專利名稱：電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備配置在腔室內(nèi)的電子設(shè)備元件的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
以往以來(lái)，如圖15所示，用于搭載發(fā)光設(shè)備元件的發(fā)光元件用封裝構(gòu)成為將由陶 瓷材料構(gòu)成的基體200和由陶瓷材料構(gòu)成的框體300接合一體化，在框體300的內(nèi)側(cè)形成 有容納發(fā)光設(shè)備元件100的腔室3a。在由陶瓷材料構(gòu)成的基體200上，如圖15所示可以形成導(dǎo)熱通孔400，在基體上形 成有導(dǎo)熱通孔400的發(fā)光設(shè)備元件用封裝中，可以將腔室3a內(nèi)収容的發(fā)光設(shè)備元件100的 熱釋放到外部。另外，導(dǎo)熱通孔400通過(guò)在貫通了基體200的通孔中填充金屬漿料等來(lái)構(gòu) 成。通過(guò)導(dǎo)熱通孔400從由陶瓷材料構(gòu)成的基體200的上表面向下表面貫通，從而在 導(dǎo)熱通孔400向腔室3a內(nèi)露出的發(fā)光設(shè)備元件用封裝中，腔室3a內(nèi)収容的發(fā)光設(shè)備元件 100的熱通過(guò)導(dǎo)熱通孔400向基體200的下表面移動(dòng)。但是，對(duì)于以往的導(dǎo)熱通孔，發(fā)光設(shè)備元件的放熱性不充分，具有由熱引起的發(fā)光 設(shè)備元件的性能降低等的問(wèn)題。此外，不僅僅是發(fā)光設(shè)備元件，在具備其他電子設(shè)備元件的 電子設(shè)備中，也同樣具有放熱性不充分的問(wèn)題。而且，在搭載電子設(shè)備元件的封裝由陶瓷材 料構(gòu)成的情況下，還具有翹曲等的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是在具備用于搭載發(fā)光設(shè)備元件或集成電路等電子設(shè)備元件 的電子設(shè)備元件用封裝的電子設(shè)備中，獲得高放熱性并且緩和封裝的翹曲。本發(fā)明涉及的第1電子設(shè)備具備由陶瓷材料構(gòu)成的基體；隔著由金屬材料構(gòu)成 的第1傳熱層配置在所述基體的上表面的中央?yún)^(qū)域的電子設(shè)備元件；形成在所述基體的下 表面的中央?yún)^(qū)域，由金屬材料構(gòu)成的第1放熱層；配設(shè)在所述基體內(nèi)，由金屬材料構(gòu)成，連 結(jié)所述第1傳熱層和所述第1放熱層的多個(gè)導(dǎo)熱通孔；埋設(shè)在所述基體內(nèi)，由金屬材料構(gòu) 成，從所述基體的下表面中央?yún)^(qū)域的上方延伸到所述基體的下表面周邊區(qū)域的上方并且與 所述多個(gè)導(dǎo)熱通孔交叉的第2傳熱層。根據(jù)上述第1電子設(shè)備，不僅來(lái)自電子設(shè)備元件的熱通過(guò)導(dǎo)熱通孔從第1放熱層 放出，來(lái)自電子設(shè)備元件的熱還通過(guò)導(dǎo)熱通孔向第2傳熱層移動(dòng)。由此，來(lái)自電子設(shè)備元件 的熱傳向基體整體而從電子設(shè)備整體放出。此外，在現(xiàn)有的電子設(shè)備中，由于第1傳熱層與基體的關(guān)系產(chǎn)生了翹曲。根據(jù)上述 第1電子設(shè)備，通過(guò)在基體內(nèi)設(shè)置第2傳熱層，能夠調(diào)整電子設(shè)備的翹曲。
