專利名稱：半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)及其制造方法
半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種氧化物半導(dǎo)體晶體管及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種顯
示面板的薄膜晶體管數(shù)組及其制造方法。背景技術(shù)：
對(duì)于采用氧化物半導(dǎo)體例如銦鎵鋅氧化物(InGaZnO， IGZ0)作為信道層材料的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)(例如，薄膜晶體管)，信道層容易受到組件周圍氣氛(例如硅氧化物層或硅氮化物層的制程中使用的SiH4氣體)的影響，導(dǎo)致組件特性產(chǎn)生變化。例如，銦鎵鋅氧化物層若和含游離氫的膜層(例如柵極介電層與保護(hù)層)接觸，組件在長(zhǎng)時(shí)間高溫退火(anneal)后，含游離氫的膜層中的氫會(huì)擴(kuò)散進(jìn)入銦鎵鋅氧化物層內(nèi)，使得銦鎵鋅氧化物層的特性會(huì)變得比較偏向?qū)щ姞顟B(tài)，亦即銦鎵鋅氧化物層內(nèi)的氧會(huì)被游離氫還原成為氧缺(oxygen vacancies)而使得導(dǎo)電性提高，進(jìn)而使得薄膜晶體管的臨界電壓(thresholdvoltage)偏向負(fù)壓。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在提供一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，具有較佳的組件特性。 本發(fā)明的再一 目的是提供一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造方法，以改善半導(dǎo)體組件結(jié)
構(gòu)的組件特性。 本發(fā)明一實(shí)施例提出的一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，包括基底、柵極電極、含游離氫的第一介電層、源極電極、漏極電極、氧化物半導(dǎo)體層以及含游離氫的第二介電層。柵極電極位于基底上，第一介電層覆蓋柵極電極，源極電極位于第一介電層上，漏極電極位于第一介電層上且相對(duì)于源極電極具有一信道距離，氧化物半導(dǎo)體層位于第一介電層、源極電極及漏極電極上且包括位于源極電極與漏極電極之間，氧化物半導(dǎo)體層可進(jìn)一步電性連接源極電極及漏極電極，第二介電層覆蓋氧化物半導(dǎo)體層、源極電極及漏極電極，第二介電層具有溝槽，而此溝槽是環(huán)繞氧化物半導(dǎo)體層。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的氧化物半導(dǎo)體層包括銦鎵鋅氧化物(IGZ0)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一介電層包括第二溝槽，連接第一溝槽，且暴露出底部的部分柵極電極。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)更包括第三介電層，位于第二介電層上且填入第一溝槽與第二溝槽內(nèi)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第三介電層包括聚醯亞胺(polyimide)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)更包括圖案化透明導(dǎo)電層，位于
第二介電層上且填入第一溝槽與第二溝槽。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化透明導(dǎo)電層的材質(zhì)包括銦錫氧化物(IT0)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化透明導(dǎo)電層穿過(guò)第一溝槽與第二溝槽電性接觸柵極電極。
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在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一溝槽包括彼此不相連的第一子開(kāi)口與第二子
開(kāi)口 ，且第一子開(kāi)口與第二子開(kāi)口分別設(shè)置于氧化物半導(dǎo)體層的相對(duì)兩側(cè)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二介電層的游離氫含量高于第一介電層的游離
氫含量。 本發(fā)明再一實(shí)施例提出的一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，包括基底以及形成于基底上的晶體管；此晶體管包括柵極電極、源極電極、漏極電極、氧化物半導(dǎo)體層、柵極介電層以及含游離氫的保護(hù)層。柵極電極位于基底上，源極電極與漏極電極皆位于基底上且兩者之間具有一信道間距，氧化物半導(dǎo)體層包括位于源極電極與漏極電極之間且分別電性連接源極電極與漏極電極，柵極介電層設(shè)置于柵極電極與氧化物半導(dǎo)體層、源極電極及漏極電極之間，保護(hù)層位于柵極電極、柵極介電層、源極電極、漏極電極及氧化物半導(dǎo)體層上。其中，柵極介電層與保護(hù)層至少其一具有溝槽，此溝槽位于氧化物半導(dǎo)體層的周邊且環(huán)繞氧化物半導(dǎo)體層。 本發(fā)明又一實(shí)施例提出一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟形成柵極電極于基底上；形成含游離氫的第一介電層以覆蓋柵極電極；形成源極電極與漏極電極于第一介電層上，源極電極與漏極電極之間具有一信道間距；形成氧化物半導(dǎo)體層于第一介電層、源極電極、漏極電極上且包括位于源極電極與漏極電極之間；形成含游離氫的第二介電層于第一介電層、氧化物半導(dǎo)體層、源極電極及漏極電極上；以及至少蝕刻第二介電層以形成溝槽，此溝槽環(huán)繞氧化物半導(dǎo)體層。