專利名稱：：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置及其制造方法。尤其涉及具有由將氧化物半導(dǎo)體膜用作溝道形成區(qū)的薄膜晶體管構(gòu)成的電路的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
：目前，作為以液晶顯示裝置為代表的顯示裝置的開關(guān)元件，將非晶硅等的硅層用作溝道層的薄膜晶體管(TFT)受到廣泛應(yīng)用。使用非晶硅的薄膜晶體管具有以下優(yōu)點(diǎn)雖然其場效應(yīng)遷移率低，但是可以對應(yīng)于玻璃基板的大面積化。另外，近年來使用呈現(xiàn)半導(dǎo)體特性的金屬氧化物來制造薄膜晶體管，并將該薄膜晶體管應(yīng)用于電子裝置和光裝置的技術(shù)受到注目。例如，在金屬氧化物中，已知氧化鎢、氧化錫、氧化銦、氧化鋅等呈現(xiàn)半導(dǎo)體特性。將由上述那樣的金屬氧化物構(gòu)成的透明半導(dǎo)體層用作溝道形成區(qū)的薄膜晶體管已被公開(專利文獻(xiàn)1)。另外，已研討出以下技術(shù)通過使用具有透光性的氧化物半導(dǎo)體層形成晶體管的溝道形成層并且還使用具有透光性的透明導(dǎo)電膜形成柵電極、源電極以及漏電極來提高開口率(專利文獻(xiàn)2)。通過提高開口率，光的利用效率提高，從而顯示裝置可以節(jié)省電力并實(shí)現(xiàn)小型化。另一方面，從顯示裝置的大型化或應(yīng)用于便攜式設(shè)備的觀點(diǎn)來看，不但需要提高開口率還需要進(jìn)一步降低耗電量。另外，作為對電光元件的透明電極配置金屬輔助布線的方法，已知有如下方法在透明電極的上方或下方，以能夠與透明電極導(dǎo)通的方式將金屬輔助布線和透明電極重疊地配置(例如參照專利文獻(xiàn)3)。另外，已知以下結(jié)構(gòu)使用ΙΤ0、SnO2等的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成設(shè)置在有源矩陣基板上的附加電容電極，并且為了降低附加電容電極的電阻，將由金屬膜構(gòu)成的輔助布線以接觸附加電容電極的方式設(shè)置(例如參照專利文獻(xiàn)4)。另外，已知在使用非晶氧化物半導(dǎo)體膜的場效應(yīng)晶體管中，作為柵電極、源電極以及漏電極的各電極可以使用銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物、ZnO,SnO2等的透明電極；Al、Ag、Cr、Ni、Mo、Au、Ti、Ta等的金屬電極；或者包含上述金屬的合金的金屬電極等，并且通過層疊兩層以上的上述材料可以降低接觸電阻或提高界面強(qiáng)度(例如參照專利文獻(xiàn)5)。另外，已知作為使用非晶氧化物半導(dǎo)體的晶體管的源電極、漏電極、柵電極及輔助電容電極的材料，可以使用銦(In)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)等的金屬；氧化銦(In2O3)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎘(CdO)、氧化銦鎘(CdIn2O4)、氧化鎘錫(Cd2SnO4)、氧化鋅錫(Zn2SnO4)等氧化物材料，并且柵電極、源電極及漏電極的材料既可相同又可以不同(例如參照專利文獻(xiàn)6和7)。專利文獻(xiàn)1日本專利申請公開2004-103957號公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本專利申請公開2007-81362號公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本專利申請公開1990-82221號公報(bào)專利文獻(xiàn)4日本專利申請公開1990-310536號公報(bào)專利文獻(xiàn)5日本專利申請公開2008-243928號公報(bào)專利文獻(xiàn)6日本專利申請公開2007-109918號公報(bào)專利文獻(xiàn)7日本專利申請公開2007-115807號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)方式的課題是提供一種布線電阻低的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題是提供一種透射率高的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題是提供一種開口率高的半導(dǎo)體裝置。此外，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題是提供一種耗電量低的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題是提供一種能夠提供正確電壓的半導(dǎo)體裝置。另夕卜，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題是提供一種減少了電壓降的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題是提供一種顯示質(zhì)量得到提高的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題是提供一種降低了接觸電阻的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題是提供一種減少了閃爍的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題是提供一種截止電流小的半導(dǎo)體裝置。另外，對這些課題的記載并不妨礙其他的課題的存在。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式并不需要解決所有上述課題。為了解決上述問題，本發(fā)明的一個(gè)方式使用具有透光性的材料形成柵電極、半導(dǎo)體層、源電極或漏電極，并使用電阻率比具有透光性的材料的電阻率低的材料形成柵極布線或源極布線等布線。此外，本發(fā)明的一個(gè)方式提供一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括使用具有透光性的第一導(dǎo)電層形成的第一電極；電連接到第一電極并使用第一導(dǎo)電層和其電阻比第一導(dǎo)電層的電阻低的第二導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)形成的第一布線；形成在第一電極以及第一布線上的絕緣層；形成在絕緣層上并使用具有透光性的第三導(dǎo)電層形成的第二電極；電連接到第二電極并使用第三導(dǎo)電層和其電阻比第三導(dǎo)電層低的電阻的第四導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)形成的第二布線；使用具有透光性的第五導(dǎo)電層形成的第三電極；以及在絕緣層上以與第一電極重疊的方式形成并形成在第二電極以及第三電極上的半導(dǎo)體層。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式提供一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括使用具有透光性的第一導(dǎo)電層形成的第一電極；電連接到第一電極并使用第一導(dǎo)電層和其電阻比第一導(dǎo)電層的電阻低的第二導(dǎo)電層形成的第一布線；使用具有透光性的第三導(dǎo)電層形成的第二布線；形成在第一電極、第一布線以及第二布線上的絕緣層；形成在絕緣層上并使用具有透光性的第四導(dǎo)電層形成的第二電極；電連接到第二電極并使用第四導(dǎo)電層和其電阻比第四導(dǎo)電層低的電阻的第五導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)形成的第三布線；使用具有透光性的第六導(dǎo)電層形成的第三電極；形成在第二布線上并具有透光性的第七導(dǎo)電層；以及在絕緣層上以與第一電極重疊的方式形成并形成在第二電極以及第三電極上的半導(dǎo)體層。另外，可以使用各種方式的開關(guān)，例如有電開關(guān)或機(jī)械開關(guān)等。換而言之，只要可以控制電流的流動即可，而不限定于特定開關(guān)。例如，作為開關(guān)，可以使用晶體管(例如，雙極晶體管或MOS晶體管等)、二極管(例如，PN二極管、PIN二極管、肖特基二極管、MIM(MetalInsulatorMetal；金屬-絕緣體-金屬)二極管、MIS(MetalInsulatorSemiconductor；金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)二極管、二極管連接的晶體管等)等?；蛘?，可以使用組合它們后的邏輯電路作為開關(guān)。作為機(jī)械開關(guān)的例子，有像數(shù)字微鏡裝置(DMD)那樣的利用MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)的開關(guān)。該開關(guān)具有以機(jī)械方式可動的電極，并且通過該電極移動來控制導(dǎo)通和非導(dǎo)通以實(shí)現(xiàn)工作。在使用晶體管作為開關(guān)的情況下，由于該晶體管僅作為開關(guān)來工作，因此對晶體管的極性(導(dǎo)電類型)沒有特別限制。然而，在想要抑制截止電流的情況下，優(yōu)選采用具有較小截止電流的極性的晶體管。作為截止電流較小的晶體管，有具有LDD區(qū)的晶體管或具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管等?；蛘?，當(dāng)用作開關(guān)的晶體管的源電極端子的電位接近于低電位側(cè)電源(Vss、GND、0V等)的電位的數(shù)值的狀態(tài)下使其工作時(shí)，優(yōu)選采用N溝道型晶體管。相反，當(dāng)在源電極端子的電位接近于高電位側(cè)電源(Vdd等)的電位的數(shù)值的狀態(tài)下使其工作時(shí)，優(yōu)選采用P溝道型晶體管。這是因?yàn)槿缦戮壒嗜羰荖溝道型晶體管，則當(dāng)在源極端子接近于低電位側(cè)電源的電位的數(shù)值的狀態(tài)下使其工作時(shí)，若是P溝道型晶體管，則當(dāng)在源極端子接近于高電位側(cè)電源的電位的數(shù)值的狀態(tài)下使其工作時(shí)，可以增大柵極-源極間電壓的絕對值，因此作為開關(guān)使其更精確地工作。再者，這是因?yàn)榫w管進(jìn)行源極跟隨工作的情況較少，所以導(dǎo)致輸出電壓變小的情況少。另外，可以通過使用N溝道型晶體管和P溝道型晶體管雙方，將CMOS型開關(guān)用作開關(guān)。當(dāng)采用CMOS型開關(guān)時(shí)，因?yàn)槿鬚溝道型晶體管或N溝道型晶體管中的某一方的晶體管導(dǎo)通則電流流動，因此作為開關(guān)更容易起作用。例如，無論輸入開關(guān)的輸入信號的電壓是高或低，都可以適當(dāng)?shù)剌敵鲭妷骸６?，由于可以降低用于使開關(guān)導(dǎo)通或截止的信號的電壓振幅值，所以還可以減少耗電量。另外，在將晶體管作為開關(guān)來使用的情況下，開關(guān)具有輸入端子(源極端子或漏極端子的一方)、輸出端子(源極端子或漏極端子的另一方)、以及控制導(dǎo)通的端子(柵極端子)。另一方面，在將二極管作為開關(guān)來使用的情況下，開關(guān)有時(shí)不具有控制導(dǎo)通的端子。因此，與使用晶體管作為開關(guān)的情況相比，通過使用二極管作為開關(guān)的情況可以減少用于控制端子的布線。另外，明確地記載“A和B連接”的情況包括如下情況A和B電連接的情況；A和B在功能上連接的情況；以及A和B直接連接的情況。在此，A和B為對象物(例如，裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜、層等)。因此，規(guī)定的連接關(guān)系還包括附圖或文章所示的連接關(guān)系以外的連接關(guān)系，而不局限于如附圖或文章所示的連接關(guān)系。例如，在A和B電連接的情況下，也可以在A和B之間連接有一個(gè)以上的能夠電連接A和B的元件(例如開關(guān)、晶體管、電容元件、電感器、電阻元件、二極管等)。或者，在A和B在功能上連接的情況下，也可以在A和B之間連接有一個(gè)以上的能夠在功能上連接A和B的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉(zhuǎn)換電路(DA轉(zhuǎn)換電路、AD轉(zhuǎn)換電路、γ校正電路等)、電位電平轉(zhuǎn)換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位電平的電平轉(zhuǎn)移電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運(yùn)算放大器、差動放大電路、源極跟隨電路、緩沖電路等)、信號產(chǎn)生電路、存儲電路、控制電路等)。例如，即使在A與B之間夾有其他電路，也能夠看作A和B功能上連接，只要從A輸出的信號傳輸?shù)紹。另夕卜，當(dāng)明確地記載“A和B電連接”的情況，包括如下情況A和B電連接(即，A和B連接且在其中間夾有其它元件或其它電路)的情況；A和B在功能上連接(S卩，A和B在功能上連接且在其中間夾有其它電路)的情況；以及，A和B直接連接(即，A和B連接且其中間不夾有其它元件或其它電路)的情況?？傊?，明確地記載“電連接”的情況與只是簡單地記載“連接”的情況相同。另外，作為顯示元件、具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發(fā)光元件、以及作為具有發(fā)光元件的裝置的發(fā)光裝置，可以采用各種方式或各種元件。例如，作為顯示元件、顯示裝置、發(fā)光元件或發(fā)光裝置，可以采用利用電磁作用來改變對比度、亮度、反射率、透射率等的顯示介質(zhì)，如EL(電致發(fā)光)元件(包含有機(jī)物及無機(jī)物的EL元件、有機(jī)EL元件、無機(jī)EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍(lán)色LED等)、晶體管(依電流而發(fā)光的晶體管)、電子發(fā)射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、光柵閥(GLV)、等離子體顯示器(PDP)、數(shù)字微鏡裝置(DMD)、壓電陶瓷顯示器、碳納米管等。此外，作為使用了EL元件的顯示裝置，可以舉出EL顯示器，作為使用了電子發(fā)射元件的顯示裝置，可以舉出場致發(fā)光顯示器(FED)或SED方式平面型顯示器(SED,BPSurface-conductionElectron-emitterDisplay；表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器)等，作為使用了液晶元件的顯示裝置，可以舉出液晶顯示器(透射型液晶顯示器、半透射型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)，并且作為使用了電子墨水或電泳元件的顯示裝置，可以舉出電子紙。另外，EL元件是具有陽極、陰極、以及夾在陽極和陰極之間的EL層的元件。另外，作為EL層，可以使用利用來自單重態(tài)激子的發(fā)光(熒光)的層、利用來自三重態(tài)激子的發(fā)光(磷光)的層、包括利用來自單重態(tài)激子的發(fā)光(熒光)和利用來自三重態(tài)激子的發(fā)光(磷光)的層、利用有機(jī)物形成的層、利用無機(jī)物形成的層、包括利用有機(jī)物形成和利用無機(jī)物形成的層、高分子材料、低分子材料、以及包含高分子材料和低分子材料的層等。然而，不限定于此，可以使用各種元件作為EL元件。另外，電子發(fā)射元件是將高電場集中到陰極并抽出電子的元件。例如，作為電子發(fā)射元件，可以使用主軸(spindle)型、碳納米管(CNT)型、層疊有金屬-絕緣體-金屬的MIM(Metal-Insulator-Metal)型、層疊有金屬-絕緣體-半導(dǎo)體的MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型、MOS型、硅型、薄膜二極管型、金剛石型、表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射S⑶型、金屬-絕緣體-半導(dǎo)體-金屬型等的薄膜型、HEED型、EL型、多孔硅型、表面?zhèn)鲗?dǎo)(SCE)型等。然而，不限定于此，可以使用各種元件作為電子發(fā)射元件。另外，液晶元件是利用液晶的光學(xué)調(diào)制作用來控制光的透過或非透過的元件，是利用一對電極及液晶構(gòu)成的。另外，液晶的光學(xué)調(diào)制作用由施加到液晶的電場(包括橫向電場、縱向電場或傾斜電場)控制。另外，作為液晶元件，可以舉出向列相液晶、膽甾相(cholesteric)液晶、近晶液晶、盤狀液晶、熱致液晶、溶致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC)、強(qiáng)介電性液晶、反強(qiáng)介電性液晶、主鏈型液晶、側(cè)鏈型高分子液晶、等離子體尋址液晶(PALC)、香蕉型液晶、TNCTwistedNematic；扭轉(zhuǎn)向列)模式、STN(SuperTwistedNematic；超扭轉(zhuǎn)向列)模式、IPS(In-Plane-Switching；平面內(nèi)切換)模式、FFS(FringeFieldSwitching；邊緣場切換)模式、MVA(Multi-domainVerticalAlignment；多象限垂直取向)模式、PVA(PatternedVerticalAlignment；垂直取向構(gòu)型)模式、ASV(AdvancedSuperView；流動超視覺)模式、ASM(AxiallySymmetricalignedMicro-cell；軸線對稱排列微單元)模式、0CB(0pticalCompensatedBirefringence；光學(xué)補(bǔ)償彎曲)模式、ECB(ElectricallyControlledBirefringence；電控雙折射)模式、FLC(FerroelectricLiquidCrystal；鐵電液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectricLiquidCrystal；反鐵電液晶)模式、PDLC(PolymerDispersedLiquidCrystal；聚合物分散液晶)模式、賓主模式、藍(lán)相(BluePhase)模式等。然而，不限定于此，可以使用各種液晶元件。另外，電子紙是指利用分子來進(jìn)行顯示(如光學(xué)各向異性和染料分子取向等)；利用粒子來進(jìn)行顯示(如電泳、粒子移動、粒子旋轉(zhuǎn)、相變等)；通過移動薄膜的一端而進(jìn)行顯示；利用分子的發(fā)色/相變來進(jìn)行顯示；通過分子的光吸收而進(jìn)行顯示；電子和空穴相結(jié)合而自發(fā)光來進(jìn)行顯示等。例如，作為電子紙，可以使用微囊型電泳、水平移動型電泳、垂直移動型電泳、球狀扭轉(zhuǎn)球、磁性扭轉(zhuǎn)球、圓柱扭轉(zhuǎn)球、帶電色粉、電子粉液體、磁泳型、磁熱敏式、電潤濕、光散射(透明白濁)、膽甾相液晶/光導(dǎo)電層、膽甾相液晶、雙穩(wěn)態(tài)向列相液晶、強(qiáng)介電液晶、二色性色素·液晶分散型、可動薄膜、無色染料著色和去色、光致變色、電致變色、電沉積、柔性有機(jī)EL等。然而，不限定于此，可以使用各種物質(zhì)作為電子紙。在此，可以通過使用微囊型電泳，解決遷移粒子的凝集和沉淀，即電泳方式的缺點(diǎn)。電子粉液體具有高響應(yīng)性、高反射率、廣視角、低耗電量、存儲性等的優(yōu)點(diǎn)。另外，等離子體顯示器具有如下結(jié)構(gòu)，即以較窄的間隔使其表面形成有電極的基板和其表面形成有電極及微小的槽且在該槽內(nèi)形成有熒光體層的基板對置，并裝入稀有氣體。或者，等離子體顯示器還可以具有從等離子管的上下由薄膜狀電極夾住等離子體管的結(jié)構(gòu)。等離子體管子是在玻璃管內(nèi)密封放電氣體、RGB每一個(gè)的熒光體等而得到的。而且，通過在電極之間施加電壓產(chǎn)生紫外線，并使熒光體發(fā)光，而可以進(jìn)行顯示。等離子體顯示器可以是DC型PDP、AC型PDP。在此，作為等離子體顯示面板，可以使用ASW(AddressWhileSustain；地址同時(shí)顯示)驅(qū)動；將子幀分為復(fù)位期間、地址期間、維持期間的ADS(AddressDisplaySeparated；jfttitIl^ι^)馬區(qū)云力；CLEAR(High_Contr￡ist&Ix)WEnergyAddressandReductionofFalseContourSequence；高對比度低能量地址禾口減小動態(tài)假輪廓)驅(qū)動；ALIS(AlternateLightingofSurfaces；交替發(fā)光表面)方式；TERES(TechnologyofReciprocalSustainer；倒易維持技術(shù))驅(qū)動等。然而，不限定于此，可以使用各種顯示器作為等離子體顯示器。另外，需要光源的顯示裝置，例如液晶顯示器(透射型液晶顯示器、半透射型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)、利用光柵閥(GLV)的顯示裝置、利用數(shù)字微鏡裝置(DMD)的顯示裝置等的光源，可以使用電致發(fā)光、冷陰極管、熱陰極管、LED、激光光源、汞燈等。然而，不限定于此，可以使用各種光源作為光源。此外，作為晶體管，可以使用各種方式的晶體管。因此，對所使用的晶體管的種類沒有限制。例如，可以使用具有以非晶硅、多晶硅或微晶(也稱為納米晶體、半非晶(semi-amorphous))硅等為代表的非單晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管(TFT)等。在使用TFT的情況下，具有各種優(yōu)點(diǎn)。例如，因?yàn)榭梢栽诒仁褂脝尉Ч钑r(shí)低的溫度下制造TFT，因此可以實(shí)現(xiàn)制造成本的降低、或制造設(shè)備的大型化。由于可以擴(kuò)大制造設(shè)備，所以可以在大型基板上制造。因此，可以同時(shí)制造多個(gè)顯示裝置，從而可以以低成本進(jìn)行制造。再者，由于制造溫度低，因此可以使用低耐熱性基板。由此，可以在玻璃基板等透光基板上制造晶體管。并且，可以通過使用形成在透光基板上的晶體管來控制顯示元件的光透過?；蛘?，因?yàn)榫w管的膜厚較薄，所以構(gòu)成晶體管的膜的一部分能夠透過光。因此，可以提高開口率。另外，當(dāng)制造多晶硅時(shí)，可以通過使用催化劑(鎳等)進(jìn)一步提高結(jié)晶性，從而能夠制造電特性良好的晶體管。其結(jié)果是，可以在基板上一體地形成柵極驅(qū)動電路(掃描線驅(qū)動電路)、源極驅(qū)動電路(信號線驅(qū)動電路)、以及信號處理電路(信號產(chǎn)生電路、Y校正電路、DA轉(zhuǎn)換電路等)。另外，當(dāng)制造微晶硅時(shí)，可以通過使用催化劑(鎳等)進(jìn)一步提高結(jié)晶性，從而能夠制造電特性良好的晶體管。此時(shí)，僅通過進(jìn)行加熱處理而不進(jìn)行激光輻照，就可以提高結(jié)晶性。其結(jié)果是，可以在基板上一體地形成源極驅(qū)動電路的一部分(模擬開關(guān)等)以及柵極驅(qū)動電路(掃描線驅(qū)動電路)。再者，當(dāng)為了實(shí)現(xiàn)結(jié)晶化而不進(jìn)行激光輻照時(shí)，可以抑制硅結(jié)晶性的不均勻。因此，可以顯示圖像質(zhì)量得到了提高的圖像。另外，可以制造多晶硅或微晶硅而不使用催化劑(鎳等)。另外，雖然希望對面板的整體使硅的結(jié)晶性提高到多晶或微晶等，但不限定于此。也可以只在面板的一部分區(qū)域中提高硅的結(jié)晶性。通過選擇性地照射激光，可以選擇性地提高結(jié)晶性。例如，也可以只對作為像素以外的區(qū)域的外圍電路區(qū)域照射激光?；蛘撸部梢灾粚艠O驅(qū)動電路及源極驅(qū)動電路等的區(qū)域照射激光。或者，也可以只對源極驅(qū)動電路的一部分(例如模擬開關(guān))的區(qū)域照射激光。其結(jié)果是，可以只在需要使電路高速地進(jìn)行工作的區(qū)域中提高硅的結(jié)晶性。由于不需要使像素區(qū)域高速地工作，所以即使不提高結(jié)晶性，也可以使像素電路工作而不發(fā)生問題。由于提高結(jié)晶性的區(qū)域較少即可，所以也可以縮短制造工序，且可以提高處理量并降低制造成本。另外，由于所需要的制造裝置的數(shù)量較少，所以可以降低制造成本。或者，可以使用半導(dǎo)體基板或SOI基板等來形成晶體管。通過這樣，可以制造特性、尺寸及形狀等的不均勻性低、電流供給能力高且尺寸小的晶體管。如果使用這些晶體管，則可以謀求電路的低耗電量化或電路的高集成化。或者，可以使用具有ZnO、a-InGaZnO、SiGe,GaAs,IZO、ITO、SnO,TiO、AlZnSnO(AZTO)等的化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體的晶體管，或?qū)@些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體進(jìn)行薄膜化后的薄膜晶體管等。通過這樣，可以降低制造溫度，例如可以在室溫下制造晶體管。其結(jié)果是，可以在低耐熱性的基板、如塑料基板或薄膜基板上直接形成晶體管。此外，這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體不僅可以用于晶體管的溝道部分，而且還可以作為其它用途來使用。例如，這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體可以作為電阻元件、像素電極、透光電極來使用。再者，由于它們可以與晶體管同時(shí)成膜或形成，所以可以降低成本?；蛘撸梢允褂猛ㄟ^噴墨法或印刷法而形成的晶體管等。通過這樣，可以在室溫下進(jìn)行制造，以低真空度制造，或在大型基板上進(jìn)行制造。由于即使不使用掩模(標(biāo)線(reticule))也可以制造晶體管，所以可以容易地改變晶體管的布局。再者，由于不需要抗蝕劑，所以可以減少材料費(fèi)用，并減少工序數(shù)量。并且，因?yàn)橹辉谛枰牟糠稚闲纬赡?，所以與在整個(gè)面上形成膜之后進(jìn)行刻蝕的制造方法相比，可以實(shí)現(xiàn)低成本且不浪費(fèi)材料?；蛘?，可以使用具有有機(jī)半導(dǎo)體或碳納米管的晶體管等。通過這樣，可以在能夠彎曲的基板上形成晶體管。因此，能夠增強(qiáng)使用了該基板的晶體管等的裝置的耐沖擊性。再者，可以使用各種結(jié)構(gòu)的晶體管。例如，可以使用MOS型晶體管、接合型晶體管、雙極晶體管等來作為晶體管。通過使用MOS型晶體管，可以減少晶體管尺寸。因此，可以安裝多個(gè)晶體管。通過使用雙極晶體管，可以使大電流流過。因此，可以使電路高速地工作。此外，也可以將MOS型晶體管、雙極晶體管等混合而形成在一個(gè)基板上。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)低耗電量、小型化、高速工作等。除了上述以外，還可以采用各種晶體管。另外，可以使用各種基板形成晶體管。對基板的種類沒有特別的限制。作為該基板，例如可以使用單晶基板(如硅基板)、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、金屬基板、不銹鋼基板、具有不銹鋼箔的基板、鎢基板、具有鎢箔的基板、柔性基板等。作為玻璃基板的一個(gè)例子，可以舉出鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃等。作為柔性基板的一個(gè)例子，可以舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)為代表的塑料或丙烯酸樹脂等的具有柔性的合成樹脂等。除了上述以外，可以舉出貼合薄膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟化乙烯、氯乙烯等制成)、由纖維狀的材料制成的紙、基材薄膜(聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、無機(jī)蒸鍍薄膜、紙類等)等。或者，也可以使用某個(gè)基板來形成晶體管，然后將晶體管轉(zhuǎn)置到另一基板上，從而在另一基板上配置晶體管。作為晶體管被轉(zhuǎn)置的基板，可以使用單晶基板、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、紙基板、玻璃紙基板、石材基板、木材基板、布基板(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)、或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造絲、再生聚酯)等)、皮革基板、橡皮基板、不銹鋼基板、具有不銹鋼箔的基板等。