專利名稱：具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤指一種具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)及其 制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體封裝件(Semiconductor Package)為一種將半導(dǎo)體芯片(chip)電性連接 在導(dǎo)線架或基板的承載件上，再以如環(huán)氧樹(shù)脂的封裝膠體包覆在該半導(dǎo)體芯片及承載件 上，以通過(guò)該封裝膠體保護(hù)該半導(dǎo)體芯片及承載件，而能避免外界的水氣或污染物的侵害。而現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝件于運(yùn)行時(shí)，多少會(huì)受外界的電磁(EMI)等噪聲干擾，導(dǎo)致 該半導(dǎo)體封裝件的電性運(yùn)行功能不正常，因此影響整體的電性功能。有鑒于現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件易受電磁干擾的問(wèn)題，而有如美國(guó)專利第5，166，772號(hào) 揭露于封裝膠體中嵌埋金屬罩的結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參閱圖1，其為美國(guó)專利第5，166，772號(hào)的封裝結(jié)構(gòu)立體剖視示意圖；如圖所 示，于基板(substrate) 10上接置芯片11，且該芯片11以多個(gè)焊線12電性連接至該基板 10，并于該芯片11外罩設(shè)網(wǎng)狀的金屬罩(metal shield) 13，且該基板10上具有至少一個(gè) 接地端14，令該金屬罩13電性連接至該接地端14，此外，于該金屬罩13、芯片11、焊線12、 及部分基板10上形成封裝膠體15，以將該金屬罩13嵌埋于該封裝膠體15中，并且通過(guò)該 網(wǎng)狀的金屬罩13屏蔽外界電磁干擾該芯片11的運(yùn)行，從而能避免電性運(yùn)行功能不正常，而 影響整體的電性功能。其他類似具電磁屏蔽設(shè)計(jì)的封裝結(jié)構(gòu)包括美國(guó)專利第4，218，578、 4，838，475,4, 953，002 及 5，030，935 號(hào)所揭露者。但是，上述的現(xiàn)有構(gòu)造，必須先另行制作網(wǎng)狀的金屬罩13，因而增加處理的復(fù)雜 度；之后，再將該金屬罩13罩設(shè)于該芯片11上，并且將該金屬罩13固定于該基板10上，如 此則增加組裝的困難度。此外，該網(wǎng)狀的金屬罩13罩設(shè)于該基板10上后，于該金屬罩13、 芯片11、焊線12及部分基板10上形成封裝膠體15時(shí)，該封裝膠體15必須通過(guò)網(wǎng)狀的金 屬罩13方能覆蓋于該芯片11上，由于該金屬罩13為網(wǎng)狀，當(dāng)該封裝膠體15通過(guò)該金屬罩 13的細(xì)密的網(wǎng)目時(shí)容易產(chǎn)生紊流，導(dǎo)致氣泡產(chǎn)生，因此易于該封裝膠體15中產(chǎn)生氣泡，而 于后續(xù)熱處理中產(chǎn)生爆米花效應(yīng)。另請(qǐng)參閱圖2，其為美國(guó)專利第5，557，142號(hào)的封裝結(jié)構(gòu)立體剖視示意圖，于基板 20上接置芯片21，且該芯片21以多個(gè)焊線22電性連接至該基板20，又于該芯片21、焊線 22及部分基板20上形成封裝膠體23，以通過(guò)該封裝膠體23保護(hù)該芯片21、焊線22及基 板20，且于該封裝膠體23的外露表面以涂布或?yàn)R鍍形成金屬層M，從而通過(guò)該金屬層M 屏蔽外界電磁干擾。