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的至少蝕刻第二介電層的步驟包括利用柵極電極作為蝕刻終止層，依序蝕刻穿第二介電層及第一介電層。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造方法更包括步驟形成第三介電層于第二介電層上，并填入溝槽內(nèi)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造方法更包括步驟形成透明導(dǎo)電層于第二介電層上，并填入溝槽內(nèi)。此外，透明導(dǎo)電層可穿過(guò)溝槽與柵極電極相電性接觸。 本發(fā)明實(shí)施例藉由至少于含游離氫的第二介電層/保護(hù)層內(nèi)設(shè)置溝槽以切斷游離氫擴(kuò)散至氧化物半導(dǎo)體層的路徑，氧化物半導(dǎo)體層不會(huì)被游離氫還原或僅僅遭受輕微的游離氫還原，因而氧化物半導(dǎo)體層的材料性能在半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程中可得以保持，從而本發(fā)明實(shí)施例提出的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)可具有較佳的器件性能。 為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1繪示為相關(guān)于本發(fā)明實(shí)施例的一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的局部示意圖。
圖2繪示為沿圖1中II-II'線的剖視圖。 圖3繪示為相關(guān)于本發(fā)明再一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的剖視圖。 圖4繪示為相關(guān)于本發(fā)明又一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的剖視圖。 圖5A至圖5E繪示為相關(guān)于本發(fā)明實(shí)施例提出的一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造方法
的制造流程。
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圖6繪示出相關(guān)于本發(fā)明實(shí)施例與比較例的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的電壓與電流的關(guān)系圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明
10、20:曲線 30 :半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu) 32:基底 36:晶體管 361、363:溝槽 361a、361b :子開(kāi)口 364:柵極介電層 366 :氧化物半導(dǎo)體層 368 :保護(hù)層 369A:介電層 369B :圖案化透明導(dǎo)電層 D :漏極電極 G:柵極電極 L :信道間距 S :源極電極
具體實(shí)施方式
下文依本發(fā)明的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)及其制造方法，特舉實(shí)施例配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明，但所提供的實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明所涵蓋的范圍，而方法流程步驟描述非用以限制其執(zhí)行的順序，任何由方法步驟重新組合的執(zhí)行流程，所產(chǎn)生具有均等功效的方法，皆為本發(fā)明所涵蓋的范圍。其中圖式僅以說(shuō)明為目的，并未依照原尺寸作圖。
請(qǐng)參閱圖l及圖2，圖l繪示出相關(guān)于本發(fā)明實(shí)施例的一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的局部示意圖，圖2繪示為沿圖1中II-II'線的剖視圖。其中，為清楚顯示出各組件的相對(duì)位置，圖1的氧化物半導(dǎo)體層366以透視方式繪示，然實(shí)際上氧化物半導(dǎo)體層366不需局限為透明材料。 如圖1所示，半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)30包括基底32以及形成于基底32上的晶體管36，且于本實(shí)施例中，晶體管36具有溝槽361及363。請(qǐng)一并參考圖1及圖2，晶體管36包括柵極電極G、柵極介電層364、源極電極S、漏極電極D、氧化物半導(dǎo)體層366以及保護(hù)層368。其中，柵極介電層364與保護(hù)層368可包含介電材料例如硅氧化物、硅氮化物或前述材料的組合，且因制程原因而可能含有游離氫，尤其保護(hù)層368中的游離氫含量一般會(huì)高于柵極介電層364中的游離氫含量。 承上述，柵極電極G位于基底32上，柵極介電層364覆蓋柵極電極G，源極電極S位于柵極介電層364上，漏極電極D位于柵極介電層364上且相對(duì)于源極電極S具有信道間距L。溝槽363位于柵極介電層364內(nèi)且包括彼此不相連的二子開(kāi)口 (圖中未標(biāo)示)，此二子開(kāi)口分設(shè)于氧化物半導(dǎo)體層366的相對(duì)兩側(cè)；再者，溝槽363暴露出底部的部分柵極電極G ;此外，溝槽363位于氧化物半導(dǎo)體層366的周邊且環(huán)繞氧化物半導(dǎo)體層366。
