專利名稱：單顆大功率led燈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
單顆大功率LED燈駄領(lǐng)域
本實用新型屬于光電技術(shù)領(lǐng)域，具體為單m^:功率LED燈。
背景脈
傳統(tǒng)的LED燈以鋁 作為支架，雖然生產(chǎn)成ffi低，但鋁 僅能使用于0. 25瓦功率以下的LED產(chǎn)品，所發(fā)出光亮度等級只會繼到300-500mcd， 一直停留在低層級小范圍發(fā)光產(chǎn)品的應(yīng)用，應(yīng)用范圍受局限；且熱傳導(dǎo)系數(shù)小，散熱速度漫，影響產(chǎn)品的IOT壽命。

實用新型內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的Jtii問題，本實用新型的目的在于設(shè)計提供一種散熱速度快的單顆大功率LED燈的技術(shù)方案，其發(fā)光亮度大，可長時間正常工作，{，壽命長。
所述的單顆大功率LED燈，包括豎立設(shè)置的 , 表面設(shè)置軟性電路層，基板頂部配合設(shè)置大功率LED芯片，大功率LED芯片通過金線與軟性電路層電路連接，其特征在于繊中部設(shè)置穿透的通孔，通孔中穿接設(shè)置鍍銀銅棒，鍍銀銅棒頂部與大功率LED芯片底部觸接配合， 外部配合設(shè)置燈罩套，燈罩套與 之間的空腔中填充樹酯體封裝配合。
戶脫的單顆大功率LED燈，其特征在于戶脫大功率LED芯片的功率為lw。
戶皿的單顆大功率LED燈，其特征在于所述的鍍銀銅棒為中部斷幵的結(jié)構(gòu)，上下兩根棒體之間觸接配合，上部的棒體與大功率LED芯片底部觸接配合，下部的棒體用于和外部的連接板配M接。
戶腿的單顆大功率LED燈，其特征在于燈罩套的直徑為6咖，翻寬度為5imi，繊厚度為1.5mm，通孔直徑為0.9ram，大功率LED芯片為1. O,。銅棒表面鍍銀層構(gòu)成。 所述的單顆大功率LED燈,其特征在于通孔兩側(cè)的繊頂部)^爾設(shè)置金道隔離凹
戶脫的單顆大功率LED燈，其特征在于鍍銀銅棒頂部與大功率LED芯片底部之間 設(shè)置銀膠體。
戶脫的單顆大功率LED燈，其特征在于鎌由鋁、銅或鋁銀銅合金材料制成。
上述單顆大功率LED燈，通過在繊中部的通孔中穿接設(shè)置鍍銀銅棒，鍍銀銅棒 頂部與大功率LED芯片底部觸接配合，使熱傳導(dǎo)系數(shù)大幅提升，能有效而快速的傳熱 散熱，使大功率LED可長時間正常工作，不會因，升高而老化光衰，延長了產(chǎn)品的使 用壽命；并在 外部配合設(shè)置燈罩套，燈罩套與mt間的空腔中i真充樹酯體烤硬 制成6mm的LED燈，大功率LED芯片選用lw等大功率芯片，其發(fā)光亮度大可達(dá)到70 流明/瓦，大幅度的提升產(chǎn)品的亮度，有效發(fā)光面積大，適用于制作高亮度、高清畫面 的特大尺寸LED屏幕產(chǎn)品，其顯示效果好，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定、可靠。如果采用鋁銀銅合 金材料制成繊，貝賺再提升散熱速度，進(jìn)一步保障了產(chǎn)品質(zhì)量。


圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖2為本實用新型側(cè)向剖視結(jié)構(gòu)示意圖3為 與LED芯片連接結(jié)構(gòu)示意圖中1-燈罩套、2-繊、3-樹酯體、4-大功率LED芯片、5-金道隔離凹槽、 6-通孔、7-軟性電路層、8-鍍銀銅棒、9-M、 10-銀膠體。
具體實 式 以下結(jié)合說明書附圖對本實用新型作進(jìn)一步說明
如圖所示，該單顆大功率LED燈，包括豎立設(shè)置的 2， 2表面設(shè)置軟性 電路層7，基板2頂部配合設(shè)置大功率LED芯片4，大功率LED芯片4通過金線9與軟性電路層7電路連接。LED芯片4設(shè)置在豎立的繊2頂部，使得LED芯片4有大 角度發(fā)光效果。所述大功率LED芯片4的功率為lw。
基板2中部設(shè)置穿透的通孔6，通孔6中穿接設(shè)置鍍銀銅棒8，鍍銀銅棒8頂部 與大功率LED芯片4底部觸接配合，基板2外部配合設(shè)置燈罩套1 ，燈罩套1與 2之間的空腔中填充樹酯體3封裝配合。通孔6兩側(cè)的基板2頂部對稱設(shè)置金道隔離 凹槽5。燈罩套1的直徑為6咖，基板2寬度為5mm，基板2厚度為1. 5咖，通孔6 直徑為0. 9mm,大功率LED芯片4為1. 0ram。所述的鍍銀銅棒8為中部斷開的結(jié)構(gòu)， 上下兩根棒體之間觸接配合，上部的棒體與大功率LED芯片4底部觸接配合，下部的 棒體用于和外部的連接板配鏈接。戶腐的鍍銀銅棒8由銅棒表面鍍銀層構(gòu)成。鍍銀 銅棒8頂部與大功率LED芯片4底部之間，銀膠體10。
