專利名稱：基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種例如半導(dǎo)體晶圓、液晶顯示器用的玻璃基板(FPD基板)這樣的基 板的處理裝置。
背景技術(shù)：
作為半導(dǎo)體器件、FPD基板的制造工藝之一的在基板上形成抗蝕劑圖案的工序，利 用通過在基板例如半導(dǎo)體晶圓(以下稱作晶圓)上形成抗蝕劑膜、使用光掩模將該抗蝕劑 膜曝光之后進(jìn)行顯影處理而獲得期望圖案的一連串工序來進(jìn)行，這些一連串工序以往利用 涂敷、顯影裝置來進(jìn)行。例如，利用該顯影裝置完成顯影處理后的晶圓進(jìn)行后烘烤(post baking)的加熱 處理，通過顯影形成抗蝕劑圖案之后，通過使殘留在抗蝕劑膜中或者表面上的顯影液、沖洗 液蒸發(fā)而將其除去。這是用于使抗蝕劑固化并強(qiáng)化其與晶圓的緊貼性的熱處理。例如以 130°C 200°C的溫度進(jìn)行。該后烘烤處理結(jié)束，晶圓會(huì)返回到盒站的盒(FOUP)中，將高溫處理后的晶圓自加 熱處理裝置取出而在溫度較高的狀態(tài)下容納于盒(FOUP)中。于是，存在盒(FOUP)蓄熱的 問題、因晶圓的溫度下降不均勻而導(dǎo)致晶圓翹曲的情況。為了解決上述問題，以往，在盒站與處理站之間設(shè)置也用于晶圓交接的冷卻載置 臺(tái)(TCP)，該冷卻載置臺(tái)構(gòu)成為能利用汽缸等的驅(qū)動(dòng)使用于保持基板的能突出、沒入的多個(gè) 支承銷上下運(yùn)動(dòng)。該冷卻載置臺(tái)在其內(nèi)部通入有冷卻水，是能夠?qū)⑤d置的基板冷卻至規(guī)定 的溫度的構(gòu)造(例如參照專利文獻(xiàn)1)。采用專利文獻(xiàn)1所述的技術(shù)，通過在使后烘烤處理后的高溫的晶圓從處理站返回 到載體站時(shí)使其通過該交接冷卻載置臺(tái)，能夠?qū)⒕A降低溫度后容納于盒中。另外，在專利文獻(xiàn)1所述的內(nèi)容中存在這樣的情況，即，在對(duì)晶圓進(jìn)行抗蝕液的涂 敷處理之后，利用曝光機(jī)對(duì)電路圖案進(jìn)行曝光處理，然后在接口部接收晶圓，在交接到處理 站后進(jìn)行加熱處理的晶圓流動(dòng)時(shí)，將設(shè)置于沿縱向排列的處理裝置群G4上的冷卻裝置用 作交接臺(tái)。在這種情況下，能夠在將通過的晶圓溫度調(diào)整為無偏差的狀態(tài)之后，供接下來的 處理部進(jìn)行處理。專利文獻(xiàn)1 日本特開平11-54428號(hào)公報(bào)(第0027段，圖1、圖3 圖7)；但是，最近的高生產(chǎn)率的涂敷、顯影裝置尋求應(yīng)對(duì)處理單元的處理高效率化、并且 輸送裝置的處理速度也變快的、應(yīng)對(duì)高生產(chǎn)率的曝光機(jī)，例如每1小時(shí)的處理能力為180 張 250張等能夠進(jìn)行高速處理的系統(tǒng)。因此，努力地極力減少無用的時(shí)間。其中，在專利文獻(xiàn)1所述的交接冷卻處理裝置的構(gòu)造中，采取由輸送裝置的臂將 晶圓交接到冷卻載置臺(tái)上時(shí)，在暫時(shí)使3個(gè)支承銷保持晶圓之后使其下降而將晶圓冷卻的 方法。另外，接收晶圓側(cè)的輸送裝置的臂也構(gòu)成為，在利用支承銷使冷卻后的晶圓上升待機(jī) 的時(shí)機(jī)接收晶圓。