)射到陰極7013—側(cè)。注意，當(dāng)在驅(qū)動電路中，設(shè)置在半導(dǎo)體層上的柵電極使用與陰極7013相同的材料形成時(shí)，可以使工序簡化，這是優(yōu)選的。接著，參照圖27C說明雙面發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。在圖27C中，在與驅(qū)動用TFT7021電連接的具有透光性的導(dǎo)電層7027上形成有發(fā)光元件7022的陰極7023，而在陰極7023上按順序?qū)盈B有發(fā)光層7024、陽極7025。與圖27A的情況同樣地，作為陰極7023，只要是功函數(shù)小的導(dǎo)電材料，就可以使用各種材料。但是，將其厚度設(shè)定為透光的程度。例如，可以將膜厚度為20nm的Al用作陰極7023。而且，與圖27A同樣地，發(fā)光層7024可以由單層或?qū)盈B多層構(gòu)成。陽極7025可以與圖27A同樣地使用具有透光性的導(dǎo)電材料形成。陰極7023、發(fā)光層7024和陽極7025重疊的部分相當(dāng)于發(fā)光元件7022。在圖27C所示的像素中，從發(fā)光元件7022發(fā)射的光如箭頭所示那樣發(fā)射到陽極7025—側(cè)和陰極7023一側(cè)雙方。注意，當(dāng)在驅(qū)動電路中，設(shè)置在半導(dǎo)體層上的柵電極使用與導(dǎo)電層7027相同的材料形成時(shí)，可以使工序簡化，這是優(yōu)選的。另外，在驅(qū)動電路中，當(dāng)設(shè)置在半導(dǎo)體層上的柵電極使用與導(dǎo)電層7027及陰極7023同樣的材料并層疊時(shí)，可以使工序簡化，而且通過層疊可以降低布線電阻，這是優(yōu)選的。注意，雖然在此描述了有機(jī)EL元件作為發(fā)光元件，但是也可以設(shè)置無機(jī)EL元件作為發(fā)光元件。也可以在整個(gè)像素中使用相同的陽極，并對陰極進(jìn)行圖案形成來成為像素電極。注意，雖然在本實(shí)施方式中示出了控制發(fā)光元件的驅(qū)動的薄膜晶體管(驅(qū)動用TFT)和發(fā)光元件電連接的例子，但是也可以采用在驅(qū)動用TFT和發(fā)光元件之間連接有電流控制TFT的結(jié)構(gòu)。注意，本實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置不局限于圖27A、27B、27C所示的結(jié)構(gòu)而可以所公開的技術(shù)思想進(jìn)行各種變形。接著，參照圖28A和28B說明相當(dāng)于半導(dǎo)體裝置的一個(gè)方式的發(fā)光顯示面板(也稱為發(fā)光面板)的上表面及截面。圖28A是一種面板的俯視圖，其中利用密封材料在第一基板與第二基板之間密封可以形成在第一基板上的薄膜晶體管及發(fā)光元件。圖28B相當(dāng)于沿著圖28A的H-I的截面圖。以圍繞設(shè)置在第一基板4501上的像素部4502、信號線驅(qū)動電路4503a、4503b及掃描線驅(qū)動電路4504a、4504b的方式設(shè)置有密封材料4505。此外，在像素部4502、信號線驅(qū)動電路4503a、4503b及掃描線驅(qū)動電路4504a、4504b上設(shè)置有第二基板4506。因此，像素部4502、信號線驅(qū)動電路4503a、4503b、以及掃描線驅(qū)動電路4504a、4504b與填料4507—起由第一基板4501、密封材料4505和第二基板4506密封。像這樣，為了不暴露于空氣中，優(yōu)選使用氣密性高且漏氣少的保護(hù)薄膜(貼合薄膜、紫外線固化樹脂薄膜等)及覆蓋材料進(jìn)行封裝(密封)。此外，設(shè)置在第一基板4501上的像素部4502、信號線驅(qū)動電路4503a、4503b及掃描線驅(qū)動電路4504a、4504b包括多個(gè)薄膜晶體管。在圖28B中，例示包括在像素部4502中的薄膜晶體管4510和包括在信號線驅(qū)動電路4503a中的薄膜晶體管4509。薄膜晶體管4509,4510可以應(yīng)用包括用作半導(dǎo)體層的氧化物半導(dǎo)體的可靠性高的實(shí)施方式1及實(shí)施方式2所示的薄膜晶體管。注意，在保護(hù)電路、柵極驅(qū)動器及源極驅(qū)動器等外圍驅(qū)動電路部分中，不需要使晶體管部分透光。因此，也可以使用具有透光性的材料形成像素部4502的晶體管和電容元件，并且也可以在外圍驅(qū)動電路部分中使用具有遮光性的材料形成晶體管和電容元件。此外，附圖標(biāo)記4511相當(dāng)于發(fā)光元件，發(fā)光元件4511所具有的作為像素電極的第一電極層4517與薄膜晶體管4510的源電極層或漏電極層電連接。注意，雖然發(fā)光元件4511的結(jié)構(gòu)是第一電極層4517、電場發(fā)光層4512、第二電極層4513的層疊結(jié)構(gòu)，但是不局限于本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)?？梢愿鶕?jù)從發(fā)光元件4511發(fā)光的方向等適當(dāng)?shù)馗淖儼l(fā)光元件4511的結(jié)構(gòu)。使用有機(jī)樹脂膜、無機(jī)絕緣膜或有機(jī)聚硅氧烷形成分隔壁4520。特別優(yōu)選的是，使用感光材料，在第一電極層4517上形成開口部，并將其開口部的側(cè)壁形成為具有連續(xù)的曲率而成的傾斜面。電場發(fā)光層4512既可以由單層構(gòu)成，又可以由多層的層疊構(gòu)成。也可以在第二電極層4513及分隔壁4520上形成保護(hù)膜，以防止氧、氫、水分、二氧化碳等侵入到發(fā)光元件4511中。作為保護(hù)膜，可以形成氮化硅膜、氮氧化硅膜、DLC膜等。另外，供給到信號線驅(qū)動電路4503a、4503b、掃描線驅(qū)動電路4504a、4504b、或像素部4502的各種信號及電位是從FPC4518a、4518b供給的。連接端子電極4515也可以由與發(fā)光元件4511所具有的第一電極層4517相同的導(dǎo)電膜形成，并且端子電極4516也可以由與薄膜晶體管4509、4510所具有的源電極層及漏電極層相同的導(dǎo)電膜形成。連接端子電極4515通過各向異性導(dǎo)電膜4519與FPC4518a所具有的端子電連接。位于從發(fā)光元件4511發(fā)光的方向上的第二基板4506需要具有透光性。在此情況下，使用如玻璃板、塑料板、聚酯薄膜或丙烯酸樹脂薄膜等的具有透光性的材料。此外，作為填料4507，除了氮及氬等的惰性氣體之外，還可以使用紫外線固化樹脂或熱固化樹脂?？梢允褂肞VC(聚氯乙烯)、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)、或EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)。另外，若有需要，也可以在發(fā)光元件的射出面上適當(dāng)?shù)卦O(shè)置諸如偏振片、圓偏振片(包括橢圓偏振片)、相位差板(λ/4片、λ/2片)、濾色片等的光學(xué)薄膜。另外，也可以在偏振片或圓偏振片上設(shè)置抗反射膜。例如，可以進(jìn)行抗眩光處理，該處理是利用表面的凹凸來擴(kuò)散反射光并降低眩光的處理。信號線驅(qū)動電路4503a、4503b及掃描線驅(qū)動電路4504a、4504b也可以作為在另行準(zhǔn)備的單晶半導(dǎo)體基板或絕緣基板上由單晶半導(dǎo)體膜或多晶半導(dǎo)體膜形成的驅(qū)動電路安裝。此外，也可以另行僅形成信號線驅(qū)動電路或其一部分、或者掃描線驅(qū)動電路或其一部分安裝。本實(shí)施方式不局限于圖28A和28B的結(jié)構(gòu)。通過上述工序，可以制造成本降低的發(fā)光顯示裝置。本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。實(shí)施方式5接著，說明半導(dǎo)體裝置的一個(gè)方式的顯示裝置的其他結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，作為顯示裝置說明具有液晶元件的液晶顯示裝置。首先，使用圖29A1、29A2及29B說明液晶顯示裝置的一個(gè)方式的液晶顯示面板(也稱為液晶面板)的上表面及截面。圖29A1和29A2是一種面板的俯視圖，其中在第一基板4001和第二基板4006之間使用密封材料4005密封薄膜晶體管4010、4011及液晶元件4013，形成在第一基板4001上的該薄膜晶體管4010、4011及液晶元件4013包括作為半導(dǎo)體層的實(shí)施方式1及實(shí)施方式2所示的氧化物半導(dǎo)體。圖29B相當(dāng)于沿著圖29A1和29A2的M-N的截面圖。以圍繞設(shè)置在第一基板4001上的像素部4002和掃描線驅(qū)動電路4004的方式設(shè)置有密封材料4005。此外，在像素部4002和掃描線驅(qū)動電路4004上設(shè)置有第二基板4006。因此，像素部4002和掃描線驅(qū)動電路4004與液晶層4008—起由第一基板4001、密封材料4005和第二基板4006密封。此外，在與第一基板4001上的由密封材料4005圍繞的區(qū)域不同的區(qū)域中安裝有信號線驅(qū)動電路4003，該信號線驅(qū)動電路4003使用單晶半導(dǎo)體膜或多晶半導(dǎo)體膜形成在另行準(zhǔn)備的基板上。注意，對于另行形成的驅(qū)動電路的連接方法沒有特別的限制，而可以采用COG方法、引線鍵合方法或TAB方法等。圖29A1是通過COG方法安裝信號線驅(qū)動電路4003的例子，而圖29A2是通過TAB方法安裝信號線驅(qū)動電路4003的例子。此外，設(shè)置在第一基板4001上的像素部4002和掃描線驅(qū)動電路4004包括多個(gè)薄膜晶體管。在圖29B中例示像素部4002所包括的薄膜晶體管4010和掃描線驅(qū)動電路4004所包括的薄膜晶體管4011。在薄膜晶體管4010、4011上設(shè)置有絕緣層4021。對薄膜晶體管4010、4011可以應(yīng)用作為半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體的實(shí)施方式1及實(shí)施方式2所示的薄膜晶體管。注意，在保護(hù)電路、柵極驅(qū)動器及源極驅(qū)動器等外圍驅(qū)動電路部分中，不需要在晶體管部分中透光。因此，也可以使用具有透光性的材料形成像素部4002的晶體管和電容元件，并且也可以在外圍驅(qū)動電路部分中使用具有遮光性的材料形成晶體管和電容元件。此外，液晶元件4013所具有的像素電極4030與薄膜晶體管4010電連接。而且，液晶元件4013的對置電極層4031形成在第二基板4006上。像素電極4030、對置電極層4031和液晶層4008重疊的部分相當(dāng)于液晶元件4013。注意，像素電極4030、對置電極層4031分別設(shè)置有用作取向膜的絕緣層4032、4033，且隔著絕緣層4032、4033夾有液晶層4008。在像素部4002中，格子狀的布線部分不透過光，但是除其之外可以透光，因此可以提高開口率。而且，每個(gè)像素之間需要空隙，電場不施加到空隙部分中的液晶。因此，該空隙部分優(yōu)選不透光。因此，可以將格子狀的布線部分用作黑矩陣。注意，作為第一基板4001、第二基板4006，可以使用玻璃、金屬(典型的是不銹鋼)、陶瓷、塑料。作為塑料,可以使用FRP(Fiberglass-ReinforcedPlastics；玻璃纖維增強(qiáng)塑料)板、PVF(聚氟乙烯)薄膜、聚酯薄膜或丙烯酸樹脂薄膜。此外，還可以使用具有將鋁箔夾在PVF膜之間或聚酯膜之間的結(jié)構(gòu)的薄片。此外，附圖標(biāo)記4035表示通過對絕緣膜選擇性地進(jìn)行蝕刻而得到的柱狀間隔物，并且它是為控制像素電極4030和對置電極層4031之間的距離(單元間隙)而設(shè)置的。注意，還可以使用球狀間隔物。另外，對置電極層4031與設(shè)置在與薄膜晶體管4010同一基板上的共同電位線電連接。