專利名稱：太陽能電池的電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于太陽能電池的電極。
背景技術(shù)：
用于晶體太陽能電池的電極需要具有低電阻以有利于提高效率。人們知道，在此 類結(jié)構(gòu)中，在金屬和半導(dǎo)體之間有接觸的情況下會(huì)形成肖特基勢(shì)壘，所述勢(shì)壘會(huì)使接觸電 阻顯著增大。由于電極的電阻為導(dǎo)體電阻和接觸電阻之和，因此除了降低電極的導(dǎo)體電阻 以外，還有必要減小與導(dǎo)體的接觸電阻。如

圖1所示，常規(guī)的硅太陽能電池為所謂的P型基板太陽能電池105，其具有ρ型 硅基板101上的η型擴(kuò)散層(η+層)102、抗反射涂層和P型擴(kuò)散層上的η型電極104。η型 電極104是以線狀形成的并且被稱為總線或指狀電極。在背面中，ρ型電極由鋁層106和 銀層107組成。圖2示出了一種已被測(cè)試過具有實(shí)際用途的N型基板太陽能電池205。N型基板 太陽能電池205具有ρ型硅基板201上的ρ+層202、抗反射涂層203和ρ+層202上的ρ型 電極204。在背面中形成了 η型電極206。J. Ε. Cotter等人稱，η型硅片比ρ型硅片更耐受化學(xué)缺陷和結(jié)晶缺陷(P_type versus η-type Silicon Wafers Prospects for hi—efficiency commercial silicon solar cell ；IEEE電子裝置會(huì)報(bào)，第53卷，第8期，2006年8月)。L. J. Geerligs等人稱，在 η型硅片中觀測(cè)到了高且均勻的載流子壽命(N-TYPE SOLAR GRADE SILICON FOR EFFICIENT P+N SOLAR CELLS =OVERVIEff AND MAIN RESULTS OF THE EC NESSI PROJECT ；歐洲光電太陽 能會(huì)展，2006年9月4日至8日)。具有相對(duì)低的導(dǎo)體電阻和接觸電阻的鋁漿已用于形成N型和P型基板太陽能電池 中的P+電極。然而，現(xiàn)在需要的是更低的導(dǎo)體電阻和接觸電阻。問題在于，具有更低的導(dǎo)體 電阻的銀幾乎從未使用過，因?yàn)槠湓谂cP+層接觸時(shí)會(huì)產(chǎn)生高接觸電阻。為了解決該問題， JP2006-93433公開了一種通過使用導(dǎo)電漿料在ρ型導(dǎo)電層上形成的電極，所述漿料包含銀 粉、有機(jī)載體、玻璃料和至少一種選自硼粉、無機(jī)硼化合物、和有機(jī)硼化合物的組合物。希望提供一種具有降低的接觸電阻和降低的導(dǎo)體電阻的ρ型電極。發(fā)明概述在燒結(jié)之前，本發(fā)明的太陽能電池的P+層上的ρ型電極包含(a)導(dǎo)電顆粒，所述 顆粒包含銀顆粒和添加的顆粒，所述添加的顆粒選自(i)選自MO、Tc、Ru、I h、Pd、W、Re、0S、 Ir和Pt顆粒的金屬顆粒，(ii)包含金屬顆粒的金屬合金，和(iii)涂覆有選自Mo、Tc、Ru、 I h、Pd、W、Re、0S、Ii^nPt的金屬的銀顆粒，(iv)由碳顆粒支撐的金屬顆粒；(b)玻璃料；和 (c)樹脂基料。上述金屬顆粒優(yōu)選地選自Ru、I h、Pd、W和Pt顆粒。上述金屬顆粒更優(yōu)選地為Ru、 Pd或Pt。