因此，為了提高生產(chǎn)率，為了以專利文獻(xiàn)1所述的構(gòu)造進(jìn)行應(yīng)對(duì)，需要增加搭載的數(shù)量，需要確保搭載空間、重新研究冷卻水供給、重新研究輸送裝置的移動(dòng)軸等進(jìn)行多種研究和應(yīng)對(duì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明即是在這樣的狀況下做成的，其目的在于提供一種在高生產(chǎn)率的系統(tǒng)中削減無用的時(shí)間、具有交接基板的功能且迅速地將高溫的基板降溫調(diào)節(jié)至規(guī)定溫度的基板處
理裝置。為了解決上述問題，本發(fā)明的基板處理裝置包括用于對(duì)基板進(jìn)行加熱處理的加熱處理部、自加熱處理部接收由上述加熱處理部加熱處理后的基板并將其載置于交接部的 第1基板輸送部件、具有自上述交接部接收被載置于該交接部的基板并將其輸送的板狀的 基板保持部的第2基板輸送部件，其特征在于，上述交接部包括載置臺(tái)，其具有載置基板 的冷卻面；溫度調(diào)節(jié)流路，其設(shè)置在上述載置臺(tái)的內(nèi)部，流通有用于將該載置臺(tái)冷卻至比上 述加熱處理溫度低的溫度的溫度調(diào)節(jié)水；凹部，其設(shè)置于上述載置臺(tái)的冷卻面上，并且是比 上述第2基板輸送部件的基板保持部的平面形狀稍大一些的相似形狀，而且能夠使上述基 板保持部的保持平面相對(duì)于上述冷卻面突出、沒入(技術(shù)方案1)。通過這樣地構(gòu)成，在基板輸送部件與基板交接部之間的基板的交接控制中，即使 不進(jìn)行以往所使用的將基板交接到基板支承銷的動(dòng)作，也能夠?qū)⒒逯苯虞d置于載置臺(tái)的 冷卻面上，因此，能夠縮短加熱處理后的基板的冷卻時(shí)間。在本發(fā)明中還優(yōu)選為，通過使被上述第2基板輸送部件保持的基板在上述凹部的 上方移動(dòng)下降到與上述基板保持部大致一致的規(guī)定位置，而使上述載置臺(tái)能夠接收基板 (技術(shù)方案2)。通過這樣地構(gòu)成，不利用以往方式的支承銷交接晶圓而能夠直接交接。在本發(fā)明中還優(yōu)選為，上述第2基板輸送部件進(jìn)行移動(dòng)，使得上述基板保持部進(jìn) 入到載置于上述載置臺(tái)上的基板背面與上述凹部之間，通過使上述基板保持部上升而接收 上述基板(技術(shù)方案3)。通過這樣地構(gòu)成，在上述載置臺(tái)的具有凹部的冷卻面上載置基板。上述第2基板 輸送部件的基板保持部進(jìn)入至第2基板輸送部件的基板保持部不與凹部的冷卻面相接觸 地可接收基板的位置，使該第2基板輸送部件的基板保持部自該狀態(tài)上升而接收基板，因 此，能夠迅速地接收基板。在本發(fā)明中還優(yōu)選為，上述第1基板輸送部件具有多個(gè)基板支承部，該多個(gè)基板 支承部用于支承基板的周緣并保持該基板，上述載置臺(tái)在該載置臺(tái)的周緣部具有供上述基 板支承部能夠沿上下方向通過的缺口部(技術(shù)方案4)。通過這樣地構(gòu)成，在第1基板輸送部件接收工藝處理后的基板之后將基板載置于 載置臺(tái)上時(shí)也可以不使用基板支承銷，能夠謀求縮短交接時(shí)間。在本發(fā)明中還優(yōu)選為，上述載置臺(tái)做成具有在載置有基板時(shí)用于吸引基板的吸引 孔的構(gòu)造(技術(shù)方案5)。通過這樣地構(gòu)成，通過吸引基板而使其與冷卻面緊貼，能夠在短時(shí)間內(nèi)完成冷卻 處理自身。