專利名稱：Led中空封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于光電技術(shù)領(lǐng)域，具體為L(zhǎng)ED中空封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的LED封裝技術(shù)，采用樹脂或者硅膠經(jīng)過一定的配比調(diào)配后封裝LED，經(jīng) 過烤箱在一定的溫度條件下烘烤硬化，使樹脂或硅膠完全的包覆住芯片與金線。 大功率LED發(fā)光產(chǎn)品經(jīng)常使用在戶外的照明燈具上，做為發(fā)光光源，因曝露在空氣 環(huán)境中,經(jīng)常會(huì)受到環(huán)境溫度的影響，主要缺點(diǎn)是包覆LED的樹脂或硅膠不能忍受 柳艮溫度零下40度到零上110的變化，會(huì)有熱脹冷縮的問題發(fā)生，在長(zhǎng)時(shí)間多次 循環(huán)的環(huán)境溫度變化中，樹脂或硅膠會(huì)不斷的熱脹冷縮，就會(huì)不斷的拉動(dòng)包覆住 的金線，最終會(huì)導(dǎo)致金線松動(dòng)，甚至?xí)撾x芯片的焊墊，造成LED產(chǎn)品的質(zhì)量不 穏定或者不亮。

實(shí)用新型內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本實(shí)用新型的目的在于設(shè)計(jì)提供一種能經(jīng)受 環(huán)境溫度居lj烈變化的LED中空封裝結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案，產(chǎn)品質(zhì)量好，使用壽命長(zhǎng)。
所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，包括豎立設(shè)置的基板，基板表面設(shè)置軟性電路層， 基板頂部配合設(shè)置LED芯片，LED芯片通過金線與軟性電路層電路連接，其特征在 于基板上部緊配套接設(shè)置圓環(huán)基座，圓環(huán)基座上部密封配合設(shè)置球體發(fā)光罩，球 體發(fā)光罩與LED芯片、金線之間具有空腔。
所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的基板中部設(shè)置 透的通孔，通 孔中穿接設(shè)置鍍銀銅棒，鍍銀銅棒頂部與LED芯片底部觸接配合。所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的LED芯片大功率芯片，其功率 為lw，基板寬度為5mm，基板厚度為1. 5ram，通孔直徑為0. 9mm， LED芯片為1. 0mm。
所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于球體發(fā)光罩采用樹脂或硅膠制成，其 壁厚為為0. 4-0. 5ram。
所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于基板由鋁、銅或鋁銀銅合金材料制成。
所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的鍍銀銅棒為中部斷開的結(jié)構(gòu)， 上下兩根棒體之間觸接配合，上部棒體與LED芯片底部觸接配合，下部棒體用于 和外部結(jié)構(gòu)配合連接。
所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的鍍銀銅棒由銅棒表面鍍銀層構(gòu)成。
所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于通孔兩側(cè)的基板頂部對(duì)稱設(shè)置金道隔 離凹槽。
所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于鍍銀銅棒頂部與LED芯片底部之間設(shè) 置銀膠體。
所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于與LED芯片位于同一水平線以上部分 的球體發(fā)光罩為半球形結(jié)構(gòu)，其直徑為6-8mm，優(yōu)選為6mm。
上述LED中空封裝結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、合理，由于球體發(fā)光罩與LED芯片之間 具有空腔，罩體與LED芯片及金線不直接接觸，當(dāng)外界環(huán)境溫度在零下40度到零 上110度范圍內(nèi)居IJ烈變化時(shí)，不僅罩體能隔離開外界空氣、濕氣，且罩體的熱脹 冷縮不會(huì)拉動(dòng)LED芯片及金線，LED芯片可長(zhǎng)時(shí)間正常工作；LED芯片設(shè)置在豎立 的基板頂部，使得LED芯片有大角度發(fā)光效果；且可選用大功率LED芯片，通過 在基板中部穿接設(shè)置鍍銀銅棒，能有效而快速的傳熱散熱，不會(huì)因溫度升高而老 化光衰，其產(chǎn)品質(zhì)量好，使用壽命長(zhǎng)。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖2為基板與LED芯片的連接結(jié)構(gòu)示意圖中1-球體發(fā)光罩、2-LED芯片、3-金道隔離凹槽、4-圓環(huán)基座、5-基板、 6-通孔、7-軟性電路層、8-鍍銀銅棒、9-金線、10-銀膠體。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合說明書附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明
如圖所示，該LED中空封裝結(jié)構(gòu)，包括豎立設(shè)置的基板5，基板5表面設(shè)置軟 性電路層7，基板5頂部配合設(shè)置LED芯片2, LED芯片2通過金線9與軟性電路 層7電路連接，通孔6兩側(cè)的基板5頂部對(duì)稱設(shè)置金道隔離凹槽3。 LED芯片2設(shè) 置在豎立的基板5頂部，使得LED芯片2有大角度發(fā)光效果?；?上部緊配套 接設(shè)置圓環(huán)基座4，圓環(huán)基座4上部密封配合設(shè)置球體發(fā)光罩1，球體發(fā)光罩l與 LED芯片2、金線9之間具有空腔。球體發(fā)光罩1采用樹脂或硅膠制成，其壁厚為 為0. 4-0. 5咖。與LED芯片2位于同一7jC平線以上部分的球體發(fā)光罩1為半球形結(jié) 構(gòu)，其直徑為6-8mm，優(yōu)選為6ram。