或者，也可以使用人等的動物皮膚(表皮、真皮)或皮下組織作為基板?；蛘撸部梢允褂媚硞€(gè)基板形成晶體管，并拋光該基板以使其變薄。作為進(jìn)行拋光的基板，可以使用單晶基板、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、不銹鋼基板、具有不銹鋼箔的基板等。通過使用這些基板，可以謀求形成特性良好的晶體管，形成低耗電量的晶體管，制造不容易被破壞的裝置，賦予耐熱性，并可以實(shí)現(xiàn)輕量化或薄型化。此外，可以采用各種結(jié)構(gòu)的晶體管，而不局限于特定的結(jié)構(gòu)。例如，可以采用具有兩個(gè)以上的柵電極的多柵極結(jié)構(gòu)。如果采用多柵極結(jié)構(gòu)，則由于將溝道區(qū)串聯(lián)連接，所以能夠?qū)崿F(xiàn)多個(gè)晶體管串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。通過采用多柵極結(jié)構(gòu)，可以降低截止電流，并能夠?qū)崿F(xiàn)提高晶體管的耐壓性(提高可靠性)。或者，利用多柵極結(jié)構(gòu)，當(dāng)在飽和區(qū)工作時(shí)，即使漏極源極間的電壓變化，漏極源極間電流的變化也不太大，從而可以獲得斜率穩(wěn)定的電壓·電流特性。如果利用斜率穩(wěn)定的電壓·電流特性，則可以實(shí)現(xiàn)理想的電流源電路或電阻值非常高的有源負(fù)載。其結(jié)果是，可以實(shí)現(xiàn)特性良好的差動電路或電流反射鏡電路。作為其他的例子，可以采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)。因?yàn)橥ㄟ^采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，可以增加溝道區(qū)，所以可以增加電流值?；蛘?，通過采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，容易得到耗盡層而可以謀求降低S值。另外，通過采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，從而能夠得到多個(gè)晶體管并聯(lián)的結(jié)構(gòu)。也可以采用將柵電極配置在溝道區(qū)上的結(jié)構(gòu)，或?qū)烹姌O配置在溝道區(qū)下的結(jié)構(gòu)，正交錯(cuò)結(jié)構(gòu)，反交錯(cuò)結(jié)構(gòu)，將溝道區(qū)分割成多個(gè)區(qū)域的結(jié)構(gòu)，并聯(lián)溝道區(qū)的結(jié)構(gòu)，或者串聯(lián)溝道區(qū)的結(jié)構(gòu)。而且，還可以采用在溝道區(qū)(或其一部分)源電極與漏電極重疊的結(jié)構(gòu)。通過采用在溝道區(qū)(或其一部分)源電極與漏電極重疊的結(jié)構(gòu)，可以防止因電荷聚集在溝道區(qū)的一部分而造成的工作不穩(wěn)定。或者，可以采用設(shè)置有LDD區(qū)的結(jié)構(gòu)。通過設(shè)置LDD區(qū)，可以謀求通過提高晶體管的耐壓性(提高可靠性)。或者，通過設(shè)置LDD區(qū)，當(dāng)在飽和區(qū)工作時(shí)，即使漏極·源極之間的電壓變化，漏極·源極之間電流的變化也不太大，從而可以獲得斜率穩(wěn)定的電壓及電流特性。另外，作為晶體管，可以采用各種各樣的類型，從而可以使用各種基板來形成。因此，為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的所有電路可以形成在同一基板上。例如，為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的所有電路也可以使用各種基板，如玻璃基板、塑料基板、單晶基板或SOI基板等來形成。通過將為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的所有電路形成在同一基板上，可以通過減少零部件個(gè)數(shù)來降低成本，或可以通過減少與電路零部件之間的連接個(gè)數(shù)來提高可靠性?；蛘撸部梢詫榱藢?shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的電路的一部分形成在某個(gè)基板上，而為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的電路的另一部分形成在另一個(gè)基板上。換而言之，為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的所有電路也可以不形成在同一基板上。例如，也可以利用晶體管將為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的電路的一部分形成在玻璃基板上，而將為了實(shí)現(xiàn)預(yù)定功能所需要的電路的另一部分形成在單晶基板上，并通過COG(ChipOnGlass:玻璃上芯片)將由形成在單晶基板上的晶體管所構(gòu)成的IC芯片連接到玻璃基板，從而在玻璃基板上配置該IC芯片?；蛘?，也可以使用TAB(TapeAutomatedGlass卷帶自動接合)或印刷電路板使該IC芯片和玻璃基板連接。像這樣，通過將電路的一部分形成在同一基板上，可以通過減少零部件個(gè)數(shù)來降低成本、或可以通過減少與電路零部件之間的連接個(gè)數(shù)來提高可靠性。另外，驅(qū)動電壓高的部分及驅(qū)動頻率高的部分的電路，由于其耗電量高，因此不將該部分的電路形成在同一基板上，例如如果將該部分的電路形成在單晶基板上以使用由該電路構(gòu)成的IC芯片，則能夠防止耗電量的增加。另外，一個(gè)像素指的是能夠控制明亮度的一個(gè)單元。因此，作為一個(gè)例子，一個(gè)像素指的是一個(gè)色彩單元，并用該一個(gè)色彩單元來表現(xiàn)明亮度。因此，在采用由R(紅色)、G(綠色)和B(藍(lán)色)這些色彩單元構(gòu)成的彩色顯示裝置的情況下，將像素的最小單位設(shè)置為由R的像素、G的像素、以及B的像素這三個(gè)像素構(gòu)成的像素。再者，色彩單元并不局限于三種顏色，也可以使用三種以上的顏色，并且可以使用RGB以外的顏色。例如，可以加上白色來實(shí)現(xiàn)RGBW(W是白色)。另外，可以對RGB加上黃色、藍(lán)綠色、紫紅色、翡翠綠及朱紅色等的一種以上的顏色。例如，也可以對RGB加上類似于RGB中的至少一種的顏色。例如，可以采用R、G、B1、B2。Bl和B2雖然都是藍(lán)色，但是其波長稍微不同。與此同樣，可以采用R1、R2、G、B。通過采用這種色彩單元，可以進(jìn)行更逼真的顯示。通過采用這種色彩單元，可以降低耗電量。作為其他例子，關(guān)于一個(gè)色彩單元，在使用多個(gè)區(qū)域來控制明亮度的情況下，可以將所述區(qū)域中的一個(gè)作為一個(gè)像素。因此，作為一個(gè)例子，在進(jìn)行面積灰度的情況或具有子像素(副像素)的情況下，每一個(gè)色彩單元具有控制明亮度的多個(gè)區(qū)域，雖然由它們?nèi)w來表現(xiàn)灰度，但是可以將其中控制明亮度的區(qū)域中的一個(gè)作為一個(gè)像素。因此，在此情況下，一個(gè)色彩單元由多個(gè)像素構(gòu)成?；蛘?，即使在一個(gè)色彩單元中具有多個(gè)控制明亮度的區(qū)域，也可以將它們匯總而將一個(gè)色彩單元作為一個(gè)像素。因此，在此情況下，一個(gè)色彩單元由一個(gè)像素構(gòu)成。或者，關(guān)于一個(gè)色彩單元，在使用多個(gè)區(qū)域來控制明亮度的情況下，由于像素的不同，有助于顯示的區(qū)域的大小可能不同。或者，在一個(gè)色彩單元所具有的多個(gè)控制明亮度的區(qū)域中，也可以使被提供到各個(gè)區(qū)域的信號稍微不同，從而擴(kuò)大視角。就是說，一個(gè)色彩單元所具有的多個(gè)區(qū)域的每一個(gè)具有的像素電極的電位也可以互不相同。其結(jié)果是，施加到液晶分子的電壓由于各像素電極而有所不相同。因此，可以擴(kuò)大視角。再者，在明確地記載“一個(gè)像素(三種顏色)，，的情況下，將R、G和B三個(gè)像素看作一個(gè)像素。在明確地記載“一個(gè)像素(一種顏色)”的情況下，當(dāng)每個(gè)色彩單元具有多個(gè)區(qū)域時(shí)，將該多個(gè)區(qū)域匯總并看作一個(gè)像素。另外，像素有時(shí)配置(排列)為矩陣形狀。這里，像素配置(排列)為矩陣形狀包括如下情況在縱向或橫向上，在直線上排列而配置像素的情況，或者，在鋸齒形線上配置像素的情況。因此，在以三種色彩單元(例如RGB)進(jìn)行全彩色顯示的情況下，也包括進(jìn)行條形配置的情況，或者將三種色彩單元的點(diǎn)配置為三角形狀的情況。再者，還可以進(jìn)行拜爾(Bayer)方式進(jìn)行配置的情況。此外，每個(gè)色彩單元的點(diǎn)也可以具有不同大小的顯示區(qū)域。由此，可以實(shí)現(xiàn)低耗電量化、或顯示元件的長壽命化。此外，可以采用在像素上具有主動元件的有源矩陣方式、或在像素上沒有主動元件的無源矩陣方式。在有源矩陣方式中，作為主動元件(有源元件、非線性元件)，不僅可以使用晶體管，而且還可使用各種主動元件(有源元件、非線性元件)。例如，可以使用MIM(MetalInsulatorMetal；金屬-絕緣體-金屬)或TFD(ThinFilmDiode；薄膜二極管)等。由于這些元件的制造工序少，所以可以降低制造成本或提高成品率。再者，由于元件尺寸小，所以可以提高開口率，并實(shí)現(xiàn)低耗電量化或高亮度化。另外，除了有源矩陣方式以外，還可以采用沒有主動元件(有源元件、非線性元件)的無源矩陣型。由于不使用主動元件(有源元件、非線性元件)，所以制造工序少，且可以降低制造成本或提高成品率。由于不使用主動元件(有源元件、非線性元件)，所以可以提高開口率，并實(shí)現(xiàn)低耗電量化或高亮度化。晶體管是指具有至少包括柵極、漏極、以及源極這三個(gè)端子的元件，且在漏區(qū)和源區(qū)之間具有溝道區(qū)，而且電流能夠通過漏區(qū)、溝道區(qū)、以及源區(qū)流動。這里，因?yàn)樵礃O和漏極由于晶體管的結(jié)構(gòu)或工作條件等而改變，因此很難限定哪個(gè)是源極或漏極。因此，有時(shí)不將用作源極及漏極的區(qū)域稱為源極或漏極。在此情況下，作為一個(gè)例子，有時(shí)將它們分別記為第一端子和第二端子?；蛘?，有時(shí)將它們分別記為第一電極和第二電極?；蛘?，有時(shí)將它們記為第一區(qū)和第二區(qū)。另外，晶體管也可以是具有至少包括基極、發(fā)射極和集電極這三個(gè)端子的元件。在此情況下，也與上述同樣地有時(shí)將發(fā)射極和集電極分別記為第一端子和第二端子等。再者，柵極是指包括柵電極和柵極布線(也稱為柵極線、柵極信號線、掃描線、掃描信號線等)的整體，或者是指這些中的一部分。柵電極指的是通過柵極絕緣膜與形成溝道區(qū)的半導(dǎo)體重疊的部分的導(dǎo)電膜。此外，柵電極的一部分有時(shí)通過柵極絕緣膜與LDD(LightlyDopedDrain;輕摻雜漏極)區(qū)或源區(qū)(或漏區(qū))重疊。柵極布線是指用于連接各晶體管的柵電極之間的布線、用于連接各像素所具有的柵電極之間的布線、或用于連接?xùn)烹姌O和其它布線的布線。但是，也存在著用作柵電極并用作柵極布線的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)。這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為柵電極或柵極布線。換言之，也存在著無法明確區(qū)別柵電極和柵極布線的區(qū)域。例如，在溝道區(qū)與延伸而配置的柵極布線的一部分重疊的情況下，該部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)不僅用作柵極布線，而且還用作柵電極。因此，這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為柵電極或柵極布線。另外，用與柵電極相同的材料形成、且形成與柵電極相同的島而連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵電極。與此同樣，用與柵極布線相同的材料形成、且形成與柵極布線相同的島而連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵極布線。嚴(yán)格而言，有時(shí)這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)與溝道區(qū)不重疊，或者，不具有與其它柵電極之間實(shí)現(xiàn)連接的功能。但是，根據(jù)制造時(shí)的條件等關(guān)系，具有由與柵電極或柵極布線相同的材料形成且形成與柵電極或柵極布線相同的島，從而實(shí)現(xiàn)連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)。因此，這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵電極或柵極布線。另外，例如在多柵極晶體管中，在很多情況下一個(gè)柵電極和其他的柵電極通過由與柵電極相同的材料形成的導(dǎo)電膜實(shí)現(xiàn)連接。因?yàn)檫@種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)是用于連接?xùn)烹姌O和柵電極的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)，因此可以稱為柵極布線。但是，由于也可以將多柵極晶體管看作一個(gè)晶體管，所以該部分也可以稱為柵電極。換言之，由與柵電極或柵極布線相同的材料形成、且形成與柵電極或柵極布線相同的島，從而連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵電極或柵極布線。而且，例如，連接?xùn)烹姌O和柵極布線的部分是導(dǎo)電膜，且由與柵電極或柵極布線不同的材料形成的導(dǎo)電膜也可以稱為柵電極或柵極布線。另外，柵極端子是指柵電極的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)或與柵電極電連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)中的一部分。再者，在將某個(gè)布線稱為柵極布線、柵極線、柵極信號線、掃描線、掃描信號線等的情況下，該布線有時(shí)不連接到晶體管的柵極。在此情況下，柵極布線、柵極線、柵極信號線、掃描線、掃描信號線有可能意味著以與晶體管的柵極相同的層形成的布線、由與晶體管的柵極相同的材料形成的布線、或與晶體管的柵極同時(shí)成膜的布線。作為一個(gè)例子，可以舉出保持電容用布線、電源線、基準(zhǔn)電位供給布線等。此外，源極是指包括源區(qū)、源電極、源極布線(也稱為源極線、源極信號線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號線等)的整體，或者是指這些中的一部分。源區(qū)是指包含很多P型雜質(zhì)(硼或鎵等)或N型雜質(zhì)(磷或砷等)的半導(dǎo)體區(qū)。因此，稍微包含P型雜質(zhì)或N型雜質(zhì)的區(qū)域，艮口，所謂的LDD(LightlyDopedDrain；輕摻雜漏電極)區(qū)，不包括在源區(qū)。源電極是指以與源區(qū)不相同的材料形成并與源區(qū)電連接而配置的部分的導(dǎo)電層。但是，源電極有時(shí)包括源區(qū)而稱為源電極。源極布線是指用于連接各晶體管的源電極之間的布線、用于連接各像素所具有的源電極之間的布線、或用于連接源電極和其它布線的布線。但是，也存在著作為源電極和源極布線起作用的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)。這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為源電極或源極布線。換而言之，也存在著不可明確區(qū)別源電極和源極布線的區(qū)域。例如，在源區(qū)與延伸而配置的源極布線的一部分重疊的情況下，該部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)不僅作為源極布線起作用，而且還作為源電極起作用。因此，這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為源電極或源極布線。另外，以與源電極相同的材料形成且形成與源電極相同的島(island)而連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)、或連接源電極和源電極的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為源電極。另外，與源區(qū)重疊的部分也可以稱為源電極。與此相同，以與源極布線相同的材料形成且形成與源極布線相同的島而連接的區(qū)域也可以稱為源極布線。嚴(yán)格而言，該部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)有時(shí)不具有與其它源電極之間實(shí)現(xiàn)連接的功能。但是，因?yàn)橹圃鞎r(shí)的條件等的關(guān)系，具有以與源電極或源極布線相同的材料形成且與源電極或源極布線連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)。因此，這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為源電極或源極布線。另外，例如，也可以將連接源電極和源極布線的部分的導(dǎo)電膜，并且以與源電極或源極布線不同的材料形成的導(dǎo)電膜稱為源電極或源極布線。再者，源電極端子是指源區(qū)、源電極、與源電極電連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)中的一部分。另外，在將某個(gè)布線稱為源極布線、源極線、源極信號線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號線等的情況下，該布線有時(shí)不連接到晶體管的源極(漏極)。在此情況下，源極布線、源極線、源極信號線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號線有時(shí)意味著以與晶體管的源極(漏極)相同的層形成的布線、以與晶體管的源極(漏極)相同的材料形成的布線、或與晶體管的源極(漏極)同時(shí)成膜的布線。作為一個(gè)例子，可以舉出保持電容用布線、電源線、基準(zhǔn)電位供給布線等。另外，漏極與源極同樣。再者，半導(dǎo)體裝置是指具有包括半導(dǎo)體元件(晶體管、二極管、可控硅整流器等)的電路的裝置。而且，也可以將通過利用半導(dǎo)體特性來起作用的所有裝置稱為半導(dǎo)體裝置?；蛘?，將具有半導(dǎo)體材料的裝置稱為半導(dǎo)體裝置。而且，顯示裝置指的是具有顯示元件的裝置。此外，顯示裝置也可以具有包含顯示元件的多個(gè)像素。顯示裝置可以包括驅(qū)動多個(gè)像素的外圍驅(qū)動電路。驅(qū)動多個(gè)像素的外圍驅(qū)動電路也可以與多個(gè)像素形成在同一基板上。此外，顯示裝置可以包括通過引線鍵合或凸起等而配置在基板上的外圍驅(qū)動電路、所謂的通過玻璃上芯片(COG)而連接的IC芯片、或者通過TAB等而連接的IC芯片。顯示裝置也可以包括安裝有IC芯片、電阻元件、電容元件、電感器、晶體管等的柔性印刷電路(FPC)。此外，顯示裝置可以通過柔性印刷電路(FPC)等實(shí)現(xiàn)連接，并包括安裝有IC芯片、電阻元件、電容元件、電感器、晶體管等的印刷線路板(PWB)。另外，顯示裝置也可以包括偏振板或相位差板等的光學(xué)片。此外，顯示裝置還包括照明裝置、框體、聲音輸入輸出裝置、光傳感器等。這里，照明裝置也可以包括背光燈單元、導(dǎo)光板、棱鏡片、擴(kuò)散片、反射片、光源(LED、冷陰極管等)、冷卻裝置(水冷式、空氣冷卻式)等。另外，發(fā)光裝置指的是具有發(fā)光元件等的裝置。在具有發(fā)光元件作為顯示元件的情況下，發(fā)光裝置是顯示裝置的一個(gè)具體例子。另外，反射裝置指的是具有光反射元件、光衍射元件、光反射電極等的裝置。另外，液晶顯示裝置指的是具有液晶元件的顯示裝置。作為液晶顯示裝置，可以舉出直觀型、投射型、透射型、反射型、半透射型等。另外，驅(qū)動裝置指的是具有半導(dǎo)體元件、電路、電子電路的裝置。例如，控制將信號從源極信號線輸入到像素內(nèi)的晶體管(有時(shí)稱為選擇用晶體管、開關(guān)用晶體管等)、將電壓或電流提供到像素電極的晶體管、將電壓或電流提供到發(fā)光元件的晶體管等，是驅(qū)動裝置的一個(gè)例子。再者，將信號提供到柵極信號線的電路(有時(shí)稱為柵極驅(qū)動器、柵極線驅(qū)動電路等)、將信號提供到源極信號線的電路(有時(shí)稱為源極驅(qū)動器、源極線驅(qū)動電路等)等，是驅(qū)動裝置的一個(gè)例子。再者，有可能重復(fù)具有顯示裝置、半導(dǎo)體裝置、照明裝置、冷卻裝置、發(fā)光裝置、反射裝置、驅(qū)動裝置等。例如，顯示裝置有時(shí)具有半導(dǎo)體裝置及發(fā)光裝置?；蛘?，半導(dǎo)體裝置有時(shí)具有顯示裝置及驅(qū)動裝置。再者，明確地記載“B形成在A的上面”或“B形成在A上”的情況不局限于B直接接觸地形成在A的上面的情況。還包括不直接接觸的情況，即，在A和B之間夾有其它對象物的情況。這里，A和B是對象物(例如裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜、層等)。因此，例如，明確地記載“層B形成在層A的上面(或?qū)覣上)”的情況包括如下兩種情況層B直接接觸地形成在層A的上面的情況；以及在層A的上面直接接觸地形成其它層(例如層C或?qū)覦等)，并且層B直接接觸地形成在所述其它層上的情況。另外，其他層(例如層C或?qū)覦等)可以是單層或?qū)盈B。與此相同，明確地記載“B形成在A的上方”的情況也不局限于B與A的上面直接接觸的情況，而還包括在A和B之間夾有其它對象物的情況。因此，例如，“層B形成在層A的上方”的情況包括如下兩種情況層B直接接觸地形成在層A的上面的情況；以及在層A之上直接接觸地形成其它層(例如層C或?qū)覦等)的情況，并且層B直接接觸地形成在所述其它層上。另外，其他層(例如層C或?qū)覦等)可以是單層或?qū)盈B。另外，在明確地記載“B形成在A的上面”、“B形成在A上”或“B形成在A的上方”的情況下，還包括在A的斜上面形成B的情況。另外，“B形成在A的下面”或“B形成在A的下方”的情況與上述情況同樣。而且，明確記載為單數(shù)的情況優(yōu)選是單數(shù)，但是本發(fā)明不局限于此，也可以是復(fù)數(shù)。與此同樣，明確記載為復(fù)數(shù)的情況優(yōu)選是復(fù)數(shù)，但是本發(fā)明不局限于此，也可以是單數(shù)。在附圖中，有時(shí)為了清楚起見，夸大尺寸、層的厚度或區(qū)域。因此，不局限于該尺度。再者，附圖示出示意性的理想例子，而不局限于附圖所示的形狀或數(shù)值等。例如，可以包括制造技術(shù)或誤差等所引起的形狀不均勻、噪聲或定時(shí)偏差等所引起的信號、電壓或電流的不均勻等。而且，專門詞語用來描述特定的實(shí)施方式或?qū)嵤├?，而不局限于此。沒有定義的術(shù)語(包括專門詞語或術(shù)語等科技術(shù)語)可以表示與所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員所理解的一般意思相同的意思。由詞典等定義的詞語優(yōu)選解釋為不與有關(guān)技術(shù)的背景產(chǎn)生矛盾的意思。再者，第一、第二、第三等的詞用來有區(qū)別地描述各種因素、構(gòu)件、區(qū)域、層、領(lǐng)域。因此，第一、第二、第三等的詞不限定因素、構(gòu)件、區(qū)域、層、領(lǐng)域等個(gè)數(shù)。而且，例如，可以使用“第二”或“第三”等替換“第一”。另外，“上”、“上方”、“下”、“下方”、“橫”、“右”、“左”、“斜”、“里邊”或“前邊”等表示空間配置的詞句在很多情況下用來以附圖簡單地示出某種因素或特征和其它因素或特征的關(guān)聯(lián)。但是，不局限于此，這些表示空間配置的詞句除了附圖所描述的方向以外還可以包括其他方向。例如，明確地記載“在A之上B”的情況不局限于B存在于A之上的情況。附圖中的裝置可以反轉(zhuǎn)或者轉(zhuǎn)動180°，所以還可以包括B存在于A之下的情況。如此，“上”除了“上”的方向以外還可以包括“下”的方向。但是，不局限于此，附圖中的裝置轉(zhuǎn)動為各種方向，所以“上”這詞句除了“上”及“下”這些方向以外還可以包括“橫”、“右”、“左”、“斜”、“里邊”或“前邊”等其他方向。在所公開的發(fā)明中，可以形成具有透光性的晶體管或具有透光性的電容元件。因此，即使在像素內(nèi)設(shè)置晶體管或電容元件的情況下，也可以使形成有晶體管或電容元件的部分能夠透過光，由此可以提高開口率。并且，由于可以使用電阻率低而導(dǎo)電率高的材料來形成連接晶體管和元件(例如，其他的晶體管)的布線、連接電容元件和元件(例如，其他的電容元件)的布線，所以可以減少信號波形畸變并可以減少由于布線電阻的電壓的下降。圖1是說明半導(dǎo)體裝置的俯視圖；圖2是說明半導(dǎo)體裝置的截面圖；圖3是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖4是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖5是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖6是說明多級灰度掩模的圖；圖7是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖8是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖9是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖10是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖11是說明半導(dǎo)體裝置的俯視圖；圖12是說明半導(dǎo)體裝置的截面圖；圖13是說明半導(dǎo)體裝置的俯視圖和截面圖；圖14是說明半導(dǎo)體裝置的俯視圖和截面圖；圖15是說明半導(dǎo)體裝置的俯視圖和截面圖；圖16是說明半導(dǎo)體裝置的俯視圖和截面圖；圖17是說明半導(dǎo)體裝置的俯視圖；圖18是說明半導(dǎo)體裝置的俯視圖；圖19是說明半導(dǎo)體裝置的截面圖；圖20是說明半導(dǎo)體裝置的截面圖；圖21是說明半導(dǎo)體裝置的俯視圖；圖22是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖23是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖24是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖25是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖26是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖27是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖28是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖29是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖30是說明電子設(shè)備的圖；圖31是說明電子設(shè)備的圖；圖32是說明電子設(shè)備的圖33是說明電子設(shè)備的圖；圖34是說明電子設(shè)備的圖；圖35是說明半導(dǎo)體裝置的截面圖；圖36是說明半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖37是說明半導(dǎo)體裝置的俯視圖；圖38是說明半導(dǎo)體裝置的俯視圖；圖39是說明半導(dǎo)體裝置的俯視圖；圖40是說明半導(dǎo)體裝置的俯視圖；圖41是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖42是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖43是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖44是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖45是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖46是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖47是說明半導(dǎo)體裝置的圖；圖48是說明半導(dǎo)體裝置的圖。