專利名稱：薄膜壓電體元件及其制造方法、采用該元件的磁頭懸架組件以及使用磁頭懸架組件的硬 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于確定由壓電體膜的逆壓電效應(yīng)導(dǎo)致的微小位置的薄膜壓電體元
件及其制造方法，以及采用該薄膜壓電體元件的磁頭懸架組件，特別是涉及確定對(duì)磁記錄 盤裝置的記錄信息進(jìn)行讀取和寫入的磁頭的位置的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著磁記錄(硬盤)向高密度大容量化的發(fā)展，對(duì)作為跟蹤的高精度位置 確定機(jī)構(gòu)的薄膜壓電體元件的需求提高。作為公開這種薄膜壓電體元件的文獻(xiàn)，具有例如 下述的專利文獻(xiàn)1 3。 在專利文獻(xiàn)1 (日本特開2005-286037號(hào)公報(bào))中公開了這樣的薄膜壓電體元件，
其中，在一對(duì)電極膜14A、18A之間插入壓電體膜16A構(gòu)成的壓電層疊體21A和在一對(duì)電極
膜14B、18B之間插入壓電體膜16B構(gòu)成的壓電層疊體21B通過(guò)粘合劑膜12而重疊。此外，
在專利文獻(xiàn)2(日本特開2002-134807號(hào)公報(bào))中公開了這樣的薄膜壓電體元件，其中，成
對(duì)地構(gòu)成具有通過(guò)導(dǎo)電性粘合劑13而電短路的第一薄膜壓電體11A和第二薄膜壓電體11B
的兩層結(jié)構(gòu)的薄膜壓電體元件10A和IOB。此外，在專利文獻(xiàn)3 (特開2003-101095號(hào)公報(bào))
中公開了這樣的薄膜壓電體元件，其中，利用粘合膜60貼合由第一下層電極膜52和第一上
層電極膜54夾著的第一壓電體薄膜53和由第二下層電極膜56和第二上層電極膜58夾著
的第二壓電體薄膜57而形成結(jié)構(gòu)體66，并且形成絕緣膜62以覆蓋該結(jié)構(gòu)體66。 但是，專利文獻(xiàn)1 3中公開的薄膜壓電體元件都具有兩個(gè)包含壓電體膜的壓電
層疊體，難以滿足批量生產(chǎn)和低價(jià)格的市場(chǎng)要求?，F(xiàn)在，在薄膜壓電體元件中采用這樣的兩
層的壓電層疊體結(jié)構(gòu)是由于薄膜壓電體元件是由薄膜構(gòu)成的。具體而言，使包含壓電體膜
等各層在基板上成膜時(shí)，由于熱、晶格常數(shù)不匹配等導(dǎo)致的各種應(yīng)力會(huì)引起基板彎曲，從而
經(jīng)過(guò)各制造工序得到的薄膜壓電體元件也會(huì)產(chǎn)生很大的彎曲。此外，該彎曲導(dǎo)致薄膜壓電
體元件中的壓電層體向與目的方向不同的方向移位(下面稱為彎曲移位)。并且，在使現(xiàn)有
的具有兩個(gè)壓電層疊體的薄膜壓電體元件動(dòng)作時(shí)，采用通過(guò)使兩個(gè)壓電層疊體的移位方向
相同而抑制彎曲移位，從而得到所期望的長(zhǎng)度方向的移位的結(jié)構(gòu)，在結(jié)構(gòu)上不得不層疊兩
個(gè)壓電層疊體。因此，在單層的壓電層疊體結(jié)構(gòu)中不能實(shí)現(xiàn)薄膜壓電體元件的高性能化和
高可靠性，此外，也不能避免組裝有該薄膜壓電體元件的裝置的破損、不良等。 由于以上問(wèn)題，通過(guò)采用將兩層的壓電層疊體粘合的兩層壓電層疊體結(jié)構(gòu)，而使
得在制造時(shí)和動(dòng)作時(shí)的彎曲相抵消，從而實(shí)現(xiàn)抑制元件彎曲和抑制彎曲移位。 鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)由單層的壓電層疊體導(dǎo)致的
高性能化、高可靠性和低成本化的薄膜壓電體元件及其制造方法、以及采用該薄膜壓電體
元件的磁頭懸架組件以及硬盤驅(qū)動(dòng)器。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的薄膜壓電體元件的制造方法具有在第一基板上依 次層疊第一電極膜、壓電體膜以及第二電極膜而形成第一層疊體的工序、在第二基板上層 疊支撐膜而形成第二層疊體的工序、以第二電極膜與支撐膜相對(duì)的方式利用粘合膜粘合第 一層疊體和第二層疊體而形成由第一層疊體、粘合膜以及第二層疊體構(gòu)成的第三層疊體的 工序、從第三層疊體中去除第一基板的工序、在去除第一基板的工序之后，將第三層疊體加 工為期望的形狀的工序、以及在加工第三層疊體的工序之后，去除第二基板的工序；粘合膜 的楊氏模量比壓電體膜的楊氏模量低，第二電極膜以及支撐膜各自的楊氏模量比粘合膜的 楊氏模量高，第三層疊體除了該壓電體膜以外沒(méi)有其他的壓電體膜。 在本發(fā)明的薄膜壓電體元件的制造方法中，首先，由粘合膜粘合包含一個(gè)壓電體 膜的第一層疊體和不包含壓電體膜的第二層疊體而形成作為單層壓電層疊體的第三層疊 體。之后，經(jīng)過(guò)從第三層疊體中去除第一基板的工序、將第三層疊體加工為期望的形狀的工 序以及去除第二基板的工序，制成薄膜壓電體元件。 由此，根據(jù)本薄膜壓電體元件的制造方法，在形成第一層疊體的工序中，由熱、晶格
常數(shù)不匹配等導(dǎo)致的在壓電體膜和第一基板之間產(chǎn)生的各種應(yīng)力通過(guò)第一基板的去除工序
中的第一基板的去除而被釋放，該被釋放的各種應(yīng)力轉(zhuǎn)移到第二基板上。此時(shí)，由于在壓電體
膜和第二基板之間插入有由比壓電體膜的楊氏模量低的材料構(gòu)成的粘合膜，所以轉(zhuǎn)移到第二