p型電極優(yōu)選地由燒結(jié)的導(dǎo)電漿料制成，基于漿料的重量，所述漿料包含40重量％ 至90重量％的銀顆粒和0. 01重量％至10重量％的添加的顆粒。在本發(fā)明的另一方面，一種用于生產(chǎn)ρ型電極的方法包括下列步驟(1)施加漿料，所述漿料包含(a)含有銀顆粒和添加的顆粒的導(dǎo)電顆粒，所述添加的顆粒選自(i)選自 Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、W、Re、Os、Ir和Pt顆粒的金屬顆粒，(ii)包含金屬顆粒的金屬合金，和 (iii)涂覆有選自船、1^、肋、詘沖(1、1、徹、08、11~和？{的金屬的銀顆粒，(iv)由碳顆粒支 撐到N型基板太陽能電池基板的受光面的ρ+層上的金屬顆粒，(b)玻璃料，和(c)樹脂基 料；以及( 燒結(jié)所施加的漿料。用于生產(chǎn)上述P型電極的方法優(yōu)選地還包括在450°C至 900°C下燒結(jié)的步驟。本發(fā)明的另一方面為用于生產(chǎn)ρ型電極的方法，所述方法包括下列步驟(1)施加 漿料，所述漿料包含(a)含有銀顆粒和添加的顆粒的導(dǎo)電顆粒，所述添加的顆粒選自(i)選 自Mo、Tc、Ru、他、Pd、W、Re、Os、Ir和Pt顆粒的金屬顆粒，(ii)包含金屬顆粒的金屬合金， 和(iii)涂覆有選自Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、W、Re、Os、Ir和Pt的金屬的銀顆粒，(iv)由碳顆 粒支撐到P型基板太陽能電池基板的受光面的P+層上的(i)的金屬顆粒、(b)玻璃料，和 (c)樹脂基料；以及(2)燒結(jié)所施加的漿料。用于生產(chǎn)上述ρ型電極的方法優(yōu)選地還包括 在450°C至900°C下燒結(jié)的步驟。本發(fā)明還公開了一種可用于制造太陽能電池的P+層上的P型電極的組合物，所述 組合物在燒結(jié)之前包含(a)含有銀顆粒和添加的顆粒的導(dǎo)電顆粒，所述添加的顆粒選自(i)選自Mo、Tc、 如、詘、？(1、1、徹、08、11~和？丨顆粒的金屬顆粒，(ii)包含金屬顆粒的金屬合金，和(iii)涂 覆有選自Mo、TC、RU、Rh、Pd、W、Re、0S、Ir和Pt的金屬的銀顆粒，(iv)由碳顆粒支撐的⑴ 的金屬顆粒；(b)玻璃料；和(c)樹脂基料。本發(fā)明的電極具有低接觸電阻，其中在硅太陽能電池中有ρ+層。本發(fā)明的電極可 在N型基板太陽能電池的正面(受光面)和P型基板太陽能電池的背面這兩者上形成。附圖簡(jiǎn)述圖1㈧至(E)為用于說明P型基板太陽能電池的生產(chǎn)過程的圖片。圖2㈧至(E)為用于說明N型基板太陽能電池的生產(chǎn)過程的圖片。圖3㈧至(C)為顯示樣本形狀的圖片，所述樣本用于測(cè)量實(shí)施例中的電極的接觸 電阻。發(fā)明詳述本發(fā)明的第一實(shí)施方案涉及硅太陽能電池，更具體地講涉及在N型和P型太陽能 電池的P+層上形成的P型電極。對(duì)于常規(guī)的晶體太陽能電池的用途，已避免添加其他組分尤其是添加貴金屬諸如 Pd或Pt，因?yàn)樗鼈儠?huì)增大造價(jià)并且會(huì)降低導(dǎo)電率。通過在P型電極中加入適當(dāng)?shù)慕饘俜勰?可減小P+層和P型電極之間的接觸電阻。在后觸點(diǎn)式太陽能電池的情形中，可通過將預(yù)定 量的金屬添加到漿料中以降低接觸電阻來獲得優(yōu)選的漿料。