專利名稱：使用直接圖案化的無(wú)針孔掩膜層制作太陽(yáng)能電池的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例在太陽(yáng)能電池制作的領(lǐng)域中，具體而言，在針對(duì)太陽(yáng)能電池制作的直接圖案化的無(wú)針孔掩膜的領(lǐng)域中。
背景技術(shù)：
光伏電池(通常已知為太陽(yáng)能電池)是眾所周知的用于直接將太陽(yáng)輻射轉(zhuǎn)換為電能的裝置。通常，在半導(dǎo)體晶片或基板上使用半導(dǎo)體處理技術(shù)以形成接近基板表面的p-n 結(jié)來(lái)制作太陽(yáng)能電池。射到基板表面上的太陽(yáng)輻射在基板的主體中產(chǎn)生電子和空穴對(duì)，其移動(dòng)到基板中的P摻雜區(qū)和η摻雜區(qū)，從而在摻雜區(qū)之間產(chǎn)生電壓差。將摻雜區(qū)耦合至太陽(yáng)能電池上的金屬觸點(diǎn)，以將電流從電池導(dǎo)向與之耦合的外部電路。典型地，通過(guò)首先對(duì)形成在光伏基板的背面的電介質(zhì)層或堆疊進(jìn)行圖案化來(lái)形成金屬觸點(diǎn)。例如，使用絲網(wǎng)印刷處理在電介質(zhì)層上形成墨跡圖案。然后，在蝕刻處理期間， 使用墨跡圖案作為掩膜對(duì)電介質(zhì)層進(jìn)行圖案化。然而，典型地使用全局的(相對(duì)于局部的) 蝕刻處理。從而，在墨跡圖案中存在的任何針孔也都被圖案化到電介質(zhì)層中，從而在電介質(zhì)層中形成針孔。用于在圖案化的電介質(zhì)層中形成金屬觸點(diǎn)的金屬層會(huì)不合期望地填充在圖案化的電介質(zhì)層中形成的針孔，從而潛在地導(dǎo)致短路或其他缺陷。

發(fā)明內(nèi)容


圖1描述了表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的制作太陽(yáng)能電池的方法中的一系列操作的流程圖。圖2Α示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于來(lái)自圖1的流程圖的操作102的、在其上布置有電介質(zhì)層的基板的截面圖。圖2Β示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于來(lái)自圖1的流程圖的操作104的、在其上形成有無(wú)針孔掩膜層的基板的截面圖。圖2C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于來(lái)自圖1的流程圖的操作106的、在其上形成有圖案化的無(wú)針孔掩膜層的基板的截面圖。圖2D示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于來(lái)自圖1的流程圖的操作108的、在其上形成有圖案化的電介質(zhì)層和圖案化的無(wú)針孔掩膜層的基板的截面圖。圖2Ε示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于來(lái)自圖1的流程圖的操作110的、在其上形成有圖案化的電介質(zhì)層的基板的截面圖，其中已經(jīng)去除了圖案化的無(wú)針孔掩膜層。圖2F示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于來(lái)自圖1的流程圖的操作112的、 在其上形成有多個(gè)金屬觸點(diǎn)的基板的截面圖。
具體實(shí)施例方式在此描述制作太陽(yáng)能電池的方法。在以下描述中，闡明了若干特定細(xì)節(jié)(諸如特定的化學(xué)兼容性)，以便提供對(duì)于本發(fā)明的全面理解。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是， 在不具有這些特定細(xì)節(jié)的情況下也可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例。在其他實(shí)例中，沒(méi)有對(duì)眾所周知的處理步驟(諸如金屬沉積步驟)進(jìn)行詳細(xì)描述，以便不使得本發(fā)明的實(shí)施例不必要地變得模糊。此外，應(yīng)當(dāng)理解的是，在附圖中示出的各種實(shí)施例為示意性表示，并且沒(méi)有按照比例繪制。在此公開(kāi)的內(nèi)容為制作太陽(yáng)能電池的方法?？梢允紫忍峁┰谄渖喜贾糜须娊橘|(zhì)層的基板。在一個(gè)實(shí)施例中，然后在該電介質(zhì)層之上形成無(wú)針孔掩膜層。不使用掩膜，然后可以對(duì)該無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的無(wú)針孔掩膜層。在一個(gè)實(shí)施例中，在圖案化期間，電介質(zhì)層保護(hù)基板。在一個(gè)實(shí)施例中，使用圖案化的無(wú)針孔掩膜層作為掩膜，然后對(duì)電介質(zhì)層進(jìn)行蝕刻，以形成圖案化的電介質(zhì)層并暴露基板的一部分。然后，去除圖案化的無(wú)針孔掩膜層，以暴露圖案化的電介質(zhì)層，并且在該圖案化的電介質(zhì)層中形成多個(gè)金屬觸點(diǎn)ο利用直接圖案化無(wú)針孔掩膜層可以基本上消除在用于在太陽(yáng)能電池的背面上形成多個(gè)金屬觸點(diǎn)的電介質(zhì)層或堆疊中形成針孔。