在本發(fā)明中還優(yōu)選為，上述載置臺(tái)在內(nèi)部設(shè)有供氣體流通的氣體流路，并且，在上述凹部的壁面上包括與上述氣體流路連通、排出用于將載置的基板冷卻的氣體的多個(gè)氣體排出孔，上述氣體流路沿著上述凹部的壁面設(shè)置(技術(shù)方案6)。通過這樣地構(gòu)成，在將基板載置于載置臺(tái)上時(shí)，為了不延長基板的溫度調(diào)節(jié)時(shí)間而通過凹部的開口流入利用溫度調(diào)節(jié)水的流路溫度調(diào)節(jié)后的氣體，從而使基板成為與進(jìn)行 溫度調(diào)節(jié)的溫度相同的溫度，因此，能夠向基板所不接觸的凹部積極地噴出冷空氣而將其冷卻。在本發(fā)明中還優(yōu)選為，上述溫度調(diào)節(jié)流路與上述氣體流路相鄰地設(shè)置，在上述氣體流路中流通的氣體利用在上述溫度調(diào)節(jié)流路中流通的溫度調(diào)節(jié)水來調(diào)節(jié)溫度(技術(shù)方 案7)。通過這樣地構(gòu)成，溫度調(diào)節(jié)流體的溫度能被高效率地傳導(dǎo)至氣體側(cè)。在本發(fā)明中還優(yōu)選為，在自上述氣體排出孔排出氣體時(shí)，在吸引著上述基板的狀態(tài)下排出氣體(技術(shù)方案8)。通過這樣地構(gòu)成，在吸附基板時(shí)，能夠提升冷卻的氣體的流量，因此，能夠縮短冷卻時(shí)間和抑制冷卻不均。此外，在本發(fā)明中，上述加熱處理裝置能夠應(yīng)用于顯影處理后的加熱處理或者膜形成涂敷處理后的加熱處理(技術(shù)方案9)。通過這樣地構(gòu)成，為了在顯影處理后的加熱處理過程中使基板表面的水分散發(fā)、使形成圖案進(jìn)一步固化而大多溫度較高，通過在短時(shí)間內(nèi)急速地降低使基板返回到基板容 納部的溫度，能夠提高整體的生產(chǎn)率。在本發(fā)明中，雖然是兩個(gè)不同形狀的基板輸送部件的基板保持部件，但也不需要在交接到交接部時(shí)利用以往在從輸送部件交接到冷卻板的過程中使用的基板支承銷進(jìn)行冷卻處理前的臨時(shí)的基板載置動(dòng)作，因此，能謀求提高生產(chǎn)率。另外，冷卻面能夠利用吸引 部件吸引基板而縮短冷卻時(shí)間。由此，能夠提高裝置系統(tǒng)的生產(chǎn)率。


圖1是表示本發(fā)明的基板處理裝置的主要部分的概略立體圖。圖2(a)是表示本發(fā)明的基板處理裝置的主要部分的俯視圖。圖2(b)是沿著圖2(a)的I-I線的剖視圖。圖2(c)是沿著圖2(a)的II-II線的剖視圖。圖3是設(shè)置于基板處理裝置上的冷卻板的構(gòu)造圖。圖4是表示載體站的基板輸送裝置的立體圖。圖5是交接臂的鑷子狀構(gòu)件的構(gòu)造圖。圖6是表示應(yīng)用本發(fā)明的冷卻板的實(shí)施方式的圖。圖7是表示應(yīng)用了上述涂敷單元的涂敷顯影裝置的實(shí)施方式的俯視圖。圖8是上述涂敷、顯影裝置的立體圖。圖9是上述涂敷、顯影裝置的縱剖視圖。
