專利名稱：一種實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子超深亞微米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件(CMOS)技術(shù)和極大規(guī) 模集成技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于納米尺度互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件以及電路的金屬 柵電極的制備方法，詳細(xì)地是涉及一種實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法。
背景技術(shù)：
自從第一個(gè)晶體管發(fā)明以來，經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的飛速發(fā)展，晶體管的橫向和縱向 尺寸都迅速縮小。根據(jù)國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖(ITRS)的預(yù)測，到2018年晶體管的特征 尺寸將達(dá)到7nm。尺寸的持續(xù)縮小使晶體管的性能(速度)和集成度不斷提高，集成電路的 功能越來越強(qiáng)，同時(shí)降低了單位功能成本。在集成電路的發(fā)展中，多晶硅作為柵電極已有四十多年的歷史，但是當(dāng)傳統(tǒng)的多 晶硅柵晶體管尺寸縮小到一定程度后，將出現(xiàn)多晶硅耗盡效應(yīng)和P型場效應(yīng)晶體管硼穿透 效應(yīng)以及過高的柵電阻，這將阻礙晶體管性能的提升，成為進(jìn)一步提高互補(bǔ)金屬氧化物半 導(dǎo)體(CMOS)器件性能的瓶頸。為了解決這些問題，研究人員進(jìn)行了大量的研究工作以尋找合適的替代技術(shù)。而 金屬柵被認(rèn)為是最有希望的替代技術(shù)。用金屬作柵電極，可以從根本上消除多晶硅柵耗盡 效應(yīng)和P型場效應(yīng)晶體管的硼(B)穿透效應(yīng)，同時(shí)獲得非常低的柵極薄層電阻。而且金屬 柵則能很好的與高介電常數(shù)柵介質(zhì)兼容，有效地克服費(fèi)米釘扎效應(yīng)。因此金屬柵制備技術(shù) 和方法成為非常重要的研究內(nèi)容。在各類金屬柵制備方法中，全硅化金屬柵技術(shù)是一種比較簡單的制備方法，并與 CMOS工藝具有很好的兼容性。由于全硅化金屬柵要求柵全部硅化，與源漏硅化物工藝的要 求相矛盾，因此需要將柵和源漏分開形成硅化物。國際上一般都采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP) 技術(shù)來實(shí)現(xiàn)源漏和柵的分開硅化，然而CMP技術(shù)存在工藝復(fù)雜、成本高，以及CMP后柵電極 的高度受圖形的密度和尺寸的影響等問題。因此采用非CMP技術(shù)來實(shí)現(xiàn)源漏和柵的分開硅 化成為研究熱點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，以達(dá)到簡單、方便的 實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的目的。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，主要步驟包括1)局部氧化隔離或淺槽隔離，柵氧化并沉積多晶硅；2)淀積二氧化硅硬掩膜；3)光刻、刻蝕形成多晶硅柵電極；4)淀積二氧化硅并刻蝕形成側(cè)墻；5)源漏雜質(zhì)注入并激活，6)形成源漏硅化物；