標(biāo)號說明具體實(shí)施例方式下面，參照附圖詳細(xì)說明實(shí)施方式。但是，本發(fā)明不局限于以下所示的實(shí)施方式中記載的內(nèi)容，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)就是其方式及詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨的條件下可以被變換為各種各樣的形式。此外，在以下所說明的發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，使用相同的附圖標(biāo)記來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其重復(fù)說明。另外，在某一個(gè)實(shí)施方式中所說明的內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)對于該實(shí)施方式所說明的其它內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)和/或在一個(gè)或多個(gè)其它實(shí)施方式中所說明的內(nèi)容(也可以是其一部分的內(nèi)容)可以進(jìn)行應(yīng)用、組合或置換等。另外，在實(shí)施方式中所說明的內(nèi)容是指在各種實(shí)施方式中利用各種附圖而說明的內(nèi)容、或利用說明書所記載的文章而說明的內(nèi)容。另外，可以通過將在某一個(gè)實(shí)施方式中所說明的附圖(也可以是其一部分)，與該附圖的其它部分、在該實(shí)施方式中所說明的其它附圖(也可以其一部分)和/或在一個(gè)或多個(gè)其它實(shí)施方式中所說明的附圖(也可以是其一部分)進(jìn)行組合，從而構(gòu)成更多的附圖。另外，可以在某一個(gè)實(shí)施方式中所描述的附圖或者文章中，取出其一部分而構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。從而，在記載有說明某一種部分的附圖或者文章的情況下，取出其一部分的附圖或者文章的內(nèi)容也是作為發(fā)明的一個(gè)方式而公開的，所以能夠構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。因此，例如，可以在記載有一個(gè)或多個(gè)有源元件(晶體管、二極管等)、布線、無源元件(電容元件、電阻元件等)、導(dǎo)電層、絕緣層、半導(dǎo)體層、有機(jī)材料、無機(jī)材料、零部件、基板、模塊、裝置、固體、液體、氣體、工作方法、制造方法等的附圖(截面圖、俯視圖、電路圖、框圖、流程圖、工序圖、立體圖、立面圖、布置圖、時(shí)序圖、結(jié)構(gòu)圖、示意圖、圖、表、光路圖、向量圖、狀態(tài)圖、波形圖、照片、化學(xué)式等)或者文章中，取出其一部分而構(gòu)成發(fā)明的一個(gè)方式。實(shí)施方式1在本實(shí)施方式中，參照附圖對半導(dǎo)體裝置及其制造方法進(jìn)行說明。圖1和圖2示出本實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例。另外，圖1是俯視圖，圖2A對應(yīng)于圖1中A-B間的截面，圖2B對應(yīng)于圖1中的C-D間的截面。圖1所示的半導(dǎo)體裝置包括設(shè)置有晶體管152以及保持電容部154的像素部150、布線122、布線123以及布線126。另外，在圖1中，像素部150是指被多條布線122以及多條布線126所包圍的區(qū)域。另外，布線122可以用作柵極布線。布線124可以用作電容布線或共同布線。布線126可以用作源極布線。但是，并不局限于此。晶體管152包括設(shè)置在基板100上的電極132；設(shè)置在電極132上的絕緣層106；設(shè)置在絕緣層106上的電極136以及電極138；在絕緣層106上以與電極132重疊的方式設(shè)置并且設(shè)置在電極136以及電極138上的半導(dǎo)體層112a(參照圖2A)。另外，電極132可以用作柵電極。絕緣層106可以用作柵極絕緣層。電極136或電極138可以用作源電極或漏電極。半導(dǎo)體層112a可以使用氧化物半導(dǎo)體。但是，不局限于此。電極132使用具有透光性的導(dǎo)電層102a形成，并且與布線122電連接。布線122使用導(dǎo)電層102a與導(dǎo)電層104a的層疊形成。另外，構(gòu)成電極132的導(dǎo)電層102a與構(gòu)成布線122的導(dǎo)電層102a由相同的島形成。通過使用相同的島狀的導(dǎo)電層102a形成電極132與布線122，可以使電極132與布線122之間進(jìn)行良好的電連接。另外，通過使用相同的島狀的導(dǎo)電層102a形成電極132與布線122，可以在制造工序中減少掩模數(shù)從而實(shí)現(xiàn)低成本化。此外，還可以在基板100與電極132之間設(shè)置基底絕緣層。導(dǎo)電層102a可以使用銦錫氧化物(IndiumTinOxide:ΙΤ0)等的具有透光性的材料來形成。另外，導(dǎo)電層104a只要是使用比導(dǎo)電層102a電阻率低的材料形成即可，例如可以使用鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、鈮(Nb)、鈰(Ce)、鉻(Cr)等的金屬材料、或者以這些金屬材料為主要成分的合金材料、或以這些金屬材料作為成分的氮化物以單層或?qū)盈B的方式形成。通常，這些金屬材料具有遮光性，所以在圖1所示的結(jié)構(gòu)中，形成有電極132的部分呈現(xiàn)透光性，而形成有布線122的部分與形成有電極132的部分相比呈現(xiàn)遮光性。另外，優(yōu)選將導(dǎo)電層104a形成為厚于導(dǎo)電層102a。當(dāng)將導(dǎo)電層104a形成得較厚時(shí)，可以降低布線電阻。另外，當(dāng)將導(dǎo)電層102a形成得較薄時(shí)，可以提高透射率。但是，不局限于此。另外，在圖1、圖2中，作為布線122示出在導(dǎo)電層102a上層疊導(dǎo)電層104a的情況，但是也可以在導(dǎo)電層104a上層疊導(dǎo)電層102a。電極136使用具有透光性的導(dǎo)電層108a形成，并且與布線126電連接。布線126使用導(dǎo)電層108a和導(dǎo)電層IlOa的層疊形成。另外，構(gòu)成電極136的導(dǎo)電層108a與構(gòu)成布線126的導(dǎo)電層108a使用相同的島形成。通過使用相同的島狀的導(dǎo)電層108a形成電極136以及布線126，可以使電極136與布線126之間進(jìn)行良好的電連接。另外，電極138使用具有透光性的導(dǎo)電層108b形成。電極136與電極138可以使用相同的材料形成。導(dǎo)電層108a、108b可以使用銦錫氧化物等的具有透光性的材料形成。另外，導(dǎo)電層IlOa只要是使用比導(dǎo)電層108a的電阻率低的材料形成即可，例如可以使用鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、鈮(Nb)、鈰(Ce)、鉻(Cr)等的金屬材料、或者以這些金屬材料為主要成分的合金材料、或以這些金屬材料作為成分的氮化物以單層或?qū)盈B的方式形成。通常，這些金屬材料具有遮光性，所以在圖1所示的結(jié)構(gòu)中，形成有電極136的部分呈現(xiàn)透光性，而形成有布線126的部分與形成有電極136的部分相比呈現(xiàn)遮光性。另外，優(yōu)選將導(dǎo)電層IlOa形成為厚于導(dǎo)電層108a、108b。當(dāng)將導(dǎo)電層IlOa形成得較厚時(shí)，可以降低布線電阻。另外，當(dāng)將導(dǎo)電層108a、108b形成得較薄時(shí)，可以提高透射率。但是，不局限于此。布線124優(yōu)選使用具有透光性的導(dǎo)電層102b形成。此外，還可以如圖1、圖2所示，在布線124與布線126互相重疊的區(qū)域(以及其附近的區(qū)域)中，可以使用導(dǎo)電層102b與電阻低于該導(dǎo)電層102b的導(dǎo)電層104b的層疊來形成布線124。通過如圖1、圖2所示地形成布線124，可以提高像素部150的開口率并降低布線124的布線電阻，從而實(shí)現(xiàn)低耗電量化。當(dāng)然，還可以僅使用具有透光性的導(dǎo)電層102b或僅使用導(dǎo)電層104b形成布線124。保持電容部154包括用作電介質(zhì)的絕緣層106以及用作電極的具有透光性的導(dǎo)電層102b及具有透光性的導(dǎo)電層108c。另外，導(dǎo)電層108c與導(dǎo)電層116電連接。導(dǎo)電層108c與導(dǎo)電層116的電連接可以通過形成在用作層間膜的絕緣層114中的接觸孔而進(jìn)行。另外，導(dǎo)電層116可以用作像素電極。另外，保持電容部154還可以包括用作電介質(zhì)的絕緣層106及絕緣層114、用作電極的導(dǎo)電層102b及導(dǎo)電層116(參照圖35A)。此外，在圖35A中，還可以采用如下結(jié)構(gòu)將由無機(jī)材料(氮化硅等)構(gòu)成的絕緣層114a與由有機(jī)材料構(gòu)成的絕緣層114b的層疊用作絕緣層114；在保持電容部154中去除由有機(jī)材料構(gòu)成的絕緣層114b；作為保持電容部154包括用作電介質(zhì)的絕緣層106及絕緣層114a、用作電極的導(dǎo)電層102b及導(dǎo)電層116(參照圖35B)。如圖1、圖2所示，通過使用具有透光性的材料形成保持電容部154，在形成有保持電容部154的區(qū)域中也可以透過光，所以可以提高像素部150的開口率。另外，通過使用具有透光性的導(dǎo)電層形成用于保持電容部154的電極，可以在不降低開口率的情況下將保持電容部形成得較大。當(dāng)保持電容部形成得較大時(shí)，即便在晶體管152變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)的情況下，導(dǎo)電層116的電位保持特性也能夠提高，從而可以提高顯示質(zhì)量。此外，可以降低饋通電位。通過降低饋通電位，可以施加正確的電壓，從而可以減少閃爍。另外，通過提高抗噪聲性可以減少串?dāng)_。導(dǎo)電層116與電極138及導(dǎo)電層108c電連接。如上所述，通過使用具有透光性的材料形成電極132、半導(dǎo)體層112a、電極136、電極138以及保持電容部154，可以使形成有晶體管152的區(qū)域以及形成有保持電容部154的區(qū)域能夠透過光，從而可以提高像素部150的開口率。另外，通過使用由電阻率低的金屬材料構(gòu)成的導(dǎo)電層形成布線122、布線126、布線124的一部分，可以降低布線電阻。其結(jié)果，可以使信號波形畸變減少。此外，可以降低耗電量。通常，柵極布線和柵電極、源極布線河源電極使用相同的島形成。所以，當(dāng)使用具有透光性的材料形成柵電極或源電極及漏電極時(shí)，柵極布線以及源極布線等的布線也由具有透光性的材料形成。但是，由于具有透光性的材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物等，與具有遮光性及反射性的材料，例如鋁、鉬、鈦、鎢、釹、銅、銀等的金屬材料相比其導(dǎo)電率低，所以很難充分地降低布線電阻。例如，當(dāng)制造大型的顯示裝置時(shí)，由于布線較長，布線電阻易變得非常高。在此，通過如之前所述那樣地使用具有透光性的材料形成電極132、半導(dǎo)體層112a、電極136、電極138以及保持電容部154，并使用由電阻率低的金屬材料構(gòu)成的導(dǎo)電層形成布線122、布線126以及布線124的一部分，可以解決該問題。另外，通過使用具有遮光性的金屬材料形成構(gòu)成柵極布線的導(dǎo)電層104a以及構(gòu)成源極布線的導(dǎo)電層110a，可以降低布線電阻并對彼此相鄰的像素部之間的區(qū)域進(jìn)行遮光。也就是說，利用配置在行方向上的柵極布線和配置在列方向上的源極布線，可以對像素之間的區(qū)域進(jìn)行遮光而無需使用黑矩陣。當(dāng)然，也可以另外設(shè)置黑矩陣以進(jìn)行更為有效的^^J{λο另外，在圖1、圖2所示的結(jié)構(gòu)中，也可以不設(shè)置保持電容部154。此時(shí)，不需要布線124。接著，參照圖3至圖5對上述圖1、圖2所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)例子進(jìn)行說明。首先，在基板100上形成導(dǎo)電膜102(參照圖3Α)。還可以在基板100與導(dǎo)電膜102之間形成基底絕緣膜。作為基板100，例如可以使用玻璃基板。此外，作為基板100還可以使用陶瓷基板、石英基板、藍(lán)寶石基板等由絕緣體構(gòu)成的絕緣基板；利用絕緣材料覆蓋由硅等半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體基板的表面而成的基板；利用絕緣材料覆蓋由金屬或不銹鋼等導(dǎo)電體構(gòu)成的導(dǎo)電基板的表面而成的基板。此外，只要能夠承受制造工序的熱處理，就也可以使用塑料基板。導(dǎo)電膜102可以使用具有透光性的材料形成。作為具有透光性的材料，例如可以使用銦錫氧化物(IndiumTinOxide:ΙΤ0)、含有氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)、有機(jī)銦、有機(jī)錫、氧化鋅(ZnO)等。此外，還可以使用含有氧化鋅的銦鋅氧化物(IndiumZincOxideΙΖ0)、摻雜有鎵(Ga)的氧化鋅、氧化錫(SnO2)、含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物、含有氧化鈦的銦錫氧化物等?？梢岳脼R射法使用這些材料以單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電膜102。但是，當(dāng)采用層疊結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選使層疊結(jié)構(gòu)具有充分的光透射率。接著，通過在導(dǎo)電膜102上形成抗蝕劑掩模161并使用該抗蝕劑掩模161對導(dǎo)電膜102進(jìn)行蝕刻，形成島狀的導(dǎo)電層102a及導(dǎo)電層102b(參照圖3B)。導(dǎo)電層102a用作布線122的一部分以及電極132。另外，導(dǎo)電層102b用作布線124的一部分。接著，在基板100、導(dǎo)電層102a以及導(dǎo)電層102b上形成導(dǎo)電膜104(參照圖3C)。導(dǎo)電膜104可以使用鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、猛(Mn)、錢(Nd)、鈮(Nb)、鋪(Ce)、鉻(Cr)等的金屬材料、或者以這些金屬材料為主要成分的合金材料、或以這些金屬材料作為成分的氮化物以單層或?qū)盈B的方式形成。尤其優(yōu)選使用鋁等的低電阻率的導(dǎo)電性材料來形成。當(dāng)在導(dǎo)電層102a、102b上形成導(dǎo)電膜104時(shí)，存在兩種膜之間發(fā)生反應(yīng)的情況。例如，當(dāng)使用ITO形成導(dǎo)電層102a、102b并使用鋁形成導(dǎo)電膜104時(shí)，存在發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的情況。因此，為了避免發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，優(yōu)選在導(dǎo)電層102a、102b與導(dǎo)電膜104之間使用高熔點(diǎn)材料。例如，作為高熔點(diǎn)材料的例子可以舉出鉬、鈦、鎢、鉭、鉻等。并且，優(yōu)選在使用高熔點(diǎn)材料的膜上使用導(dǎo)電率高的材料形成具有多層膜的導(dǎo)電膜104。作為導(dǎo)電率高的材料可以舉出鋁、銅、銀等。例如，當(dāng)以層疊結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電膜104時(shí)，可以采用第一層為鉬，第二層為鋁，第三層為鉬的層疊；或第一層為鉬，第二層為含有微量釹的鋁，第三層為鉬的層疊。通過采用上述結(jié)構(gòu)可以防止形成小丘。接著，通過在導(dǎo)電膜104上形成抗蝕劑掩模162并使用該抗蝕劑掩模162對導(dǎo)電膜104進(jìn)行蝕刻，形成島狀的導(dǎo)電層104a及導(dǎo)電層104b(參照圖3D)。此時(shí)，去除形成在用作電極132的導(dǎo)電層102a上的導(dǎo)電膜104、以及布線124中的設(shè)置在像素部中的區(qū)域中的導(dǎo)電膜104。導(dǎo)電層104a用作布線122的一部分。另外，導(dǎo)電層104b用作布線124的一部分。另外，在圖3D中，示出將導(dǎo)電層104a的寬度形成為小于導(dǎo)電層102a的寬度并將導(dǎo)電層104b的寬度形成為小于導(dǎo)電層102b的寬度的情況，但是不局限于此。還可以將導(dǎo)電層104a的寬度形成為大于導(dǎo)電層102a的寬度并以覆蓋導(dǎo)電層102a的方式形成導(dǎo)電層104a，或?qū)?dǎo)電層104b的寬度形成為大于導(dǎo)電層102b的寬度并以覆蓋導(dǎo)電層102b的方式形成導(dǎo)電層104b。接著，以覆蓋導(dǎo)電層102a、102b、導(dǎo)電層104a、104b的方式形成絕緣層106，然后，在絕緣層106上形成導(dǎo)電膜108(參照圖3E)。絕緣層106可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜、氧氮化鋁膜、氮氧化鋁膜或氧化鉭膜等的單層或?qū)盈B形成?？梢岳脼R射法等形成厚度為50nm以上250nm以下的絕緣層106。例如，可以利用濺射法或CVD法形成厚度為IOOnm的氧化硅膜作為絕緣層106。此外，還可以利用濺射法形成厚度為IOOnm的氧化鋁膜作為絕緣層106。導(dǎo)電膜108可以使用具有透光性的材料形成。作為具有透光性的材料，例如可以使用銦錫氧化物(IndiumTinOxide:ΙΤ0)、含有氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)、有機(jī)銦、有機(jī)錫、氧化鋅(ZnO)等。此外，還可以使用含有氧化鋅的銦鋅氧化物(IndiumZincOxideΙΖ0)、摻雜有鎵(Ga)的氧化鋅、氧化錫(SnO2)、含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物、含有氧化鈦的銦錫氧化物等。可以利用濺射法使用這些材料以單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電膜108。但是，當(dāng)采用層疊結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選使所有多個(gè)膜具有充分的光透射率。接著，通過在導(dǎo)電膜108上形成抗蝕劑掩模163并使用該抗蝕劑掩模163對導(dǎo)電膜108進(jìn)行蝕刻，形成島狀的導(dǎo)電層108a、108b及導(dǎo)電層108c(參照圖4A)。導(dǎo)電層108a用作布線126的一部分以及電極136。另外，導(dǎo)電層108b用作電極138的一部分。此外，導(dǎo)電層108c用作保持電容部154的一個(gè)電極。另外，優(yōu)選將導(dǎo)電層108c的端部形成為錐形。這是由于這樣可以防止之后形成在導(dǎo)電層108b上的半導(dǎo)體層斷開的緣故。接著，以覆蓋導(dǎo)電層108a至導(dǎo)電層108c的方式形成導(dǎo)電膜110(參照圖4B)。導(dǎo)電膜110可以使用鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)等的金屬材料、或者以這些金屬材料為主要成分的合金材料、或以這些金屬材料作為成分的氮化物以單層或?qū)盈B的方式形成。優(yōu)選使用鋁等的低電阻率的導(dǎo)電性材料來形成。當(dāng)在導(dǎo)電層108a至導(dǎo)電層108c上形成導(dǎo)電膜110時(shí)，存在兩種膜之間發(fā)生反應(yīng)的情況。例如，當(dāng)使用ITO形成導(dǎo)電層108a至導(dǎo)電層108c并使用鋁形成導(dǎo)電膜110時(shí)，存在發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的情況。因此，為了避免發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，優(yōu)選在導(dǎo)電層108a至導(dǎo)電層108c與導(dǎo)電膜110之間使用高熔點(diǎn)材料。例如，作為高熔點(diǎn)材料的例子可以舉出鉬、鈦、鎢、鉭、鉻等。并且，優(yōu)選在使用高熔點(diǎn)材料的膜上使用導(dǎo)電率高的材料形成具有多層膜的導(dǎo)電膜110。作為導(dǎo)電率高的材料可以舉出鋁、銅、銀等。例如，當(dāng)以層疊結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電膜110時(shí)，可以采用第一層為鉬，第二層為鋁，第三層為鉬的層疊；或第一層為鉬，第二層為含有微量釹的鋁，第三層為鉬的層疊。通過采用上述結(jié)構(gòu)可以防止形成小丘。接著，通過在導(dǎo)電膜110上形成抗蝕劑掩模164并使用該抗蝕劑掩模164對導(dǎo)電膜110進(jìn)行蝕刻，形成島狀的導(dǎo)電層1IOa(參照圖4C)。具體而言，以在導(dǎo)電層108a上殘留導(dǎo)電膜110的方式進(jìn)行蝕刻。此時(shí)，去除形成在用作電極136的導(dǎo)電層108a上的導(dǎo)電膜110。也就是說，導(dǎo)電層IlOa用作布線126的一部分。接著，以覆蓋導(dǎo)電層108a、108b以及絕緣層106的方式形成具有透光性的半導(dǎo)體膜112(參照圖4D)。作為半導(dǎo)體膜112，例如可以使用含有In、M、或Zn的氧化物半導(dǎo)體。這里，M表示選自Ga、Fe、Ni、Mn或Co等中的一種或多種金屬元素。此外，當(dāng)使用Ga作為M時(shí)，也將該薄膜稱為In-Ga-Zn-O類非單晶膜。另外，在上述氧化物半導(dǎo)體中，除了包含作為M的金屬元素之外，作為雜質(zhì)元素有時(shí)包含F(xiàn)e、Ni以及其他過渡金屬或該過渡金屬的氧化物。此外，半導(dǎo)體膜112還可以包含絕緣性的雜質(zhì)。作為該雜質(zhì)可以采用以氧化硅、氧化鍺、氧化鋁等為代表的絕緣性氧化物；以氮化硅、氮化鋁為代表的絕緣性氮化物；或者以氧氮化硅、氧氮化鋁為代表的絕緣性氧氮化物。將這些絕緣性氧化物或絕緣性氮化物以不影響氧化物半導(dǎo)體的導(dǎo)電性的濃度進(jìn)行添加。通過使氧化物半導(dǎo)體中含有絕緣性的雜質(zhì)，可以抑制該氧化物半導(dǎo)體的晶化。通過抑制氧化物半導(dǎo)體的晶化，可以使薄膜晶體管的特性穩(wěn)定化。通過使In-Ga-Zn-O類氧化物半導(dǎo)體含有氧化硅等的雜質(zhì)，即使在對其進(jìn)行300°C至600°C的熱處理的情況下，也可以防止該氧化物半導(dǎo)體晶化或形成微小晶粒。在將In-Ga-Zn-O類氧化物半導(dǎo)體層用作溝道形成區(qū)的薄膜晶體管的制造過程中，通過進(jìn)行熱處理可以提高S值(subthresholdswingvalue，亞閾值擺動值)或場效應(yīng)遷移率。即使在上述情況下，也可以防止薄膜晶體管變成常導(dǎo)通。此外，即使在對該薄膜晶體管施加熱應(yīng)力、偏置應(yīng)力的情況下也可以防止閾值電壓的變動。作為用作薄膜晶體管的溝道形成區(qū)的氧化物半導(dǎo)體除了上述氧化物半導(dǎo)體之外，還可以使用In-Sn-Zn-O類、In-Al-Zn-O類、Sn-Ga-Zn-O類、Al-Ga-Zn-O類、Sn-Al-Zn-O類、In-Zn-O類、Sn-Zn-O類、Al-Zn-O類、In-O類、Sn-O類、Zn-O類的氧化物半導(dǎo)體。也就是說，通過對這些氧化物半導(dǎo)體添加抑制晶化以保持非晶狀態(tài)的雜質(zhì)，可以使薄膜晶體管的特性穩(wěn)定化。該雜質(zhì)采用以氧化硅、氧化鍺、氧化鋁等為代表的絕緣性氧化物；以氮化硅、氮化鋁為代表的絕緣性氮化物；或者以氧氮化硅、氧氮化鋁為代表的絕緣性氧氮化物等。作為一個(gè)例子，可以利用使用含有In、Ga及Zn的氧化物半導(dǎo)體靶(In2O3Ga2O3ZnO=111)的濺射法形成半導(dǎo)體膜112。作為濺射的條件，例如可以設(shè)定為基板100和靶之間的距離為30mm至500mm;壓力為0.IPa至2.OPa;直流(DC)電源為0.25kff至5.OKw(當(dāng)使用直徑為8英寸的靶時(shí))；氣氛為氬氣氛、氧氣氛或者氬和氧的混合氣氛。將半導(dǎo)體膜112的厚度設(shè)定為5nm至200nm左右即可。作為上述濺射法，可以采用將高頻電源用于濺射用電源的RF濺射法、DC濺射法、以脈沖方式施加直流偏壓的脈沖DC濺射法等。RF濺射法主要用于形成絕緣膜，而DC濺射法主要用于形成金屬膜。此外，還可以使用能夠設(shè)置多個(gè)材料不同的靶的多元濺射裝置。多元濺射裝置既可以在同一反應(yīng)室中將不同的膜層疊形成，又可以在同一反應(yīng)室中同時(shí)濺射多種材料形成一個(gè)膜。再者，還可以采用使用在反應(yīng)室內(nèi)部備有磁場形成機(jī)構(gòu)的磁控管濺射裝置的方法(磁控管濺射法)或使用利用微波生成的等離子體的ECR濺射法等。此外，還可以使用如下方法在成膜時(shí)通過使靶物質(zhì)與濺射氣體成分產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)來形成它們的化合物的反應(yīng)濺射法；或在成膜時(shí)還對基板施加電壓的偏壓濺射法等。此外，可以用作晶體管152的溝道層的半導(dǎo)體材料不局限于氧化物半導(dǎo)體。例如，還可以將硅層(非晶硅層、微晶硅層、多晶硅層或單晶硅層)用作晶體管152的溝道層。此夕卜，還可以使用具有透光性的有機(jī)半導(dǎo)體材料、碳納米管、鎵砷或銦磷等化合物半導(dǎo)體作為晶體管152的溝道層。另外，半導(dǎo)體層具有透光性是指至少比構(gòu)成布線122的導(dǎo)電層104a以及構(gòu)成布線126的導(dǎo)電層IlOa更具有透光性即可。在本實(shí)施方式中，由于在形成導(dǎo)電層(導(dǎo)電層108a、導(dǎo)電層108b、導(dǎo)電層110a)之后設(shè)置半導(dǎo)體膜112，所以在之后對導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻時(shí)半導(dǎo)體膜112不會被蝕刻。所以，可以將半導(dǎo)體膜112形成得較薄。通過較薄地設(shè)置半導(dǎo)體膜112，可以提高透光性并易于形成耗盡層。其結(jié)果，可以將晶體管的S值減小以使晶體管的開關(guān)特性得到提高。此外，還可以降低截止電流。另外，優(yōu)選將半導(dǎo)體膜112的厚度形成為薄于導(dǎo)電層108a及導(dǎo)電層108b的厚度。但是不局限于此。接著，通過在半導(dǎo)體膜112上形成抗蝕劑掩模165并使用該抗蝕劑掩模165對半導(dǎo)體膜112進(jìn)行蝕刻，形成島狀的半導(dǎo)體層112a(參照圖5A)。另外，還可以在形成導(dǎo)電膜110之前(圖4A之后)形成半導(dǎo)體層112a。此時(shí)，通過在完成圖4A的工序之后形成半導(dǎo)體膜112并進(jìn)行蝕刻以形成島狀的半導(dǎo)體層112a，然后形成導(dǎo)電膜110即可。另外，在形成半導(dǎo)體層112a之后，優(yōu)選在氮?dú)夥障禄虼髿鈿夥障?，進(jìn)行100°C至600°C，典型的是200°C至400°C的熱處理。例如，可以在氮?dú)夥障乱?50°C進(jìn)行一個(gè)小時(shí)的熱處理。通過該熱處理進(jìn)行島狀的半導(dǎo)體層112a的原子級的重新排列。該熱處理(包括光退火等)十分重要，這是由于該熱處理可以釋放島狀半導(dǎo)體層112a中的阻礙載流子遷移的畸變。另外，至于進(jìn)行上述熱處理的時(shí)序，只要是在形成半導(dǎo)體膜112之后就沒有特別的限定。