氧化物半導(dǎo)體層366位于柵極介電層364、源極電極S及漏極電極D上且位于源極電極S與漏極電極D之間，氧化物半導(dǎo)體層366電性連接源極電極S及漏極電極D，氧化物半導(dǎo)體層366可包含任合適當(dāng)?shù)难趸锇雽?dǎo)體材料，例如銦鎵鋅氧化物(IGZ0)、鋅氧化物(Zn0)、鋅錫氧化物(ZnSnO)其類似材料或前述材料的組合，以提供低漏電與高電子移動(dòng)性等優(yōu)點(diǎn)。氧化物半導(dǎo)體層366形成晶體管36的信道層，而信道層的長(zhǎng)度為L(zhǎng)。在此需要說(shuō)明的是，前述所謂的「氧化物半導(dǎo)體層366位于源極電極S與漏極電極D之間」可能包含兩種情形(1)氧化物半導(dǎo)體層366部分地位于源極電極S與漏極電極D之間，如圖2所示；以及(2)氧化物半導(dǎo)體層366僅位于源極電極S與漏極電極D之間(未繪示)。
保護(hù)層368覆蓋氧化物半導(dǎo)體層366、源極電極S及漏極電極D。溝槽361位于保護(hù)層368中且與溝槽363相連，溝槽361包括彼此不相連的二子開(kāi)口 361a及361b，此二子開(kāi)口 361a及361b分設(shè)于氧化物半導(dǎo)體層366的相對(duì)兩側(cè)；此外，溝槽361位于氧化物半導(dǎo)體層366的周邊且環(huán)繞氧化物半導(dǎo)體層366。 于其它實(shí)施例中，由于柵極介電層364中的游離氫含量相對(duì)較低，對(duì)半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)30的組件特性影響相對(duì)較小，因此在對(duì)半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)30的組件特性要求不高的應(yīng)用領(lǐng)域，或是柵極介電層364中的游離氫含量極低的狀況下，可僅在保護(hù)層368中形成溝槽361而不在柵極介電層364中形成溝槽363。 于其它實(shí)施例中，如圖3所示，本實(shí)施例提出的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)30可更包括介電層369A，位于保護(hù)層368上且填入溝槽361及363內(nèi)；在此，介電層369A作為溝槽361及363的填充材料，其選用不含游離氫的材質(zhì)例如聚醯亞胺(polyimide)。本實(shí)施例中，當(dāng)半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)30應(yīng)用于薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)時(shí)，介電層369A的形成方便后續(xù)畫(huà)素電極的形成。 于其它實(shí)施例中，如圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例提出的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)30亦可更包括圖案化透明導(dǎo)電層369B，位于保護(hù)層368上且填入溝槽361及363內(nèi)，圖案化透明導(dǎo)電層369B的材質(zhì)可選用銦錫氧化物或其它類似材料。此時(shí)，圖案化透明導(dǎo)電層369B穿過(guò)溝槽361及363與柵極電極G電性接觸而作為晶體管36的頂部柵極電極，柵極電極G則作為晶體管36的底部柵極電極；換而言之，此時(shí)的晶體管36為一種雙柵極晶體管。于其它實(shí)施例中，本發(fā)明的圖案化透明導(dǎo)電層369B亦可僅填入溝槽361及363內(nèi)，而不需覆蓋于源極電極S與漏極電極D上方，亦即僅于溝槽361及363中填入圖案化透明導(dǎo)電層369B而不形成雙柵極結(jié)構(gòu)。 下面將結(jié)合圖5A至圖5E具體描述相關(guān)于本發(fā)明實(shí)施例的一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造方法，圖5A至圖5E繪示出本發(fā)明實(shí)施例提出的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造流程。
如圖5A所示，先于基底32上形成柵極電極G。柵極電極G可以具有任何高導(dǎo)電材料，例如為金屬層，基底32可以具有任何高透光材料，例如為玻璃基板或壓克力基板。
如圖5B所示，其后于柵極電極G上形成柵極介電層364，柵極介電層364覆蓋柵極電極G，且其的材質(zhì)可為硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物或前述材料的組合；由于制程原因，例如于制程中采用SiH4氣體作為硅源，柵極介電層364中通常會(huì)含有游離氫。
如圖5C所示，接著于柵極介電層364上形成有源極電極S及漏極電極D，源極電極S與漏極電極D之間具有信道間距L。 如圖5D所示，于柵極介電層364、源極電極S及漏極電極D上形成有氧化物半導(dǎo)體層366，并且氧化物半導(dǎo)體層366還位于源極電極S與漏極電極D之間。此外，氧化物半導(dǎo)體層366與源極電極S及漏極電極D電性連接且于源極電極S與漏極電極D之間形成長(zhǎng)度為L(zhǎng)的信道層。在此，氧化物半導(dǎo)體層366的材質(zhì)可選用銦鎵鋅氧化物、其它含氧金屬化合物半導(dǎo)體材料或前述材料的組合。 如圖5E所示，于柵極介電層364、氧化物半導(dǎo)體層366、源極電極S及漏極電極D上形成有保護(hù)層368。保護(hù)層368的材質(zhì)可選用硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物或前述材料的組合；由于制程原因，例如于制程中采用SiH4氣體作為硅源，保護(hù)層368中通常會(huì)含有游離氫，且游離氫的含量通常高于柵極介電層364的游離氫含量。 