7)淀積源漏保護(hù)介質(zhì)層；8)旋涂光刻膠，回刻光刻膠至柵頂部介質(zhì)層露頭，刻蝕柵頂部介質(zhì)層和硬掩膜，去 除光刻膠；9)淀積金屬鎳Ni，退火硅化，使金屬鎳和多晶硅完全反應(yīng)形成全硅化物金屬柵；10)選擇去除未反應(yīng)的金屬鎳Ni ；上述步驟1局部氧化隔離或淺槽隔離的步驟中，氧化溫度為1000°C，隔離層厚度 為3000至5000 A;所述柵氧化并沉積多晶硅的步驟中，柵氧化的厚度為15至50入，沉積多 晶硅采用化學(xué)氣相淀積LPCVD方法，沉積的多晶硅的厚度為800至2000 A。上述步驟2淀積二氧化硅硬掩膜步驟中，淀積二氧化硅采用化學(xué)氣相淀積LPCVD 方法，淀積的二氧化硅厚度為700至2000 A。上述步驟3在光刻、刻蝕形成多晶硅柵電極的步驟中，包括采用厚度為1. 5微米 的9918膠作為掩模進(jìn)行光刻，采用反應(yīng)離子刻蝕二氧化硅和多晶硅，將場區(qū)內(nèi)多晶硅刻蝕 干凈，形成多晶硅柵電極。上述步驟4淀積二氧化硅并刻蝕形成側(cè)墻的步驟中，淀積二氧化硅采用化學(xué)氣相 淀積LPCVD方法，淀積的二氧化硅厚度為500至2000人;然后采用反應(yīng)離子刻蝕二氧化硅， 將有源區(qū)上的二氧化硅刻干凈，在柵電極兩側(cè)形成二氧化硅側(cè)墻。上述步驟5源漏雜質(zhì)注入并激活步驟中，P型場效應(yīng)晶體管注入的雜質(zhì)為P型雜 質(zhì)BF2, N型場效應(yīng)晶體管注入的雜質(zhì)為N型雜質(zhì)As ；對于P型雜質(zhì)BF2，注入條件為注入 能量15至30Kev，注入劑量為IX IO15至5X IO15CnT2 ；對于N型雜質(zhì)As，注入條件為注入能 量30至60Kev，注入劑量為1 X IO15至5 X IO15CnT2 ；雜質(zhì)激活的條件為溫度950至1020°C， 時(shí)間2至20秒。上述步驟6形成源漏硅化物步驟中，淀積金屬鎳Ni的厚度為50至200A，退火條 件為溫度400至550°C，時(shí)間30至60秒。上述步驟7淀積源漏保護(hù)介質(zhì)層步驟中，淀積的源漏保護(hù)介質(zhì)層為低溫淀積二氧 化硅，淀積低溫淀積二氧化硅采用化學(xué)氣相淀積LPCVD方法，淀積的低溫淀積二氧化硅厚 度為500至1000 A。上述步驟8旋涂光刻膠步驟中，旋涂的光刻膠為稀釋后的9912光刻膠，光刻膠厚 度為6700人左右；回刻光刻膠至柵頂部介質(zhì)層露頭步驟中，采用反應(yīng)離子刻蝕光刻膠至柵 電極頂部的介質(zhì)層充分露出，并保證在源漏區(qū)域上仍然留有足夠的光刻膠保護(hù)源漏；所述 刻蝕柵頂部介質(zhì)層和硬掩膜步驟中，采用反應(yīng)離子刻蝕介質(zhì)層和硬掩膜至多晶硅柵電極頂 部充分露出，并保證在源漏區(qū)域上仍然留有足夠的光刻膠保護(hù)源漏；所述的去除光刻膠的 步驟中，采用去膠3#腐蝕液清洗15分鐘，清洗3#腐蝕液清洗10分鐘，1#腐蝕液清洗5分鐘； 該3#腐蝕液是體積比為5 1 WH2SO4與H2O2溶液；該1#腐蝕液是體積比為0.8 :1:5 的 ΝΗ40Η+ΗΑ+Η20 溶液；上述步驟9淀積金屬鎳Ni并退火硅化的步驟中，淀積金屬鎳Ni的厚度為600至 2000 A，退火條件為溫度500至580°C，時(shí)間30至60秒。上述步驟10選擇去除未反應(yīng)的金屬鎳M的步驟中，采用3#腐蝕液進(jìn)行腐蝕去除， 該3#腐蝕液為體積比5 1 WH2SO4與H2O2溶液，腐蝕時(shí)間為20至30分鐘。本發(fā)明的有益效果