接著，以覆蓋半導(dǎo)體層112a、布線126、電極136、電極138以及導(dǎo)電層108c的方式形成絕緣層114(參照圖5B)。絕緣層114可以使用如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅或氮氧化硅等的包含氧或氮的絕緣膜、DLC(類金剛石碳)等包含碳的膜、環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯酸等的有機(jī)材料或者如硅氧烷樹脂等的由硅氧烷材料構(gòu)成的膜的單層或?qū)盈B結(jié)構(gòu)來形成。另外，絕緣層114還可以用作濾色片。通過在基板100—側(cè)設(shè)置濾色片，不再需要在對置基板一側(cè)設(shè)置濾色片以及用來調(diào)整兩個(gè)基板的位置的空余，所以可以更容易地制造面板。接著，在絕緣層114上形成導(dǎo)電層116(參照圖5C)。導(dǎo)電層116可以用作像素電極，并以與導(dǎo)電層108c電連接的方式形成。導(dǎo)電層116可以使用具有透光性的材料形成。作為具有透光性的材料，例如可以使用銦錫氧化物(IndiumTinOxide:ΙΤ0)、含有氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)、有機(jī)銦、有機(jī)錫、氧化鋅(ZnO)等。此外，還可以使用含有氧化鋅的銦鋅氧化物(IndiumZincOxideΙΖ0)、摻雜有鎵(Ga)的氧化鋅、氧化錫(SnO2)、含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物、含有氧化鈦的銦錫氧化物等?？梢岳脼R射法使用這些材料以單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電膜102。但是，當(dāng)采用層疊結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選使所有多個(gè)膜具有充分的光透射率。具體而言，優(yōu)選將像素部中的用來提高透光性的導(dǎo)電層116形成得比導(dǎo)電層102a、導(dǎo)電層108a薄。但是不局限于此。根據(jù)上述工序可以制造半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本實(shí)施方式所示的制造方法，可以形成具有透光性的晶體管152以及具有透光性的保持電容部154。由此，在像素內(nèi)，即使在配置晶體管或電容元件的情況下，也可以使形成有晶體管或電容元件的部分透過光，所以可以提高開口率。再者，由于可以使用電阻率低且導(dǎo)電率高的材料形成連接晶體管和元件(例如其他晶體管)的布線，所以可以減少信號波形畸變并可以減少由于布線電阻的電壓的下降。另外，在本實(shí)施方式中，示出采用在電極136及電極138上設(shè)置半導(dǎo)體層112a的結(jié)構(gòu)(底部接觸型)，但是不局限于此。例如，還可以采用在半導(dǎo)體層112a上設(shè)置電極136及電極138的結(jié)構(gòu)(溝道蝕刻型)(參照圖45)。另外，圖45A為俯視圖，圖45B是對應(yīng)于圖45A中的A-B間的截面?？梢酝ㄟ^下述方法得到圖45所示的結(jié)構(gòu)，即在前述圖3E中，在絕緣層106上形成半導(dǎo)體膜112并在進(jìn)行圖案形成之后形成導(dǎo)電膜108。另外，在圖45所示的結(jié)構(gòu)中，還可以采用在半導(dǎo)體層112a上設(shè)置用作溝道保護(hù)膜的絕緣層127的結(jié)構(gòu)(溝道保護(hù)型)(參照圖46A)。通過設(shè)置絕緣層127，可以在對導(dǎo)電膜108進(jìn)行圖案形成時(shí)對半導(dǎo)體層112a進(jìn)行保護(hù)。實(shí)施方式2在本實(shí)施方式中，參照附圖對與上述實(shí)施方式1不同的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。具體地，對使用多級灰度掩模制造半導(dǎo)體裝置的情況進(jìn)行說明。另外，本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的制造工序的大部分與實(shí)施方式1相同。所以，在以下說明中，省略對重復(fù)部分的說明而對不同的部分進(jìn)行詳細(xì)說明。首先，在基板100上形成導(dǎo)電膜102，接著在導(dǎo)電膜102上形成導(dǎo)電膜104(參照圖7A)。還可以在基板100與導(dǎo)電膜102之間設(shè)置基底絕緣膜。接著，在導(dǎo)電膜104上形成抗蝕劑掩模171a至171c(參照圖7B)。通過使用多級灰度掩模作為抗蝕劑掩模171a至171c，可以選擇性地形成厚度不同的抗蝕劑掩模。多級灰度掩模是指能以多個(gè)階段的光量進(jìn)行曝光的掩模，代表性的能以曝光區(qū)域、半曝光區(qū)域以及非曝光區(qū)域的三個(gè)階段的光量進(jìn)行曝光。通過使用多級灰度掩模，能以一次的曝光及顯影的工序形成具有多個(gè)(代表性的為兩種)厚度的抗蝕劑掩模。由此，通過使用多級灰度掩模，可以減少光掩模數(shù)量。下面，參照圖6對使用多級灰度掩模的情況下的光的透射率進(jìn)行說明。圖6示出代表性的多級灰度掩模的截面圖。圖6A-1示出使用灰度色調(diào)掩模403時(shí)的情況，圖6B-1示出使用半色調(diào)掩模414時(shí)的情況。圖6A-1所示的灰度色調(diào)掩模403由在具有透光性的基板400上使用遮光層形成的遮光部401、以及根據(jù)遮光層的圖案設(shè)置的衍射光柵402構(gòu)成。衍射光柵402通過具有以用于曝光的光的分辨極限以下的間隔設(shè)置的狹縫、點(diǎn)或網(wǎng)眼等，來控制光透射率。此外，設(shè)置在衍射光柵402的狹縫、點(diǎn)或網(wǎng)眼既可以為周期性的，又可以為非周期性的。作為具有透光性的基板400可以使用石英等形成。構(gòu)成遮光部401及衍射光柵402的遮光層使用金屬膜形成即可，優(yōu)選使用鉻或氧化鉻等設(shè)置。在對灰度色調(diào)掩模403照射用于曝光的光的情況下，如圖6A-2所示，重疊于遮光部401的區(qū)域的透光率為0%，不設(shè)置遮光部401或衍射光柵402的區(qū)域的透光率為100%。此外，根據(jù)衍射光柵的狹縫、點(diǎn)或網(wǎng)眼的間隔等衍射光柵402的透光率可以被調(diào)整為大約10%至70%的范圍內(nèi)。圖6B-1所示的半色調(diào)掩模414由在具有透光性的基板411上使用半透光層形成的半透光部412、以及使用遮光層形成的遮光部413構(gòu)成。半透光部412可以使用MoSiN、MoSi、MoSiO、MoSiON、CrSi等的層形成。遮光部413使用與灰度色調(diào)掩模的遮光層同樣的金屬膜形成即可，優(yōu)選使用鉻或氧化鉻等。在對半色調(diào)掩模414照射用于曝光的光的情況下，如圖6B-2所示，重疊于遮光部413的區(qū)域的透光率為0%，不設(shè)置遮光部413或半透光部412的區(qū)域的透光率為100%。此夕卜，根據(jù)形成的材料的種類或形成的膜厚等半透光部412的透光率可以被調(diào)整為大約10%至70%的范圍內(nèi)。如上所述，通過使用多級灰度掩模，可以形成三個(gè)曝光級別的掩模，該三個(gè)曝光級別為曝光部分、中間曝光部分、以及未曝光部分，并且通過進(jìn)行一次的曝光及顯影工序，可以形成具有多個(gè)(典型為兩種)厚度區(qū)域的抗蝕劑掩模。由此，通過使用多級灰度掩模，可以減少光掩模數(shù)量。在圖7B中，示出使用半色調(diào)掩模作為多級灰度掩模的情況，該半色調(diào)掩模由透光的基板180和設(shè)置在該基板180上的遮光層181a、181c及半透射層181b、181d構(gòu)成。因此，在導(dǎo)電膜104上形成有較厚的抗蝕劑掩模171a、較薄的抗蝕劑掩模171b以及具有較厚部分和較薄部分的抗蝕劑掩模171c。接著，使用抗蝕劑掩模171a至171c對導(dǎo)電膜102以及導(dǎo)電膜104的不需要的部分進(jìn)行蝕刻，來形成導(dǎo)電層102a、導(dǎo)電層102b、導(dǎo)電層104a'、導(dǎo)電層104b'(參照圖7C)。接著，對抗蝕劑掩模171a至171c進(jìn)行以氧等離子體的灰化。通過對抗蝕劑掩模171a至171c進(jìn)行以氧等離子體的灰化，抗蝕劑掩模171b被去除而使形成在導(dǎo)電層102a上的導(dǎo)電層104a'的一部分露出。另外，抗蝕劑掩模171a、171c縮小，其作為抗蝕劑掩模171a'、171c'殘留(參照圖8A)。如此，通過將多級灰度掩模用作抗蝕劑掩模，不需再增加抗蝕劑掩模，因此可以簡化工序。接著，通過使用抗蝕劑掩模171a'、171c'對露出的導(dǎo)電層104a'以及導(dǎo)電層104b‘進(jìn)行蝕刻，形成導(dǎo)電層104a以及導(dǎo)電層104b(參照圖8B)。此時(shí)，去除形成在用作電極132的導(dǎo)電層102a上的導(dǎo)電層104a'以及布線124的設(shè)置在像素部中的區(qū)域中的導(dǎo)電層104b‘。其結(jié)果，電極132由具有透光性的導(dǎo)電層102a形成，布線122由具有透光性的導(dǎo)電層102a以及比該導(dǎo)電層102a電阻低的導(dǎo)電層104a的層疊結(jié)構(gòu)形成。由此，通過使用具有透光性的材料形成用作電極132的導(dǎo)電層102a，可以提高像素部的開口率。另外，通過使用構(gòu)成電極132的導(dǎo)電層(這里為導(dǎo)電層102a)以及由比該導(dǎo)電層102a電阻率低的金屬材料形成的導(dǎo)電層104a形成用作布線122的導(dǎo)電層，可以降低布線電阻并減少波形畸變。其結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)低耗電量化。另外，通過使用具有遮光性的導(dǎo)電層(這里為導(dǎo)電層104a)用作布線122，可以對彼此相鄰的像素之間的區(qū)域進(jìn)行遮光。所以，可以省略黑矩陣。但是，并不局限于此。另外，通過使用多級灰度掩模，成為布線122的導(dǎo)電層102a與導(dǎo)電層104a的各層具有的表面積不同。也就是說，導(dǎo)電層102a具有的表面積大于導(dǎo)電層104a具有的表面積。同樣地，導(dǎo)電層102b具有的表面積大于導(dǎo)電層104b具有的表面積。接著，在以覆蓋導(dǎo)電層102a、導(dǎo)電層102b、導(dǎo)電層104a以及導(dǎo)電層104b的方式形成絕緣層106之后，在該絕緣層106上先后層疊形成導(dǎo)電膜108與導(dǎo)電膜110(參照圖8C)。接著，在導(dǎo)電膜110上形成抗蝕劑掩模172a至172d(參照圖9A)。通過使用多級灰度掩模形成抗蝕劑掩模172a至172d，可以形成厚度不同的抗蝕劑掩模。在圖9A中，示出使用半色調(diào)掩模作為多級灰度掩模的情況，該半色調(diào)掩模由透光基板182以及設(shè)置在該基板182上的半透射層183a、183d以及遮光層183b、183c、183e構(gòu)成。所以，在導(dǎo)電膜110上形成較厚的抗蝕劑掩模172c、較薄的抗蝕劑掩模172b、172d以及具有較厚部分和較薄部分的抗蝕劑掩模172a。接著，使用抗蝕劑掩模172a至172d對導(dǎo)電膜108以及導(dǎo)電膜110的不要的部分進(jìn)行蝕刻，以形成導(dǎo)電層108a至108c、導(dǎo)電層IlOa'至導(dǎo)電層IlOc'(參照圖9B)。接著，對抗蝕劑掩模172a至172d進(jìn)行利用氧等離子體的灰化。通過對抗蝕劑掩模172a至172d進(jìn)行利用氧等離子體的灰化，抗蝕劑掩模172b、172d被去除而露出導(dǎo)電層IlOb'UlOc'。另外，抗蝕劑掩模172a、172c縮小，并作為抗蝕劑掩模172a‘、172c'殘留(參照圖9C)。如此，通過使用多級灰度掩模用作抗蝕劑掩模，而無需使用追加的抗蝕劑掩模，從而可以簡化工序。接著，通過使用抗蝕劑掩模172a'、172c'對導(dǎo)電層IlOa'的一部分、導(dǎo)電層IlOb'以及導(dǎo)電層IlOc'進(jìn)行蝕刻，來形成導(dǎo)電層110a(參照圖10A)。此時(shí)，去除形成在導(dǎo)電層108a上的導(dǎo)電層IlOa'的一部分、形成在導(dǎo)電層108b上的導(dǎo)電層IlOb'以及形成在導(dǎo)電層108c上的導(dǎo)電層IlOc'。其結(jié)果，電極136由具有透光性的導(dǎo)電層108a形成，布線126由具有透光性的導(dǎo)電層108a以及比該導(dǎo)電層108a電阻低的導(dǎo)電層IlOa的層疊結(jié)構(gòu)形成。此外，電極138使用具有透光性的導(dǎo)電層108b形成。由此，通過使用具有透光性的材料形成用作電極136的導(dǎo)電層108a以及用作電極138的導(dǎo)電層108b，可以提高像素部的開口率。另外，通過使用構(gòu)成電極136的導(dǎo)電層(這里為導(dǎo)電層108a)以及由比該導(dǎo)電層108a電阻率低的金屬材料形成的導(dǎo)電層IlOa形成用作布線126的導(dǎo)電層，可以降低布線電阻并減少波形畸變。其結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)低耗電量化。另外，通過使用具有遮光性的導(dǎo)電層(這里為導(dǎo)電層110a)用作布線126，可以對彼此相鄰的像素之間的區(qū)域進(jìn)行遮光。接著，在以覆蓋導(dǎo)電層108a、108b、絕緣層106等的方式形成氧化物半導(dǎo)體膜之后，通過對該氧化物半導(dǎo)體膜進(jìn)行蝕刻形成島狀的半導(dǎo)體層112a(參照圖10B)。接著，在以覆蓋半導(dǎo)體層112a、布線126、電極136、電極138、導(dǎo)電層108c的方式形成絕緣層114之后，在該絕緣層114上形成導(dǎo)電層116(參照圖10C)。導(dǎo)電層116以與導(dǎo)電層108c電連接的方式形成。通過上述工序，可以制造半導(dǎo)體裝置。通過使用多級灰度掩模，能夠形成三個(gè)曝光級別的掩模，該三個(gè)曝光級別為曝光部分、中間曝光部分、以及未曝光部分，通過一次的曝光及顯影工序，可以形成具有多種(典型為兩種)厚度區(qū)域的抗蝕劑掩模。所以，通過使用多級灰度掩模可以減少掩模的數(shù)目。另外，在本實(shí)施方式中，對在形成柵極布線的工序以及形成源極布線的工序的兩個(gè)工序中使用多級灰度掩模的情況進(jìn)行了說明，但是也可以在形成柵極布線的工序或形成源極布線的工序中的一個(gè)工序中使用多級灰度掩模。實(shí)施方式3在本實(shí)施方式中，參照附圖對于上述實(shí)施方式1不同的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。另夕卜，以下所示的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的大部分與前述圖1、圖2相同。所以，在以下說明中，省略對重復(fù)的部分的說明，而對不同的點(diǎn)進(jìn)行說明。圖11、圖12示出上述實(shí)施方式1所示的半導(dǎo)體裝置的其他的結(jié)構(gòu)。在圖11、圖12A和12B中，圖11示出俯視圖，圖12A對應(yīng)于圖11中的A-B間的截面，圖12B對應(yīng)于圖11中的C-D間的截面。圖11、圖12所示的半導(dǎo)體裝置示出以下情況在圖1、圖2所示的半導(dǎo)體裝置中的柵極布線120通過在導(dǎo)電層104a上層疊具有透光性的導(dǎo)電層102a來設(shè)置，并且布線126通過在導(dǎo)電膜110上層疊具有透光性的導(dǎo)電層108a來設(shè)置。S卩，示出與在圖1、圖2所示的結(jié)構(gòu)中的柵極布線120與布線126中的導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)相反的結(jié)構(gòu)。在圖11、圖12所示的結(jié)構(gòu)中，使用具有透光性的導(dǎo)電層102a形成與柵極布線120電連接的電極132，并使用具有透光性的導(dǎo)電層108a形成與布線126電連接的電極136。另外，除了圖11、圖12所示的結(jié)構(gòu)之外，也可以在圖1、圖2所示的結(jié)構(gòu)中，將布線122與布線126中的任一方中的導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)設(shè)定為相反的結(jié)構(gòu)。另外，在圖11、圖12中示出在電極136以及電極138上設(shè)置半導(dǎo)體層112a的結(jié)構(gòu)(底部接觸型)，但是不局限于此。例如，也可以采用在半導(dǎo)體層112a上設(shè)置電極136以及電極138的結(jié)構(gòu)(溝道蝕刻型)(參照圖47)。另外，圖47A是俯視圖，圖47B對應(yīng)于圖47A中A-B間的截面。另外，在圖47所示的結(jié)構(gòu)中，還可以采用半導(dǎo)體層112a上設(shè)置用作溝道保護(hù)膜的絕緣層127的結(jié)構(gòu)(溝道保護(hù)型)(參照圖46B)。接著，使用圖13A和13B示出上述實(shí)施方式1所示的半導(dǎo)體裝置的其他的結(jié)構(gòu)例。在圖13A和13B中，圖13A示出俯視圖，圖13B對應(yīng)于在圖13A中A-B間的截面。圖13所示的半導(dǎo)體裝置具有以下結(jié)構(gòu)在圖1、圖2所示的半導(dǎo)體裝置中將半導(dǎo)體層112a設(shè)置在成為布線126的導(dǎo)電層108a與導(dǎo)電層IlOa之間的結(jié)構(gòu)。即，在形成導(dǎo)電層108a之后并在形成導(dǎo)電層IlOa之前形成半導(dǎo)體層112a。如圖13所示，通過在導(dǎo)電層108a與導(dǎo)電層IlOa之間設(shè)置半導(dǎo)體層112a，可以增加電極136以及布線126與半導(dǎo)體層112a的接觸面積，從而可以降低接觸電阻。接著，使用圖14示出上述實(shí)施方式1所示的半導(dǎo)體裝置的其他結(jié)構(gòu)例。在圖14中，圖14A示出俯視圖，圖14B對應(yīng)于圖14A中的C-D間的截面。圖14A和14B所示的半導(dǎo)體裝置具有如下結(jié)構(gòu)在布線124中，在位于當(dāng)連接用作保持電容部154的電極的導(dǎo)電層108c和導(dǎo)電層116時(shí)形成的接觸孔125的下方的區(qū)域中設(shè)置具有遮光性的導(dǎo)電層(這里，導(dǎo)電層104b)。S卩，圖14A和14B所示的結(jié)構(gòu)具有以下結(jié)構(gòu)在圖1、圖2所示的結(jié)構(gòu)中，在設(shè)置有像素部150的區(qū)域中，作為布線124使用具有透光性的導(dǎo)電層102b和比該導(dǎo)電層102b電阻低且具有遮光性的導(dǎo)電層104b的層疊結(jié)構(gòu)來設(shè)置。通常，當(dāng)通過接觸孔125將導(dǎo)電層108c和導(dǎo)電層116電連接時(shí)，由于接觸孔125導(dǎo)致導(dǎo)電層116的表面形成有凹部。其結(jié)果，設(shè)置在該導(dǎo)電層116的凹部上的液晶分子的取向混亂，有時(shí)導(dǎo)致漏光。為此，通過如圖14所示那樣地在接觸孔125的下方選擇性地形成具有遮光性的膜，可以減少由于導(dǎo)電層116表面的凹部引起的漏光。另外，通過使用比導(dǎo)電層102b電阻低的導(dǎo)電層104b作為具有遮光性的膜，可以降低布線124的電阻。再者，通過如圖14所示那樣地將接觸孔125集中形成于布線124的一個(gè)端部并將導(dǎo)電層104b也設(shè)置在布線124的一個(gè)端部的一側(cè)，可以提高像素部150的開口率。另外，至于導(dǎo)電層104b的形狀，只要是將其配置在接觸孔125的下方就不局限于圖14A所示的形狀。當(dāng)想在減少漏光的同時(shí)降低布線124的布線電阻的情況下，可以如圖14A和14B所示的那樣在與布線124平行的方向上將導(dǎo)電層104b延伸地設(shè)置。此時(shí)，通過如上所述那樣將接觸孔125僅形成在布線124的一個(gè)端部并將導(dǎo)電層104b也設(shè)置在布線124的一個(gè)端部的一側(cè)，可以提高像素部150的開口率。另外，當(dāng)想在減少漏光的同時(shí)進(jìn)一步提高像素部150的開口率時(shí)，可以在與接觸孔125重疊的區(qū)域上分別設(shè)置島狀的導(dǎo)電層104b(參照圖15A和15B)，而不是在與布線124平行的方向上與布線124電連接地設(shè)置導(dǎo)電層104b。另外，在圖15A和15B中，圖15A示出俯視圖，圖15B對應(yīng)于圖15A中的C-D間的截面。另外，如圖15所示，還可以在形成在布線124中的接觸孔125的下方設(shè)置遮光膜，并在形成在布線124以外的區(qū)域(導(dǎo)電層108b和導(dǎo)電層116連接的區(qū)域)中的接觸孔的下方設(shè)置遮光膜。接著，圖16示出上述實(shí)施方式1所示的半導(dǎo)體裝置的其他結(jié)構(gòu)例。在圖16中，圖16A示出俯視圖，圖16B對應(yīng)于圖16A中的A-B間的截面。圖16所示的半導(dǎo)體裝置示出如下結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體層112a的一部分中設(shè)置導(dǎo)電率高的區(qū)域(η+區(qū)域113a、113b)并以彼此互不重疊的方式設(shè)置電極136、電極138以及電極132。在半導(dǎo)體層112a中，可以將η+區(qū)域113a、113b設(shè)置在與電極136連接的區(qū)域以及與電極138連接的區(qū)域中。另外，既可以以與電極132重疊的方式設(shè)置η+區(qū)域113a、113b，又可以不與電極132重疊地設(shè)置η+區(qū)域113a、113b?？梢酝ㄟ^對半導(dǎo)體層112a選擇性地添加氫來形成η+區(qū)域113a、113b。將氫添加到半導(dǎo)體層112a中的想提高導(dǎo)電率的部分中即可。例如，在使用含有In、M或Zn的氧化物半導(dǎo)體等形成半導(dǎo)體層112a之后，在半導(dǎo)體層112a上的一部分上形成抗蝕劑掩模(參照圖36A)，通過添加氫離子，可以在半導(dǎo)體層112a上形成η+區(qū)域113a、113b(參照圖36B)。如此，通過以彼此互不重疊的方式設(shè)置電極136、電極138以及電極132，可以抑制電極136、電極138以及電極132之間產(chǎn)生寄生電容。另外，在上述結(jié)構(gòu)中，雖然示出晶體管152的形成在源極以及漏極之間的溝道形成區(qū)的上表面形狀為平行型的情況，但是不局限于此。此外，還可以如圖17所示那樣使用溝道形成區(qū)的俯視圖為C形(U形)的晶體管。此時(shí)，將用作電極136的導(dǎo)電層108a形成為C形或U形，并以圍繞用作電極138的導(dǎo)電層108b的方式配置導(dǎo)電層108a。通過使用這種結(jié)構(gòu)可以將晶體管152的溝道寬度形成得較大。另外，在上述結(jié)構(gòu)中，雖然示出在與布線122電連接的電極132上設(shè)置半導(dǎo)體層112a的情況，但是不局限于此。此外，還可以如圖21所示那樣，在布線122上設(shè)置半導(dǎo)體層112a。此時(shí)，布線122還用作柵電極。此外，還可以使用電阻低的導(dǎo)電層104a作為布線122。當(dāng)然，還可以使用具有透光性的導(dǎo)電層102a與導(dǎo)電層104a的層疊作為布線122。另夕卜，通過使用具有遮光性的導(dǎo)電層作為導(dǎo)電層104a，可以抑制光照射到成為溝道形成區(qū)的半導(dǎo)體層112a。該結(jié)構(gòu)在使用其特性受光的影響的材料作為形成溝道的半導(dǎo)體層時(shí)較為有效。另外，還可以如圖37所示那樣僅使用導(dǎo)電層104a形成布線122。此外，還可以僅使用導(dǎo)電層IlOa形成布線126。另外，還可以僅使用導(dǎo)電層104b形成布線124。另外，還可以如圖38所示那樣，在布線122中將導(dǎo)電層108a選擇性地設(shè)置在一部分中(用作晶體管152的電極132的部分)。另外，也可以同樣地在布線126中將導(dǎo)電層IlOa選擇性地設(shè)置在一部分中(用作晶體管152的電極136的部分)。另外，在圖38中，示出將導(dǎo)電層102a設(shè)置在導(dǎo)電層104a的下方的結(jié)構(gòu)，但還可以采用將導(dǎo)電層102a設(shè)置在導(dǎo)電層104a的上方的結(jié)構(gòu)(參照圖39)。此外，同樣地，還可以采用將導(dǎo)電層108a設(shè)置在導(dǎo)電層IlOa上的結(jié)構(gòu)(參照圖39)。另外，在上述結(jié)構(gòu)中示出使用布線124形成保持電容部154的結(jié)構(gòu)，但是不局限于此。還可以如圖40所示那樣地采用如下結(jié)構(gòu)將導(dǎo)電層108c以及構(gòu)成相鄰像素的布線122的導(dǎo)電層102a用作保持電容部154的電極，而不設(shè)置布線124。另外，雖然在上述圖13至圖17以及圖37至圖40中示出在電極136以及電極138上設(shè)置半導(dǎo)體層112a的結(jié)構(gòu)(底部接觸型)，但是不局限于此。既可以如上述圖45至圖47所示那樣地采用在半導(dǎo)體層112a上設(shè)置電極136以及電極138的結(jié)構(gòu)(溝道蝕刻型)，又可以采用在半導(dǎo)體層112a上設(shè)置用作溝道保護(hù)膜的絕緣層127的結(jié)構(gòu)(溝道保護(hù)型)。實(shí)施方式4在本實(shí)施方式中，參照附圖對與上述實(shí)施方式1、2不同的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。具體而言，對在一個(gè)像素部中設(shè)置多個(gè)晶體管的情況進(jìn)行說明。另外，以下所示的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的大部分與上述圖1、圖2相同。所以，在以下說明中，省略對重復(fù)的部分的說明而對不同的點(diǎn)進(jìn)行說明。圖18、圖19示出本實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例。在圖18、圖19中，圖18示出俯視圖，圖19A是對應(yīng)于圖18中的A-B間的截面，圖19B對應(yīng)于圖18中的C-D間的截面。圖18、圖19所示的半導(dǎo)體裝置包括設(shè)置有開關(guān)用晶體管152、驅(qū)動用晶體管156以及保持電容部158的像素部150；布線122；布線126；布線128。圖18、圖19所示的結(jié)構(gòu)例如可以用于EL顯示裝置的像素部。晶體管156包括設(shè)置在基板100上的電極232、設(shè)置在電極232上的絕緣層106、設(shè)置在絕緣層106上的電極236以及電極238、以與絕緣層106上的電極232重疊的方式設(shè)置且設(shè)置在電極236以及電極238上的半導(dǎo)體層112b。另外，電極232可以用作柵電極。電極236或電極238可以用作源電極或漏電極?？梢允褂醚趸锇雽?dǎo)體用作半導(dǎo)體層112b。布線128可以用作電源供給線。但是，不局限于此。電極232使用具有透光性的導(dǎo)電層102c形成并與晶體管152的電極138(導(dǎo)電層108b)電連接?？梢酝ㄟ^導(dǎo)電層117進(jìn)行導(dǎo)電層108b與導(dǎo)電層102c的電連接。另外，導(dǎo)電層117可以與導(dǎo)電層116使用同一工序來形成。即，在形成絕緣層114之后，并在形成到達(dá)導(dǎo)電層108b的接觸孔118a以及到達(dá)導(dǎo)電層102c的接觸孔118b之后，在絕緣層114上形成導(dǎo)電層116以及導(dǎo)電層117?？梢栽谕还ば?同一蝕刻工序)中形成接觸孔118a與接觸孔118b。導(dǎo)電層102c可以與導(dǎo)電層102a使用同一工序形成。半導(dǎo)體層112b可以與半導(dǎo)體層112a使用同一工序形成。電極236使用具有透光性的導(dǎo)電層108d形成并電連接到布線128。布線128使用導(dǎo)電層108d和導(dǎo)電層IlOb的層疊形成。另外，構(gòu)成電極236的導(dǎo)電層108d與構(gòu)成布線128的導(dǎo)電層108d使用相同的島形成。另外，雖然在圖18、圖19中示出在導(dǎo)電層108d上層疊導(dǎo)電層IlOb作為布線128的情況，也可以在導(dǎo)電層IlOb上層疊導(dǎo)電層108d。另外，電極238使用具有透光性的導(dǎo)電層108e形成并與導(dǎo)電層116電連接。