下文詳細(xì)說明用以制造本發(fā)明 的P型電極的導(dǎo)電漿料1.鋁粉將銀(Ag)顆粒用作導(dǎo)電金屬。銀顆?？沙时∑螤?、球體形狀，或它們可為無定 形的。在被用作普通導(dǎo)電漿料的情形中，雖然從技術(shù)效果的角度來講，對(duì)銀顆粒的粒徑?jīng)]有特定的限制，但粒徑對(duì)銀的燒結(jié)特性有影響，例如，具有大粒徑的銀顆粒比具有小粒徑的銀 顆粒燒結(jié)起來速率更慢。因此，雖然粒徑(d5(l)優(yōu)選在0. 1 μ m至10. 0 μ m的范圍內(nèi)，但實(shí)際 使用的銀顆粒的粒徑要根據(jù)燒結(jié)溫度特征圖來確定。此外，銀顆粒還有必要具有適合于用 于施加導(dǎo)電漿料的方法(例如，絲網(wǎng)印刷)的粒徑。在本發(fā)明中，可將具有不同粒徑的兩種 或多種類型的銀顆粒用作混合物。通常，銀優(yōu)選地具有高純度(大于99%)。然而，取決于 電極圖案的電需求，可使用較低純度的物質(zhì)。雖然對(duì)所提供的銀含量沒有特定的限制，但其 應(yīng)為可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的的量。在銀顆粒的情形中，基于漿料的重量，銀含量?jī)?yōu)選地為40 重量％至90重量％。2.添加的顆粒在本發(fā)明中，除了銀顆粒以外，還使用屬于元素周期表中的6族至11族的3d或4d 過渡金屬。即，添加選自Mo(鉬)、Tc(锝)、Ru(釕)、他(銠)、Pd(鈀)、W(鎢)、Re(錸)、 Os(鋨)、Ir(銥)和Pt(鉬)的金屬顆粒。從降低接觸電阻的角度來講，可優(yōu)選釕、鈀或鉬。 在本發(fā)明中，也可使用包含上述金屬的合金顆?；蚣虞d有上述金屬顆粒的顆粒。包含金屬 顆粒(在本說明書中也稱為添加的顆粒)的合金實(shí)例包括Ag/Pd合金和Ni/Mo合金。添加 的顆粒可呈薄片形狀、球體形狀，或它們可為無定形的。在被用作普通導(dǎo)電漿料的情形中， 雖然從技術(shù)效果的角度來講，對(duì)添加的顆粒的粒徑?jīng)]有特定的限制，但粒徑對(duì)添加的顆粒 的燒結(jié)特性有影響，例如，具有大直徑的添加的顆粒比具有小粒徑的添加的顆粒燒結(jié)起來 速率更慢。因此，雖然粒徑(d5(l)優(yōu)選在0.1至ΙΟ.Ομπι的范圍內(nèi)，但實(shí)際使用的添加的顆 粒的粒徑要根據(jù)燒結(jié)溫度特征圖來確定。此外，添加的顆粒還有必要具有適合于用于施加 導(dǎo)電漿料的方法(例如，絲網(wǎng)印刷)的粒徑。在本發(fā)明中，可將具有不同粒徑的兩種或多種 類型的銀顆粒用作混合物。在本發(fā)明中，也可優(yōu)選使用上述由碳顆粒支撐的金屬顆粒。由 于小直徑的金屬顆粒具有強(qiáng)內(nèi)聚力，因此金屬顆粒的量可通過由具有相對(duì)大直徑的碳顆粒 來支撐而減小。用于本發(fā)明的碳顆粒為如下的碳其由在惰性氣氛中經(jīng)過熱處理的有機(jī)前 體制成，例如，凱琴黑、炭黑、活性碳、焦炭、石墨。碳顆粒的粒徑(d5(1)優(yōu)選在1. 0至10. Ομπι 的范圍內(nèi)。由碳顆粒支撐的金屬顆粒的粒徑(d5(l)優(yōu)選在0. 01至0. 2 μ m的范圍內(nèi)?；?碳顆粒的總重量，金屬顆粒的含量?jī)?yōu)選在1重量％至10重量％的范圍內(nèi)?；跐{料的重量，添加的顆粒的量在0. 