1)本發(fā)明提供的這種實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，能夠方便實(shí)現(xiàn)源漏和柵電極 的分開硅化，增加了工藝的靈活性，克服了源漏和柵電極硅化的矛盾。2)本發(fā)明提供的這種實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，能夠克服CMP技術(shù)的缺點(diǎn)， 降低制備的難度和成本。3)本發(fā)明提供的這種實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，其制備方法簡單，易于集成， 與CMOS工藝具有很好的兼容性，具有很大的應(yīng)用價(jià)值。


圖1是本發(fā)明提供的實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法流程圖；圖2(a)-圖2(g)是本發(fā)明提供的制備金屬柵電極的工藝流程圖；圖3是利用本發(fā)明提供的方法所制備的旋涂光刻膠后的柵結(jié)構(gòu)的掃描電子顯微 鏡(SEM)圖；圖4是利用本發(fā)明提供的方法制備的回刻光刻膠露出柵頂部介質(zhì)層的SEM圖；圖5是利用本發(fā)明提供的方法制備的去除柵頂部低溫淀積二氧化硅和硬掩膜后 的柵結(jié)構(gòu)SEM圖；圖中的符號1-體硅襯底，2-源漏，3-側(cè)墻，4-硬掩膜，5-多晶硅柵電極，6_淀積的低溫淀積二 氧化硅，7-光刻膠，8-淀積的金屬Ni，9-反應(yīng)生成的Ni全硅化金屬柵電極。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照 附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明采用淀積源漏保護(hù)層，旋涂光刻膠并回刻的方法實(shí)現(xiàn)源漏和柵電極的分開硅化。如圖1所示，圖1是本發(fā)明提供的實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法流程圖，該方法包 括以下步驟步驟101 局部氧化隔離或淺槽隔離，柵氧化并沉積多晶硅；在本步驟中，氧化溫 度為1000°c，隔離層厚度為3000至5000 A;柵氧化的厚度為15至50 A，沉積多晶硅采用化學(xué)氣相淀積LPCVD方法，沉積的多 晶硅的厚度為1000至2000 A。步驟102 淀積二氧化硅硬掩膜；淀積二氧化硅采用化學(xué)氣相淀積LPCVD方法，淀 積的二氧化硅的厚度為1000至2000入。步驟103 光刻、刻蝕形成多晶硅柵電極；在本步驟中，采用厚度為1. 5微米的9918膠作為掩模進(jìn)行光刻，采用反應(yīng)離子刻 蝕二氧化硅和多晶硅，將場區(qū)內(nèi)多晶硅刻蝕干凈，形成多晶硅柵電極。步驟104 淀積二氧化硅并刻蝕形成側(cè)墻；在本步驟中，淀積二氧化硅采用化學(xué)氣 相淀積LPCVD方法，淀積的二氧化硅厚度為500至2000 A;然后采用反應(yīng)離子刻蝕二氧化 硅，將有源區(qū)上的二氧化硅刻干凈，在柵電極兩側(cè)形成二氧化硅側(cè)墻。步驟105 源漏雜質(zhì)注入并激活，源漏硅化物；所述源漏雜質(zhì)注入并激活步驟中，注入的雜質(zhì)為P型雜質(zhì)BF2,或者N型雜質(zhì)As ；對于P型雜質(zhì)BF2,注入條件為注入能量5 至30Kev，注入劑量為1\1015至5\1015側(cè)-2 ；對于N型雜質(zhì)As，注入條件為注入能量30至 60Kev，注入劑量為IXlO15至5X IO15CnT2 ；雜質(zhì)激活的條件為溫度950至1020°C，時(shí)間2 至20秒。所述的源漏硅化物步驟中，淀積金屬鎳Ni的厚度為50至200 A，退火條件為溫 度400至550°C，時(shí)間30至60秒。步驟106 淀積源漏保護(hù)介質(zhì)層；在本步驟中，淀積的源漏保護(hù)介質(zhì)層為低溫淀積 二氧化硅，淀積低溫淀積二氧化硅采用化學(xué)氣相淀積LPCVD方法，淀積的低溫淀積二氧化 硅厚度為500至1000 A。