導(dǎo)電層108d、導(dǎo)電層108e可以與導(dǎo)電層108a以及導(dǎo)電層108b使用同一工序形成。此外，導(dǎo)電層IlOb可以與導(dǎo)電層IlOa使用同一工序形成。保持電容部158將絕緣層106用作電介質(zhì)并將具有透光性的導(dǎo)電層102c和具有透光性的導(dǎo)電層108d用作電極。另外，導(dǎo)電層102c電連接到晶體管152的電極138。如上所述，通過使用具有透光性的材料形成晶體管152、晶體管156以及保持電容部158，可以使形成有晶體管152、156的區(qū)域以及形成有保持電容部158的區(qū)域透過光，所以可以提高像素部150的開口率。此外，通過使用由電阻率低的金屬材料構(gòu)成的導(dǎo)電層形成布線122、布線126以及布線128的一部分，可以降低布線電阻從而降低耗電量。另外，通過使用具有遮光性的金屬材料形成構(gòu)成柵極布線的導(dǎo)電層104a、構(gòu)成源極布線的導(dǎo)電層IlOa以及構(gòu)成布線128的導(dǎo)電層110b，可以降低布線電阻并且對相鄰的像素部之間的間隙進(jìn)行遮光。即，可以利用配置在行方向上的柵極布線以及配置在列方向上的源極布線以及布線128，對像素間的間隙進(jìn)行遮光而無須使用黑矩陣。另外，雖然在圖18、圖19中示出通過導(dǎo)電層117進(jìn)行導(dǎo)電層108b與導(dǎo)電層102c的電連接，但并不局限于此。例如，還可以如圖20所示那樣通過形成在絕緣層106中的接觸孔119使導(dǎo)電層102c與導(dǎo)電層108b電連接。此時(shí)，可以在絕緣層106中形成接觸孔119之后形成導(dǎo)電層108b。在圖20所示的結(jié)構(gòu)中，還可以在導(dǎo)電層108b與導(dǎo)電層102c的連接區(qū)域的上方配置導(dǎo)電層116。另外，雖然在本實(shí)施方式中示出在像素部150中設(shè)置兩個(gè)晶體管的情況，但并不局限于此。還可以以并聯(lián)或串聯(lián)的方式配置三個(gè)以上的晶體管。在本實(shí)施方式中，雖然示出底部接觸型的晶體管的結(jié)構(gòu)，但并不局限于此。還可以使用溝道蝕刻型的晶體管結(jié)構(gòu)或溝道保護(hù)型的晶體管結(jié)構(gòu)。實(shí)施方式5在本實(shí)施方式中，以下對在作為半導(dǎo)體裝置的一個(gè)方式的顯示裝置中，在同一基板上至少設(shè)置使用薄膜晶體管的驅(qū)動電路的一部分以及像素部時(shí)的例子進(jìn)行說明。圖22A示出顯示裝置的一例的有源矩陣型液晶顯示裝置的框圖的一例。圖22A所示的顯示裝置在基板5300上包括具有多個(gè)具備顯示元件的像素的像素部5301；選擇各像素的掃描線驅(qū)動電路5302；以及控制向被選擇的像素輸入視頻信號的信號線驅(qū)動電路5303。圖22B所示的發(fā)光顯示裝置在基板5400上包括具有多個(gè)具備顯示元件的像素的像素部5401；選擇各像素的第一掃描線驅(qū)動電路5402及第二掃描線驅(qū)動電路5404；以及控制向被選擇的像素輸入視頻信號的信號線驅(qū)動電路5403。在輸入到圖22B所示的發(fā)光顯示裝置的像素的視頻信號為數(shù)字方式的情況下，通過切換晶體管的導(dǎo)通和截止，像素處于發(fā)光或非發(fā)光狀態(tài)。因此，可以采用面積灰度法或時(shí)間灰度法進(jìn)行灰度顯示。面積灰度法是一種驅(qū)動法，其中通過將一個(gè)像素分割為多個(gè)子像素并根據(jù)視頻信號獨(dú)立驅(qū)動各子像素，來進(jìn)行灰度顯示。此外，時(shí)間灰度法是一種驅(qū)動法，其中通過控制像素發(fā)光的期間，來進(jìn)行灰度顯示。因?yàn)榘l(fā)光元件的響應(yīng)速度比液晶元件等高，所以與液晶元件相比適合于時(shí)間灰度法。在采用時(shí)間灰度法進(jìn)行顯示的情況下，將一個(gè)幀期間分割為多個(gè)子幀期間。然后，根據(jù)視頻信號，在各子幀期間中使像素的發(fā)光元件處于發(fā)光或非發(fā)光狀態(tài)。通過將一個(gè)幀期間分割為多個(gè)子幀期間，可以利用視頻信號控制在一個(gè)幀期間中像素發(fā)光的期間的總長度，并可以進(jìn)行灰度顯示。另外，在圖22B所示的發(fā)光顯示裝置中示出一種例子，其中當(dāng)在一個(gè)像素中配置兩個(gè)開關(guān)用TFT時(shí)，使用第一掃描線驅(qū)動電路5402生成輸入到一方的開關(guān)用TFT的柵極布線的第一掃描線的信號，而使用第二掃描線驅(qū)動電路5404生成輸入到另一方的開關(guān)TFT的柵極布線的第二掃描線的信號。但是，也可以使用一個(gè)掃描線驅(qū)動電路生成輸入到第一掃描線的信號和輸入到第二掃描線的信號。此外，例如根據(jù)一個(gè)像素所具有的開關(guān)用TFT的數(shù)量，可能會在各像素中設(shè)置多個(gè)用來控制開關(guān)元件的工作的掃描線。在此情況下，既可以使用一個(gè)掃描線驅(qū)動電路生成輸入到多個(gè)掃描線的所有信號，又可以使用多個(gè)掃描線驅(qū)動電路生成輸入到多個(gè)掃描線的所有信號?？梢愿鶕?jù)實(shí)施方式1至4形成配置在液晶顯示裝置的像素部的薄膜晶體管。此外，因?yàn)閷?shí)施方式1至4所示的薄膜晶體管是η溝道型TFT，所以在驅(qū)動電路中將可以由η溝道型TFT構(gòu)成的驅(qū)動電路的一部分形成在與像素部的薄膜晶體管同一基板上。此外，在發(fā)光顯示裝置中也可以將驅(qū)動電路中能夠由η溝道型TFT構(gòu)成的驅(qū)動電路的一部分形成在與像素部的薄膜晶體管同一基板上。另外，也可以僅使用與實(shí)施方式1至4所示的η溝道型TFT制造信號線驅(qū)動電路及掃描線驅(qū)動電路。另外，在保護(hù)電路、柵極驅(qū)動器及源極驅(qū)動器等外圍驅(qū)動電路部分中，不需要在晶體管中透光。因此，也可以在像素部分中，在晶體管和電容元件中透光，并且在外圍驅(qū)動電路部分中，不使在晶體管中透光。圖23Α示出當(dāng)不使用多級灰度掩模形成薄膜晶體管時(shí)的驅(qū)動部以及像素部的薄膜晶體管，圖23Β示出當(dāng)使用多級灰度掩模形成薄膜晶體管時(shí)的驅(qū)動部以及像素部的薄膜晶體管。當(dāng)不使用多級灰度掩模形成薄膜晶體管時(shí)，在驅(qū)動部的晶體管中，可以設(shè)置比導(dǎo)電層102a導(dǎo)電率高的導(dǎo)電層104a作為柵電極，并且設(shè)置比導(dǎo)電層108a導(dǎo)電率高的導(dǎo)電層IlOa作為源電極及漏電極。另外，在驅(qū)動部中，可以設(shè)置導(dǎo)電層104a作為柵極布線，并且設(shè)置導(dǎo)電層IlOa作為源極布線。當(dāng)使用多級灰度掩模形成薄膜晶體管時(shí)，在驅(qū)動部的晶體管中，可以設(shè)置導(dǎo)電層102a和導(dǎo)電層104a的層疊結(jié)構(gòu)作為柵電極，并且設(shè)置導(dǎo)電層108a和導(dǎo)電層1IOa的層疊結(jié)構(gòu)作為源電極，并且設(shè)置導(dǎo)電層108b和導(dǎo)電層IlOa的層疊結(jié)構(gòu)作為漏電極。另外，在圖23中，像素部的晶體管可以采用上述實(shí)施方式所示出的結(jié)構(gòu)。此外，上述驅(qū)動電路除了液晶顯示裝置及發(fā)光顯示裝置以外還可以用于利用與開關(guān)元件電連接的元件來驅(qū)動電子墨水的電子紙。電子紙也稱為電泳顯示裝置(電泳顯示器)，并具有如下優(yōu)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)與紙相同的易讀性、與其他的顯示裝置相比其耗電量小、可形成得薄且輕。本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式所記載的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施方式6在本實(shí)施方式中，對將薄膜晶體管用于像素部以及驅(qū)動電路來制造具有顯示功能的半導(dǎo)體裝置(也稱為顯示裝置)的情況進(jìn)行說明。此外，可以將使用薄膜晶體管的驅(qū)動電路的一部分或全部一體地形成在與像素部同一基板上，從而形成系統(tǒng)上面板(systemonpanel)0顯示裝置包括顯示元件。作為顯示元件，可以使用液晶元件(也稱為液晶顯示元件)、發(fā)光元件(也稱為發(fā)光顯示元件)。在發(fā)光元件的范疇內(nèi)包括利用電流或電壓控制亮度的元件，具體而言，包括無機(jī)EUElectroLuminescence；電致發(fā)光)元件、有機(jī)EL元件等。此外，也可以應(yīng)用電子墨水等對比度因電作用而變化的顯示媒體。此外，顯示裝置包括密封有顯示元件的面板和在該面板中安裝有包括控制器的IC等的模塊。再者，顯示裝置涉及一種元件基板，該元件基板相當(dāng)于制造該顯示裝置的過程中的顯示元件完成之前的一個(gè)方式，并且它在多個(gè)各像素中分別具備用于將電流供給到顯示元件的單元。具體而言，元件基板既可以是只形成有顯示元件的像素電極的狀態(tài)，又可以是形成成為像素電極的導(dǎo)電膜之后且通過蝕刻形成像素電極之前的狀態(tài)，而可以采用各種方式。另外，本說明書中的顯示裝置是指圖像顯示裝置、顯示裝置、或光源(包括照明裝置)。另外，顯示裝置還包括安裝有連接器，諸如FPC(FlexiblePrintedCircuit；柔性印刷電路)、TAB(TapeAutomatedBonding；載帶自動鍵合)帶或TCP(TapeCarrierPackage；載帶封裝)的模塊；將印刷線路板固定到TAB帶或TCP端部的模塊；通過C0G(ChipOnGlass；玻璃上芯片)方式將IC(集成電路)直接安裝到顯示元件上的模塊。在本實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體裝置示出液晶顯示裝置的例子。首先，參照圖24說明相當(dāng)于半導(dǎo)體裝置的一個(gè)方式的液晶顯示面板的外觀及截面。圖24是一種面板的俯視圖，其中利用密封材料4005將包括用作半導(dǎo)體層的形成在第一基板4001上的In-Ga-Zn-O類非單晶膜的可靠性高的薄膜晶體管4010、4011及液晶元件4013密封在第一基板4001和第二基板4006之間。圖24B相當(dāng)于沿著圖24A1、24A2的M-N的截面圖。以圍繞設(shè)置在第一基板4001上的像素部4002和掃描線驅(qū)動電路4004的方式設(shè)置有密封材料4005。此外，在像素部4002和掃描線驅(qū)動電路4004上設(shè)置有第二基板4006。因此，像素部4002和掃描線驅(qū)動電路4004與液晶層4008—起由第一基板4001、密封材料4005和第二基板4006密封。此外，在第一基板4001上的與由密封材料4005圍繞的區(qū)域不同的區(qū)域中安裝有信號線驅(qū)動電路4003，該信號線驅(qū)動電路4003使用單晶半導(dǎo)體膜或多晶半導(dǎo)體膜形成在另行準(zhǔn)備的基板上。另外，對于另行形成的驅(qū)動電路的連接方法沒有特別的限制，可以采用COG方法、引線鍵合方法或TAB方法等。圖24A1是通過COG方法安裝信號線驅(qū)動電路4003的例子，而圖24A2是通過TAB方法安裝信號線驅(qū)動電路4003的例子。此外，設(shè)置在第一基板4001上的像素部4002和掃描線驅(qū)動電路4004包括多個(gè)薄膜晶體管。在圖24B中例示像素部4002所包括的薄膜晶體管4010和掃描線驅(qū)動電路4004所包括的薄膜晶體管4011。在薄膜晶體管4010、4011上設(shè)置有絕緣層4020、4021。對薄膜晶體管4010、4011可以應(yīng)用包括用作半導(dǎo)體層的In-Ga-Zn-O類非單晶膜的可靠性高的薄膜晶體管。在本實(shí)施方式中，薄膜晶體管4010、4011是η溝道型薄膜晶體管。此外，液晶元件4013所具有的像素電極層4030與薄膜晶體管4010電連接。而且，液晶元件4013的對置電極層4031形成在第二基板4006上。像素電極層4030、對置電極層4031和液晶層4008重疊的部分相當(dāng)于液晶元件4013。另外，像素電極層4030、對置電極層4031分別設(shè)置有用作取向膜的絕緣層4032、4033，且隔著絕緣層4032、4033夾有液晶層4008。另外，作為第一基板4001、第二基板4006，可以使用玻璃、金屬(典型的是不銹鋼)、陶瓷、塑料。作為塑料,可以使用FRP(Fiberglass-ReinforcedPlastics；玻璃纖維增強(qiáng)塑料)板、PVF(聚氟乙烯)薄膜、聚酯薄膜或丙烯酸樹脂薄膜。此外，還可以使用具有將鋁箔夾在PVF膜之間或聚酯膜之間的結(jié)構(gòu)的薄片。此外，附圖標(biāo)記4035表示通過對絕緣膜選擇性地進(jìn)行蝕刻而得到的柱狀間隔件，并且它是為控制像素電極層4030和對置電極層4031之間的距離(單元間隙)而設(shè)置的。另外，還可以使用球狀間隔件。另外，對置電極層4031與設(shè)置在與薄膜晶體管4010同一基板上的共同電位線電連接。使用共同連接部，可以通過配置在一對基板之間的導(dǎo)電性粒子電連接對置電極層4031和共同電位線。此外，將導(dǎo)電性粒子包含在密封材料4005中。另外，還可以使用不使用取向膜的顯示藍(lán)相的液晶。藍(lán)相是液晶相的一種，是指當(dāng)使膽留相液晶的溫度上升時(shí)即將從膽留相轉(zhuǎn)變到均質(zhì)相之前出現(xiàn)的相。由于藍(lán)相只出現(xiàn)在較窄的溫度范圍內(nèi)，所以為了改善溫度范圍而將使用混合有5%重量以上的手性試劑的液晶組成物而使用于液晶層4008。包含顯示藍(lán)相的液晶和手性試劑的液晶組成物的響應(yīng)速度短，即為IOys至100μs，并且由于其具有光學(xué)各向同性而不需要取向處理從而視角依賴小。另外，雖然本實(shí)施方式中作為液晶顯示裝置示出透射型液晶顯示裝置的例子，但是液晶顯示裝置還可以應(yīng)用于反射型液晶顯示裝置或半透射型液晶顯示裝置。另外，雖然在本實(shí)施方式中所示的液晶顯示裝置中示出在基板的外側(cè)(可見的一側(cè))設(shè)置偏振片，并在內(nèi)側(cè)依次設(shè)置著色層、用于顯示元件的電極層的例子，但是也可以在基板的內(nèi)側(cè)設(shè)置偏振片。另外，偏振片和著色層的層疊結(jié)構(gòu)也不局限于本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，只要根據(jù)偏振片和著色層的材料或制造工序條件適當(dāng)?shù)卦O(shè)定即可。另外，還可以設(shè)置用作黑底的遮光膜。另外，在本實(shí)施方式中，使用用作保護(hù)膜或平坦化絕緣膜的絕緣層(絕緣層4020、絕緣層4021)覆蓋薄膜晶體管，以降低薄膜晶體管的表面凹凸并提高薄膜晶體管的可靠性。另外，因?yàn)楸Ｗo(hù)膜用來防止懸浮在大氣中的有機(jī)物、金屬物、水蒸氣等污染雜質(zhì)的進(jìn)入，所以優(yōu)選采用致密的膜。利用濺射法并利用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜、氧氮化鋁膜或氮氧化鋁膜的單層或?qū)盈B而形成保護(hù)膜即可。雖然在本實(shí)施方式中示出利用濺射法形成保護(hù)膜的例子，但是并不局限于此，使用各種方法形成保護(hù)膜即可。在此，作為保護(hù)膜形成層疊結(jié)構(gòu)的絕緣層4020。在此，作為絕緣層4020的第一層利用濺射法形成氧化硅膜。當(dāng)作為保護(hù)膜使用氧化硅膜時(shí)，對用作源電極層及漏電極層的鋁膜的小丘防止有效。另外，作為保護(hù)膜的第二層形成絕緣層。在此，利用濺射法形成氮化硅膜作為絕緣層4020的第二層。當(dāng)使用氮化硅膜作為保護(hù)膜時(shí)，可以抑制鈉等可動離子進(jìn)入到半導(dǎo)體區(qū)域中而使TFT的電特性變化。另外，也可以在形成保護(hù)膜之后進(jìn)行對半導(dǎo)體層的退火(300°C至400°C)。另外，形成絕緣層4021作為平坦化絕緣膜。作為絕緣層4021，可以使用具有耐熱性的有機(jī)材料如聚酰亞胺、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯、聚酰胺、環(huán)氧等。另外，除了上述有機(jī)材料之外，還可以使用低介電常數(shù)材料(low-k材料)、硅氧烷類樹脂、PSG(磷硅玻璃)、BPSG(硼磷硅玻璃)等。另外，也可以通過層疊多個(gè)由這些材料形成的絕緣膜，來形成絕緣層4021。另外，硅氧烷類樹脂相當(dāng)于以硅氧烷類材料為起始材料而形成的包含Si-O-Si鍵的樹脂。作為硅氧烷類樹脂的取代基可以使用有機(jī)基(例如烷基、芳基)、氟基。另外，有機(jī)基可以具有氟基。對絕緣層4021的形成方法沒有特別的限制，可以根據(jù)其材料利用濺射法、SOG法、旋涂、浸漬、噴涂、液滴噴射法(噴墨法、絲網(wǎng)印刷、膠版印刷等)、刮片、輥涂機(jī)、幕涂機(jī)、刮刀涂布機(jī)等。在使用材料液形成絕緣層4021的情況下，也可以在進(jìn)行焙燒的工序中同時(shí)進(jìn)行對半導(dǎo)體層的退火(300°C至400°C)。通過兼作絕緣層4021的焙燒工序和對半導(dǎo)體層的退火，可以高效地制造半導(dǎo)體裝置。作為像素電極層4030、對置電極層4031，可以使用具有透光性的導(dǎo)電材料諸如包含氧化鎢的氧化銦、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的氧化銦、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦錫氧化物(下面表示為ΙΤ0)、銦鋅氧化物、添加有氧化硅的銦錫氧化物等。此外，可以使用包含導(dǎo)電高分子(也稱為導(dǎo)電聚合物)的導(dǎo)電組成物形成像素電極層4030、對置電極層4031。使用導(dǎo)電組成物形成的像素電極優(yōu)選在波長為550nm時(shí)的透光率為70%以上。另外，導(dǎo)電組成物所包含的導(dǎo)電高分子的電阻率優(yōu)選為0.1Ω以下。作為導(dǎo)電高分子，可以使用所謂的π電子共軛類導(dǎo)電高分子。例如，可以舉出聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、或者上述材料中的兩種以上的共聚物等。另外，供給到另行形成的信號線驅(qū)動電路4003、掃描線驅(qū)動電路4004或像素部4002的各種信號及電位是從FPC4018供給的。在本實(shí)施方式中，連接端子電極4015由與液晶元件4013所具有的像素電極層4030相同的導(dǎo)電膜形成，并且端子電極4016由與薄膜晶體管4010、4011的源電極層及漏電極層相同的導(dǎo)電膜形成。連接端子電極4015通過各向異性導(dǎo)電膜4019電連接到FPC4018所具有的端子。此外，雖然在圖24中示出另行形成信號線驅(qū)動電路4003并將它安裝在第一基板4001上的例子，但是本實(shí)施方式不局限于該結(jié)構(gòu)。既可以另行形成掃描線驅(qū)動電路而安裝，又可以另行僅形成信號線驅(qū)動電路的一部分或掃描線驅(qū)動電路的一部分而安裝。圖25示出使用TFT基板2600來構(gòu)成相當(dāng)于半導(dǎo)體裝置的一個(gè)方式的液晶顯示模塊的一個(gè)例子。圖25是液晶顯示模塊的一例，利用密封材料2602固定TFT基板2600和對置基板2601，并在其間設(shè)置包括TFT等的元件層2603、包括液晶層的顯示元件2604、著色層2605來形成顯示區(qū)。在進(jìn)行彩色顯示時(shí)需要著色層2605，并且當(dāng)采用RGB方式時(shí)，對應(yīng)于各像素設(shè)置有分別對應(yīng)于紅色、綠色、藍(lán)色的著色層。在TFT基板2600和對置基板2601的外側(cè)配置有偏振片2606、偏振片2607、擴(kuò)散板2613。光源由冷陰極管2610和反射板2611構(gòu)成，電路基板2612利用柔性線路板2609與TFT基板2600的布線電路部2608連接，且其中組裝有控制電路及電源電路等的外部電路。此外，也可以以在偏振片和液晶層之間具有相位差板的狀態(tài)下層疊。作為液晶顯示模塊可以采用TN(扭曲向列；TwistedNematic)模式、IPS(平面內(nèi)轉(zhuǎn)換；In-Plane-Switching)模式、FFS(邊緣電場轉(zhuǎn)換；FringeFieldSwitching)模式、MVA(多疇垂直取向；Multi-domainVerticalAlignment)模式、PVA(垂直取向排列；PatternedVerticalAlignment)模式、ASM(軸對稱排列微胞；AxiallySymmetricalignedMicro-cell)模式、OCB(光學(xué)補(bǔ)償雙折射；OpticallyCompensatedBirefringence)模式、FLC(鐵電性液晶；FerroelectricLiquidCrystal)模式、AFLC(反鐵電性液晶；AntiFerroelectricLiquidCrystal)模式等。通過上述工序，可以制造作為半導(dǎo)體裝置可靠性高的液晶顯示裝置。本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式所記載的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施方式7在本實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子示出電子紙。在圖26中，作為半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子示出有源矩陣型電子紙。作為用于半導(dǎo)體裝置的薄膜晶體管581，可以與上述實(shí)施方式1至3所示的薄膜晶體管同樣地制造。圖26的電子紙是采用扭轉(zhuǎn)球顯示方式(twistballtype)的顯示裝置的例子。扭轉(zhuǎn)球顯示方式是指一種方法，其中將分別涂成白色和黑色的球形粒子配置在用于顯示元件的電極層的第一電極層及第二電極層之間，并在第一電極層及第二電極層之間產(chǎn)生電位差來控制球形粒子的方向，以進(jìn)行顯示。設(shè)置在基板580上的薄膜晶體管581是底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，并且源電極層或漏電極層通過形成在絕緣層583、584、585中的接觸孔電連接到第一電極層587。在第一電極層587和第二電極層588之間設(shè)置有球形粒子589，該球形粒子589具有黑色區(qū)590a、白色區(qū)590b，且其周圍包括充滿了液體的空洞594，并且球形粒子589的周圍設(shè)置有樹脂等的填料595(參照圖26)。在圖26中，第一電極層587相當(dāng)于像素電極，第二電極層588相當(dāng)于共同電極。第二電極層588與設(shè)置在與薄膜晶體管581同一基板上的共同電位線電連接。使用上述實(shí)施方式所示的共同連接部來可以通過配置在一對基板之間的導(dǎo)電性粒子將設(shè)置在基板596上的第二電極層588與共同電位線電連接。此外，還可以使用電泳元件代替扭轉(zhuǎn)球。此時(shí)，使用直徑為IOym至200μπι左右的微囊，該微囊中封入有透明液體、帶正電的白色微粒和帶負(fù)電的黑色微粒。在設(shè)置在第一電極層和第二電極層之間的微囊中，當(dāng)由第一電極層和第二電極層施加電場時(shí)，白色微粒和黑色微粒向相反方向移動，從而可以顯示白色或黑色。應(yīng)用這種原理的顯示元件就是電泳顯示元件，一般地稱為電子紙。電泳顯示元件具有比液晶顯示元件高的反射率，因而不需要輔助光源。此外，耗電量低，并且在昏暗的地方也能夠辨別顯示部。另外，即使不向顯示部供應(yīng)電源，也能夠保持顯示過一次的圖像。從而，即使使具有顯示功能的半導(dǎo)體裝置(簡單地稱為顯示裝置，或稱為具備顯示裝置的半導(dǎo)體裝置)遠(yuǎn)離電波發(fā)送源，也能夠儲存顯示過的圖像。如上所述，可以制造作為半導(dǎo)體裝置可靠性高的電子紙。本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式所記載的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施方式8在本實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體裝置示出發(fā)光顯示裝置的例子。在此，示出了將利用了電致發(fā)光的發(fā)光元件作為顯示裝置所具有的顯示元件。利用電致發(fā)光的發(fā)光元件根據(jù)其發(fā)光材料是有機(jī)化合物還是無機(jī)化合物來進(jìn)行區(qū)分，一般來說，前者稱為有機(jī)EL元件，而后者稱為無機(jī)EL元件。在有機(jī)EL元件中，通過對發(fā)光元件施加電壓，電子和空穴從一對電極分別注入到包含發(fā)光有機(jī)化合物的層，以產(chǎn)生電流。然后，由于這些載流子(電子和空穴)的復(fù)合，發(fā)光有機(jī)化合物形成激發(fā)態(tài)，并且當(dāng)該激發(fā)態(tài)恢復(fù)到基態(tài)時(shí)，得到發(fā)光。根據(jù)這種機(jī)制，該發(fā)光元件稱為電流激勵(lì)型發(fā)光元件。根據(jù)其元件的結(jié)構(gòu)，將無機(jī)EL元件分類為分散型無機(jī)EL元件和薄膜型無機(jī)EL元件。分散型無機(jī)EL元件包括在粘合劑中分散有發(fā)光材料的粒子的發(fā)光層，且其發(fā)光機(jī)制是利用施主能級和受主能級的施主_受主復(fù)合型發(fā)光。薄膜型無機(jī)EL元件具有利用電介質(zhì)層夾住發(fā)光層再被電極夾住的結(jié)構(gòu)，并且其發(fā)光機(jī)制是利用金屬離子的內(nèi)殼電子躍遷的局部型發(fā)光。另外，在此使用有機(jī)EL元件作為發(fā)光元件而進(jìn)行說明。圖27作為半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子示出能夠應(yīng)用數(shù)字時(shí)間灰度級驅(qū)動(digitaltimegrayscaledriving)的像素結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。以下對能夠應(yīng)用數(shù)字時(shí)間灰度級驅(qū)動的像素的結(jié)構(gòu)及像素的工作進(jìn)行說明。在此示出一個(gè)像素中使用兩個(gè)η溝道型晶體管的例子，該η溝道型晶體管將氧化物半導(dǎo)體層(In-Ga-Zn-Ο類非單晶膜)用作溝道形成區(qū)。圖27Α所示的像素6400包括開關(guān)用晶體管6401、驅(qū)動用晶體管6402、發(fā)光元件6404以及電容元件6403。在開關(guān)用晶體管6401中，柵極連接于掃描線6406，第一電極(源電極及漏電極中的一方)連接于信號線6405，第二電極(源電極及漏電極中的另一方)連接于驅(qū)動用晶體管6402的柵極。在驅(qū)動用晶體管6402中，柵極通過電容元件6403連接于電源線6407，第一電極連接于電源線6407，第二電極連接于發(fā)光元件6404的第一電極(像素電極)。發(fā)光元件6404的第二電極相當(dāng)于共同電極6408。此外，將發(fā)光元件6404的第二電極(共同電極6408)設(shè)置為低電源電位。另外，低電源電位是指，以電源線6407所設(shè)定的高電源電位為基準(zhǔn)滿足低電源電位<高電源電位的電位，作為低電源電位例如可以設(shè)定為GND、0V等。將該高電源電位與低電源電位的電位差施加到發(fā)光元件6404上，為了使發(fā)光元件6404產(chǎn)生電流以使發(fā)光元件6404發(fā)光，以高電源電位與低電源電位的電位差為發(fā)光元件6404的正向閾值電壓以上的方式分別設(shè)定其電位。但是，不局限于此，也可以將第二電極設(shè)定為高電源電位，并將電源線6407設(shè)定為低電源電位。另外，還可以使用驅(qū)動用晶體管6402的柵極電容代替電容元件6403而省略電容元件6403。至于驅(qū)動用晶體管6402的柵極電容，可以在溝道形成區(qū)與柵電極之間形成電容。這里，在采用電壓輸入電壓驅(qū)動方式的情況下，對驅(qū)動用晶體管6402的柵極輸入能夠使驅(qū)動用晶體管6402充分成為導(dǎo)通或截止的兩個(gè)狀態(tài)的視頻信號。即，驅(qū)動用晶體管6402在線性區(qū)域進(jìn)行工作。由于驅(qū)動用晶體管6402在線性區(qū)域進(jìn)行工作，將比電源線6407的電壓高的電壓施加到驅(qū)動用晶體管6402的柵極上。另外，對信號線6405施加(電源線電壓+驅(qū)動用晶體管6402的Vth)以上的電壓。另外，當(dāng)進(jìn)行模擬灰度級驅(qū)動而代替數(shù)字時(shí)間灰度級驅(qū)動時(shí)，通過使信號的輸入不同，可以使用與圖27相同的像素結(jié)構(gòu)。