專利名稱：一種led芯片角度快速調(diào)校方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED芯片分選技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種LED芯片角度快速調(diào)校方法。

背景技術(shù)：
通常的，在LED芯片分選過程中由于芯片分選前的芯片膜在擴(kuò)片時(shí)膜上粘結(jié)力及芯片間粘合力等會(huì)造成部分芯片產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)角度，該偏轉(zhuǎn)角度是相對(duì)于機(jī)床標(biāo)準(zhǔn)坐標(biāo)系的角度。然而LED芯片分選后要求將芯片按照類型，以方片的形式整齊排列于芯片膜上，只允許小角度的偏差以便于LED芯片的封裝。如果芯片出現(xiàn)角度偏差，則需要通過角度校正來實(shí)現(xiàn)。但是由于任何一顆芯片的角度校正都需要轉(zhuǎn)動(dòng)整個(gè)芯片膜，這將導(dǎo)致芯片膜上其它所有芯片的位置都會(huì)隨之發(fā)生改變，給后續(xù)芯片的精確定位帶來很大困難。因此，在LED芯片分選過程中進(jìn)行芯片角度校正，以確保芯片角度校正的準(zhǔn)確性，提高芯片角度校正的效率，使得芯片能夠整齊排列是LED芯片分選工藝中的一個(gè)難題。
因此，亟需提供一種既能夠使芯片準(zhǔn)確、快速地調(diào)校，同時(shí)又能夠有效地減少整體芯片的校正次數(shù)和提高芯片角度調(diào)校效率，從而提高芯片的分選速度的LED芯片角度快速調(diào)校方法。


發(fā)明內(nèi)容
基于現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明需要解決的問題是提供一種既能夠使芯片準(zhǔn)確、快速地調(diào)校，同時(shí)又能夠有效地減少整體芯片的校正次數(shù)和提高芯片角度調(diào)校效率，從而提高芯片的分選速度的LED芯片角度快速調(diào)校方法。
為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種LED芯片角度快速調(diào)校方法，其包括以下步驟 A、驅(qū)動(dòng)圖像識(shí)別系統(tǒng)對(duì)芯片膜進(jìn)行識(shí)別，獲取所述芯片膜上芯片i的原始位置坐標(biāo)Xi，Yi及偏轉(zhuǎn)角度θi，其中，i＝1，2，3...n，n為所述芯片膜上芯片的總顆數(shù)； B、獲取所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy； C、以所述芯片膜上芯片i的原始位置坐標(biāo)Xi，Yi、偏轉(zhuǎn)角度θi及所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy，反算所述芯片i理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′i，Y′i； D、在某一預(yù)定的芯片角度偏轉(zhuǎn)范圍內(nèi)，以角度間隔值對(duì)其劃分角度區(qū)間，將所述芯片i的偏轉(zhuǎn)角度θi歸入所述角度區(qū)間內(nèi)，設(shè)所述角度區(qū)間的數(shù)量為s； E、獲取s角度區(qū)間中的上限值和下限值，計(jì)算所述s角度區(qū)間中的上限值和下限值之間的中間值為該角度區(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度； F、判斷所述s角度區(qū)間中是否存在旋轉(zhuǎn)中心角度為0°的角度區(qū)間，若是，則選取旋轉(zhuǎn)中心角度為0°的角度區(qū)間作為第p角度區(qū)間，其中，p＝1；否則，選取所述s角度區(qū)間中的其中一個(gè)角度區(qū)間作為第p角度區(qū)間，并將所述芯片膜按照該角度區(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度進(jìn)行實(shí)際旋轉(zhuǎn)，其中，p＝1； G、選取所述第p角度區(qū)間中的芯片m，其中，m＝1，設(shè)該角度區(qū)間中所包含的芯片總顆數(shù)為h； H、將所述第p角度區(qū)間中的芯片m以該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m進(jìn)行移動(dòng)定位，并驅(qū)動(dòng)圖像識(shí)別系統(tǒng)對(duì)該芯片進(jìn)行識(shí)別，獲取該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m與該芯片實(shí)際旋轉(zhuǎn)后的實(shí)際位置坐標(biāo)間的偏差λx，λy； 其中，m為所述第p角度區(qū)間中所有芯片中的其中一顆芯片； I、判斷所述步驟H中的偏差λx，λy是否大于某一閾值，若是，則根據(jù)所述偏差λx，λy對(duì)所述步驟B中獲取的芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy進(jìn)行修正，再按照修正后的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)O′x，O′y，重新反算修正后的該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X″m，″m，并按照修正后的該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X″m，Y″m移動(dòng)進(jìn)行芯片位置校正；否則，按照該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m移動(dòng)進(jìn)行芯片位置校正； J、判斷m是否等于h，若是，則結(jié)束該角度區(qū)間的所有芯片的角度調(diào)校，繼續(xù)步驟K；否則，m＝m+1，直接返回步驟H； K、繼續(xù)判斷p是否等于s，若是，則結(jié)束該芯片膜上全部芯片的角度調(diào)校；否則，將所述芯片膜旋轉(zhuǎn)所述角度間隔值，且p＝p+1，直接返回步驟G。