之后，以柵極電極G為蝕刻終止層，依序蝕刻保護(hù)層368與門極介電層364，以在保護(hù)層368中形成溝槽361以及在柵極介電層364中形成溝槽363 ;溝槽361與溝槽363相連且環(huán)繞氧化物半導(dǎo)體層366，從而制得如圖2所示的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)30。在此需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例提出的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造方法亦可僅蝕刻保護(hù)層368而形成溝槽361。 于其它實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提出的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造方法還可于保護(hù)層368上形成另一介電層，并填入溝槽361及/或溝槽363內(nèi)，從而可制得如圖3所示的結(jié)構(gòu)。
于其它實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提出的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造方法亦可于保護(hù)層368上形成透明導(dǎo)電層并填入溝槽361及/或溝槽363內(nèi)，當(dāng)對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化后可得如圖4所示的結(jié)構(gòu)。 請(qǐng)參閱圖6，圖6繪示出相關(guān)于本發(fā)明實(shí)施例與比較例的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的電壓(V)與電流(I)的關(guān)系圖。其中，本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)與比較例的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的差別在于，本發(fā)明實(shí)施例的柵極介電層364以及保護(hù)層368中具有環(huán)繞氧化物半導(dǎo)體層的溝槽361、363，比較例的柵極介電層以及保護(hù)層中不具有環(huán)繞氧化物半導(dǎo)體層的溝槽。本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的電壓與電流的關(guān)系曲線為曲線IO，而比較例的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的電壓與電流的關(guān)系曲線為曲線20。 如圖6所示，比較例的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)具有較大的漏電流(I。ff)，且臨界電壓(Vth)偏向負(fù)值，且臨界電壓不明顯，因此組件的電性較不理想。相較的下，本發(fā)明的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的臨界電壓趨近于OV，且具有較佳的次臨界擺幅(sub threshold swing, S.S.)。這是
因?yàn)楸景l(fā)明實(shí)施例可于含游離氫的保護(hù)層內(nèi)設(shè)置溝槽，所以氧化物半導(dǎo)體層不易遭游離氫還原，因此可以維持在較接近半導(dǎo)體的狀態(tài)，因此本發(fā)明的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)具有較佳的半導(dǎo)體組件特性。 綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提出的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)及其制造方法藉由至少于含游離氫的保護(hù)層內(nèi)設(shè)置溝槽，以切斷游離氫擴(kuò)散至氧化物半導(dǎo)體層的路徑，氧化物半導(dǎo)體層不會(huì)被游離氫還原或僅僅遭受輕微的游離氫還原，因而氧化物半導(dǎo)體層的材料性能在半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程中可得以保持，從而本發(fā)明實(shí)施例提出的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的組件特性可得以改善。 此外，任何熟習(xí)此技藝者還可對(duì)本發(fā)明上述實(shí)施例提出的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)及其制造方法作適當(dāng)變更，例如適當(dāng)變更氧化物半導(dǎo)體層的位置，將氧化物半導(dǎo)體層設(shè)置于源極電極與漏極電極的底部且與源極電極及漏極電極相電性連接等等。 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，包括一基底；一柵極電極，位于該基底上；一含游離氫的第一介電層，覆蓋該柵極電極；一源極電極，位于該第一介電層上；一漏極電極，位于該第一介電層上，相對(duì)于該源極電極具有一信道間距；一氧化物半導(dǎo)體層，位于該第一介電層、該源極電極及該漏極電極上，且位于該源極電極與該漏極電極之間，該氧化物半導(dǎo)體層電性連接該源極電極及該漏極電極；以及一含游離氫的第二介電層，覆蓋該氧化物半導(dǎo)體層、該源極電極及該漏極電極，其中該第二介電層具有一第一溝槽，且該第一溝槽環(huán)繞該氧化物半導(dǎo)體層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該氧化物半導(dǎo)體層包括銦鎵鋅氧化物。