當(dāng)所述的LED芯片2為大功率芯片時(shí)，所述的 5中部設(shè)置穿透的通孔6， 通孔6中穿接設(shè)置鍍銀銅棒8，鍍銀銅棒8頂部與LED芯片2底部觸接配合。所述 的鍍銀銅棒8為中部斷開的結(jié)構(gòu)，上下兩根棒體之間觸接配合，上部棒體與LED 芯片2底部觸接配合，下部棒體用于和外部結(jié)構(gòu)配合連接。所述的鍍銀銅棒8由 銅棒表面鍍銀層構(gòu)成。鍍銀銅棒8頂部與LED芯片2底部之間設(shè)置銀膠體10，銀 膠體10可導(dǎo)電導(dǎo)熱。LED芯片2功率可為lw，基板5寬度為5mm，基板5厚度為 1.5mm，通孔6直徑為0.9mm， LED芯片2為1. Omm。
基板5由鋁、銅或鋁銀銅合金材料制成。鋁的熱傳導(dǎo)系數(shù)為220W/m K，材料價(jià)格低廉,但傳熱效果不佳。銅的熱傳導(dǎo)系數(shù)為380W/m. K，價(jià)格平價(jià),適合使用。 銀的熱傳導(dǎo)系數(shù)為429 W/m. K，傳導(dǎo)能力好,但價(jià)格昂貴。采用鋁、銀、銅三種制 成合金材料，使熱傳導(dǎo)系數(shù)提升接近420W/m. K，能有效而快速的傳熱散熱，使大 功率LED可長(zhǎng)時(shí)間正常工作，不會(huì)因溫度升高而老化光衰，可延長(zhǎng)大功率LED產(chǎn) 品的壽命，且材料價(jià)格低廉，可大批量生產(chǎn)。
由于球體發(fā)光罩1與LED芯片2及金線9不直接接觸，當(dāng)外界環(huán)境Mit在零 下40度到零上110度范圍內(nèi)劇烈變化時(shí)，不僅罩體能隔離開外界空氣、濕氣，且 罩體的熱脹7令縮不會(huì)拉動(dòng)LED芯片2及金線9， LED芯片2可長(zhǎng)時(shí)間正常工作。
權(quán)利要求1、LED中空封裝結(jié)構(gòu)，包括豎立設(shè)置的基板(5)，基板(5)表面設(shè)置軟性電路層(7)，基板(5)頂部配合設(shè)置LED芯片(2)，LED芯片(2)通過金線(9)與軟性電路層(7)電路連接，其特征在于基板(5)上部緊配套接設(shè)置圓環(huán)基座(4)，圓環(huán)基座(4)上部密封配合設(shè)置球體發(fā)光罩(1)，球體發(fā)光罩(1)與LED芯片(2)、金線(9)之間具有空腔。
2、 如權(quán)利要求1所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的基板(5)中 部設(shè)置穿透的通孔(6)，通孔(6)中穿接設(shè)置鍍銀銅棒(8)，鍍銀銅棒(8)頂 部與LED芯片(2)底部觸接配合。
3、 如權(quán)利要求1所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的LED芯片(2) 大功率芯片，其功率為lw，基板(5)寬度為5mm，基板(5)厚度為1. 5ram,通孔(6)直徑為0.9咖，LED芯片(2)為1.0mm。
4、 如權(quán)利要求1所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于球體發(fā)光罩(1)采 用樹脂或硅膠制成，其壁厚為為0, 4-0. 5mm。
5、 如權(quán)利要求1所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于基板(5)由鋁、銅 或鋁銀銅合金材料制成。
6、 如權(quán)利要求1所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的鍍銀銅棒(8) 為中部斷開的結(jié)構(gòu)，上下兩根棒體之間觸接配合，上部棒體與LED芯片(2)底部 觸接配合，下部棒體用于和外部結(jié)構(gòu)配合連接。
7、 如權(quán)禾腰求1所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的鍍銀銅棒(8)由銅棒表面鍍銀層構(gòu)成。
8、 如權(quán)利要求1所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于通孔(6)兩側(cè)的基 板(5)頂部對(duì)稱設(shè)置金道隔離凹槽(3)。
9、 如權(quán)利要求1所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于鍍銀銅棒(8)頂部 與LED芯片(2)底部之間設(shè)置銀膠體(10)。
10、 如權(quán)利要求1所述的LED中空封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于與LED芯片(2)位 于同一水平線以上部分的球體發(fā)光罩(1)為半球形結(jié)構(gòu)，其直徑為6-8mm，優(yōu)選為 6mm。
專利摘要LED中空封裝結(jié)構(gòu)，屬于光電技術(shù)領(lǐng)域。包括豎立設(shè)置的基板，基板表面設(shè)置軟性電路層，基板頂部配合設(shè)置LED芯片，LED芯片通過金線與軟性電路層電路連接，其特征在于基板上部緊配套接設(shè)置圓環(huán)基座，圓環(huán)基座上部密封配合設(shè)置球體發(fā)光罩，球體發(fā)光罩與LED芯片、金線之間具有空腔。上述LED中空封裝結(jié)構(gòu)，由于球體發(fā)光罩與LED芯片及金線不直接接觸，能經(jīng)受零下40攝氏度到零上110攝氏度環(huán)境溫度劇烈變化；LED芯片設(shè)置在豎立的基板頂部，使其有大角度發(fā)光效果；且可選用大功率LED芯片，通過在基板中部穿接設(shè)置鍍銀銅棒，能有效而快速的傳熱散熱，不會(huì)因溫度升高而老化光衰，其產(chǎn)品質(zhì)量好，使用壽命長(zhǎng)。
文檔編號(hào)H01L33/00GK201417787SQ20092011993
公開日2010年3月3日 申請(qǐng)日期2009年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月18日
發(fā)明者張榮民 申請(qǐng)人:張榮民