01重量％至10重量％的范圍內(nèi)以及包含 在其中的任何范圍內(nèi)，并且優(yōu)選地在0. 1重量％至5重量％的范圍內(nèi)。如果添加的顆粒的 量過低，則不能獲得積極的效果。此外，如果添加的顆粒的量過高，則導(dǎo)體電阻會(huì)增大、可燒 結(jié)性減小并且成本會(huì)升高。并且導(dǎo)電顆?？蓛?yōu)選地為涂覆有鉬、锝、釕、銠、鈀、鎢、錸、鋨、銥 和鉬的銀顆粒。涂層厚度優(yōu)選大于0. 1 μ m。3.玻璃料本發(fā)明的導(dǎo)電漿料優(yōu)選地包含呈玻璃料形式的無機(jī)基料。由于在本發(fā)明中玻璃料 的化學(xué)組成并不重要，因此可使用任何玻璃料，前提條件是其應(yīng)為電子材料的導(dǎo)電漿料中 所用的玻璃料。例如，優(yōu)選使用硼硅酸鉛玻璃。從軟化點(diǎn)和玻璃粘附性范圍的角度來講，在 本發(fā)明中，硼硅酸鉛玻璃為優(yōu)異的材料。此外，也可使用無鉛玻璃，諸如硅酸鉍無鉛玻璃。雖然對(duì)所提供的呈玻璃料形式的無機(jī)基料的含量沒有特定的限制，但其應(yīng)為可實(shí) 現(xiàn)本發(fā)明的目的的量；基于漿料的重量，其為0. 5重量％至15. 0重量％，優(yōu)選地為1. 0重 量％至10.0重量％。如果無機(jī)基料的量低于0.5重量％，則粘合強(qiáng)度可能會(huì)不夠。如果無
6機(jī)基料的量超過15.0重量％，則會(huì)由于浮置玻璃等原因而在后續(xù)的焊接步驟中發(fā)生問題。 此外，作為導(dǎo)體的電阻值也會(huì)增大。4.樹脂基料用以制造本發(fā)明的電極的導(dǎo)電漿料包含樹脂基料。在本發(fā)明中，可使用任何選定 的樹脂基料。作為一種有機(jī)樹脂，可使用例如環(huán)氧樹脂、聚酯樹脂、尿烷改性的聚酯樹脂、環(huán) 氧化物改性的聚酯樹脂、各種改性的聚酯樹脂諸如丙烯酸類改性聚酯樹脂、聚醚尿烷樹脂 和聚碳酸酯尿烷樹脂。也可使用聚烯烴系樹脂，諸如聚乙烯、聚丙烯、乙烯乙酸乙烯酯共聚 物、和鼻疽菌素化的聚烯烴、改性的纖維素，諸如聚氯乙烯乙酸乙烯共聚物、環(huán)氧樹脂、酚醛 樹脂、丙烯酸類樹脂、聚酰胺酰亞胺、乙基纖維素、硝化纖維、乙酸丁酸纖維素(CAB)、和乙酸 丙酸纖維素(CAP)。在本發(fā)明中，優(yōu)選使用具有良好溶劑溶解度的乙基纖維素?；跐{料的 重量，樹脂基料的含量?jī)?yōu)選地為10重量％至50重量％。5.溶布丨在本發(fā)明中，必要時(shí)可將溶劑附加地用作粘度調(diào)節(jié)劑?？墒褂萌魏螛渲?。此 類溶劑的實(shí)例包括酯溶劑、酮溶劑、醚酯溶劑、氯化溶劑、醇溶劑、醚類溶劑和烴類溶劑。在 采用絲網(wǎng)印刷的情形中，優(yōu)先使用高沸點(diǎn)溶劑，如乙基乙酸卡必醇、丁基乙酸纖維素溶劑、 異佛爾酮、環(huán)己酮、Y-丁內(nèi)酯、芐醇、Ng-甲基-2-吡咯烷酮、四氫化萘。6.添加劑可將或可不將增稠劑和/或穩(wěn)定劑和/或其他典型的添加劑加到用以制造本發(fā)明 的電極的導(dǎo)電漿料中。可添加的其他典型的添加劑包括分散劑和粘度調(diào)節(jié)劑。根據(jù)最終所 需的導(dǎo)電漿料的特性確定添加劑的量。添加劑的量可適宜地由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來確 定。此外，也可添加多種類型的添加劑。如下所述，本發(fā)明的導(dǎo)電漿料具有在預(yù)定范圍內(nèi)的 粘度。