具體實(shí)施例方式下面，根據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施方式。在此，對(duì)將本發(fā)明的基板處理裝置應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓的涂敷顯影裝置的情況進(jìn)行說明。涂敷顯影裝置設(shè)有載體組件Si，作為第2基板輸送部件的交接臂C自載置在載體組件Sl的載置臺(tái)80a上的密閉型的基板容納容器、即載體80中取出晶圓W而將其交接到 處理組件S2，交接臂C自處理組件S2接收處理完畢的晶圓W而使其返回到載體70中。如圖8所示，在該例子中，上述處理組件S2自下側(cè)起依次層疊用于進(jìn)行顯影處理的第1組件(DEV層)Bi、用于對(duì)形成于抗蝕劑膜下層側(cè)的防止反射膜進(jìn)行形成處理的第2 組件(BCT層)B2、用于涂敷抗蝕劑膜的第3組件(COT層)B3、用于在抗蝕劑膜的上層側(cè)形 成防止反射膜的第4組件(TCT層)B4。第2組件(BCT層)B2和第4組件(TCT層)B4分別由通過旋轉(zhuǎn)涂敷來涂敷用于形成防止反射膜的藥液的本方式的涂敷單元1、用于進(jìn)行在該涂敷單元1進(jìn)行的處理的前處 理及后處理的加熱冷卻系統(tǒng)的處理單元組和設(shè)置在上述涂敷單元1與處理單元組之間且 在它們之間交接晶圓W的輸送臂A2、A4構(gòu)成。第3組件(COT層)B3除了上述藥液為抗蝕 液之外其余是與第2組件(BCT層)B2和第4組件(TCT層)B4相同的構(gòu)造。另一方面，第1組件(DEV層)Bl如圖9所示地在一個(gè)DEV層Bl內(nèi)層疊兩層顯影單元。而且，在DEV層Bl內(nèi)，在這兩層顯影單元中設(shè)有用于輸送晶圓W的作為第1輸送部 件的輸送臂Al。即，兩層顯影單元共用輸送臂Al。在處理組件S2中，如圖7及圖9所示地還設(shè)有貨架單元TO，來自載體組件Sl的晶圓W被交接臂C交接到上述貨架單元U5的一個(gè)交接單元TRSl (過渡載物臺(tái))，被設(shè)置在上 述貨架單元U5附近的升降自由的交接臂Dl依次輸送到第2組件(BCT層)B2所對(duì)應(yīng)的冷 卻處理單元CPL2 (冷卻板)。第2組件(BCT層)B2內(nèi)的輸送臂A2自該冷卻處理單元CPL2 接收晶圓W而將其輸送到各單元(防止反射膜單元及加熱冷卻系統(tǒng)的處理單元組)，經(jīng)由這 些單元在晶圓W上形成防止反射膜。之后，晶圓W經(jīng)由貨架單元U5的交接待機(jī)單元BF2、交接臂D1、貨架單元U5的冷 卻處理單元CPL3(冷卻板)及輸送臂A3而被搬入到第3組件(COT層)B3，形成抗蝕劑膜。 并且，晶圓W經(jīng)過輸送臂A3 —貨架單元U5的交接冷卻待機(jī)單元BF3 —交接臂Dl而被交接 到貨架單元TO中的交接冷卻單元CPLll (冷卻板)。接著，為了將晶圓W交接到與曝光機(jī)之 間進(jìn)行基板交接的接口臂B上，利用梭式臂E交接交接冷卻單元CPLll的晶圓W，該梭式臂 E是用于將晶圓W直接輸送到貨架單元U5和貨架單元U6的交接冷卻單元CPL2 (冷卻板) 的專用輸送部件。另外，形成有抗蝕劑膜的晶圓W也有可能在第4組件(TCT層)B4中還形成防止反 射膜。在這種情況下，晶圓W經(jīng)由冷卻處理單元CPL5(冷卻板)而被交接到輸送臂A4，在形 成防止反射膜之后被輸送臂A4交接到交接單元TRS4，然后被交接到交接冷卻單元CPLl 1。 帶有交接待機(jī)單元BF的交接單元兼作能夠載置多張晶圓W的緩沖單元。接著，被直接輸送到貨架單元TO的交接冷卻單元CPL12中的晶圓W進(jìn)入到接口組 件S3而被交接到曝光處理裝置。晶圓W被與第1輸送裝置相同構(gòu)造的輸送裝置、即接口 臂B輸送到曝光裝置S4，在此進(jìn)行規(guī)定的曝光處理之后，被載置于貨架單元TO的交接單元 TRS6(過渡載物臺(tái))而返回到處理組件S2。