專(zhuān)利名稱：半導(dǎo)體光電元件以及四方扁平無(wú)引腳的光電元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體光電元件以及四方扁平無(wú)引腳的光電元件，且特別是 有關(guān)于一種可屏蔽電磁干擾的半導(dǎo)體光電元件以及四方扁平無(wú)引腳的光電元件。
背景技術(shù)：
已知的紅外線接收模塊(Infrared receiver Module, IRM)的制作，是將一具有 紅外線感測(cè)功能的半導(dǎo)體芯片以及一控制芯片封裝至線路基板上，并電性連接半導(dǎo)體芯片 以及控制芯片，以構(gòu)成一紅外線接收模塊 。于已知技術(shù)中，會(huì)在紅外線接收模塊上外加一鐵 殼，以屏蔽電磁干擾(electromagnetic interference, EMI)。然而，外加鐵殼會(huì)增加工藝 步驟、紅外線接收模塊的體積并提高制作成本。此外，鐵殼既不易設(shè)計(jì)，亦不易安裝在線路 基板上，且需仰賴人工或是特制機(jī)臺(tái)才能安裝鐵殼，故安裝難度高且安裝良率偏低。另外，紅外線接收模塊所使用的線路基板必須滿足高溫回焊(reflow)及符合歐 盟各國(guó)制訂的限制電子及電器設(shè)備使用有害物質(zhì)指令(簡(jiǎn)稱RoHS指令)與無(wú)鹵素的環(huán)保 的要求，使得所使用的線路基板受到限制。再者，為了符合小型化的趨勢(shì)，線路基板也勢(shì)必做到小尺寸，且于線路基板上也必 須要有半盲孔的設(shè)計(jì)，才能使紅外線接收模塊達(dá)到平放(即紅外線感測(cè)的半導(dǎo)體芯片朝 上)或側(cè)放(即紅外線感測(cè)的半導(dǎo)體芯片朝左或朝右)皆能接收紅外光的需求。然而，線 路基板若需同時(shí)滿足小尺寸與具有半盲孔的設(shè)計(jì)，則需要較高的制造成本，且半盲孔還需 常刮除殘留的金屬層，此亦會(huì)額外增加人力成本。雖然將具有紅外線感測(cè)功能的半導(dǎo)體芯片配置于金屬引腳外露折出的導(dǎo)線架上 所形成的紅外線接收模塊，可滿足平放或側(cè)放皆能使紅外線感測(cè)的半導(dǎo)體芯片接收紅外光 的需求，但因金屬引腳外露折出的導(dǎo)線架其體積與厚度較大，而無(wú)法達(dá)成現(xiàn)今小型化的目 的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體光電元件，可屏蔽電磁干擾。本發(fā)明提供一種四方扁平無(wú)引腳的光電元件，其可減少生產(chǎn)成本且具有較小的封 裝體積。本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體光電元件包括一基板、一控制芯片、一光感測(cè)芯片以及一 第一封裝膠體。控制芯片配置于基板上，并與基板電性連接。光感測(cè)芯片配置于基板上，并 與控制芯片電性連接。第一封裝膠體包覆控制芯片，第一封裝膠體的材質(zhì)為一絕緣材料，且 絕緣材料摻雜有不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料包括鐵氧化物。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料包括四氧化三鐵(Fe3O4)、Sr-Fe2O4、磁 ζ赤鐵礦(Y -Fe2O3)、Mn0.5Zn0.5Fe204, Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe204 或 Mn0.5Ni0.5Fe204。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，基板包括線路板或?qū)Ь€架。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，導(dǎo)線架包括一芯片座以及多個(gè)引腳，控制芯片與光感測(cè) 芯片配置于芯片座上，且引腳位于芯片座的周?chē)?。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，半導(dǎo)體光電元件還包括一第二封裝膠體，其覆蓋控制芯 片與光感測(cè)芯片，且第二封裝膠體的材質(zhì)為一透光膠體。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，光感測(cè)芯片為一光電二極管(photodiode)或一光敏晶 體管(photortransistor)。本發(fā)明提出一種四方扁平無(wú)引腳的光電元件，其包括一引腳框架、一控制芯片、一 光感測(cè)芯片、一第一焊線、多條第二焊線、一第一封裝膠體以及一第二封裝膠體。