本發(fā)明涉及的第2電子設(shè)備根據(jù)上述第1電子設(shè)備，還具備形成在所述基體的下 表面周邊區(qū)域，由金屬材料構(gòu)成的第2放熱層；和埋設(shè)在所述基體內(nèi)，由金屬材料構(gòu)成，連 結(jié)所述第2傳熱層和所述第2放熱層的多個(gè)第2導(dǎo)熱通孔。本發(fā)明涉及的第3電子設(shè)備根據(jù)上述第1或第2電子設(shè)備，所述第2傳熱層向所 述基體的側(cè)面延伸，其前端部在該側(cè)面露出。根據(jù)上述第3電子設(shè)備，通過(guò)第2傳熱層在基體側(cè)面露出，能夠更早的將熱向基體 外部放出。本發(fā)明涉及的第4電子設(shè)備，根據(jù)上述第1至第3電子設(shè)備的任意一個(gè)，還具備配 置在所述基體的上表面并由陶瓷材料構(gòu)成的框體，所述框體具有由所述框體的內(nèi)周面和所 述基體的上表面構(gòu)成的腔室，在該腔室內(nèi)設(shè)置所述電子設(shè)備元件。本發(fā)明涉及的第5電子設(shè)備根據(jù)上述第1至第4電子設(shè)備的任意一個(gè)，還具備埋 設(shè)在所述基體內(nèi)，在所述第2傳熱層內(nèi)從存在于所述基體的下表面周邊區(qū)域的上方的部分 向所述基體的下表面延伸的側(cè)通孔。


圖1是本發(fā)明第1實(shí)施方式涉及的具備電子元件用封裝的電子設(shè)備的立體圖。圖2是用于說(shuō)明陶瓷體形成工序的圖，是在圖1所示的A-A’線切斷的電子元件用 封裝的剖面圖。圖3是煅燒了陶瓷層疊體之后的電子元件用封裝的剖面圖。圖4是表示電子元件用封裝中配置了電子元件的狀態(tài)的剖面圖。圖5是表示在電子元件用封裝中用樹(shù)脂覆蓋了電子元件的狀態(tài)的剖面圖。圖6是用于說(shuō)明本發(fā)明第2實(shí)施方式涉及的電子元件用封裝的陶瓷體形成工序的 圖，是在與圖1所示的A-A’線相同的線切斷的剖面圖。圖7是煅燒了陶瓷層疊體之后的電子元件用封裝的剖面圖。圖8是表示在電子元件用封裝中配置了電子元件的狀態(tài)的剖面圖。圖9是表示在電子元件用封裝的腔室中填充了樹(shù)脂之后的狀態(tài)的剖面圖。圖10是表示第2實(shí)施方式的電極配置例的剖面圖。圖11是表示在第3實(shí)施方式中的電子元件用封裝的腔室中填充了樹(shù)脂之后的狀 態(tài)的剖面圖。圖12是表示在第4實(shí)施方式中的電子元件用封裝的腔室中填充了樹(shù)脂之后的狀 態(tài)的剖面圖。圖13是表示在第4實(shí)施方式中的其他電子元件用封裝的腔室中填充了樹(shù)脂之后 的狀態(tài)的剖面圖。圖14是表示在第4實(shí)施方式中的又一其他電子元件用封裝的腔室中填充了樹(shù)脂 之后的狀態(tài)的剖面圖。圖15是表示以往例中的電子元件用封裝的狀態(tài)的剖面圖。
具體實(shí)施例方式以下，根據(jù)附圖具體地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。
(第1實(shí)施方式)圖1 圖5是對(duì)于本發(fā)明第1實(shí)施方式涉及的電子設(shè)備表示完成品及其制造方法 的工序的剖面圖。這里，圖2 圖5是沿圖1所示的A-A’線的剖面圖，后述的圖6 圖9 也同樣。此外，在第2 第4實(shí)施方式的說(shuō)明中所用的圖10 圖14也同樣。如圖1所示，本實(shí)施方式的電子設(shè)備具備由陶瓷材料構(gòu)成的基體2，在該基體2的 上表面2a，配置有第1傳熱層8、電子設(shè)備元件1、電極10 (正極和負(fù)極等)、連接電子設(shè)備元 件1的金線12、包含熒光體的樹(shù)脂6，另一方面在基體2的下表面，配置有第1放熱層9 (在 圖1中省略)。在陶瓷體形成工序中，如圖2所示，通過(guò)層疊多個(gè)由具有絕緣性的陶瓷材料構(gòu)成 的陶瓷片21，從而形成陶瓷片21的層疊體711 (成為燒結(jié)后基體2)。