專(zhuān)利名稱(chēng)：含有非晶絲材的電磁波吸收材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于磁性材料領(lǐng)域，涉及一種含有非晶絲材的電磁波吸收材料及其制備方法。
背景技術(shù)：
目前，以手機(jī)、筆記本電腦和數(shù)碼攝像機(jī)等為代表的新型移動(dòng)電子產(chǎn)品正在向小 型、多功能方向發(fā)展，其中采取的關(guān)鍵技術(shù)是高頻化、數(shù)字化和集成化。然而，由此產(chǎn)生的電 磁干擾日趨嚴(yán)重而產(chǎn)生了多方面的負(fù)面作用。吸收型電磁屏蔽材料的功效在于通過(guò)各種損 耗機(jī)制將入射電磁波轉(zhuǎn)換為熱能或其他形式的能量，使得電磁波既不向外部透射，也不向 內(nèi)部反射，是一種有效抑制電磁干擾的方法。常用的電磁波吸收材料通常以鐵氧體或非晶 粉末作為吸波劑，與聚合物復(fù)合制成薄板型或涂層型吸收材料。鐵氧體材料具有鐵磁共振吸收和磁導(dǎo)率散射效應(yīng)，自身電阻率高，是良好的吸波 劑，廣泛應(yīng)用于隱身技術(shù)領(lǐng)域。由于難以復(fù)合成厚度小于Imm的高吸收率薄片型吸波材料， 使其在手機(jī)、筆記本電腦和便攜式數(shù)碼產(chǎn)品中受到很大限制。非晶合金粉末具有良好的軟磁性能和較高的電阻率，是高頻電磁波吸收劑的優(yōu)選 材料。日立金屬開(kāi)發(fā)出“ABSORSHIELD K-E”系列電磁波吸收材料，采用單輥快淬方法制備 出非晶薄帶，再通過(guò)機(jī)械合金化的方法將薄帶粉碎，同時(shí)將SiO2包覆在非晶粉末上，壓成片 狀，制成吸波材料。阿爾卑斯電器株式會(huì)社開(kāi)發(fā)出“LIQUALL0Y”系列電磁波吸收材料，采用 水霧化或氣霧化方法制備出非晶合金粉末，再通過(guò)高能球磨方法將粉末研磨成厚度1-2微 米的扁平狀粉末，混入基體材料中制成片狀吸波材料。非晶粉末在片狀吸波材料的取向性對(duì)于其吸波性能的影響較大，理論上非晶粉末 長(zhǎng)度方向與材料厚度方向的夾角Φ為90度時(shí)，材料的吸波性能最好，由于非晶粉末形態(tài)以 及吸波材料制備工藝的原因，現(xiàn)有的制備技術(shù)僅能將夾角控制在80 < Φ <90度之間，限 制了吸波性能的進(jìn)一步提高。為了提高吸收率，其非晶粉末所占的體積比達(dá)到或超過(guò)50%， 造成吸波材料的密度較大。此外，采用非晶粉末制成的吸波材料的吸波性能隨著厚度的減小大幅下降，厚度 為0. 2mm以下的吸波材料性能較差。上述原因造成采用非晶粉末制備的吸波材料的重量和 厚度無(wú)法滿(mǎn)足現(xiàn)有電子產(chǎn)品向小型化、輕型化方向的發(fā)展趨勢(shì)。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種以非晶絲材作為吸波劑的電 磁波吸收材料及其制備方法，通過(guò)提高吸波劑的取向性，降低吸波材料的厚度和密度，制備 出性能高、厚度薄、質(zhì)量輕的吸波材料。具體的，本發(fā)明涉及一種電磁波吸收材料，其特征在于，所述電磁波吸收材料包括 非晶絲材和基體材料，其中所述非晶絲材作為吸波劑。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中所述非晶絲材的長(zhǎng)度方向與電磁波吸收材料的厚度方向基本垂直。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中所述非晶絲材的長(zhǎng)度方向與電磁波吸收材 料的厚度方向的夾角Φ在85 < Φ <90范圍內(nèi)，優(yōu)選在89 < Φ <90范圍內(nèi)。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中所述電磁波吸收材料呈片狀，其厚度不超 過(guò)1毫米，優(yōu)選不超過(guò)0. 5毫米，更優(yōu)選不超過(guò)0. 15毫米。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中所述非晶絲材是選自玻璃包覆非晶絲和非 晶裸絲中的至少一種。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中所述非晶絲材是長(zhǎng)度不小于Imm的絲材。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中所述基體材料是絕緣材料，優(yōu)選為選自橡 膠、樹(shù)脂、PC薄膜和膠膜一種或多種。