其中，上述步驟B具體包括 B1、標(biāo)定所述芯片膜上的其中一顆芯片為特定芯片； B2、驅(qū)動(dòng)所述芯片膜旋轉(zhuǎn)不同的角度，分別記錄每次旋轉(zhuǎn)時(shí)所述特定芯片的位置坐標(biāo)，并將所述位置坐標(biāo)存儲(chǔ)至樣本集，其中，所述樣本集為相對(duì)于所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的圓上坐標(biāo)； B3、根據(jù)所述步驟B2中的樣本集，利用最小二乘法計(jì)算所述芯片膜的擬合圓方程，從而獲取所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy。
其中，上述步驟C具體包括 判斷所述芯片i的偏轉(zhuǎn)角度θi； 若θi為正，進(jìn)一步判斷所述芯片i相對(duì)于所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy所在的象限； 若在第一象限，設(shè) 則當(dāng)θk≤90°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＞90°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy+Ri×cos(θk-90°)； 若在第二象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(0°-θk)； 若在第三象限，設(shè) 則當(dāng)θk≤90°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＞90°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy-Ri×cos(θk-90°)； 若在第四象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(0°-θk)； 若θi為負(fù)，進(jìn)一步判斷所述芯片i相對(duì)于所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy所在的象限； 若在第一象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(0°-θk)； 若在第二象限，設(shè) 則當(dāng)θk≤90°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＞90°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy+Ri×cos(θk-90°)； 若在第三象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk) 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(0°-θk)； 若在第四象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk-90°)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk-90°)； 若θi為0°時(shí)，所述芯片i理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′i，Yi′為該芯片的原始位置坐標(biāo)Xi，Yi； 繼續(xù)步驟D； 其中，Ri為所述芯片i到所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心Ox，Oy的距離，所述芯片i到所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心Ox，Oy的距離Ri通過以下公式 進(jìn)行計(jì)算。
其中，上述步驟I中根據(jù)所述偏差λx，λy對(duì)所述步驟B中獲取的芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy進(jìn)行修正的步驟具體為 I01、設(shè)定所述芯片m的原始位置坐標(biāo)為Xm，Ym，所述芯片m理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)為X′m，Y′m； I02、根據(jù)所述偏差λx，λy和芯片m理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，′m，標(biāo)示所述芯片m實(shí)際旋轉(zhuǎn)后的實(shí)際位置坐標(biāo)為X′m-λx，Y′m-λy； I03、利用以下公式對(duì)所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy進(jìn)行修正，設(shè)修正后的所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)為O′x，O′x


其中，R′m為第m顆芯片到修正后的所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心O′x，O′y的距離，所述第m顆芯片到修正后的所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心O′x，O′y的距離R′m通過以下公式 進(jìn)行計(jì)算。
其中，上述角度間隔值為芯片進(jìn)行芯片封裝工藝中角度偏差的允許值。
本發(fā)明中，獲取芯片膜上芯片i的原始位置坐標(biāo)Xi，Yi及偏轉(zhuǎn)角度θi；獲取芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy；反算芯片i理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′i，Y′i；在某一預(yù)定的芯片角度偏轉(zhuǎn)范圍內(nèi)，以角度間隔值對(duì)其劃分角度區(qū)間，將芯片i的偏轉(zhuǎn)角度θi歸入角度區(qū)間內(nèi)，設(shè)所述角度分類的數(shù)量為s；獲取s角度區(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度；判斷s角度區(qū)間中是否存在旋轉(zhuǎn)中心角度為0°的角度區(qū)間，若是，則選取旋轉(zhuǎn)中心角度為0°的角度區(qū)間作為第p角度區(qū)間；否則，選取s角度區(qū)間中的其中一個(gè)角度區(qū)間作為第p角度區(qū)間，并將芯片膜按照該角度區(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，其中，p＝1；選取第p角度區(qū)間中的芯片m，其中m＝1，設(shè)該角度區(qū)間中所包含的芯片總顆數(shù)為h；將第p角度區(qū)間中的芯片m以該