專利名稱：包含碳化硅層的層型結(jié)構(gòu)、其制備方法及其用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含碳化硅層的新型層型結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明涉及一種制備包含碳化硅層的層型結(jié)構(gòu)的新方法。另外，本發(fā)明涉及包含碳化硅層的新型層型結(jié)構(gòu)的用途和借助此新方法制備的包含碳化硅層的層型結(jié)構(gòu)的用途。
背景技術(shù)：
由于碳化硅具有眾多理論上和實(shí)際上的優(yōu)點(diǎn)，它廣泛地用于電子器件。這些優(yōu)點(diǎn)包括寬能隙、高擊穿場(chǎng)、強(qiáng)導(dǎo)熱性、高電子漂移速度、優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、優(yōu)異的抗輻射性或 “硬度”、優(yōu)異的硬度和強(qiáng)化學(xué)穩(wěn)定性。因此，碳化硅在大功率操作、高溫操作、耐輻射性和高能光子在光譜的藍(lán)區(qū)、紫區(qū)和紫外區(qū)的吸收和發(fā)射方面具有顯著的優(yōu)點(diǎn)。由于它具有強(qiáng)化學(xué)穩(wěn)定性，它在半導(dǎo)體微器件或集成電路(IC)的制備中作為保護(hù)層材料，尤其是作為腐蝕停止層材料也表現(xiàn)出顯著的優(yōu)點(diǎn)。目前數(shù)字集成電路器件的功率和應(yīng)用主要?dú)w因于集成度的增加。不斷地將越來越多的元件(電阻、二極管、晶體管等)集成到基礎(chǔ)芯片或集成電路(IC)。典型的IC的原料
是高純度硅。IC元件的特征幾何形狀通常通過光刻法確定。非常細(xì)的表面幾何形狀可通常該技術(shù)精確地再現(xiàn)。光刻法用于確定元件區(qū)和在一層上建立另一層元件。復(fù)雜的IC?？删哂性S多不同的組合層，各層具有元件，各層具有不同的相互連接且各層堆積在前一層上。獲得的如此復(fù)雜的IC的外形由于各IC元件建立在硅晶片的基礎(chǔ)表面上通常類似于熟悉的具有許多“山，，和“谷”的地球“山區(qū)”。亞微器件如尺寸小于1 μ m的晶體管在形成IC的各個(gè)層中形成。數(shù)千或數(shù)百萬亞微器件可用于典型的IC。然而，電路不斷地變得更復(fù)雜和更大容量。因此，需要不斷地增加包括于IC上的元件數(shù)目。然而，IC的尺寸常常限于硅晶片上的給定小片尺寸。因此，產(chǎn)生了不斷降低IC中器件尺寸的需要。隨著器件尺寸變小，電阻-電容(RC)的延遲和與后端金屬化伴生的串音變得更明顯。在某點(diǎn)存在器件尺寸和其可承受的干涉量之間的閥值。超過此閥值后，器件的運(yùn)行受到損害。因此，產(chǎn)生了降低所述深亞微器件的RC靈敏度的需要。降低器件和IC的RC靈敏度的一種常規(guī)方法將低介電常數(shù)的材料(低_k材料) 用于深亞微器件。然而，低-k材料僅僅表現(xiàn)出對(duì)在IC中用作保護(hù)層和銅阻擋層或在IC制備中用作腐蝕停止層的基礎(chǔ)碳化硅層的弱粘合性?，F(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)提出了改善此問題的各種方法。因此，美國(guó)專利US 6，似4，038B1教導(dǎo)了一種包含基底、在基底上形成的碳化硅層、在碳化硅層上形成的氮化硅層、在氮化硅層上形成的圖案化的低介電常數(shù)介電層和在圖案化的低介電常數(shù)介電層圖案之間插入的圖案化的導(dǎo)電層的微電子導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。在此結(jié)構(gòu)中，由碳化硅層和氮化硅層組成的層壓材料起腐蝕停止層的作用，氮化硅層提高了腐蝕停止層和低_k材料層之間的界面粘合性。對(duì)比實(shí)驗(yàn)顯示20nm厚的氨基硅烷粘合增進(jìn)劑層不能補(bǔ)償缺少的氮化硅層。這意味著采用由疊層氮化硅的碳化硅形成的腐蝕停止層制備的微電子器件提供顯著低于采用由具有疊層氨基硅烷粘合增進(jìn)劑的碳化硅形成的腐蝕停止層制備的微電子器件的漏電流。然而，由碳化硅層和氮化硅層組成的疊層腐蝕停止層的制備需要通過化學(xué)氣相沉積(CVD)或等離子增強(qiáng)氣相沉積(PVD)技術(shù)沉積氮化硅，該技術(shù)獲得與氨基硅烷粘合增進(jìn)劑層差別很大的材料。美國(guó)專利申請(qǐng)US 2003/035904A1教導(dǎo)了通過使碳化硅層上表面置于含氧等離子體之下以獲得表現(xiàn)出與水的接觸角為5-10°的親水表面從而提高碳化硅腐蝕停止層和低-k材料層之間的粘合性。此后，用具有親水基和疏水基的粘合增進(jìn)劑涂覆親水表面。親水基使自己朝向碳化硅層的親水表面。烘焙粘合增進(jìn)劑以獲得具有疏水表面的粘合增進(jìn)劑涂層。這樣實(shí)現(xiàn)了對(duì)隨后施加的有機(jī)聚合物低_k材料層的良好粘合性。然而，該方法不適用于提高碳化硅層和無機(jī)或無機(jī)-有機(jī)雜化物低_k材料層之間的粘合性。美國(guó)專利申請(qǐng)US 2003/017642A1教導(dǎo)了包含多個(gè)不同有機(jī)濃度層(碳梯度層) 的結(jié)構(gòu)的用途，從概念上講各層可認(rèn)為是單緩變層，其中碳濃度隨著與基底如碳化硅基底的距離變遠(yuǎn)而逐漸增加。該緩變層起對(duì)基底具有良好粘合性的低_k電力層的作用。然而，制備梯度層的方法是繁復(fù)的。此外，該方法不適用于提高碳化硅表面和基于二氧化硅或無機(jī)-有機(jī)雜化物材料的常規(guī)低_k材料層之間的粘合性。美國(guó)專利申請(qǐng)US 2007/173054A1教導(dǎo)了一種通過用含二氧化碳的等離子體氧化碳化硅表面從而提高碳化硅層和低_k介電材料層之間粘合性的方法。