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在被用來(lái)最終形成太陽(yáng)能電池的多個(gè)金屬觸點(diǎn)的圖案化處理中，使用無(wú)針孔掩膜層來(lái)替代墨跡層。可以通過(guò)直接形成圖案的(相對(duì)于掩膜的)圖案化處理來(lái)對(duì)無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)使用激光燒蝕技術(shù)來(lái)對(duì)直接圖案化的無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化。在另一實(shí)施例中，通過(guò)使用點(diǎn)蝕刻技術(shù)來(lái)對(duì)直接圖案化的無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化。直接圖案化的無(wú)針孔掩膜層可以被用在制作太陽(yáng)能電池中。圖1描述了表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的制作太陽(yáng)能電池的方法中的一系列操作的流程圖100。圖2A-2F示出了表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于流程圖100的操作的、制作太陽(yáng)能電池中的操作的截面圖。圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于來(lái)自流程圖100的操作102的、在其上布置有電介質(zhì)層的基板的截面圖。參考流程圖100的操作102和對(duì)應(yīng)的圖2A，提供在其上布置有電介質(zhì)層的基板。參考圖2A，基板200具有光接收表面202和背面204。在一個(gè)實(shí)施例中，光接收表面202被紋理化(如圖2A所示)，以便在太陽(yáng)輻射收集效率期間減少不期望的反射。在一個(gè)實(shí)施例中，抗反射涂層220被形成在基板200的光接收表面202上并與之共形。在基板 200的背面204處形成多個(gè)有源區(qū)206。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，多個(gè)有源區(qū)206包括交替的N+區(qū)和P+區(qū)(如圖2A所示)。在一個(gè)實(shí)施例中，基板200包括晶體硅，N+區(qū)包括磷摻雜劑雜質(zhì)原子而P+區(qū)包括硼摻雜劑雜質(zhì)原子。在基板200的背面204上布置電介質(zhì)層 208。在一個(gè)實(shí)施例中，電介質(zhì)層208包括諸如二氧化硅之類的材料，但并不限定于此。在另一實(shí)施例中，電介質(zhì)層208為電介質(zhì)層堆疊，例如，電介質(zhì)層208包括在基板200上布置
的二氧化硅層和在該二氧化硅層上布置的氮化硅層。圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于來(lái)自流程圖100的操作104的、在其上形成有無(wú)針孔掩膜層的基板的截面圖。參考流程圖100的操作104和對(duì)應(yīng)的圖2B，在電介質(zhì)層之上形成無(wú)針孔掩膜層。參考圖2B，在電介質(zhì)層208的表面上形成無(wú)針孔掩膜層210?？梢酝ㄟ^(guò)適合于提供電介質(zhì)層208的共形覆蓋而不形成針孔的技術(shù)來(lái)形成無(wú)針孔掩膜層210。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，形成無(wú)針孔掩膜層210包括使用化學(xué)汽相沉積技術(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，使用化學(xué)汽相沉積技術(shù)包括沉積諸如非晶硅、無(wú)定形碳或聚酰亞胺之類的材料，但并不限定于此。 在一個(gè)特定實(shí)施例中，無(wú)針孔掩膜層210包括非晶硅，并且通過(guò)使用諸如硅烷(SiH4)或乙硅烷(Si2H6)之類的氣體的化學(xué)汽相沉積來(lái)形成無(wú)針孔掩膜層210，但并不限定于此。在另一特定實(shí)施例中，無(wú)針孔掩膜層210包括無(wú)定形碳，并且通過(guò)使用諸如甲烷(CH4)、乙烷 (C2H6)、丙烷(C3H8)、乙稀(C2H4)或丙烯(C3H6)之類的氣體的化學(xué)汽相沉積來(lái)形成無(wú)針孔掩膜層210，但并不限定于此。為了制作效率，可以在與電介質(zhì)層208沉積的相同的處理操作中沉積無(wú)針孔掩膜層210。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，電介質(zhì)層208為包括氮化硅層的電介質(zhì)層堆疊，并且通過(guò)安排用在化學(xué)汽相沉積處理中的沉積氣體的順序，在與氮化硅層相同的工藝腔中和相同的處理步驟中沉積無(wú)針孔掩膜層210。在另一實(shí)施例中，形成無(wú)針孔掩膜層 210包括在分離的處理操作中在二氧化硅電介質(zhì)層208上形成非晶硅層。圖2C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于來(lái)自流程圖100的操作106的、在其上形成有圖案化的無(wú)針孔掩膜層的基板的截面圖。參考流程圖100的操作106和對(duì)應(yīng)的圖2C，不使用掩膜，對(duì)無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的無(wú)針孔掩膜層。