專利名稱：用于固定晶圓的支撐物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于固定晶圓的支 撐物。
背景技術(shù)：
化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)， 包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。CVD的反應(yīng)過程是兩種或兩種以 上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材 料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由硅烷和氮反應(yīng) 形成的。CVD技術(shù)常常通過反應(yīng)類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓 CVD (APCVD)，亞常壓CVD (SACVD)，超高真空CVD (UHCVD)，等離子體增強CVD (PECVD)，高密度 等離子體CVD (HDPCVD)以及快熱CVD (RTCVD)。然后，還有金屬有機(jī)物CVD (MOCVD)，對LPCVD來說，由于有足夠的反應(yīng)氣體到達(dá)晶圓表面，這意味著許多片晶圓可以 密集縱向堆放，縱向堆放的晶圓數(shù)量可以達(dá)到200片左右。圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中用于 LPCVD反應(yīng)室中的晶圓支撐物的示意圖。其中，晶圓101縱向堆放(圖中僅示出兩片晶圓， 其他晶圓省略)。支撐物102包括立柱103和在立柱103縱向均勻分布的多個支架104。為 了能夠疊放較多的晶圓，相鄰支架104間的距離一般在10毫米以內(nèi)。至少3個支撐物102 按照晶圓的輪廓合圍而立，有支架的一側(cè)朝向晶圓的圓心，晶圓101放置在相同高度的支 架104上。最初晶圓都是正面向上放置在支撐物上的。但在LPCVD過程之后對晶圓表面進(jìn)行 檢測發(fā)現(xiàn)，在晶圓正面靠近支架的表面常常會檢測到很多的雜質(zhì)顆粒物，對晶圓造成污染。 圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中LPCVD之后晶圓表面的檢測圖像，圖2中一共示出了三個晶圓，分別 為晶圓2-1、晶圓2-2和晶圓2-3。每個圓代表一個晶圓，圓中點代表雜質(zhì)顆粒物。經(jīng)分析， 這是由于晶圓在放置到支撐物或從支撐物取下時，晶圓背面不可避免地與支撐物的支架發(fā) 生摩擦產(chǎn)生碎屑，碎屑就掉落在下方的晶圓上。為了解決這一問題，可以將晶圓正面朝下放置，這樣下落的碎屑就會掉落在晶圓 的背面，避免了污染的問題，但這樣一來又會造成新的問題晶圓正面與支架直接接觸的面 積會遭到破壞，這一部分就無法用來生產(chǎn)芯片，造成一定的產(chǎn)量損失。
實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型的目的在于，提出一種用于固定晶圓的支撐物，可以減少由 于晶圓正面朝下放置導(dǎo)致的產(chǎn)量損失。本實用新型實施例提出的一種用于固定晶圓的支撐物，所述支撐物包括立柱和沿 著立柱縱向分布的多個支架，所述支架與晶圓接觸的面為斜面。所述立柱上相鄰支架的間距為6毫米至10毫米。所述立柱上，上一個支架的底部到下一個支架的頂部之間距離為2毫米至3. 5毫米。所述支架的斜面與支架橫截面的交線是直線或曲線。所述交線的切線與水平方向的夾角大于10度且小于90度。所述交線為直線，該交線與水平方向的夾角小于45度。從以上技術(shù)方案可以看出，支撐物的支架與晶圓接觸的部分為斜面，這樣晶圓與 支架接觸的面積大大縮小，可以減少由于晶圓正面朝下放置導(dǎo)致的產(chǎn)量損失。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的用于LPCVD反應(yīng)室中的晶圓支撐物的示意圖；圖2中的2-1至2-3為現(xiàn)有技術(shù)中LPCVD之后晶圓表面的檢測圖像；圖3為本實用新型實施例的用于LPCVD反應(yīng)室中的晶圓支撐物的示意圖。圖4中的4-1至4-12分別為本實用新型實施例的支撐物的12種截面示意圖。
具體實施方式
為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，
以下結(jié)合附圖對本實用新型 作進(jìn)一步的詳細(xì)闡述。圖3示出了本實用新型實施例的用于LPCVD反應(yīng)室中的晶圓支撐物的示意圖。其 中支撐物302的結(jié)構(gòu)包括立柱303和沿著立柱303縱向分布的多個支架304。圖1所示的 現(xiàn)有技術(shù)的支架104的形狀特征是其與晶圓接觸的面是水平面，而支架304與晶圓接觸的 面是與水平方向成b角的斜面。這樣，在本實用新型實施例中，當(dāng)晶圓正面向下放置在支撐 物上時，晶圓與支架接觸的部分僅僅是晶圓的外沿，接觸面積與現(xiàn)有技術(shù)相比大大縮小，因 此可以達(dá)到減小產(chǎn)量損失的效果。較佳地，相鄰支架的間距a為6毫米至10毫米，上一個支架的底部到下一個支架 的頂部之間距離為2毫米至3. 5毫米。支架斜面與支架橫截面交線的切線與水平方向的夾 角b大于10度小于90度。如果該斜面的是平面，則該交線的切線與水平方向的夾角不應(yīng) 大于45度。如圖3所示的支架，其截面形狀如圖4左上角第一個所示為直角三角形，該三角形 的斜邊401是用于放置晶圓的斜面與橫截面的交線。實際上其截面形狀可不限于此，用于 放置晶圓的斜面與橫截面的交線可以是直線也可以是曲線。也就是說，支架與晶圓接觸的 斜面不僅僅限于傾斜的平面，也可以是傾斜的曲面。該曲面可以是向外彎曲，也可以是向內(nèi) 彎曲。如果所述交線是曲線的話，該曲線上任一點的切線與水平方向的夾角大于10度且小 于90度。圖4中的4-1至4-12共示出了 12種不同的支架截面形狀。實際本實用新型的 支撐物支架的截面形狀還可以不限于此。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本 實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求一種用于固定晶圓的支撐物，所述支撐物包括立柱和沿著立柱縱向分布的多個支架，其特征在于，所述支架與晶圓接觸的面為斜面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐物，其特征在于，所述立柱上相鄰支架的間距為6毫米至 10毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐物，其特征在于，所述立柱上，上一個支架的底部到下一 個支架的頂部之間距離為2毫米至3. 5毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的支撐物，其特征在于，所述支架的斜面與支架橫截 面的交線是直線或曲線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的支撐物，其特征在于，所述交線的切線與水平方向的夾角大 于10度且小于90度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的支撐物，其特征在于，所述交線為直線，該交線與水平方向的 夾角小于45度。
專利摘要本實用新型公開了一種用于固定晶圓的支撐物，所述支撐物包括立柱和沿著立柱縱向分布的多個支架，所述支架與晶圓接觸的面為斜面。采用本實用新型方案，當(dāng)晶圓正面向下放置在所述支撐物上時，晶圓與支架接觸的面積相對于現(xiàn)有技術(shù)大大縮小，可以減少由于晶圓正面朝下放置導(dǎo)致的產(chǎn)量損失。
文檔編號H01L21/683GK201758118SQ20092021342
公開日2011年3月9日 申請日期2009年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月15日
發(fā)明者王秉國, 翟立君, 趙星, 高劍鳴 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司