此后，使該表面與親水化學(xué)品如二甲基乙酰胺和氟化銨的水溶液接觸。這樣將碳化硅表面與水的100°接觸角降低到40°且提高了對(duì)基于二氧化硅的低_k材料層的粘合性。然而，該方法需要至少兩個(gè)工藝步驟，尤其是等離子體處理和在濕晶片沖洗室中用水溶液處理。美國(guó)專利申請(qǐng)US 2004/238967A1公開了一種包含金屬板、與金屬板連接的碳化硅層和與碳化硅層連接的粘合增進(jìn)劑層的電子結(jié)構(gòu)。該粘合增進(jìn)劑層通過將具有碳化硅層的金屬板浸在硅烷溶液中，隨后排出過量的溶液并在適中的溫度下干燥幾分鐘如在 18-10(TC下干燥15-20分鐘制備。該粘合增進(jìn)劑層應(yīng)具有1-50個(gè)單層的厚度且可包括硅烷偶聯(lián)劑如3-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷或3-環(huán)氧丙氧丙基三乙氧基硅烷或3- (2-氨基乙基)丙基三甲氧基硅烷或3-(2-氨基乙基)丙基三乙氧基硅烷。將該電子結(jié)構(gòu)嵌入作為粘合材料的環(huán)氧樹脂結(jié)構(gòu)材料。該電子結(jié)構(gòu)借助粘合材料與半導(dǎo)體芯片結(jié)合。這樣獲得了分散半導(dǎo)體芯片的熱的裝置。然而，該美國(guó)專利申請(qǐng)涉及一種完全不同于本發(fā)明所述電子器件的設(shè)計(jì)且對(duì)這樣的粘合增進(jìn)劑層是否能提高碳化硅層和基于二氧化硅或無機(jī)-有機(jī)雜化物材料且不只基于環(huán)氧樹脂的低_k材料層之間的粘合性保持沉默。碳化硅/ 二氧化硅界面的其他問題如界面陷阱密度通過在界面摻入氮改善，如美國(guó)專利申請(qǐng)US 2006/0M978A1所述。與摻雜劑和碳氧物質(zhì)存在伴生的碳化硅表面上的鈍化層問題通過具有非常低的鋁摻雜劑濃度的熱增長(zhǎng)氧化層改善，如美國(guó)申請(qǐng)US 5，629，531所述。因此，所述美國(guó)專利和專利申請(qǐng)涉及完全不同于碳化硅/無機(jī)或無機(jī)-有機(jī)雜化物低_k材料的界面粘合性問題的問題。因此，它們不能為技術(shù)人員就如何解決本發(fā)明目的提供暗示，更不用說技術(shù)教導(dǎo)。發(fā)明目的本發(fā)明目的是提供一種包含碳化硅層和至少一個(gè)無機(jī)和/或無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層，尤其是具有比二氧化硅低的介電常數(shù)k的無機(jī)和/或無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層的較簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)的新型層型結(jié)構(gòu)，所述層型結(jié)構(gòu)具有碳化硅層和無機(jī)和/或無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層之間的優(yōu)異粘合性。另外，在新型層型結(jié)構(gòu)中碳化硅層在IC中作為銅擴(kuò)散阻擋層和保護(hù)層以及在IC制備中作為腐蝕停止層的功能不應(yīng)削弱反而應(yīng)顯著增強(qiáng)。此外，電阻-電容 (RC)的延遲和與后端金屬化伴生的串音應(yīng)避免。本發(fā)明的另一目的是提供一種制備包含碳化硅層和至少一個(gè)無機(jī)和/或無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層，尤其是一種具有比二氧化硅低的介電常數(shù)k的無機(jī)和/或無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層的較簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)的層型結(jié)構(gòu)的新方法。該新方法應(yīng)以比現(xiàn)有技術(shù)方法更少的步驟實(shí)施。此外，新方法應(yīng)具有優(yōu)異的重復(fù)性和可靠性以及非常低的失敗率。獲得的層型結(jié)構(gòu)應(yīng)表現(xiàn)出優(yōu)異的界面粘合性。當(dāng)用于IC中，與現(xiàn)有技術(shù)的層型結(jié)構(gòu)相比，它們應(yīng)顯著降低電阻-電容(RC)的延遲和與后端金屬化伴生的串音。另外，在本申請(qǐng)中，在如此獲得的層型結(jié)構(gòu)中碳化硅層在IC中作為銅擴(kuò)散阻擋層和保護(hù)層以及在IC制備中作為腐蝕停止層的功能不應(yīng)削弱反而應(yīng)顯著增強(qiáng)。發(fā)明_既述因此，找到了一種新型層型結(jié)構(gòu)，所述的新型層型結(jié)構(gòu)以如下順序包含(A)碳化硅層，(B)至少一個(gè)如下層(bl)位于碳化硅層(A)的至少一個(gè)主表面上，(b2)通過硅氧鍵和/或硅碳鍵化學(xué)鍵合到碳化硅層(A)的主體上，(b3)部分或完全覆蓋碳化硅層(A)的至少一個(gè)主表面，和(b4)如與水的接觸角低于水與純碳化硅表面的接觸角所示具有比純碳化硅表面高的極性；(C)至少一個(gè)介電層，其部分或完全覆蓋所述層(B)且選自無機(jī)和無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層。下文將新型層型結(jié)構(gòu)稱為“本發(fā)明結(jié)構(gòu)”。此外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)一種制備層型結(jié)構(gòu)的新方法，該層型結(jié)構(gòu)以如下順序包含(A)碳化硅層，(B)至少一個(gè)如下層(bl)位于碳化硅層㈧的至少一個(gè)主表面上，(b2)通過硅氧鍵和/或硅碳鍵化學(xué)鍵合到碳化硅層(A)的主體上，(b3)部分或完全覆蓋碳化硅層(A)的至少一個(gè)主表面，和(b4)如與水的接觸角低于水與純碳化硅表面接觸角所示具有比純碳化硅表面高的極性；和