引腳框架 具有一上表面與一相對(duì)于上表面的下表面，且引腳框架包括多個(gè)引腳?？刂菩酒渲糜谝?腳框架的上表面上。光感測(cè)芯片配置于引腳框架的上表面上。第一焊線連接控制芯片與光 感測(cè)芯片，以使光感測(cè)芯片與控制芯片電性連接。第二焊線連接控制芯片與這些引腳，以使 控制芯片與這些引腳電性連接。第一封裝膠體包覆控制芯片，第一封裝膠體的材質(zhì)為一絕 緣材料，且絕緣材料摻雜有不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料。第二封裝膠體包覆部分引腳框架、控制芯 片、光感測(cè)芯片、第一焊線以及這些第二焊線，且填充于這些引腳之間，第二封裝膠體的材 質(zhì)為一透光膠體。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的引腳框架還包括一芯片座。控制芯片與光感測(cè)芯 片配置于芯片座上，且這些引腳位于芯片座的周?chē)Ｔ诒景l(fā)明的一實(shí)施例中，上述的這些引腳的一與芯片座一體成型。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二封裝膠體具有至少一第一定位部，且第一定 位部為一凹陷或開(kāi)孔。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的四方扁平無(wú)引腳的光電元件還包括一金屬導(dǎo)電元 件。金屬導(dǎo)電元件配置于引腳框架的下表面上。第二封裝膠體包覆部分金屬導(dǎo)電元件，且 暴露出金屬導(dǎo)電元件相對(duì)遠(yuǎn)離引腳框架的一表面。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬導(dǎo)電元件具有一第二定位部。第二定位部配 置于金屬導(dǎo)電元件相對(duì)遠(yuǎn)離引腳框架的表面上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的每一引腳于下表面的末端外緣具有一凹部，且凹 部的形狀為一圓弧形。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的光感測(cè)芯片適于接收通過(guò)第二封裝膠體的一光信 號(hào)，且光信號(hào)的波長(zhǎng)范圍介于770納米至1100納米之間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的光感測(cè)芯片為一光電二極管(photodiode)或一 光敏晶體管(phototransistor)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的這些引腳包括一輸出引腳與一輸入引腳。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第二封裝膠體適于吸收可見(jiàn)光波段的光。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料包括鐵氧化物。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料包括四氧化三鐵(Fe3O4)、Sr-Fe2O4、磁 ζ赤鐵礦(Y -Fe2O3)、Mn0.5Zn0.5Fe204, Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe204 或 Mn0.5Ni0.5Fe204?；谏鲜?，由于本發(fā)明的第一封裝膠體摻雜有不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料，因此，第一封裝 膠體可將磁場(chǎng)導(dǎo)離控制芯片而達(dá)到屏蔽電磁干擾的效果。再者，由于本發(fā)明的光感測(cè)芯片 配置于一具有導(dǎo)電特性的引腳框架上，且第二封裝膠體僅暴露出可作為外部接點(diǎn)的引腳的表面，因此本發(fā)明的四方扁平無(wú)引腳的光電元件能平放(即光感測(cè)芯片朝上)或側(cè)放(即光感測(cè)芯片朝左或朝右)來(lái)使光感測(cè)芯片接收通過(guò)第二封裝膠體的光信號(hào)，且利用引腳框 架本身的導(dǎo)電特性而可直接于芯片座上進(jìn)行接地設(shè)計(jì)，進(jìn)可提升光電元件的生產(chǎn)效率，并 達(dá)到降低生產(chǎn)生本與小尺寸的目的。


