專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，且特別涉及一種半導(dǎo)體裝置的柵極結(jié)構(gòu)及其形成方法。
背景技術(shù)：
原子層沉積(ALD)及化學(xué)氣相沉積(CVD)為兩種用于形成金屬柵極結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)技 術(shù)。然而，在使用前述技術(shù)形成金屬層后，由于沉積金屬層時(shí)會(huì)形成較厚的側(cè)壁，而使P型 場(chǎng)效應(yīng)晶體管/N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縫隙可能會(huì)過(guò)窄。在P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝中，過(guò)窄的縫隙可能會(huì)影響隨后填充金屬至此縫隙中的 流程。當(dāng)半導(dǎo)體裝置的尺寸縮小時(shí)，縫隙窄小的寬度即變成棘手的問(wèn)題(例如，裝置尺寸小 于N28)。此外，對(duì)于N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝來(lái)說(shuō)，一旦形成金屬層，需要自N型場(chǎng)效應(yīng)晶體 管移除部分的金屬層。然而，縫隙可能過(guò)窄，使得用于移除金屬的液體無(wú)法有效流過(guò)其中。 因此，由于原子層沉積及化學(xué)氣相沉積工藝會(huì)造成過(guò)窄的縫隙，基于以上原因，不適合使用 原子層沉積及化學(xué)氣相沉積工藝。物理氣相沉積(PVD)為另一種金屬柵極的形成技術(shù)。物理氣相沉積的參數(shù)可被 精確的調(diào)整及控制(例如垂直及水平的沉積速率)，且可易于形成具有縫隙較大的金屬層 (相較于原子層沉積及化學(xué)氣相沉積)。原子層沉積及化學(xué)氣相沉積的另一缺點(diǎn)為順應(yīng)性 (conformal)沉積于溝槽，且無(wú)法控制金屬層的側(cè)壁部分及底部部分的厚度。然而，使用物 理氣相沉積可控制這些條件。盡管物理氣相沉積具有上述的優(yōu)點(diǎn)，其不適于形成金屬層的缺點(diǎn)為會(huì)沿著金屬層 頂部表面形成懸突部分。此懸突部分會(huì)使頂部表面的縫隙變小。因此，基于以上理由，不適 合以傳統(tǒng)的物理氣相沉積形成柵極。因此，業(yè)界需要的是一種使用物理氣相沉積形成柵極的改良工藝。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包 括提供一具有一柵極溝槽的半導(dǎo)體基底(substrate)；沉積一金屬層于該基底上，以部分 填滿該溝槽，使該金屬層包含一底部部分及一側(cè)壁部分，其中該側(cè)壁部分較該底部部分薄； 形成一保護(hù)層于該金屬層上，以使一部分的該保護(hù)層保護(hù)該溝槽中的一部分的該金屬層； 以及移除該金屬層未受保護(hù)的部分。本發(fā)明也提供另一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括提供一具有一柵極溝槽的半 導(dǎo)體基底；使用物理氣相沉積工藝(PVD)沉積一金屬層于該基底上，以部分填滿該溝槽，其 中該金屬層包含一底部部分及一側(cè)壁部分，且該側(cè)壁部分較該底部部分??；形成一涂布層 該金屬層上；回蝕刻該涂布層以使一部分的該涂布層保護(hù)該溝槽中的一部分的該金屬層； 以及移除該金屬層未受保護(hù)的部分。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體裝置，包括；一半導(dǎo)體基底；一源極及漏極區(qū)域，形成于 該半導(dǎo)體基底；以及一柵極結(jié)構(gòu)，位于該基底上的源極及漏極區(qū)域之間，該柵極結(jié)構(gòu)包含一具有一頂部表面的溝槽；及一金屬層，部分填滿該溝槽，其中該金屬層包含一側(cè)壁部分及 一底部部分，且其中該側(cè)壁部分較該底部部分薄。本發(fā)明能夠使用物理氣相沉積形成柵極。