(C)至少一個(gè)介電層，其部分或完全覆蓋所述層(B)且選自無機(jī)和無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層，所述方法包括下列步驟(1)將至少一種選自通式I硅烷和通式II硅烷的硅烷的有機(jī)溶液施加于所述碳化硅層的至少一個(gè)主表面上RnSiX4^n(I)RmX3_mSi-R_Si)(3_mRm(II)其中各符號(hào)和變量具有下列含義η 為 1 或 2 ；m 為 0 或 1 ；R為含有至少2個(gè)碳原子的有機(jī)結(jié)構(gòu)部分，其選自含有取代和未取代、支化和線性的脂族、烯屬不飽和基團(tuán)和炔屬不飽和基團(tuán)以及脂環(huán)族和芳族基團(tuán)的結(jié)構(gòu)部分或由其組成的結(jié)構(gòu)部分；和X為可水解的原子和可水解的結(jié)構(gòu)部分；(2)通過除去揮發(fā)性組分干燥如此獲得的由硅烷I和/或II的有機(jī)溶液組成的層；(3)在150-400°C的溫度下將硅烷I的干燥層鍛燒1_120分鐘以獲得層(B)；和(4)施加至少一個(gè)介電層，其部分或完全覆蓋所述層(B)且選自無機(jī)和無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層；或，在替換方案中，(5)直接在工藝步驟(1)后實(shí)施工藝步驟(4)，并且隨后在工藝步驟(4)之中和/ 或之后實(shí)施工藝步驟( 和(3)。下文將制備層型結(jié)構(gòu)的新方法稱為“本發(fā)明方法”。最后但非最不重要的，也已經(jīng)發(fā)現(xiàn)本發(fā)明結(jié)構(gòu)和通過本發(fā)明方法制備的層型結(jié)構(gòu)在電子器件中的新用途。下文將此稱為“本發(fā)明用途”。發(fā)明優(yōu)點(diǎn)鑒于上文討論的現(xiàn)有技術(shù)，對(duì)技術(shù)人員而言令人驚奇且無法預(yù)料的是通過本發(fā)明的結(jié)構(gòu)、方法和用途解決了本發(fā)明目的。尤其是本發(fā)明結(jié)構(gòu)令人驚奇地表現(xiàn)出碳化硅層和無機(jī)或無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層之間的優(yōu)異粘合性。另外，在本發(fā)明結(jié)構(gòu)中碳化硅層在IC中作為銅擴(kuò)散阻擋層和保護(hù)層以及在IC制備中作為腐蝕停止層的功能沒有削弱反而顯著增強(qiáng)。此外，電阻-電容(RC) 的延遲和與后端金屬化伴生的串音可避免，使得可設(shè)計(jì)改善的亞微半導(dǎo)體器件。此外，本發(fā)明方法令人驚奇地可以以比現(xiàn)有技術(shù)方法更少的步驟實(shí)施。此外，本發(fā)明方法具有優(yōu)異的重復(fù)性和可靠性以及非常低的失敗率。獲得的層型結(jié)構(gòu)，尤其是本發(fā)明結(jié)構(gòu)，表現(xiàn)出優(yōu)異的界面粘合性。當(dāng)用于IC時(shí)，與現(xiàn)有技術(shù)的層型結(jié)構(gòu)相比，它們可顯著降低電阻-電容(RC)的延遲和與后端金屬化伴生的串音。另外，在本申請(qǐng)中，在層型結(jié)構(gòu)中， 尤其是如此獲得的本發(fā)明結(jié)構(gòu)中，碳化硅在IC中作為銅擴(kuò)散阻擋層和保護(hù)層以及在IC制備中作為腐蝕停止層的功能沒有削弱反而顯著增強(qiáng)。由于它們的有利性質(zhì)，本發(fā)明結(jié)構(gòu)和層型結(jié)構(gòu)，尤其是通過本發(fā)明方法獲得的本發(fā)明結(jié)構(gòu)可最有利地用于各種電子器件中。發(fā)明詳述本發(fā)明結(jié)構(gòu)包含碳化硅層(A)。該碳化硅層(A)可為位于常用于電子器件，尤其是半導(dǎo)體器件中的許多不同材料和層上的碳化硅晶片或碳化硅層。這類材料和層的實(shí)例為硅晶片，導(dǎo)電層如鋁、銅、金或銀層，阻擋層如鈦、氮化鈦、鉭或氮化鉭層和絕緣層如二氧化硅層。該碳化硅層(A)的厚度取決于本發(fā)明結(jié)構(gòu)的潛在用途并因此可變化很大。該碳化硅層(A)優(yōu)選具有5nm-l μ m，更優(yōu)選10_500nm，最優(yōu)選10_200nm的厚度。該碳化硅層(A)可借助本領(lǐng)域熟知的方法制備，如化學(xué)氣相沉積(CVD)或等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)，例如如美國(guó)專利申請(qǐng)US2004/147115A1或US 2006/110938A1 或國(guó)際專利申請(qǐng)WO 2006/045920A1所述，或溶膠-凝膠法，例如如歐洲專利申請(qǐng)EP 0482782A1 所述。本發(fā)明結(jié)構(gòu)另外包含至少一個(gè)，優(yōu)選一個(gè)層(B)。該層(B)位于所述碳化硅層(A)的至少一個(gè)主表面，優(yōu)選一個(gè)主表面上，且通過硅氧鍵和/或硅碳鍵化學(xué)化學(xué)鍵合到碳化硅層(A)的主體上。以這樣的方式，該層(B)形成所述碳化硅層(A)的組成部分。該層(B)部分或完全，優(yōu)選完全覆蓋所述碳化硅層(A)的主表面。如與水的接觸角低于水與純碳化硅表面的接觸角所示它具有比純碳化硅表面高的極性。與水的接觸角優(yōu)選為30-70°，更優(yōu)選35-60°，最優(yōu)選38-55°。該層(B)與水的接觸角優(yōu)選等于或大于水與純二氧化硅表面的接觸角。