當(dāng)進(jìn)行模擬灰度級驅(qū)動時(shí)，對驅(qū)動用晶體管6402的柵極施加(發(fā)光元件6404的正向電壓+驅(qū)動用晶體管6402的Vth)以上的電壓。發(fā)光元件6404的正向電壓是指得到所希望的亮度時(shí)的電壓，至少包括正向閾值電壓。此外，通過輸入使驅(qū)動用晶體管6402在飽和區(qū)域工作的視頻信號時(shí)，可以將電流供給到發(fā)光元件6404。為了使驅(qū)動用晶體管6402在飽和區(qū)域工作，電源線6407的電位高于驅(qū)動用晶體管6402的柵極電位。當(dāng)視頻信號是模擬信號時(shí)，對應(yīng)于該視頻信號的電流可以供給到發(fā)光元件6404，可以進(jìn)行模擬灰度級驅(qū)動。此外，本實(shí)施方式所示的像素結(jié)構(gòu)不局限于此。也可以對圖27A所示的像素另外添加開關(guān)、電阻元件、電容元件、晶體管、或邏輯電路等。例如，還可以使用圖27B所示的結(jié)構(gòu)。圖27B所示的像素6420包括開關(guān)用晶體管6401、驅(qū)動用晶體管6402、發(fā)光元件6404以及電容元件6423。開關(guān)用晶體管6401的柵極與掃描線6406連接，第一電極(源電極或漏電極的一方)與信號線6405連接，第二電極(源電極或漏電極的另一方)與驅(qū)動用晶體管6402的柵極連接。驅(qū)動用晶體管6402的柵極通過電容元件6423與發(fā)光元件6404的第一電極(像素電極)連接，第一電極與施加有脈沖電壓的布線6426連接，第二電極與發(fā)光元件6404的第一電極連接。發(fā)光元件6404的第二電極相當(dāng)于共同電極6408。當(dāng)然，還可以對該結(jié)構(gòu)另外追加開關(guān)、電阻元件、電容元件、晶體管或邏輯電路等。接著，參照圖28說明發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。在此，以驅(qū)動TFT是η型的情況為例子來說明像素的截面結(jié)構(gòu)。作為用于圖28Α、28Β和28C的半導(dǎo)體裝置的驅(qū)動TFT7001、7011、7021可以與上述實(shí)施方式所示的薄膜晶體管同樣地制造，其是包括用作半導(dǎo)體層的In-Ga-Zn-O類非單晶膜的可靠性高的薄膜晶體管。發(fā)光元件的陽極及陰極中之至少一方是透明以發(fā)光即可。而且，有如下結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件，即在基板上形成薄膜晶體管及發(fā)光元件，并從與基板相反的面發(fā)光的頂部發(fā)射、從基板一側(cè)的面發(fā)光的底部發(fā)射、以及從基板一側(cè)及與基板相反的面發(fā)光的雙面發(fā)射。像素結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于任何發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。參照圖28A說明頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。在圖28A中示出當(dāng)驅(qū)動TFT7001是η型，并且從發(fā)光元件7002發(fā)射的光穿過陽極7005一側(cè)時(shí)的像素的截面圖。在圖28Α中，發(fā)光元件7002的陰極7003和驅(qū)動TFT7001電連接，在陰極7003上按順序?qū)盈B有發(fā)光層7004、陽極7005。作為陰極7003，只要是功函數(shù)小且反射光的導(dǎo)電膜，就可以使用各種材料。例如，優(yōu)選采用Ca、Al、MgAg、AlLi等。而且，發(fā)光層7004可以由單層或多個(gè)層的層疊構(gòu)成。在由多個(gè)層構(gòu)成時(shí)，在陰極7003上按順序?qū)盈B電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層。另外，不需要設(shè)置上述的所有層。使用透過光的具有透光性的導(dǎo)電材料形成陽極7005，也可以使用具有透光性的導(dǎo)電膜例如包含氧化鎢的氧化銦、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的氧化銦、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦錫氧化物(下面，表示為ΙΤ0)、銦鋅氧化物、添加有氧化硅的銦錫氧化物等。使用陰極7003及陽極7005夾住發(fā)光層7004的區(qū)域相當(dāng)于發(fā)光元件7002。在圖28A所示的像素中，從發(fā)光元件7002發(fā)射的光如箭頭所示那樣發(fā)射到陽極7005—側(cè)。另外，在上述結(jié)構(gòu)中，還可以采用通過調(diào)整發(fā)光層7004的厚度的微腔結(jié)構(gòu)。通過采用微腔結(jié)構(gòu)可以提高顏色純度。另外，當(dāng)多個(gè)發(fā)光層7004分別發(fā)出不同顏色(例如，RGB)的光時(shí)，優(yōu)選采用對每個(gè)顏色的發(fā)光層7004的厚度進(jìn)行調(diào)整的微腔結(jié)構(gòu)。另外，在上述結(jié)構(gòu)中，還可以在陽極7005上設(shè)置氧化硅、氮化硅等的絕緣膜。由此，可以抑制發(fā)光層的劣化。接著，參照圖28B說明底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。圖28B示出在驅(qū)動TFT7011是η型，并且從發(fā)光元件7012發(fā)射的光發(fā)射到陰極7013—側(cè)的情況下的像素的截面圖。在圖28Β中，在與驅(qū)動TFT7011電連接的具有透光性的導(dǎo)電膜7017上形成有發(fā)光元件7012的陰極7013，在陰極7013上按順序?qū)盈B有發(fā)光層7014、陽極7015。另外，在陽極7015具有透光性的情況下，也可以覆蓋陽極上地形成用于反射光或進(jìn)行遮光的屏蔽膜7016。與圖28Α的情況同樣地，陰極7013只要是功函數(shù)小的導(dǎo)電材料，就可以使用各種材料。但是，將其厚度設(shè)定為透過光的程度(優(yōu)選為5nm至30nm左右)。例如，也可以將膜厚度為20nm的鋁膜用作陰極7013。而且，與圖28A同樣地，發(fā)光層7014可以由單層或多個(gè)層的層疊構(gòu)成。陽極7015不需要透過光，但是可以與圖28A同樣地使用具有透光性的導(dǎo)電材料形成。并且，雖然屏蔽膜7016例如可以使用反射光的金屬等，但是不局限于金屬膜。例如，也可以使用添加有黑色的顏料的樹脂等。由陰極7013及陽極7015夾住發(fā)光層7014的區(qū)域相當(dāng)于發(fā)光元件7012。在圖28B所示的像素中，從發(fā)光元件7012發(fā)射的光如箭頭所示那樣發(fā)射到陰極7013—側(cè)。接著，參照圖28C說明雙面發(fā)射結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。在圖28C中，在與驅(qū)動TFT7021電連接的具有透光性的導(dǎo)電膜7027上形成有發(fā)光元件7022的陰極7023，而在陰極7023上按順序?qū)盈B有發(fā)光層7024、陽極7025。與圖28A的情況同樣地，作為陰極7023，只要是功函數(shù)小的導(dǎo)電材料，就可以使用各種材料。但是，將其厚度設(shè)定為透過光的程度。例如，可以將膜厚度為20nm的Al用作陰極7023。而且，與圖28A同樣地，發(fā)光層7024可以由單層或多個(gè)層的層疊構(gòu)成。陽極7025可以與圖28A同樣地使用具有透過光的透光性的導(dǎo)電材料形成。陰極7023、發(fā)光層7024和陽極7025重疊的部分相當(dāng)于發(fā)光元件7022。在圖28C所示的像素中，從發(fā)光元件7022發(fā)射的光如箭頭所示那樣發(fā)射到陽極7025—側(cè)和陰極7023一側(cè)雙方。另外，雖然在此說明了有機(jī)EL元件作為發(fā)光元件，但是也可以設(shè)置無機(jī)EL元件作為發(fā)光元件。另外，雖然在本實(shí)施方式中示出了控制發(fā)光元件的驅(qū)動的薄膜晶體管(驅(qū)動TFT)和發(fā)光元件電連接的例子，但是也可以采用在驅(qū)動TFT和發(fā)光元件之間連接有電流控制TFT的結(jié)構(gòu)。另外，本實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置不局限于圖28所示的結(jié)構(gòu)而可以進(jìn)行各種變形。接著，參照圖29說明相當(dāng)于半導(dǎo)體裝置的一個(gè)方式的發(fā)光顯示面板(也稱為發(fā)光面板)的外觀及截面。圖29A是一種面板的俯視圖，該面板利用密封材料將形成在第一基板4051上的In-Ga-Zn-O類非單晶膜作為半導(dǎo)體層而包含的薄膜晶體管4509、4510及發(fā)光元件4511密封在第一基板4051與第二基板4506之間。圖29B相當(dāng)于沿著圖29A的H-I的截面圖。以圍繞設(shè)置在第一基板4501上的像素部4502、信號線驅(qū)動電路4503a、4503b及掃描線驅(qū)動電路4504a、4504b的方式設(shè)置有密封材料4505。此外，在像素部4502、信號線驅(qū)動電路4503a、4503b及掃描線驅(qū)動電路4504a、4504b上設(shè)置有第二基板4506。因此，像素部4502、信號線驅(qū)動電路4503a、4503b、以及掃描線驅(qū)動電路4504a、4504b與填料4507—起由第一基板4501、密封材料4505和第二基板4506密封。像這樣，為了不暴露于空氣中，優(yōu)選使用氣密性高且漏氣少的保護(hù)薄膜(貼合薄膜、紫外線固化樹脂薄膜等)及覆蓋材料進(jìn)行封裝(密封)。此外，設(shè)置在第一基板4501上的像素部4502、信號線驅(qū)動電路4503a、4503b及掃描線驅(qū)動電路4504a、4504b包括多個(gè)薄膜晶體管。在圖29B中，例示包括在像素部4502中的薄膜晶體管4510和包括在信號線驅(qū)動電路4503a中的薄膜晶體管4509。薄膜晶體管4509、4510可以采用上述實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)。這里，薄膜晶體管4509、4510可以應(yīng)用包括用作半導(dǎo)體層的In-Ga-Zn-O類非單晶膜的可靠性高的薄膜晶體管。在本實(shí)施方式中，薄膜晶體管4509、4510是η溝道型薄膜晶體管。此外，附圖標(biāo)記4511相當(dāng)于發(fā)光元件，發(fā)光元件4511所具有的作為像素電極的第一電極層4517與薄膜晶體管4510的源電極層或漏電極層電連接。另外，雖然發(fā)光元件4511的結(jié)構(gòu)是第一電極層4517、電場發(fā)光層4512、第二電極層4513的層疊結(jié)構(gòu)，但是不局限于本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)。可以根據(jù)從發(fā)光元件4511發(fā)光的方向等適當(dāng)?shù)馗淖儼l(fā)光元件4511的結(jié)構(gòu)。使用有機(jī)樹脂膜、無機(jī)絕緣膜或有機(jī)聚硅氧烷形成分隔壁4520。特別優(yōu)選的是使用感光材料，在第一電極層4517上形成開口部，并將其開口部的側(cè)壁形成為具有連續(xù)的曲率而成的傾斜面。電場發(fā)光層4512既可以由單層構(gòu)成，又可以由多個(gè)層的層疊構(gòu)成。也可以在第二電極層4513及分隔壁4520上形成保護(hù)膜，以防止氧、氫、水分、二氧化碳等進(jìn)入到發(fā)光元件4511中。作為保護(hù)膜，可以形成氮化硅膜、氮氧化硅膜、DLC膜等。另外，供給到信號線驅(qū)動電路4503a、4503b、掃描線驅(qū)動電路4504a、4504b、或像素部4502的各種信號及電位是從FPC4518a、4518b供給的。在本實(shí)施方式中，連接端子電極4515由與發(fā)光元件4511所具有的第一電極層4517相同的導(dǎo)電膜形成，并且端子電極4516由與薄膜晶體管4509或4510所具有的源電極層及漏電極層相同的導(dǎo)電膜形成。連接端子電極4515通過各向異性導(dǎo)電膜4519與FPC4518a所具有的端子電連接。位于從發(fā)光元件4511發(fā)光的方向上的基板需要具有透光性。在此情況下，使用如玻璃板、塑料板、聚酯薄膜或丙烯酸薄膜等的具有透光性的材料。此外，作為填料4507，除了氮及氬等的惰性氣體之外，還可以使用紫外線固化樹脂或熱固化樹脂?？梢允褂肞VC(聚氯乙烯)、丙烯酸、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)、或EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)。在本實(shí)施方式中，作為填料使用氮。另外，若有需要，也可以在發(fā)光元件的射出面上適當(dāng)?shù)卦O(shè)置諸如偏振片、圓偏振片(包括橢圓偏振片)、相位差板(λ/4片、λ/2片)、濾色片等的光學(xué)薄膜。另外，也可以在偏振片或圓偏振片上設(shè)置抗反射膜。例如，可以進(jìn)行抗眩光處理，該處理是利用表面的凹凸來擴(kuò)散反射光并降低眩光的處理。信號線驅(qū)動電路4503a、4503b及掃描線驅(qū)動電路4504a、4504b也可以作為在另行準(zhǔn)備的基板上由單晶半導(dǎo)體膜或多晶半導(dǎo)體膜形成的驅(qū)動電路安裝。此外，也可以另行僅形成信號線驅(qū)動電路或其一部分、或者掃描線驅(qū)動電路或其一部分安裝。本實(shí)施方式不局限于圖29的結(jié)構(gòu)。通過上述工序，可以制造作為半導(dǎo)體裝置可靠性高的發(fā)光顯示裝置(顯示面板)。本實(shí)施方式可以與其他實(shí)施方式所記載的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施方式9半導(dǎo)體裝置可以用作電子紙。電子紙可以用于顯示信息的所有領(lǐng)域的電子設(shè)備。例如，可以將電子紙應(yīng)用于電子書籍(電子書)、海報(bào)、電車等的交通工具的車廂廣告、信用卡等的各種卡片中的顯示等。圖30以及圖31示出電子設(shè)備的一例。圖30A示出使用電子紙制造的海報(bào)2631。在廣告媒體是紙印刷物的情況下需要用手來更換廣告，但是如果使用電子紙，則可以在短時(shí)間內(nèi)能夠改變廣告的顯示內(nèi)容。此外，顯示不會打亂而可以獲得穩(wěn)定的圖像。另外，海報(bào)也可以采用以無線的方式收發(fā)信息的結(jié)構(gòu)。此外，圖30B示出電車等的交通工具的車廂廣告2632。在廣告媒體是紙印刷物的情況下需要用手來更換廣告，但是如果使用電子紙，則可以在短時(shí)間內(nèi)不需要許多人手地改變廣告的顯示內(nèi)容。此外，顯示不會打亂而可以得到穩(wěn)定的圖像。另外，車廂廣告也可以采用以無線的方式收發(fā)信息的結(jié)構(gòu)。另外，圖31示出電子書籍2700的一例。例如，電子書籍2700由兩個(gè)框體，即框體2701及框體2703構(gòu)成?？蝮w2701及框體2703由軸部2711形成為一體，且可以以該軸部2711為軸進(jìn)行開合工作。通過這種結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)行如紙的書籍那樣的工作。在框體2701組裝有顯示部2705，而在框體2703組裝有顯示部2707。顯示部2705及顯示部2707的結(jié)構(gòu)既可以是顯示連屏畫面的結(jié)構(gòu)，又可以是顯示不同的畫面的結(jié)構(gòu)。通過采用顯示不同的畫面的結(jié)構(gòu)，例如在右邊的顯示部(圖31中的顯示部2705)中可以顯示文章，而在左邊的顯示部(圖31中的顯示部2707)中可以顯示圖像。此外，在圖31中示出框體2701具備操作部等的例子。例如，在框體2701中，具備電源2721、操作鍵2723、揚(yáng)聲器2725等。利用操作鍵2723可以翻頁。另外，也可以采用在與框體的顯示部同一個(gè)面具備鍵盤及定位裝置等的結(jié)構(gòu)。另外，也可以采用在框體的背面或側(cè)面具備外部連接用端子(耳機(jī)端子、USB端子或可與AC適配器及USB電纜等的各種電纜連接的端子等)、記錄介質(zhì)插入部等的結(jié)構(gòu)。再者，電子書籍2700也可以具有電子詞典的功能。此外，電子書籍2700也可以采用以無線的方式收發(fā)信息的結(jié)構(gòu)。還可以采用以無線的方式從電子書籍服務(wù)器購買所希望的書籍?dāng)?shù)據(jù)等，然后下載的結(jié)構(gòu)。實(shí)施方式10在本實(shí)施方式中，說明可應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素的結(jié)構(gòu)及像素的工作。另外，本實(shí)施方式中的作為液晶元件的工作模式，可以采用TN(TwistedNematic；扭轉(zhuǎn)向列)模式、IPS(In-Plane-Switching；平面內(nèi)切換)模式、FFS(FringeFieldSwitching；邊緣場切換)模式、MVA(Multi-domainVerticalAlignment；多像限垂直取向)模式、PVA(PatternedVerticalAlignment；垂直取向構(gòu)型)模式、ASM(AxialIySymmetricalignedMicro-cell；軸線對稱排列微單元)模式、OCB(OpticallyCompensatedBirefringence；光學(xué)補(bǔ)償彎曲)模式、FLC(FerroelectricLiquidCrystal；鐵電性液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectricLiquidCrystal；反鐵電性液晶)模式等。圖41A是示出可以應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一例的圖。像素5080具有晶體管5081，液晶元件5082及電容元件5083。晶體管5081的柵極電連接到布線5085。晶體管5081的第一端子電連接到布線5084。晶體管5081的第二端子電連接到液晶元件5082的第一端子。液晶元件5082的第二端子電連接到布線5087。電容元件5083的第一端子電連接到液晶元件5082的第一端子。電容元件5083的第二端子電連接到布線5086。此外，晶體管的第一端子是源極或漏極的一方，晶體管的第二端子是源極或漏極的另一方。就是說，在晶體管的第一端子是源極的情況下，晶體管的第二端子成為漏極。與此相同，在晶體管的第一端子是漏極的情況下，晶體管的第二端子成為源極。布線5084可以用作信號線。信號線是用來將從像素的外部輸入的信號電壓傳送到像素5080的布線。布線5085可以用作掃描線。掃描線是用來控制晶體管5081的導(dǎo)通截止的布線。布線5086可以用作電容線。電容線是用來對電容元件5083的第二端子施加規(guī)定的電壓的布線。晶體管5081可以用作開關(guān)。電容元件5083可以用作保持電容。保持電容是用來在開關(guān)為截止的狀態(tài)下也使信號電壓繼續(xù)施加到液晶元件5082的電容元件。布線5087可以用作對置電極。對置電極是用來對液晶元件5082的第二端子施加規(guī)定的電壓的布線。此外，每個(gè)布線可以具有的功能不局限于此，可以具有各種功能。例如，通過使施加到電容線的電壓變化，可以調(diào)整施加到液晶元件的電壓。此外，晶體管5081只要用作開關(guān)即可，因此晶體管5081的極性既可以為P溝道型，也可以為N溝道型。圖41B是可以應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一例的圖。與圖41A所示的像素結(jié)構(gòu)例子相比，圖41B所示的像素結(jié)構(gòu)例子除了如下點(diǎn)之外具有與圖41A所示的像素結(jié)構(gòu)例子同樣的結(jié)構(gòu)省略布線5087，并且液晶元件5082的第二端子和電容元件5083的第二端子電連接。圖41B所示的像素結(jié)構(gòu)例可以尤其在液晶元件為橫向電場模式(包括IPS模式和FFS模式)的情況下應(yīng)用。這是因?yàn)椋谝壕г闄M向電場模式的情況下，可以在同一個(gè)基板上形成液晶元件5082的第二端子及電容元件5083的第二端子，因此容易電連接液晶元件5082的第二端子及電容元件5083的第二端子的緣故。通過采用圖41B所示的像素結(jié)構(gòu)，可以省略布線5087，因此可以使制造工序簡單，降低制造成本。圖41A或41B所示的多個(gè)像素結(jié)構(gòu)可以布置為矩陣狀。通過這樣，可以形成液晶顯示裝置的顯示部，并顯示各種圖像。圖41C是表示當(dāng)圖41A所示的多個(gè)像素結(jié)構(gòu)布置為矩陣狀時(shí)的電路結(jié)構(gòu)的圖。圖41C所示的電路結(jié)構(gòu)是顯示部所具有的多個(gè)像素中取出四個(gè)像素并示出的圖。再者，位于i列j行(i、j是自然數(shù))的像素表示為像素5080」，j，布線5084_i、布線5085_j、布線5086_j分別電連接到像素5080_i，j。與此同樣，像素5080_i+l，j電連接到布線5084_i+l、布線5085_j、布線5086_j。與此同樣，像素5080_i，j+1電連接到布線5084_i、布線5085_j+l、布線5086_j+l。與此同樣，像素5080_i+l，j+Ι電連接到布線5084_i+l、布線5085_j+l、布線5086_j+l。此外，每個(gè)布線可以由屬于同一個(gè)列或行的多個(gè)像素共同使用。此外，在圖41C所示的像素結(jié)構(gòu)中，布線5087是對置電極，對置電極是在所有的像素中共同使用的，因此對于布線5087，不使用自然數(shù)i或j的表記。此外，由于還可以使用圖41B所示的像素結(jié)構(gòu)，因此即使采用記載有布線5087的結(jié)構(gòu)，也并不一定需要布線5087，而通過與其它布線共同使用等可以省略。圖41C所示的像素結(jié)構(gòu)可以通過各種方法驅(qū)動。尤其是，通過稱為交流驅(qū)動的方法驅(qū)動，可以抑制液晶元件的劣化(殘影)。圖41D是表示在進(jìn)行交流驅(qū)動之一的點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動時(shí)的對圖41C所示的像素結(jié)構(gòu)中的每個(gè)布線施加的電壓的時(shí)序圖。通過進(jìn)行點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動，可以抑制當(dāng)進(jìn)行交流驅(qū)動時(shí)看到的閃爍(flicker)。在圖41C所示的像素結(jié)構(gòu)中，電連接到布線5085_j的像素中的開關(guān)在1幀期間中的第j柵極選擇期間處于選擇狀態(tài)(導(dǎo)通狀態(tài))，在除此之外的期間處于非選擇狀態(tài)(截止?fàn)顟B(tài))。并且，在第j柵極選擇期間之后設(shè)置第j+Ι柵極選擇期間。通過這樣依次進(jìn)行掃描，在1幀期間內(nèi)，所有的像素按順序成為選擇狀態(tài)。在圖41D所示的時(shí)序圖中，通過使電壓處于高的狀態(tài)(高電平)，從而使該像素中的開關(guān)處于選擇狀態(tài)，通過使電壓處于低的狀態(tài)(低電平)而處于非選擇狀態(tài)。此外，這是指每個(gè)像素中的晶體管為N溝道型的情況，而在使用P溝道型晶體管的情況下，電壓和選擇狀態(tài)的關(guān)系與采用N溝道型的情況相反。在圖41D所示的時(shí)序圖中，在第k幀(k是自然數(shù))中的第j柵極選擇期間，對用作信號線的布線5084_i施加正的信號電壓，對布線5084_i+l施加負(fù)的信號電壓。再者，在第k幀中的第j+Ι柵極選擇期間，對布線5084_i施加負(fù)的信號電壓，并且對布線5084_i+l施加正的信號電壓。然后，對每個(gè)信號線交替施加在每個(gè)柵極選擇期間極性反轉(zhuǎn)了的信號。其結(jié)果，在第k幀中對像素5080」，j施加正的信號電壓、對像素5080」+1，j施加負(fù)的信號電壓、對像素5080_i，j+1施加負(fù)的信號電壓、對像素5080_i+l，j+1施加正的信號電壓。并且，在第k+Ι幀中，在每個(gè)像素中被寫入與在第k幀中寫入的信號電壓相反的極性的信號電壓。其結(jié)果，在第k+Ι幀中，對像素5080_i，j施加負(fù)的信號電壓、對像素5080_i+l，j施加正的信號電壓、對像素5080」，j+Ι施加正的信號電壓、對像素5080」+1，j+Ι施加負(fù)的信號電壓。如此，在同一個(gè)幀中對相鄰的像素施加不同極性的信號電壓，并且在每個(gè)像素中針對每1幀反轉(zhuǎn)信號電壓的極性的驅(qū)動方法是點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動。通過點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動，可以抑制液晶元件的劣化并減少在所顯示的圖像整體或一部分均勻的情況下看到的閃爍。此外，可以將施加到包括布線5086_j、5086_j+l的所有的布線5086的電壓設(shè)為恒定的電壓。此外，布線5084的時(shí)序圖中的信號電壓僅標(biāo)記極性，但是實(shí)際上在所顯示的極性中可以取各種信號電壓的值。此外，雖然在此說明針對每1點(diǎn)(一個(gè)像素)反轉(zhuǎn)極性的情況，但是不局限于此，可以針對每多個(gè)像素反轉(zhuǎn)極性。例如，通過在每2個(gè)柵極選擇期間使寫入的信號電壓的極性反轉(zhuǎn)，可以減少信號電壓的寫入所需要的功耗。除此之外，可以針對每1列使極性反轉(zhuǎn)(源極線反轉(zhuǎn))，也可以針對每1行使極性反轉(zhuǎn)(柵極線反轉(zhuǎn))。此外，對像素5080中的電容元件5083的第二端子，在1幀期間施加恒定的電壓即可。在此，在1幀期間的大部分中，施加到用作掃描線的布線5085的電壓為低電平，由于施加有大致恒定的電壓，因此像素5080中的電容元件5083的第二端子的連接目的地也可以是布線5085。圖41E是可以應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一例的圖。與圖41C所示的像素結(jié)構(gòu)相比，圖41E所示的像素結(jié)構(gòu)的特征在于省略布線5086，并且像素5080內(nèi)的電容元件5083的第二端子和前1行中的布線5085電連接。具體而言，在圖41E中示出的范圍內(nèi)，像素5080」，j+Ι及像素5080」+1，j+Ι中的電容元件5083的第二端子電連接到布線5085_j。如此，通過將像素5080內(nèi)的電容元件5083的第二端子和前1行中的布線5085電連接，可以省略布線5086，因此可以提高像素的開口率。此外，電容元件5083的第二端子的連接目的地也可以不是前1行中的布線5085，而是其它行中的布線5085。此外，圖41E所示的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動方法可以使用與圖41C所示的像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動方法同樣的方法。此外，使用電容元件5083及電連接到電容元件5083的第二端子的布線，可以減少施加到用作信號線的布線5084的電壓。參照圖41F及41G說明此時(shí)的像素結(jié)構(gòu)及驅(qū)動方法。與圖41A所示的像素結(jié)構(gòu)相比，圖41F所示的像素結(jié)構(gòu)的特征在于，每1個(gè)像素列具有兩條布線5086，并且在相鄰的像素中交替進(jìn)行與像素5080中的電容元件5083的第二端子的電連接。此外，作為兩條的布線5086分別稱為布線5086-1及布線5086-2。具體而言，在圖41F中示出的范圍內(nèi)，像素5080」，j中的電容元件5083的第二端子電連接到布線5086-1J，像素5080」+1，j中的電容元件5083的第二端子電連接到布線5086_2_j，像素5080」，j+Ι中的電容元件5083的第二端子電連接到布線5086_2_j+l，像素5080」+1，j+1中的電容元件5083的第二端子電連接到布線5086-l_j+l。并且，例如，如圖41G所示那樣，在第k幀中對像素5080」，j寫入正的極性的信號電壓的情況下，在第j柵極選擇期間，布線5086-l_j為低電平，在第j柵極選擇期間結(jié)束之后，轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖?。然后，?幀期間中一直維持高電平，并且在第k+Ι幀中的第j柵極選擇期間被寫入負(fù)的極性的信號電壓之后，轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娖健Ｈ绱?