專利名稱：一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)ED。由鎵(Ga)與砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二極管，當(dāng) 電子與空穴復(fù)合時(shí)能輻射出可見(jiàn)光，因而可以用來(lái)制成發(fā)光二極管，在電路及儀器中作為 指示燈，或者組成文字或數(shù)字顯示。磷砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅
二極管發(fā)黃光。發(fā)光二極管是半導(dǎo)體二極管的一種，可以把電能轉(zhuǎn)化成光能；常簡(jiǎn)寫(xiě)為L(zhǎng)ED。發(fā)光 二極管與普通二極管一樣是由一個(gè)PN結(jié)組成，也具有單向?qū)щ娦?。?dāng)給發(fā)光二極管加上正 向電壓后，從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子，在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)分 別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復(fù)合，產(chǎn)生自發(fā)輻射的熒光。不同的半導(dǎo)體材料中電子和空 穴所處的能量狀態(tài)不同。當(dāng)電子和空穴復(fù)合時(shí)釋放出的能量多少不同，釋放出的能量越多， 則發(fā)出的光的波長(zhǎng)越短。常用的是發(fā)紅光、綠光或黃光的二極管。與小白熾燈泡和氖燈等光源相較而言，發(fā)光二極管的特點(diǎn)具有工作電壓很低(有 的僅一點(diǎn)幾伏)；工作電流很小(有的僅零點(diǎn)幾毫安即可發(fā)光)；抗沖擊和抗震性能好，可 靠性高，壽命長(zhǎng)；通過(guò)調(diào)制通過(guò)的電流強(qiáng)弱可以方便地調(diào)制發(fā)光的強(qiáng)弱。由于有這些特點(diǎn)， 發(fā)光二極管在一些光電控制設(shè)備中用作光源，在許多電子設(shè)備中用作信號(hào)顯示器。同時(shí)，通過(guò)本領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)人員的努力，發(fā)光二極管已經(jīng)在一些領(lǐng)域逐漸替代白 熾燈等光源，成為照明技術(shù)中的主角。同時(shí)，對(duì)發(fā)光二極管無(wú)論是在結(jié)構(gòu)上還是制造方法上 都有所改進(jìn)。如專利號(hào)為02140284. 1，名為子母型發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)及方法的中國(guó)實(shí)用新 型專利對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管的改進(jìn)為該實(shí)用新型的“子母型發(fā)光二極管的封裝 結(jié)構(gòu)及方法”，是將LED晶粒先封裝成表面黏著型(SMD)的LED封裝子體元件，再以單顆或 復(fù)數(shù)顆SMDLED封入另一較大具凹槽的封裝外殼母體中，形成子母型的封裝結(jié)構(gòu)，其優(yōu)點(diǎn)在 于制作白光LED等使用螢光粉的發(fā)光二極管時(shí)，先封裝成SMD型的良率及光均勻度皆很高， 且可依亮度、LED的Vf或光色x、y值的需求先挑選出合適的SMD LED封在同一結(jié)構(gòu)內(nèi)，亦 可由此結(jié)構(gòu)制作出由多顆SMD型LED集合而成單一較大顆高功率的LED，所以先封裝成SMD 的結(jié)構(gòu)再封入較大具凹槽封裝外殼中的方式具有許多制程上的優(yōu)點(diǎn)。由以上可以看出，現(xiàn)有技術(shù)以及后續(xù)的本領(lǐng)域相關(guān)及時(shí)人員對(duì)發(fā)光二極管的改進(jìn) 對(duì)于發(fā)光照明領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，具有一定的進(jìn)步性，但是就目前的技術(shù)來(lái)看，還是存在以下幾個(gè)方 面的不足1、現(xiàn)有技術(shù)所提供的發(fā)光二極管二次封裝結(jié)構(gòu)，由于其采用的是單純的在發(fā)光二 極管晶粒表面涂覆熒光粉，然后再通過(guò)透明樹(shù)脂固定成球冠形，這樣的結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致涂覆在 二極管晶粒表面的熒光粉在中央位置的厚度較厚而周邊較薄，導(dǎo)致其發(fā)光二極管晶粒發(fā)出 的光線對(duì)中央位置和周邊厚度不同的熒光粉的激發(fā)效果不同，周邊厚度較薄，很容易充分激發(fā)，而中央位置較厚，外表面的熒光粉由于內(nèi)層熒光粉對(duì)光線的吸收和阻擋而處于欠激發(fā)狀態(tài)，如提高晶粒的發(fā)光強(qiáng)度使中央位置外表層的熒光粉充分激發(fā)，則周邊的厚度較薄 的熒光粉就會(huì)處于過(guò)度激發(fā)，使熒光粉的激發(fā)不均勻，發(fā)光效果不佳，發(fā)光效率降低，并且 光線在中央位置較厚的熒光粉層中多次反射而發(fā)不出去，不僅導(dǎo)致光源的利用效率低，而 且會(huì)導(dǎo)致發(fā)光二極管過(guò)熱，造成了能源的浪費(fèi)。