該接觸角優(yōu)選通過使用具有高速照相機(jī)的接觸角測(cè)角器由作為時(shí)間函數(shù)的動(dòng)態(tài)懸滴法測(cè)量。該層(B)仍可表現(xiàn)其在3000-2800(3!^1波數(shù)范圍的紅外光譜中的吸收。這意味著層(B)仍可含有一些具有脂族碳?xì)滏I的結(jié)構(gòu)部分。然而，這類結(jié)構(gòu)部分的濃度也可低至低于檢測(cè)限度。該層(B)的厚度可變化很大。該厚度優(yōu)選為5-lOOnm，更優(yōu)選5-60nm，最優(yōu)選 5-40nmo本發(fā)明結(jié)構(gòu)另外包含至少一個(gè)，優(yōu)選一個(gè)部分或完全覆蓋所述層(B)的介電層 (C)0當(dāng)該介電層(C)部分覆蓋層(B)時(shí)，它優(yōu)選形成與電路對(duì)應(yīng)的圖案。該介電層(C)選自無機(jī)和無機(jī)-有機(jī)介電層。原則上任何常用于電子器件，尤其是半導(dǎo)體器件的無機(jī)或無機(jī)-有機(jī)雜化物介電材料可用于制備無機(jī)或無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層(C)。該無機(jī)和無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層 (C)優(yōu)選含有硅氧烷鍵。無機(jī)和無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層(C)更優(yōu)選具有比二氧化硅小的介電常數(shù)k。為了簡(jiǎn)略，下文將這類無機(jī)和無機(jī)-有機(jī)雜化物低-k介電層(C)稱為“低-k 介電層”或“低-k介電材料”。有利的低_k介電層(C)的實(shí)例是由嵌入無定形玻璃中的硅質(zhì)巖(silicalites) 納米顆粒組成的層，該納米顆粒為硅的微孔晶狀氧化物(為沸石的純硅類似物)，如美國(guó)專利US 6，827，982B1第3欄第45行到第6欄所述；由納米多孔二氧化硅組成的層，如國(guó)際專利申請(qǐng)WO 01/78127A2第11頁(yè)第2段或國(guó)際專利申請(qǐng)WO 01/86709A2第8頁(yè)第25行到第18頁(yè)第35行所述；由具有10%或更大孔隙率的氧化硅組成的層，如國(guó)際專利申請(qǐng) W02004/027850A1第10頁(yè)第1行到第21頁(yè)第4行所述；或由在美國(guó)專利US6, 424，038B1第 6欄第40-67行所述的無機(jī)玻璃和無機(jī)-有機(jī)雜化物旋涂玻璃組成的層。無機(jī)和無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層(C)的厚度可變化很大。厚度優(yōu)選為10-500nm， 更優(yōu)選10-250nm，最優(yōu)選10_100nm。包含碳化硅層(A)、層(B)和無機(jī)和/或無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層(C)的層型結(jié)構(gòu)，尤其是上述本發(fā)明結(jié)構(gòu)可以以各種方法制備。它們優(yōu)選根據(jù)本發(fā)明方法制備。在本發(fā)明方法的第一步驟中，將至少一種硅烷，優(yōu)選至少兩種硅烷，最優(yōu)選選自通式I硅烷和通式II硅烷的兩種硅烷的有機(jī)溶液施加于所述碳化硅層(A)的表面上RnSiX4^n(I)；RfflX3-mSi-R-SiX3_fflRffl(II)。通式I中符號(hào)η等于1或2，優(yōu)選1。通式I中符號(hào)m等于0或1，優(yōu)選0。通式I和II中變量R為含有至少2個(gè)碳原子的有機(jī)結(jié)構(gòu)部分，其選自含有取代和未取代、支化和直鏈的脂族、烯屬不飽和基團(tuán)和炔屬不飽和基團(tuán)以及脂環(huán)族基團(tuán)和芳族基團(tuán)的結(jié)構(gòu)部分或由其組成的結(jié)構(gòu)部分。在含有兩種這些結(jié)構(gòu)部分的通式I硅烷中的有機(jī)結(jié)構(gòu)部分R與在通式II硅烷中的可以彼此相同或不同。因此，該有機(jī)結(jié)構(gòu)部分R為烷基、亞烷基、炔基、脂環(huán)族基團(tuán)或芳族基團(tuán)。該有機(jī)結(jié)構(gòu)部分R也可含有兩個(gè)或更多不同的烷基、亞烷基、炔基、脂環(huán)族基團(tuán)或芳族基團(tuán)，其通過多官能連接基團(tuán)，優(yōu)選雙官能連接基團(tuán)相互連接。另外，該有機(jī)結(jié)構(gòu)部分R也可含有至少兩個(gè)選自不同基團(tuán)種類的基團(tuán)，例如一個(gè)烷基和一個(gè)脂環(huán)族基團(tuán)、或兩個(gè)通過芳族基團(tuán)連接的烷基。該有機(jī)結(jié)構(gòu)部分R選擇的基團(tuán)可通過碳-碳鍵和/或多官能連接基團(tuán)，優(yōu)選雙官能連接基團(tuán)相互連接。此外，該有機(jī)結(jié)構(gòu)部分R還可以是單官能或多官能的，優(yōu)選單官能的(R-)或雙官能的(-R-)。該脂族基團(tuán)或烷基更優(yōu)選來源于脂族烴，其選自取代和未取代的乙烷、丙烷、異丙烷、丁烷、異丁烷、戊烷、異戊烷、新戊烷、己烷、庚烷、辛烷、異辛烷、2-甲基庚烷、2-甲基己烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷、十四烷、十五烷和十六烷，優(yōu)選乙烷、丙烷、丁烷、異丁烷、己烷、辛烷和壬烷；該烯屬不飽和基團(tuán)或烯基更優(yōu)選來源于烯烴，其選自取代和未取代的乙烯、丙烯、 丁-1-烯、丁-2-烯、戊-1-烯、戊-2-烯、己-1-烯、己-2-烯、庚-1-烯、辛-1-烯、辛-2-烯、 辛-3-烯、壬-1-烯、癸-1-烯、十一碳-1-烯、十二碳-1-烯、十三碳-1-烯、十四碳-1-烯、 十五碳-I-烯以及十六碳-I-、-2-、-3-、-4-、-5-、-6-、-7-和-8-烯，尤其是乙烯。該炔屬不飽和基團(tuán)或炔基更優(yōu)選來源于炔屬不飽和烴，其選自取代和未取代的乙炔、丙炔、丁 -1-炔、丁 -2-炔、戊-1-炔、戊-2-炔、己-1-炔、己-2-炔、庚-1-炔以及辛-1-、-2-、-3-和-4-炔，尤其是乙炔和丙炔；該脂環(huán)族基團(tuán)更優(yōu)選來源于脂環(huán)族化合物，其選自取代和未取代的環(huán)丙烷、環(huán)丁烷、環(huán)戊烷、環(huán)己烷、環(huán)己烯、降冰片烷和金剛烷，尤其是環(huán)戊烷和環(huán)己烷。