步驟107 旋涂光刻膠，回刻光刻膠至柵頂部介質(zhì)層露頭，刻蝕柵頂部介質(zhì)層和硬 掩膜，去除光刻膠；本步驟中旋涂的光刻膠為稀釋后的9912光刻膠，光刻膠厚度為6700A 左右；回刻光刻膠至柵頂部介質(zhì)層露頭步驟中，采用反應(yīng)離子刻蝕光刻膠至柵電極頂部的 介質(zhì)層充分露出，并保證在源漏區(qū)域上仍然留有足夠的光刻膠保護(hù)源漏；刻蝕柵頂部介質(zhì) 層和硬掩膜步驟中，采用反應(yīng)離子刻蝕介質(zhì)層和硬掩膜至多晶硅柵電極頂部充分露出，并 保證在源漏區(qū)域上仍然留有足夠的光刻膠保護(hù)源漏；去除光刻膠的步驟中，采用去膠3#腐 蝕液清洗15分鐘，清洗3#腐蝕液清洗10分鐘，1#腐蝕液清洗5分鐘；該3#腐蝕液是體積 比為5 1 WH2SO4與H2O2溶液；該1#腐蝕液是體積比為0.8 1 5的ΝΗ40Η+Η2&+Η20溶 液；步驟108 淀積金屬鎳Ni，退火硅化，使金屬鎳和多晶硅完全反應(yīng)形成全硅化物金 屬柵；在本步驟中，淀積金屬鎳Ni的厚度為600至2000 Α，退火條件為溫度500至 580°C，時(shí)間30至60秒。步驟109 選擇去除未反應(yīng)的金屬鎳Ni ；在本步驟中，采用3#腐蝕液進(jìn)行腐蝕去除，該3#腐蝕液為體積比5 1的吐504與 H2O2溶液，腐蝕時(shí)間為20至30分鐘。圖2(a)_(g)給出了本發(fā)明提供的實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的工藝流程圖；其中， (a)為源漏硅化物完成并淀積低溫淀積二氧化硅后的結(jié)構(gòu)示意圖；(b)為旋涂光刻膠示意 圖；(c)為回刻光刻膠至柵頂部介質(zhì)層露出后示意圖；(d)為刻蝕柵頂部介質(zhì)層和硬掩膜后 示意圖；(e)為去除光刻膠后示意圖；(f)為淀積金屬Ni后示意圖；(g)為退火反應(yīng)生成全 硅化金屬柵并去除未反應(yīng)的金屬M(fèi)后示意圖。以下結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā) 明提供的技術(shù)方案步驟1 場氧化；IOOO0C,5000 A;步驟2 柵氧化；厚度20 A;步驟3 化學(xué)氣相淀積LPCVD多晶硅；1800 A;步驟4 化學(xué)氣相淀積LPCVD 二氧化硅；1500 A;步驟5 去背面二氧化硅和多晶硅，并漂凈背面氧化層；步驟6 光刻多晶硅；9918膠，1. 5微米；步驟7 反應(yīng)離子刻蝕二氧化硅和多晶硅；場區(qū)刻干凈多晶硅；步驟8 化學(xué)氣相淀積LPCVD 二氧化硅；2000 A;步驟9 反應(yīng)離子刻蝕二氧化硅在柵電極兩側(cè)形成側(cè)墻；
步驟10 源漏雜質(zhì)注入；注入雜質(zhì)As，注入能量30Kev，注入劑量為3X IO15cnT2 ；步驟11 源漏硅化物；淀積金屬鎳Ni的厚度為120 A，退火溫度480°C，時(shí)間40 秒；步驟12 化學(xué)氣相淀積LPCVD低溫淀積二氧化硅；1000 A ；步驟13 旋涂光刻膠；7000 A ；步驟14 反應(yīng)離子刻蝕光刻膠；刻至柵頂部介質(zhì)層露頭，同時(shí)源漏仍有光刻膠保 護(hù)源漏；步驟15 反應(yīng)離子刻蝕柵頂部介質(zhì)層和硬掩膜；刻至多晶硅柵電極頂部充分露 出，同時(shí)源漏區(qū)域上仍然留有足夠的光刻膠保護(hù)源漏；步驟16:去除光刻膠；去膠3#液(H2SO4 H2O2 = 5 1)，15分鐘；清洗3#液 (H2SO4 H2O2 = 5 1)，10 分鐘；1# 液(NH40H+H202+H20 = 0. 8 1 5)，5 分鐘；步驟17 濺射金屬鎳Ni ；厚度2000 A;步驟18 快速熱退火RTA ；溫度540°C，時(shí)間40秒；步驟19 選擇腐蝕；3#液(H2SO4 H2O2 = 5 1),25分鐘，將未反應(yīng)的金屬鎳Ni 去除。