其他類似具有電磁屏蔽設(shè)計(jì)的封裝結(jié)構(gòu)包括美國(guó)專利第5，220，489、 5，311，059 及 7，342，303 號(hào)所揭露者。但是，上述的現(xiàn)有構(gòu)造，雖能免除復(fù)雜的處理，但必須在該基板20上完成接置芯 片21及封裝膠體23，且進(jìn)行切單(singular)成為單一封裝結(jié)構(gòu)后，方能于該封裝膠體23 的外露表面涂布或?yàn)R鍍形成金屬層24，而該單一封裝結(jié)構(gòu)于處理中不易排放取件，因而不利于大量生產(chǎn)。再者，濺鍍的方式也無(wú)法應(yīng)用于封裝膠體與基板側(cè)邊齊平的封裝結(jié)構(gòu)。另外，如美國(guó)專利第7，030，469號(hào)所揭露的一種封裝結(jié)構(gòu)，其于封裝膠體上形成 外露出焊線的溝槽，且該溝槽及封裝膠體上形成有與該焊線連接的導(dǎo)線層，以達(dá)成電磁屏 蔽的效果，但是，該導(dǎo)線層須為非鐵金屬材料，而僅能以沉積或?yàn)R鍍方式覆蓋于溝槽及封裝 膠體上，無(wú)法應(yīng)用于封裝膠體與基板側(cè)邊齊平的封裝結(jié)構(gòu)。再者，該導(dǎo)線層與該焊線為點(diǎn)接 觸，易有接觸不良的問(wèn)題。因此，鑒于上述的問(wèn)題，如何避免現(xiàn)有具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法的 制作復(fù)雜度、組裝困難、易于熱處理中產(chǎn)生爆米花效應(yīng)及不利于大量生產(chǎn)，實(shí)已成為目前亟 欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種具有電磁屏蔽的封裝結(jié) 構(gòu)及其制造方法，以避免現(xiàn)有技術(shù)中存在電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法的制作復(fù)雜 度、組裝困難、易于熱處理中產(chǎn)生爆米花效應(yīng)及不利于大量生產(chǎn)等諸多問(wèn)題。為達(dá)到上述及其他目的，本發(fā)明提供一種具電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)，包括基板單 元，金屬柱，芯片，封裝膠體，以及屏蔽膜，其中，所述基板單元具有相對(duì)的第一表面及第二 表面，且該第一表面具有置晶區(qū)；所述金屬柱設(shè)于該第一表面上；所述芯片接置并電性連 接于該置晶區(qū)上；所述封裝膠體包覆該芯片及第一表面，并外露出該部分金屬柱；所述屏 蔽膜包覆該封裝膠體并電性連接該金屬柱。為得到前述的封裝結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還揭露一種具電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法， 包括準(zhǔn)備基板，該基板上定義有多個(gè)縱橫分布的切割線以圍設(shè)出多個(gè)基板單元，且各基板 單元具相對(duì)的第一表面及第二表面，于各第一表面具有置晶區(qū)；于各基板單元邊緣的至少 一個(gè)切割線上形成金屬柱；于各基板單元的置晶區(qū)上接置并電性連接芯片；于該基板、芯 片及金屬柱上形成封裝膠體，以包覆所述芯片及金屬柱；沿著各切割線第一次裁切該封裝 膠體及金屬柱，以于該封裝膠體中形成多個(gè)露出各金屬柱的溝槽；于該封裝膠體表面及溝 槽中形成屏蔽膜，以令該屏蔽膜電性連接所述金屬柱；以及沿著各切割線進(jìn)行第二次裁切， 以切割該溝槽中的屏蔽膜及基板，從而令該屏蔽膜包覆該封裝膠體側(cè)面，并與該基板側(cè)邊 齊平。