該芳族基團(tuán)更優(yōu)選來源于芳族化合物，其選自取代和未取代的苯、聯(lián)苯、萘、蒽和菲，尤其是苯。當(dāng)使用時(shí)，多官能連接基團(tuán)優(yōu)選選自-0-、-C (0) -、-C (S) -、-C (0) -0-、-O-C (0) -0-、-O-C (S)-O- ；-(-0-)2Si (-R2) 2、_ (-(H3Si-R2，其中 R2 如下文定義；-NR1-、= N-、-N = N_、_N R1-C (0) -,-NR1-NR1-C (0)-,-NR1-NR1-C (S)-,-O-C (0) -NR1-^-O-C (S) -NR1-^-NR1-C (0) -NR1-^-NR1 -C (S) -NR1- ；-(-0-) 3P (0) ,-(-0-) 3P (S) ,-(-0-) 2P (0) -,-(-0-) 2P (S)-,-(-NR1-) 3P (0) ,-(-NR1 -)3P (S)、- (-NR1-) 2P (0) -,-(-NR1-) 2P (S) - ；-S_、_S (0) -、_S (0) 2-、-0_S (0) 2-和-NR1-S (0) 2_。這些通式中R1選自氫以及取代和未取代的甲基和有機(jī)結(jié)構(gòu)部分R。R2為除了氫以外的R1。其中連接基團(tuán)最優(yōu)選為-C(0)-0-。當(dāng)使用時(shí)，取代的有機(jī)結(jié)構(gòu)部分R的取代基優(yōu)選選自-01^-(:(0)-1^-0)01^-5 R1,-P(O)2R1,-N(-R1)^-NR1-C(O) (-R1)2「環(huán)氧乙烷、-經(jīng)由氮或經(jīng)由碳鍵合的氮丙啶，和經(jīng)由氧鍵合的甲基丙烯?；?；-F、-C1、-CN和-NO2 ；其中R1具有上述含義。取代基最優(yōu)選為-NH2、環(huán)氧乙烷和經(jīng)由氧鍵合的甲基丙烯?；?。式I中有機(jī)結(jié)構(gòu)部分R最優(yōu)選為選自乙基、正丁基、3-丁基、己基、辛基、十二烷基、乙烯基、甲基丙烯酰氧丙基、氨丙基和環(huán)氧丙氧丙基，尤其是己基、辛基、十二烷基和乙烯基，尤其最優(yōu)選辛基。式I中變量X為可水解的原子或結(jié)構(gòu)部分。可水解的原子X優(yōu)選選自氫、氯、溴和碘?？伤獾慕Y(jié)構(gòu)部分X選自式II的基團(tuán)-Y-R1(II)，其中變量Y 為選自-0-、-S-、-C (0) -、-C (S) -,-O-C (0)-,-S-C (0) -,-O-C (S)-和-NR1 -的雙官能連接基團(tuán)，其中R1具有上述含義。Y最優(yōu)選為-0-且R1最優(yōu)選為甲基或乙基。因此，所用的可水解的結(jié)構(gòu)部分X最優(yōu)選為-O-CH3 和-O-C2H5，尤其是-0-C2H5。優(yōu)選使用所述硅烷I。所述至少一種硅烷I更優(yōu)選選自乙基_、正丁基-、3_ 丁基_、己基_、辛基_、十二烷基_、乙烯基_、甲基丙烯酰氧丙基_、氨丙基-和環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和三乙氧基硅烷，甚至更優(yōu)選選自己基_、辛基_、十二烷基-和乙烯基三甲氧基硅烷，最優(yōu)選使用辛基三甲氧基硅烷和/或辛基三乙氧基硅烷。尤其最優(yōu)選使用包含至少一種選自辛基三甲氧基硅烷和辛基三乙氧基硅烷的第一硅烷I以及至少一種選自己基-、辛基-、十二烷基-和乙烯基三甲氧基硅烷和三乙氧基硅烷的第二硅烷I的混合物。尤其是混合物包含三乙氧基硅烷。在包含至少一種第一硅烷I和至少一種第二硅烷I的混合物中，第一硅烷I與第二硅烷I的摩爾比可變化很大。摩爾比優(yōu)選為10 1-1 10，更優(yōu)選7. 5 1-1 7.5， 甚至更優(yōu)選5 1-1 5，最優(yōu)選3 1-1 3。將硅烷I和/或II以包含至少一種有機(jī)溶劑的有機(jī)溶液施加。該有機(jī)溶劑的選擇應(yīng)使其不與硅烷I反應(yīng)或使硅烷I分解。優(yōu)選使用極性有機(jī)溶劑。極性有機(jī)溶劑更優(yōu)選為選自醇類、酮類和醚類，最優(yōu)選低沸點(diǎn)醇類如甲醇、乙醇、丙醇和異丙醇，酮類如丙酮和丁酮以及醚類如乙醚和四氫呋喃。尤其優(yōu)選使用乙醇。該有機(jī)溶劑優(yōu)選含有少量的至少一種選自有機(jī)酸和無機(jī)酸的酸，優(yōu)選選自甲酸、 乙酸、苯磺酸、甲苯磺酸、硫酸、硝酸和鹽酸，從而使該有機(jī)溶劑變得微酸性且促進(jìn)硅烷I和 /或II的可水解的結(jié)構(gòu)部分或原子X的水解。尤其優(yōu)選使用鹽酸。另外，該有機(jī)溶劑可含有至少一種功能添加劑，其優(yōu)選選自市售表面活性劑和常用的濕潤(rùn)劑。這種合適的添加劑為例如來自Tiarco Chemicals的Octowet 17或來自 AirProducts 的 Surfynol 104H。此外，該有機(jī)溶劑可含有至少一種上述硅烷I和/或II以外的硅烷，例如甲基三甲氧基硅烷或乙基三甲氧基硅烷或甲基三乙氧基硅烷或乙基三乙氧基硅烷。