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能還明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施 例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1 圖5為本發(fā)明一實(shí)施例的以后柵極工藝制造半導(dǎo)體裝置于各種制造階段的 剖面圖。圖6為依照本發(fā)明揭示的一實(shí)施例的含后柵極工藝的柵極形成方法的流程圖。上述附圖中的附圖標(biāo)記說(shuō)明如下100 半導(dǎo)體裝置110 基底120a、120b 溝槽125a、12 溝槽的頂部表面130 金屬層140a、140b 懸突物160a、160b 金屬層的側(cè)壁部分170a、170b 金屬層的底部部分200 半導(dǎo)體裝置210 涂布層300 半導(dǎo)體裝置400 半導(dǎo)體裝置500 半導(dǎo)體裝置510 第二涂布層
具體實(shí)施例方式本發(fā)明公開(kāi)了形成基底上的集成電路裝置，且特別公開(kāi)了一種集成電路(包含場(chǎng) 效應(yīng)晶體管裝置)中的柵極結(jié)構(gòu)元件的制造方法?？芍氖?，本發(fā)明接下來(lái)將會(huì)提供許多 不同的實(shí)施例以實(shí)施本發(fā)明中不同的特征。各特定實(shí)施例中的組成及配置將會(huì)在以下作描 述以簡(jiǎn)化本發(fā)明。這些為實(shí)施例并非用于限定本發(fā)明。在本說(shuō)明書的各種例子中可能會(huì)出 現(xiàn)重復(fù)的元件符號(hào)以便簡(jiǎn)化描述，但這不代表在各個(gè)實(shí)施例和/或附圖之間有何特定的關(guān) 連。此外，本發(fā)明所提供的“后柵極”金屬柵極工藝的實(shí)施例，為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知 悉，可應(yīng)用于其他工藝和/或使用其他材料。參見(jiàn)圖1-圖5，其顯示為后柵極工藝中的半導(dǎo)體裝置于各種制造階段的剖面圖。 在圖1-圖5中，近似元件為使用相同的標(biāo)號(hào)表示，以示簡(jiǎn)潔及清晰。各種制造階段的裝置 各自標(biāo)示為100、200、300、400及500。裝置100、200、300、400及500可為集成電路工藝中 的半成品或其中的部分元件，可包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和/或其他邏輯電路、無(wú) 源元件及有源元件。無(wú)源元件例如為電阻、電容及電感。有源元件例如為P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、金屬氧化物半導(dǎo)體互補(bǔ)式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CMOS)、雙載流子晶體管、 高電壓晶體管、高頻晶體管、其他存儲(chǔ)單元及前述的組合?，F(xiàn)在請(qǐng)參見(jiàn)圖1，其顯示為半導(dǎo)體裝置100的剖面圖。半導(dǎo)體裝置100包含基 底110。柵極溝槽120a、120b形成于此基底110上。溝槽120a、120b各自具有頂部表 M 125aU25b0柵極溝槽120a、120b可形成于“后柵極(gatelast) ”或“柵極替換(gate replacement) ”工藝。在后柵極工藝中，先形成虛置多晶硅柵極，并繼續(xù)形成晶體管元件，直 至沉積層間介電層(ILD)。接著，移除虛置多晶硅柵極結(jié)構(gòu)而形成柵極溝槽120a、120b。在一實(shí)施例中，基底110包含結(jié)晶結(jié)構(gòu)的硅基底(例如晶片)?；?10可包含 依照公知設(shè)計(jì)所需的各種摻雜結(jié)構(gòu)(例如P型基底或N型基底)。其他實(shí)施例中，基底110 可包含其他元素半導(dǎo)體，例如鍺及鉆石?；蛘撸?10可包含化合物半導(dǎo)體，例如碳化硅、 砷化鎵、砷化銦或磷化銦。再者，基底110可選擇性包含外延層(印i layer)，可為應(yīng)變以增 進(jìn)效能(strained forperformance enhancement)和/或包含絕緣層上覆硅(SOI)結(jié)構(gòu)。金屬層130形成于溝槽120a、120b上。