基板上的各種應(yīng)力被粘合膜緩和。由此，雖然利用本發(fā)明的制造方法得到的薄膜壓電元件由
單層的壓電層疊體構(gòu)成，也可以有效地抑制元件的彎曲和彎曲移位。此外，由于采用由第二電
極膜和支撐膜夾著粘合膜的結(jié)構(gòu)，且第二電極膜和支撐膜各自的楊氏模量比粘合膜的楊氏模
量高，所以進(jìn)一步地抑制了元件的彎曲和彎曲移位。此外，由于由單層的壓電層疊體構(gòu)成，所
以降低了制造成本。因此，根據(jù)本發(fā)明的薄膜壓電體元件的制造方法，可以容易地制造能夠?qū)?br> 現(xiàn)由單層的壓電層疊體導(dǎo)致的高性能化、高可靠性和低成本化的薄膜壓電體元件。 此外，優(yōu)選在形成第三層疊體的工序中，通過(guò)使粘合劑熱硬化而形成所述粘合膜，
第二電極膜和支撐膜各自的熱膨脹系數(shù)比粘合膜的熱膨脹系數(shù)小。由此，在形成由粘合膜
粘合而形成的由第一層疊體、粘合膜和第二層疊體構(gòu)成的第三層疊體的工序中，當(dāng)由于熱
硬化而引起收縮時(shí)，由于由第二電極膜和支撐膜與粘合膜的熱膨脹系數(shù)的差異而沿粘合膜
的中心方向外加了牽拉應(yīng)力，所以應(yīng)力相互抵消，減少了第三層疊體的彎曲。 此外，本發(fā)明的薄膜壓電體元件包括依次層疊有支撐膜、粘合膜、第二電極膜、壓
電體膜和第一電極膜的層疊體，其中，粘合膜的楊氏模量比壓電體膜的楊氏模量低，第二電
極膜和支撐膜各自的楊氏模量比粘合膜的楊氏模量高，薄膜壓電體元件除了該壓電體膜以
外沒(méi)有其他的壓電體膜。 本發(fā)明的薄膜壓電體元件為具有除了層疊體中的壓電體膜以外沒(méi)有其他的壓電 體膜的單層壓電層疊體的元件，并且還包括粘合膜。此外，粘合膜的楊氏模量比壓電體膜的 楊氏模量低。為此，由壓電體膜產(chǎn)生并被釋放的應(yīng)力被粘合膜緩和。其結(jié)果，利用本發(fā)明的 薄膜壓電元件，雖然由單層的壓電層疊體構(gòu)成，但是也可以有效地抑制元件的彎曲和彎曲 移位。此外，由于采用由第二電極膜和支撐膜夾著粘合膜的結(jié)構(gòu)，并且第二電極膜和支撐膜 各自的楊氏模量比粘合膜的楊氏模量高，所以進(jìn)一步地抑制了元件的彎曲和彎曲移位。此 外，由于由單層的壓電層疊體構(gòu)成，所以降低了制造成本。因此，根據(jù)本發(fā)明的薄膜壓電體
4元件，能夠?qū)崿F(xiàn)由單層的壓電層疊體導(dǎo)致的高性能化、高可靠性和低成本化。 此外，優(yōu)選還包括覆蓋壓電體膜表面的絕緣膜。由此，可以使壓電體膜的表面絕緣
并保護(hù)壓電體膜的表面。 此外，優(yōu)選還包括密封層疊體的絕緣膜。這樣，通過(guò)由絕緣膜密封作為單層壓電層 疊體的層疊體，能夠進(jìn)一步地抵消已被減小的層疊體的彎曲，同時(shí)抑制由外部應(yīng)力造成的 層疊體的損壞。此外，可以進(jìn)一步地防止元件的吸濕、腐蝕，從而進(jìn)一步地確保元件的可靠 性。 此外，本發(fā)明的磁頭懸架組件，具備具有相對(duì)于記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄或讀出這兩者
中至少其一的薄膜磁頭的磁頭滑塊、搭載磁頭滑塊的懸架、以及搭載在懸架的搭載面上且
使磁頭滑塊相對(duì)懸架相對(duì)地移位的薄膜壓電體元件；薄膜壓電體元件包括依次層疊有支撐
膜、粘合膜、第二電極膜、壓電體膜和第一電極膜的層疊體，粘合膜的楊氏模量比壓電體膜
的楊氏模量低，第二電極膜和支撐膜各自的楊氏模量比粘合膜的楊氏模量高，薄膜壓電體
元件除了該壓電體膜以外沒(méi)有其他的壓電體膜。 此外，本發(fā)明的硬盤驅(qū)動(dòng)器具有上述磁頭懸架組件。 由于本發(fā)明的磁頭懸架組件采用了這樣的結(jié)構(gòu)，所以可以實(shí)現(xiàn)裝置的高性能化、 高可靠性和低成本化。 利用本發(fā)明，可以提供了一種能夠?qū)崿F(xiàn)由單層的壓電層疊體導(dǎo)致的高性能化、高 可靠性和低成本化的薄膜壓電體元件及其制造方法，和采用該薄膜壓電體元件的磁頭懸架 組件。


圖1為本實(shí)施方式的具有HGA的硬盤裝置的示意圖。圖2為圖1所示的HGA的放大立體圖。圖3為圖2所示的HGA的立體分解圖。圖4為本實(shí)施方式的薄膜壓電致動(dòng)器的示意圖。圖5為變形例的薄膜壓電致動(dòng)器的示意圖。圖6為模式地示意本實(shí)施方式的薄膜壓電致動(dòng)器的制造方法的一^個(gè)工序的圖。圖7為模式地示意本實(shí)施方式的薄膜壓電致動(dòng)器的制造方法的一^個(gè)工序的圖。圖8為模式地示意本實(shí)施方式的薄膜壓電致動(dòng)器的制造方法的一^個(gè)工序的圖。圖9為模式地示意本實(shí)施方式的薄膜壓電致動(dòng)器的制造方法的一^個(gè)工序的圖。圖10為模式地示意本實(shí)施方式的薄膜壓電致動(dòng)器的制造方法的-一個(gè)工序的圖。圖11為模式地示意本實(shí)施方式的薄膜壓電致動(dòng)器的制造方法的-一個(gè)工序的圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參考附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的薄膜壓電致動(dòng)器(薄膜壓電體元件)40和磁 頭懸架組件(Head Gimbals Assembly :HGA) 10的優(yōu)選實(shí)施方式。并且，在附圖的說(shuō)明中，相 同的要素被賦予相同的符號(hào)，并且省略重復(fù)的說(shuō)明。 首先，在說(shuō)明實(shí)施方式所涉及的薄膜壓電致動(dòng)器40和HGA10之前，說(shuō)明采用它們 的硬盤裝置(硬盤驅(qū)動(dòng)器)1的一個(gè)例子。圖1為本實(shí)施方式的具有HGA10的硬盤裝置1