至少一種硅烷I和/或II的有機(jī)溶液優(yōu)選為高度稀釋的。硅烷I和/或II的濃度更優(yōu)選為0. 01-2重量％，最優(yōu)選0. 05-1重量％，尤其是0. 07-0. 75重量％，均基于有機(jī)溶液的總重量。將至少一種硅烷I和/或II的有機(jī)溶液施加于所述碳化硅層(A)的至少一個(gè)主表面上。優(yōu)選將有機(jī)溶液以對(duì)應(yīng)于5-lOOnm的層(B)干燥厚度的量施加。將有機(jī)溶液施加于平坦表面的本領(lǐng)域已知的所有方法和設(shè)備可用于本發(fā)明方法?？蓛?yōu)選使用浸涂、幕涂、噴涂、輥涂、旋涂、繞線棒刮涂、套刀體系涂布(case knife system coating)或刮刀涂布，尤其是旋涂。在本發(fā)明方法的第二工藝步驟中，由至少一種硅烷I和/或II的有機(jī)溶液組成的施加層通過優(yōu)選通過蒸發(fā)除去揮發(fā)性組分如有機(jī)溶劑和酸(如果使用的話)而干燥。蒸發(fā)可在恒定大氣壓下或以恒定真空實(shí)施。還可在大氣壓下開始蒸發(fā)且在運(yùn)行期間降低壓力。 此外，蒸發(fā)可在恒定溫度，優(yōu)選10-120°C，更優(yōu)選20-100°C，最優(yōu)選25_90°C的恒定溫度下進(jìn)行。然而，在操作期間該溫度也可從初始溫度，優(yōu)選10°C升高到最終溫度，優(yōu)選120°C，更優(yōu)選從20°C升高到100°C，最優(yōu)選從25°C升高到90°C。進(jìn)行此操作的時(shí)間可變化很大。優(yōu)選在1-240分鐘，更優(yōu)選5-120分鐘，最優(yōu)選10-60分鐘內(nèi)進(jìn)行。在本發(fā)明方法的第三工藝步驟中，將至少一種硅烷I和/或II的干燥層在 150-40(TC，優(yōu)選200-350°C，最優(yōu)選250_35(TC下鍛燒1-120分鐘，優(yōu)選5_90分鐘，最優(yōu)選 10-60分鐘以獲得所述層(B)。鍛燒優(yōu)選在含氧氛圍中進(jìn)行。優(yōu)選鍛燒步驟的進(jìn)行使得在干燥層中含有的所有硅烷I和/或II或至少一種硅烷I和/或II部分或完全分解，因此獲得的層(B)仍在3000-2800(3!^1波數(shù)范圍的頂光譜中表現(xiàn)出一些吸收或沒有吸收，顯示一些具有脂族碳?xì)滏I的結(jié)構(gòu)部分的存在或這類結(jié)構(gòu)部分的濃度低于檢測(cè)限度。在本發(fā)明方法的第四工藝步驟中，將至少一個(gè)無機(jī)介電層(C)施加于所述層(B) 上，所述無機(jī)介電層(C)部分或完全，優(yōu)選完全覆蓋層(B)。可采用本領(lǐng)域熟知的材料、方法和設(shè)備制備所述無機(jī)介電層(C)。這樣的材料、方法和設(shè)備的實(shí)例描述在上述專利申請(qǐng)和專利 US 6，827，982B1、W001/78127A2、W0 2004/027850A1 和 US 6, 424, 038B1 中。在替換方案中，第四工藝步驟可直接在第一工藝步驟后實(shí)施，然后第二和第三工藝步驟在第四工藝步驟之中和/或之后實(shí)施。本發(fā)明結(jié)構(gòu)和通過本發(fā)明方法制備的層型結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出優(yōu)異的層間粘合性。由于優(yōu)異的電子性質(zhì)，它們可最有利地用于廣泛的新電子器件，尤其是新半導(dǎo)體器件如LED、IGFET、MOSFET、絕緣柵雙極晶體管、肖特基二極管、硅可控整流器和集成電路。在這些新半導(dǎo)體器件中，本發(fā)明結(jié)構(gòu)的碳化硅層(A)優(yōu)選用作半導(dǎo)體材料和/或在半導(dǎo)體器件，尤其是IC的制備中起腐蝕停止層的作用和/或在半導(dǎo)體器件，尤其是IC中起銅阻擋層和保護(hù)層的作用。實(shí)施例和對(duì)比實(shí)驗(yàn)對(duì)比實(shí)驗(yàn)1制備包含碳化硅層(A)、硅烷層和無機(jī)介電層(C)的結(jié)構(gòu)制備在碳化硅層(A)上的硅烷涂層將2ml濃度為lmol/1的鹽酸加入96ml乙醇中。此后，將2ml辛基三乙氧基硅烷(OCTEO)加入該溶液且將獲得的溶液在室溫下攪拌20小時(shí)。用額外的乙醇稀釋少量的 OCTEO溶液直到獲得濃度為0. 1重量％的OCTEO水解液。使用刮刀由套刀體系將該溶液施加于位于硅晶片上的碳化硅層表面。將如此獲得的涂層在室溫下干燥。干燥涂層與水的接觸角使用具有高速照相機(jī)的接觸角測(cè)角器由動(dòng)態(tài)懸滴法測(cè)量。1秒后獲得91°的接觸角， 其比純碳化硅層(A)與水的接觸角高得多。為了比較還測(cè)量二氧化硅表面與水的接觸角。該接觸角為38°。硅烷涂層的頂光譜顯示在3000-2800(31^1的強(qiáng)C-H吸收帶。該硅烷涂層的厚度為15nm。制備位于硅烷涂層上的無機(jī)介電層(C)如美國(guó)專利US 6，827，982B1所述，使用分散于原硅酸四乙酯(TEOS)中的硅質(zhì)巖納米顆粒(Novellus System, Inc. of San Jose, California 的 SilicaLite )，將 50nm 厚的無機(jī)介電層(C)施加于硅烷涂層。測(cè)量粘合性用&0切1! Brite實(shí)驗(yàn)測(cè)試硅烷涂層和無機(jī)介電層(C)之間的界面粘合性。在該實(shí)驗(yàn)中，該無機(jī)介電層部分從硅烷涂層剝?nèi)?，這顯示粘合性就實(shí)用目的是不足夠的。這通過劃線實(shí)驗(yàn)證實(shí)。在該實(shí)驗(yàn)中，用玻璃割刀劃線該無機(jī)介電層(C)。就劃痕拍攝掃描電子顯微鏡(SEM)照片并檢查。該SEM照片顯示劃痕附近明顯分層。