金屬層130為使用物理氣相沉積(PVD)工 藝沉積至基底Iio上，以部分填滿溝槽120a、120b。金屬層130可包含一個(gè)或多個(gè)材料層， 例如襯層(liners)、提供柵極合適功函數(shù)的材料層、柵極電極材料和/或其他合適材料。例 如，在一實(shí)施例中，金屬層130包含氮化鈦。或者，金屬層130可包含其他金屬，例如鈦、氮 化鉭、氮化鎢、釕及鋁?？捎^察到的是，沉積金屬層130所需的一個(gè)或多個(gè)膜層，可提供溝槽120a、120b不 完全的填充。例如，經(jīng)由物理氣相沉積(PVD)沉積金屬層130可能會(huì)各自沿著溝槽120a、 120b的頂部表面125a、125b產(chǎn)生懸突物(overhang) 140a、140b。懸突物140a、140b可能會(huì) 使填充具有高深寬比的溝槽時(shí)有困難。金屬層130各自包含側(cè)壁部分160a、160b及底部部分170a、170b。使用自訂條件的 (customized)物理氣相沉積，使所形成的側(cè)壁部分160a、160b較底部部分170a、170b薄。 例如，在一實(shí)施例中，用于半導(dǎo)體裝置100的物理氣相沉積工藝為在壓力小于約IOOmT下進(jìn) 行?；灼珘?substrate bias)有或沒(méi)有都可。通?？墒褂们岸喂に嚨墓β?front-end process power)，以使半導(dǎo)體裝置100中的介電材料不會(huì)受到損傷。在其他實(shí)施例中，也可 使用其他合適的物理氣相沉積參數(shù)。在一實(shí)施例中，側(cè)壁部分160a、160b至少較底部部分 170a、170b 薄 33%。參見(jiàn)圖2，其顯示為半導(dǎo)體裝置200的剖面圖。半導(dǎo)體裝置200包含與半導(dǎo)體裝置 100相同的元件，且還包含形成于金屬層130上的涂布層210。涂布層210可經(jīng)由旋轉(zhuǎn)涂布 工藝形成于金屬層130上。涂布層210的形成包含對(duì)涂布層210作軟烘烤。涂布層210包 含深紫外光吸光氧化物(DUVlight-absorbing oxide) 0然而，在其他實(shí)施例中，涂布層210 可包含一個(gè)或多個(gè)材料層，包含旋涂介電質(zhì)(spin-on dielectric ；SOD) 0在一實(shí)施例中，形成涂布層210前，半導(dǎo)體裝置200可用約110°C至200°C的溫度 作小于約2分鐘的預(yù)烘烤(pre-baked)，然而，也可為其他的溫度或時(shí)間。在預(yù)烘烤后，半 導(dǎo)體裝置200可用約170°C至300°C的溫度作小于約2分鐘的烘烤，或也可為其他的烘烤時(shí) 間。參見(jiàn)圖3，其顯示為半導(dǎo)體裝置300的剖面圖。半導(dǎo)體裝置300包含與半導(dǎo)體裝 置200相同的元件，且還包含對(duì)涂布層210進(jìn)行回蝕刻，以使部分的涂布層210得以保護(hù)溝槽120a、120b中的部分的金屬層130?？墒褂霉幕匚g刻工藝對(duì)涂布層210進(jìn)行回蝕刻。 在一實(shí)施例中，可使用以氟為主的溶液來(lái)對(duì)涂布層210進(jìn)行濕式蝕刻。濕式蝕刻工藝可在 20°C至80°C之間的任何溫度下進(jìn)行。在另一實(shí)施例中，可使用以氟為主的等離子體對(duì)涂布 層210進(jìn)行干式蝕刻。在另一實(shí)施例中，蝕刻移除溶液(removal etch solution)可為以 氫氧化四甲基銨(TMAH)為主的溶液、以氫氟酸(HF)為主的溶液和/或其他合適材料。也 就是說(shuō)，可使用以氫氧化四甲基銨(TMAH)為主的溶液、以氟為主的溶液、以氟為主的等離 子體及或其他合適材料來(lái)移除涂布層210。在對(duì)涂布層210進(jìn)行回蝕刻之后，涂布層210殘 余部分的頂部表面低于溝槽120a、120b的頂部表面12^1、125b。涂布層210可被蝕刻至任何高度。在一實(shí)施例中，回蝕刻涂布層210至其高度低 于溝槽120a、120b的頂部表面12^1、125b，依照隨后的工藝決定。當(dāng)回蝕刻涂布層210至某 一點(diǎn)，其相對(duì)于溝槽120a、120b的頂部表面125a、125b過(guò)高時(shí)，在隨后進(jìn)行如前述的金屬層 130回蝕刻工藝后，將仍會(huì)殘留有懸突物部分140a、140b。