2、同時(shí)，由于發(fā)光二極管晶粒不是表發(fā)光，而是立體發(fā)光，現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管 二次封裝結(jié)構(gòu)，在涂敷熒光粉時(shí)除覆蓋晶粒上表面外，還會(huì)在晶粒四周形成很厚的熒光粉 層，而發(fā)光二極管晶粒側(cè)表面所發(fā)出的光線對(duì)這樣很厚的熒光粉層的激發(fā)效果很差，不能 充分利用發(fā)光二極管側(cè)表面發(fā)出的光線，使發(fā)光二極管的發(fā)光效率降低。3、而且，由于熒光粉的涂敷不均勻，使熒光分的用量增大，造成成本的大大提高， 以及資源的嚴(yán)重浪費(fèi)。4、由于現(xiàn)有技術(shù)所采用的方式需要在發(fā)光二極管晶粒上面填充透光材料或熒光 粉，容易在封裝的過(guò)程中造成發(fā)光二極管晶粒的損壞或污染。發(fā)明內(nèi)容鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的是提供一種具有光源的利用 效率高，而且能有效的避免對(duì)發(fā)光二極管晶粒的污染，節(jié)約能源、同時(shí)能使熒光粉在同一時(shí) 間激發(fā)，增加亮度，同時(shí)，采用批量模塊式生成，大大降低成本的一種發(fā)光二極管的封裝結(jié) 構(gòu)。為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的上述目的，本實(shí)用新型提供一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包 括一發(fā)光二極管支架；發(fā)光二極管晶粒，所述發(fā)光二極管晶粒固定于所述發(fā)光二極管支 架的底部平面上；其中，所述發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)還包括一封裝片，所述封裝片固定設(shè) 置于所述發(fā)光二極管晶粒上表面；一熒光粉體涂層，所述熒光粉體涂層為印刷或激光噴涂 的方式設(shè)置于所述封裝片上。根據(jù)本實(shí)用新型的上述構(gòu)思，所述熒光粉體涂層為均勻涂覆于所述封裝片的上表根據(jù)本實(shí)用新型的上述構(gòu)思，所述封裝片為玻璃材料的封裝片或透明膠體材料模 壓或澆鑄而成的封裝片。根據(jù)本實(shí)用新型的上述構(gòu)思，所述封裝片的透光度為1. 2-1. 5之間。根據(jù)本實(shí)用新型的上述構(gòu)思，所述的發(fā)光二極管晶粒為一個(gè)；或所述的發(fā)光二極 管晶粒為多個(gè)，且所述多個(gè)發(fā)光二極管晶粒以所述發(fā)光二極管支架的底部平面中心為坐 標(biāo)，所述發(fā)光二極管晶粒在X軸及Y軸上規(guī)則排列。根據(jù)本實(shí)用新型的上述構(gòu)思，所述的發(fā)光二極管晶粒為一個(gè)；或所述的發(fā)光二極 管晶粒為多個(gè)，且所述多個(gè)發(fā)光二極管晶粒以所述發(fā)光二極管支架的底部平面中心為坐 標(biāo)，任意相鄰兩發(fā)光二極管晶粒在X軸及Y軸上錯(cuò)位排列。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和有益效果在于，彌補(bǔ)了現(xiàn)有技術(shù)所存在的熒光粉激發(fā)不均勻 和周邊光線利用不充分而使光源的利用效率低，亮度低，容易導(dǎo)致發(fā)光二極管二次封裝結(jié) 構(gòu)過(guò)熱，造成能源的浪費(fèi)等不足。具有光源的利用效率高，而且能有效的避免對(duì)發(fā)光二極管 晶粒的污染，節(jié)約能源、同時(shí)能使熒光粉在均勻排布，同一時(shí)間激發(fā)，增加亮度。同時(shí)，本實(shí) 用新型采用批量模塊式生產(chǎn)，可以大大降低成本等優(yōu)點(diǎn)。[0021]
圖1是本實(shí)用新型的一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的截面結(jié)構(gòu)示意 圖；圖2是本實(shí)用新型的一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的截面結(jié)構(gòu)示意 圖。
具體實(shí)施方式
為了進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的原理和結(jié)構(gòu)，現(xiàn)結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施 例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，然而所述實(shí)施例僅為提供說(shuō)明與解釋之用，不能用來(lái)限制本實(shí)用新型的 專利保護(hù)范圍。如圖1及圖2所示的一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括一發(fā)光二極管支架1 ；發(fā) 光二極管晶粒2，所述發(fā)光二極管晶粒2固定于所述發(fā)光二極管支架1的底部平面上；其 中，所述發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)還包括一封裝片3，所述封裝片3固定設(shè)置于所述發(fā)光二 極管晶粒2上表面；一熒光粉體涂層4，所述熒光粉體涂層4為印刷或激光噴涂的方式設(shè)置 于所述封裝片3上。