實(shí)施例1制備包含碳化硅層(A)、層(B)和無機(jī)介電層(C)的層型結(jié)構(gòu)制備具有層⑶的碳化硅層㈧將對(duì)比實(shí)驗(yàn)1的硅烷涂層在300°C下在含氧氛圍中鍛燒30分鐘。獲得與水的接觸角為44°且厚度為IOnm的層(B)。一些在3000-2800(^-1的C-H吸收帶仍存在于其頂光譜。制備位于層⑶上的無機(jī)介電層(C)如美國(guó)專利US 6，827，982B1所述，使用分散于原硅酸四乙酯(TEOS)中的硅質(zhì)巖納米顆粒(Novellus System, Inc. of San Jose，California 的 SilicaLite )，將厚度為 50nm的無機(jī)介電層(C)施加于硅烷涂層。測(cè)量粘合性用kotch Brite實(shí)驗(yàn)測(cè)試層(B)和無機(jī)介電層(C)之間的界面粘合性。在實(shí)驗(yàn)中，不能將該無機(jī)介電層(C)除去，這顯示了優(yōu)異的界面粘合性。這也通過劃線實(shí)驗(yàn)證實(shí)。 獲得的SEM照片顯示劃痕處無分層。實(shí)施例2和3以及對(duì)比實(shí)驗(yàn)2
使用硅烷I (實(shí)施例2和幻和甲基三乙氧基硅烷(對(duì)比實(shí)驗(yàn)幻制備包含碳化硅層(A)、層⑶和無機(jī)介電層(C)的層型結(jié)構(gòu)對(duì)于實(shí)施例2和3，除了使用OCTEO以外的硅烷I和輕微變化的條件外在相似條件下重復(fù)實(shí)施例1。表1歸納了所用的條件和硅烷I。表1實(shí)施例2-6和對(duì)比實(shí)驗(yàn)2中采用的實(shí)驗(yàn)條件
權(quán)利要求
1.一種層型結(jié)構(gòu)，以如下順序包含(A)碳化硅層，(B)至少一個(gè)如下層(bl)位于碳化硅層(A)的至少一個(gè)主表面上，(b2)通過硅氧鍵和/或硅碳鍵化學(xué)鍵合到碳化硅層(A)的主體上，(b3)部分或完全覆蓋碳化硅層(A)的至少一個(gè)主表面，(b4)如與水的接觸角低于水與純碳化硅表面的接觸角所示具有比純碳化硅表面高的極性；和(C)至少一個(gè)介電層，其部分或完全覆蓋層(B)且選自無機(jī)和無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的層型結(jié)構(gòu)，其特征在于所述層(B)與水的接觸角等于或大于水與純二氧化硅表面的接觸角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)的層型結(jié)構(gòu)，其特征在于所述層(B)具有I-IOOnm的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)的層型結(jié)構(gòu)，其特征在于所述無機(jī)和/或無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層(C)含有硅氧烷鍵。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)的層型結(jié)構(gòu)，其特征在于所述無機(jī)和無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層(C)具有小于二氧化硅的介電常數(shù)k。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)的層型結(jié)構(gòu)，其特征在于所述介電層(C)具有10-500nm的厚度。
7.一種制備層型結(jié)構(gòu)的方法，所述層型結(jié)構(gòu)以如下順序包含(A)碳化硅層，(B)至少一個(gè)如下層(bl)位于碳化硅層(A)的至少一個(gè)主表面上，(b2)通過硅氧鍵和/或硅碳鍵化學(xué)鍵合到碳化硅層(A)的主體上，(b3)部分或完全覆蓋碳化硅層(A)的至少一個(gè)主表面，和(b4)如與水的接觸角低于水與純碳化硅表面的接觸角所示具有比純碳化硅表面高的極性；和(C)至少一個(gè)介電層，其部分或完全覆蓋層(B)且選自無機(jī)和無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層，所述方法包括下列步驟(1)將至少一種選自通式I硅烷和通式II硅烷的硅烷的有機(jī)溶液施加于碳化硅層(A) 的至少一個(gè)主表面上RnSiX4—n(I)，RmX3_mSi-R-SiX3_mRm (II)； 其中各符號(hào)和變量具有下列含義 η為1或2 ； m為 或1 ；R為含有至少2個(gè)碳原子的有機(jī)結(jié)構(gòu)部分，其選自含有取代和未取代、支化和線性的脂族、烯屬不飽和基團(tuán)和炔屬不飽和基團(tuán)以及脂環(huán)族和芳族基團(tuán)的結(jié)構(gòu)部分或由其組成的結(jié)構(gòu)部分；和X為可水解的原子或可水解的結(jié)構(gòu)部分；(2)通過除去揮發(fā)性組分干燥如此獲得的由硅烷I的有機(jī)溶液組成的層；(3)在150-400°C的溫度下將硅烷I和/11的干燥層鍛燒1-120分鐘以獲得層(B)；和(4)施加至少一個(gè)介電層(C)，其部分或完全覆蓋所述層(B)且選自無機(jī)和無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層；或，在替換方案中，(5)直接在工藝步驟(1)后實(shí)施工藝步驟G)，并且隨后在工藝步驟(4)之中和/或之后實(shí)施工藝步驟(2)和(3)。
8.根據(jù)權(quán)利要求78的方法，其特征在于在有機(jī)溶液中硅烷I和/或II的濃度基于有機(jī)溶液總重量為0. 01-2重量％。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8的方法，其特征在于所述硅烷I的有機(jī)溶液包含至少一種極性有機(jī)溶劑或由其組成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其特征在于所述極性有機(jī)溶劑選自醇類、酮類和醚類。