，在正的極性的信號電壓寫入到像素之后，將電連接到電容元件5083的第二端子上的布線的電壓轉(zhuǎn)變?yōu)檎较颍瑥亩梢允故┘拥揭壕г系碾妷合蛘较蜃兓?guī)定量。就是說，可以減少寫入到其像素的信號電壓，因此可以減少信號寫入所需要的功耗。此外，在第j柵極選擇期間被寫入負(fù)的極性的信號電壓的情況下，在負(fù)的極性的信號電壓寫入到像素之后，將電連接到電容元件5083的第二端子上的布線的電壓轉(zhuǎn)變?yōu)樨?fù)方向，從而可以使施加到液晶元件的電壓向負(fù)方向變化規(guī)定量，因此與正的極性的情況同樣地可以減少寫入到像素的信號電壓。就是說，關(guān)于電連接到電容元件5083的第二端子上的布線，在同一幀的同一行中被施加正的極性的信號電壓的像素和被施加負(fù)的極性的信號電壓的像素之間優(yōu)選分別為不同的布線。圖41F是對在第k幀中被寫入正的極性的信號電壓的像素電連接布線5086-1，對在第k幀中被寫入負(fù)的極性的信號電壓的像素電連接布線5086-2的例子。但是，這是一個(gè)例子，在每兩個(gè)像素中呈現(xiàn)被寫入正的極性的信號電壓的像素和被寫入負(fù)的極性的信號電壓的像素這樣的驅(qū)動方法的情況下，優(yōu)選布線5086-1及布線5086-2的電連接也與其相應(yīng)地在每兩個(gè)像素中交替進(jìn)行。再說，雖然可以考慮在1行的所有的像素中被寫入相同極性的信號電壓的情況(柵極線反轉(zhuǎn))，但是在此情況下在每1行中有一條布線5086即可。就是說，在圖41C所示的像素結(jié)構(gòu)中也可以采用如參照圖41F及41G說明那樣的減少寫入到像素的信號電壓的驅(qū)動方法。接下來，說明在液晶元件是以MVA模式或PVA模式等為代表的垂直取向(VA)模式的情況下特別優(yōu)選的像素結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法。VA模式具有如下優(yōu)良特征制造時(shí)不需要研磨工序；黑色顯示時(shí)的漏光少；驅(qū)動電壓低，等等，但是也具有在從斜方向看到畫面時(shí)圖像質(zhì)量劣化(視角狹窄)的問題。為了擴(kuò)大VA模式的視角，如圖42A及42B所示，采用一個(gè)像素中具有多個(gè)子像素(subpixel)的像素結(jié)構(gòu)是有效的。圖42A及42B所示的像素結(jié)構(gòu)是表示像素5080包括兩個(gè)子像素(子像素5080-1、子像素5080-2)的情況的一例。此外，一個(gè)像素中的子像素的數(shù)量不局限于兩個(gè)，也可以使用各種個(gè)數(shù)的子像素。子像素的個(gè)數(shù)越多，可以使視角越大。多個(gè)子像素可以設(shè)為彼此相同的電路結(jié)構(gòu)，在此設(shè)定為所有的子像素與圖41A所示的電路結(jié)構(gòu)同樣并進(jìn)行說明。此外，第一子像素5080-1具有晶體管5080-1、液晶元件5082-1、電容元件5083-1，每個(gè)連接關(guān)系依照圖41A所示的電路結(jié)構(gòu)。與此相同，第二子像素5080-2具有晶體管5081-2、液晶元件5082-2、電容元件5083-2，每個(gè)連接關(guān)系依照圖41A所示的電路結(jié)構(gòu)。圖42A所示的像素結(jié)構(gòu)表示如下結(jié)構(gòu)相對于構(gòu)成一個(gè)像素的兩個(gè)子像素，具有兩條用作掃描線的布線5085(布線5085-1、5085-2)，具有用作信號線的一條布線5084，具有用作電容線的一條布線5086。如此，在兩個(gè)子像素中共同使用信號線及電容線，可以提高開口率。而且，可以將信號線驅(qū)動電路設(shè)得簡單，因此可以降低制造成本且能夠減少液晶面板和驅(qū)動電路IC的連接點(diǎn)的個(gè)數(shù)，因此可以提高成品率。圖42B所示的像素結(jié)構(gòu)表示如下結(jié)構(gòu)相對于構(gòu)成一個(gè)像素的兩個(gè)子像素，具有一條用作掃描線的布線5085，具有用作信號線的兩條布線5084(布線5084-1、5084-2)，具有用作電容線的一條布線5086。如此，在兩個(gè)子像素中共同使用掃描線及電容線，可以提高開口率。而且，可以減少整體的掃描線的個(gè)數(shù)，因此即使在高精細(xì)的液晶面板中也可以充分地延長每一個(gè)的柵極線選擇期間，并且可以對每個(gè)像素寫入合適的信號電壓。圖42C及42D是在圖42B所示的像素結(jié)構(gòu)中，將液晶元件置換為像素電極的形狀后示意地表示每個(gè)元件的電連接狀態(tài)的例子。圖42C及42D中，電極5088-1表示第一像素電極，電極5088-2表示第二像素電極。在圖42C中，第一像素電極5088-1相當(dāng)于圖42B中的液晶元件5082-1的第一端子，第二像素電極5088-2相當(dāng)于圖42B中的液晶元件5082-2的第一端子。就是說，第一像素電極5088-1電連接到晶體管5081-1的源極或漏極，第二像素電極5088-2電連接到晶體管5081-2的源極或漏極。另一方面，在圖42D中，將像素電極和晶體管的連接關(guān)系顛倒。就是說，第一像素電極5088-1電連接到晶體管5081-2的源極或漏極，第二像素電極5088-2電連接到晶體管5081-1的源極或漏極。通過以矩陣狀交替地布置如圖42C及42D所示的像素結(jié)構(gòu)，可以獲得特別的效果。圖48A及48B示出這種像素結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法的一例。圖48A所示的像素結(jié)構(gòu)采用如下結(jié)構(gòu)將與像素5080」，j及像素5080」+1，j+Ι相當(dāng)?shù)牟糠衷O(shè)為圖42C中所示的結(jié)構(gòu)，將與像素5080_i+l，j及像素5080_i，j+1相當(dāng)?shù)牟糠衷O(shè)為圖42D中所示的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，當(dāng)如圖48B所示的時(shí)序圖那樣進(jìn)行驅(qū)動時(shí)，在第k幀的第j柵極選擇期間，對像素5080」，j的第一像素電極及像素5080」+1，j的第二像素電極寫入正的極性的信號電壓，對像素5080_i,j的第二像素電極及像素5080_i+l，j的第一像素電極寫入負(fù)的極性的信號電壓。再者，在第k幀的第j+Ι柵極選擇期間，對像素5080」，j+Ι的第二像素電極及像素5080_i+l，j+l的第一像素電極寫入正的極性的信號電壓，對像素5080」，j+Ι的第一像素電極及像素5080_i+l，j+l的第二像素電極寫入負(fù)的極性的信號電壓。在第k+Ι幀中，在每個(gè)像素中反轉(zhuǎn)信號電壓的極性。通過這樣，在包括子像素的像素結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動的驅(qū)動，并且可以在1幀期間內(nèi)使施加到信號線的電壓的極性相同。因此，可以大幅度地減少像素的信號電壓寫入所需要的功耗。此外，可以將施加到包括布線5086_j、布線5086_j+l的所有的布線5086上的電壓設(shè)為恒定的電壓。而且，通過圖48C及48D所示的像素結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法，可以減少寫入到像素的信號電壓的大小。這是使電連接到每個(gè)像素具有的多個(gè)子像素上的電容線針對每個(gè)子像素不同。就是說，通過圖48A及48B所示的像素結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法，關(guān)于在同一幀內(nèi)被寫入同一極性的子像素，在同一行內(nèi)共同使用電容線，關(guān)于在同一幀內(nèi)被寫入不同極性的子像素，在同一行內(nèi)使電容線不同。然后，在每行的寫入結(jié)束的時(shí)刻，在寫入有正的極性的信號電壓的子像素中使每個(gè)電容線的電壓轉(zhuǎn)變?yōu)檎较颍趯懭胗胸?fù)的極性的信號電壓的子像素中使每個(gè)電容線的電壓轉(zhuǎn)變?yōu)樨?fù)方向，從而可以減少寫入到像素的信號電壓的大小。具體而言，在每行中使用兩條用作電容線的布線5086(布線5086-1、布線5086-2)，像素5080」，j的第一像素電極和布線5086-l_j通過電容元件電連接，像素5080」，j的第二像素電極和布線5086-2_j通過電容元件電連接，像素5080」+1，j的第一像素電極和布線5086_2_j通過電容元件電連接，像素5080」+1，j的第二像素電極和布線5086-l_j通過電容元件電連接，像素5080」，j+Ι的第一像素電極和布線5086-2_j+l通過電容元件電連接，像素5080_i，j+1的第二像素電極和布線5086-l_j+l通過電容元件電連接，像素5080」+1，j+Ι的第一像素電極和布線5086-l_j+l通過電容元件電連接，像素5080」+1，j+Ι的第二像素電極和布線5086-2_j+l通過電容元件電連接。但是，這是一個(gè)例子，例如在采用每兩個(gè)像素中呈現(xiàn)被寫入正的極性的信號電壓的像素和被寫入負(fù)的極性的信號電壓的像素這樣的驅(qū)動方法的情況下，優(yōu)選布線5086-1及布線5086-2的電連接也與其相應(yīng)地在每兩個(gè)像素中交替地進(jìn)行。再說，雖然可以考慮到在1行的所有的像素中被寫入相同極性的信號電壓的情況(柵極線反轉(zhuǎn))，但是在此情況下在每1行中使用一條布線5086即可。就是說，在圖48A所示的像素結(jié)構(gòu)中也可以采用如參照圖48C及48D說明那樣的減少寫入到像素的信號電壓的驅(qū)動方法。實(shí)施方式11接下來，說明顯示裝置的其它結(jié)構(gòu)例及其驅(qū)動方法。在本實(shí)施方式中，說明使用對于信號寫入的亮度的響應(yīng)慢(響應(yīng)時(shí)間長)的顯示元件的顯示裝置的情況。在本實(shí)施方式中，作為響應(yīng)時(shí)間長的顯示元件，以液晶元件為例子進(jìn)行說明。但是，本實(shí)施方式中的顯示元件不局限于此，可以使用對于信號寫入的亮度的響應(yīng)慢的各種顯示元件。在一般的液晶顯示裝置的情況下，對于信號寫入的亮度的響應(yīng)慢，即使對液晶元件持續(xù)施加信號電壓的情況下，有時(shí)直到響應(yīng)完成為止需要1幀期間以上的時(shí)間。使用這種顯示元件顯示運(yùn)動圖像，也不能如實(shí)地再現(xiàn)運(yùn)動圖像。再者，在當(dāng)以有源矩陣方式驅(qū)動的情況下，對于一個(gè)液晶元件的信號寫入的時(shí)間通常只是將信號寫入周期(1幀期間或1子幀期間)除以掃描線的個(gè)數(shù)而得到的時(shí)間(1掃描線選擇期間)。因此，在很多情況下，液晶元件在該短時(shí)間內(nèi)不能完成響應(yīng)。因此，大多的液晶元件的響應(yīng)在不進(jìn)行信號寫入的期間內(nèi)進(jìn)行。在此，液晶元件的介電常數(shù)根據(jù)該液晶元件的透射率而變化，但是在不進(jìn)行信號寫入的期間液晶元件進(jìn)行響應(yīng)是指，在不與液晶元件的外部交換電荷的狀態(tài)(恒電荷狀態(tài))下液晶元件的介電常數(shù)變化。就是說，在(電荷)=(電容)·(電壓)的公式中，在電荷一定的狀態(tài)下電容變化。因此，根據(jù)液晶元件的響應(yīng)，施加到液晶元件的電壓從信號寫入時(shí)的電壓發(fā)生變化。因此，在以有源矩陣方式驅(qū)動對于信號寫入的亮度的響應(yīng)慢的液晶元件的情況下，施加到液晶元件的電壓在原理上不能達(dá)到信號寫入時(shí)的電壓。本實(shí)施方式中的顯示裝置為了在信號寫入周期內(nèi)使顯示元件響應(yīng)到所希望的亮度，將信號寫入時(shí)的信號電平設(shè)為預(yù)先校正的信號(校正信號)，從而可以解決上述問題。再者，信號電平越大液晶元件的響應(yīng)時(shí)間越短，因此通過寫入校正信號，可以使液晶元件的響應(yīng)時(shí)間縮短。如這種加上校正信號的驅(qū)動方法還被稱為過驅(qū)動。本實(shí)施方式中的過驅(qū)動即使在信號寫入周期比輸入到顯示裝置的圖像信號的周期(輸入圖像信號周期Tin)短的情況下，也對照信號寫入周期而校正信號電平，從而可以在信號寫入周期內(nèi)使顯示元件響應(yīng)到所希望的亮度。作為信號寫入周期比輸入圖像信號周期Tin短的情況，可以舉出例如將一個(gè)元圖像分割為多個(gè)子圖像，并且使該多個(gè)子圖像在1幀期間內(nèi)依次顯示的情況。接著，參照圖43A和43B說明在以有源矩陣方式驅(qū)動的顯示裝置中對信號寫入時(shí)的信號電平進(jìn)行校正的方法的例子。圖43A是示出如下的圖表橫軸表示時(shí)間，縱軸表示信號寫入時(shí)的信號電平，并且示意性地表示在某一個(gè)顯示元件中的信號寫入時(shí)的信號電平的亮度的時(shí)間變化。圖43B是示出如下的圖表橫軸表示時(shí)間，縱軸表示顯示電平，并且示意性地表示在某一個(gè)顯示元件中的顯示電平的時(shí)間變化。此外，在顯示元件為液晶元件的情況下，可以將信號寫入時(shí)的信號電平設(shè)為電壓，將顯示電平設(shè)為液晶元件的透射率。下面，將圖43A中的縱軸設(shè)為電壓、將圖43B中的縱軸為透射率進(jìn)行說明。此外，本實(shí)施方式中的過驅(qū)動還包括信號電平為電壓以外(占空比、電流等)的情況。此外，本實(shí)施方式中的過驅(qū)動也包括顯示電平為透射率以外(亮度、電流等)的情況。此外，液晶元件具有在電壓為0時(shí)成為黑色顯示的常黑型(例如VA模式、IPS模式等)和在電壓為0時(shí)成為白色顯示的常白型(例如TN模式、OCB模式等)，但是圖43B所示的圖表對應(yīng)于上述雙方，可以設(shè)為在常黑型的情況下，越向圖表的上方透射率越大，并且在常白型的情況下，越向圖表的下方透射率越大。就是說，本實(shí)施方式中的液晶模式既可以為常黑型，又可以為常白型。此外，在時(shí)間軸中以虛線表示信號寫入定時(shí)，將從進(jìn)行了信號寫入后到進(jìn)行其次信號寫入為止的期間稱為保持期間F”在本實(shí)施方式中，i為整數(shù)，設(shè)為表示每個(gè)保持期間的指標(biāo)(index)。在圖43A及43B中，i為0至2，但i也可以為這些之外的整數(shù)(未圖示0至2之外的情況)。此外，在保持期間Fi中，將實(shí)現(xiàn)對應(yīng)于圖像信號的亮度的透射率設(shè)為Ti,將在穩(wěn)定狀態(tài)下提供透射率Ti的電壓設(shè)為\。此外，圖43A中的虛線5101表示不進(jìn)行過驅(qū)動時(shí)的施加到液晶元件的電壓的隨時(shí)間變化，實(shí)線5102表示本實(shí)施方式中的進(jìn)行過驅(qū)動時(shí)的施加到液晶元件的電壓的隨時(shí)間變化。與此相同，圖43B中的虛線5103表示不進(jìn)行過驅(qū)動時(shí)的液晶元件的透射率的隨時(shí)間變化，并且實(shí)線5104表示本實(shí)施方式中的進(jìn)行過驅(qū)動時(shí)的液晶元件的透射率的隨時(shí)間變化。此外，將在保持期間Fi的末尾中的所希望的透射率Ti和實(shí)際上的透射率的差異表示為誤差α”在圖43Α表示的圖表中，假設(shè)在保持期間Ftl中，虛線5101和實(shí)線5102均施加有所希望的電壓Vtl，且在圖43Β所示的圖表中，虛線5103和實(shí)線5104均獲得有所希望的透射率T00再者，在不進(jìn)行過驅(qū)動的情況下，如虛線5101所示在保持期間F1的初期中對液晶元件施加有所希望的電壓V1，但是如已所述，信號被寫入的期間與保持期間相比極短，并且保持期間中的大部分的期間成為恒電荷狀態(tài)，因此在保持期間隨著透射率的變化，施加到液晶元件的電壓發(fā)生變化，在保持期間F1的末尾中成為與所希望的電壓V1的差異較大的電壓。此時(shí)，圖43Β所示的圖表中的虛線5103也與所希望的透射率T1的差異較大。因此，不能進(jìn)行忠實(shí)于圖像信號的顯示，導(dǎo)致降低圖像質(zhì)量。另一方面，在進(jìn)行本實(shí)施方式中的過驅(qū)動的情況下，如實(shí)線5102所示，設(shè)為在保持期間&的初期中，對液晶元件施加比所希望的電壓V1大的電壓V/。就是說，預(yù)測在保持期間F1中施加到液晶元件的電壓逐漸變化的情形，以在保持期間F1的末尾中使施加到液晶元件的電壓成為所希望的電壓V1附近的電壓的方式，在保持期間&的初期中，將從所希望的電壓V1校正后的電壓V/施加到液晶元件，從而可以對液晶元件準(zhǔn)確地施加所希望的電壓V1。此時(shí)，如圖43Β的圖表中的實(shí)線5104所示，在保持期間F1的末尾中獲得所希望的透射率1\。就是說，盡管在保持期間中的大部分的期間中成為恒電荷狀態(tài)，也可以實(shí)現(xiàn)信號寫入周期內(nèi)的液晶元件的響應(yīng)。接著，在保持期間F2中，表示所希望的電壓V2小于V1的情況，但是這種情況也與保持期間F1同樣，預(yù)測在保持期間F2中施加到液晶元件的電壓逐漸變化的情形，以在保持期間F2的末尾中使施加到液晶元件的電壓成為所希望的電壓V2附近的電壓的方式，在保持期間F2的初期中，將從所希望的電壓V2校正后的電壓V2'施加到液晶元件即可。由此，如圖43B的圖表中的實(shí)線5104所示，在保持期間F2的末尾中獲得所希望的透射率T2。此外，如保持期間F1那樣，在Vi大于Vg的情況下，將校正了的電壓Vi'優(yōu)選校正為大于所希望的電壓V”再者，如保持期間F2那樣，在\小于Vg的情況下，將校正了的電壓Vi'優(yōu)選校正為小于所希望的電壓V”此外，可以通過預(yù)先測量液晶元件的響應(yīng)特性來導(dǎo)出具體的校正值。作為組裝到裝置的方法，有如下方法將校正式公式化并嵌入到邏輯電路的方法；將校正值作為查找表(lookuptable)并存儲在存儲器中，并且根據(jù)需要讀出校正值的方法，等等。此外，在實(shí)際上作為裝置實(shí)現(xiàn)本實(shí)施方式中的過驅(qū)動的情況下，有各種限定。例如，電壓的校正必須在源極驅(qū)動器的額定電壓的范圍內(nèi)進(jìn)行。就是說，在所希望的電壓原來就是大的值且理想的校正電壓超過源極驅(qū)動器的額定電壓的情況下，不能完成校正。參照圖43C及43D說明這種情況的問題。與圖43A同樣，圖43C示出是如下的圖表橫軸表示時(shí)間，縱軸表示電壓，并且示意性地表示某一個(gè)液晶元件中的電壓的隨時(shí)間變化作為實(shí)線5105。與圖43B同樣，圖43D是示出如下的圖表橫軸表示時(shí)間，縱軸表示透射率，并且示意性地表示某一個(gè)液晶元件中的透射率的隨時(shí)間變化作為實(shí)線5106。此外，關(guān)于其它表示方法，與圖43A和43B同樣，因此省略說明。在圖43C及43D中表示如下狀態(tài)用來實(shí)現(xiàn)保持期間F1中的所希望的透射率T1的校正電壓V1’超過源極驅(qū)動器的額定電壓，因此不得不使V1'=V1，不能進(jìn)行充分的校正。此時(shí)，保持期間F1的末尾中的透射率成為與所希望的透射率T1偏離誤差Ci1的值。但是，因?yàn)檎`差h增大時(shí)局限于當(dāng)所希望的電壓原來是較大的值時(shí)，所以在很多的情況下，由于誤差α！的發(fā)生導(dǎo)致的圖像質(zhì)量降低本身在容許的范圍內(nèi)。然而，由于誤差Q1增大，電壓校正的算法內(nèi)的誤差也增大。就是說，在電壓校正的算法中假設(shè)在保持期間的末尾中獲得所希望的透射率的情況下，盡管實(shí)際上誤差α工增大，但是由于設(shè)為誤差Ci1較小而進(jìn)行電壓的校正，所以其次的保持期間F2中的校正中包含誤差，其結(jié)果，導(dǎo)致誤差^2也增大。再者，若誤差Ci2增大，則導(dǎo)致其次的誤差Ci3進(jìn)一步增大，這樣誤差連鎖地增大，其結(jié)果導(dǎo)致明顯地降低圖像質(zhì)量。在本實(shí)施方式中的過驅(qū)動中，為了抑制誤差這樣連鎖地增大的情形，在保持期間Fi中校正電壓Vi'超過源極驅(qū)動器的額定電壓時(shí)，預(yù)測保持期間Fi的末尾中的誤差αi，并且考慮該誤差αi的大小，可以調(diào)整保持期間Fi+1中的校正電壓。這樣，即使誤差、增大，也可以盡量減小誤差αi+1受到的影響，因此可以抑制誤差連鎖地增大的情形。參照圖43E及43F說明在本實(shí)施方式中的過驅(qū)動中盡量減小誤差Q2的例子。在圖43E所示的圖表中，進(jìn)一步調(diào)整圖43C所示的圖表的校正電壓V2'并將設(shè)為校正電壓V2"時(shí)的電壓的隨時(shí)間變化表示為實(shí)線5107。圖43F所示的圖表表示由圖43E所示的圖表進(jìn)行電壓的校正時(shí)的透射率的隨時(shí)間變化。在圖43D所示的圖表中的實(shí)線5106中，由于校正電壓V2'而產(chǎn)生過校正，但是在圖43F所示的圖表中的實(shí)線5108中，根據(jù)考慮誤差Q1并調(diào)整的校正電壓V2"抑制過校正，使誤差α2最小。此外，通過預(yù)先測量液晶元件的響應(yīng)特性可以導(dǎo)出具體的校正值。作為組裝到裝置的方法，有如下方法將校正式公式化并嵌入到邏輯電路的方法；將校正值作為查找表(lookuptable)而存儲到存儲器中，并根據(jù)需要讀出校正值的方法，等等。再者，可以與計(jì)算校正電壓Vi'的部分另行地追加這些方法，或者將這些方法嵌入到計(jì)算校正電壓Vi'的部分。此外，考慮誤差α"進(jìn)行了調(diào)整的校正電壓Vi"的校正量(與所希望的電壓Vi的差異)優(yōu)選小于Vi'的校正量。就是說，優(yōu)選設(shè)為IV-ViI<IV-ViU此外，信號寫入周期越短，由于理想的校正電壓超過源極驅(qū)動器的額定電壓而產(chǎn)生的誤差、越大。這是因?yàn)樾盘枌懭胫芷谠蕉?，需要使液晶元件的響?yīng)時(shí)間也越短，其結(jié)果需要更大的校正電壓的緣故。再者，所需要的校正電壓增大的結(jié)果，校正電壓超過源極驅(qū)動器的額定電壓的頻度也變高，因此產(chǎn)生較大的誤差CIi的頻度也變高。因此，可以說信號寫入周期越短本實(shí)施方式中的過驅(qū)動越有效。具體而言，在使用如下驅(qū)動方法的情況下利用本實(shí)施方式中的過驅(qū)動時(shí)發(fā)揮特別的效果，即在將一個(gè)元圖像分成為多個(gè)子圖像，并在1幀期間內(nèi)依次顯示該多個(gè)子圖像的情況；從多個(gè)圖像檢測出圖像所包括的運(yùn)動，生成該多個(gè)圖像的中間狀態(tài)的圖像，并插入到該多個(gè)圖像之間而進(jìn)行驅(qū)動(所謂的運(yùn)動補(bǔ)償倍速驅(qū)動)的情況；或者組合上述的情況，等等。此外，源極驅(qū)動器的額定電壓除了上述的上限之外還存在下限。例如，可以舉出不能施加小于電壓0的電壓的情況。此時(shí)，與上述的上限的情況同樣，不能施加理想的校正電壓，因此誤差、增大。但是，在此情況下，也與上述方法同樣，可以預(yù)測保持期間Fi的末尾中的誤差αi，考慮該誤差αi的大小來調(diào)整保持期間Fi+1中的校正電壓。此外，在可以施加小于電壓0的電壓(負(fù)的電壓)作為源極驅(qū)動器的額定電壓的情況下，也可以對液晶元件施加負(fù)的電壓作為校正電壓。這樣，可以預(yù)測恒電荷狀態(tài)的電位的變動，并調(diào)整為保持期間Fi的末尾中施加到液晶元件的電壓成為所希望的電壓Vi附近的電壓。此外，為了抑制液晶元件的劣化，可以與過驅(qū)動組合而實(shí)施將施加到液晶元件的電壓的極性定期反轉(zhuǎn)的所謂的反轉(zhuǎn)驅(qū)動。就是說，本實(shí)施方式中的過驅(qū)動包括與反轉(zhuǎn)驅(qū)動同時(shí)進(jìn)行的情況。例如，在信號寫入周期為輸入圖像信號周期Tin的1/2的情況下，若使極性反轉(zhuǎn)的周期和輸入圖像信號周期Tin為相同程度，則每兩次交替地進(jìn)行正極性的信號的寫入和負(fù)極性的信號的寫入。如此，使極性反轉(zhuǎn)的周期長于信號寫入周期，從而可以減少像素的充放電的頻度，因此減少功耗。但是，如果使極性反轉(zhuǎn)的周期過長，有時(shí)產(chǎn)生由于極性的不同而導(dǎo)致的亮度差被觀察為閃爍的問題，因此使極性反轉(zhuǎn)的周期優(yōu)選與輸入圖像信號周期Tin相同的程度或比輸入圖像信號周期Tin短。實(shí)施方式I2接著，說明顯示裝置的其它結(jié)構(gòu)例及其驅(qū)動方法。在本實(shí)施方式中，說明如下方法，即在顯示裝置的內(nèi)部基于多個(gè)輸入圖像而生成對從顯示裝置的外部輸入的圖像(輸入圖像)的運(yùn)動進(jìn)行插值的圖像，并且依次顯示該生成的圖像(生成圖像)和輸入圖像。此外，通過將生成圖像作為對輸入圖像的運(yùn)動進(jìn)行插值這樣的圖像，可以使運(yùn)動圖像的運(yùn)動平滑，而且可以改善由于保持驅(qū)動引起的殘影等導(dǎo)致的運(yùn)動圖像的質(zhì)量降低的問題。在此，下面說明運(yùn)動圖像的插值。關(guān)于運(yùn)動圖像的顯示，理想的是通過實(shí)時(shí)控制每個(gè)像素的亮度來實(shí)現(xiàn)，但是像素的實(shí)時(shí)單獨(dú)控制很難實(shí)現(xiàn)，有如下問題控制電路的個(gè)數(shù)變得龐大的問題；布線空間的問題；以及輸入圖像的數(shù)據(jù)量變龐大的問題，等等。因此，通過以一定的周期依次顯示多個(gè)靜止圖像使得顯示看起來像運(yùn)動圖像，從而進(jìn)行顯示裝置的運(yùn)動圖像的顯示。該周期(在本實(shí)施方式中稱為輸入圖像信號周期，表示為Tin)被標(biāo)準(zhǔn)化，例如根據(jù)NTSC標(biāo)準(zhǔn)為1/60秒，根據(jù)PAL標(biāo)準(zhǔn)為1/50秒。采用這種程度的周期也不會在作為脈沖型顯示裝置的CRT中發(fā)生運(yùn)動圖像顯示的問題。但是，在保持型顯示裝置中，當(dāng)原樣地顯示依照這些標(biāo)準(zhǔn)的運(yùn)動圖像時(shí)，發(fā)生由于是保持型而引起的殘影等而使顯示不清楚的問題(保持模糊；holdblur)。保持模糊是由于人眼的追隨引起的無意識的運(yùn)動的插值與保持型的顯示的不一致(discr印ancy)而被觀察的，因此能夠通過使輸入圖像信號周期比以往的標(biāo)準(zhǔn)短(近似于像素的實(shí)時(shí)單獨(dú)控制)，來減少保持模糊，但是縮短輸入圖像信號周期帶來標(biāo)準(zhǔn)的改變，而且數(shù)據(jù)量也增大，所以很困難。但是，基于標(biāo)準(zhǔn)化了的輸入圖像信號，在顯示裝置內(nèi)部生成對輸入圖像的運(yùn)動進(jìn)行插值這樣的圖像，并且利用該生成圖像對輸入圖像進(jìn)行插值而進(jìn)行顯示，從而可以減少保持模糊，而不用改變標(biāo)準(zhǔn)或增大數(shù)據(jù)量。如此，將基于輸入圖像信號在顯示裝置內(nèi)部生成圖像信號、并對輸入圖像的運(yùn)動進(jìn)行插值的處理稱為運(yùn)動圖像的插值。通過本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法，可以減少運(yùn)動圖像的模糊。本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法可以分為圖像生成方法和圖像顯示方法。再者，關(guān)于特定模式的運(yùn)動，通過使用其它的圖像生成方法和/或圖像顯示方法，可以有效地減少運(yùn)動圖像的模糊。圖44A和44B是用來說明本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法的一例的示意圖。在圖44A和44B中，橫軸表示時(shí)間，并且根據(jù)橫方向的位置表示每個(gè)圖像被處理的定時(shí)。記載有“輸入”的部分表示輸入圖像信號被輸入的定時(shí)。在此，作為在時(shí)間上相鄰的兩個(gè)圖像，關(guān)注圖像5121及圖像5122。輸入圖像以周期Tin的間隔被輸入。此外，有時(shí)將一個(gè)周期Tin的長度記為1幀或1幀期間。記載有“生成”的部分表示基于輸入圖像信號新生成圖像的定時(shí)。在此，關(guān)注作為基于圖像5121及圖像5122而生成的生成圖像的圖像5123。記載有“顯示”的部分表示在顯示裝置上顯示圖像的定時(shí)。此外，雖然關(guān)于關(guān)注的圖像之外的圖像只用虛線記載，但是與關(guān)注的圖像同樣地處理，從而可以實(shí)現(xiàn)本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法的一例。如圖44A所示，在本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法的一例中，使基于在時(shí)間上相鄰的兩個(gè)輸入圖像生成的生成圖像顯示在顯示該兩個(gè)輸入圖像的定時(shí)的間隙，從而可以進(jìn)行運(yùn)動圖像的插值。