在陶瓷體形成工序中， 還在層疊體711 (成為燒結(jié)后基體2)的上表面中央?yún)^(qū)域形成應(yīng)配置有電子設(shè)備元件1的第 1傳熱層8，并且在該上表面的周邊區(qū)域形成應(yīng)連接于電子設(shè)備元件1的電極10。此外，在 層疊體711 (成為燒結(jié)后基體2)的下表面中央?yún)^(qū)域形成第1放熱層9，并且在該下表面的周 邊區(qū)域配置電極10。而且，在層疊體711 (成為燒結(jié)后基體2)上形成連接上表面?zhèn)鹊碾姌O 10和下表面?zhèn)鹊碾姌O10的電極連接用通孔11，在該電極連接用通孔11中填充電極漿料。 另外，也可以在煅燒層疊體711從而形成了基體2之后，形成第1傳熱層8、電極10以及第 1放熱層9。這里，在被層疊的陶瓷片21上分別形成多個(gè)填充了金屬漿料等的通孔4，這些通 孔4配置為屬于不同陶瓷片21的通孔彼此相互重合。因此，在通孔4的燒結(jié)后，相互重合 的通孔4彼此結(jié)合而形成導(dǎo)熱通孔51，由此成為第1傳熱層8和第1放熱層9經(jīng)由導(dǎo)熱通 孔51相互連接的情況。此外，在形成層疊體711 (成為燒結(jié)后基體2)時(shí)，在多個(gè)陶瓷片21內(nèi)相互相鄰的 一對(duì)陶瓷片21之間，形成第2傳熱層52。具體而言，第2傳熱層52形成為在層疊體711 (成 為燒結(jié)后基體2)的下表面中央?yún)^(qū)域的上方位置與導(dǎo)熱通孔51交叉，并且延伸到層疊體 711 (成為燒結(jié)后基體2)的下表面周邊區(qū)域的上方。對(duì)于導(dǎo)熱通孔51和第2傳熱層52，采用熱傳導(dǎo)率高的銀(Ag)或銅(Cu)等金屬。 此外，對(duì)于形成陶瓷片21的陶瓷，采用能夠與第1傳熱層8和第2傳熱層52同時(shí)煅燒的低 溫同時(shí)煅燒陶瓷(LTCC)。但是，在作為導(dǎo)熱通孔51和第2傳熱層52的材料而采用高熔點(diǎn) 的金屬材料的情況下，作為陶瓷片21的材料，可以使用高溫煅燒用的陶瓷材。上述第1放熱層9在對(duì)安裝基板和放熱板等進(jìn)行焊接時(shí)作為連接部來(lái)使用。但 是，將第1放熱層9形成在層疊體711 (成為燒結(jié)后基體2)的下表面，由此通過(guò)層疊體711 的煅燒而形成的基體2有可能翹曲。另一方面，通過(guò)調(diào)節(jié)第2傳熱層52的厚度使其比第1 放熱層9變薄或變厚，從而能夠調(diào)整煅燒后的基體2的翹曲。因此，通過(guò)調(diào)整第2傳熱層52 的厚度，能夠制作基體2的翹曲量小的電子設(shè)備。此外，在采用發(fā)光設(shè)備元件作為電子設(shè)備元件1的情況下，第2傳熱層52還作為 反射來(lái)自該發(fā)光設(shè)備元件的光的反射層起作用。因?yàn)閷⒌?傳熱層52埋設(shè)在基體2的內(nèi) 部，所以在包含熒光體的樹(shù)脂6與第2傳熱層52之間不會(huì)產(chǎn)生反應(yīng)等，從而成為可以防止 由該反應(yīng)等引起的反射率的降低。這里，考慮反射率的大小時(shí)，以銀> LTCC >金的順序變大。銀若與在后工序使用
5的包含熒光體的樹(shù)脂6直接接觸則被氧化(硫化)等從而反射率降低，但是LTCC和金即使 與樹(shù)脂6接觸也幾乎不反應(yīng)。因此優(yōu)選跨廣大范圍，通過(guò)反射率高且與樹(shù)脂6幾乎不反應(yīng) 的LTCC的露出面來(lái)形成基體2的上表面2a，僅搭載發(fā)光元件的區(qū)域被第1傳熱層8覆蓋。 即，在從第1傳熱層8向基體2的外周引出線時(shí)，優(yōu)選按照該線一定通過(guò)LTCC的露出面的 方式在基體2的上表面2a配置第1傳熱層8。此外，優(yōu)選電極10由金形成。接著在煅燒工序中煅燒層疊體711。由此，如圖3所示，在層疊體711上所形成的 通孔4彼此相互連結(jié)，形成將基體2從上表面2a到下表面2b貫通的導(dǎo)熱通孔51，此外，交 叉的導(dǎo)熱通孔51與第2傳熱層52接合。