11.根據(jù)權(quán)利要求7-10的方法，其特征在于符號(hào)η= 1且符號(hào)m = 0。
12.根據(jù)權(quán)利要求7-11任一項(xiàng)的方法，其特征在于所述有機(jī)結(jié)構(gòu)部分R含有2-16個(gè)碳原子。
13.根據(jù)權(quán)利要求7-12任一項(xiàng)的方法，其特征在于所述脂族基團(tuán)或烷基來源于選自取代和未取代的丙烷、異丙烷、丁烷、異丁烷、戊烷、異戊烷、新戊烷、己烷、庚烷、辛烷、異辛烷、2-甲基庚烷、2-甲基己烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷、十四烷、十五烷和十六烷的脂族烴；所述烯屬不飽和基團(tuán)或烯基來源于選自取代和未取代的乙烯、丙烯、丁-1-烯、 丁-2-烯、戊-1-烯、戊-2-烯、己-1-烯、己-2-烯、庚-1-烯、辛-1-烯、辛-2-烯、辛-3-烯、 壬-1-烯、癸-1-烯、十一碳-1-烯、十二碳-1-烯、十三碳-1-烯、十四碳-1-烯、十五碳-I-烯以及十六碳-l-、-2-、-3-、-4-、-5-、-6-、-7-和-8-烯的烯烴；所述炔屬不飽和基團(tuán)或炔基來源于選自取代和未取代的乙炔、丙炔、丁-1-炔、丁-2-炔、戊-1-炔、戊-2-炔、 己-1-炔、己-2-炔、庚-1-炔以及辛-1-、-2-、-3-和-4-炔的炔屬不飽和烴；所述脂環(huán)族基團(tuán)R來源于選自取代和未取代的環(huán)丙烷、環(huán)丁烷、環(huán)戊烷、環(huán)己烷、環(huán)己烯、降冰片烷和金剛烷的脂環(huán)族化合物；和所述芳族基團(tuán)R來源于選自取代和未取代的苯、聯(lián)苯、萘、蒽和菲的芳族化合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求7-13的方法，其特征在于所述可水解的原子X選自氫、氯、溴和碘； 和可水解的結(jié)構(gòu)部分X選自通式II基團(tuán)-Y-R1 (II)，其中變量 Y 為選自-0-、-S-、-C (0) -、-C (S) -、-O-C (0) -、-S-C (0) -、-O-C (S)-和-NR1-的雙官能連接基團(tuán)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其特征在于X= -0-且R1 =甲基或乙基。
16.根據(jù)權(quán)利要求7-15任一項(xiàng)的方法，其特征在于所述結(jié)構(gòu)部分R選自乙基、正丁基、3-丁基、己基、辛基、十二烷基、乙烯基、甲基丙烯酰氧丙基、氨丙基和環(huán)氧丙氧丙基。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其特征在于所述至少一種硅烷I選自乙基_、正丁基_、·3- 丁基_、己基_、辛基_、十二烷基_、乙烯基_、甲基丙烯酰氧丙基_、氨丙基-和環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和三乙氧基硅烷。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其特征在于使用包含至少一種選自辛基三甲氧基硅烷和辛基三乙氧基硅烷的第一硅烷I以及至少一種選自己基_、辛基_、十二烷基-和乙烯基三甲氧基硅烷和三乙氧基硅烷的第二硅烷I的混合物。
19.根據(jù)權(quán)利要求7-18任一項(xiàng)的方法，其特征在于將所述至少一種硅烷I的干燥層在 200-350°C的溫度下鍛燒10-60分鐘。
20.根據(jù)權(quán)利要求7-19任一項(xiàng)的方法，其特征在于在鍛燒步驟(3)的過程中將至少一種硅烷I的干燥層部分或完全分解。
21.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)的層型結(jié)構(gòu)和借助根據(jù)權(quán)利要求7-20任一項(xiàng)的方法制備的層型結(jié)構(gòu)在電子器件中的用途。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的用途，其特征在于所述電子器件為半導(dǎo)體器件，其中所述碳化硅層(A)用作半導(dǎo)體材料和/或在半導(dǎo)體器件的制備中起腐蝕停止層的作用和/或在半導(dǎo)體器件中起銅阻擋層和/或保護(hù)層的作用。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的用途，其特征在于所述半導(dǎo)體器件為L(zhǎng)ED、IGFET、MOSFET、絕緣柵雙極晶體管、肖特基二極管、硅可控整流器和集成電路。
全文摘要
一種層型結(jié)構(gòu)以如下順序包含(A)碳化硅層，(B)至少一個(gè)(b1)位于碳化硅層(A)的至少一個(gè)主表面上、(b2)通過硅氧鍵和/或硅碳鍵化學(xué)鍵合到碳化硅層(A)的主體上、(b3)部分或完全覆蓋碳化硅層(A)的至少一個(gè)主表面和(b4)如與水的接觸角低于水與純碳化硅表面的接觸角所示具有比純碳化硅表面高的極性的層；和(C)至少一個(gè)介電層，其部分或完全覆蓋層(B)且選自無機(jī)和無機(jī)-有機(jī)雜化物介電層；一種其制備方法和其用途。
文檔編號(hào)H01L21/312GK102318044SQ200980116420
公開日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2009年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月8日
發(fā)明者A·特勞特, C·H·S·謝, N·瓦格納 申請(qǐng)人:巴斯夫歐洲公司