必要時(shí)可添加粘度調(diào)節(jié)劑以向?qū)щ姖{料賦予合適的粘度。雖然添加的粘度調(diào)節(jié)劑 的量可根據(jù)最終的導(dǎo)電漿料的粘度而有變化，但其可適宜地由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來確 定。下文提供對(duì)制造本發(fā)明的ρ型電極的說明?？赏ㄟ^如下方式按需要生產(chǎn)用以制造 本發(fā)明的P型電極的導(dǎo)電漿料用輥壓混碾機(jī)或旋轉(zhuǎn)式攪拌機(jī)等來混合上述組分中的每一 種。雖然本發(fā)明的導(dǎo)電漿料優(yōu)選通過絲網(wǎng)印刷來印刷到太陽能電池的P+層的所需位點(diǎn)上， 但在用此類印刷方法進(jìn)行印刷的情形中，漿料優(yōu)選地具有預(yù)定的粘度范圍。在使用14號(hào)轉(zhuǎn) 子和Brookfield HBT粘度計(jì)并且使用效用杯以IOrpm的轉(zhuǎn)速在25°C下測(cè)量的情況下，本發(fā) 明的導(dǎo)電漿料的粘度優(yōu)選地為50PaS至350PaS。雖然添加的粘度調(diào)節(jié)劑的量可取決于最終 的導(dǎo)電漿料的粘度而有變化，但其可適宜地由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來確定。將絲網(wǎng)印刷 的漿料在約150°C下干燥3分鐘至10分鐘。將干燥的漿料在450°C至900°C，優(yōu)選450°C至 7000C的溫度下燒結(jié)10秒至60秒。在低溫下燒結(jié)可提供如下優(yōu)點(diǎn)減小對(duì)P-N結(jié)的損傷、 減小因熱損傷而發(fā)生破壞的可能性并降低成本。下文通過使用具有圖1所示的結(jié)構(gòu)的太陽能電池的實(shí)施例來提供對(duì)使用本發(fā)明 的P型電極的硅型太陽能電池的說明和對(duì)該硅型太陽能電池的生產(chǎn)過程的說明。圖IA顯示ρ型硅基板101。在圖IB中，通過磷(P)等的熱擴(kuò)散形成反向?qū)щ娦偷摩切蛿U(kuò)散層102。通常將三 氯氧化磷(POCl3)用作磷擴(kuò)散源。在不存在任何特定改性的情況下，將擴(kuò)散層102成形于硅基板101的整個(gè)表面上。該擴(kuò)散層通常具有大約數(shù)十歐姆/平方(Ω/π )的薄膜電阻率 和大約0. 3至0. 5μπι的厚度。如圖IC所示，在用抗蝕劑等保護(hù)此擴(kuò)散層的一個(gè)表面之后，通過蝕刻將η型擴(kuò)散 層102從多數(shù)表面上移除以便其僅保留在一個(gè)主表面上。然后使用有機(jī)溶劑等將抗蝕劑移 除。接著，以圖ID所示的方式，通過諸如等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD)的工藝，將抗反 射涂層103形成在η型擴(kuò)散層102上至通常約700Α至900Α的厚度。如圖IE所示，將用于正面電極105的導(dǎo)電漿料絲網(wǎng)印刷到氮化硅膜103上然后干 燥。用于正面電極的導(dǎo)電漿料可包含諸如Al、Ag、Au、Pt、Cu、Ni、Pd及它們的合金的任何種 類的金屬，這些金屬可獲得來自P型基板101的電流。然后將本發(fā)明的導(dǎo)電漿料絲網(wǎng)印到 基板101的背面上作為背面電極106，接著進(jìn)行干燥。