根據(jù)本實(shí)用新型的上述構(gòu)思，所述熒光粉體涂層4為均勻涂覆于所述封裝片3的 上表面。根據(jù)本實(shí)用新型的上述構(gòu)思，所述封裝片3為玻璃材料的封裝片或透明膠體材料 模壓或澆鑄而成的封裝片。根據(jù)本實(shí)用新型的上述構(gòu)思，所述封裝片3的透光度為1. 2-1. 5之間。根據(jù)本實(shí)用新型的上述構(gòu)思，所述的發(fā)光二極管晶粒2為一個(gè)；或所述的發(fā)光二 極管晶粒2為多個(gè)，且所述多個(gè)發(fā)光二極管晶粒2以所述發(fā)光二極管支架1的底部平面中 心為坐標(biāo)，所述發(fā)光二極管晶粒2在X軸及Y軸上規(guī)則排列。根據(jù)本實(shí)用新型的上述構(gòu)思，所述的發(fā)光二極管晶粒2為一個(gè)；或所述的發(fā)光二 極管晶粒2為多個(gè)，且所述多個(gè)發(fā)光二極管晶粒2以所述發(fā)光二極管支架1的底部平面中 心為坐標(biāo)，任意相鄰兩發(fā)光二極管晶粒2在X軸及Y軸上錯(cuò)位排列。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和有益效果在于，彌補(bǔ)了現(xiàn)有技術(shù)所存在的熒光粉激發(fā)不均勻 和周邊光線利用不充分而使光源的利用效率低，亮度低，容易導(dǎo)致發(fā)光二極管二次封裝結(jié) 構(gòu)過(guò)熱，造成能源的浪費(fèi)等不足。具有光源的利用效率高，而且能有效的避免對(duì)發(fā)光二極管 晶粒的污染，節(jié)約能源、同時(shí)能使熒光粉在均勻排布，同一時(shí)間激發(fā)，增加亮度。同時(shí)，本實(shí) 用新型采用批量模塊式生產(chǎn)，可以大大降低成本等優(yōu)點(diǎn)。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能 認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視 為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括一發(fā)光二極管支架；發(fā)光二極管晶粒，所述發(fā)光二極管晶粒固定于所述發(fā)光二極管支架的底部平面上；其特征在于所述發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)還包括一封裝片，所述封裝片固定設(shè)置于所述發(fā)光二極管晶粒上表面；一熒光粉體涂層，所述熒光粉體涂層為印刷或激光噴涂的方式設(shè)置于所述封裝片上。
2.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述熒光粉體涂層為均勻涂覆于所述封裝片的上表面。
3.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述封裝片為玻璃材料的封裝片或透明膠體材料模壓或澆鑄而成的封裝片。
4.如權(quán)利要求1或3所述的一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述封裝片的透光度為1. 2-1. 5之間。
5.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的發(fā)光二極管晶粒為一個(gè)；或所述的發(fā)光二極管晶粒為多個(gè)，且所述多個(gè)發(fā)光二極管晶粒以所述發(fā)光二極管支架的 底部平面中心為坐標(biāo)，所述發(fā)光二極管晶粒在X軸及Y軸上規(guī)則排列。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的發(fā)光二極管晶粒為一個(gè)；或所述的發(fā)光二極管晶粒為多個(gè)，且所述多個(gè)發(fā)光二極管晶粒以所述發(fā)光二極管支架的 底部平面中心為坐標(biāo)，任意相鄰兩發(fā)光二極管晶粒在X軸及Y軸上錯(cuò)位排列。
專利摘要一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括一發(fā)光二極管支架；發(fā)光二極管晶粒，所述發(fā)光二極管晶粒固定于所述發(fā)光二極管支架的底部平面上；其中，所述發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)還包括一封裝片，所述封裝片固定設(shè)置于所述發(fā)光二極管晶粒上表面；一熒光粉體涂層，所述熒光粉體涂層為印刷或激光噴涂的方式設(shè)置于所述封裝片上。本實(shí)用新型具有光源的利用效率高，而且能有效的避免對(duì)發(fā)光二極管晶粒的污染，節(jié)約能源、同時(shí)能使熒光粉在均勻排布，同一時(shí)間激發(fā)，增加亮度。同時(shí)，本實(shí)用新型采用批量模塊式生產(chǎn)，可以大大降低成本等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L33/48GK201594550SQ200920205900
公開(kāi)日2010年9月29日 申請(qǐng)日期2009年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月27日
發(fā)明者王樹(shù)全, 程繼金 申請(qǐng)人:東莞市精航科技有限公司