在本實(shí)施方式中，作為形成基體2的陶瓷采用了低溫同時(shí)煅燒陶瓷(LTCC)，所以 能夠用800°C 1000°C的溫度使該陶瓷燒結(jié)。因此，能夠抑制導(dǎo)熱通孔51、第1傳熱層8、 第2傳熱層52、第1放熱層9所采用的金屬材料的異常收縮等的同時(shí)使層疊體711燒結(jié)。此外，對(duì)于第2傳熱層52，因?yàn)槠渲髟鲜墙饘偎员忍沾扇彳?。因此，若為了?善傳熱而擴(kuò)大平行于基體2的上表面2a的第2傳熱層52的截面積，燒結(jié)后的第2傳熱層 52的截面容易凹陷，此外，封裝本身的強(qiáng)度容易變?nèi)酢５?，在本?shí)施例的形態(tài)在，在層疊體 711中第2傳熱層52夾在陶瓷片21中。因此，第2傳熱層52的截面難以凹陷，此外，封裝 的強(qiáng)度難以變?nèi)?。而且，?傳熱層52與導(dǎo)熱通孔51交叉，所以對(duì)基體2整體容易放熱。而且，在電子設(shè)備元件1小的情況下，該電子設(shè)備元件1的正下方的通孔4的截面 積變小。但是，根據(jù)本結(jié)構(gòu)，可以擴(kuò)大導(dǎo)熱通孔51和第2傳熱層52的合計(jì)放熱面積。接著在電子設(shè)備元件1設(shè)置工序中，如圖4所示，在由煅燒工序煅燒的第1傳熱層 8上設(shè)置電子設(shè)備元件1，用金線12連接于電極10 (由金等構(gòu)成)等。接著在用包含熒光體的樹(shù)脂6覆蓋基體2的上表面2a的工序中，如圖5所示，用 包含熒光體的樹(shù)脂6覆蓋電子設(shè)備元件1，并使該樹(shù)脂6固化。由此，制作本發(fā)明第1實(shí)施 方式涉及的電子元件設(shè)備。在所制作的電子設(shè)備中，從電子設(shè)備元件1發(fā)生的熱從第1傳熱層8通過(guò)導(dǎo)熱通 孔51向基體2的下表面2b移動(dòng)并從下表面放出。此時(shí)，熱也從導(dǎo)熱通孔51向第2傳熱層 52傳遞，擴(kuò)散在基體2中。因此，能夠高效地從設(shè)備整體放出電子設(shè)備元件1的熱。此外，由于形成第1傳熱層8和第1放熱層9而基體2的翹曲變大，但是通過(guò)在基 體2內(nèi)形成第2傳熱層52，能夠緩和基體2的翹曲。此外，上述電子設(shè)備在基體2的上表面具有即使第1傳熱層8與電子設(shè)備元件1 相同大小也能夠高效地放熱的構(gòu)造。因此，在電子設(shè)備元件1是發(fā)光元件時(shí)，盡可能減小第 1傳熱層8的面積而擴(kuò)大形成基體2的LTCC的露出面積，由此能夠防止反射率的降低。(第2實(shí)施方式)圖6 圖9是對(duì)于本發(fā)明第2實(shí)施方式涉及的電子設(shè)備表示完成品及其制造方法 的工序的剖面圖。另外，連接電子設(shè)備元件1的電極等用與第1實(shí)施方式同樣的方法形成， 所以省略說(shuō)明。如圖6所示，在本實(shí)施方式的陶瓷體形成工序形成的層疊體712，在第1實(shí)施方式 的層疊體711的基礎(chǔ)上，在基體2的上表面配置有框體31，通過(guò)該框體31的內(nèi)周面和基體 2的上表面形成有空間31a (成為燒結(jié)后腔室31a)。在這點(diǎn)上，本實(shí)施方式的層疊體712與 第1實(shí)施方式的層疊體711不同。