5的示意圖。在硬盤裝置1中，使HGA10動(dòng)作，從而在高速轉(zhuǎn)動(dòng)的硬盤5的記錄面上由磁頭滑 塊50的薄膜磁頭51記錄和讀出磁信息。 硬盤裝置1在框體3內(nèi)具有作為記錄介質(zhì)的硬盤5、在其上記錄和讀出磁信息的 HGA10、進(jìn)行利用HGAIO的向硬盤5記錄和讀出磁信息等控制的控制部7、以及用于使下述的 薄膜磁頭51從硬盤5上退回的斜坡機(jī)構(gòu)9。 硬盤5由省略圖示的電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。HGA10可以通過(guò)音圈電機(jī)(VCM)21使軸23轉(zhuǎn)動(dòng)， 并且具有與硬盤5對(duì)應(yīng)地安裝的磁頭滑塊50。 下面，具體說(shuō)明HGA10的結(jié)構(gòu)。圖2為圖1的HGA10的放大立體圖，圖3為圖2的 HGA10的立體分解圖。如圖2和圖3所示，HGA10具有由懸臂20、撓曲板30和薄膜壓電致 動(dòng)器40構(gòu)成的懸架22、以及搭載在懸架22上的磁頭滑塊50。薄膜壓電致動(dòng)器40使磁頭 滑塊50相對(duì)于懸臂20相對(duì)地移位，并且由于HGA10具有薄膜壓電致動(dòng)器40，因此HGAIO可 以使薄膜磁頭51分兩階段地移動(dòng)。即，薄膜磁頭51的較大的移動(dòng)被VCM21導(dǎo)致的懸架22 整體的驅(qū)動(dòng)控制，微小的移動(dòng)被薄膜壓電致動(dòng)器40導(dǎo)致的磁頭滑塊50的驅(qū)動(dòng)控制。
懸臂20由金屬制造，在頂端上形成有用于在磁頭滑塊50退回到斜坡機(jī)構(gòu)9時(shí)跨 在斜坡上的突片26。 如圖3所示，撓曲板30由聚酰亞胺樹脂等形成的具有可撓性的配線基板32以及 不銹鋼形成且部分粘附在配線基板32的底面上的支撐板34構(gòu)成，并且通過(guò)激光點(diǎn)熔接被 粘合到懸臂20上。 配線基板32由壓電致動(dòng)器搭載區(qū)域36和磁頭滑塊搭載區(qū)域38構(gòu)成。壓電致動(dòng) 器搭載區(qū)域36具有與薄膜壓電致動(dòng)器40的形狀對(duì)應(yīng)的形狀，具有搭載有薄膜壓電致動(dòng)器 40的前端部36a形成有薄膜壓電致動(dòng)器40用電極墊39a d和用于磁頭滑塊50的記錄用 電極和讀出用電極等的電極墊(未圖示)的后端部36b。 此外，在磁頭滑塊搭載區(qū)域38中，在與壓電致動(dòng)器搭載區(qū)域36的前端部36a的頂 端側(cè)連續(xù)地設(shè)置的區(qū)域上，配置分別與磁頭滑塊50的記錄用墊和讀出用墊連接的記錄用 電極(未圖示)和讀出用電極(未圖示)。利用焊球焊接等方法，使該磁頭滑塊搭載區(qū)域 38上配置的記錄用電極和讀出用電極通過(guò)配線基板32上的多個(gè)配線與對(duì)應(yīng)的撓曲板30的 后端部36b上的電極墊電連接。 此外，在撓曲板30上，在壓電致動(dòng)器搭載區(qū)域36的前端部36a的中心部上設(shè)置與 磁頭滑塊搭載區(qū)域38間隔地配置的移位傳送板33，被搭載在磁頭滑塊搭載區(qū)域38上的磁 頭滑塊50的后端部搭載在該移位傳送板33上。并且，移位傳送板33通過(guò)與從粘附在壓電 致動(dòng)器搭載區(qū)域36的后端部36b上的支撐板34沿前端部36a的外側(cè)延伸的曲線狀的翼部 35連接，而與支撐板34 —體化。若在壓電致動(dòng)器搭載區(qū)域36上搭載薄膜壓電致動(dòng)器40， 并且在磁頭滑塊搭載區(qū)域38和移位傳送板33上搭載磁頭滑塊50，則移位傳送板33的上表 面與磁頭滑塊50的下表面相對(duì)，移位傳送板33的下表面與薄膜壓電致動(dòng)器40的上表面相 對(duì)。此外，移位傳送板33在薄膜壓電致動(dòng)器40動(dòng)作時(shí)將薄膜壓電致動(dòng)器40的移位傳送到 磁頭滑塊50。并且，移位傳送板33和翼部35與支撐板34同樣地由不銹鋼構(gòu)成。
接下來(lái)，參考圖3和圖4，說(shuō)明薄膜壓電致動(dòng)器40的細(xì)節(jié)。圖4為示意圖3中的 IV-IV方向的截面結(jié)構(gòu)的模式圖。薄膜壓電致動(dòng)器40具有被構(gòu)成為伸縮方向彼此不同、且 分離的第一區(qū)域40a和第二區(qū)域40b。第一區(qū)域40a和第二區(qū)域40b被配置為各自彼此相對(duì)的內(nèi)側(cè)的邊分離地平行延伸，并且各自的外側(cè)邊從根部區(qū)域40R向頂端側(cè)慢慢變窄。并 且，薄膜壓電致動(dòng)器40也可以被構(gòu)成為在根部區(qū)域40R連接。 在第一區(qū)域40a的根部區(qū)域40R上，設(shè)置有施加驅(qū)動(dòng)電壓的電極41a、45a，在第二 區(qū)域40b的根部區(qū)域40R上，設(shè)置有施加驅(qū)動(dòng)電壓的電極41b、45b。薄膜壓電致動(dòng)器40的 第一區(qū)域40a和第二區(qū)域40b通過(guò)紫外線硬化型樹脂分別被粘合于撓曲板30的壓電致動(dòng) 器搭載區(qū)域36上，并且各電極41a、45a、41b、45b通過(guò)焊球焊接分別被連接于電極墊39a d。