背面ρ型電極由鋁層106和銀層107 組成。背面導(dǎo)電層可以為分別包含不同金屬的兩層。然后在大約700°C至975°C溫度范圍 內(nèi)的紅外線加熱爐中進(jìn)行燒結(jié)，持續(xù)幾分鐘至幾十分鐘。圖2A顯示η型硅基板201。在圖2Β中，通過硼(B)等的熱擴(kuò)散形成反向?qū)щ娦偷摩研蛿U(kuò)散層202。通常將三 溴化硼(BBrf)用作硼擴(kuò)散源。在不存在任何特定改性的情況下，將ρ型擴(kuò)散層202成形于 η型硅基板201的整個(gè)表面上。該擴(kuò)散層通常具有大約數(shù)十歐姆/平方(Ω/π )的薄膜電 阻率和大約0. 3μπι至0. 5μπι的厚度。如圖2C所示，在用抗蝕劑等保護(hù)此擴(kuò)散層的一個(gè)表面之后，通過蝕刻將ρ型擴(kuò)散 層202從多數(shù)表面上移除以便其僅保留在一個(gè)主表面上。然后使用有機(jī)溶劑等將抗蝕劑移 除。接著，以圖2D所示的方式，通過諸如等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD)的工藝，將抗反 射涂層203形成在ρ型擴(kuò)散層202上至通常約700Α至900人的厚度。 如圖2Ε所示，將本發(fā)明的導(dǎo)電漿料絲網(wǎng)印刷到氮化硅膜203上作為正面電極205， 然后進(jìn)行干燥。此外，再將背面導(dǎo)電漿料206絲網(wǎng)印刷到基板201的背面上接著進(jìn)行干燥。 背面導(dǎo)電漿料可包含諸如Ag、Au、Pt、Al、Cu、Ni、Pd及它們的合金的任何種類的金屬，這些 金屬可獲得來自η型硅基板201的電流。導(dǎo)電層可以為分別包含不同金屬的兩層。然后在 大約700°C至975°C溫度范圍內(nèi)的紅外線加熱爐中進(jìn)行燒結(jié)，持續(xù)幾分鐘至幾十分鐘。對(duì)于η型基板和ρ型基板太陽能電池，例如，當(dāng)半導(dǎo)體被用作光催化劑并且受到能 量大于半導(dǎo)體的帶隙能的光照射時(shí)，價(jià)帶中的電子被光激進(jìn)導(dǎo)帶中而在導(dǎo)帶中產(chǎn)生自由電 子，并且與此相反地在價(jià)帶中產(chǎn)生正空穴。在被稱為載流子的那些自由電子和正空穴重組 之前，到達(dá)電極的電子越多，則獲得的電流就越大。因此，減少重組可有效地提升太陽能電 池的效率。鑒于此原因，在其中可產(chǎn)生所述載流子的半導(dǎo)體基板優(yōu)選地為具有高電阻的晶 體硅型。
實(shí)施例雖然下文通過本發(fā)明的實(shí)施例來提供對(duì)本發(fā)明的說明，但本發(fā)明并不限于這些實(shí) 施例。(I)銀漿的制備
使用下文所示的材料來生產(chǎn)用以制造ρ型電極的銀漿1和2，以具有如表1所示的組成。
(i)銀顆粒
片狀銀顆粒[dM 2. 7 μ m (如用激光散射型粒度分布測(cè)量設(shè)備來確定)
( )玻璃料
加鉛的硼硅酸鉛玻璃料
組分Si02/Pb0/%03/Ζη0
軟化點(diǎn):440 0C
無鉛的無鉛鉍玻璃料
組分Si02/Al203/B203/Zn0/Bi203/Sn02
軟化點(diǎn)390 "C
(iii)樹脂
乙基纖維素樹摧3 (Aqualon, Hercules)
(iv)溶劑
萜品醇
表權(quán)利要求