在框體31的空間31a中，在該空間31a區(qū)域中形成有在所述層疊體712的上表面 中央?yún)^(qū)域配置電子設(shè)備元件1的第1傳熱層8。在層疊體712 (成為燒結(jié)后基體2)的下表 面中央?yún)^(qū)域形成第1放熱層9。另外，也可以在煅燒層疊體712從而形成基體2之后形成第 1傳熱層8和第1放熱層9。在陶瓷片21的每一個(gè)上形成有通孔4。此外，第2傳熱層52與第1實(shí)施方式同樣 地形成。接著在煅燒工序中，通過(guò)煅燒在陶瓷體形成工序形成的層疊體712和框體31，基 體2和框體31被接合一體化，制作圖7所示的電子設(shè)備元件用封裝73。然后，通過(guò)框體31的燒結(jié)，形成由框體31的內(nèi)周面和基體2的上表面構(gòu)成的腔室 3a。這里，在電子設(shè)備元件1是發(fā)光元件的情況下，通過(guò)在腔室3a內(nèi)也適用如第1實(shí)施方 式所述的那樣第2傳熱層52還作為反射層起作用的結(jié)構(gòu)，不僅能夠改善放熱，還通過(guò)基體 2的上表面和腔室3a的內(nèi)周面的兩面而高效地反射來(lái)自發(fā)光元件的光。在本實(shí)施方式中，作為形成基體2和框體31的陶瓷，采用了低溫同時(shí)煅燒陶瓷 (LTCC)，所以能夠用800°C 1000°C的溫度使該陶瓷燒結(jié)。接著在電子元件設(shè)置工序中，如圖8所示，在由煅燒工序制作的電子設(shè)備元件用 封裝73的第1放熱層8上配置電子設(shè)備元件1。接著，在樹(shù)脂填充工序中，在圖9所示的腔室3a的內(nèi)部填充包含熒光體的樹(shù)脂6， 并使該樹(shù)脂6硬化。由此，制作本發(fā)明第2實(shí)施方式涉及的電子設(shè)備。在所制作的電子設(shè)備中，發(fā)揮與第1實(shí)施例同樣的放熱效果。此外，通過(guò)電子設(shè)備具有腔室3a，在電子設(shè)備元件1是發(fā)光元件時(shí)，能夠高效地反 射發(fā)光元件的光。此外，作為例，能夠形成圖10所示那樣的電極連接用通孔11和電極10。(第3實(shí)施方式)采用圖11說(shuō)明第3實(shí)施方式。在第3實(shí)施方式中，與第2實(shí)施方式不同的點(diǎn)是 第2傳熱層52形成為在基體2的側(cè)面露出。這以外的構(gòu)造以及制造方法與第2實(shí)施方式 相同。根據(jù)本實(shí)施方式涉及的電子設(shè)備，因?yàn)榈?傳熱層52在基體2的側(cè)面露出，所以 提高從基體2向外部的放熱特性。而且，通過(guò)在第2傳熱層52的側(cè)面形成露出部，向基體2 外部的放熱變好。而且，如圖11所示，通過(guò)在第2傳熱層52的側(cè)面形成側(cè)部傳熱層12，在 對(duì)安裝基板進(jìn)行焊接時(shí)形成角焊縫(fillet)，放熱特性比第1、第2實(shí)施方式進(jìn)一步提高。(第4實(shí)施方式)采用圖12說(shuō)明第4實(shí)施方式。在第4實(shí)施方式中，與第2實(shí)施方式不同的點(diǎn)是 第2傳熱層52被層疊多個(gè)，而不是一個(gè)。這以外的構(gòu)造及制造方法與第2實(shí)施方式相同。根據(jù)本實(shí)施方式涉及的電子設(shè)備，因?yàn)閷盈B多個(gè)第2傳熱層52，所以與第2實(shí)施方 式相比，向基體2的傳熱量變大，因此放熱特性提高。此外，由于第 在多個(gè)， 所以封裝的翹曲的調(diào)整容易。此外，如圖13所示，對(duì)于埋設(shè)在基體2中的多個(gè)第2傳熱層52，通過(guò)分別改變與基 體2的上表面大致垂直的方向的厚度，能夠精度良好的調(diào)整封裝的翹曲。因此，根據(jù)上述第 4實(shí)施方式涉及的電子設(shè)備，與第1、2、3實(shí)施方式涉及的電子設(shè)備相比，能夠使放熱特性提高，此外能夠使翹曲的調(diào)整精度提高。此外，如圖14所示，也可以在基體2中形成側(cè)通孔41，該側(cè)通孔41在第2傳熱層 52內(nèi)從存在于基體2的下表面周邊區(qū)域的上方位置的部分向基體2的下表面延伸，與第2 放熱層9a連接。由此，第2放熱層9a和第1放熱層9a成為相互連結(jié)。這里，在側(cè)通孔41 中填充有熱傳導(dǎo)良好的金屬材料。根據(jù)第4實(shí)施方式涉及的電子設(shè)備，與第1、2、3實(shí)施方式涉及的電子設(shè)備相比，放 熱特性提高。另外，本發(fā)明的各部結(jié)構(gòu)不限于上述實(shí)施方式，在權(quán)利要求書(shū)中所記載的技術(shù)范 圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變形。