為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳 細(xì)說(shuō)明如下，其中圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體光電元件的剖面示意圖。圖2A為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種四方扁平無(wú)引腳的光電元件的俯視示意圖。圖2B為圖2A的四方扁平無(wú)引腳的光電元件的仰視示意圖。圖2C為圖2A的四方扁平無(wú)引腳的光電元件其背部立體示意圖。
具體實(shí)施例方式圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體光電元件的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，本實(shí)施例 的半導(dǎo)體光電元件10包括一基板12、一控制芯片14、一光感測(cè)芯片16以及一第一封裝膠 體18。在本實(shí)施例中，基板12為一線路板?？刂菩酒?4配置于基板12上，并通過(guò)多條焊 線22與基板12電性連接。光感測(cè)芯片16配置于基板12上，并可通過(guò)焊線22與基板12 以及控制芯片14電性連接。在其它實(shí)施例中，控制芯片14與光感測(cè)芯片16可選擇性地覆 晶接合至基板12。光感測(cè)芯片16適于接收光信號(hào)，并可將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，而此光信號(hào)的波長(zhǎng) 范圍介于770納米至1100納米之間，意即光感測(cè)芯片16適于接收紅外線波段的光信號(hào)?？?制芯片14具有編碼、編碼及/或邏輯運(yùn)算的功能，且控制芯片14適于接收并處理由光感測(cè) 芯片16傳來(lái)的電信號(hào)。詳細(xì)而言，光感測(cè)芯片16可將接收到的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出， 而電信號(hào)可通過(guò)基板12而傳遞給控制芯片14，接著，控制芯片14可對(duì)光感測(cè)芯片16所輸 出的電信號(hào)進(jìn)行編碼、編碼及/或邏輯運(yùn)算。在本實(shí)施例中，光感測(cè)芯片16例如是一光電 二極管(photodiode)或一光敏晶體管(phototransistor)。第一封裝膠體18包覆控制芯片14以及焊線22，第一封裝膠體18的材質(zhì)為一 絕緣材料，且絕緣材料摻雜有不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料(未繪示)，其中不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料例如 為鐵氧化物，舉例來(lái)說(shuō)，不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料可為四氧化三鐵(Fe3O4)、Sr-Fe2O4、磁赤鐵礦 (Y -Fe2O3)、Mn0.5Zn0.5Fe204, Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe204, Mntl5Nia5Fe2O4 或是其它不導(dǎo)電但卻具有導(dǎo) 磁性的材料。在本實(shí)施例中，不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料的顆粒直徑約為1微米。值得注意的是，由于本實(shí)施例的第一封裝膠體18摻雜有不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料，因 此，第一封裝膠體18可將磁場(chǎng)導(dǎo)離控制芯片14而達(dá)到屏蔽電磁干擾的效果。如此一來(lái)，本 實(shí)施例僅需進(jìn)行一點(diǎn)膠的步驟以將第一封裝膠體18形成在控制芯片14上，即可以第一封 裝膠體18取代已知技術(shù)中的鐵殼，進(jìn)而可減少工藝步驟、減少半導(dǎo)體光電元件10的體積、 提升工藝良率以及降低制作成本。由前述可知，本實(shí)施例的第一封裝膠體18同時(shí)具有屏蔽 電磁干擾以及防止水氣或外界環(huán)境污染控制芯片14的功用。在本實(shí)施例中，為避免水氣或外界環(huán)境污染光感測(cè)芯片16以及控制芯片14，可在基板12上形成一第二封裝膠體20，其覆蓋光感測(cè)芯片16、第一封裝膠體18以及控制芯片 14。此外，為使光信號(hào)可通過(guò)第二封裝膠體20而被光感測(cè)芯片16接收，第二封裝膠體20的 材質(zhì)為一透光膠體。在其它未繪示的實(shí)施例中，第二封裝膠體20可僅覆蓋光感測(cè)芯片16。