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m進(jìn)行移動(dòng)定位，并驅(qū)動(dòng)圖像識(shí)別系統(tǒng)對(duì)該芯片進(jìn)行識(shí)別，獲取該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m與該芯片實(shí)際旋轉(zhuǎn)后的實(shí)際位置坐標(biāo)間的偏差λx，λy；判斷偏差λx，λy是否大于某一閾值，若是，則根據(jù)偏差λx，λy對(duì)旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy進(jìn)行修正，并按照修正后的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)O′x，O′y，重新反算修正后的該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X″m，Y″m，并按照該修正后的該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X″m，Y″m移動(dòng)進(jìn)行芯片位置校正；否則，按照該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m進(jìn)行芯片位置校正；判斷m是否等于h，若是，則結(jié)束該角度區(qū)間的所有芯片的角度調(diào)校，繼續(xù)以下步驟；否則，m＝m+1，直接返回步驟H；繼續(xù)判斷p是否等于s，若是，則結(jié)束該芯片膜上全部芯片的角度調(diào)校；否則，將所述芯片膜旋轉(zhuǎn)所述角度間隔值，且p＝p+1，直接返回步驟G。
本發(fā)明是基于圖像識(shí)別芯片位置擬合芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心，并通過擬合的旋轉(zhuǎn)中心坐標(biāo)反求芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)，基于基本的旋轉(zhuǎn)臺(tái)，無需外界設(shè)備輔助，根據(jù)算法計(jì)算和圖像處理，完成芯片的角度調(diào)校；同時(shí)提出了基于角度分類的方法，有效的減少了整體芯片的校正次數(shù)，提高了芯片校正的精度和效率。除此之外，本發(fā)明還通過對(duì)芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心進(jìn)行修正的方法，從而提高了芯片角度調(diào)校的準(zhǔn)確性。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明既能夠使芯片準(zhǔn)確、快速地調(diào)校，同時(shí)又能夠有效地減少整體芯片的校正次數(shù)和提高芯片角度調(diào)校效率，從而提高芯片的分選速度。



利用附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但附圖中的實(shí)施例不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的任何限制。
圖1為本發(fā)明的一種LED芯片角度快速調(diào)校方法的方法流程圖。

具體實(shí)施例方式 結(jié)合以下實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述 本發(fā)明的一種LED芯片角度快速調(diào)校方法的實(shí)施例如圖1所示，包括以下步驟 步驟101.驅(qū)動(dòng)圖像識(shí)別系統(tǒng)對(duì)芯片膜進(jìn)行識(shí)別，獲取所述芯片膜上芯片i的原始位置坐標(biāo)Xi，Yi及偏轉(zhuǎn)角度θi，其中，i為所述芯片膜上的其中一顆芯片，i＝1，2，3...n，n為所述芯片膜上芯片的總顆數(shù)。該步驟中獲取的是所述芯片膜上所有芯片的原始位置坐標(biāo)Xi，Yi及偏轉(zhuǎn)角度θi。該芯片i在芯片膜上的坐標(biāo)以及相對(duì)于機(jī)床標(biāo)準(zhǔn)坐標(biāo)系的偏轉(zhuǎn)角度固定。
步驟102.獲取所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy。芯片膜上的芯片i相對(duì)于機(jī)床坐標(biāo)系的偏轉(zhuǎn)角度θi是固定，但是由于芯片膜整體旋轉(zhuǎn)時(shí)所繞的旋轉(zhuǎn)中心在機(jī)床坐標(biāo)系中的位置是無法測量，所以需利用圖像識(shí)別并結(jié)合數(shù)據(jù)擬合的方法求取該芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置。
步驟103.以所述芯片膜上芯片i的原始位置坐標(biāo)Xi，Yi、偏轉(zhuǎn)角度θi及所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy，反算所述芯片i理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′i，Yi′。該步驟103具體為通過判斷芯片i的偏轉(zhuǎn)角度θi以及芯片i的偏轉(zhuǎn)角度θi相對(duì)于所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy所在的象限，運(yùn)用預(yù)定的計(jì)算公式對(duì)所述芯片i理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′i，Yi′進(jìn)行反算。該芯片i理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′i，Yi′是芯片角度快速調(diào)校系統(tǒng)預(yù)先計(jì)算得到的坐標(biāo)數(shù)據(jù)而非實(shí)際旋轉(zhuǎn)的實(shí)際坐標(biāo)值。
步驟104.在某一預(yù)定的芯片角度偏轉(zhuǎn)范圍內(nèi)，以角度間隔值對(duì)其劃分角度區(qū)間，將所述芯片i旋轉(zhuǎn)后的偏轉(zhuǎn)角度θi歸入所述角度區(qū)間內(nèi)，設(shè)所述角度區(qū)間的數(shù)量為s?？梢栽O(shè)定芯片角度快速調(diào)校系統(tǒng)中的預(yù)定的芯片角度偏轉(zhuǎn)范圍為-15°至15°，角度間隔值可以選擇2°，這樣將芯片角度偏轉(zhuǎn)范圍-15°至15°分為15個(gè)角度區(qū)間。如-15°～-13°、-13°～-11°、-11°～-9°、-9°～-7°、-7°～-5°、-5°～-3°、-3°～-1°、-1°～+1°……、+13°～+15°。