參考圖2C，對(duì)電介質(zhì)層208上的無(wú)針孔掩膜層210進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的無(wú)針孔掩膜層230。在一個(gè)實(shí)施例中，圖案化的無(wú)針孔掩膜層230的圖案確定了隨后將要被形成在電介質(zhì)層208中的多個(gè)觸點(diǎn)開(kāi)口的位置?？梢酝ㄟ^(guò)適合于有選擇性地對(duì)無(wú)針孔掩膜層 210進(jìn)行圖案化而不會(huì)顯著地影響電介質(zhì)層208的技術(shù)對(duì)無(wú)針孔掩膜層210進(jìn)行圖案化來(lái)形成圖案化的無(wú)針孔掩膜層230。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，對(duì)無(wú)針孔掩膜層210進(jìn)行圖案化以形成圖案化的無(wú)針孔掩膜層230包括使用利用激光的激光燒蝕技術(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，使用激光燒蝕技術(shù)包括選擇使得無(wú)針孔掩膜層210具有比電介質(zhì)層208更快的燒蝕速率的激光波長(zhǎng)。在一個(gè)特定實(shí)施例中，在激光燒蝕期間，電介質(zhì)層208保護(hù)基板200，這是因?yàn)殡娊橘|(zhì)層208的帶隙大于基板200的帶隙，否則在沒(méi)有電介質(zhì)層208的情況下，基板200 將不合期望地被用于對(duì)無(wú)針孔掩膜層210進(jìn)行圖案化的激光燒蝕處理所影響。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，對(duì)無(wú)針孔掩膜層210進(jìn)行圖案化以形成圖案化的無(wú)針孔掩膜層230包括使用點(diǎn)蝕刻技術(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，使用點(diǎn)蝕刻技術(shù)包括選擇使得無(wú)針孔掩膜層210具有比電介質(zhì)層208更快的蝕刻速率的濕法蝕刻劑。在一個(gè)特定實(shí)施例中， 選擇濕法蝕刻劑包括使用氫氧化鉀的水溶液。在一個(gè)具體實(shí)施例中，在點(diǎn)蝕刻期間，電介質(zhì)層208保護(hù)基板200，這是因?yàn)殡娊橘|(zhì)層208的蝕刻速率遠(yuǎn)低于基板200的蝕刻速率，否則在沒(méi)有電介質(zhì)層208的情況下，基板200將不合期望地被用于對(duì)無(wú)針孔掩膜層210進(jìn)行圖案化的點(diǎn)蝕刻所影響。注意，由于相對(duì)于無(wú)針孔掩膜層210的厚度電介質(zhì)層208具有相當(dāng)大的厚度，因此電介質(zhì)層208的直接點(diǎn)蝕刻可能是無(wú)效的。從而，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，當(dāng)為太陽(yáng)能電池制作多個(gè)金屬觸點(diǎn)時(shí)，使用直接圖案化的無(wú)針孔掩膜層對(duì)電介質(zhì)層進(jìn)行圖案化是有利的。在一個(gè)實(shí)施例中，電介質(zhì)層208的厚度在大約100-500納米的范圍內(nèi)，而無(wú)針孔掩膜層210的厚度在大約1-100納米的范圍內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，無(wú)針孔掩膜層210 的圖案化包括在圖案化期間保留全部的電介質(zhì)層208。

因此，如結(jié)合圖2A-2C所述，在不使用掩膜的情況下，可以對(duì)無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的無(wú)針孔掩膜層。形成了無(wú)針孔掩膜層之后，可以制作背面接觸太陽(yáng)能電池的金屬觸點(diǎn)，如結(jié)合2D-2F所述。圖2D示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于來(lái)自流程圖100的操作108的、在其上形成有圖案化的電介質(zhì)層和圖案化的無(wú)針孔掩膜層的基板的截面圖。參考流程圖100 的操作108和對(duì)應(yīng)的圖2D，使用圖案化的無(wú)針孔掩膜層作為掩膜對(duì)電介質(zhì)層進(jìn)行蝕刻，以形成圖案化的電介質(zhì)層并暴露基板的一部分。參考圖2D，通過(guò)使用圖案化的無(wú)針孔掩膜層230作為掩膜，在電介質(zhì)層208中形成多個(gè)接觸開(kāi)口，以形成圖案化的電介質(zhì)層240?？梢酝ㄟ^(guò)適合于有選擇性地從圖案化的無(wú)針孔掩膜層230轉(zhuǎn)移圖案而不會(huì)顯著地影響(例如，蝕刻)基板200的背面204(即，不會(huì)使得多個(gè)有源區(qū)206的效力降低)的技術(shù)對(duì)電介質(zhì)層208進(jìn)行圖案化來(lái)形成圖案化的電介質(zhì)層240。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，通過(guò)使用全局的緩沖氧化蝕刻劑對(duì)電介質(zhì)層208進(jìn)行蝕刻(例如，通過(guò)將基板200浸沒(méi)在緩沖氧化蝕刻劑中)，來(lái)對(duì)電介質(zhì)層208進(jìn)行圖案化以形成圖案化的電介質(zhì)層240。