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中非晶絲材分布于基體材料的表面，或嵌入 基體材料當(dāng)中，或在基體材料的夾層中。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中所述電磁波吸收材料的密度小于5g/cm3， 優(yōu)選小于3g/cm3，更優(yōu)選小于1. 5g/cm3。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中所述非晶絲材是淬態(tài)的，或者是經(jīng)過(guò)退火 處理的。進(jìn)一步的，本發(fā)明還涉及所述的電磁波吸收材料的制備方法，該方法包括如下步 驟(1)制備非晶絲材；(2)通過(guò)繞線(xiàn)的方式將非晶絲材排列在基體材料上。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中采用Taylor紡絲法制備玻璃包覆非晶絲， 從而制備所述非晶絲材。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中由內(nèi)圓水紡法或熔體淬取法制備非晶裸 絲，從而制備所述非晶絲材。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中采用將玻璃包覆非晶絲玻璃層剝離的方法 制備非晶裸絲，從而制備所述非晶絲材。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中制備非晶絲材的步驟包括對(duì)所述絲材進(jìn)行 退火處理的步驟。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中所述退火處理為等溫退火處理或直流焦耳 退火處理。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，其中在退火處理的過(guò)程中在絲材上施加應(yīng)力或 磁場(chǎng)。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，所述繞線(xiàn)的方式是使放絲裝置相對(duì)于所述基體 材料旋轉(zhuǎn)并平移的繞線(xiàn)方式。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，所述繞線(xiàn)的方式如下使所述基體材料固定，在 所述放絲裝置放絲的同時(shí)，所述放絲裝置圍繞所述基體材料以一固定的軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)并沿該 軸的軸向勻速平移。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，所述繞線(xiàn)的方式如下使所述放絲裝置固定，在 所述放絲裝置放絲的同時(shí)，所述基體材料圍繞一固定的軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)并沿該軸的軸向勻速移動(dòng)。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，所述繞線(xiàn)的方式如下在所述放絲裝置放絲的 同時(shí)，所述基體材料圍繞一固定的軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)且所述所述放絲裝置沿該軸的軸向勻速移動(dòng)。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，所述繞線(xiàn)方式如下在所述放絲裝置放絲的同 時(shí)，所述放絲裝置圍繞所述基體材料以一固定的軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，且所述基體材料沿該軸的軸 向勻速平移。


圖1為玻璃包覆非晶絲材的掃描電鏡照片(180倍)。
圖2為非晶裸絲材的掃描電鏡照片(50倍)。
圖3為吸波材料示意圖。
圖4為吸波材料單片制備方法。
圖5為吸波材料連續(xù)制備方法。
圖6為吸波材料性能測(cè)試原理圖。
圖7為吸波材料傳輸特性Sll測(cè)試結(jié)果。
圖8為吸波材料傳輸特性S21測(cè)試結(jié)果。
圖9為吸波材料傳輸損耗Rtp計(jì)算結(jié)果。