使用共同連接部，可以通過配置在一對基板之間的導(dǎo)電性粒子電連接對置電極層4031和共同電位線。此外，將導(dǎo)電性粒子包含在密封材料4005中。另外，還可以使用不使用取向膜的顯示藍(lán)相的液晶。藍(lán)相是液晶相的一種，是指當(dāng)使膽留相液晶的溫度上升時(shí)即將從膽留相轉(zhuǎn)變到均質(zhì)相之前出現(xiàn)的相。由于藍(lán)相只出現(xiàn)在較窄的溫度范圍內(nèi)，所以為了改善溫度范圍而將使用混合有5重量％以上的手性試劑的液晶組成物而使用于液晶層4008。包含顯示藍(lán)相的液晶和手性試劑的液晶組成物的響應(yīng)速度短，即為IOys至100μs，并且由于其具有光學(xué)各向同性而不需要取向處理從而視角依賴小。另外，雖然本實(shí)施方式示出的液晶顯示裝置為透射型液晶顯示裝置的例子，但是本發(fā)明的實(shí)施方式也可以應(yīng)用于反射型液晶顯示裝置或半透射型液晶顯示裝置。另外，雖然在本實(shí)施方式所示的液晶顯示裝置中示出在基板的外側(cè)(可見的一側(cè))設(shè)置偏振片，并在內(nèi)側(cè)依次設(shè)置著色層、用于顯示元件的電極層的例子，但是也可以在基板的內(nèi)側(cè)設(shè)置偏振片。另外，偏振片和著色層的層疊結(jié)構(gòu)也不局限于本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，只要根據(jù)偏振片和著色層的材料或制造工序條件適當(dāng)?shù)卦O(shè)定即可。另外，還可以設(shè)置用作黑矩陣的遮光膜。另外，在本實(shí)施方式中，使用用作保護(hù)膜或平坦化絕緣膜的絕緣層4021覆蓋在實(shí)施方式ι及實(shí)施方式2中得到的薄膜晶體管，以降低薄膜晶體管的表面凹凸并提高薄膜晶體管的可靠性。絕緣層4021可以由一層或兩層以上的層疊結(jié)構(gòu)形成。另外，因?yàn)楸Ｗo(hù)膜用來防止懸浮在大氣中的有機(jī)物、金屬、水蒸氣等的污染雜質(zhì)的侵入，所以優(yōu)選采用致密的膜。利用濺射法并利用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜、氧氮化鋁膜或氮氧化鋁膜的單層或?qū)盈B而形成保護(hù)膜即可。雖然在本實(shí)施方式中示出利用濺射法形成保護(hù)膜的例子，但是并不局限于此，而使用等離子體CVD法等各種方法形成保護(hù)膜即可。作為保護(hù)膜可以由層疊結(jié)構(gòu)的絕緣層形成。在形成層疊結(jié)構(gòu)的絕緣層的情況下，作為保護(hù)膜的第一層利用如濺射法形成氧化硅膜。當(dāng)作為保護(hù)膜使用氧化硅膜時(shí)，對防止用作源電極層及漏電極層的鋁膜的小丘是有效的。另外，例如利用濺射法形成氮化硅膜作為保護(hù)膜的第二層。當(dāng)使用氮化硅膜作為保護(hù)膜時(shí)，可以抑制鈉等的可動離子侵入到半導(dǎo)體區(qū)域中而使TFT的電特性變化。另外，也可以在形成保護(hù)膜之后進(jìn)行對半導(dǎo)體層的退火(300°C至400°C)。另外，形成絕緣層4021作為平坦化絕緣膜。作為絕緣層4021，可以使用具有耐熱性的有機(jī)材料如聚酰亞胺、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯、聚酰胺、環(huán)氧等。另外，除了上述有機(jī)材料之外，還可以使用低介電常數(shù)材料(low-k材料)、硅氧烷類樹脂、PSG(磷硅玻璃)、BPSG(硼磷硅玻璃)等。另外，也可以通過層疊多個(gè)由這些材料形成的絕緣膜，來形成絕緣層4021。另外，硅氧烷類樹脂相當(dāng)于以硅氧烷類材料為起始材料而形成的包含Si-O-Si鍵的樹脂。作為硅氧烷類樹脂的取代基，也可以使用有機(jī)基(例如，烷基、芳基)或氟基。此夕卜，還可以具有氟基。對絕緣層4021的形成方法沒有特別的限制，可以根據(jù)其材料利用濺射法、SOG法、旋涂、浸漬、噴涂、液滴噴射法(噴墨法、絲網(wǎng)印刷、膠版印刷等)、刮片、輥涂機(jī)、幕涂機(jī)、刮刀涂布機(jī)等。在使用材料液形成絕緣層4021的情況下，也可以在進(jìn)行焙燒的工序中同時(shí)進(jìn)行對半導(dǎo)體層的退火(300°C至400°C)。通過兼作絕緣層4021的焙燒工序和對半導(dǎo)體層的退火，可以有效地制造半導(dǎo)體裝置。作為像素電極4030、對置電極層4031，可以使用具有透光性的導(dǎo)電材料諸如包含氧化鎢的氧化銦、包含氧化鎢的氧化銦鋅、包含氧化鈦的氧化銦、包含氧化鈦的氧化銦錫、氧化銦錫(下面表示為ΙΤ0)、氧化銦鋅、添加有氧化硅的氧化銦錫等。此外，可以使用包含導(dǎo)電高分子(也稱為導(dǎo)電聚合物)的導(dǎo)電組成物形成像素電極4030、對置電極層4031。使用導(dǎo)電組成物形成的像素電極的薄層電阻優(yōu)選為10000Ω/平方以下，并且其波長為550nm時(shí)的透光率優(yōu)選為70%以上。薄層電阻優(yōu)選更低。另外，導(dǎo)電組成物所包含的導(dǎo)電高分子的電阻率優(yōu)選為0.1Ω·cm以下。作為導(dǎo)電高分子，可以使用所謂的π電子共軛類導(dǎo)電高分子。例如，可以舉出聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、或者上述材料中的兩種以上的共聚物等。另外，供給到另行形成的信號線驅(qū)動電路4003、掃描線驅(qū)動電路4004或像素部4002的各種信號及電位是從FPC4018供給的。連接端子電極4015也可以由與液晶元件4013所具有的像素電極4030相同的導(dǎo)電膜形成，并且端子電極4016也可以由與薄膜晶體管4010、4011的源電極層及漏電極層相同的導(dǎo)電膜形成。連接端子電極4015通過各向異性導(dǎo)電膜4019電連接到FPC4018所具有的端子。此外，雖然在圖29A1、29A2中示出另行形成信號線驅(qū)動電路4003并將它安裝在第一基板4001上的例子，但是本實(shí)施方式不局限于該結(jié)構(gòu)。既可以另行形成掃描線驅(qū)動電路而安裝，又可以另行僅形成信號線驅(qū)動電路的一部分或掃描線驅(qū)動電路的一部分而安裝。圖30示出使用TFT基板2600來構(gòu)成液晶顯示模塊作為半導(dǎo)體裝置的一例。圖30是液晶顯示模塊的一例，利用密封材料2602固定TFT基板2600和對置基板2601，并在其間設(shè)置包括TFT等的像素部2603、包括液晶層的顯示元件2604、著色層2605、偏振片2606來形成顯示區(qū)。在進(jìn)行彩色顯示時(shí)需要著色層2605，并且當(dāng)采用RGB方式時(shí)，對應(yīng)于各像素設(shè)置有分別對應(yīng)于紅色、綠色、藍(lán)色的著色層。在TFT基板2600和對置基板2601的外側(cè)配置有偏振片2606、偏振片2607、擴(kuò)散板2613。光源由冷陰極管2610和反射板2611構(gòu)成，電路基板2612利用柔性線路板2609與TFT基板2600的布線電路部2608連接，且其中組裝有控制電路及電源電路等的外部電路。此外，也可以以在偏振片和液晶層之間具有相位差板的狀態(tài)下層疊。作為液晶顯示模塊可以采用TN(扭曲向列；TwistedNematic)模式、IPS(平面內(nèi)轉(zhuǎn)換；In-Plane-Switching)模式、FFS(邊緣電場轉(zhuǎn)換；FringeFieldSwitching)模式、MVA(多疇垂直取向；Multi-domainVerticalAlignment)模式、PVA(垂直取向取向；PatternedVerticalAlignment)模式、ASM(軸對稱取向微胞；AxiallySymmetricalignedMicro-cell)模式、OCB(光學(xué)補(bǔ)償雙折射；OpticallyCompensatedBirefringence)模式、FLC(鐵電性液晶；FerroelectricLiquidCrystal)模式、AFLC(反鐵電性液晶；AntiFerroelectricLiquidCrystal)模式等。通過上述工序可以制造降低制造成本的液晶顯示裝置。本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。實(shí)施方式6接著，說明作為半導(dǎo)體裝置的一個(gè)方式的電子紙。電子紙實(shí)現(xiàn)與紙相同的易讀性，與其他的顯示裝置相比其耗電量小、可形成為薄且輕的形狀。在圖31中，作為半導(dǎo)體裝置的一個(gè)方式示出有源矩陣型電子紙。作為用于半導(dǎo)體裝置的像素部的薄膜晶體管581，可以與上述實(shí)施方式所示的像素部的薄膜晶體管同樣地制造，且包括用作半導(dǎo)體層的氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管。圖31所示的電子紙是采用扭轉(zhuǎn)球顯示方式(twistballtype)的顯示裝置的例子。扭轉(zhuǎn)球顯示方式是指一種方法，其中將分別涂成白色和黑色的球形粒子配置在用于顯示元件的電極層的第一電極層及第二電極層之間，并在第一電極層及第二電極層之間產(chǎn)生電位差來控制球形粒子的方向，以進(jìn)行顯示。設(shè)置在基板580上的薄膜晶體管581是底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，并且源電極層或漏電極層在形成于絕緣層585中的開口中接觸于第一電極層587并與它電連接。在第一電極層587和設(shè)置在基板586的第二電極層588之間設(shè)置有球形粒子589，該球形粒子589具有黑色區(qū)590a、白色區(qū)590b，且其周圍包括充滿了液體的空洞594，并且球形粒子589的周圍充滿有樹脂等的填料595(參照圖31)。此外，還可以使用電泳顯示元件代替扭轉(zhuǎn)球。使用直徑為IOym至200μm左右的微囊，該微囊中封入有透明液體、帶正電或負(fù)電的白色微粒和帶與白色的微粒相反的極性的黑色微粒。在設(shè)置在第一電極層和第二電極層之間的微囊中，當(dāng)由第一電極層和第二電極層施加電場時(shí)，白色微粒和黑色微粒向相反方向移動，從而可以顯示白色或黑色。應(yīng)用這種原理的顯示元件就是電泳顯示元件。電泳顯示元件具有比液晶元件高的反射率，因而不需要輔助光源。此外，耗電量低，并且在昏暗的地方也能夠辨別顯示部。另外，即使不向顯示部供應(yīng)電源，也能夠保持顯示過一次的圖像。從而，即使使電源供給源(例如電波發(fā)送源)遠(yuǎn)離電子紙，也能夠儲存顯示過的圖像。通過上述工序可以制造降低制造成本的電子紙。本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。實(shí)施方式7根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置可以應(yīng)用于各種電子設(shè)備(也包括游戲機(jī))。作為電子設(shè)備，可以舉出電視裝置(也稱為電視或電視接收機(jī))、用于計(jì)算機(jī)等的監(jiān)視器、數(shù)碼照相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)碼相框、移動電話機(jī)(也稱為移動電話、移動電話裝置)、便攜式游戲機(jī)、便攜式信息終端、聲音再現(xiàn)裝置、彈珠機(jī)等大型游戲機(jī)等。圖32A示出便攜式信息終端設(shè)備9200的一例。便攜式信息終端設(shè)備9200內(nèi)置有計(jì)算機(jī)而可以進(jìn)行各種數(shù)據(jù)處理。作為這種便攜式信息終端設(shè)備9200，可以舉出PDA(PersonalDigitalAssistance；個(gè)人數(shù)字助理)。便攜式信息終端設(shè)備9200由框體9201及框體9203的兩個(gè)框體構(gòu)成?？