步驟105.獲取s角度區(qū)間中的上限值和下限值，計(jì)算所述s角度區(qū)間中的上限值和下限值之間的中間值為該角度區(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度。如在某一預(yù)定的芯片角度偏轉(zhuǎn)范圍-15°至15°內(nèi)按照預(yù)定的角度間隔值2°對(duì)其分類，可以分為15個(gè)角度區(qū)間，當(dāng)芯片的一個(gè)角度區(qū)間范圍為-15°～-13°時(shí)，該角度區(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度為-14°；同理，當(dāng)芯片的下一角度區(qū)間范圍為-13°～-11°時(shí)，該角度區(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度為-12°，依次類推。
步驟106.判斷所述s角度區(qū)間中是否存在旋轉(zhuǎn)中心角度為0°的角度區(qū)間，若是，則選取旋轉(zhuǎn)中心角度為0°的角度區(qū)間作為第p角度區(qū)間，其中，p＝1；否則，選取所述s角度區(qū)間中的其中一個(gè)角度區(qū)間作為第p角度區(qū)間，并將所述芯片膜按照該角度區(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，其中，p＝1。
步驟107.選取所述第p角度區(qū)間中的芯片m，其中，m＝1，設(shè)該角度區(qū)間中所包含的芯片總顆數(shù)為h。
步驟108.將所述第p角度區(qū)間中的芯片m按照該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m進(jìn)行移動(dòng)定位，并驅(qū)動(dòng)圖像識(shí)別系統(tǒng)對(duì)該芯片進(jìn)行識(shí)別，獲取該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m與該芯片實(shí)際旋轉(zhuǎn)后的實(shí)際位置坐標(biāo)間的偏差λx，λy； 其中，m為所述第p角度區(qū)間中所有芯片中的其中一顆芯片，且

其中，根據(jù)所述第p角度區(qū)間中的芯片m理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m進(jìn)行定位，即移動(dòng)至芯片m理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m的位置定位。
步驟109.判斷所述步驟109中的偏差λx，λy是否大于某一閾值，若是，則根據(jù)所述偏差λx，λy對(duì)所述步驟102中獲取的芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy進(jìn)行修正，再按照修正后的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)O′x，O′y，重新反算修正后的該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X″m，Y″m，并按照修正后的該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X″m，Y″m移動(dòng)進(jìn)行芯片位置校正；否則，按照該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m移動(dòng)進(jìn)行芯片位置校正。進(jìn)行芯片位置校正后即可執(zhí)行芯片的拾取。
步驟110.判斷m是否等于h，若是，則結(jié)束該角度區(qū)間的所有芯片的角度調(diào)校，繼續(xù)步驟111；否則，m＝m+1，直接返回步驟108。當(dāng)?shù)谝粋€(gè)角度區(qū)間中的所有芯片調(diào)校完時(shí)，進(jìn)行第二個(gè)角度區(qū)間中的芯片調(diào)校時(shí)，只需將芯片膜旋轉(zhuǎn)預(yù)定的角度間隔值，而無需按照第二個(gè)角度區(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，這是由于識(shí)別的偏轉(zhuǎn)角度值以及計(jì)算的角度區(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度坐標(biāo)都是基于機(jī)床坐標(biāo)系的絕對(duì)坐標(biāo)，且掃描識(shí)別獲得的數(shù)據(jù)都為絕對(duì)坐標(biāo)。例如當(dāng)?shù)谝唤嵌葏^(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度為14°時(shí)，第二角度區(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度為12°時(shí)，當(dāng)按照第一角度區(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度14°旋轉(zhuǎn)后，由于旋轉(zhuǎn)中心角度值都是絕對(duì)坐標(biāo)，所以芯片膜只需旋轉(zhuǎn)2°即可完成第二角度區(qū)間的角度調(diào)校。
步驟111.繼續(xù)判斷p是否等于s，若是，則結(jié)束該芯片膜上全部芯片的角度調(diào)校；否則，將所述芯片膜旋轉(zhuǎn)所述角度間隔值，且p＝p+1，直接返回步驟107。
本實(shí)施例中，上述步驟102具體包括 B1、標(biāo)定所述芯片膜上的其中一顆芯片為特定芯片。
B2、驅(qū)動(dòng)所述芯片膜旋轉(zhuǎn)不同的角度，分別記錄每次旋轉(zhuǎn)時(shí)所述特定芯片的位置坐標(biāo)，并將所述位置坐標(biāo)存儲(chǔ)至樣本集，其中，所述樣本集為相對(duì)于所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的圓上坐標(biāo)。