以下將詳細(xì)介紹當(dāng)基板為導(dǎo)線架時(shí)的實(shí)施例。值得注意的是，以下是以四方扁平 無(wú)引腳的光電元件為例，但并非用以限定本發(fā)明。具體而言，本發(fā)明的半導(dǎo)體光電元件可采 用各種形式的封裝結(jié)構(gòu)，而不限定在四方扁平無(wú)引腳式的封裝結(jié)構(gòu)。值得注意的是，在下述 實(shí)施例中，(四方扁平無(wú)引腳的光電元件的)元件名稱與圖1中的元件名稱相同，其材質(zhì)亦 相同于圖1中的元件的材質(zhì)，于此不再贅述。圖2A為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種四方扁平無(wú)引腳的光電元件的俯視示意圖，圖 2B為圖2A的四方扁平無(wú)引腳的光電元件的仰視示意圖，圖2C為圖2A的四方扁平無(wú)引腳的 光電元件其背部立體示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖2A、圖2B與圖2C，在本實(shí)施例中，四方扁平無(wú)引 腳的光電元件100 包括一引腳框架110、一控制芯片120、一光感測(cè)芯片130、一第一焊線140、多條第二焊線 150、一第一封裝膠體M以及一第二封裝膠體160。詳細(xì)而言，引腳框架110具有一上表面112與一相對(duì)于上表面112的下表面114， 且引腳框架110包括多個(gè)引腳116a-116c與一芯片座118，其中引腳116a_116c皆配置于芯 片座118的周?chē)?，且引腳116a-116c于下表面114的末端外緣皆具有一形狀例如是圓弧形 的凹部117，可作為定位標(biāo)記。特別是，在本實(shí)施例中，引腳框架110的材質(zhì)可為金屬導(dǎo)電材 質(zhì)，且引腳116a與芯片座118為一體成型，而此與芯片座118 —體成型的引腳116a可視為 一接地引腳?？刂菩酒?20與光感測(cè)芯片130皆配置于引腳框架110的上表面112，且位于芯片 座118上。第一焊線140連接于控制芯片120與光感測(cè)芯片130之間，使光感測(cè)芯片130 通過(guò)第一焊線140與控制芯片120電性連接。二第二焊線150分別連接于控制芯片120與引腳116b之間以及控制芯片120與 引腳116c之間，使控制芯片120通過(guò)二第二焊線150與引腳116b、116c電性連接，其中引 腳116b為一輸出引腳，而引腳116c為一輸入引腳。一般來(lái)說(shuō)，輸入引腳通常是一電源端，主 要是供給電能至控制芯片120上，以供控制芯片120使用，而輸出引腳通常是信號(hào)輸出端， 其可使控制芯片120對(duì)光信號(hào)進(jìn)行編碼、編碼或邏輯運(yùn)算后的信號(hào)通過(guò)輸出引腳而電性連 接至外部電路。值得一提的是，本發(fā)明并不限定引腳116b與引腳116c的形態(tài)，雖然此處所提及的 引腳116b為一輸出引腳，而引腳116c為一輸入引腳，但于其它實(shí)施例中，引腳116b亦可為 一輸入引腳，而引腳116c亦可為一輸出引腳，仍屬于本發(fā)明可采用的技術(shù)方案，不脫離本 發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。第一封裝膠體M包覆控制芯片120。值得注意的是，由于本實(shí)施例的第一封裝膠體 M摻雜有不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料，因此，第一封裝膠體M可將磁場(chǎng)導(dǎo)離控制芯片120而達(dá)到屏蔽 電磁干擾的效果。第二封裝膠體160包覆部分引腳框架110、控制芯片120、光感測(cè)芯片130、第一封 裝膠體M、第一焊線140以及二第二焊線150，且填充于引腳116a-116c之間，其中第二封裝 膠體160暴露出引腳116a-116c的下表面114，可作為電性連接至外部裝置的電性接點(diǎn)。在本實(shí)施例中，第二封裝膠體160可阻隔大部分可見(jiàn)光的波長(zhǎng)進(jìn)入光感測(cè)芯片130內(nèi)，例如是 靠近紅光波段，如此可降低光感測(cè)芯片130接收光信號(hào)時(shí)的噪聲。此外，第二封裝膠體160 具有二第一定位部162，分別位于第二封裝膠體160的側(cè)邊，用以作為定位標(biāo)記，而第一定 位部162例如是凹陷或開(kāi)孔。