蝮w9201和框體9203由聯(lián)結(jié)部9207聯(lián)結(jié)為可折疊方式?？蝮w9201嵌入有顯示部9202，框體9203具備有鍵盤9205。當(dāng)然，便攜式信息終端設(shè)備9200的結(jié)構(gòu)不局限于如上所述的結(jié)構(gòu)，至少具備實(shí)施方式1或2所說明的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)即可，可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置其他輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)。通過在同一基板上形成驅(qū)動電路和像素部，降低制造成本，而可以實(shí)現(xiàn)具有高電特性的薄膜晶體管的便攜式信息終端設(shè)備。圖32B示出數(shù)碼攝像機(jī)9500的一例。數(shù)碼攝像機(jī)9500的框體9501嵌入有顯示部9503，另外設(shè)置有各種操作部。注意，數(shù)碼攝像機(jī)9500的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制，至少具備實(shí)施方式1或2所說明的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)即可，可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置另外輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)。通過在同一基板上形成驅(qū)動電路和像素部，降低制造成本，而可以實(shí)現(xiàn)具有高電特性的薄膜晶體管的數(shù)碼攝像機(jī)。圖32C示出移動電話機(jī)9100的一例。移動電話機(jī)9100由框體9104及框體9101的兩個(gè)框體構(gòu)成，并且它們由聯(lián)結(jié)部9103聯(lián)結(jié)為可折疊方式?？蝮w9104組裝有顯示部9102，框體9101具備有操作鍵9106。注意，移動電話機(jī)9100的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制，至少具備實(shí)施方式1或2所說明的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)即可，可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置其他輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)。通過在同一基板上形成驅(qū)動電路和像素部，降低制造成本，而可以實(shí)現(xiàn)具有高電特性的薄膜晶體管的移動電話機(jī)。圖32D示出能夠便攜的計(jì)算機(jī)9800的一例。計(jì)算機(jī)9800具備有自由開合地聯(lián)結(jié)的框體9801和框體9804?？蝮w9804組裝有顯示部9802，框體9801具備有鍵盤9803等。當(dāng)然，計(jì)算機(jī)9800的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制，至少具備實(shí)施方式1或2所說明的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)即可，可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置其他輔助設(shè)備的結(jié)構(gòu)。通過在同一基板上形成驅(qū)動電路和像素部，降低制造成本，而可以實(shí)現(xiàn)具有高電特性的薄膜晶體管的計(jì)算機(jī)。圖33A示出電視裝置9600的一例。在電視裝置9600中，框體9601組裝有顯示部9603。利用顯示部9603可以顯示圖像。此外，在此示出利用支架9605支撐框體9601的結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^利用框體9601所具備的操作開關(guān)、另行提供的遙控操縱器9610進(jìn)行電視裝置9600的操作。通過利用遙控操縱器9610所具備的操作鍵9609，可以進(jìn)行頻道及音量的操作，并可以對在顯示部9603上顯示的圖像進(jìn)行操作。此外，也可以采用在遙控操縱器9610中設(shè)置顯示從該遙控操縱器9610輸出的信息的顯示部9607的結(jié)構(gòu)。注意，電視裝置9600采用具備接收機(jī)及調(diào)制解調(diào)器等的結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^利用接收機(jī)接收一般的電視廣播。再者，通過調(diào)制解調(diào)器連接到有線或無線方式的通信網(wǎng)絡(luò)，從而進(jìn)行單向(從發(fā)送者到接收者)或雙向(在發(fā)送者和接收者之間或在接收者之間等)的信息通{曰。圖33B示出數(shù)字相框9700的一例。例如，在數(shù)字相框9700中，框體9701嵌入有顯示部9703。顯示部9703可以顯示各種圖像，例如通過顯示使用數(shù)字相機(jī)等拍攝的圖像數(shù)據(jù)，可以發(fā)揮與一般的相框同樣的功能。注意，數(shù)字相框9700采用具備操作部、外部連接用端子(USB端子、可以與USB電纜等的各種電纜連接的端子等)、記錄介質(zhì)插入部等的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)也可以嵌入到與顯示部同一個(gè)面，但是通過將它設(shè)置在側(cè)面或背面上來提高設(shè)計(jì)性，所以是優(yōu)選的。例如，可以對數(shù)字相框的記錄介質(zhì)插入部插入儲存有由數(shù)字相機(jī)拍攝的圖像數(shù)據(jù)的存儲器并提取圖像數(shù)據(jù)，然后可以將所提取的圖像數(shù)據(jù)顯示于顯示部9703。此外，數(shù)字相框9700既可以采用以無線的方式收發(fā)信息的結(jié)構(gòu)，又可以以無線的方式提取所希望的圖像數(shù)據(jù)并進(jìn)行顯示的結(jié)構(gòu)。圖34A示出與圖32C的移動電話機(jī)不同的其他移動電話機(jī)1000的一例。移動電話機(jī)1000除了安裝在框體1001的顯示部1002之外還具備操作按鈕1003、外部連接端口1004、揚(yáng)聲器1005、麥克風(fēng)1006等。圖34A所示的移動電話機(jī)1000可以用手指等觸摸顯示部1002來輸入信息。此外，可以用手指等觸摸顯示部1002來進(jìn)行打電話或輸入電子郵件的操作。顯示部1002的畫面主要有三個(gè)模式。第一是以圖像的顯示為主的顯示模式，第二是以文字等的信息的輸入為主的輸入模式，第三是顯示模式和輸入模式的兩個(gè)模式混合的顯示與輸入模式。例如，在打電話或輸入電子郵件的情況下，將顯示部1002設(shè)定為以文字輸入為主的文字輸入模式，并進(jìn)行在畫面上顯示的文字的輸入操作即可。在此情況下，優(yōu)選的是，在顯示部1002的畫面的大多部分中顯示鍵盤或號碼按鈕。此外，通過在移動電話機(jī)1000的內(nèi)部設(shè)置具有陀螺儀和加速度傳感器等檢測傾斜度的傳感器的檢測裝置，判斷移動電話機(jī)1000的方向(移動電話機(jī)1000處于垂直或水平的狀態(tài)時(shí)變?yōu)樨Q向方式或橫向方式)，而可以對顯示部1002的畫面顯示進(jìn)行自動切換。通過觸摸顯示部1002或?qū)蝮w1001的操作按鈕1003進(jìn)行操作，切換畫面模式。此外，還可以根據(jù)顯示在顯示部1002上的圖像種類切換畫面模式。例如，當(dāng)顯示在顯示部上的圖像信號為動態(tài)圖像的數(shù)據(jù)時(shí)，將畫面模式切換成顯示模式，而當(dāng)顯示在顯示部上的圖像信號為文字?jǐn)?shù)據(jù)時(shí)，將畫面模式切換成輸入模式。另外，當(dāng)在輸入模式中通過檢測出顯示部1002的光傳感器所檢測的信號得知在一定期間中沒有顯示部1002的觸摸操作輸入時(shí)，也可以以將畫面模式從輸入模式切換成顯示模式的方式進(jìn)行控制。還可以將顯示部1002用作圖像傳感器。例如，通過用手掌或手指觸摸顯示部1002，來拍攝掌紋、指紋等，而可以進(jìn)行個(gè)人識別。此外，通過在顯示部中使用發(fā)射近紅外光的背光燈或發(fā)射近紅外光的感測用光源，也可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。圖34B也示出移動電話機(jī)的一例。圖34B的移動電話機(jī)包括在框體9411中具有包括顯示部9412以及操作按鈕9413的顯示裝置9410；在框體9401中具有包括操作按鈕9402、外部輸入端子9403、麥克風(fēng)9404、揚(yáng)聲器9405以及接電話時(shí)發(fā)光的發(fā)光部9406的通信裝置9400，具有顯示功能的顯示裝置9410與具有電話功能的通信裝置9400可以向箭頭的兩個(gè)方向裝卸。因此，可以將顯示裝置9410和通信裝置的9400的短軸彼此安裝或?qū)@示裝置的9410和通信裝置9400的長軸彼此安裝。此外，當(dāng)只需要顯示功能時(shí)，從通信裝置9400卸下顯示裝置9410，而可以單獨(dú)使用顯示裝置9410。通信裝置9400和顯示裝置9410可以以無線通信或有線通信收發(fā)圖像或輸入信息，它們分別具有能夠充電的電池。實(shí)施方式8在本實(shí)施方式中說明可應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素的結(jié)構(gòu)及像素的工作。另外，作為本實(shí)施方式中的液晶元件的工作模式，可以使用TN(TwistedNematic；扭轉(zhuǎn)向列)模式、IPS(In-Plane-Switching；平面內(nèi)切換)模式、FFS(FringeFieldSwitching；邊緣場切換)模式、MVA(Multi-domainVerticalAlignment；多象限垂直取向)模式、PVA(PatternedVerticalAlignment；Hi.@豐勾M)牛1$、ASM(AxiallySymmetricalignedMicro-cell；車由M禾爾WHW7t)II$、OCB(OpticallyCompensatedBirefringence；光學(xué)補(bǔ)償雙折射)模式、FLC(FerroelectricLiquidCrystal；鐵電液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectricLiquidCrystal；反鐵電液晶)模式等。圖37A是示出可應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一例的圖。像素5080包括晶體管5081、液晶元件5082及電容元件5083。晶體管5081的柵極與布線5085電連接。晶體管5081的第一端子與布線5084電連接。晶體管5081的第二端子與液晶元件5082的第一端子電連接。液晶元件5082的第二端子與布線5087電連接。電容元件5083的第一端子與液晶元件5082的第一端子電連接。電容元件5083的第二端子與布線5086電連接。注意，晶體管的第一端子是源極及漏極中的一方，并且晶體管的第二端子是源極及漏極中的另一方。也就是說，當(dāng)晶體管的第一端子是源極時(shí)，晶體管的第二端子成為漏極。同樣地，當(dāng)晶體管的第一端子是漏極時(shí)，晶體管的第二端子成為源極?？梢詫⒉季€5084用作信號線。信號線是用來將從像素的外部輸入的信號電壓傳達(dá)到像素5080的布線?？梢詫⒉季€5085用作掃描線。掃描線是用來控制晶體管5081的導(dǎo)通截止的布線。可以將布線5086用作電容線。