B3、根據(jù)所述步驟B2中的樣本集，利用最小二乘法計(jì)算所述芯片膜的擬合圓方程，從而獲取所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy。該求取芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心采用圖像視覺識(shí)別與運(yùn)動(dòng)相結(jié)合的方法對(duì)同一芯片旋轉(zhuǎn)不同旋轉(zhuǎn)角度位置提取并擬合近似圓心的方法。
另，可以將求取的芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)記錄到LED芯片角度快速調(diào)校系統(tǒng)中作為系統(tǒng)設(shè)備的基本參數(shù)存儲(chǔ)。
需要擬合芯片膜旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)，首先要得到一組以芯片膜旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)為圓心的圓上的坐標(biāo)。方法提出利用芯片圖像識(shí)別的方法對(duì)同一芯片進(jìn)行位置記錄，每當(dāng)記錄一個(gè)位置，芯片膜旋轉(zhuǎn)固定角度，同時(shí)結(jié)合運(yùn)動(dòng)控制實(shí)時(shí)保證芯片在識(shí)別區(qū)域內(nèi)。得到一組相對(duì)于芯片旋轉(zhuǎn)中心的圓上坐標(biāo)，最后利用這組數(shù)據(jù)進(jìn)行最小二乘法擬合圓曲線具體計(jì)算過程如下 假設(shè)樣本集(Xi，Yi)，i∈(1，2，3...30)共30個(gè)點(diǎn)到圓心的距離為di 點(diǎn)集到圓心距離與圓半徑的平方差為 則目標(biāo)函數(shù)Q(a，b，c)為點(diǎn)集到圓心距離與圓半徑的平方差的平方和 以目標(biāo)函數(shù)Q(a，b，c)最小為目標(biāo)，求參數(shù)a，b，c使目標(biāo)函數(shù)Q(a，b，c)的值最小，從而求得芯片膜的擬合圓方程，從而獲得圓心坐標(biāo)。
本實(shí)施例中，上述步驟103具體包括 判斷所述芯片i的偏轉(zhuǎn)角度θi； 若θi為正時(shí)，需要逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)；進(jìn)一步判斷所述芯片i相對(duì)于所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy所在的象限； 若在第一象限，設(shè) 則當(dāng)θk≤90°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＞90°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy+Ri×cos(θk-90°)； 若在第二象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(0°-θk)； 若在第三象限，設(shè) 則當(dāng)θk≤90°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＞90°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy-Ri×cos(θk-90°)； 若在第四象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(0°-θk)； 若θi為負(fù)，需要順時(shí)針旋轉(zhuǎn)；進(jìn)一步判斷所述芯片i相對(duì)于所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy所在的象限； 若在第一象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(0°-θk)； 若在第二象限，設(shè) 則當(dāng)θk≤90°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＞90°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy+Ri×cos(θk-90°)； 若在第三象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk) 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(0°-θk)； 若在第四象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk-90°)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk-90°)； 若θi為0°時(shí)，所述芯片i理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′i，Yi′為該芯片的原始位置坐標(biāo)Xi，Yi； 繼續(xù)步驟104； 其中，Ri為所述芯片i到所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心Ox，Oy的距離，所述芯片i到所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心Ox，Oy的距離Ri通過以下公式 進(jìn)行計(jì)算。
本實(shí)施例中，由于在圖像識(shí)別系統(tǒng)對(duì)芯片的識(shí)別中，以及芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的擬合計(jì)算中會(huì)存在識(shí)別誤差和擬合誤差，而且還包括有計(jì)算時(shí)的舍入誤差等，使得以數(shù)值計(jì)算方法所獲得的芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心為近似值，由此提出對(duì)旋轉(zhuǎn)中心進(jìn)行修正。所以上述步驟110中根據(jù)所述偏差λx，λy對(duì)所述步驟102中獲取的芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy進(jìn)行修正的步驟具體為 I01、設(shè)定所述芯片m的原始位置坐標(biāo)為Xm，Ym，所述芯片m理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)為X′m，Y′m。
I02、根據(jù)所述偏差λx，λy和芯片m理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)為X′m，Y′m，標(biāo)示所述芯片m實(shí)際旋轉(zhuǎn)后的實(shí)際位置坐標(biāo)為X′m-λx，Y′m-λy。