在一個(gè)實(shí)施例中，緩沖氧化蝕刻劑包括包含有氫氟酸(HF)和氟化銨(NH4F)的水溶液。在一個(gè)特定實(shí)施例中，HF NH4F比在大約1 4_1 10的范圍內(nèi)，并且在大約30-40攝氏度范圍內(nèi)的溫度下，在為期大約3-10分鐘的范圍內(nèi)，將緩沖氧化蝕刻劑應(yīng)用到電介質(zhì)層208。圖2E示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于來(lái)自流程圖100的操作110的、在其上形成有圖案化的電介質(zhì)層的基板的截面圖，其中已經(jīng)去除了圖案化的無(wú)針孔掩膜層。 參考流程圖100的操作110和對(duì)應(yīng)的圖2E，去除圖案化的無(wú)針孔掩膜層，以暴露圖案化的電介質(zhì)層。參考圖2E，有選擇性地去除圖案化的無(wú)針孔掩膜層230，以提供在其中形成有多個(gè)開(kāi)口的圖案化的電介質(zhì)層240。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以通過(guò)適合于保持圖案化的電介質(zhì)層240的圖案完整性而不會(huì)顯著地影響(例如，蝕刻)基板200的背面204(即，不會(huì)使得多個(gè)有源區(qū)206的效力降低)的技術(shù)來(lái)有選擇性地去除圖案化的無(wú)針孔掩膜層230。 在一個(gè)實(shí)施例中，去除圖案化的無(wú)針孔掩膜層230包括使用氫氧化鉀的水溶液。圖2F示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于來(lái)自流程圖100的操作112的、在其上形成有多個(gè)金屬觸點(diǎn)的基板的截面圖。參考流程圖100的操作112和對(duì)應(yīng)的圖2F，在圖案化的電介質(zhì)層中形成多個(gè)金屬觸點(diǎn)。參考圖2F，通過(guò)在圖案化的電介質(zhì)層240之中和多個(gè)有源區(qū)206上沉積并圖案化包含金屬的材料形成多個(gè)金屬觸點(diǎn)250。在一個(gè)實(shí)施例中，用于形成多個(gè)金屬觸點(diǎn)250的包含金屬的材料包括諸如鋁、銀、鈀或其合金之類的金屬，但并不限定于此。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，從而形成背面接觸太陽(yáng)能電池260。因此，已經(jīng)公開(kāi)了用于制作太陽(yáng)能電池的方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供在其上布置有電介質(zhì)層的基板。在該基板之上形成無(wú)針孔掩膜層。在不使用掩膜的情況下，對(duì)該無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的無(wú)針孔掩膜層。在一個(gè)實(shí)施例中，在圖案化期間，電介質(zhì)層保護(hù)基板。
權(quán)利要求
1.一種用于制作太陽(yáng)能電池的方法，包括 提供在其上布置有電介質(zhì)層的基板； 在所述電介質(zhì)層之上形成無(wú)針孔掩膜層；在不使用掩膜的情況下，對(duì)所述無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的無(wú)針孔掩膜層，其中在圖案化期間，所述電介質(zhì)層保護(hù)所述基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中對(duì)所述無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化包括使用利用具有一定波長(zhǎng)的激光的激光燒蝕技術(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中使用激光燒蝕技術(shù)包括選擇使得所述無(wú)針孔掩膜層具有比所述電介質(zhì)層更快的燒蝕速率的激光波長(zhǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中對(duì)所述無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化包括使用利用濕法蝕刻劑的點(diǎn)蝕刻技術(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中使用點(diǎn)蝕刻技術(shù)包括選擇使得所述無(wú)針孔掩膜層具有比所述電介質(zhì)層更快的蝕刻速率的濕法蝕刻劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中選擇濕法蝕刻劑包括使用氫氧化鉀的水溶液。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成所述無(wú)針孔掩膜層包括使用化學(xué)汽相沉積技術(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中使用化學(xué)汽相沉積技術(shù)包括沉積選自由以下材料構(gòu)成的組中的材料非晶硅、無(wú)定形碳和聚酰亞胺。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中提供具有電介質(zhì)層的基板包括提供在其上布置有二氧化硅層的晶體硅基板，并且其中形成所述無(wú)針孔掩膜層包括在所述二氧化硅層之上形成非晶娃層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中對(duì)所述無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化包括保留全部的所述電介質(zhì)層。