電容線是用來對電容元件5083的第二端子施加預(yù)定的電壓的布線。可以將晶體管5081用作開關(guān)。可以將電容元件5083用作保持電容。保持電容是用來在開關(guān)處于截止的狀態(tài)下也使信號電壓持續(xù)施加到液晶元件5082的電容元件?？梢詫⒉季€5087用作對置電極。對置電極是用作對液晶元件5082的第二端子施加預(yù)定的電壓的布線。注意，各布線可具有的功能不局限于此而可以具有各種功能。例如，通過改變施加到電容線的電壓，可以調(diào)整施加到液晶元件的電壓。此外，由于晶體管5081用作開關(guān)即可，因此晶體管5081的極性可以為P溝道型或N溝道型。圖37B是示出可應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一例的圖。圖37B所示的像素結(jié)構(gòu)例子與圖37A所示的像素結(jié)構(gòu)例子的不同之處是省略布線5087且液晶元件5082的第二端子和電容元件5083的第二端子電連接。除此之外，圖37B所示的像素結(jié)構(gòu)與圖37A所示的像素結(jié)構(gòu)相同。圖37B所示的像素結(jié)構(gòu)例子特別可以應(yīng)用于液晶元件是水平電場模式(包括IPS模式、FFS模式)的情況。這是因?yàn)槿缦戮壒视捎诋?dāng)液晶元件處于水平電場模式時(shí)可以將液晶元件5082的第二端子及電容元件5083的第二端子形成在同一基板上，因此容易使液晶元件5082的第二端子和電容元件5083的第二端子電連接。通過采用如圖37B所示那樣的像素結(jié)構(gòu)可以省略布線5087，可以簡化制造工序且減少制造成本。在圖37A或圖37B所示的像素結(jié)構(gòu)中，可以將多個(gè)像素配置為矩陣狀。從而形成液晶顯示裝置的顯示部并可以顯示各種圖像。圖37C是示出將多個(gè)圖37A所示的像素結(jié)構(gòu)配置為矩陣狀的情況的圖。圖37C所示的電路結(jié)構(gòu)是從顯示部所具有的多個(gè)像素中取出四個(gè)像素并示出的圖。而且，將位于第i列第j行(i，j是自然數(shù))的像素表示為像素5080_i，j，布線5084」、布線5085_j、布線5086J分別電連接到像素5080」，j。同樣地，像素5080」+1，j與布線5084_i+l、布線5085_j、布線5086_j電連接。同樣地，像素5080」，j+1與布線5084_i、布線5085_j+l、布線5086_j+l電連接。注意，屬于同一列或行的多個(gè)像素可以共同使用各布線。另外，在圖37C所示的像素結(jié)構(gòu)中，布線5087是對置電極，并且在整個(gè)像素中對置電極是共同的，所以對于布線5087不采用使用自然數(shù)i或j的表記。注意，由于也可以使用圖37B所示的像素結(jié)構(gòu)，在記載有布線5087的結(jié)構(gòu)中也不需要布線5087，而可以通過與其他布線共同使用等省略?？梢酝ㄟ^各種方法驅(qū)動圖37C所示的像素結(jié)構(gòu)。特別是，通過利用被稱為交流驅(qū)動的方法驅(qū)動，可以抑制液晶元件的劣化(殘影)。圖37D是進(jìn)行交流驅(qū)動中之一種的點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動時(shí)的圖37C所示的像素結(jié)構(gòu)中的施加到各布線的電壓的時(shí)序圖。通過進(jìn)行點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動，可以抑制在進(jìn)行交流驅(qū)動時(shí)看到的閃爍。在圖37C所示的像素結(jié)構(gòu)中，與布線5085_j電連接的像素中的開關(guān)在一個(gè)幀期間中的第j柵極選擇期間中成為選擇狀態(tài)(導(dǎo)通狀態(tài))，而在其他期間中成為非選擇狀態(tài)(截止?fàn)顟B(tài))。而且，在第j柵極選擇期間之后設(shè)置第j+1選擇期間。通過上述那樣按順序進(jìn)行掃描，在一個(gè)幀期間中所有像素按順序成為選擇狀態(tài)。在圖37D所示的時(shí)序圖中，通過成為電壓高的狀態(tài)(高電平)，該像素中的開關(guān)成為選擇狀態(tài)，并且通過成為電壓低的狀態(tài)(低電平)，該像素中的開關(guān)成為非選擇狀態(tài)。注意，這是在各像素中的晶體管成為N溝道型的情況下發(fā)生的現(xiàn)象，在使用P溝道型晶體管的情況下，電壓和選擇狀態(tài)的關(guān)系與使用N溝道型晶體管的情況相反。在圖37D所示的時(shí)序圖中，第k幀(k是自然數(shù))的第j柵極選擇期間中對用作信號線的布線5084_i施加正的信號電壓，并且對布線5084_i+l施加負(fù)的信號電壓。而且，第k幀的第j+1柵極選擇期間中對布線5084_i施加負(fù)的信號電壓，對布線5084_i+l施加正的信號電壓。然后也對各信號線交替施加極性在每個(gè)柵極選擇期間反轉(zhuǎn)的信號。其結(jié)果是，在第k幀中，對像素5080_i，j施加正的信號電壓，對像素5080_i+l，j施加負(fù)的信號電壓，對像素5080」，j+1施加負(fù)的信號電壓，對像素5080」+1，j+1施加正的信號電壓。而且，在第k+1幀中，對各像素寫入與在第k幀中被寫入的信號電壓相反的極性的信號電壓。其結(jié)果是，在第k+1幀中，對像素5080_i，j施加負(fù)的信號電壓，對像素5080_i+l，j施加正的信號電壓，對像素5080_i，j+1施加正的信號電壓，對像素5080_i+l，j+1施加負(fù)的信號電壓。像這樣，點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動是一種驅(qū)動方法，其中在相同的幀中對相鄰的像素施加互不相同的極性的信號電壓，并且在各像素中，信號電壓的極性在每一個(gè)幀反轉(zhuǎn)。通過點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動，可以抑制液晶元件的劣化并減少當(dāng)所顯示的圖像的整體或一部分均勻時(shí)看到的閃爍。另外，對包括布線5086_j、布線5086_j+l的所有布線5086的電壓可以設(shè)定為一定。另外，布線5084的時(shí)序圖中的信號電壓的表記只為極性，但是在實(shí)際上在所顯示的極性中可成為各種信號電壓的值。注意，在此描述在每個(gè)點(diǎn)(像素)反轉(zhuǎn)極性的情況，但是不局限于此而也可以在每多個(gè)像素反轉(zhuǎn)極性。例如，通過在每兩個(gè)柵極選擇期間反轉(zhuǎn)寫入的信號電壓的極性，可以減少信號電壓的寫入所需要的耗電量。此外，既可以在每一列反轉(zhuǎn)極性(源極線反轉(zhuǎn))，又可以在每一行反轉(zhuǎn)極性(柵極線反轉(zhuǎn))。此外，對像素5080中的電容元件5083的第二端子，在一個(gè)幀期間施加恒定的電壓即可。在此，在一個(gè)幀期間的大部分中，施加到用作掃描線的布線5085的電壓為低電平，由于施加有大致恒定的電壓，因此像素5080中的電容元件5083的第二端子的連接目的地也可以是布線5085。圖37E是可以應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一例的圖。與圖37C所示的像素結(jié)構(gòu)相比，圖37E所示的像素結(jié)構(gòu)的特征在于省略布線5086，并且像素5080內(nèi)的電容元件5083的第二端子和前一行中的布線5085電連接。具體而言，在圖37E中示出的范圍內(nèi)，像素5080」，j+1及像素5080」+1，j+1中的電容元件5083的第二端子電連接到布線5085_j。如此，通過將像素5080內(nèi)的電容元件5083的第二端子和前一行中的布線5085電連接，可以省略布線5086，因此可以提高像素的開口率。此外，電容元件5083的第二端子的連接目的地也可以不是前1行中的布線5085，而是其他行中的布線5085。此外，圖37E所示的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動方法可以使用與圖37C所示的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動方法同樣的方法。此外，使用電容元件5083及電連接到電容元件5083的第二端子的布線，可以減少施加到用作信號線的布線5084的電壓。參照圖37F及37G說明此時(shí)的像素結(jié)構(gòu)及驅(qū)動方法。與圖37A所示的像素結(jié)構(gòu)相比，圖37F所示的像素結(jié)構(gòu)的特征在于，每一個(gè)像素列具有兩條布線5086，并且在相鄰的像素中交替進(jìn)行與像素5080中的電容元件5083的第二端子的電連接。此外，作為兩條的布線5086分別稱為布線5086-1及布線5086-2。具體而言，在圖37F中示出的范圍內(nèi)，像素5080」，j中的電容元件5083的第二端子電連接到布線5086-l_j，像素5080」+1，j中的電容元件5083的第二端子電連接到布線5086_2_j，像素5080」，j+1中的電容元件5083的第二端子電連接到布線5086-2_j+l，像素5080」+1，j+1中的電容元件5083的第二端子電連接到布線5086-l_j+l。并且，例如，如圖37G所示那樣，在第k幀中對像素5080」，j寫入正的極性的信號電壓的情況下，在第j柵極選擇期間，布線5086-l_j為低電平，在第j柵極選擇期間結(jié)束之后，轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖?。然后，在一個(gè)幀期間中一直維持高電平，并且在第k+1幀中的第j柵極選擇期間被寫入負(fù)的極性的信號電壓之后，轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娖?。如此，在正的極性的信號電壓寫入到像素之后，將電連接到電容元件5083的第二端子上的布線的電壓轉(zhuǎn)變?yōu)檎较?，從而可以使施加到液晶元件上的電壓向正方向變化?guī)定量。就是說，可以減少寫入到其像素的信號電壓，因此可以減少信號寫入所需要的功耗。此外，在第j柵極選擇期間被寫入負(fù)的極性的信號電壓的情況下，在負(fù)的極性的信號電壓寫入到像素之后，將電連接到電容元件5083的第二端子上的布線的電壓轉(zhuǎn)變?yōu)樨?fù)方向，從而可以使施加到液晶元件的電壓向負(fù)方向變化規(guī)定量，因此與正的極性的情況同樣地可以減少寫入到像素的信號電壓。就是說，關(guān)于電連接到電容元件5083的第二端子上的布線，在同一幀的同一行中被施加正的極性的信號電壓的像素和被施加負(fù)的極性的信號電壓的像素之間優(yōu)選分別為不同的布線。圖37F是對在第k幀中被寫入正的極性的信號電壓的像素電連接布線5086-1，對在第k幀中被寫入負(fù)的極性的信號電壓的像素電連接布線5086-2的例子。但是，這是一個(gè)例子，在每兩個(gè)像素中呈現(xiàn)被寫入正的極性的信號電壓的像素和被寫入負(fù)的極性的信號電壓的像素這樣的驅(qū)動方法的情況下，優(yōu)選布線5086-1及布線5086-2的電連接也與其相應(yīng)地在每兩個(gè)像素中交替進(jìn)行。再說，雖然可以考慮在一行的所有的像素中被寫入相同極性的信號電壓的情況(柵極線反轉(zhuǎn))，但是在此情況下在每一行中有一條布線5086即可。就是說，在圖37C所示的像素結(jié)構(gòu)中也可以采用如參照圖37F及37G說明那樣的減少寫入到像素的信號電壓的驅(qū)動方法。接下來，說明在液晶元件是以MVA模式或PVA模式等為代表的垂直取向(VA)模式的情況下特別優(yōu)選的像素結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法。VA模式具有如下優(yōu)良特征制造時(shí)不需要研磨工序；黑色顯示時(shí)的漏光少；驅(qū)動電壓低，等等，但是也具有在從斜方向看到畫面時(shí)圖像質(zhì)量劣化(視角狹窄)的問題。