然而，回蝕刻涂布層210至某一 點(diǎn)，其相對(duì)于溝槽120a、120b的頂部表面125a、125b過(guò)低時(shí)，隨后的蝕刻工藝可能會(huì)傷害基 底 110。參見(jiàn)圖4，其顯示為半導(dǎo)體裝置400的剖面圖。半導(dǎo)體裝置400包含與半導(dǎo)體裝置 300相同的元件，且已移除金屬層130未受保護(hù)的部分而殘留金屬層130受涂布層210保 護(hù)的剩余部分。在半導(dǎo)體裝置400中，在移除金屬層130未受保護(hù)的部分后，金屬層130的 頂部表面已完全移除，且金屬層130的側(cè)壁部分160a、160b的第一部分已移除，以使側(cè)壁部 分160a、160b的第二部分低于溝槽120a、120b的頂部表面12fe、125b。由于移除了金屬層 130未受保護(hù)的部分，也移除了懸突物140a、140b，因此可于隨后工藝中打開(kāi)(opening)溝 槽120a、120b。在半導(dǎo)體裝置400中，可使用以標(biāo)準(zhǔn)清潔溶液I(SCl)為主、以硫酸為主、以 硝酸為主、以磷酸為主的溶液來(lái)移除金屬層130未受保護(hù)的部分。濕式蝕刻工藝可在溫度 介于25°C至80°C之間的任何溫度下進(jìn)行。在另一實(shí)施例中，金屬層130的表面部分未完全移除。例如，在一實(shí)施例中，未對(duì) 金屬層130作回蝕刻。在如此的一實(shí)施例中，回蝕刻未到達(dá)金屬層130的頂部表面，因此會(huì) 殘留懸突物140a、140b。在另一實(shí)施例中，仍殘留有金屬層130的頂部表面，但已移除一部 分的懸突物140a、140b。參見(jiàn)圖5，其顯示為半導(dǎo)體裝置500的剖面圖。半導(dǎo)體裝置500包含與半導(dǎo)體裝 置400相同的元件。且還形成第二涂布層510于金屬層130上而重新填滿溝槽120a、120b 外。在某些實(shí)施例中，部分的涂布層210可在重新填充涂布層510之前殘留于溝槽120a、 120b中。在其他實(shí)施例中，部分的涂布層210可在重新填充涂布層510之前被移除。第二 涂布層510包含深紫外光吸光氧化物(DUO)。然而，在其他實(shí)施例中，第二涂布層可包含一 個(gè)或多個(gè)材料層，包含旋涂介電質(zhì)(spin-on dielectric ;S0D)、以氫氧化四甲基銨(TMAH) 為主的溶液、以氫氟酸(HF)為主的溶液和/或其他合適材料。半導(dǎo)體裝置具有金屬層130，此金屬層130的側(cè)壁部分160a、160b (a)低于溝槽 120a、120b的頂部表面，且(b)薄于底部部分170a、160b。接著，可對(duì)半導(dǎo)體裝置500進(jìn)行 金屬圖案化工藝，例如光學(xué)微影工藝。例如，在一實(shí)施例中，溝槽120a設(shè)計(jì)用于作為ρ型場(chǎng) 效應(yīng)晶體管(PFET)及溝槽120b設(shè)計(jì)用于作為η型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(nFET)。金屬層130可包 含具有P型功函數(shù)的金屬層(P型金屬層)。因此，以圖案化工藝對(duì)涂布層510作圖案化，以保護(hù)溝槽120a中的ρ型金屬層，但不保護(hù)溝槽120b中的ρ型金屬層。在溝槽120b (nFET) 中的P型金屬層可由干蝕刻或濕蝕刻工藝移除。值得注意的是，懸突物去除后，蝕刻劑輕易 可填至溝槽120b中并移除溝槽120b中的ρ型金屬層。接著，形成具有η型功函數(shù)的金屬 層(η型金屬層)于溝槽120b (nFET)中。利用化學(xué)機(jī)械研磨可將超出溝槽120a、120b外的 各種材料層移除。此外，在移除溝槽120a中的涂布層510后，可沉積導(dǎo)電層填滿溝槽120a、120b的 剩余部分。由于沒(méi)有懸突物存在，導(dǎo)電材料層可完全填滿溝槽120a、120b。例如，可沉積鈦 層或以鈦為主的合金金屬，以作為填充鋁時(shí)的濕潤(rùn)層(wetting layer)。鈦層可由物理氣相 沉積或其他合適工藝形成。鋁層可形成于濕潤(rùn)層上?；蛘撸瑢?dǎo)電層可選擇性的包含鎢、銅或 其他合適材料?