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一介電層包括一第二溝槽，連接該第一溝槽，且暴露出底部的部分該柵極電極。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一第三介電層，位于該第二介電層上且填入該第一溝槽與該第二溝槽內(nèi)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三介電層包括聚醯亞胺。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一圖案化透明導(dǎo)電層，位于該第二介電層上且填入該第一溝槽與該第二溝槽內(nèi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化透明導(dǎo)電層的材質(zhì)包括銦錫氧化物。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化透明導(dǎo)電層穿過(guò)該第一溝槽與第二溝槽電性接觸該柵極電極。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一溝槽包括彼此不相連的第一子開(kāi)口與第二子開(kāi)口 ，且該第一子開(kāi)口與第二子開(kāi)口分別設(shè)置于該氧化物半導(dǎo)體層的相對(duì)兩側(cè)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二介電層的游離氫含量大于該第一介電層的游離氫含量。
11. 一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，包括"~~"基底；一晶體管，位于該基底上，該晶體管包括一柵極電極，位于該基底上；一源極電極與一漏極電極，位于該基底上，該源極電極與該漏極電極之間具有一信道間距；一氧化物半導(dǎo)體層，位于該源極電極與該漏極電極之間，且分別電性連接該源極電極與該漏極電極；以及一柵極介電層，設(shè)置于該柵極電極與該氧化物半導(dǎo)體層、該源極電極及該漏極電極之間；以及一含游離氫的保護(hù)層，位于該柵極電極、該柵極介電層、該源極電極、該漏極電極及該氧化物半導(dǎo)體層上；其中，該柵極介電層與該保護(hù)層至少其一具有一溝槽，位于該氧化物半導(dǎo)體層的周邊且環(huán)繞該氧化物半導(dǎo)體層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該氧化物半導(dǎo)體層包括銦鎵鋅氧化物。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括聚醯亞胺或銦錫氧化物，設(shè)置于該溝槽中。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該溝槽包括彼此不相連的第一開(kāi)口與第二開(kāi)口 ，且該第一開(kāi)口與第二開(kāi)口分別設(shè)置于該氧化物半導(dǎo)體層的相對(duì)兩
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該溝槽貫穿該柵極介電層與該保護(hù)層。
16. —種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造方法，包括形成一柵極電極于一基底上；形成一含游離氫的第一介電層以覆蓋該柵極電極；形成一源極電極與一漏極電極于該第一介電層上，該源極電極與該漏極電極之間具有一信道間距；形成一氧化物半導(dǎo)體層于該第一介電層、該源極電極及該漏極電極上，且位于該源極電極與該漏極電極之間；形成一第二介電層于該第一介電層、該氧化物半導(dǎo)體層、該源極電極及該漏極電極上；以及至少蝕刻該第二介電層以形成一溝槽，且該溝槽環(huán)繞該氧化物半導(dǎo)體層。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，至少蝕刻該第二介電層的步驟包括利用該柵極電極作為蝕刻終止層，依序蝕刻穿該第二介電層及該第一介電層。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，更包括步驟形成一第三介電層于該第二介電層上，并填入該溝槽內(nèi)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，更包括步驟形成一透明導(dǎo)電層于該第二介電層上，并填入該溝槽內(nèi)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該透明導(dǎo)電層穿過(guò)該溝槽電性接觸該柵極電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)及其制造方法，此結(jié)構(gòu)包括基底、氧化物半導(dǎo)體晶體管與含游離氫的保護(hù)層。柵極電極位于基底上，柵極介電層覆蓋柵極電極，源極電極位于柵極介電層上，漏極電極位于柵極介電層上且相對(duì)于源極電極具有信道間距，氧化物半導(dǎo)體層位于柵極介電層、源極電極及漏極電極上且位于源極電極與漏極電極之間并與其電性連接，保護(hù)層覆蓋氧化物半導(dǎo)體層、源極電極及漏極電極；其中保護(hù)層具有溝槽，此溝槽環(huán)繞氧化物半導(dǎo)體層。
文檔編號(hào)H01L21/34GK101789449SQ201010003239
公開(kāi)日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2010年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月4日
發(fā)明者林俊男, 蔡文慶, 陳立凱, 高逸群 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司