11.一種用于制作太陽(yáng)能電池的方法，包括 提供在其上布置有電介質(zhì)堆疊的基板； 在所述電介質(zhì)堆疊上形成無(wú)針孔掩膜層；在不使用掩膜的情況下，對(duì)所述無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的無(wú)針孔掩膜層，其中在圖案化期間，所述電介質(zhì)堆疊保護(hù)所述基板；使用所述圖案化的無(wú)針孔掩膜層作為掩膜對(duì)所述電介質(zhì)堆疊進(jìn)行蝕刻，以形成圖案化的電介質(zhì)堆疊并暴露所述基板的一部分；去除所述圖案化的無(wú)針孔掩膜層，以暴露所述圖案化的電介質(zhì)堆疊；以及在所述圖案化的電介質(zhì)堆疊中形成多個(gè)金屬觸點(diǎn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中對(duì)所述電介質(zhì)堆疊進(jìn)行蝕刻包括使用全局的緩沖氧化蝕刻劑。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中去除所述圖案化的無(wú)針孔掩膜層包括使用氫氧化鉀的水溶液。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中對(duì)所述無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化包括使用利用具有一定波長(zhǎng)的激光的激光燒蝕技術(shù)，并且其中使用激光燒蝕技術(shù)包括選擇使得所述無(wú)針孔掩膜層具有比所述電介質(zhì)堆疊層更快的燒蝕速率的激光波長(zhǎng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中對(duì)所述無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化包括使用利用濕法蝕刻劑的點(diǎn)蝕刻技術(shù)，并且其中使用點(diǎn)蝕刻技術(shù)包括選擇使得所述無(wú)針孔掩膜層具有比所述電介質(zhì)堆疊更快的蝕刻速率的濕法蝕刻劑。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中選擇濕法蝕刻劑包括使用氫氧化鉀的水溶液。
17.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中形成所述無(wú)針孔掩膜層包括使用化學(xué)汽相沉積技術(shù)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中使用化學(xué)汽相沉積技術(shù)包括沉積選自由以下材料構(gòu)成的組中的材料非晶硅、無(wú)定形碳和聚酰亞胺。
19.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中提供具有電介質(zhì)堆疊的基板包括提供在該基板上布置有二氧化硅層并且在該二氧化硅層上布置有氮化硅層的晶體硅基板，并且其中形成所述無(wú)針孔掩膜層包括在所述氮化硅層之上形成非晶硅層。
20.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中對(duì)所述無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化包括保留全部的所述電介質(zhì)堆疊。
21.一種太陽(yáng)能電池，包括基板，在其上布置有圖案化的電介質(zhì)層；以及圖案化的無(wú)針孔掩膜層，其布置在所述圖案化的電介質(zhì)層之上，其中圖案化的電介質(zhì)層和圖案化的無(wú)針孔掩膜層具有實(shí)質(zhì)上相同的圖案。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的太陽(yáng)能電池，其中所述圖案化的無(wú)針孔掩膜層包括選自由以下材料構(gòu)成的組中的材料非晶硅、無(wú)定形碳和聚酰亞胺。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的太陽(yáng)能電池，其中所述基板包括晶體硅，其中所述圖案化的電介質(zhì)層包括二氧化硅，并且其中所述圖案化的無(wú)針孔掩膜層包括非晶硅。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于制作太陽(yáng)能電池的方法。該方法包括首先提供在其上布置有電介質(zhì)層的基板。然后在該電介質(zhì)層之上形成無(wú)針孔掩膜層。最后，不使用掩膜，對(duì)該無(wú)針孔掩膜層進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的無(wú)針孔掩膜層。
文檔編號(hào)H01L31/042GK102160192SQ200980136212
公開(kāi)日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2009年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月19日
發(fā)明者彼得·卡曾斯, 阮信曉 申請(qǐng)人:太陽(yáng)能公司