并且，由于第一區(qū)域40a和第二區(qū)域40b具有相同的結(jié)構(gòu)，所以下面主要說(shuō)明第一區(qū)域 40a從而省略重復(fù)的說(shuō)明。第一區(qū)域40a包括依次層疊第二電極膜41、壓電體膜43和第一 電極膜45而形成的層疊體L2、在第二電極膜41的下側(cè)上被依次設(shè)置的粘合膜47和支撐膜 48、以及覆蓋層疊體L2的表面的樹脂膜(絕緣膜)49。 根部區(qū)域40R的第一區(qū)域40a的電極41a和第二區(qū)域40b的電極41b，例如通過(guò)接 觸孔分別被連接到第二電極膜41上，并且第一區(qū)域40a的電極45a和第二區(qū)域40b的電極 45b例如通過(guò)接觸孔分別連接到第一電極膜45上。由此，通過(guò)在第一區(qū)域40a的電極41a、 45a和第二區(qū)域40b的電極41b、45b上、外加彼此相反的偏壓，使得例如第一區(qū)域40a中的 壓電體膜43向圖3的箭頭Al方向收縮，第二區(qū)域40b中的壓電體膜43向箭頭A2方向伸 長(zhǎng)。 第二電極膜41的材料只要是導(dǎo)電性材料即可，沒(méi)有特別的限定，例如可以采用 Pt(楊氏模量152GPa，熱膨脹系數(shù)8. 8卯m廠C )， Au(楊氏模量77. 2GPa，熱膨脹系數(shù) 14. 4卯m廣C)等金屬材料。此外，也可以采用SrRu03(SR0)等導(dǎo)電性陶瓷。進(jìn)一步地，出于與 附著在第二電極膜41的上下的構(gòu)成材料的粘合性和整體的應(yīng)力調(diào)整的目的，也可以使第 二電極膜41為多層結(jié)構(gòu)。對(duì)第二電極膜41的厚度tl沒(méi)有特別的限定，例如可以是O. 1 lym左右。并且，由于電極膜41變厚時(shí)阻礙移位量，所以優(yōu)選比粘合膜47的厚度薄。抑制 翹曲的支撐剛性與長(zhǎng)度方向的移位量基于交替換位的關(guān)系。 壓電體膜43的材料只要表現(xiàn)出壓電特性即可，沒(méi)有特別的限定，例如舉例為 PZT(鋯鈦酸鉛，楊氏模量47 95GPa)等。對(duì)壓電體膜43的厚度t2沒(méi)有特別的限定，例 如可以是O. 5 10iim左右。 第一電極膜45與第二電極膜41相同。對(duì)第一電極膜45的厚度t3沒(méi)有特別的限 定，例如可以是O. 1 liim左右。 粘合膜47的材料只要可以將第二電極膜41和支撐膜48粘合即可，沒(méi)有特別的 限定，例如可以采用環(huán)氧樹脂(楊氏模量3. lGPa，熱膨脹系數(shù)60ppm廣C )、丙烯樹脂(楊 氏模量3. lGPa，熱膨脹系數(shù)60卯m廣C )、硅酮樹脂(楊氏模量0. 7GPa左右，熱膨脹系數(shù) 200卯m廣C左右)、聚酰亞胺樹脂(楊氏模量3. OGPa，熱膨脹系數(shù)36卯m廣C )、氟樹脂(楊 氏模量1. 3GPa，熱膨脹系數(shù)60卯m廣C )、聚酰亞胺硅樹脂(楊氏模量2. 4GPa，熱膨脹系 數(shù)60ppm廣C)，苯并環(huán)丁烯(BCB)樹脂(楊氏模量2. 9GPa，熱膨脹系數(shù)52ppm廣C )等樹 脂粘合劑，和Sn/Ag系(楊氏模量40 50GPa，熱膨脹系數(shù)50卯m廣C )等的錫焊(soft solder)。特別地，在樹脂粘合劑中，優(yōu)選通過(guò)加熱而硬化的熱硬化性樹脂粘合劑。此外，對(duì) 粘合膜47的厚度t4沒(méi)有特別的限定，例如可以是1 30iim左右。 支撐膜48的材料只要是與第二電極膜41具有相同大小硬度的材料即可，沒(méi)有特 別的限定，例如可以采用Pt(楊氏模量152GPa，熱膨脹系數(shù)8. 8ppm廣C )、 Au(楊氏模量
777. 2GPa，熱膨脹系數(shù)14. 4卯m廣C )等金屬材料。此外，也可以采用SRO等導(dǎo)電性陶瓷。進(jìn) 一步地，出于與位于支撐膜48的上下的構(gòu)成材料的粘合性和整體的應(yīng)力調(diào)整的目的，也可 以使支撐膜48為多層結(jié)構(gòu)。對(duì)支撐膜48的厚度t5沒(méi)有特別的限定，例如可以是0. 1 1 li m左右。 樹脂膜49的材料只要具有與層疊體L2的粘合性，并且能夠覆蓋層疊體L2的表面 即可，沒(méi)有特別的限定，例如可以與粘合膜47相同。對(duì)樹脂膜49的厚度t6沒(méi)有特別的限 定，例如可以是O. 3 30iim左右。此外，代替樹脂，該構(gòu)成部件也可以是具有絕緣性的陶 瓷等材料，對(duì)厚度沒(méi)有特別的限定，可以是0. 005 1 ii m左右。 在此，必要的是粘合膜47的楊氏模量比壓電體膜43的楊氏模量低，并且第二電極 膜41和支撐膜48各自的楊氏模量比粘合膜47的楊氏模量高。此外，第二電極膜41和支 撐膜48各自的熱膨脹系數(shù)必須比粘合膜47的熱膨脹系數(shù)小。優(yōu)選的材料組合的一個(gè)例子 是，第二電極膜41/壓電體膜43/第一電極膜45/粘合膜47/支撐膜48/樹脂膜49為Pt/ PZT/Pt/環(huán)氧樹脂/Pt/聚酰亞胺樹脂。 下面，與壓電體膜43的移位量u(l)相關(guān)聯(lián)地說(shuō)明根據(jù)本實(shí)施方式的薄膜壓電致 動(dòng)器40的動(dòng)作。薄膜壓電致動(dòng)器40的壓電體膜43的移位量u(l)可以如下表示。 在此，n表示壓電體膜43的層疊數(shù)(在本申請(qǐng)中是11= 1) ， i表示各膜，ti表示各 膜i的等價(jià)膜厚，tPZT表示壓電體膜43的等價(jià)膜厚，Ei表示各膜i的楊氏模量，EPZT表示壓 電體膜43的楊氏模量，d31表示d31方向(壓電體膜43的長(zhǎng)度方向，即圖3中的Al或A2方 向)的壓電常數(shù)，L表示壓電體膜43的長(zhǎng)度方向的長(zhǎng)度，V/tm表示涉及壓電體膜43的電 場(chǎng)強(qiáng)度。在各膜i中具體地包含第二電極膜41、第一電極膜45、粘合膜47以及支撐膜48。