返回的晶圓W在第1組件(DEV層)Bl中例如 以110°C進(jìn)行顯影前的加熱處理(曝光后烘烤，PostExposureBaking)的處理之后進(jìn)行顯影 處理，例如以160°C進(jìn)行顯影后的加熱處理(后烘烤)之后，被輸送臂Al交接到能夠與設(shè)置于貨架單元TO上的不同種類的輸送部件進(jìn)行交接的構(gòu)造的冷卻處理裝置、即TCPl(過渡激 冷板)，而將晶圓W容納于載體上。在進(jìn)行降溫至不會(huì)產(chǎn)生問題的溫度、例如30度以下的冷 卻處理之后，交接臂C接收晶圓W。之后，晶圓W利用交接臂C返回到載體80。另外，在圖 7中，附圖標(biāo)記Ul U4分別是層疊了加熱部和冷卻部的加熱處理裝置的單元組。接著，參照?qǐng)D1 圖3說明將本發(fā)明的基板處理裝置應(yīng)用于涂敷顯影裝置的實(shí)施方式。首先，說明實(shí)施方式的基板冷卻處理裝置的概略構(gòu)造。圖1是基板處理裝置的概略 立體圖，圖2(a)是設(shè)置于貨架單元TO上的基板處理裝置的概略俯視圖，圖2(b)、圖2(c)是 沿著I-I的剖視圖、沿著II-II的剖視圖。圖3是對(duì)基板處理裝置的載置晶圓W并對(duì)其進(jìn) 行冷卻處理的冷卻板11進(jìn)行詳細(xì)說明的構(gòu)造圖。如圖2(a)所示，作為本實(shí)施方式的基板處理裝置的TCPl以固定于底板10上的狀態(tài)分層次地設(shè)于貨架單元TO上，該底板10用于水平載置作為載置臺(tái)的冷卻板11。該冷卻 板11例如由厚度為15mm的不銹鋼、鋁等導(dǎo)熱材料制作。在該冷卻板11上，在用于載置晶 圓W的冷卻面lib上具有在作為剖視圖的圖2 (b)、圖2 (c)中看到的深度為例如7mm的凹部 11a，在該冷卻板11的內(nèi)部還設(shè)有供溫度調(diào)節(jié)液流通的溫度調(diào)節(jié)流路16、氣體流路15，設(shè)有 在載置有晶圓W時(shí)用于將其吸引于冷卻板11上的吸引流路17。在冷卻板11的載置側(cè)表面(冷卻面lib)上設(shè)有多個(gè)間隙隔離件18、與吸引流路 17相連接的多個(gè)吸引孔19和與氣體流路15相連接的多個(gè)氣體排出孔20，該多個(gè)間隙隔離 件18用于使冷卻板11與晶圓W之間保持微小的間隙、例如100 μ m。在冷卻板周緣的例如 4處還設(shè)有缺口部13。利用該缺口部13，在作為輸送臂Al的交接部件的基板保持部13a 的基板支承部13b使基板保持部13a沿上下方向移動(dòng)時(shí)，不會(huì)與冷卻板11相干涉而能夠貫
ο上述載置臺(tái)在內(nèi)部設(shè)有供氣體流通的氣體流路15，并且，在上述凹部Ila的壁面 上具有與上述氣體流路15相連通、排出用于將載置的基板冷卻的氣體的多個(gè)氣體排出孔 20 ；上述氣體流路15沿著上述凹部Ila的壁面設(shè)置。在冷卻板11與底板10之間插入有用于將冷卻板11維持得高一層的、由例如40mm 左右的絕熱材料形成的板支架14。該板支架14只要是下述高度即可為了使輸送臂Al將 晶圓W交接到冷卻板11上而使輸送臂Al從冷卻板11的表面下降到背面?zhèn)?，在完成晶圓W 的交接之后，能夠使基板保持部13a不與冷卻板11的背面和底板10接觸地將基板保持部 13a拉回到原始位置。在板支架14上還分別設(shè)有使設(shè)置于冷卻板11上的各種流路(氣體 流路15、溫度調(diào)節(jié)流路16、吸引流路17)與配管相連接的連接口、即溫度調(diào)節(jié)流體的導(dǎo)入排 出配管口 12、氣體導(dǎo)入配管口 12a和吸引配管口 12b。