基板2由鋁、銅或鋁銀銅合金材料制成。鋁的熱傳導(dǎo)系數(shù)為220W/m K，材料價 格低廉，但傳熱效果不佳。銅的熱傳導(dǎo)系數(shù)為380W/m. K,價格平價，適合{柳。銀的 熱傳導(dǎo)系數(shù)為429 W/m. K，熱傳導(dǎo)能力最好，但價格昂貴。采用鋁、銀、銅三種帝喊 合金材料，使熱傳導(dǎo)系數(shù)提升接近420W/m.K,能有效而快速的傳熱散熱，使大功率 LED可長時間正常工作，不會因溫度升高而老化光衰，可延長大功率LED產(chǎn)品的壽命, 且材料價格低氟可大批量生產(chǎn)。
鍍銀銅棒8頂部與大功率LED芯片4底部觸接配合，使熱傳導(dǎo)系數(shù)提升接近420 W/kK，會g有效而快速的傳熱散熱，延長了產(chǎn)品的4頓壽命；如果采用鋁銀銅合金材料 制成基板2，再結(jié)合基板2中部穿接設(shè)置的鍍銀銅棒8，貝伏功率LED芯片4的散熱
速度更決，主要是形成了中央部位的熱量快速傳導(dǎo)通道，進(jìn)一步保障了產(chǎn)品質(zhì)量。該 單顆大功率LED燈，可通過PCB的AI自動插板波峰焊，適用于制作高亮度、高清畫 面的特大尺寸LED屏幕產(chǎn)品，其顯示效果好，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定、可靠。
權(quán)利要求1、單顆大功率LED燈，包括豎立設(shè)置的基板(2)，基板(2)表面設(shè)置軟性電路層(7)，基板(2)頂部配合設(shè)置大功率LED芯片(4)，大功率LED芯片(4)通過金線(9)與軟性電路層(7)電路連接，其特征在于基板(2)中部設(shè)置穿透的通孔(6)，通孔(6)中穿接設(shè)置鍍銀銅棒(8)，鍍銀銅棒(8)頂部與大功率LED芯片(4)底部觸接配合，基板(2)外部配合設(shè)置燈罩套(1)，燈罩套(1)與基板(2)之間的空腔中填充樹酯體(3)封裝配合。
2、 如權(quán)禾腰求1戶服的單顆大功率LED燈，其特征在于戶腿大功率LED芯片(4)的功率為lw。
3、 如權(quán)利要求1所述的單顆大功率LED燈，其特征在于所述的鍍銀銅棒(8)為中部斷開的結(jié)構(gòu)，上下兩根棒體之間觸接配合，上部的棒體與大功率LED芯片(4)底部觸接配合，下部的棒體用于和外部的連接板配^i接。
4、 如權(quán)利要求1所述的單顆大功率LED燈，其特征在于燈罩套(1)的直徑為6mm,基板(2)寬度為5咖，基板(2)厚度為1. 5mm，通孔(6)直徑為0. 9mm，大功率LED芯片(4)為l.Omm。
5、 如權(quán)利要求1戶脫的單顆大功率LED燈，其特征在于戶脫的鍍銀銅棒(8)由銅棒表面鍍銀層構(gòu)成。
6、 如權(quán)利要求1所述的單顆大功率LED燈，其特征在于通 L (6)兩側(cè)的繊(2)頂部娥爾設(shè)置金道隔離凹槽(5)。
7、 如權(quán)利要求1戶脫的單顆大功率LED燈，其特征在于鍍銀銅棒(8)頂部與大功率LED芯片(4)底部之間設(shè)置銀膠體(10)。
8、 如權(quán)利要求1所述的單顆大功率LED燈，其,征在于繊(2)由鋁、銅或鋁銀銅合金材料制成。
專利摘要單顆大功率LED燈，屬于光電技術(shù)領(lǐng)域。豎立設(shè)置的基板表面設(shè)置軟性電路層，基板頂部配合設(shè)置大功率LED芯片，大功率LED芯片通過金線與軟性電路層電路連接，基板中部設(shè)置穿透的通孔，通孔中穿接設(shè)置鍍銀銅棒，鍍銀銅棒頂部與大功率LED芯片底部觸接配合，基板外部配合設(shè)置燈罩套，燈罩套與基板之間的空腔中填充樹酯體封裝配合。上述單顆大功率LED燈，能有效而快速的傳熱散熱，使大功率LED可長時間正常工作，不會因溫度升高而老化光衰，延長了產(chǎn)品的使用壽命；并在基板外部配合設(shè)置燈罩套制成6mm的LED燈，有效發(fā)光面積大，適用于制作高亮度、高清畫面的特大尺寸LED屏幕產(chǎn)品，其顯示效果好，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定、可靠。
文檔編號H01L33/64GK201416774SQ20092011993
公開日2010年3月3日 申請日期2009年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月18日
發(fā)明者張榮民 申請人:張榮民