此夕卜，可以采用Pi二EiXti的關(guān)系將上式(1)簡(jiǎn)化為下式(2)。在式(2)中，Ei表 示各膜i的楊氏模量，ti表示各膜i的厚度，Pi表示各膜i的剛性系數(shù)。
"A', ， T
' (2) 如該式(2)所示，確定了材料的壓電常數(shù)d『致動(dòng)器的長(zhǎng)度L情況下的移位量 u(l)可以通過(guò)調(diào)節(jié)V/t^的電場(chǎng)強(qiáng)度而調(diào)節(jié)。但是，由于壓電體膜43是薄膜，所以會(huì)受到 第二電極膜41、第一電極膜45和粘合膜47的剛性系數(shù)的影響。在本實(shí)施方式中，由于構(gòu)成 薄膜壓電致動(dòng)器40的粘合膜47的楊氏模量比壓電體膜43的楊氏模量低，所以可以將Pi的 綜合值維持為較低，并且可以抑制PPZT相對(duì)于Pi的綜合值的比率(下面稱為剛性占有率) 的降低。結(jié)果，可以抑制移位量u(l)的降低。 此外，由于粘合膜47的楊氏模量比壓電體膜43的楊氏模量低，所以在制造薄膜壓 電致動(dòng)器40時(shí)，由壓電體膜43產(chǎn)生并被釋放的應(yīng)力被粘合膜47緩和。因此，即使為由單層 的壓電層疊體構(gòu)成的薄膜壓電致動(dòng)器40，也可以有效地抑制元件的彎曲和彎曲移位。因此， 可以抑制由彎曲移位導(dǎo)致的移位量u(l)的損失，并且可以使其沿所期望的移位方向((131方 向)高效地產(chǎn)生移位。此外，粘合膜47被第二電極膜41和支撐膜48夾住，并且第二電極 膜41和支撐膜48各自的楊氏模量比粘合膜47的楊氏模量高。因此，進(jìn)一步地抑制了元件的彎曲和彎曲移位。此外，由于由單層的壓電層疊體構(gòu)成，所以可以降低制造成本。因此， 利用薄膜壓電致動(dòng)器40，可以實(shí)現(xiàn)由單層的壓電層疊體導(dǎo)致的高性能化，高可靠性和低成 本化。 此外，由于薄膜壓電致動(dòng)器40具有覆蓋層疊體L2的表面的樹脂膜49，所以可以使 不與第二電極膜41和第一電極膜45接觸的壓電體膜43的表面絕緣并保護(hù)該表面。
并且，在本實(shí)施方式的薄膜壓電致動(dòng)器40中，第二電極膜41、粘合膜47和支撐膜 48被用作支撐壓電體膜43的支撐體，優(yōu)選這些膜41、47和48的累計(jì)厚度比引起移位的壓 電體膜43厚。由此，由于本實(shí)施方式的薄膜壓電致動(dòng)器40在層疊體的厚度方向的應(yīng)力被 適宜控制，所以當(dāng)驅(qū)動(dòng)薄膜壓電致動(dòng)器40時(shí)，可以高度抑制彎曲方向的移位，從而可以得 到所期望的長(zhǎng)度方向的移位。此外，優(yōu)選由第二電極膜41、粘合膜47和支撐膜48構(gòu)成的支 撐體整體的楊氏模量比壓電體膜43小得多。由此，容易得到長(zhǎng)度方向的移位。
接著，參考圖5說(shuō)明本實(shí)施方式的薄膜壓電致動(dòng)器40的變形例。圖5是變形例的 與薄膜壓電致動(dòng)器40的圖4相對(duì)應(yīng)的薄膜壓電致動(dòng)器40A的截面圖。如圖5所示，薄膜壓 電致動(dòng)器40A與薄膜壓電致動(dòng)器40不同之處在于，在支撐膜48的下側(cè)上還包括樹脂膜46， 以及樹脂膜49被設(shè)置為不僅覆蓋層疊體L2，而且覆蓋粘合膜47、支撐膜48和樹脂膜(絕 緣膜)46。在此，由于其他的結(jié)構(gòu)與薄膜壓電致動(dòng)器40的結(jié)構(gòu)相同，所以賦予相同的符號(hào)并 省略重復(fù)的說(shuō)明。 樹脂膜46的材料只要是具有與支撐膜48的粘合性的樹脂即可，沒(méi)有特別的限定， 例如可以與粘合膜47相同。對(duì)樹脂膜46的厚度沒(méi)有特別的限定，例如可以是0. 3 30 ii m 左右。此外，代替樹脂，該構(gòu)成部件也可以是具有絕緣性的陶瓷等材料。對(duì)厚度沒(méi)有特別的 限定，可以是O. 005 liim左右。 變形例的薄膜壓電致動(dòng)器40A具有由下側(cè)的樹脂膜46和上側(cè)的樹脂膜49整體地 覆蓋由層疊體L2、粘合膜47和支撐膜48構(gòu)成且作為單層壓電層疊體的層疊體P2的結(jié)構(gòu)， 因此，除了得到與薄膜壓電致動(dòng)器40相同的效果以外，還可以產(chǎn)生以下效果。S卩，可以進(jìn)一 步地抵消已被減小的層疊體P2的彎曲，同時(shí)可以抑制來(lái)自外部應(yīng)力對(duì)層疊體P2的損壞。 此外，除了使壓電體膜43的表面絕緣并保護(hù)該表面，還可以防止薄膜壓電致動(dòng)器40A整體 的吸潮和腐蝕等。進(jìn)一步，可以提高與接觸粘合膜47連接的構(gòu)成部件的界面之間的粘合強(qiáng) 度，并且可以進(jìn)一步地確保元件的可靠性。 接下來(lái)，參考圖6 圖11，說(shuō)明薄膜壓電致動(dòng)器40的制造工序。圖6(a)、圖7(a)、 圖8、圖9 (a)、圖10 (a)和圖11為用于說(shuō)明薄膜壓電致動(dòng)器40的制造工序的模式圖。圖 6(b)為示意圖6(a)中的VIb-VIb方向的截面結(jié)構(gòu)的模式圖。圖7(b)為示意圖7(a)中的 VIIb-VIIb方向的截面結(jié)構(gòu)的模式圖。圖9(b)為示意圖9(a)中的IXb-IXb方向的截面結(jié) 構(gòu)的模式圖。圖10(b)為示意圖10(a)中的Xb-Xb方向的截面結(jié)構(gòu)的模式圖。薄膜壓電致 動(dòng)器40例如經(jīng)過(guò)以下的工序制成。