依上述的具電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，該金屬柱可設(shè)于該橫向分布的切割 線或縱向分布的切割線上，或者，該金屬柱可設(shè)于該橫向分布切割線及縱向分布切割線的 交點(diǎn)上，甚至部分金屬柱設(shè)于單一切割線上，部分金屬柱設(shè)于切割線的交點(diǎn)上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成該金屬柱的材料為銅、錫或金。該芯片具有相對(duì)應(yīng)的 作用面與非作用面，且于該作用面上具有多個(gè)信號(hào)焊墊、電源焊墊及接地焊墊，而所述信號(hào) 焊墊、電源焊墊及接地焊墊以打線電性連接或覆晶電性連接該基板單元。又于本發(fā)明的制造方法中，該第一次裁切的深度大于、等于、或小于該封裝膠體的 厚度，且該第二次裁切的寬度小于該溝槽的寬度，以令該屏蔽膜形成于該封裝膠體的側(cè)表 面。在實(shí)施上，形成該屏蔽膜可為碳質(zhì)(carbon-based)材料或含金屬粉體材料，而該 屏蔽膜也可通過(guò)網(wǎng)版印刷形成于該封裝膠體的外露表面及所述溝槽中，然后固化該屏蔽膜?；蛘?，先于所述溝槽中滴入液態(tài)的碳質(zhì)材料或含金屬粉體材料，以形成第一屏蔽膜，再 于該封裝膠體的外露表面及所述溝槽中的第一屏蔽膜上形成第二屏蔽膜，之后固化該第一 屏蔽膜及第二屏蔽膜。另外，所述的該基板單元的第二表面還可包括形成多個(gè)焊球。由上可知，本發(fā)明具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，于該基板的各個(gè)基板 單元上形成金屬柱及于該置晶區(qū)中接置芯片，接著于該基板、芯片及金屬柱上形成封裝膠 體，然后第一次裁切該封裝膠體，以于該封裝膠體中形成多個(gè)縱橫分割的溝槽，并分割各金 屬柱以露出其側(cè)表面，但未切割分離所述基板單元，再于該封裝膠體的外露表面及所述溝 槽中形成屏蔽膜，之后再沿著各溝槽進(jìn)行第二次裁切，以切割該溝槽中的屏蔽膜及基板，以 令該屏蔽膜形成于該封裝膠體的側(cè)面，本發(fā)明的方法可于切單前巧妙地通過(guò)溝槽的形成， 而于其中填入電磁屏蔽材料，從而與金屬柱作面接觸，免除如美國(guó)專利第7，030，469號(hào)所 揭露的點(diǎn)接觸可能產(chǎn)生的接地不良問(wèn)題，更能免除現(xiàn)有結(jié)構(gòu)及其制造方法的制作復(fù)雜度、 組裝困難、易于熱處理中產(chǎn)生爆米花效應(yīng)及不利于大量生產(chǎn)等缺陷。


圖1為美國(guó)專利第5，166，772號(hào)的封裝結(jié)構(gòu)立體剖視示意圖。圖2為美國(guó)專利第5，557，142號(hào)的封裝結(jié)構(gòu)立體剖視示意圖。圖3A至3F-3為本發(fā)明具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的剖視示意圖；其中， 圖3A，是圖3A的剖視圖，圖3A”為圖3A的另一實(shí)施例，該圖3D-1及3D-2為圖3D的另一 實(shí)施例，圖3F-1至3F-3是本發(fā)明具電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的其他實(shí)施例。主要元件符號(hào)說(shuō)明
10基板
11-H-* LL 心片
12,37焊線
13金屬罩
14接地端
15封裝膠體
20基板
21-H-* LL 心片
22,37焊線
23封裝膠體
24金屬層
3、3，、3’'’、3”’封裝結(jié)構(gòu)
30基板
301切割線
301a橫向分布切割線
301b縱向分布切割線
31基板單元
31a第一表面
31b第二表面
311置晶區(qū)
32金屬柱
320側(cè)表面
33-H-* LL 心片
34封裝膠體
340溝槽
341側(cè)面
35屏蔽膜
351第一屏蔽.
352第二屏蔽.