該各個(gè)配管口 12、12a、12b與未圖示 的溫度調(diào)節(jié)流體循環(huán)線和工廠用側(cè)供給系統(tǒng)管線相連接。接著，根據(jù)圖4、圖5中交接臂C的說明及圖6，對(duì)利用本發(fā)明的基板處理裝置中的 不同的基板輸送裝置交接晶圓W進(jìn)行說明。在圖4中，在設(shè)于載體組件Sl中的作為基板輸 送裝置的輸送基臺(tái)29上具有X軸基座32，該X軸基座32上設(shè)有沿X方向進(jìn)退自由的作為 基板保持部的大致Y字狀的鑷子狀構(gòu)件34，該輸送基臺(tái)29構(gòu)成為能利用旋轉(zhuǎn)軸部33沿水 平方向自由旋轉(zhuǎn)，并且，該輸送基臺(tái)29與Z軸基座30相連接而能夠沿上下方向升降，能利 用沿橫向移動(dòng)的Y軸基座31沿橫向自由移動(dòng)，上述鑷子狀除了大致Y字狀之外，還包括2 根板狀叉形。本發(fā)明的接收晶圓W是使鑷子狀構(gòu)件34相對(duì)于冷卻板11進(jìn)退來進(jìn)行的。圖5 (a)表示在鑷子狀構(gòu)件34上保持有晶圓W的狀態(tài)，晶圓W被載置保持在設(shè)于鑷子狀構(gòu)件34基端部的平面圓弧狀的基板載置部35與設(shè)置在鑷子狀構(gòu)件34前端部的基板載置片35a 之間。另外，圖5(b)是沿著圖5(a)的III-III線的剖視圖。接著，參照?qǐng)D6表示晶圓W經(jīng)由冷卻板11而被交接到不同的輸送裝置的狀態(tài)，并 詳細(xì)說明冷卻處理的狀態(tài)。首先，如圖6(a)所示，將顯影處理結(jié)束并被后烘烤處理后的晶 圓W交接到輸送臂Al，基板保持部13a將晶圓W輸送到貨架單元U5的TCPl上方。接著， 如圖6(b)所示，在基板支承部13b通過冷卻板11的缺口部13的位置使基板保持部13a下 降。此時(shí)，在冷卻板11側(cè)，在載置晶圓W的大致同時(shí)自吸引孔19吸引晶圓W而使其與載置 面之間緊貼。通過這樣地吸引而使晶圓W與冷卻板11的表面緊貼從而進(jìn)一步提高晶圓W的冷 卻效果，即使是產(chǎn)生了翹曲的晶圓W也存在冷卻效果。另外，為了在載置晶圓W之后提高冷 卻效果，自氣體排出孔20朝向晶圓背面且朝向凹部面的較寬方向地噴出溫度調(diào)節(jié)氣體。該 溫度調(diào)節(jié)氣體是通過溫度調(diào)節(jié)流路16與氣體流路15在冷卻板11中相接近(相鄰)地設(shè) 置，溫度調(diào)節(jié)流體的溫度被高效率地傳導(dǎo)到氣體側(cè)而形成的。因此，能夠省略調(diào)節(jié)氣體溫度 的設(shè)備。另外，吸引動(dòng)作也具有抑制晶圓W浮起的效果。但是，通過吸引使晶圓緊貼和通過 排出氣體來調(diào)節(jié)溫度并不一定是必須的條件，只要能利用設(shè)置于冷卻板11上的溫度調(diào)節(jié) 流體來進(jìn)行冷卻即可。接著，對(duì)完成冷卻處理并利用交接臂C接收晶圓W的動(dòng)作進(jìn)行說明。圖6(c)是交 接臂C的鑷子狀構(gòu)件34為了接收晶圓而向冷卻板11移動(dòng)的圖，圖6(d)是鑷子狀構(gòu)件34 進(jìn)入到載置有晶圓W的冷卻板11的凹部Ila中的圖。