1. 一種太陽能電池的P+層上的Ρ型電極，所述電極在燒結(jié)之前包含(a)含有銀顆粒和添加的顆粒的導(dǎo)電顆粒，所述添加的顆粒選自(i)選自Mo、Tc、Ru、 他、Pd、W、Re、Os、Ir和Pt顆粒的金屬顆粒，(ii)含有所述金屬顆粒的金屬合金，和(iii) 涂覆有選自Mo、Tc、Ru、他、Pd、W、Re、Os、Ir和Pt的金屬的銀顆粒，(iv)由碳顆粒支撐的 (i)的金屬顆粒；(b)玻璃料；和(c)樹脂基料。
2.權(quán)利要求1的ρ型電極，其中所述金屬顆粒選自Ru、他、Pd、W和Pt顆粒。
3.權(quán)利要求2的ρ型電極，其中所述金屬顆粒為RiuPd或Pt顆粒。
4.權(quán)利要求1的ρ型電極，其中所述電極由燒結(jié)的導(dǎo)電漿料制成，基于所述漿料的重 量，所述漿料包含40重量％至90重量％的銀顆粒和0. 01重量％至10重量％的添加的顆 粒。
5.一種用于生產(chǎn)ρ型電極的方法，所述方法包括下列步驟(1)施加漿料，所述漿料包含(a)含有銀顆粒和添加的顆粒的導(dǎo)電顆粒，所述添加的顆粒選自(i)選自Mo、Tc、Ru、 他、Pd、W、Re、Os、Ir和Pt顆粒的金屬顆粒，(ii)含有所述金屬顆粒的金屬合金，和(iii) 涂覆有選自MO、TC、Ru、I h、Pd、W、Re、0S、Ir和Pt的金屬的銀顆粒，(iv)由碳顆粒支撐到N 型基板太陽能電池基板的受光面的P+層上的(i)的金屬顆粒、(b)玻璃料；和(c)樹脂基料；以及(2)燒結(jié)所施加的漿料。
6.一種用于生產(chǎn)權(quán)利要求6的ρ型電極的方法，其中將所述漿料在450°C至900°C下燒結(jié)。
7.一種用于生產(chǎn)ρ型電極的方法，所述方法包括下列步驟(1)施加漿料，所述漿料包含(a)含有銀顆粒和添加的顆粒的導(dǎo)電顆粒，所述添加的顆粒選自(i)選自Mo、Tc、Ru、 他、Pd、W、Re、Os、Ir和Pt顆粒的金屬顆粒，(ii)含有所述金屬顆粒的金屬合金，和(iii) 涂覆有選自MO、TC、Ru、I h、Pd、W、Re、0S、Ir和Pt的金屬的銀顆粒，(iv)由碳顆粒支撐到P 型基板太陽能電池基板的受光面的P+層上的(i)的金屬顆粒、(b)玻璃料；和(c)樹脂基料；以及(2)燒結(jié)所施加的漿料。
8.一種用于生產(chǎn)權(quán)利要求8的ρ型電極的方法，其中將所述漿料在450°C至900°C下燒結(jié)。
9.一種可用于制造太陽能電池的P+層上的ρ型電極的組合物，所述組合物在燒結(jié)之前 包含(a)含有銀顆粒和添加的顆粒的導(dǎo)電顆粒，所述添加的顆粒選自(i)選自Mo、Tc、Ru、 他、Pd、W、Re、Os、Ir和Pt顆粒的金屬顆粒，(ii)含有所述金屬顆粒的金屬合金，和(iii) 涂覆有選自Mo、Tc、Ru、他、Pd、W、Re、Os、Ir和Pt的金屬的銀顆粒，(iv)由碳顆粒支撐的(i)的金屬顆粒；(b)玻璃料；和(c)樹脂基料。
全文摘要
本發(fā)明描述了一種可用于生產(chǎn)太陽能電池的p型電極。
文檔編號(hào)H01B1/22GK102150220SQ200980135908
公開日2011年8月10日 申請(qǐng)日期2009年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月10日
發(fā)明者秋元英樹 申請(qǐng)人:E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司