36焊球
d深度
t厚度
312芯片座
313接腳
具體實(shí)施例方式以下通過(guò)特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明 書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。請(qǐng)參閱圖3A至3F-3，為本發(fā)明所揭露的具電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。如圖3A及3A’所示，該圖3A為圖3A’的上視圖；如圖所示，首先，準(zhǔn)備一基板30， 該基板30上定義有多個(gè)縱橫分布的切割線301以圍設(shè)出多個(gè)基板單元31，如圖所示，該切 割線301包括多個(gè)橫向分布切割線301a及縱向分布切割線301b，且各基板單元31具有相 對(duì)的第一表面31a及第二表面31b，于各第一表面31a具有置晶區(qū)311。依上所述，還于各基板單元31邊緣的至少一個(gè)切割線301上形成以銅、錫或金為 材質(zhì)的金屬柱32，以連接該基板單元31上的接地端或接地層(未圖示)，而該金屬柱32可 設(shè)于該橫向分布切割線301a、縱向分布切割線301b上，或者，該金屬柱32可設(shè)于該橫向分 布切割線301a及縱向分布切割線301b的交點(diǎn)上，甚至如圖3A”所示，部分金屬柱32設(shè)于 單一切割線上，部分金屬柱32設(shè)于切割線的交點(diǎn)上。如圖;3B所示，于各基板單元31的置晶區(qū)311上接置并電性連接芯片33，該芯片33 具有相對(duì)應(yīng)的作用面與非作用面，于該作用面上具有多個(gè)信號(hào)焊墊、電源焊墊及接地焊墊， 所述信號(hào)焊墊、電源焊墊及接地焊墊以打線(wire bonding)或覆晶(flip chip)方式電性 連接該基板單元31 ；于本實(shí)施例中，以打線電性連接作說(shuō)明，但不以此為限。接著，還于該基板30、芯片33及金屬柱32上形成封裝膠體34，以包覆所述芯片33 及金屬柱32。如圖3C所示，沿著各切割線301第一次裁切該封裝膠體34及金屬柱32，以于該 封裝膠體34中形成多個(gè)露出各金屬柱32的溝槽340，且該第一次裁切的深度d可大于、等 于、或小于該封裝膠體34的厚度t。
如圖3D所示，于該封裝膠體34表面及溝槽340中以網(wǎng)版印刷形成材料為碳質(zhì)材 料或含金屬粉體材料的屏蔽膜35，且令該屏蔽膜35電性連接所述金屬柱32的側(cè)表面320， 并于網(wǎng)版印刷后進(jìn)行固化，如此即能通過(guò)該屏蔽膜35的屏蔽，防止該芯片33受電磁干擾， 從而以提供正常的運(yùn)行。另請(qǐng)參閱圖3D-1及3D-2，其為形成該屏蔽膜35的另一實(shí)施例，與前述實(shí)施例的不 同處在于先在所述溝槽340中先滴入液態(tài)的碳質(zhì)材料或含金屬粉體材料，以形成第一屏蔽 膜351，如圖3D-1所示；接著，于該封裝膠體34的外露表面及所述溝槽340中的第一屏蔽 膜351上形成第二屏蔽膜352，如圖3D-2所示；最后固化該第一屏蔽膜351及第二屏蔽膜 352。如圖3E所示，沿著各溝槽340的切割線301進(jìn)行第二次裁切，以切割該溝槽340 中的屏蔽膜35及基板30，且該第二次裁切的寬度w2小于該第一次裁切或溝槽340的寬度 wl，從而令該屏蔽膜35包覆該封裝膠體34側(cè)面341，并與該基板30側(cè)邊齊平。如圖3F所示，還包括該基板單元31的第二表面31b形成多個(gè)焊球36，以供電性連 接至其它電子裝置。依上述的制造方法，本發(fā)明還提供一種具電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)3，包括基板單元 31、金屬柱32、芯片33、封裝膠體；34及屏蔽膜35。所述的基板單元31，具有相對(duì)的第一表面31a及第二表面31b，于該第一表面31a 具有置晶區(qū)311。所述的金屬柱32，設(shè)于該第一表面31a上，且形成該金屬柱32的材料可為銅、錫或