具體實(shí)施例方式在本發(fā)明中，非晶絲材的制備可以采用現(xiàn)有技術(shù)已知的多種方法，其中主要有以 下幾種1、玻璃包覆紡絲法玻璃包覆紡絲法是將母合金放在玻璃管底部，利用感應(yīng)加熱 的方式使玻璃管內(nèi)的母合金熔化。母合金熔化后的熱量傳導(dǎo)到玻璃管，使玻璃管底部軟化。 由拉力機(jī)構(gòu)從玻璃管底部拉出一個(gè)玻璃毛細(xì)管，毛細(xì)管中填充著合金絲材。通過(guò)噴嘴連續(xù) 噴出冷卻液到毛細(xì)管上，使其中的合金快速凝固，形成玻璃包覆非晶絲。此外，可以采用氫 氟酸溶液溶化的方式，將玻璃包覆非晶絲的玻璃層剝離，得到非晶裸絲。圖1中所示的玻璃 包覆非晶絲材是采用玻璃包覆紡絲法制備的絲材，即在金屬芯外包覆了一層玻璃層的復(fù)合 結(jié)構(gòu)。2、內(nèi)圓水紡法內(nèi)圓水紡法是在高速旋轉(zhuǎn)的鼓輪內(nèi)加入冷卻水，在離心力的作用 下，冷卻水在鼓輪的內(nèi)壁形成環(huán)形水池并隨旋轉(zhuǎn)鼓輪同步旋轉(zhuǎn)。將母合金放入石英噴嘴內(nèi)， 利用感應(yīng)加熱方式熔化母合金。再在石英管內(nèi)充入高壓氣體使熔融母合金液沿著鼓輪的一 側(cè)順流噴入水中急冷，獲得快速凝固的連續(xù)的內(nèi)圓水紡非晶裸絲。此外，本種絲材直徑在 100微米左右，可以根據(jù)需要對(duì)其進(jìn)行冷拔，從而降低絲材直徑，增加絲材長(zhǎng)度。圖2中示出 的非晶裸絲材是采用內(nèi)圓水紡法制備。3、熔體提拉法熔體提拉法利用感應(yīng)加熱的方式，采用錐形感應(yīng)線(xiàn)圈熔化母合金， 感應(yīng)線(xiàn)圈產(chǎn)生的磁懸浮力、熔化母合金的表面張力、母合金自身的重力三者達(dá)到平衡，在母 合金上端形成一個(gè)穩(wěn)定的熔潭。由導(dǎo)向裝置給進(jìn)母合金，同時(shí)利用導(dǎo)向裝置與母合金連接 的部位對(duì)母合金進(jìn)行冷卻，防止母合金頂端以外的部分熔化。熔潭上方有一個(gè)高速旋轉(zhuǎn)的圓形銅輪，銅輪邊緣呈錐狀，對(duì)熔化的母合金進(jìn)行切削，得到非晶裸絲。本發(fā)明中的吸波材料非晶絲材可以是淬態(tài)的，也可以是經(jīng)過(guò)退火處理的。所述退 火處理為等溫退火處理或者直流焦耳退火處理。等溫退火處理是指將非晶絲材放入退火爐 中，加熱到所需溫度，并保持一定時(shí)間。直流焦耳處理是指在非晶絲材上施加直流電流，并 保持一定時(shí)間。在上述退火處理過(guò)程中，可以根據(jù)需要在非晶絲材上施加應(yīng)力或磁場(chǎng)。施加應(yīng)力 可以采用在非晶絲材上懸掛砝碼或重物的方式；也可采用彈簧連接非晶絲材和應(yīng)力傳感 器，根據(jù)應(yīng)力傳感器測(cè)量值調(diào)節(jié)彈簧松緊，從而保持恒定應(yīng)力。施加磁場(chǎng)可以將絲材放入螺 線(xiàn)管當(dāng)中，在螺線(xiàn)管上施加直流電流產(chǎn)生直流磁場(chǎng)，將非晶絲材縱向沿磁場(chǎng)方向放置即可； 也可將非晶絲材繞在圓柱型卡具上，在卡具中心位置放置一根長(zhǎng)直導(dǎo)線(xiàn)，在導(dǎo)線(xiàn)上施加直 流磁場(chǎng)，這樣在導(dǎo)線(xiàn)周?chē)纬森h(huán)形磁場(chǎng)，磁場(chǎng)方向與非晶絲材縱向一致。上述制備方法及退火方法均為本領(lǐng)域技術(shù)人員所了解的方法，本領(lǐng)域技術(shù)人員能 夠根據(jù)具體的情況選擇合適的工藝參數(shù)。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，本發(fā)明的非晶絲材可以是如下所述的非晶絲 材，該非晶絲材是包括金屬芯和玻璃層的復(fù)合材料，其中該玻璃層包覆該金屬芯，其中所述 金屬芯是非晶材料且其組成按質(zhì)量百分比包括1-15質(zhì)量％的卩一；2-12 質(zhì)量％ ；總量為2-25質(zhì)量％的選自B、Nb、Cu、Mn、Mo、Ni、Cr和Al中的一種或多種元素； 以及余量的Co。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明的非晶絲材由具有上述組成的金屬芯構(gòu)成 的非晶裸絲。圖3為吸波材料示意圖，非晶絲材均勻排列在基體薄膜和雙面膠之間。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，吸波材料單片制備方法示意圖如圖4所示，首先，將 基體薄膜固定在圓柱型卡具上；接著，將非晶絲材的絲頭固定在基體薄膜右側(cè)一端；然后， 勻速轉(zhuǎn)動(dòng)圓柱型卡具，同時(shí)，放絲裝置勻速平移，將非晶絲材繞在基體薄膜的表面；再次，非 晶絲材排列到基體薄膜左側(cè)一端時(shí)圓柱型卡具和放絲裝置同時(shí)停止運(yùn)動(dòng)；接著，將雙面膠 貼覆到基體薄膜含有非晶絲材一側(cè)的表面上，并覆上離形紙；最后，將含有非晶絲材的電磁 波吸收材料從圓柱型卡具上剪裁下來(lái)，即完成了單片吸波材料的制備過(guò)程。