權(quán)利要求
一種電子設(shè)備，具備由陶瓷材料構(gòu)成的基體；電子設(shè)備元件，其隔著由金屬材料構(gòu)成的第1傳熱層，配置在所述基體的上表面的中央?yún)^(qū)域；第1放熱層，其形成在所述基體的下表面的中央?yún)^(qū)域，由金屬材料構(gòu)成；多個(gè)導(dǎo)熱通孔，配設(shè)在所述基體內(nèi)，由金屬材料構(gòu)成，且連結(jié)所述第1傳熱層和所述第1放熱層；和第2傳熱層，其埋設(shè)在所述基體內(nèi)，由金屬材料構(gòu)成，且從所述基體的下表面中央?yún)^(qū)域的上方延伸到所述基體的下表面周邊區(qū)域的上方并且與所述多個(gè)導(dǎo)熱通孔交叉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，還具備第2放熱層，其形成在所述基體的下表面的周邊區(qū)域，由金屬材料構(gòu)成；和多個(gè)第2導(dǎo)熱通孔，埋設(shè)在所述基體內(nèi)，由金屬材料構(gòu)成，且連結(jié)所述第2傳熱層和所 述第2放熱層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，所述第2放熱層向所述基體的側(cè)面延伸，其前端部在該側(cè)面的表面露出。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，還具備框體，其配置在所述基體的上表面，由陶瓷材料構(gòu)成，所述框體具有由所述框體的內(nèi)周面和所述基體的上表面構(gòu)成的腔室，在該腔室內(nèi)設(shè)置 有電子設(shè)備元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，還具備側(cè)通孔，其埋設(shè)在所述基體內(nèi)，在所述第2傳熱層內(nèi)從存在于所述基體的下表 面的周邊區(qū)域的上方的部分向所述基體的下表面延伸。
全文摘要
本發(fā)明涉及的第1電子設(shè)備具備由陶瓷材料構(gòu)成的基體；隔著由金屬材料構(gòu)成的第1傳熱層配置在所述基體的上表面的中央?yún)^(qū)域的電子設(shè)備元件；形成在所述基體的下表面的中央?yún)^(qū)域，由金屬材料構(gòu)成的第1放熱層；配設(shè)在所述基體內(nèi)，由金屬材料構(gòu)成，連結(jié)所述第1傳熱層和所述第1放熱層的多個(gè)導(dǎo)熱通孔；埋設(shè)在所述基體內(nèi)，由金屬材料構(gòu)成，從所述基體的下表面中央?yún)^(qū)域的上方延伸到所述基體的下表面周邊區(qū)域的上方并且與所述多個(gè)導(dǎo)熱通孔交叉的第2傳熱層。
文檔編號(hào)H01L23/13GK101853820SQ20101013433
公開(kāi)日2010年10月6日 申請(qǐng)日期2010年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月31日
發(fā)明者人見(jiàn)卓磨, 伊藤秀樹(shù), 山腰清, 本鄉(xiāng)政紀(jì), 福山正美, 高木秀樹(shù) 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社;三洋電波工業(yè)株式會(huì)社