^^ ο所述的芯片33具有相對(duì)應(yīng)的作用面與非作用面，且于該作用面上具有多個(gè)信號(hào) 焊墊、電源焊墊及接地焊墊，所述信號(hào)焊墊、電源焊墊及接地焊墊以打線或覆晶方式電性連 接該基板單元31。所述的封裝膠體34，包覆該芯片33及基板單元31的第一表面31a，并外露出該部 分金屬柱32。所述的屏蔽膜35可為碳質(zhì)材料或含金屬粉體材料，包覆該封裝膠體34并電性連 接該金屬柱32。如圖所示，在本實(shí)施例中，第一次裁切該封裝膠體34及金屬柱32時(shí)，該第 一次裁切的深度d等于該封裝膠體34的厚度t，因此，該屏蔽膜35包覆該金屬柱32，且該 屏蔽膜35與該基板30側(cè)邊齊平。又依上述的具電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)，還可包括多個(gè)焊球36，設(shè)于該基板單元31的 第二表面31b，以供電性連接至其它電子裝置。請(qǐng)參閱圖3F-1，其具電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)3’的另一實(shí)施例，與前述實(shí)施例的不同 處在于圖3C所示中沿著各切割線301第一次裁切該封裝膠體34及金屬柱32時(shí)，該第一次 裁切的深度d大于該封裝膠體34的厚度t。因此，該屏蔽膜35包覆該金屬柱32及部分基 板30，且該屏蔽膜35與該基板30側(cè)邊齊平。請(qǐng)參閱圖3F-2，其具電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)3”的又一實(shí)施例，與前述實(shí)施例的不同 處在于圖3C所示中沿著各切割線301第一次裁切該封裝膠體34及金屬柱32時(shí)，該第一次 裁切的深度d小于該封裝膠體34的厚度t。因此，該屏蔽膜35僅包覆該部分金屬柱32，故 該屏蔽膜35與該金屬柱32及基板30側(cè)邊齊平。
請(qǐng)參閱圖3F-3，其為具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的再一實(shí)施例，與前述實(shí)施例的不 同處在于該封裝結(jié)構(gòu)的基板單元31為導(dǎo)線架，而該導(dǎo)線架具有芯片座312和多個(gè)接腳313， 本實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)3”’還包括該金屬柱32，設(shè)于各接腳313上，芯片33，接置于芯片座 312上，并以焊線37電性連接該接腳313，封裝膠體34，包覆該芯片33及導(dǎo)線架，并外露出 該部分金屬柱32 ；以及屏蔽膜35，包覆該封裝膠體34并電性連接該金屬柱32。本發(fā)明具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，于該基板的切割線位置上形成金 屬柱，并于該基板單元第一表面的置晶區(qū)中接置芯片，接著于該基板、芯片及金屬柱上形成 封裝膠體，以包覆所述芯片及金屬柱，然后沿著各切割線第一次裁切該封裝膠體，但未穿透 該基板，以于該封裝膠體中形成多縱橫分割的溝槽，并分割各金屬柱以露出其側(cè)表面，再于 該封裝膠體的外露表面及所述溝槽中形成屏蔽膜，之后再沿著各溝槽的切割線進(jìn)行第二次 裁切，以切割該屏蔽膜及基板，且令該屏蔽膜形成于該封裝膠體的側(cè)面，并分割成多個(gè)封裝 單元；由于先分割該封裝膠體以形成溝槽，但未切割分離所述基板單元，再于已分割的封裝 膠體表面及溝槽中形成屏蔽膜，之后再完全分割該封裝膠體及所述基板單元，本發(fā)明的方 法可于切單前巧妙地通過(guò)溝槽的形成，而于其中填入電磁屏蔽材料，從而與金屬柱作面接 觸提升接地品質(zhì)，更能免除現(xiàn)有結(jié)構(gòu)及其制造方法的制作復(fù)雜度、組裝困難、易于熱處理中 產(chǎn)生爆米花效應(yīng)、及不利于大量生產(chǎn)等缺陷。上述實(shí)施例用以例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā) 明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書范圍所列。
權(quán)利要求
1.一種具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝結(jié)構(gòu)包括 基板單元，具有相對(duì)的第一表面及第二表面，且該第一表面具有置晶區(qū)； 金屬柱，設(shè)于該第一表面上；芯片，接置并電性連接于該置晶區(qū)上；封裝膠體，包覆該芯片及該基板單元第一表面，并外露出該部分金屬柱；以及 屏蔽膜，包覆該封裝膠體并電性連接該金屬柱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成該金屬柱的材 料為銅、錫或金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該芯片以打線或覆 晶方式電性連接該基板單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成該屏蔽膜的為 碳質(zhì)材料或含金屬粉體材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該屏蔽膜包覆該金 屬柱，且該屏蔽膜與該基板側(cè)邊齊平。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該屏蔽膜與該金屬 柱及基板側(cè)邊齊平。