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，吸波材料連續(xù)制備方法示意圖如圖5所示，首先， 將兩側(cè)基體薄膜重疊水平放置；接著，將非晶絲材的絲頭固定在基體薄膜一端；然后，勻速 拉動(dòng)基體薄膜，同時(shí)，放絲裝置圍繞基體薄膜勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，將非晶絲材繞在基體薄膜的表面； 再次，將雙面膠貼覆到兩張基體薄膜含有非晶絲材一側(cè)的表面上，并覆上離形紙；最后，沿 著基體薄膜的邊緣進(jìn)行剪切，并將兩張含有非晶絲材的電磁波吸收材料分別卷取，即完成 了連續(xù)吸波材料的制備過(guò)程。通過(guò)上述方法制備出的電磁波吸收材料，其吸波性能采用IEC62333國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)中， 微帶線(xiàn)的方法進(jìn)行測(cè)試。圖6是吸波性能的測(cè)試原理圖，其中附圖標(biāo)記41為吸波材料，42 是微帶線(xiàn)，43是網(wǎng)絡(luò)分析儀。在測(cè)試時(shí)，將吸波材料平放在微帶線(xiàn)上，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量吸波材料的Sll和S21參數(shù)。實(shí)施例1 采用玻璃包覆紡絲法制備出淬態(tài)玻璃包覆非晶絲，成分為Co72Fe5Si8B15，絲材金屬 芯直徑為16微米，玻璃層厚度為3微米。淬態(tài)玻璃包覆非晶絲經(jīng)過(guò)等溫退火處理，處理溫度400°C，處理時(shí)間1小時(shí)。吸波材料制備方法示意圖如圖4所示，首先，將PC薄膜固定在圓柱型卡具上；接 著，將非晶絲材粘在PC薄膜右側(cè)；然后，勻速轉(zhuǎn)動(dòng)圓柱型卡具，轉(zhuǎn)速2轉(zhuǎn)/秒；同時(shí)，放絲裝 置勻速平移，平移速度1. 6mm/秒；接著，非晶絲材排列到PC薄膜左側(cè)時(shí)圓柱型卡具和放絲 裝置同時(shí)停止運(yùn)動(dòng)；最后，將雙面膠貼覆到PC薄膜帶有非晶絲材一側(cè)的上方，并將其剪切 下來(lái)。所得到的吸波材料示意圖如圖3所示，非晶絲材夾在PC薄膜和雙面膠的中間。非 晶絲材采用繞線(xiàn)的方式有序排列在PC薄膜表面上，非晶絲材間距0. 8mm,再將雙面膠貼覆 到非晶絲材上方。上述吸波材料，非晶絲材長(zhǎng)度方向與電磁波吸收材料厚度方向的夾角Φ在 89 < Φ < 90范圍內(nèi)；其厚度為0. 12毫米；其密度為1. 3g/cm3。比較例1采用非晶粉末作為吸波劑制作的吸波材料，非晶粉末的組成為Co72Fe5Si8B15t5 通過(guò)使上述非晶粉末夾在與實(shí)施例1相同的PC薄膜和雙面膠中間，制備出夾角Φ在 80 ^ Φ ^ 90范圍、厚度為0. 5毫米、密度為3. 8g/cm3的吸波材料。圖7為電磁波吸收材料放置于微帶線(xiàn)上時(shí)表示反射的傳輸特性參數(shù)S11，由圖可 見(jiàn)，本發(fā)明的實(shí)施例1和比較例1相比，在2GHz以下時(shí)，Sll參數(shù)接近，在高于2GHz時(shí)，本 發(fā)明的實(shí)施例1的Sll參數(shù)明顯低于比較例，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例1的反射低于比較例。圖8為電磁波吸收材料放置于微帶線(xiàn)上時(shí)表示透射的傳輸特性參數(shù)S21，由圖可 見(jiàn)，本發(fā)明的實(shí)施例1和比較例1相比，本發(fā)明的實(shí)施例1的S21參數(shù)明顯低于比較例1，說(shuō) 明本發(fā)明的實(shí)施例1的透射低于比較例1。圖9為通過(guò)計(jì)算得到的電磁波吸收材料傳輸損耗特性曲線(xiàn)Rtp，由圖可見(jiàn)，本發(fā)明 的實(shí)施例1和比較例1相比，本發(fā)明的實(shí)施例1的RtP參數(shù)明顯低于比較例1，說(shuō)明本發(fā)明 的實(shí)施例1與比較例1相比具有更高的傳輸衰減，即表現(xiàn)出更好的電磁噪聲抑制效果。
8
權(quán)利要求
一種電磁波吸收材料，其特征在于，所述電磁波吸收材料包括非晶絲材和基體材料，其中所述非晶絲材作為吸波組分。
2.權(quán)利要求1所述的電磁波吸收材料，其中所述非晶絲材的長(zhǎng)度方向與電磁波吸收材 料的厚度方向基本垂直。