圖3是利用本發(fā)明提供的方法所制備的旋涂光刻膠后的柵結(jié)構(gòu)的SEM圖；從圖中 可以明顯的看出柵結(jié)構(gòu)頂部的光刻膠厚度要小于源漏上的光刻膠厚度，這為下一步回刻光 刻膠創(chuàng)造了條件；圖4是利用本發(fā)明提供的方法制備的回刻光刻膠露出柵頂部介質(zhì)層的SEM圖；從 圖中可以看出柵頂部的光刻膠已經(jīng)刻干凈，而且柵頂部的介質(zhì)層在回刻光刻膠工藝過程中 沒有受到刻蝕工藝損害；源漏區(qū)域仍保留有光刻膠以便在后續(xù)的刻蝕工藝過程中有效的保 護(hù)源漏；圖5是利用本發(fā)明提供的方法制備的去除柵頂部低溫淀積二氧化硅和硬掩膜后 的柵結(jié)構(gòu)SEM圖；從圖中可以看出柵頂部的介質(zhì)層已經(jīng)去除干凈，露出了下面的多晶硅電 極。而且該程序?qū)υ绰┑墓饪棠z造成了一定的破壞，光刻膠發(fā)生變形，但是這并沒有影響到 源漏區(qū)上的介質(zhì)層，光刻膠很好的保護(hù)了源漏上的LPCVD低溫淀積二氧化硅介質(zhì)層。以上所述的具體實(shí)施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳 細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡 在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保 護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，主要步驟包括1)局部氧化隔離或淺槽隔離，柵氧化并沉積多晶硅；2)淀積二氧化硅硬掩膜；3)光刻、刻蝕形成多晶硅柵電極；4)淀積二氧化硅并刻蝕形成側(cè)墻；5)源漏雜質(zhì)注入并激活，6)形成源漏硅化物；7)淀積源漏保護(hù)介質(zhì)層；8)旋涂光刻膠，回刻光刻膠至柵頂部介質(zhì)層露頭，刻蝕柵頂部介質(zhì)層和硬掩膜，去除光 刻膠；9)淀積金屬鎳Ni，退火硅化，使金屬鎳和多晶硅完全反應(yīng)形成全硅化物金屬柵；10)選擇去除未反應(yīng)的金屬鎳Ni。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，其中，步驟1局部氧化隔離或 淺槽隔離中，氧化溫度為1000°C，隔離層厚度為3000至5000 A;所述柵氧化并沉積多晶硅中，柵氧化的厚度為15至50 A，沉積多晶硅采用化學(xué)氣相淀 積法，沉積的多晶硅的厚度為800至2000 A。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，其中，步驟2淀積二氧化硅硬 掩膜中，淀積二氧化硅采用化學(xué)氣相淀積方法，淀積的TEOS厚度為700至2000 A。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，其中，步驟3中的光刻、刻蝕 形成多晶硅柵電極包括采用厚度為1. 5微米的9918膠作為掩模進(jìn)行光刻，采用反應(yīng)離子刻蝕二氧化硅和多晶 硅，將場區(qū)內(nèi)多晶硅刻蝕干凈，形成多晶硅柵電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，其中，步驟4淀積二氧化硅并 刻蝕形成側(cè)墻中，淀積二氧化硅是采用化學(xué)氣相淀積方法，淀積的二氧化硅厚度為500至 2000人；然后采用反應(yīng)離子刻蝕二氧化硅，將有源區(qū)上的二氧化硅刻干凈，在柵電極兩側(cè) 形成二氧化硅側(cè)墻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，其中，步驟5源漏雜質(zhì)注入并 