(第一層疊體形成工序) 在該工序中，形成層疊體(第一層疊體)L(參考圖6(a)和(b))。首先，準(zhǔn)備第一 基板Sl。并且，在第一基板Sl上依次層疊緩沖膜42，第一電極膜45，壓電體膜43和第二 電極膜41。在這些層的層疊中，可以采用外延生長(zhǎng)法。更為具體而言，首先，在第一基板S1 上外延生長(zhǎng)緩沖膜42。緩沖膜42可以采用沿(100)方向、(01Q)方向或(001)方向取向且例如其上表面具有{111}刻面的外延生長(zhǎng)膜。 接著，在緩沖膜42上依次外延生長(zhǎng)第一 電極膜45和壓電體膜43，進(jìn)一步地在壓電 體膜43上形成第二電極膜41。由此，形成由第一基板Sl、緩沖膜42、第一電極膜45、壓電 體膜43和第二電極膜41構(gòu)成的層疊體L。在壓電體膜43生長(zhǎng)時(shí)，通過(guò)制作使結(jié)晶取向方 向與分極方向(001) —致的取向壓電體膜，可以得到即使不從外部外加電場(chǎng)也可以發(fā)生物 質(zhì)產(chǎn)生電雙極子的自發(fā)分極的強(qiáng)電介質(zhì)膜。并且，在層疊體L形成時(shí)，作為外延生長(zhǎng)法，可 以采用濺射法、CVD法等成膜法。 第一基板Sl的材料只要能夠在其上形成層疊體L即可，沒(méi)有特別的限定，例如可 以采用Si、 Mg0等。對(duì)第一基板S1的厚度沒(méi)有特別的限定，例如可以是100 3000 iim左 右。此外，緩沖膜42的材料只要是控制晶格常數(shù)的不匹配和控制取向方向、使壓電體膜43 的結(jié)晶性良好的材料即可，沒(méi)有特別的限定，例如，可以采用Zr02膜、Y203膜等。緩沖膜42 的厚度沒(méi)有特別的限定，例如可以是0. 003 0. 1 ii m左右。
(第二層疊體形成工序) 接下來(lái)，形成層疊體(第二層疊體)M(參考圖7(a)和(b))。首先，準(zhǔn)備第二基板 S2。并且，在第二基板S2上依次層疊襯底膜44和支撐膜48。在這些層的層疊中，可以采用 沉積、濺射、電鍍等一般的薄膜形成方法。由此，形成由第二基板S2、襯底膜44和支撐膜48 構(gòu)成的層疊體M。 第二基板S2的材料只要能夠在其上形成層疊體M即可，沒(méi)有特別的限定，例如可 以采用Si、玻璃、氧化鋁等陶瓷。對(duì)第二基板S2的厚度沒(méi)有特別的限定，例如可以是100 3000iim左右。此外，襯底膜44的材料只要可以確保第二基板S2和支撐膜48之間的粘合 性即可，沒(méi)有特別的限定，例如，可以采用SR0、Cr等。對(duì)襯底膜44的厚度沒(méi)有特別的限定， 例如可以是O. 01 0. 3iim左右。
(第三層疊體形成工序) 在該工序中，首先，在層疊體L的第二電極膜41上形成粘合膜47a，以及在層疊體 M的支撐膜48上形成粘合膜47b(參考圖8)。在粘合膜47a和粘合膜47b的形成中，可以 采用例如使單體汽化而沉積在支撐膜48上并使其重合，即所謂的重合沉積法。此外，也可 以利用旋涂涂敷進(jìn)行構(gòu)成粘合膜47a和47b的樹脂的涂敷的方法等形成該粘合膜。
之后，以使第二電極膜41和支撐膜48相面對(duì)的方式使粘合膜47a和47b重合并 加壓，并且通過(guò)熱硬化法使其粘合，從而形成由層疊體L、粘合膜47a和47b以及層疊體M 構(gòu)成的層疊體P(參考圖9)。在此，粘合膜47a和47b構(gòu)成粘合膜47。此外，在形成粘合膜 47時(shí)，除了熱硬化法以外，還可以使用采用常溫硬化型的粘合劑的方法和采用熱熔融型的 粘合劑的方法等，在粘合膜47是例如紫外線(UV)硬化型的環(huán)氧樹脂的情況下，優(yōu)選地采用 利用紫外線照射粘合的方法。此外，也可以僅形成并粘合粘合膜47a和47b中的一個(gè)。進(jìn) 一步地，在工序中需要位置對(duì)準(zhǔn)的情況下，優(yōu)選使用熱硬化、紫外線硬化并用型粘合劑。
接下來(lái)，去除層疊體L的第一基板Sl(參考圖9(a)和(b))。在去除第一基板S1 時(shí)，在使用Si單晶基板作為第一基板S1的本實(shí)施方式的情況下，可以采用由氟硝酸產(chǎn)生的 濕蝕刻或由反應(yīng)性離子蝕刻(RIE法)等產(chǎn)生的干蝕刻。此外，作為前階段的粗加工，可以經(jīng) 過(guò)利用砂輪研磨(垂直)和膠體氧化硅(CMP)進(jìn)行的研磨以及經(jīng)過(guò)利用使用了軟金屬模板 (錫模板等)的金剛石研磨液進(jìn)行的研磨而去除基板。之后，利用RIE法，蝕刻緩沖膜42。
10由此，層疊體L去除了第一基板S 1和緩沖膜42而成為由第二電極膜41 、壓電體膜43和第 一電極膜45構(gòu)成的層疊體L2。
(層疊體加工工序) 接下來(lái)，將層疊體L加工(圖案化)為期望的形狀(參考圖10(a)和(b))。在該 工序中，首先，采用光刻和蝕刻技術(shù)，形成與第一區(qū)域40a和第二區(qū)域40b相對(duì)應(yīng)形狀的抗 蝕圖(未圖示)。之后，將該抗蝕圖作為掩膜，對(duì)沒(méi)有被掩膜覆蓋的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，直到露出 襯底膜44，去除抗蝕圖。 接下來(lái)，為了避免第二電極膜41、壓電體膜43和第一電極膜45被腐蝕，形成樹脂 膜49以覆蓋這些層。該樹脂膜49在涂敷了構(gòu)成樹脂膜49的樹脂材料之后通過(guò)烘烤而形 成。之后，在樹脂膜49上的第一區(qū)域40a和第二區(qū)域40b各自的根部區(qū)域40R上形成用于 外加驅(qū)動(dòng)電壓的電極41a、45a和電極41b、45b。