；瘜W(xué)機(jī)械研磨可移除超過(guò)溝槽120a、120b外的導(dǎo)電層?；瘜W(xué)機(jī)械研磨可具 有高選擇性，以提供柵極結(jié)構(gòu)具有實(shí)質(zhì)上的平坦表面。因此，η型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的金屬柵極 可具有適當(dāng)?shù)摩切凸瘮?shù)，且ρ型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的金屬柵極可具有適當(dāng)?shù)摩研凸瘮?shù)。因 此，不需額外的復(fù)雜工藝，η型場(chǎng)效應(yīng)晶體管及P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管可各自達(dá)到其所需的臨界 電壓?？芍氖?，半導(dǎo)體裝置500可進(jìn)行額外的工藝以形成各種元件，例如接觸點(diǎn)/通孔、 內(nèi)連線金屬層、金屬層間介電質(zhì)、保護(hù)層等等。參見(jiàn)圖6，其顯示為依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法600的流程圖。 方法600包含步驟601，其為在半導(dǎo)體基底中形成一柵極溝槽。于步驟602中，為使用物理 氣相沉積形成金屬層于半導(dǎo)體基底上。接著，進(jìn)行步驟604，其為形成第一涂布層于金屬層 上。再來(lái)，在步驟606時(shí)，對(duì)第一涂布層作回蝕刻，以使第一涂布層的剩余部分保護(hù)溝槽中 部分的金屬層。步驟608為移除金屬層未受保護(hù)的部分。在一實(shí)施例中，在移除金屬層未受 保護(hù)的部分時(shí)，一并移除了一部分的懸突物。例如，移除所有的懸突物。在另一實(shí)施例中， 移除金屬層未受保護(hù)的部分時(shí)，未對(duì)懸突物造成任何影響。在步驟609中，在第一涂布層及 金屬層上形成第二涂布層。繼續(xù)至步驟612，以一個(gè)或多個(gè)工藝在半導(dǎo)體裝置上形成ρ型場(chǎng) 效應(yīng)晶體管及η型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的金屬柵極，且在過(guò)程中可圖案化第一及第二涂布層。最 后，進(jìn)行步驟614，形成ρ型場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)及η型場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)于半導(dǎo)體裝置上。之前已描述形成金屬柵極的方法及系統(tǒng)的實(shí)施例。本發(fā)明也揭示以“旋涂式玻璃 (SOG) ”方法形成金屬柵極。然而，在此所述的方法及系統(tǒng)的部分也可適用于形成金屬柵極 的傳統(tǒng)方法。因此，雖然本發(fā)明已以數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任 何所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意的更動(dòng)與 潤(rùn)飾。例如雖然本發(fā)明所述的方法是舉例為“后柵極”工藝，但也可使用“混成工藝”，混成 工藝為于“前柵極”形成一種型態(tài)的金屬柵極，于“后柵極”工藝形成另一型態(tài)的金屬柵極。 此外，雖然在此所述的涂布材料為用以保護(hù)溝槽底部的金屬，既然回蝕刻工藝不需要曝光 工藝，此涂布材料也可為其他聚合物材料。因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所 界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括 提供一具有一柵極溝槽的半導(dǎo)體基底；沉積一金屬層于該基底上，以部分填滿該溝槽，使該金屬層包含一底部部分及一側(cè)壁 部分，其中該側(cè)壁部分較該底部部分??；形成一保護(hù)層于該金屬層上，以使一部分的該保護(hù)層保護(hù)該溝槽中的一部分的該金屬 層；以及移除該金屬層未受保護(hù)的部分。