激活中，注入的雜質(zhì)對P型場效應(yīng)晶體管為P型雜質(zhì)BF2,對N型場效應(yīng)晶體管為N型雜質(zhì) As ；對于P型雜質(zhì)BF2，注入條件為注入能量15至30Kev，注入劑量為IX IO15至 5 X IO15CnT2 ；對于N型雜質(zhì)As，注入條件為注入能量30至60Kev，注入劑量為1 X IO15至 5 X IO15CnT2 ；雜質(zhì)激活的條件為溫度950至1020°C，時(shí)間2至20秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，其中，步驟6形成源漏硅化 物中，淀積金屬鎳Ni的厚度為50至200 A，退火條件為溫度400至550°C，時(shí)間30至60秒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，其中，步驟7淀積源漏保護(hù)介質(zhì)層中，淀積的源漏保護(hù)介質(zhì)層為低溫淀積二氧化硅，淀積低溫淀積二氧化硅采用化學(xué)氣 相淀積方法，淀積的低溫淀積二氧化硅厚度為500至1000 A。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，其中，步驟8旋涂光刻膠中， 旋涂的光刻膠為稀釋后的9912光刻膠，光刻膠厚度為5000-8000A左右；回刻光刻膠至柵頂部介質(zhì)層露頭步驟中，采用反應(yīng)離子刻蝕光刻膠至柵電極頂部的介 質(zhì)層充分露出，并保證在源漏區(qū)域上仍然留有足夠的光刻膠保護(hù)源漏；刻蝕柵頂部介質(zhì)層和硬掩膜步驟中，采用反應(yīng)離子刻蝕介質(zhì)層和硬掩膜至多晶硅柵電 極頂部充分露出，并保證在源漏區(qū)域上仍然留有足夠的光刻膠保護(hù)源漏；去除光刻膠的步驟中，采用去膠3#腐蝕液清洗15分鐘，清洗3#腐蝕液清洗10分鐘，1# 腐蝕液清洗5分鐘；該3#腐蝕液是體積比為3-5 1的吐304與!1202溶液；該1#腐蝕液是 體積比為 0. 7-1 1 5 的 ΝΗ40Η+Η202+Η20 溶液；
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，其中，步驟9淀積金屬鎳Ni 并退火硅化中，淀積金屬鎳Ni的厚度為600至2000 A，退火條件為溫度500至580°C，時(shí) 間30至60秒。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，其中，步驟10選擇去除未反 應(yīng)的金屬鎳M中，采用3#腐蝕液進(jìn)行M的選擇腐蝕去除，該3#腐蝕液為體積比5 1的 H2SO4與H2A溶液，腐蝕時(shí)間為20至30分鐘。
全文摘要
一種實(shí)現(xiàn)源漏和柵分開硅化的方法，包括局部氧化隔離或淺槽隔離，柵氧化，并沉積多晶硅；淀積二氧化硅硬掩膜；光刻、刻蝕形成多晶硅柵電極；淀積二氧化硅并刻蝕形成側(cè)墻；源漏注入，形成源漏硅化物；淀積源漏保護(hù)介質(zhì)層；旋涂光刻膠；回刻光刻膠至柵頂部介質(zhì)層露頭；刻蝕柵頂部介質(zhì)層和硬掩膜；去除光刻膠；淀積金屬鎳Ni，退火硅化，使金屬鎳和多晶硅完全反應(yīng)形成全硅化物金屬柵；選擇去除未反應(yīng)的金屬鎳Ni。利用本發(fā)明，易于集成，節(jié)約成本，實(shí)現(xiàn)了與CMOS工藝的良好兼容。
文檔編號H01L21/28GK102074468SQ200910241538
公開日2011年5月25日 申請日期2009年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月25日
發(fā)明者周華杰, 徐秋霞 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所