(第二基板去除工序) 接下來(lái)，進(jìn)行濕蝕刻以去除襯底膜44(參考圖11)。由此，從層疊體M上去除第二 基板S2。其結(jié)果，層疊體P成為由層疊體L2、粘合膜47和支撐膜48構(gòu)成的層疊體P2。經(jīng) 過(guò)以上的工序，制成圖4所示的薄膜壓電致動(dòng)器40。在此，作為襯底膜44的材料，也可以采 用例如ZrOj莫、LOj莫等絕緣保護(hù)膜。在這種情況下，可以不使該襯底膜44圖案化，而被圖 案化的層疊體P將樹脂膜49側(cè)利用蠟等保持在某些基板上，之后通過(guò)干蝕刻或濕蝕刻等去 除第二基板S2，之后，溶化蠟等而將元件單片化。在這種情況下，當(dāng)進(jìn)行元件的單片化時(shí)，上 表而上沒(méi)有元件的襯底膜44的部分不會(huì)被破壞。因此，可以減少蝕刻時(shí)對(duì)元件的損壞。
根據(jù)本實(shí)施方式的薄膜壓電致動(dòng)器40的制造方法，在層疊體L的形成工序中，由 熱、晶格常數(shù)不匹配等導(dǎo)致的在壓電體膜43和第一基板Sl之間產(chǎn)生的各種應(yīng)力通過(guò)第一 基板S1的去除工序中的第一基板S1的去除而被釋放，該被釋放的各種應(yīng)力轉(zhuǎn)移到第二基 板S2中。此時(shí)，由于在壓電體膜43和第二基板S2之間插入由具有比壓電體膜43低的楊 氏模量的材料構(gòu)成的粘合膜47a和47b，所以轉(zhuǎn)移到第二基板S2上的各種應(yīng)力被粘合膜47 緩和。由此，雖然通過(guò)本實(shí)施方式的制造方法得到的薄膜壓電致動(dòng)器40由單層的壓電層疊 體構(gòu)成，也可以有效地抑制元件的彎曲和彎曲移位。 此外，由第二電極膜41和支撐膜48夾著粘合膜47而形成層疊體P，第二電極膜 41和支撐膜48各自的楊氏模量比粘合膜47的楊氏模量高。因此，進(jìn)一步地抑制了元件的 彎曲和彎曲移位，并且可以形成抑制了壓電體膜43的移位量u(1)的阻礙的支撐體。此外， 由于由單層的壓電層疊體構(gòu)成，所以降低了制造成本。因此，根據(jù)本實(shí)施方式的薄膜壓電致 動(dòng)器40的制造方法，可以容易地制造能夠?qū)崿F(xiàn)由單層的壓電層疊體導(dǎo)致的高性能化、高可 靠性和低成本化的薄膜壓電致動(dòng)器。 此外，在制造層疊體L時(shí)，在外延生長(zhǎng)第一電極膜45之前，通過(guò)在第一基板Sl上 形成上表面具有{111}刻面的緩沖膜42，可以得到結(jié)晶取向較高的第一電極膜45。此外， 隨之還可以改善在第一電極膜45上外延生長(zhǎng)的壓電體膜43的結(jié)晶性，從而可以提高薄膜 壓電致動(dòng)器40的可靠性。 此外，由層疊體L、粘合膜47a、粘合膜47b和層疊體M構(gòu)成的層疊體P的形成采用 熱硬化法，而第二電極膜41和支撐膜48各自的熱膨脹系數(shù)比粘合膜47的熱膨脹系數(shù)小。 由此，當(dāng)由于熱硬化而引起收縮時(shí)，由于第二電極膜41和支撐膜48與粘合膜47的熱膨脹
11系數(shù)的差異而沿粘合膜47的中心方向外加牽拉應(yīng)力，從而使應(yīng)力相互抵消，進(jìn)一步地減少了層疊體P的彎曲。 進(jìn)一步地，在現(xiàn)有的兩層壓電層疊體結(jié)構(gòu)的情況下，只有在去除了導(dǎo)致移位阻礙的兩側(cè)的基板之后，才能正確地評(píng)估元件的特性，但是，在本實(shí)施方式的制造方法中，由于將在第二基板S2上隔著粘合膜47而形成的壓電體膜43圖案化，所以可以通過(guò)測(cè)量韋伯等級(jí)也可以正確地評(píng)估元件的介電常數(shù)等特性。 并且，為了形成變形例的薄膜壓電致動(dòng)器40A，在層疊體M的形成工序中，可以進(jìn)一步地在襯底膜44和支撐膜48之間形成樹脂膜46，在層疊體的加工工序之后，形成樹脂膜49時(shí)，涂敷構(gòu)成樹脂膜49的樹脂材料以進(jìn)一步地覆蓋粘合膜47、支撐膜48和樹脂膜46并使其硬化而形成薄膜壓電致動(dòng)器。 利用本變形例的薄膜壓電致動(dòng)器40A的制造方法，除了與利用本實(shí)施方式的薄膜壓電致動(dòng)器40的制造方法具有相同的效果以外，還可以得到以下的效果。S卩，可以容易地制造可以進(jìn)一步地抵消被減小的層疊體P2的變形且防止由外部應(yīng)力造成的對(duì)層疊體P2損壞的薄膜壓電致動(dòng)器。 接著，參考圖3說(shuō)明HGA10的組裝工序的一個(gè)例子。首先，通過(guò)激光點(diǎn)熔焊將撓曲板30固定在懸臂20上。此外，在確定薄膜壓電致動(dòng)器40相對(duì)于撓曲板30的位置之后，利用紫外線硬化型粘合劑等將其固定以使支撐膜48與壓電致動(dòng)器搭載區(qū)域36接觸。之后，使薄膜壓電致動(dòng)器40的第一區(qū)域40a上的電極41a和第二區(qū)域40b上的電極41b以施加反相的交流電的方式被連接到壓電致動(dòng)器搭載區(qū)域36的后端部36b上的對(duì)應(yīng)的電極墊39a d上。接著，利用粘合劑等將磁頭滑塊50搭載并固定在磁頭滑塊搭載區(qū)域38和移位傳送板33上，并且將磁頭滑塊50上的記錄用墊和讀出用墊粘合在磁頭滑塊搭載區(qū)域38上的記錄用電極和讀出用電極上，從而得到HGAIO。 