專利名稱：高精密金屬箔電阻器芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
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本實(shí)用新型涉及一種高精密金屬箔電阻器芯片，特別是用于高精密儀器儀 表中的金屬箔電阻器芯片。
技術(shù)背景-
目前，公知的金屬箔電阻器芯片在精密型儀器儀表及醫(yī)療設(shè)備中得到廣泛 的應(yīng)用，隨著儀器儀表測試精度的提高，對金屬箔電阻器的性能要求越來越高， 高精密金屬箔電阻器成為開發(fā)重點(diǎn)，在高精密金屬箔電阻器的設(shè)計生產(chǎn)中，芯 片成為設(shè)計開發(fā)的核心技術(shù)；其缺陷是電阻阻值低和精度低與性能指標(biāo)低。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的，是提供一種高精密金屬箔電阻器芯片，它是采用計算 機(jī)軟件設(shè)計離子束刻蝕加工方法電阻芯片，提高電阻阻值和精度與性能指標(biāo)， 解決電阻阻值低和精度低與性能指標(biāo)低的目的。
本實(shí)用新型高精密金屬箔電阻器芯片采取以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的，它是由 電阻芯片和調(diào)整點(diǎn)與電阻柵條及焊接點(diǎn)構(gòu)成，電阻芯片上的兩側(cè)設(shè)置調(diào)整點(diǎn)與 電阻柵條，在電阻柵條上連接粗中細(xì)多個調(diào)整點(diǎn)，調(diào)整電阻值的精度，調(diào)整點(diǎn) 采用電阻串并聯(lián)連接，切斷其中一條并聯(lián)電阻柵條時，使電阻值增加，控制電 阻值的精度，電阻柵條采用曲折迂回線條連接方式，增大電阻芯片的阻值，電 阻芯片的兩角設(shè)置焊接點(diǎn)，焊接點(diǎn)分別與電阻柵條的始點(diǎn)和終點(diǎn)相連接，引出 外電極引線與儀器儀表連接。在兩個焊接點(diǎn)之間設(shè)有版號，根據(jù)需要設(shè)置版號 和電阻柵條，以最大限度提高電阻值。
本實(shí)用新型高精密金屬箔電阻器芯片的效果是結(jié)構(gòu)簡單，占用面積小，電 阻器小型化，調(diào)整點(diǎn)設(shè)置在兩側(cè)，便于阻值調(diào)整，采用迂回柵條擴(kuò)大阻值，初 阻值可達(dá)130kQ，調(diào)整組精細(xì)，精度可達(dá)±0.005%水平，廣泛用于高精密儀器 儀表中的金屬箔電阻器芯片。


本實(shí)用新型高精密金屬箔電阻器芯片將結(jié)合附圖作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
附圖是本實(shí)用新型高精密金屬箔電阻器芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
1——電阻芯片2——電阻柵條3——調(diào)整點(diǎn)4——焊接點(diǎn)5——外電
極引線
具體實(shí)施方式
參照附圖，本實(shí)用新型高精密金屬箔電阻器芯片，它是由電阻芯片1和調(diào)
整點(diǎn)3與電阻柵條2及焊接點(diǎn)4構(gòu)成，電阻芯片1上的兩側(cè)設(shè)置調(diào)整點(diǎn)3與電 阻柵條2，在電阻柵條2上連接粗中細(xì)多個調(diào)整點(diǎn)3，調(diào)整電阻值的精度，調(diào)整 點(diǎn)3采用電阻串并聯(lián)連接，切斷其中一條并聯(lián)電阻柵條2時，使電阻值增加， 控制電阻值的精度，電阻柵條2采用曲折迂回線條連接方式，增大電阻芯片1 的阻值，電阻芯片1的兩角設(shè)置焊接點(diǎn)4，焊接點(diǎn)4分別與電阻柵條2的始點(diǎn)和 終點(diǎn)相連接，引出外電極引線5與儀器儀表連接。在兩個焊接點(diǎn)4之間設(shè)有版 號，根據(jù)需要設(shè)置版號和電阻柵條2，以最大限度提高電阻值。
本實(shí)用新型高精密金屬箔電阻器芯片的實(shí)施例，它是由電阻芯片和調(diào)整 點(diǎn)3與電阻柵條2及焊接點(diǎn)4構(gòu)成，電阻芯片1上的兩側(cè)設(shè)置調(diào)整點(diǎn)3與電阻 柵條2,在電阻柵條2上連接粗中細(xì)多個調(diào)整點(diǎn)3，調(diào)整電阻值的精度，調(diào)整點(diǎn) 3采用電阻串并聯(lián)連接，切斷其中一條并聯(lián)電阻柵條2時，使電阻值增加，控制 電阻值的精度，電阻柵條2采用曲折迂回線條連接方式，增大電阻芯片1的阻 值，電阻芯片1的兩角設(shè)置焊接點(diǎn)4，焊接點(diǎn)4分別與電阻柵條2的始點(diǎn)和終點(diǎn) 相連接，引出外電極引線5與儀器儀表連接。在兩個焊接點(diǎn)4之間設(shè)有版號， 根據(jù)需要設(shè)置版號和電阻柵條2，以最大限度提高電阻值。
權(quán)利要求1、一種高精密金屬箔電阻器芯片，它是由電阻芯片(1)和調(diào)整點(diǎn)(3)與電阻柵條(2)及焊接點(diǎn)(4)構(gòu)成，其特征是電阻芯片(1)上的兩側(cè)設(shè)置調(diào)整點(diǎn)(3)與電阻柵條(2)，在電阻柵條(2)上連接粗中細(xì)多個調(diào)整點(diǎn)(3)，調(diào)整電阻值的精度，調(diào)整點(diǎn)(3)采用電阻串并聯(lián)連接，電阻柵條(2)采用曲折迂回線條連接方式，電阻芯片(1)的兩角設(shè)置焊接點(diǎn)(4)，焊接點(diǎn)(4)分別與電阻柵條(2)的始點(diǎn)和終點(diǎn)相連接，引出外電極引線(5)與儀器儀表連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種高精密金屬箔電阻器芯片，特別是用于高精密儀器儀表中的金屬箔電阻器芯片。它是由電阻芯片上的兩側(cè)設(shè)置調(diào)整點(diǎn)與電阻柵條，在電阻柵條上連接粗中細(xì)多個調(diào)整點(diǎn)，調(diào)整電阻值的精度，調(diào)整點(diǎn)采用電阻串并聯(lián)連接，控制電阻值的精度，電阻柵條采用曲折迂回線條連接方式，電阻芯片的兩角設(shè)置焊接點(diǎn)，焊接點(diǎn)分別與電阻柵條的始點(diǎn)和終點(diǎn)相連接，引出外電極引線與儀器儀表連接，在兩個焊接點(diǎn)之間設(shè)有版號。效果是結(jié)構(gòu)簡單，占用面積小，電阻器小型化，調(diào)整點(diǎn)設(shè)置在兩側(cè)，便于阻值調(diào)整，采用迂回柵條擴(kuò)大阻值，初阻值可達(dá)130kΩ，調(diào)整組精細(xì)，精度可達(dá)±0.005％水平，廣泛用于高精密儀器儀表中的金屬箔電阻器芯片。
文檔編號H01C3/00GK201430037SQ20092002822
公開日2010年3月24日 申請日期2009年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月22日
發(fā)明者李本善, 王海青 申請人:濟(jì)寧正和電子有限責(zé)任公司