凹部Ila形成為比大致Y字形的鑷 子狀構(gòu)件34的平面形狀擴(kuò)大一些的相似形狀，凹部Ila具有不與進(jìn)入到其與已載置的晶圓 背面之間的鑷子狀構(gòu)件34接觸的高度和寬度。之后，如圖6(e)所示，鑷子狀構(gòu)件34進(jìn)行在能夠接收冷卻板11上的晶圓的規(guī)定 位置上升而保持晶圓并后退之后將其容納于載體70的動(dòng)作。能夠交接在以上完成冷卻處 理后的晶圓。由此，不使用復(fù)雜的機(jī)構(gòu)就能夠使冷卻板11自身進(jìn)行晶圓W的接收和交出，因此 能夠提高生產(chǎn)率。另外，能夠減少故障、調(diào)整部位。另外，冷卻板11的凹部Ila并不限定于 圖示的形狀，是板狀即可，只要能夠交接晶圓W并能夠減小凹部Ila的占有面積，就能夠不 損害冷卻板11的冷卻效果地進(jìn)行應(yīng)對(duì)。另外，即使交接臂C的形狀為2根板狀叉形，也能 夠達(dá)到冷卻效果。本發(fā)明的應(yīng)用并不限定于上述記載內(nèi)容，例如在接口組件S3與處理組件S2之間 交接晶圓W時(shí)，也可以調(diào)換設(shè)置為搭載于貨架單元U6上的交接單元TRS6來進(jìn)行交接。在 這種情況下，由于直到PED (曝光后烘烤)之前都能夠在降低晶圓面內(nèi)溫度而使其穩(wěn)定化時(shí) 使用，因此，設(shè)置與上述同樣構(gòu)造的基板冷卻處理裝置，以相反的程序?qū)⒕AW交接到輸送 臂Al?，F(xiàn)實(shí)中，利用接口臂B載置晶圓，輸送臂Al進(jìn)行接收晶圓W的動(dòng)作。并且，對(duì)于搭載于貨架單元TO上的輸送臂D1，也構(gòu)成為通過將輸送臂Dl的基板保 持部做成與輸送臂Al同樣的形狀而在冷卻板11的缺口部13上下貫通，從而也能夠在例如 在涂敷抗蝕劑的COT層B3中進(jìn)行抗蝕劑涂敷后的加熱處理(預(yù)烘烤)之后將晶圓容納于 載體70的情況使用本發(fā)明的基板保持部。并且，也可以與交接單元TRSl調(diào)換設(shè)置。如上所述地設(shè)置在需要提高生產(chǎn)率的部位。另外，圖7所示的輸送臂Dl的基板保持部的形狀也可以是板狀，也可以在不損害冷卻板11的冷卻功能的程度的尺寸形狀下設(shè)置凹部11a。在 這種情況下，能夠利用除貨架單元U5之外的其他處理單元中的以往式的基板支承銷交接 晶圓W。
權(quán)利要求
一種基板處理裝置，該基板處理裝置包括對(duì)基板進(jìn)行加熱處理的加熱處理部、自加熱處理部接收由上述加熱處理部加熱處理后的基板而將其載置于交接部的第1基板輸送部件、具有自上述交接部接收載置于該交接部的基板并將其輸送的板狀的基板保持部的第2基板輸送部件，其特征在于，上述交接部包括載置臺(tái)，其具有用于載置基板的冷卻面；溫度調(diào)節(jié)流路，其設(shè)置在上述載置臺(tái)的內(nèi)部，流通有用于將該載置臺(tái)冷卻至比上述加熱處理溫度的溫度低的溫度的溫度調(diào)節(jié)水；凹部，其設(shè)置于上述載置臺(tái)的冷卻面上，并且為比上述第2基板輸送部件的基板保持部的平面形狀稍大一些的相似形狀，而且能夠使上述基板保持部的保持平面相對(duì)于上述冷卻面突出、沒入。