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該金屬層未受保護(hù)的部分包含一 在金屬層沉積后形成于該柵極溝槽的開(kāi)口的一懸突物。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該側(cè)壁部分至少較該底部部分薄 約 33%。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中沉積該金屬層包含進(jìn)行一物理氣 相沉積。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該物理氣相沉積在壓力小于約 IOOmT下進(jìn)行。
6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括 提供一具有一柵極溝槽的半導(dǎo)體基底；使用物理氣相沉積工藝沉積一金屬層于該基底上，以部分填滿該溝槽，其中該金屬層 包含一底部部分及一側(cè)壁部分，且該側(cè)壁部分較該底部部分??； 形成一涂布層該金屬層上；回蝕刻該涂布層以使一部分的該涂布層保護(hù)該溝槽中的一部分的該金屬層；以及 移除該金屬層未受保護(hù)的部分。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包含在由溝槽中移除該部分的涂布 層后，填滿該溝槽的剩余部分。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中移除該金屬層未受保護(hù)的部分包 含移除形成于該金屬層沉積上的懸突物。
9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該涂布層包含旋涂玻璃材料及深 紫外光吸光氧化物。
10.一種半導(dǎo)體裝置，包括； 一半導(dǎo)體基底；一源極及漏極區(qū)域，形成于該半導(dǎo)體基底；以及一柵極結(jié)構(gòu)，位于該基底上的源極及漏極區(qū)域之間，該柵極結(jié)構(gòu)包含一具有一頂部表面的溝槽；及一金屬層，部分填滿該溝槽，其中該金屬層包含一側(cè)壁部分及一底部部分，且其中該側(cè) 壁部分較該底部部分薄。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中該側(cè)壁部分至少較該底部部分薄約33%。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中該金屬層的頂部表面低于該溝槽的頂部表
13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中該金屬層的頂部表面未包含一懸突物。
14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中該金屬層的頂部表面包含一懸突物t
15.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，還包含一導(dǎo)電層填滿該溝槽的剩余部分t
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，該方法包含提供一具有一柵極溝槽的半導(dǎo)體基底，及以物理氣相沉積工藝沉積金屬層于該溝槽上，以部分填滿此溝槽。此金屬層包含一底部部分及一側(cè)壁部分，其中側(cè)壁部分較底部部分薄。此方法也包含形成一涂布層于此金屬層上，回蝕刻此涂布層，以保護(hù)溝槽中部分的金屬層，并移除金屬層未受保護(hù)的部分。本發(fā)明也提供一半導(dǎo)體裝置，包含一柵極，其含有一具有一頂部表面的溝槽，及一形成于此溝槽上的金屬層，其中此金屬層包含一側(cè)壁部分及一底部部分，且側(cè)壁部分較底部部分薄。本發(fā)明能夠使用物理氣相沉積形成柵極。
文檔編號(hào)H01L29/49GK102044426SQ20101000377
公開(kāi)日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2010年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月20日
發(fā)明者林秉順, 詹孟軒, 許光源 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司