7.一種具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該制造方法包括準(zhǔn)備基板，該基板上定義有多個(gè)縱橫分布的切割線以圍設(shè)出多個(gè)基板單元，且各基板 單元具有相對(duì)的第一表面及第二表面，于各第一表面具有置晶區(qū)； 于各基板單元邊緣的至少一個(gè)切割線上形成金屬柱； 于各基板單元的置晶區(qū)上接置并電性連接芯片； 于該基板、芯片及金屬柱上形成封裝膠體，以包覆所述芯片及金屬柱； 沿著各切割線第一次裁切該封裝膠體及金屬柱，以于該封裝膠體中形成多個(gè)露出各金 屬柱的溝槽；于該封裝膠體表面及溝槽中形成屏蔽膜，以令該屏蔽膜電性連接所述金屬柱；以及 沿著各切割線進(jìn)行第二次裁切，以切割該溝槽中的屏蔽膜及該基板，從而令該屏蔽膜 包覆該封裝膠體側(cè)面，并與該基板側(cè)邊齊平。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬 柱設(shè)于該橫向分布的切割線或縱向分布的切割線上。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬 柱設(shè)于該橫向分布切割線及縱向分布切割線的交點(diǎn)上。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該 金屬柱的材料為銅、錫或金。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該芯片 以打線或覆晶方式電性連接該基板單元。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一 次裁切的深度大于、等于、或小于該封裝膠體的厚度。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第二 次裁切的寬度小于該溝槽的寬度。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該 屏蔽膜的是碳質(zhì)材料或含金屬粉體材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該屏蔽 膜以網(wǎng)版印刷形成于該封裝膠體的外露表面及所述溝槽中，并固化該屏蔽膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該制造 方法中形成該屏蔽膜的方法包括于所述溝槽中滴入液態(tài)的碳質(zhì)材料或含金屬粉體材料，以形成第一屏蔽膜； 于該封裝膠體的外露表面及所述溝槽中的第一屏蔽膜上以網(wǎng)版印刷形成第二屏蔽膜；以及固化該第一屏蔽膜及第二屏蔽膜。
全文摘要
一種具有電磁屏蔽的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，該封裝結(jié)構(gòu)包括基板單元、金屬柱、芯片、封裝膠體、及屏蔽膜；該基板單元具有相對(duì)的第一表面及第二表面，且該第一表面具有置晶區(qū)；而該金屬柱設(shè)于該第一表面上；又該芯片接置并電性連接于該置晶區(qū)上；而該封裝膠體包覆該芯片及第一表面，并外露出該部分金屬柱；又該屏蔽膜包覆該封裝膠體并電性連接該金屬柱。本發(fā)明的方法通過(guò)二段裁切方式，第一次先切割封裝膠體以形成溝槽，于溝槽上形成屏蔽膜并電性連接該金屬柱后，再進(jìn)行第二次裁切以得到本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)，因此，本發(fā)明能簡(jiǎn)化處理及避免屏蔽膜接地不良的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L21/56GK102142403SQ201010102269
公開(kāi)日2011年8月3日 申請(qǐng)日期2010年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月28日
發(fā)明者姚進(jìn)財(cái), 柯俊吉, 黃建屏 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司