I03、利用以下公式對(duì)所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy進(jìn)行修正，設(shè)修正后的所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)為O′x，O′y


其中，R′m為第m顆芯片到修正后的所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心O′x，O′y的距離，所述第m顆芯片到修正后的所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心O′x，O′y的距離R′m通過以下公式 進(jìn)行計(jì)算。利用上述方法求得芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)后，可以將此坐標(biāo)作為LED芯片角度調(diào)校系統(tǒng)的參數(shù)儲(chǔ)存。
本實(shí)施例中，上述角度間隔值為芯片進(jìn)行芯片封裝工藝中角度偏差的允許值。
本實(shí)施例中，步驟110中的再按照修正后的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)O′x，O′y，重新反算修正后的該芯片旋轉(zhuǎn)后的新位置坐標(biāo)X″i，Y″i的步驟與步驟103中的反算過程的原理相同，以所述芯片膜上該芯片的原始位置坐標(biāo)Xm，Ym、偏轉(zhuǎn)角度θm及所述修正后的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)O′x，O′y，反算修正后的芯片m理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X″m，Y″m。該步驟具體為通過判斷芯片m的偏轉(zhuǎn)角度θm以及芯片m的偏轉(zhuǎn)角度θm相對(duì)于所述修正后的芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)O′x，O′y所在的象限，運(yùn)用預(yù)定的計(jì)算公式對(duì)所述修正后的芯片m理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X″m，Y″m進(jìn)行反算。具體為 判斷所述芯片m的偏轉(zhuǎn)角度θm； 若θm為正，進(jìn)一步判斷所述芯片m相對(duì)于所述修正后的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)O′x，O′y所在的象限； 若在第一象限，設(shè) 則當(dāng)θk≤90°時(shí)，X″m＝Ox′+Ri×cos(θk)，Y″m＝Oy′+Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＞90°時(shí)，X″m＝Ox′-Ri×sin(θk-90°)，Y″m＝Oy′+Ri×cos(θk-90°)； 若在第二象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X″m＝Ox′-Ri×cos(θk)，Y″m＝Oy′+Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X″m＝Ox′-Ri×cos(0°-θk)，Y″m＝Oy′-Ri×sin(0°-θk)； 若在第三象限，設(shè) 則當(dāng)θk≤90°時(shí)，X″m＝Ox′-Ri×cos(θk)，Y″m＝Oy′-Ri×sin(θk)； 當(dāng)θk＞90°時(shí)，X″m＝Ox′+Rm′×sin(θk-90°)，Y″m＝Oy′-Rm′×cos(θk-90°)； 若在第四象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X″m＝Ox′+Rm′×cos(θk)，Y″m＝Oy′-Rm′×sin(θk)； 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X″m＝Ox′+Rm′×cos(0°-θk)，Y″m＝Oy′+Rm′×sin(0°-θk)； 若θm為負(fù)，進(jìn)一步判斷所述芯片m相對(duì)于所述修正后的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)O′x，O′y所在的象限； 若在第一象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X″m＝Ox′+Rm′×cos(θk)，Y″m＝Oy′+Rm′×sin(θk)； 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X″m＝Ox′+Rm′×cos(0°-θk)，Y″m＝Oy′-Rm′×sin(0°-θk)； 若在第二象限，設(shè) 則當(dāng)θk≤90°時(shí)，X″m＝Ox′-Rm′×cos(θk)，Y″m＝Oy′+Rm′×sin(θk)； 當(dāng)θk＞90°時(shí)，X″m＝Ox′+Rm′×sin(θk-90°)，Y″m＝Oy′+Rm′×cos(θk-90°)； 若在第三象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X″m＝Ox′-Rm′cos(θk)，Y″m＝Oy′-Rm′×sin(θk) 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X″m＝Ox′-Rm′×cos(0°-θk)，Y″m＝Oy′+Rm′×sin(0°-θk)； 若在第四象限，設(shè) 則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X″m＝Ox′+Rm′×cos(θk)，Y″m＝Oy′-Rm′×sin(θk)； 當(dāng)θk＜0°時(shí)，X″m＝Ox′-Rm′×cos(θk-90°)，Y″m＝Oy′-Rm′×sin(θk-90°)； 若θm為0°時(shí)，所述芯片m理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X″m，Y″m為該芯片的原始位置坐標(biāo)Xm，Ym； 其中，Rm′為所述芯片m到所述修正后的旋轉(zhuǎn)中心O′x，O′y的距離，所述芯片m到所述修正后的旋轉(zhuǎn)中心O′x，O′y的距離Rm′通過以下公式 進(jìn)行計(jì)算。