為了擴(kuò)大VA模式的視角，如圖38A及38B所示，采用一個(gè)像素中具有多個(gè)子像素(subpixel)的像素結(jié)構(gòu)是有效的。圖38A及38B所示的像素結(jié)構(gòu)是表示像素5080包括兩個(gè)子像素(子像素5080-1、子像素5080-2)的情況的一例。此外，一個(gè)像素中的子像素的數(shù)量不局限于兩個(gè)，也可以使用各種個(gè)數(shù)的子像素。子像素的個(gè)數(shù)越多，可以使視角越大。多個(gè)子像素可以設(shè)為彼此相同的電路結(jié)構(gòu)，在此設(shè)定為所有的子像素與圖37A所示的電路結(jié)構(gòu)同樣并進(jìn)行說明。此外，第一子像素5080-1具有晶體管5080-1、液晶元件5082-1、電容元件5083-1，每個(gè)連接關(guān)系依照圖37A所示的電路結(jié)構(gòu)。與此相同，第二子像素5080-2具有晶體管5081-2、液晶元件5082-2、電容元件5083-2，每個(gè)連接關(guān)系依照圖10A所示的電路結(jié)構(gòu)。圖38A所示的像素結(jié)構(gòu)表示如下結(jié)構(gòu)相對于構(gòu)成一個(gè)像素的兩個(gè)子像素，具有兩條用作掃描線的布線5085(布線5085-1、5085-2)，具有用作信號線的一條布線5084，具有用作電容線的一條布線5086。如此，在兩個(gè)子像素中共同使用信號線及電容線，可以提高開口率，而且可以將信號線驅(qū)動電路設(shè)得簡單，因此可以降低制造成本且能夠減少液晶面板和驅(qū)動電路IC的連接點(diǎn)的個(gè)數(shù)，因此可以提高成品率。圖38B所示的像素結(jié)構(gòu)表示如下結(jié)構(gòu)相對于構(gòu)成一個(gè)像素的兩個(gè)子像素，具有一條用作掃描線的布線5085，具有用作信號線的兩條布線5084(布線5084-1、5084-2)，具有用作電容線的一條布線5086。如此，在兩個(gè)子像素中共同使用掃描線及電容線，可以提高開口率。而且，可以減少整體的掃描線的個(gè)數(shù)，因此即使在高精細(xì)的液晶面板中也可以充分地延長每一個(gè)的柵極線選擇期間，并且可以對每個(gè)像素寫入合適的信號電壓。圖38C及38D是在圖38B所示的像素結(jié)構(gòu)中，將液晶元件置換為像素電極的形狀后示意地表示每個(gè)元件的電連接狀態(tài)的例子。圖38C及38D中，電極5088-1表示第一像素電極，電極5088-2表示第二像素電極。在圖38C中，第一像素電極5088-1相當(dāng)于圖38B中的液晶元件5082-1的第一端子，第二像素電極5088-2相當(dāng)于圖11B中的液晶元件5082-2的第一端子。就是說，第一像素電極5088-1電連接到晶體管5081-1的源極或漏極，第二像素電極5088-2電連接到晶體管5081-2的源極或漏極。另一方面，在圖38D中，將像素電極和晶體管的連接關(guān)系顛倒。就是說，第一像素電極5088-1電連接到晶體管5081-2的源極或漏極，第二像素電極5088-2電連接到晶體管5081-1的源極或漏極。通過以矩陣狀交替地布置如圖38C及38D所示的像素結(jié)構(gòu)，可以獲得特別的效果。圖38A及38B示出這種像素結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法的一例。圖39A所示的像素結(jié)構(gòu)采用如下結(jié)構(gòu)將與像素5080」，j及像素5080」+1，j+1相當(dāng)?shù)牟糠衷O(shè)為圖38C中所示的結(jié)構(gòu)，將與像素5080_i+l，j及像素5080_i，j+1相當(dāng)?shù)牟糠衷O(shè)為圖38D中所示的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，當(dāng)如圖39B所示的時(shí)序圖那樣進(jìn)行驅(qū)動時(shí)，在第k幀的第j柵極選擇期間，對像素5080」，j的第一像素電極及像素5080」+1，j的第二像素電極寫入正的極性的信號電壓，對像素5080」，j的第二像素電極及像素5080」+1，j的第一像素電極寫入負(fù)的極性的信號電壓。再者，在第k幀的第j+1柵極選擇期間，對像素5080」，j+1的第二像素電極及像素5080_i+l，j+l的第一像素電極寫入正的極性的信號電壓，對像素5080」，j+1的第一像素電極及像素5080」+1，j+1的第二像素電極寫入負(fù)的極性的信號電壓。在第k+1幀中，在每個(gè)像素中反轉(zhuǎn)信號電壓的極性。通過這樣，在包括子像素的像素結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動的驅(qū)動，并且可以在一個(gè)幀期間內(nèi)使施加到信號線的電壓的極性相同，因此可以大幅度地減少像素的信號電壓寫入所需要的功耗。此外，可以將施加到包括布線5086_j、布線5086_j+1的所有的布線5086上的電壓設(shè)為恒定的電壓。而且，通過圖39C及39D所示的像素結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法，可以減少寫入到像素的信號電壓的大小。這是使電連接到每個(gè)像素具有的多個(gè)子像素上的電容線針對每個(gè)子像素不同。就是說，通過圖39C及39D所示的像素結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法，關(guān)于在同一幀內(nèi)被寫入同一極性的子像素，在同一行內(nèi)共同使用電容線，關(guān)于在同一幀內(nèi)被寫入不同極性的子像素，在同一行內(nèi)使電容線不同。然后，在每行的寫入結(jié)束的時(shí)刻，在寫入有正的極性的信號電壓的子像素中使每個(gè)電容線的電壓轉(zhuǎn)變?yōu)檎较?，在寫入有?fù)的極性的信號電壓的子像素中使每個(gè)電容線的電壓轉(zhuǎn)變?yōu)樨?fù)方向，從而可以減少寫入到像素的信號電壓的大小。具體而言，在每行中使用兩條用作電容線的布線5086(布線5086-1、布線5086-2)，像素5080」，j的第一像素電極和布線5086-l_j通過電容元件電連接，像素5080」，j的第二像素電極和布線5086-2_j通過電容元件電連接，像素5080」+1，j的第一像素電極和布線5086_2_j通過電容元件電連接，像素5080」+1，j的第二像素電極和布線5086-l_j通過電容元件電連接，像素5080」，j+1的第一像素電極和布線5086-2_j+l通過電容元件電連接，像素5080_i，j+1的第二像素電極和布線5086-l_j+l通過電容元件電連接，像素5080」+1，j+1的第一像素電極和布線5086-l_j+l通過電容元件電連接，像素5080」+1，j+1的第二像素電極和布線5086-2_j+l通過電容元件電連接。但是，這是一個(gè)例子，例如在采用每兩個(gè)像素中呈現(xiàn)被寫入正的極性的信號電壓的像素和被寫入負(fù)的極性的信號電壓的像素這樣的驅(qū)動方法的情況下，優(yōu)選布線5086-1及布線5086-2的電連接也與其相應(yīng)地在每兩個(gè)像素中交替地進(jìn)行。再說，雖然可以考慮到在一行的所有的像素中被寫入相同極性的信號電壓的情況(柵極線反轉(zhuǎn))，但是在此情況下在每一行中使用一條布線5086即可。就是說，在圖39A所示的像素結(jié)構(gòu)中也可以采用如參照圖39C及39D說明那樣的減少寫入到像素的信號電壓的驅(qū)動方法。實(shí)施方式9接下來，說明顯示裝置的其他結(jié)構(gòu)例及其驅(qū)動方法。在本實(shí)施方式中，說明使用對于信號寫入的亮度的響應(yīng)慢(響應(yīng)時(shí)間長)的顯示元件的顯示裝置的情況。在本實(shí)施方式中，作為響應(yīng)時(shí)間長的顯示元件，以液晶元件為例子進(jìn)行說明，但是，本實(shí)施方式中的顯示元件不局限于此，可以使用對于信號寫入的亮度的響應(yīng)慢的各種顯示元件。在一般的液晶顯示裝置的情況下，對于信號寫入的亮度的響應(yīng)慢，即使對液晶元件持續(xù)施加信號電壓的情況下，有時(shí)直到響應(yīng)完成為止需要1幀期間以上的時(shí)間。使用這種顯示元件顯示運(yùn)動圖像，也不能如實(shí)地再現(xiàn)運(yùn)動圖像。再者，當(dāng)進(jìn)行有源矩陣驅(qū)動時(shí)，對于一個(gè)液晶元件的信號寫入的時(shí)間通常只是將信號寫入周期(1幀期間或1子幀期間)除以掃描線的個(gè)數(shù)而得到的時(shí)間(1掃描線選擇期間)，在很多情況下，液晶元件在該短時(shí)間內(nèi)不能完成響應(yīng)。因此，大多的液晶元件的響應(yīng)在不進(jìn)行信號寫入的期間內(nèi)進(jìn)行。在此，液晶元件的介電常數(shù)根據(jù)該液晶元件的透射率而變化，但是在不進(jìn)行信號寫入的期間液晶元件進(jìn)行響應(yīng)是指，在不與液晶元件的外部交換電荷的狀態(tài)(恒電荷狀態(tài))下液晶元件的介電常數(shù)變化。就是說，由于在(電荷)=(電容)(電壓)的公式中，在電荷一定的狀態(tài)下電容變化，因此根據(jù)液晶元件的響應(yīng)，施加到液晶元件的電壓從信號寫入時(shí)的電壓發(fā)生變化。因此，在以有源矩陣驅(qū)動使對于信號寫入的亮度的響應(yīng)慢的液晶元件驅(qū)動的情況下，施加到液晶元件的電壓在原理上不能達(dá)到信號寫入時(shí)的電壓。本實(shí)施方式中的顯示裝置為了在信號寫入周期內(nèi)使顯示元件響應(yīng)到所希望的亮度，將信號寫入時(shí)的信號電平設(shè)為預(yù)先校正的信號(校正信號)，從而可以解決上述問題。再者，信號電平越大液晶元件的響應(yīng)時(shí)間越短，因此通過寫入校正信號，可以使液晶元件的響應(yīng)時(shí)間縮短。如這種加上校正信號的驅(qū)動方法還被稱為過驅(qū)動。本實(shí)施方式中的過驅(qū)動即使在信號寫入周期比輸入到顯示裝置的圖像信號的周期(輸入圖像信號周期Tin)短的情況下，也對照信號寫入周期而校正信號電平，從而可以在信號寫入周期內(nèi)使顯示元件響應(yīng)到所希望的亮度。作為信號寫入周期比輸入圖像信號周期Tin短的情況，可以舉出例如將一個(gè)元圖像分割為多個(gè)子圖像，并且使該多個(gè)子圖像在1幀期間內(nèi)依次顯示的情況。接著，參照圖40A和40B說明在進(jìn)行有源矩陣驅(qū)動的顯示裝置中對信號寫入時(shí)的信號電平進(jìn)行校正的方法的例子。圖40A是示出如下的圖表橫軸表示時(shí)間，縱軸表示信號寫入時(shí)的信號電平，并且示意性地表示在某一個(gè)顯示元件中的信號寫入時(shí)的信號電平的亮度的時(shí)間變化。圖40B是示出如下的圖表橫軸表示時(shí)間，縱軸表示顯示電平，并且示意性地表示在某一個(gè)顯示元件中的顯示電平的時(shí)間變化。此外，在顯示元件為液晶元件的情況下，可以將信號寫入時(shí)的信號電平設(shè)為電壓，將顯示電平設(shè)為液晶元件的透射率。下面，將圖40A中的縱軸設(shè)為電壓、將圖40B中的縱軸為透射率進(jìn)行說明。此外，本實(shí)施方式中的過驅(qū)動還包括信號電平為電壓以外(占空比、電流等)的情況。此外，本實(shí)施方式中的過驅(qū)動也包括顯示電平為透射率以外(亮度、電流等)的情況。此外，液晶元件具有在電壓為0時(shí)成為黑色顯示的常黑型(例如VA模式、IPS模式等)和在電壓為0時(shí)成為白色顯示的常白型(例如TN模式、0CB模式等)，但是圖40B所示的圖表對應(yīng)于上述雙方，可以設(shè)為在常黑型的情況下，越向圖表的上方透射率越大，并且在常白型的情況下，越向圖表的下方透射率越大。就是說，本實(shí)施方式中的液晶模式既可以為常黑型，又可以為常白型。