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，通過使被上述第2基板輸送部件保持的基板在上述凹部的上方移動(dòng)下降到與上述基 板保持部大致一致的規(guī)定位置，而使上述載置臺(tái)能夠接收基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第2基板輸送部件進(jìn)行移動(dòng)，使得上述基板保持部進(jìn)入到被載置于上述載置臺(tái)上 的基板背面與上述凹部之間，通過使上述基板保持部上升而接收上述基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第1基板輸送部件具有多個(gè)基板支承部，該多個(gè)基板支承部用于支承基板的周緣 并保持該基板，上述載置臺(tái)在該載置臺(tái)的周緣部具有供上述基板支承部能夠沿上下方向通 過的缺口部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，上述載置臺(tái)具有在載置有基板時(shí)用于吸引基板的吸引孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，上述載置臺(tái)在內(nèi)部設(shè)有供氣體流通的氣體流路，并且，在上述凹部的壁面上具有與上 述氣體流路相連通、排出用于將載置的基板冷卻的氣體的多個(gè)氣體排出孔；上述氣體流路沿著上述凹部的壁面設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，上述溫度調(diào)節(jié)流路與上述氣體流路相鄰地設(shè)置，在上述氣體流路中流通的氣體利用在 上述溫度調(diào)節(jié)流路中流通的溫度調(diào)節(jié)水來調(diào)節(jié)溫度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的基板處理裝置，其特征在于， 自上述氣體排出孔排出氣體時(shí)，在吸引上述基板的狀態(tài)下排出氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述加熱處理部是顯影處理后的加熱處理或者膜形成涂敷處理后的加熱處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在高生產(chǎn)率的系統(tǒng)中削減無用的時(shí)間、具有交接基板的功能且迅速將高溫基板降溫調(diào)節(jié)至規(guī)定溫度的基板處理裝置。其包括加熱處理晶圓(W)的加熱處理部、自加熱處理部接收由加熱處理部加熱處理后的晶圓并將其載置于交接部的第1輸送臂(A1)、具有自該交接部接收載置于交接部的晶圓并將其輸送的板狀鑷子狀構(gòu)件(34)的第2輸送臂(C)，交接部包括具有載置晶圓的冷卻面(11b)的冷卻板(11)；設(shè)置在冷卻板的內(nèi)部且流通將該冷卻板冷卻至比加熱處理溫度低的溫度調(diào)節(jié)水的溫度調(diào)節(jié)流路(16)；設(shè)置于冷卻板的冷卻面并且是比第2輸送臂的基板保持部的平面形狀稍大的相似形狀、而且能夠使保持平面相對(duì)于冷卻面突出、沒入的凹部(11a)。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101799624SQ20091025811
公開日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2009年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月6日
發(fā)明者水永耕市 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社