最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作了詳細(xì)地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求
1.一種LED芯片角度快速調(diào)校方法，其特征在于，包括以下步驟
A、驅(qū)動(dòng)圖像識(shí)別系統(tǒng)對(duì)芯片膜進(jìn)行識(shí)別，獲取所述芯片膜上芯片i的原始位置坐標(biāo)Xi，Yi及偏轉(zhuǎn)角度θi，其中，i＝1，2，3...n，n為所述芯片膜上芯片的總顆數(shù)；
B、獲取所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy；
C、以所述芯片膜上芯片i的原始位置坐標(biāo)Xi，Yi、偏轉(zhuǎn)角度θi及所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy，反算所述芯片i理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′i，Y′i；
D、在某一預(yù)定的芯片角度偏轉(zhuǎn)范圍內(nèi)，以角度間隔值對(duì)其劃分角度區(qū)間，將所述芯片i的偏轉(zhuǎn)角度θi歸入所述角度區(qū)間內(nèi)，設(shè)所述角度區(qū)間的數(shù)量為s；
E、獲取s角度區(qū)間中的上限值和下限值，計(jì)算所述s角度區(qū)間中的上限值和下限值之間的中間值為該角度區(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度；
F、判斷所述s角度區(qū)間中是否存在旋轉(zhuǎn)中心角度為0°的角度區(qū)間，若是，則選取旋轉(zhuǎn)中心角度為0°的角度區(qū)間作為第p角度區(qū)間，其中，p＝1；否則，選取所述s角度區(qū)間中的其中一個(gè)角度區(qū)間作為第p角度區(qū)間，并將所述芯片膜按照該角度區(qū)間的旋轉(zhuǎn)中心角度進(jìn)行實(shí)際旋轉(zhuǎn)，其中，p＝1；
G、選取所述第p角度區(qū)間中的芯片m，其中，m＝1，設(shè)該角度區(qū)間中所包含的芯片總顆數(shù)為h；
H、將所述第p角度區(qū)間中的芯片m以該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m進(jìn)行移動(dòng)定位，并驅(qū)動(dòng)圖像識(shí)別系統(tǒng)對(duì)該芯片進(jìn)行識(shí)別，獲取該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m與該芯片實(shí)際旋轉(zhuǎn)后的實(shí)際位置坐標(biāo)間的偏差λx，λy；
其中，m為所述第p角度區(qū)間中所有芯片中的其中一顆芯片；
I、判斷所述步驟H中的偏差λx，λy是否大于某一閾值，若是，則根據(jù)所述偏差λx，λy對(duì)所述步驟B中獲取的芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy進(jìn)行修正，再按照修正后的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)O′x，O′y，重新反算修正后的該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X″m，Y″m，并按照修正后的該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X″m，Y″m移動(dòng)進(jìn)行芯片位置校正；否則，按照該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m移動(dòng)進(jìn)行芯片位置校正；
J、判斷m是否等于h，若是，則結(jié)束該角度區(qū)間的所有芯片的角度調(diào)校，繼續(xù)步驟K；否則，m＝m+1，直接返回步驟H；
K、繼續(xù)判斷p是否等于s，若是，則結(jié)束該芯片膜上全部芯片的角度調(diào)校；否則，將所述芯片膜旋轉(zhuǎn)所述角度間隔值，且p＝p+1，直接返回步驟G。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片角度快速調(diào)校方法，其特征在于，所述步驟B具體包括
B1、標(biāo)定所述芯片膜上的其中一顆芯片為特定芯片；
B2、驅(qū)動(dòng)所述芯片膜旋轉(zhuǎn)不同的角度，分別記錄每次旋轉(zhuǎn)時(shí)所述特定芯片的位置坐標(biāo)，并將所述位置坐標(biāo)存儲(chǔ)至樣本集，其中，所述樣本集為相對(duì)于所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的圓上坐標(biāo)；
B3、根據(jù)所述步驟B2中的樣本集，利用最小二乘法計(jì)算所述芯片膜的擬合圓方程，從而獲取所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED芯片角度快速調(diào)校方法，其特征在于，所述步驟C具體包括
判斷所述芯片i的偏轉(zhuǎn)角度θi；
若θi為正，進(jìn)一步判斷所述芯片i相對(duì)于所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy所在的象限；
若在第一象限，設(shè)
則當(dāng)θk≤90°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy+Ri×sin(θk)；
當(dāng)θk＞90°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×sin(θk-90°)，Y′i＝Oy+Ri×cos(θk-90°)；
若在第二象限，設(shè)
則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy+Ri×sin(θk)；
當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(0°-θk)，Y′i＝Oy-Ri×sin(0°-θk)；
若在第三象限，設(shè)
則當(dāng)θk≤90°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy-Ri×sin(θk)；
當(dāng)θk＞90°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×sin(θk-90°)，Y′i＝Oy-Ri×cos(θk-90°)；