此外，在時(shí)間軸中以虛線表示信號寫入定時(shí)，將從進(jìn)行了信號寫入后到進(jìn)行其次信號寫入為止的期間51稱為保持期間F”在本實(shí)施方式中，i為整數(shù)，設(shè)為表示每個(gè)保持期間的指標(biāo)(index)。在圖40A及40B中，i為0至2，但i也可以為這些之外的整數(shù)(未圖示0至2之外的情況)。此外，在保持期間Fi中，將實(shí)現(xiàn)對應(yīng)于圖像信號的亮度的透射率設(shè)為1\，將在穩(wěn)定狀態(tài)下提供透射率的電壓設(shè)為\。此外，圖40A中的虛線5101表示不進(jìn)行過驅(qū)動時(shí)的施加到液晶元件的電壓的隨時(shí)間變化，實(shí)線5102表示本實(shí)施方式中的進(jìn)行過驅(qū)動時(shí)的施加到液晶元件的電壓的隨時(shí)間變化。與此相同，圖40B中的虛線5103表示不進(jìn)行過驅(qū)動時(shí)的液晶元件的透射率的隨時(shí)間變化，并且實(shí)線5104表示本實(shí)施方式中的進(jìn)行過驅(qū)動時(shí)的液晶元件的透射率的隨時(shí)間變化。此外，將在保持期間&的末尾中的所希望的透射率和實(shí)際上的透射率的差異表示為誤差ait)在圖40A表示的圖表中，在保持期間Fq設(shè)在虛線5101和實(shí)線5102中均對液晶元件施加有所希望的電壓％，在圖40B所示的圖表中，設(shè)在虛線5103和實(shí)線5104中均獲得所希望的透射率L。再者，在不進(jìn)行過驅(qū)動的情況下，如虛線5101所示在保持期間&的初期中對液晶元件施加有所希望的電壓A，但是如已所述，信號被寫入的期間與保持期間相比極短，并且保持期間中的大部分的期間成為恒電荷狀態(tài)，因此在保持期間隨著透射率的變化，施加到液晶元件的電壓發(fā)生變化，在保持期間&的末尾中成為與所希望的電壓義的差異較大的電壓。此時(shí)，圖40B所示的圖表中的虛線5103也與所希望的透射率的差異較大。因此，不能進(jìn)行忠實(shí)于圖像信號的顯示，導(dǎo)致降低圖像質(zhì)量。另一方面，在進(jìn)行本實(shí)施方式中的過驅(qū)動的情況下，如實(shí)線5102所示，設(shè)為在保持期間&的初期中，對液晶元件施加比所希望的電壓A大的電壓V/。就是說，預(yù)測在保持期間&中施加到液晶元件的電壓逐漸變化的情形，以在保持期間&的末尾中使施加到液晶元件的電壓成為所希望的電壓義附近的電壓的方式，在保持期間h的初期中，將從所希望的電壓力校正后的電壓V/施加到液晶元件，從而可以對液晶元件準(zhǔn)確地施加所希望的電壓力。此時(shí)，如圖40B的圖表中的實(shí)線5104所示，在保持期間&的末尾中獲得所希望的透射率1\。就是說，盡管在保持期間中的大部分的期間中成為恒電荷狀態(tài)，也可以實(shí)現(xiàn)信號寫入周期內(nèi)的液晶元件的響應(yīng)。接著，在保持期間F2中，表示所希望的電壓V2小于義的情況，但是這種情況也與保持期間&同樣，預(yù)測在保持期間F2中施加到液晶元件的電壓逐漸變化的情形，以在保持期間F2的末尾中使施加到液晶元件的電壓成為所希望的電壓V2附近的電壓的方式，在保持期間F2的初期中，將從所希望的電壓V2校正后的電壓V2'施加到液晶元件即可。由此，如圖40B的圖表中的實(shí)線5104所示，在保持期間F2的末尾中獲得所希望的透射率T2。此外，如保持期間&那樣，在\大于Vg的情況下，將校正了的電壓V/優(yōu)選校正為大于所希望的電壓\。再者，如保持期間F2那樣，在\小于Vh的情況下，將校正了的電壓\‘優(yōu)選校正為小于所希望的電壓\。此外，可以通過預(yù)先測量液晶元件的響應(yīng)特性來導(dǎo)出具體的校正值。作為組裝到裝置的方法，有如下方法將校正式公式化并嵌入到邏輯電路的方法；將校正值作為查找表(lookuptable)并存儲在存儲器中，并且根據(jù)需要讀出校正值的方法，等等。此外，在實(shí)際上作為裝置實(shí)現(xiàn)本實(shí)施方式中的過驅(qū)動的情況下，有各種限定。例如，電壓的校正必須在源極驅(qū)動器的額定電壓的范圍內(nèi)進(jìn)行。就是說，在所希望的電壓原來就是大的值且理想的校正電壓超過源極驅(qū)動器的額定電壓的情況下，不能完成校正。參照圖40C及40D說明這種情況的問題。與圖40A同樣，圖40C示出是如下的圖表橫軸表示時(shí)間，縱軸表示電壓，并且示意性地表示某一個(gè)液晶元件中的電壓的隨時(shí)間變化作為實(shí)線5105。與圖40B同樣，圖40D是示出如下的圖表橫軸表示時(shí)間，縱軸表示透射率，并且示意性地表示某一個(gè)液晶元件中的透射率的隨時(shí)間變化作為實(shí)線5106。此外，關(guān)于其他表示方法，與圖40A和40B同樣，因此省略說明。在圖40C及40D中表示如下狀態(tài)用來實(shí)現(xiàn)保持期間&中的所希望的透射率的校正電壓力’超過源極驅(qū)動器的額定電壓，因此不得不使V/，不能進(jìn)行充分的校正。此時(shí)，保持期間&的末尾中的透射率成為與所希望的透射率1\偏離誤差ai的值。但是，因?yàn)檎`差a工增大時(shí)局限于當(dāng)所希望的電壓原來是較大的值時(shí)，所以在很多的情況下，由于誤差a！的發(fā)生導(dǎo)致的圖像質(zhì)量降低本身在容許的范圍內(nèi)。然而，由于誤差a工增大，電壓校正的算法內(nèi)的誤差也增大。就是說，在電壓校正的算法中假設(shè)在保持期間的末尾中獲得所希望的透射率的情況下，盡管實(shí)際上誤差a工增大，但是由于設(shè)為誤差ai較小而進(jìn)行電壓的校正，所以其次的保持期間&中的校正中包含誤差，其結(jié)果，導(dǎo)致誤差02也增大。再者，若誤差a2增大，則導(dǎo)致其次的誤差a3進(jìn)一步增大，這樣誤差連鎖地增大，其結(jié)果導(dǎo)致明顯地降低圖像質(zhì)量。在本實(shí)施方式中的過驅(qū)動中，為了抑制誤差這樣連鎖地增大的情形，在保持期間h中校正電壓V/超過源極驅(qū)動器的額定電壓時(shí)，預(yù)測保持期間h的末尾中的誤差ai，并且考慮該誤差ai的大小，可以調(diào)整保持期間Fi+1中的校正電壓。這樣，即使誤差ai增大，也可以盡量減小誤差ai+1受到的影響，因此可以抑制誤差連鎖地增大的情形。參照圖40E及40F說明在本實(shí)施方式中的過驅(qū)動中盡量減小誤差％的例子。在圖40E所示的圖表中，進(jìn)一步調(diào)整圖40C所示的圖表的校正電壓V并將設(shè)為校正電壓v2"時(shí)的電壓的隨時(shí)間變化表示為實(shí)線5107。圖40F所示的圖表表示由圖40E所示的圖表進(jìn)行電壓的校正時(shí)的透射率的隨時(shí)間變化。在圖40D所示的圖表中的實(shí)線5106中，由于校正電壓V2'而產(chǎn)生過校正，但是在圖40F所示的圖表中的實(shí)線5108中，根據(jù)考慮誤差h并調(diào)整的校正電壓V2"抑制過校正，使誤差a2最小。此外，通過預(yù)先測量液晶元件的響應(yīng)特性可以導(dǎo)出具體的校正值。作為組裝到裝置的方法，有如下方法將校正式公式化并嵌入到邏輯電路的方法；將校正值作為查找表(lookuptable)而存儲到存儲器中，并根據(jù)需要讀出校正值的方法，等等。再者，可以與計(jì)算校正電壓的部分另行地追加這些方法，或者將這些方法嵌入到計(jì)算校正電壓V/的部分。此外，考慮誤差ah進(jìn)行了調(diào)整的校正電壓的校正量(與所希望的電壓\的差異)優(yōu)選小于V/的校正量。就是說，優(yōu)選設(shè)為IV-VJ<IV"Vjo此外，信號寫入周期越短，由于理想的校正電壓超過源極驅(qū)動器的額定電壓而產(chǎn)生的誤差、越大。這是因?yàn)樾盘枌懭胫芷谠蕉?，需要使液晶元件的響?yīng)時(shí)間也越短，其結(jié)果需要更大的校正電壓的緣故。再者，所需要的校正電壓增大的結(jié)果，校正電壓超過源極驅(qū)動器的額定電壓的頻度也變高，因此產(chǎn)生較大的誤差^^的頻度也變高。因此，可以說信號寫入周期越短本實(shí)施方式中的過驅(qū)動越有效。具體而言，在使用如下驅(qū)動方法的情況下利用本實(shí)施方式中的過驅(qū)動時(shí)發(fā)揮特別的效果，即在將一個(gè)元圖像分成為多個(gè)子圖像，并在1幀期間內(nèi)依次顯示該多個(gè)子圖像的情況；從多個(gè)圖像檢測出圖像所包括的運(yùn)動，生成該多個(gè)圖像的中間狀態(tài)的圖像，并插入到該多個(gè)圖像之間而進(jìn)行驅(qū)動(所謂的運(yùn)動補(bǔ)償倍速驅(qū)動)的情況；或者組合上述的情況，等等。此外，源極驅(qū)動器的額定電壓除了上述的上限之外還存在下限。例如，可以舉出不能施加小于電壓0的電壓的情況。此時(shí)，與上述的上限的情況同樣，不能施加理想的校正電壓，因此誤差、增大。但是，在此情況下，也與上述方法同樣，可以預(yù)測保持期間&的末尾中的誤差ai，考慮該誤差ai的大小來調(diào)整保持期間Fi+1中的校正電壓。此外，在可以施加小于電壓0的電壓(負(fù)的電壓)作為源極驅(qū)動器的額定電壓的情況下，也可以對液晶元件施加負(fù)的電壓作為校正電壓。這樣，可以預(yù)測恒電荷狀態(tài)的電位的變動，并調(diào)整為保持期間Fi的末尾中施加到液晶元件的電壓成為所希望的電壓\附近的電壓。此外，為了抑制液晶元件的劣化，可以與過驅(qū)動組合而實(shí)施將施加到液晶元件的電壓的極性定期反轉(zhuǎn)的所謂的反轉(zhuǎn)驅(qū)動。就是說，本實(shí)施方式中的過驅(qū)動包括與反轉(zhuǎn)驅(qū)動同時(shí)進(jìn)行的情況。例如，在信號寫入周期為輸入圖像信號周期Tin的1/2的情況下，若使極性反轉(zhuǎn)的周期和輸入圖像信號周期Tin為相同程度，則每兩次交替地進(jìn)行正極性的信號的寫入和負(fù)極性的信號的寫入。如此，使極性反轉(zhuǎn)的周期長于信號寫入周期，從而可以減少像素的充放電的頻度，因此減少功耗。但是，如果使極性反轉(zhuǎn)的周期過長，有時(shí)產(chǎn)生由于極性的不同而導(dǎo)致的亮度差被觀察為閃爍的問題，因此使極性反轉(zhuǎn)的周期優(yōu)選與輸入圖像信號周期Tin相同的程度或比輸入圖像信號周期Tin短。實(shí)施方式10接著，說明顯示裝置的其他結(jié)構(gòu)例及其驅(qū)動方法。在本實(shí)施方式中，說明如下方法，即在顯示裝置的內(nèi)部基于多個(gè)輸入圖像而生成對從顯示裝置的外部輸入的圖像(輸入圖像)的運(yùn)動進(jìn)行插值的圖像，并且依次顯示該生成的圖像(生成圖像)和輸入圖像。此外，通過將生成圖像作為對輸入圖像的運(yùn)動進(jìn)行插值這樣的圖像，可以使運(yùn)動圖像的運(yùn)動平滑，而且可以改善由于保持驅(qū)動引起的殘影等導(dǎo)致的運(yùn)動圖像的質(zhì)量降低的問題。在此，下面說明運(yùn)動圖像的插值。關(guān)于運(yùn)動圖像的顯示，理想的是通過實(shí)時(shí)控制每個(gè)像素的亮度來實(shí)現(xiàn)，但是像素的實(shí)時(shí)單獨(dú)控制很難實(shí)現(xiàn)，有如下問題控制電路的個(gè)數(shù)變得龐大的問題；布線空間的問題；以及輸入圖像的數(shù)據(jù)量變龐大的問題，等等。因此，通過以一定的周期依次顯示多個(gè)靜止圖像使得顯示看起來像運(yùn)動圖像，從而進(jìn)行顯示裝置的運(yùn)動圖像的顯示。該周期(在本實(shí)施方式中稱為輸入圖像信號周期，表示為Tin)被標(biāo)準(zhǔn)化，例如根據(jù)NTSC標(biāo)準(zhǔn)為1/60秒，根據(jù)PAL標(biāo)準(zhǔn)為1/50秒。采用這種程度的周期也不會在作為脈沖型顯示裝置的CRT中發(fā)生運(yùn)動圖像顯示的問題。但是，在保持型顯示裝置中，當(dāng)原樣地顯示依照這些標(biāo)準(zhǔn)的運(yùn)動圖像時(shí)，發(fā)生由于是保持型而引起的殘影等而使顯示不清楚的問題(保持模糊；holdblur)。