此時(shí)，顯示圖像的顯示周期優(yōu)選為輸入圖像的輸入周期的1/2。但是，不局限于此，可以采用各種顯示周期。例如，使顯示周期比輸入周期的1/2短，從而可以進(jìn)一步平滑地顯示運(yùn)動圖像?；蛘?，使顯示周期比輸入周期的1/2長，從而可以減少功耗。此外，在此，基于在時(shí)間上相鄰的兩個(gè)輸入圖像而生成了圖像，但是作為基礎(chǔ)的輸入圖像不局限于兩個(gè)，可以使用各種個(gè)數(shù)。例如，當(dāng)基于在時(shí)間上相鄰的三個(gè)(也可以是三個(gè)以上)輸入圖像生成圖像時(shí)，與基于兩個(gè)輸入圖像的情況相比，可以獲得精確度更高的生成圖像。另外，將圖像5121的顯示定時(shí)設(shè)定為與圖像5122的輸入定時(shí)相同時(shí)刻，就是說使相對于輸入定時(shí)的顯示定時(shí)延遲1幀，但是本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法中的顯示定時(shí)不局限于此，可以使用各種顯示定時(shí)。例如，可以使相對于輸入定時(shí)的顯示定時(shí)延遲1幀以上。這樣，可以使作為生成圖像的圖像5123的顯示定時(shí)延遲，因此可以使生成圖像5123所需的時(shí)間中有余量，減少功耗且降低制造成本。此外，當(dāng)使相對于輸入定時(shí)的顯示定時(shí)過遲時(shí)，保持輸入圖像的期間延長，保持所需要的存儲器容量增大，因此相對于輸入定時(shí)的顯示定時(shí)優(yōu)選延遲1幀至延遲2幀程度。在此說明基于圖像5121及圖像5122生成的圖像5123的具體的生成方法的一例。為了對運(yùn)動圖像進(jìn)行插值，需要檢測出輸入圖像的運(yùn)動，但是在本實(shí)施方式中，為了檢測出輸入圖像的運(yùn)動，可以采用稱為塊匹配(blockmatching)法的方法。但是，不局限于此，可以采用各種方法(取圖像數(shù)據(jù)的差分的方法、利用傅里葉變換的方法等)。在塊匹配法中，首先將1張輸入圖像的圖像數(shù)據(jù)(在此是圖像5121的圖像數(shù)據(jù))存儲在數(shù)據(jù)存儲單元(半導(dǎo)體存儲器、RAM等的存儲電路等)。并且，將其次的幀中的圖像(在此是圖像5122)分割為多個(gè)區(qū)域。此外，如圖44A那樣，分割了的區(qū)域是相同形狀的矩形，但是不局限于此，可以采用各種形狀(根據(jù)圖像改變形狀或大小等)。然后，按分割了的每個(gè)區(qū)域，與存儲在數(shù)據(jù)存儲單元中的前一個(gè)幀的圖像數(shù)據(jù)(在此是圖像5121的圖像數(shù)據(jù))進(jìn)行數(shù)據(jù)的比較，搜索圖像數(shù)據(jù)相似的區(qū)域。在圖44A的例子中示出如下情況從圖像5121中搜索與圖像5122中的區(qū)域5124的數(shù)據(jù)相似的區(qū)域，并搜索出區(qū)域5126。此外，當(dāng)在圖像5121中進(jìn)行搜索時(shí)，優(yōu)選限定搜索范圍。在圖44A的例子中，作為搜索范圍設(shè)定區(qū)域5125，其大小為區(qū)域5124的面積的四倍左右。此外，通過使搜索范圍比它還大，可以在運(yùn)動快的運(yùn)動圖像中也提高檢測精度。但是，當(dāng)過寬地進(jìn)行搜索時(shí)，搜索時(shí)間變得極長，難以實(shí)現(xiàn)運(yùn)動的檢測，因此區(qū)域5125優(yōu)選為區(qū)域5124的面積的兩倍至六倍程度。然后，作為運(yùn)動矢量5127求得被搜索的區(qū)域5126和圖像5122中的區(qū)域5124的位置的差異。運(yùn)動矢量5127表示區(qū)域5124中的圖像數(shù)據(jù)的1幀期間的運(yùn)動。再者，為了生成表示運(yùn)動的中間狀態(tài)的圖像，作成不改變運(yùn)動矢量的方向而改變大小的圖像生成用矢量5128，并且根據(jù)圖像生成用矢量5128使圖像5121中的區(qū)域5126所包括的圖像數(shù)據(jù)移動，從而形成圖像5123中的區(qū)域5129內(nèi)的圖像數(shù)據(jù)。在圖像5122中的所有的區(qū)域中進(jìn)行上述一系列的處理，從而可以生成圖像5123。再者，通過依次顯示輸入圖像5121、生成圖像5123、輸入圖像5122，可以對運(yùn)動圖像進(jìn)行插值。此外，圖像中的物體5130在圖像5121及圖像5122中位置不同(就是會移動)，但是生成的圖像5123成為圖像5121及圖像5122中的物體的中間點(diǎn)。通過顯示這種圖像，可以使運(yùn)動圖像的運(yùn)動平滑，改善由于殘影等引起的運(yùn)動圖像的不清楚。此外，圖像生成用矢量5128的大小可以根據(jù)圖像5123的顯示定時(shí)來決定。在圖44A的例子中，圖像5123的顯示定時(shí)為圖像5121及圖像5122的顯示定時(shí)的中間點(diǎn)(1/2)，因此圖像生成用矢量5128的大小為運(yùn)動矢量5127的1/2，但是除此之外，例如也可以在顯示定時(shí)為1/3的時(shí)刻將大小設(shè)為1/3，在顯示定時(shí)為2/3的時(shí)刻將大小設(shè)為2/3。此外，這樣，在使具有各種運(yùn)動矢量的多個(gè)區(qū)域分別移動而形成新的圖像的情況下，有時(shí)在移動目的地的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生其它區(qū)域已經(jīng)移動的部分(重復(fù))、沒有從任何區(qū)域移動過來的部分(空白)。關(guān)于這些部分，可以校正數(shù)據(jù)。作為重復(fù)部分的校正方法，例如可以采用如下方法取重復(fù)數(shù)據(jù)的平均的方法；以運(yùn)動矢量的方向等決定優(yōu)先級且將優(yōu)先級高的數(shù)據(jù)作為生成圖像內(nèi)的數(shù)據(jù)的方法；關(guān)于顏色(或亮度)使某一方優(yōu)先但是關(guān)于亮度(或顏色)取平均的方法，等等。作為空白部分的校正方法，可以使用如下方法將圖像5121或圖像5122的該位置中的圖像數(shù)據(jù)原樣地作為生成圖像內(nèi)的數(shù)據(jù)的方法；取圖像5121或圖像5122的該位置中的圖像數(shù)據(jù)的平均的方法，等等。再者，通過以按照圖像生成用矢量5128的大小的定時(shí)顯示所生成的圖像5123，從而可以使運(yùn)動圖像的運(yùn)動平滑，并且能夠改善由于保持驅(qū)動的殘影導(dǎo)致的運(yùn)動圖像的質(zhì)量降低的問題。如圖44B所示，在本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法的其它一例中，在基于在時(shí)間上相鄰的兩個(gè)輸入圖像而生成的生成圖像顯示在顯示該兩個(gè)輸入圖像的定時(shí)的間隙的情況下，將每個(gè)顯示圖像進(jìn)一步分割成多個(gè)子圖像并顯示，從而可以進(jìn)行運(yùn)動圖像的插值。在此情況下，除了由于圖像顯示周期變短帶來的優(yōu)點(diǎn)之外，還可以獲得由于暗的圖像被定期顯示(顯示方法近似于脈沖型)帶來的優(yōu)點(diǎn)。就是說，與只將圖像顯示周期設(shè)為圖像輸入周期的1/2的長度的情況相比，可以進(jìn)一步改善由于殘影等引起的運(yùn)動圖像的不清楚。在圖44B的例子中，“輸入”及“生成”可以進(jìn)行與圖44A的例子同樣的處理，因此省略說明。圖44B的例子中的“顯示”可以將一個(gè)輸入圖像和/或生成圖像分割成多個(gè)子圖像進(jìn)行顯示。具體而言，如圖44B所示，通過將圖像5121分割為子圖像5121a及5121b并依次顯示，從而使人眼感覺顯示了圖像5121，通過將圖像5123分割為子圖像5123a及5123b并依次顯示，從而使人眼感覺顯示了圖像5123，通過將圖像5122分割為子圖像5122a及5122b并依次顯示，從而使人眼感覺顯示了圖像5122。就是說，作為被人眼感覺的圖像，與圖44A的例子同樣，并且能夠使顯示方法近似于脈沖型，因此可以進(jìn)一步改善由于殘影等造成的運(yùn)動圖像的不清楚。此外，在圖44B中子圖像的分割數(shù)為兩個(gè)，但是不局限于此，可以使用各種分割數(shù)。另外，雖然在圖44B中顯示子圖像的定時(shí)為等間隔(1/2)，但是不局限于此，可以使用各種顯示定時(shí)。例如通過使暗的子圖像(5121b、5122b、5123b)的顯示定時(shí)變早(具體而言從1/4至1/2的定時(shí))，可以使顯示方法進(jìn)一步近似于脈沖型，因此可以進(jìn)一步改善由于殘影等造成的運(yùn)動圖像的不清楚?；蛘撸ㄟ^使暗的子圖像的顯示定時(shí)延遲(具體而言，從1/2至3/4的定時(shí))，可以延長明亮的圖像的顯示期間，因此可以提高顯示效率并減少功耗。本實(shí)施方式中的運(yùn)動圖像的插值方法的其它例子是檢測出圖像內(nèi)運(yùn)動的物體的形狀并根據(jù)運(yùn)動的物體的形狀進(jìn)行不同的處理的例子。圖44C所示的例子與圖44B的例子同樣表示顯示的定時(shí)，并表示所顯示的內(nèi)容為運(yùn)動的字符(也稱為滾動文本(scrolltext)、字幕(telop)等)的情況。此夕卜，關(guān)于“輸入”及“生成”，可以與圖44B同樣，因此未圖示。有時(shí)根據(jù)運(yùn)動的物體的性質(zhì)，保持驅(qū)動中的運(yùn)動圖像的不清楚的程度不同。尤其在很多的情況下，當(dāng)字符運(yùn)動時(shí)不清楚會被顯著地識別。這是因?yàn)?，?dāng)讀運(yùn)動的字符時(shí)視線務(wù)必要追隨字符，因此容易發(fā)生保持模糊。而且，因?yàn)樵诤芏嗲闆r下字符的輪廓清楚，所以有時(shí)由于保持模糊造成的不清楚被進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)。就是說，判斷在圖像內(nèi)運(yùn)動的物體是否是字符，當(dāng)是字符時(shí)還進(jìn)行特別的處理，這對于減少保持模糊是有效的。具體而言，對于在圖像內(nèi)運(yùn)動的物體進(jìn)行輪廓檢測和/或圖案檢測等，當(dāng)判斷為該物體是字符時(shí)，對從相同的圖像分割出的子圖像之間也進(jìn)行運(yùn)動插值，并顯示運(yùn)動的中間狀態(tài)，從而使運(yùn)動平滑。當(dāng)判斷為該物體不是字符時(shí)，如圖44B所示，若是從相同的圖像分割出的子圖像，就可以不改變運(yùn)動的物體的位置而進(jìn)行顯示。在圖44C的例子中示出判斷為字符的區(qū)域5131向上方運(yùn)動的情況，其中在圖像5121a和圖像5121b之間使區(qū)域5131的位置不同。關(guān)于圖像5123a和圖像5123b、圖像5122a和圖像5122b也同樣。通過上述，關(guān)于特別容易觀察到保持模糊的運(yùn)動的字符，可以與通常的運(yùn)動補(bǔ)償倍速驅(qū)動相比更平滑地運(yùn)動，因此可以進(jìn)一步改善由于殘影等造成的運(yùn)動圖像的不清楚。實(shí)施方式I3半導(dǎo)體裝置可以應(yīng)用于各種電子設(shè)備(包括游戲機(jī))。作為電子設(shè)備，可以舉出電視裝置(也稱為電視或電視接收機(jī))、用于計(jì)算機(jī)等的監(jiān)視器、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)之類的相機(jī)、數(shù)碼相框、移動電話機(jī)(也稱為移動電話、移動電話裝置)、便攜式游戲機(jī)、便攜式信息終端、聲音再現(xiàn)裝置、彈珠機(jī)等的大型游戲機(jī)等。圖32A示出電視裝置9600的一例。在電視裝置9600中，框體9601組裝有顯示部9603。利用顯示部9603可以顯示圖像。此外，在此示出利用支架9605支撐框體9601的結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^利用框體9601所具備的操作開關(guān)、另行提供的遙控操縱器9610進(jìn)行電視裝置9600的操作。通過利用遙控操縱器9610所具備的操作鍵9609，可以進(jìn)行頻道及音量的操作，并可以對在顯示部9603上顯示的圖像進(jìn)行操作。此外，也可以采用在遙控操縱器9610中設(shè)置顯示從該遙控操縱器9610輸出的信息的顯示部9607的結(jié)構(gòu)。另外，電視裝置9600采用具備接收機(jī)及調(diào)制解調(diào)器等的結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^利用接收機(jī)接收一般的電視廣播。再者，通過調(diào)制解調(diào)器連接到有線或無線方式的通信網(wǎng)絡(luò)，從而進(jìn)行單向(從發(fā)送者到接收者)或雙向(在發(fā)送者和接收者之間或在接收者之間等)的信息通{曰。圖32B示出數(shù)碼相框9700的一例。例如，在數(shù)碼相框9700中，框體9701組裝有顯示部9703。顯示部9703可以顯示各種圖像，例如通過顯示使用數(shù)碼相機(jī)等拍攝的圖像數(shù)據(jù)，可以發(fā)揮與一般的相框同樣的功能。另外，數(shù)碼相框9700采用具備操作部、外部連接用端子(USB端子、可以與USB電纜等的各種電纜連接的端子等)、記錄介質(zhì)插入部等的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)也可以組裝到與顯示部同一個(gè)面，但是通過將它設(shè)置在側(cè)面或背面上來提高設(shè)計(jì)性，所以是優(yōu)選的。例如，可以對數(shù)碼相框的記錄介質(zhì)插入部插入儲存有由數(shù)碼相機(jī)拍攝的圖像數(shù)據(jù)的存儲器并提取圖像數(shù)據(jù)，然后可以將所提取的圖像數(shù)據(jù)顯示于顯示部9703。此外，數(shù)碼相框9700既可以采用以無線的方式收發(fā)信息的結(jié)構(gòu)，又可以以無線的方式提取所希望的圖像數(shù)據(jù)并進(jìn)行顯示的結(jié)構(gòu)。圖33A示出一種便攜式游戲機(jī)，其由框體9881和框體9891的兩個(gè)框體構(gòu)成，并且通過連接部9893可以開合地連接?？蝮w9881安裝有顯示部9882，并且框體9891安裝有顯示部9883。另外，圖33A所示的便攜式游戲機(jī)還具備揚(yáng)聲器部9884、記錄介質(zhì)插入部9886、LED燈9890、輸入單元(操作鍵9885、連接端子9887、傳感器9888(即，具有測定如下因素的功能的器件力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)速、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場、電流、電壓、功率、射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、以及麥克風(fēng)9889)等。當(dāng)然，便攜式游戲機(jī)的結(jié)構(gòu)不局限于上述結(jié)構(gòu)，只要采用如下結(jié)構(gòu)即可至少具備半導(dǎo)體裝置。因此，可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有其它附屬設(shè)備的結(jié)構(gòu)。圖33A所示的便攜式游戲機(jī)具有如下功能讀出儲存在記錄介質(zhì)中的程序或數(shù)據(jù)并將它顯示在顯示部上；以及通過與其他便攜式游戲機(jī)進(jìn)行無線通信而共享信息。另外，圖33A所示的便攜式游戲機(jī)所具有的功能不局限于此，而可以具有各種各樣的功能。圖33B示出大型游戲機(jī)的一種的自動賭博機(jī)9900的一例。在自動賭博機(jī)9900的框體9901中安裝有顯示部9903。另外，自動賭博機(jī)9900還具備如起動手柄或停止開關(guān)等的操作單元、投幣口、揚(yáng)聲器等。當(dāng)然，自動賭博機(jī)9900的結(jié)構(gòu)不局限于此，只要采用如下結(jié)構(gòu)即可至少具備半導(dǎo)體裝置。因此，可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有其它附屬設(shè)備的結(jié)構(gòu)。圖34A示出移動電話機(jī)1000的一例。移動電話機(jī)1000除了安裝在框體1001的顯示部1002之外還具備操作按鈕1003、外部連接端口1004、揚(yáng)聲器1005、麥克風(fēng)1006等。圖34A所示的移動電話機(jī)1000可以用手指等觸摸顯示部1002來輸入信息。此外，可以用手指等觸摸顯示部1002來進(jìn)行打電話或輸入電子郵件等的操作。顯示部1002的畫面主要有三個(gè)模式。第一是以圖像的顯示為主的顯示模式，第二是以文字等的信息的輸入為主的輸入模式，第三是顯示模式和輸入模式的兩個(gè)模式混合的顯示與輸入模式。例如，在打電話或輸入電子郵件的情況下，將顯示部1002設(shè)定為以文字輸入為主的文字輸入模式，并進(jìn)行在畫面上顯示的文字的輸入操作，即可。在此情況下，優(yōu)選的是，在顯示部1002的畫面的大多部分中顯示鍵盤或號碼按鈕。此外，通過在移動電話機(jī)1000的內(nèi)部設(shè)置具有陀螺儀和加速度傳感器等檢測傾斜度的傳感器的檢測裝置，判斷移動電話機(jī)1000的方向(移動電話機(jī)1000處于垂直或水平的狀態(tài)時(shí)變?yōu)樨Q向方式或橫向方式)，而可以對顯示部1002的畫面顯示進(jìn)行自動切換。通過觸摸顯示部1002或?qū)蝮w1001的操作按鈕1003進(jìn)行操作，切換畫面模式。此外，還可以根據(jù)顯示在顯示部1002上的圖像種類切換畫面模式。例如，當(dāng)顯示在顯示部上的圖像信號為動態(tài)圖像的數(shù)據(jù)時(shí)，將畫面模式切換成顯示模式，而當(dāng)顯示在顯示部上的圖像信號為文字?jǐn)?shù)據(jù)時(shí)，將畫面模式切換成輸入模式。另外，當(dāng)在輸入模式中通過檢測出顯示部1002的光傳感器所檢測的信號得知在一定期間中沒有顯示部1002的觸摸操作輸入時(shí)，也可以以將畫面模式從輸入模式切換成顯示模式的方式進(jìn)行控制。還可以將顯示部1002用作圖像傳感器。例如，通過用手掌或手指觸摸顯示部1002，來拍攝掌紋、指紋等，而可以進(jìn)行個(gè)人識別。此外，通過在顯示部中使用發(fā)射近紅外光的背光燈或發(fā)射近紅外光的感測用光源，也可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。圖34B也示出移動電話機(jī)的一例。圖34B的移動電話機(jī)包括在框體9411中具有包括顯示部9412以及操作按鈕9413的顯示裝置9410；在框體9401中具有包括操作按鈕9402、外部輸入端子9403、麥克風(fēng)9404、揚(yáng)聲器9405以及來電時(shí)發(fā)光的發(fā)光部9406的通信裝置9400，具有顯示功能的顯示裝置9410與具有電話功能的通信裝置9400可以向箭頭的兩個(gè)方向裝卸。因此，可以將顯示裝置9410和通信裝置的9400的短軸彼此安裝或?qū)@示裝置的9410和通信裝置9400的長軸彼此安裝。此外，當(dāng)只需要顯示功能時(shí)，從通信裝置9400卸下顯示裝置9410，而可以單獨(dú)使用顯示裝置9410。通信裝置9400和顯示裝置9410可以以無線通信或有線通信收發(fā)圖像或輸入信息，它們分別具有能夠充電的電池。本說明書根據(jù)2009年3月5日在日本專利局受理的日本專利申請編號2009-051779而制作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。權(quán)利要求一種半導(dǎo)體裝置，包括包括具有透光性的第一導(dǎo)電層的第一電極；與所述第一電極電連接并包括所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)的第一布線，其中所述第二導(dǎo)電層的電阻低于所述第一導(dǎo)電層的電阻；形成在所述第一電極和所述第一布線上的絕緣層；形成在所述絕緣層上并包括具有透光性的第三導(dǎo)電層的第二電極；與所述第二電極電連接并包括所述第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)的第二布線，其中所述第四導(dǎo)電層的電阻低于所述第三導(dǎo)電層的電阻；包括具有透光性的第五導(dǎo)電層形成的第三電極；以及形成在所述第二電極和所述第三電極上并與所述第一電極以夾著所述絕緣層的方式重疊的半導(dǎo)體層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，像素電極與所述第三電極電連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的一部分在所述第三導(dǎo)電層與所述第四導(dǎo)電層之間。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層的透光性高于所述第一導(dǎo)電層的透光性，并且所述第四導(dǎo)電層的透光性高于所述第三導(dǎo)電層的透光性。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層分別包括從由鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)及釹(Nd)組成的組中選擇的至少一種的金屬材料、化合物、合金或上述金屬的氮化物。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體層具有透光性。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體層是氧化物半導(dǎo)體層。8.一種半導(dǎo)體裝置，包括包括具有透光性的第一導(dǎo)電層的第一電極；與所述第一電極電連接并包括所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)的第一布線，其中所述第二導(dǎo)電層的電阻低于所述第一導(dǎo)電層的電阻；包括具有透光性的第三導(dǎo)電層的第二布線；形成在所述第一電極、所述第一布線和所述第二布線上的絕緣層；形成在所述絕緣層上并包括具有透光性的第四導(dǎo)電層的第二電極；與所述第二電極電連接并包括所述第四導(dǎo)電層和第五導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)的第三布線，其中所述第五導(dǎo)電層的電阻低于所述第四導(dǎo)電層的電阻；包括具有透光性的第六導(dǎo)電層形成的第三電極；在所述第二布線上以夾著所述絕緣層的方式設(shè)置的具有透光性的第七導(dǎo)電層；以及形成在所述第二電極和所述第三電極上并與所述第一電極以夾著所述絕緣層的方式重疊的半導(dǎo)體層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，像素電極與所述第三電極電連接。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二布線形成在與所述第三布線重疊的區(qū)域中，并且所述第二布線包括所述第三導(dǎo)電層和電阻低于所述第三導(dǎo)電層的電阻的導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第七導(dǎo)電層與像素電極電連接。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第七導(dǎo)電層通過接觸孔與像素電極電連接，并且所述第二布線形成在與所述接觸孔重疊的區(qū)域中并包括所述第三導(dǎo)電層和電阻低于所述第三導(dǎo)電層的電阻的導(dǎo)電層的層疊而形成。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的一部分在所述第四導(dǎo)電層與所述第五導(dǎo)電層之間。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層和所述第五導(dǎo)電層具有透光性。15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層和所述第五導(dǎo)電層分別包括從由鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)及釹(Nd)組成的組中選擇的至少一種的金屬材料、化合物、合金或上述金屬的氮化物。16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體層具有透光性。17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體層是氧化物半導(dǎo)體層。18.一種半導(dǎo)體裝置，包括包括具有透光性的第一導(dǎo)電層的柵電極；與所述柵電極電連接并包括所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)的柵極布線，其中所述第二導(dǎo)電層的電阻低于所述第一導(dǎo)電層的電阻；形成在所述柵電極和所述柵極布線上的第一絕緣層；形成在所述第一絕緣層上并包括具有透光性的第三導(dǎo)電層的第一電極；與所述第一電極電連接并包括所述第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)的源極布線，其中所述第四導(dǎo)電層的電阻低于所述第三導(dǎo)電層的電阻；包括具有透光性的第五導(dǎo)電層的第二電極；形成在所述第一電極和所述第二電極上并與所述柵電極以夾著所述第一絕緣層的方式重疊的半導(dǎo)體層；形成在所述第一電極、所述第二電極和所述半導(dǎo)體層上的第二絕緣層；以及形成在所述第二絕緣層上并與所述第二電極電連接的像素電極。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括包括具有透光性的第六導(dǎo)電層的電容布線，其中所述第一絕緣層形成在所述電容布線上。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，電容布線形成在與所述源極布線重疊的區(qū)域中，并且所述電容布線包括具有透光性的第六導(dǎo)電層和電阻低于所述第六導(dǎo)電層的電阻的導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括以夾著所述第一絕緣層的方式設(shè)置在所述電容布線上的具有透光性的第七導(dǎo)電層，其中所述第七導(dǎo)電層與所述像素電極電連接。22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括通過接觸孔與所述像素電極電連接的第七導(dǎo)電層，其中所述電容布線形成在與所述接觸孔重疊的區(qū)域中并包括所述第六導(dǎo)電層和電阻低于所述第六導(dǎo)電層的電阻的導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)。23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的一部分在所述第三導(dǎo)電層與所述第四導(dǎo)電層之間。24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層和所述第五導(dǎo)電層具有透光性。25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層分別包括從由鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)及釹(Nd)組成的組中選擇的至少一種的金屬材料、化合物、合金或上述金屬的氮化物。26.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體層具有透光性。27.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體層是氧化物半導(dǎo)體層。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供一種布線電阻低的半導(dǎo)體裝置、透射率高的半導(dǎo)體裝置或開口率高的半導(dǎo)體裝置。使用具有透光性的材料形成柵電極、半導(dǎo)體層、源電極或漏電極，并使用電阻率低于具有透光性的材料的電阻率的材料形成柵極布線或源極布線等布線。另外，通過層疊具有透光性的材料和比該具有透光性的材料的電阻率低的材料來形成源極布線和/或柵極布線。文檔編號H01L29/43GK101826520SQ20101013431公開日2010年9月8日申請日期2010年3月4日優(yōu)先權(quán)日2009年3月5日發(fā)明者木村肇申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所