若在第四象限，設(shè)
則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy-Ri×sin(θk)；
當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(0°-θk)，Y′i＝Oy+Ri×sin(0°-θk)；
若θi為負(fù)，進(jìn)一步判斷所述芯片i相對(duì)于所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy所在的象限；
若在第一象限，設(shè)
則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy+Ri×sin(θk)；
當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(0°-θk)，Y′i＝Oy-Ri×sin(0°-θk)；
若在第二象限，設(shè)
則當(dāng)θk≤90°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy+Ri×sin(θk)；
當(dāng)θk＞90°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×sin(θk-90°)，Y′i＝Oy+Ri×cos(θk-90°)；
若在第三象限，設(shè)
則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy-Ri×sin(θk)
當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(0°-θk)，Y′i＝Oy+Ri×sin(0°-θk)；
若在第四象限，設(shè)
則當(dāng)θk≥0°時(shí)，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy-Ri×sin(θk)；
當(dāng)θk＜0°時(shí)，X′i＝Ox-Ri×cos(θk-90°)，Y′i＝Oy-Ri×sin(θk-90°)；
若θi為0°時(shí)，所述芯片i理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′i，Y′i為該芯片的原始位置坐標(biāo)Xi，Yi；
繼續(xù)步驟D；
其中，Ri為所述芯片i到所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心Ox，Oy的距離，所述芯片i到所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心Ox，Oy的距離Ri通過以下公式
進(jìn)行計(jì)算。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED芯片角度快速調(diào)校方法，其特征在于，所述步驟I中根據(jù)所述偏差λx，λy對(duì)所述步驟B中獲取的芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy進(jìn)行修正的步驟具體為
I01、設(shè)定所述芯片m的原始位置坐標(biāo)為Xm，Ym，所述芯片m理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)為X′m，Y′m；
I02、根據(jù)所述偏差λx，λy和芯片m理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m，標(biāo)示所述芯片m實(shí)際旋轉(zhuǎn)后的實(shí)際位置坐標(biāo)為X′m-λx，Y′m-λy；
I03、利用以下公式對(duì)所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)Ox，Oy進(jìn)行修正，設(shè)修正后的所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心的位置坐標(biāo)為O′x，O′y
其中，R′m為第m顆芯片到修正后的所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心O′x，O′y的距離，所述第m顆芯片到修正后的所述芯片膜的旋轉(zhuǎn)中心O′x，O′y的距離R′m通過以下公式
進(jìn)行計(jì)算。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的LED芯片角度快速調(diào)校方法，其特征在于，所述角度間隔值為芯片進(jìn)行芯片封裝工藝中角度偏差的允許值。
全文摘要
一種LED芯片角度快速調(diào)校方法，主要包括將芯片歸入角度區(qū)間；獲取角度區(qū)間旋轉(zhuǎn)中心角度；選取第p角度區(qū)間，并將芯片膜按照該角度區(qū)間旋轉(zhuǎn)中心角度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，其中，p＝1；將芯片m按照其理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m進(jìn)行定位，并獲取X′m，Y′m與該芯片實(shí)際旋轉(zhuǎn)后的實(shí)際位置間的偏差λx，λy；判斷λx，λy是否大于某一閾值，若是，則根據(jù)λx，λy對(duì)Ox，Oy進(jìn)行修正，并進(jìn)行芯片位置校正；否則，按照該芯片理論旋轉(zhuǎn)后的理論位置坐標(biāo)X′m，Y′m進(jìn)行芯片位置校正；判斷第p角度區(qū)間中的芯片是否選取完，若是，則結(jié)束該角度區(qū)間芯片的角度調(diào)校；繼續(xù)下一角度區(qū)間中芯片的角度調(diào)校。本發(fā)明能夠提高芯片角度校正的準(zhǔn)確性，同時(shí)能夠有效地減少整體芯片的校正次數(shù)和提高芯片角度校正效率，從而提高芯片分選速度。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101777610SQ201010019539
公開日2010年7月14日 申請(qǐng)日期2010年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月21日
發(fā)明者李斌, 吳濤, 黃禹, 李海洲, 龔時(shí)華, 王龍文, 林康華, 李文杰 申請(qǐng)人:東莞華中科技大學(xué)制造工程研究院, 東莞市華科制造工程研究院有限公司