保持模糊是由于人眼的追隨引起的無意識的運(yùn)動的插值與保持型的顯示的不一致(discr印ancy)而被觀察的，因此能夠通過使輸入圖像信號周期比以往的標(biāo)準(zhǔn)短(近似于像素的實(shí)時(shí)單獨(dú)控制)，來減少保持模糊，但是縮短輸入圖像信號周期帶來標(biāo)準(zhǔn)的改變，而且數(shù)據(jù)量也增大，所以很困難。但是，基于標(biāo)準(zhǔn)化了的輸入圖像信號，在顯示裝置內(nèi)部生成對輸入圖像的運(yùn)動進(jìn)行插值這樣的圖像，并且利用該生成圖像對輸入圖像進(jìn)行插值而進(jìn)行顯示，從而可以減少保持模糊，而不用改變標(biāo)準(zhǔn)或增大數(shù)據(jù)量。如此，將基于輸入圖像信號在顯示裝置內(nèi)部生成圖像信號、并對輸入圖像的運(yùn)動進(jìn)行插值的處理稱為運(yùn)動圖像的插值。通過本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法，可以減少運(yùn)動圖像的模糊。本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法可以分為圖像生成方法和圖像顯示方法。再者，關(guān)于特定模式的運(yùn)動，通過使用其他的圖像生成方法和/或圖像顯示方法，可以有效地減少運(yùn)動圖像的模糊。圖41A和41B是用來說明本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法的一例的示意圖。在圖41A和41B中，橫軸表示時(shí)間，并且根據(jù)橫方向的位置表示每個(gè)圖像被處理的定時(shí)。記載有“輸入”的部分表示輸入圖像信號被輸入的定時(shí)。在此，作為在時(shí)間上相鄰的兩個(gè)圖像，關(guān)注圖像5121及圖像5122。輸入圖像以周期Tin的間隔被輸入。此外，有時(shí)將一個(gè)周期Tin的長度記為1幀或1幀期間。記載有“生成”的部分表示基于輸入圖像信號新生成圖像的定時(shí)。在此，關(guān)注作為基于圖像5121及圖像5122而生成的生成圖像的圖像5123。記載有“顯示”的部分表示在顯示裝置上顯示圖像的定時(shí)。此外，雖然關(guān)于關(guān)注的圖像之外的圖像只用虛線記載，但是與關(guān)注的圖像同樣地處理，從而可以實(shí)現(xiàn)本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法的一例。如圖41A所示，在本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法的一例中，使基于在時(shí)間上相鄰的兩個(gè)輸入圖像生成的生成圖像顯示在顯示該兩個(gè)輸入圖像的定時(shí)的間隙，從而可以進(jìn)行運(yùn)動圖像的插值。此時(shí)，顯示圖像的顯示周期優(yōu)選為輸入圖像的輸入周期的1/2。但是，不局限于此，可以采用各種顯示周期。例如，使顯示周期比輸入周期的1/2短，從而可以進(jìn)一步平滑地顯示運(yùn)動圖像。或者，使顯示周期比輸入周期的1/2長，從而可以減少功耗。此外，在此，基于在時(shí)間上相鄰的兩個(gè)輸入圖像而生成了圖像，但是作為基礎(chǔ)的輸入圖像不局限于兩個(gè)，可以使用各種個(gè)數(shù)。例如，當(dāng)基于在時(shí)間上相鄰的三個(gè)(也可以是三個(gè)以上)輸入圖像生成圖像時(shí)，與基于兩個(gè)輸入圖像的情況相比，可以獲得精確度更高的生成圖像。另外，將圖像5121的顯示定時(shí)設(shè)定為與圖像5122的輸入定時(shí)相同時(shí)刻，就是說使相對于輸入定時(shí)的顯示定時(shí)延遲1幀，但是本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法中的顯示定時(shí)不局限于此，可以使用各種顯示定時(shí)。例如，可以使相對于輸入定時(shí)的顯示定時(shí)延遲1幀以上。這樣，可以使作為生成圖像的圖像5123的顯示定時(shí)延遲，因此可以使生成圖像5123所需的時(shí)間中有余量，減少功耗且降低制造成本。此外，當(dāng)使相對于輸入定時(shí)的顯示定時(shí)過遲時(shí)，保持輸入圖像的期間延長，保持所需要的存儲器電容增大，因此相對于輸入定時(shí)的顯示定時(shí)優(yōu)選延遲1幀至延遲2幀程度。在此說明基于圖像5121及圖像5122生成的圖像5123的具體的生成方法的一例。為了對運(yùn)動圖像進(jìn)行插值，需要檢測出輸入圖像的運(yùn)動，但是在本實(shí)施方式中，為了檢測出輸入圖像的運(yùn)動，可以采用稱為塊匹配(blockmatching)法的方法。但是，不局限于此，可以采用各種方法(取圖像數(shù)據(jù)的差分的方法、利用傅里葉變換的方法等)。在塊匹配法中，首先將1張輸入圖像的圖像數(shù)據(jù)(在此是圖像5121的圖像數(shù)據(jù))存儲在數(shù)據(jù)存儲單元(半導(dǎo)體存儲器、RAM等的存儲電路等)。并且，將其次的幀中的圖像(在此是圖像5122)分割為多個(gè)區(qū)域。此外，如圖41A那樣，分割了的區(qū)域是相同形狀的矩形，但是不局限于此，可以采用各種形狀(根據(jù)圖像改變形狀或大小等)。然后，按分割了的每個(gè)區(qū)域，與存儲在數(shù)據(jù)存儲單元中的前一個(gè)幀的圖像數(shù)據(jù)(在此是圖像5121的圖像數(shù)據(jù))進(jìn)行數(shù)據(jù)的比較，搜索圖像數(shù)據(jù)相似的區(qū)域。在圖41A的例子中，從圖像5121中搜索與圖像5122中的區(qū)域5124的數(shù)據(jù)相似的區(qū)域，并搜索出區(qū)域5126。此外，當(dāng)在圖像5121中進(jìn)行搜索時(shí)，優(yōu)選限定搜索范圍。在圖41A的例子中，作為搜索范圍設(shè)定區(qū)域5125，其大小為區(qū)域5124的面積的四倍左右。此外，通過使搜索范圍比它還大，可以在運(yùn)動快的運(yùn)動圖像中也提高檢測精度。但是，當(dāng)過寬地進(jìn)行搜索時(shí)，搜索時(shí)間變得極長，難以實(shí)現(xiàn)運(yùn)動的檢測，因此區(qū)域5125優(yōu)選為區(qū)域5124的面積的兩倍至六倍程度。然后，作為運(yùn)動矢量5127求得被搜索的區(qū)域5126和圖像5122中的區(qū)域5124的位置的差異。運(yùn)動矢量5127表示區(qū)域5124中的圖像數(shù)據(jù)的1幀期間的運(yùn)動。再者，為了生成表示運(yùn)動的中間狀態(tài)的圖像，作成不改變運(yùn)動矢量的方向而改55變大小的圖像生成用矢量5128，并且根據(jù)圖像生成用矢量5128使圖像5121中的區(qū)域5126所包括的圖像數(shù)據(jù)移動，從而形成圖像5123中的區(qū)域5129內(nèi)的圖像數(shù)據(jù)。在圖像5122中的所有的區(qū)域中進(jìn)行上述一系列的處理，從而可以生成圖像5123。再者，通過依次顯示輸入圖像5121、生成圖像5123、輸入圖像5122，可以對運(yùn)動圖像進(jìn)行插值。此外，圖像中的物體5130在圖像5121及圖像5122中位置不同(就是會移動)，但是生成的圖像5123成為圖像5121及圖像5122中的物體的中間點(diǎn)。通過顯示這種圖像，可以使運(yùn)動圖像的運(yùn)動平滑，改善由于殘影等引起的運(yùn)動圖像的不清楚。此外，圖像生成用矢量5128的大小可以根據(jù)圖像5123的顯示定時(shí)來決定。在圖41A的例子中，圖像5123的顯示定時(shí)為圖像5121及圖像5122的顯示定時(shí)的中間點(diǎn)(1/2)，因此圖像生成用矢量5128的大小為運(yùn)動矢量5127的1/2，但是除此之外，例如也可以在顯示定時(shí)為1/3的時(shí)刻將大小設(shè)為1/3，在顯示定時(shí)為2/3的時(shí)刻將大小設(shè)為2/3。此外，這樣，在使具有各種運(yùn)動矢量的多個(gè)區(qū)域分別移動而形成新的圖像的情況下，有時(shí)在移動目的地的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生其他區(qū)域已經(jīng)移動的部分(重復(fù))、沒有從任何區(qū)域移動過來的部分(空白)。關(guān)于這些部分，可以校正數(shù)據(jù)。作為重復(fù)部分的校正方法，例如可以采用如下方法取重復(fù)數(shù)據(jù)的平均的方法；以運(yùn)動矢量的方向等決定優(yōu)先級且將優(yōu)先級高的數(shù)據(jù)作為生成圖像內(nèi)的數(shù)據(jù)的方法；關(guān)于顏色(或亮度)使某一方優(yōu)先但是關(guān)于亮度(或顏色)取平均的方法，等等。作為空白部分的校正方法，可以使用如下方法將圖像5121或圖像5122的該位置中的圖像數(shù)據(jù)原樣地作為生成圖像內(nèi)的數(shù)據(jù)的方法；取圖像5121或圖像5122的該位置中的圖像數(shù)據(jù)的平均的方法，等等。再者，通過以按照圖像生成用矢量5128的大小的定時(shí)顯示所生成的圖像5123，從而可以使運(yùn)動圖像的運(yùn)動平滑，并且能夠改善由于保持驅(qū)動的殘影導(dǎo)致的運(yùn)動圖像的質(zhì)量降低的問題。如圖41B所示，在本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法的其他一例中，在基于在時(shí)間上相鄰的兩個(gè)輸入圖像而生成的生成圖像顯示在顯示該兩個(gè)輸入圖像的定時(shí)的間隙的情況下，將每個(gè)顯示圖像進(jìn)一步分割成多個(gè)子圖像并顯示，從而可以進(jìn)行運(yùn)動圖像的插值。在此情況下，除了由于圖像顯示周期變短帶來的優(yōu)點(diǎn)之外，還可以獲得由于暗的圖像被定期顯示(顯示方法近似于脈沖型)帶來的優(yōu)點(diǎn)。就是說，與只將圖像顯示周期設(shè)為圖像輸入周期的1/2的長度的情況相比，可以進(jìn)一步改善由于殘影等引起的運(yùn)動圖像的不清楚。在圖41B的例子中，“輸入”及“生成”可以進(jìn)行與圖41A的例子同樣的處理，因此省略說明。圖41B的例子中的“顯示”可以將一個(gè)輸入圖像和/或生成圖像分割成多個(gè)子圖像進(jìn)行顯示。具體而言，如圖41B所示，通過將圖像5121分割為子圖像5121a及5121b并依次顯示，從而使人眼感覺顯示了圖像5121，通過將圖像5123分割為子圖像5123a及5123b并依次顯示，從而使人眼感覺顯示了圖像5123，通過將圖像5122分割為子圖像5122a及5122b并依次顯示，從而使人眼感覺顯示了圖像5122。就是說，作為被人眼感覺的圖像，與圖41A的例子同樣，并且能夠使顯示方法近似于脈沖型，因此可以進(jìn)一步改善由于殘影等造成的運(yùn)動圖像的不清楚。此外，在圖41B中子圖像的分割數(shù)為兩個(gè)，但是不局限于此，可以使用各種分割數(shù)。另外，雖然在圖41B中顯示子圖像的定時(shí)為等間隔(1/2)，但是不局限于此，可以使用各種顯示定時(shí)。例如通過使暗的子圖像(5121b、5122b、5123b)的顯示定時(shí)變早(具體而言從1/4至1/2的定時(shí))，可以使顯示方法進(jìn)一步近似于脈沖型，因此可以進(jìn)一步改善由于殘影等造成的運(yùn)動圖像的不清楚?；蛘?，通過使暗的子圖像的顯示定時(shí)延遲(具體而言，從1/2至3/4的定時(shí))，可以延長明亮的圖像的顯示期間，因此可以提高顯示效率并減少功耗。本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法的其他例子是檢測出圖像內(nèi)運(yùn)動的物體的形狀并根據(jù)運(yùn)動的物體的形狀進(jìn)行不同的處理的例子。