在本實(shí)施例中，由于光感測(cè)芯片130配置于一具有導(dǎo)電特性的引腳框架110上，且 第二封裝膠體160僅暴露出可作為外部接點(diǎn)的引腳116a-116c的下表面114，因此本實(shí)施 例的四方扁平無(wú)引腳的光電元件100能由引腳框110本身可導(dǎo)電的特性來(lái)滿足平放(即光 感測(cè)芯片130朝上)或側(cè)放(即光感測(cè)芯片130朝左或朝右)引腳框架110時(shí)皆能使光感 測(cè)芯片130接收通過(guò)第二封裝膠體160的光信號(hào)，而此光信號(hào)的波長(zhǎng)范圍介于770納米至 1100納米之間。此外，由于第二封裝膠體160包覆部分引腳框架110，僅暴露出可作為外部接點(diǎn)的 引腳116a-116c的下表面114，因此相對(duì)于已知的紅外線接收模塊而言，本實(shí)施例的四方扁 平無(wú)引腳的光電元件100可符合小型化的需求。另外，本實(shí)施例的引腳框架110具有導(dǎo)電 特性，因此可以直接于芯片座118進(jìn)行接地設(shè)計(jì)，而不需進(jìn)行額外的導(dǎo)接作業(yè)，可節(jié)省成本 以及減少光電元件外型的限制。另外，本實(shí)施例的四方扁平無(wú)引腳的光電元件100還包括一金屬導(dǎo)電元件170，其 中金屬導(dǎo)電元件170配置于引腳框架110的下表面114上，且第二封裝膠體160包覆部分 金屬導(dǎo)電元件170，并暴露出金屬導(dǎo)電元件170相對(duì)遠(yuǎn)離引腳框架110的一表面172。特別 是，金屬導(dǎo)電元件170在此可作為一散熱器，用以將控制芯片120與光感測(cè)芯片130所產(chǎn)生 的熱能從第二封裝膠體160未覆蓋的表面172散出，或者，金屬導(dǎo)電元件170可作為一接地 設(shè)計(jì)，使未被第二封裝膠體160覆蓋的表面172可直接與外界接地。此外，金屬導(dǎo)電元件170具有一第二定位部174，其中第二定位部174配置于金屬 導(dǎo)電元件170相對(duì)遠(yuǎn)離引腳框架110的表面172上，可作為一定位標(biāo)記。當(dāng)四方扁平無(wú)引 腳的光電元件100與其它外部裝置電性連接時(shí)，除了可由金屬導(dǎo)電元件170的第二定位部 174來(lái)定位外，亦可由第二封裝膠體160的第一定位部162或引腳116a_116c的凹穴117來(lái) 定位。綜上所述，由于本發(fā)明的第一封裝膠體摻雜有不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料，因此，第一封裝 膠體可將磁場(chǎng)導(dǎo)離控制芯片而達(dá)到屏蔽電磁干擾的效果。如此一來(lái)，第一封裝膠體可取代 已知技術(shù)中的鐵殼，進(jìn)而可減少工藝步驟、減少半導(dǎo)體光電元件的體積、提升工藝良率以及 降低制作成本。再者，由于本發(fā)明的光感測(cè)芯片配置于一具有導(dǎo)電特性的引腳框架上，且第二封 裝膠體僅暴露出可作為外部接點(diǎn)的引腳的表面，因此本發(fā)明的四方扁平無(wú)引腳的光電元件 能采用平放(即光感測(cè)芯片朝上)或側(cè)放(即光感測(cè)芯片朝左或朝右)的設(shè)計(jì)，以使光感測(cè) 芯片可接收通過(guò)第二封裝膠體的光信號(hào)。此外，利用引腳框架本身的導(dǎo)電特性亦可直接于 芯片座進(jìn)行接地設(shè)計(jì)，以提升光電元件的生產(chǎn)效率，并達(dá)到降低生產(chǎn)生本與小尺寸的目的。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明 的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體光電元件，包括一基板；一控制芯片，配置于該基板上，并與該基板電性連接；一光感測(cè)芯片，配置于該基板上，并與該控制芯片電性連接；以及一第一封裝膠體，包覆該控制芯片，該第一封裝膠體的材質(zhì)為一絕緣材料，且該絕緣材料摻雜有一不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料包括鐵氧化物。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料包括四氧化三鐵、 Sr-Fe2O4、磁赤鐵礦、Mn0 5Zn0 5Fe204> Ni0.25Cu0.25Zn0 5Fe204 或 Mn0 5Ni0.5Fe204o