通過(guò)采用由上述制造方法得到的薄膜壓電致動(dòng)器40組裝HGAIO，可以制作能夠?qū)崿F(xiàn)高性能化、高可靠性和低成本化的HGA10。此外，在上述的HGAIO的組裝中，為了使支撐膜48與壓電致動(dòng)器搭載區(qū)域36接觸而將薄膜壓電致動(dòng)器40固定在壓電致動(dòng)器搭載區(qū)域36上，從而使薄膜壓電致動(dòng)器40的第一電極膜45位于移位傳送板33的下表面?zhèn)?，然而，由于薄膜壓電致?dòng)器40被設(shè)計(jì)為當(dāng)受到外加的電壓時(shí)沿長(zhǎng)度方向移位，所以即使將第一電極膜45在接近壓電致動(dòng)器搭載區(qū)域36的方向上搭載薄膜壓電致動(dòng)器40，也不影響HGA10的功能。 以上說(shuō)明了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是上述實(shí)施方式在不脫離本發(fā)明的精神的范圍下可以進(jìn)行各種各樣的變型。雖然在根據(jù)本實(shí)施方式的薄膜壓電致動(dòng)器40中，粘合膜47a、47b由環(huán)氧樹脂構(gòu)成，但是不局限于此，只要楊氏模量比壓電體膜43的小即可，也可以是聚酰亞胺樹脂，丙烯樹脂，硅酮樹脂，聚酰亞胺硅樹脂，氟樹脂等。 此外，第二電極膜41和支撐膜48不局限于上述公開的內(nèi)容，只要是具有比粘合膜47a、47b高的楊氏模量的硬質(zhì)材料，或是具有比粘合膜47a、47b低的熱膨脹系數(shù)的材料即可，也可以是陶瓷等。
權(quán)利要求
一種薄膜壓電體元件的制造方法，其特征在于，具有在第一基板上依次層疊第一電極膜、壓電體膜以及第二電極膜而形成第一層疊體的工序；在第二基板上層疊支撐膜而形成第二層疊體的工序；以所述第二電極膜和所述支撐膜相對(duì)的方式利用粘合膜粘合所述第一層疊體和所述第二層疊體而形成由所述第一層疊體、所述粘合膜以及所述第二層疊體構(gòu)成的第三層疊體的工序；從所述第三層疊體中去除所述第一基板的工序；在所述去除第一基板的工序之后，將所述第三層疊體加工為期望的形狀的工序；以及在所述加工第三層疊體的工序之后，去除所述第二基板的工序，所述粘合膜的楊氏模量比所述壓電體膜的楊氏模量低，所述第二電極膜和所述支撐膜各自的楊氏模量比所述粘合膜的楊氏模量高，所述第三層疊體除了所述壓電體膜以外沒(méi)有其他的壓電體膜。
2. 如權(quán)利要求1所述的薄膜壓電體元件的制造方法，其特征在于， 在所述形成第三層疊體的工序中，通過(guò)使粘合劑熱硬化而形成所述粘合膜， 所述第二電極膜以及所述支撐膜各自的熱膨脹系數(shù)比所述粘合膜的熱膨脹系數(shù)小。
3. —種薄膜壓電體元件，其特征在于，包括依次層疊有支撐膜、粘合膜、第二電極膜、壓電體膜以及第一電極膜的層疊體， 所述粘合膜的楊氏模量比所述壓電體膜的楊氏模量低，所述第二電極膜和所述支撐膜各自的楊氏模量比所述粘合膜的楊氏模量高， 所述薄膜壓電體元件除了所述壓電體膜以外沒(méi)有其他的壓電體膜。
4. 如權(quán)利要求3所述的薄膜壓電體元件，其特征在于， 還具有覆蓋所述壓電體膜表面的絕緣膜。
5. 如權(quán)利要求3所述的薄膜壓電體元件，其特征在于， 還具有密封所述層疊體的絕緣膜。
6. —種磁頭懸架組件，其特征在于， 具有磁頭滑塊，所述磁頭滑塊具有相對(duì)于記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄或讀出這兩者中至少其一的薄 膜磁頭；搭載有所述磁頭滑塊的懸架；以及薄膜壓電體元件，所述薄膜壓電體元件搭載在所述懸架的搭載面上且使所述磁頭滑塊 相對(duì)于所述懸架相對(duì)地移位，所述薄膜壓電體元件具有依次層疊有支撐膜、粘合膜、第二電極膜、壓電體膜以及第一 電極膜的層疊體，所述粘合膜的楊氏模量比所述壓電體膜的楊氏模量低，所述第二電極膜以及所述支撐膜各自的楊氏模量比所述粘合膜的楊氏模量高， 所述薄膜壓電體元件除了所述壓電體膜以外沒(méi)有其他的壓電體膜。
7. —種硬盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于， 具有如權(quán)利要求6所述的磁頭懸架組件。
全文摘要
本發(fā)明涉及薄膜壓電體元件及其制造方法、采用該元件的磁頭懸架組件以及使用磁頭懸架組件的硬盤驅(qū)動(dòng)器。該元件制造方法具有在第一基板上層疊第一電極膜、壓電體膜和第二電極膜形成層疊體(L)的工序、在第二基板上層疊支撐膜形成層疊體(M)的工序、使第二電極膜與支撐膜相對(duì)并由粘合膜粘合層疊體(L)和層疊體(M)形成由層疊體(L)、粘合膜和層疊體(M)構(gòu)成的層疊體(P)的工序、從層疊體(P)去除第一基板的工序、去除第一基板工序后將層疊體(P)加工為期望形狀的工序、加工層疊體(P)工序后去除第二基板的工序；粘合膜的楊氏模量比壓電體膜的低，第二電極膜和支撐膜的楊氏模量均比粘合膜的高，層疊體(P)除上述壓電體膜外無(wú)其他壓電體膜。
文檔編號(hào)H01L41/083GK101789487SQ20091024686
公開日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2009年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月21日
發(fā)明者倉(cāng)知克行, 佐佐木宏文, 秦健次郎 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社;新科實(shí)業(yè)有限公司