圖41C所示的例子與圖41B的例子同樣表示顯示的定時(shí)，并表示所顯示的內(nèi)容為運(yùn)動的字符(也稱為滾動文本(scrolltext)、字幕(telop)等)的情況。此夕卜，關(guān)于“輸入”及“生成”，可以與圖41B同樣，因此未圖示。有時(shí)根據(jù)運(yùn)動的物體的性質(zhì)，保持驅(qū)動中的運(yùn)動圖像的不清楚的程度不同。尤其在很多的情況下，當(dāng)字符運(yùn)動時(shí)不清楚會被顯著地識別。這是因?yàn)?，?dāng)讀運(yùn)動的字符時(shí)視線務(wù)必要追隨字符，因此容易發(fā)生保持模糊。而且，因?yàn)樵诤芏嗲闆r下字符的輪廓清楚，所以有時(shí)由于保持模糊造成的不清楚被進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)。就是說，判斷在圖像內(nèi)運(yùn)動的物體是否是字符，當(dāng)是字符時(shí)還進(jìn)行特別的處理，這對于減少保持模糊是有效的。具體而言，對于在圖像內(nèi)運(yùn)動的物體進(jìn)行輪廓檢測和/或圖案檢測等，當(dāng)判斷為該物體是字符時(shí)，對從相同的圖像分割出的子圖像之間也進(jìn)行運(yùn)動插值，并顯示運(yùn)動的中間狀態(tài)，從而使運(yùn)動平滑。當(dāng)判斷為該物體不是字符時(shí)，如圖41B所示，若是從相同的圖像分割出的子圖像，就可以不改變運(yùn)動的物體的位置而進(jìn)行顯示。在圖41C的例子中示出判斷為字符的區(qū)域5131向上方運(yùn)動的情況，其中在圖像5121a和圖像5121b之間使區(qū)域5131的位置不同。關(guān)于圖像5123a和圖像5123b、圖像5122a和圖像5122b也同樣。通過上述，關(guān)于特別容易觀察到保持模糊的運(yùn)動的字符，可以與通常的運(yùn)動補(bǔ)償倍速驅(qū)動相比更平滑地運(yùn)動，因此可以進(jìn)一步改善由于殘影等造成的運(yùn)動圖像的不清楚。本說明書根據(jù)2009年3月5日在日本專利局受理的日本專利申請編號2009-051899而制作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。5權(quán)利要求一種半導(dǎo)體裝置，包括設(shè)置在基板上的半導(dǎo)體層；與所述半導(dǎo)體層電連接并包括第一電極的第一布線；覆蓋所述半導(dǎo)體層和所述第一電極的絕緣膜；以及隔著所述絕緣膜地設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上并具有第二電極的第二布線，其中，所述第一電極包括第一導(dǎo)電層，所述第一布線包括所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，所述第二電極包括第三導(dǎo)電層，所述第二布線包括所述第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層，并且，所述第一導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層分別具有透光性。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層的各導(dǎo)電率比所述第一導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層的各導(dǎo)電率高。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層具有遮光性。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，使用與所述第四導(dǎo)電層的材料不同的材料形成所述第二導(dǎo)電層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，使用包含選自鋁、鎢、鈦、鉭、鉬、鎳、鉬、銅、金、銀、鎂、釹、鉻、銻、鈮或鈰中的一種以上的元素的金屬材料、金屬化合物、合金或者所述金屬材料的氮化物形成所述第二導(dǎo)電層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，使用包含選自鋁、鎢、鈦、鉭、鉬、鎳、鉬、銅、金、銀、鎂、釹、鉻、銻、鈮或鈰中的一種以上的元素的金屬材料、金屬化合物、合金或者所述金屬材料的氮化物形成所述第四導(dǎo)電層。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體層至少包含銦、鎵及鋅。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述基板具有絕緣表面。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一電極是源電極。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一電極不被所述第二導(dǎo)電層覆蓋。11.一種半導(dǎo)體裝置，包括設(shè)置在基板上的半導(dǎo)體層；與所述半導(dǎo)體層連接并包括第一電極的第一布線；覆蓋所述半導(dǎo)體層和所述第一電極的絕緣膜；隔著所述絕緣膜地設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上并包括第二電極的第二布線；以及第三布線，其中，所述第一電極包括第一導(dǎo)電層，所述第一布線包括所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，所述第二電極包括第三導(dǎo)電層，所述第二布線包括所述第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層，所述第三布線包括第五導(dǎo)電層和第六導(dǎo)電層，并且，所述第一導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層分別具有透光性。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層的各導(dǎo)電率比所述第一導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層的各導(dǎo)電率高。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層具有遮光性。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，使用與所述第四導(dǎo)電層的材料不同的材料形成所述第二導(dǎo)電層。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，使用包含選自鋁、鎢、鈦、鉭、鉬、鎳、鉬、銅、金、銀、鎂、釹、鉻、銻、鈮或鈰中的一種以上的元素的金屬材料、金屬化合物、合金或者所述金屬材料的氮化物形成所述第二導(dǎo)電層。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，使用包含選自鋁、鎢、鈦、鉭、鉬、鎳、鉬、銅、金、銀、鎂、釹、鉻、銻、鈮或鈰中的一種以上的元素的金屬材料、金屬化合物、合金或者所述金屬材料的氮化物形成所述第四導(dǎo)電層。17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體層至少包含銦、鎵及鋅。18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述基板具有絕緣表面。19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一電極是源電極。20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一電極不被所述第二導(dǎo)電層覆蓋。21.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟在基板上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜；在使用形成在所述第二導(dǎo)電膜上的第一掩模的第一蝕刻步驟中，對所述第一導(dǎo)電膜和所述第二導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻來形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；對所述第一掩模進(jìn)行灰化形成第二掩模；在使用所述第二掩模的第二蝕刻步驟中，對所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻來使所述第一導(dǎo)電層的一部分露出；覆蓋所述第一導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電層及所述半導(dǎo)體層地形成絕緣膜；在所述絕緣膜上形成第三導(dǎo)電膜和第四導(dǎo)電膜；在使用形成在所述第四導(dǎo)電膜上的第三掩模的第三蝕刻步驟中，對所述第三導(dǎo)電膜和所述第四導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻來形成第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層；對所述第三掩模進(jìn)行灰化形成第四掩模；以及在使用所述第四掩模的第四蝕刻步驟中，對所述第四導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻來使所述第三導(dǎo)電層的一部分露出，其中，分別使用透光材料形成所述第一導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，使用導(dǎo)電率比所述第一導(dǎo)電層及所述第三導(dǎo)電層的各導(dǎo)電率高的材料形成所述第二導(dǎo)電層及所述第四導(dǎo)電層。23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層及所述第四導(dǎo)電層具有遮光性。24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述基板具有絕緣表面。25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層包括源電極。全文摘要一種半導(dǎo)體裝置，包括設(shè)置在基板上的半導(dǎo)體層、覆蓋半導(dǎo)體層的柵極絕緣膜、設(shè)置在所述柵極絕緣膜且層疊第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層而形成的包括柵電極的柵極布線、覆蓋所述半導(dǎo)體層和包括柵電極的柵極布線的絕緣膜、以及設(shè)置在所述絕緣膜，電連接到所述半導(dǎo)體層且層疊第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層的包括源電極的源極布線。柵電極由第一導(dǎo)電層形成，柵極布線由第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層形成，源電極由第三導(dǎo)電層形成，并且源極布線由第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層形成。文檔編號H01L21/44GK101826521SQ20101013438公開日2010年9月8日申請日期2010年3月4日優(yōu)先權(quán)日2009年3月5日發(fā)明者木村肇申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所