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該基板包括線路板或?qū)Ь€架。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該導(dǎo)線架包括一芯片座以及多個(gè)引腳， 該控制芯片與該光感測(cè)芯片配置于該芯片座上，且所述引腳位于該芯片座的周?chē)?br> 6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，還包括一第二封裝膠體，覆蓋該控制芯片與該光感測(cè)芯片，且該第二封裝膠體的材質(zhì)為一透 光膠體。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電元件，其中該光感測(cè)芯片為一光電二極管或一光敏晶體管。
8.一種四方扁平無(wú)引腳的光電元件，包括一引腳框架，具有一上表面與一相對(duì)于該上表面的下表面，且該引腳框架包括多個(gè)引腳；一控制芯片，配置于該引腳框架的該上表面上； 一光感測(cè)芯片，配置于該引腳框架的該上表面上；一第一焊線，連接該控制芯片與該光感測(cè)芯片，以使該光感測(cè)芯片與該控制芯片電性 連接；多條第二焊線，連接該控制芯片與所述引腳，以使該控制芯片與所述引腳電性連接； 一第一封裝膠體，包覆該控制芯片，該第一封裝膠體的材質(zhì)為一絕緣材料，且該絕緣材 料摻雜有不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料；以及一第二封裝膠體，包覆部分該引腳框架、該控制芯片、該光感測(cè)芯片、該第一焊線以及 所述第二焊線，且填充于所述引腳之間，該第二封裝膠體的材質(zhì)為一透光膠體。
9.如權(quán)利要求8所述的四方扁平無(wú)引腳的光電元件，其中該引腳框架還包括一芯片 座，該控制芯片與該光感測(cè)芯片配置于該芯片座上，且所述引腳位于該芯片座的周?chē)?br> 10.如權(quán)利要求9所述的四方扁平無(wú)引腳的光電元件，其中所述引腳的一與該芯片座 一體成型。
11.如權(quán)利要求8所述的四方扁平無(wú)引腳的光電元件，其中該第二封裝膠體具有至少 一第一定位部，且該第一定位部為一凹陷或開(kāi)孔。
12.如權(quán)利要求8所述的四方扁平無(wú)引腳的光電元件，還包括一金屬導(dǎo)電元件，配置于 該引腳框架的該下表面上，該第二封裝膠體包覆部分該金屬導(dǎo)電元件，且暴露出該金屬導(dǎo) 電元件相對(duì)遠(yuǎn)離該引腳框架的一表面。
13.如權(quán)利要求12所述的四方扁平無(wú)引腳的光電元件，其中該金屬導(dǎo)電元件具有一第二定位部，配置于該金屬導(dǎo)電元件相對(duì)遠(yuǎn)離該引腳框架的該表面上。
14.如權(quán)利要求8所述的四方扁平無(wú)引腳的光電元件，其中每一所述引腳于該下表面 的末端外緣具有一凹部，且該凹部的形狀為一圓弧形。
15.如權(quán)利要求8所述的四方扁平無(wú)引腳的光電元件，其中該光感測(cè)芯片適于接收通 過(guò)該第二封裝膠體的一光信號(hào)，且該光信號(hào)的波長(zhǎng)范圍介于770納米至1100納米之間。
16.如權(quán)利要求15所述的四方扁平無(wú)引腳的光電元件，其中該光感測(cè)芯片為一光電二 極管或一光敏晶體管。
17.如權(quán)利要求8所述的四方扁平無(wú)引腳的光電元件，其中所述引腳包括一輸出引腳 與一輸入引腳。
18.如權(quán)利要求8所述的四方扁平無(wú)引腳的光電元件，其中該第二封裝膠體適于吸收 可見(jiàn)光波段的光。
19.如權(quán)利要求8所述的四方扁平無(wú)引腳的光電元件，其中該不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料包括 鐵氧化物。
20.如權(quán)利要求8所述的四方扁平無(wú)引腳的光電元件，其中該不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料包括 四氧化三鐵、Sr-Fe204、磁赤鐵礦、Mn0.5Zn0.5Fe204, Ni0.25Cu0.25Zn0.5e204 或 Mn。.5Ni。.5Fe204。
全文摘要
一種半導(dǎo)體光電元件包括一基板、一控制芯片、一光感測(cè)芯片以及一封裝膠體。控制芯片配置于基板上，并與基板電性連接。光感測(cè)芯片配置于基板上，并與基板以及控制芯片電性連接。封裝膠體包覆控制芯片，封裝膠體的材質(zhì)為一絕緣材料，且絕緣材料摻雜有不導(dǎo)電的導(dǎo)磁材料。本發(fā)明還提供一種四方扁平無(wú)引腳的光電元件。
文檔編號(hào)H01L25/00GK101819963SQ20101011660
公開(kāi)日2010年9月1日 申請(qǐng)日期2010年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月27日
發(fā)明者賴律名 申請(qǐng)人:億光電子工業(yè)股份有限公司