3.權(quán)利要求2所述的電磁波吸收材料，其中所述非晶絲材的長(zhǎng)度方向與電磁波吸收材 料的厚度方向的夾角Φ在85 < Φ <90范圍內(nèi)，優(yōu)選在89 < Φ <90范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1-3中任何一項(xiàng)所述的電磁波吸收材料，其中所述電磁波吸收材料呈片 狀，其厚度不超過(guò)1毫米，優(yōu)選不超過(guò)0. 5毫米，更優(yōu)選不超過(guò)0. 15毫米。
5.如權(quán)利要求1-3中任何一項(xiàng)所述的電磁波吸收材料，其中所述非晶絲材是選自玻璃 包覆非晶絲和非晶裸絲中的至少一種。
6.如權(quán)利要求5所述的電磁波吸收材料，其中所述非晶絲材是長(zhǎng)度不低于1毫米的絲材。
7.如權(quán)利要求1-3中任何一項(xiàng)所述的電磁波吸收材料，其中所述基體材料是絕緣材 料，優(yōu)選為選自橡膠、樹(shù)脂、PC薄膜和膠膜一種或多種。
8.如權(quán)利要求1-3中任何一項(xiàng)所述的電磁波吸收材料，其中非晶絲材分布于基體材料 的表面，或嵌入基體材料當(dāng)中，或在基體材料的夾層中。
9.如權(quán)利要求1-3中任何一項(xiàng)所述的電磁波吸收材料，其中所述電磁波吸收材料的密 度小于5g/cm3，優(yōu)選小于3g/cm3，更優(yōu)選小于1. 5g/cm3。
10.如權(quán)利要求1-3中任何一項(xiàng)所述的電磁波吸收材料，其中所述非晶絲材是淬態(tài)的， 或者是經(jīng)過(guò)退火處理的。
11.權(quán)利要求1-10中任何一項(xiàng)所述的電磁波吸收材料的制備方法，該方法包括如下步驟(1)制備非晶絲材；(2)通過(guò)繞線(xiàn)的方式將非晶絲材排列在基體材料上。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中采用Taylor紡絲法制備玻璃包覆非晶絲，從而制 備所述非晶絲材。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中由內(nèi)圓水紡法或熔體淬取法制備非晶裸絲，從而 制備所述非晶絲材。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中采用將玻璃包覆非晶絲玻璃層剝離的方法制備非 晶裸絲，從而制備所述非晶絲材。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中制備非晶絲材的步驟包括對(duì)所述絲材進(jìn)行退火處 理的步驟。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述退火處理為等溫退火處理或直流焦耳退火處理。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中在退火處理的過(guò)程中在絲材上施加應(yīng)力或磁場(chǎng)。
18.如權(quán)利要求11-17任何一項(xiàng)所述的方法，其中所述繞線(xiàn)的方式是使放絲裝置相對(duì) 于所述基體材料旋轉(zhuǎn)并平移的繞線(xiàn)方式。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述繞線(xiàn)的方式如下使所述基體材料固定，在所 述放絲裝置放絲的同時(shí)，所述放絲裝置圍繞所述基體材料以一固定的軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)并沿該軸的軸向勻速平移。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述繞線(xiàn)的方式如下使所述放絲裝置固定，在 所述放絲裝置放絲的同時(shí)，所述基體材料圍繞一固定的軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)并沿該軸的軸向勻速移動(dòng)。
21.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述繞線(xiàn)的方式如下在所述放絲裝置放絲的同 時(shí)，所述基體材料圍繞一固定的軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)且所述所述放絲裝置沿該軸的軸向勻速移動(dòng)。
22.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述繞線(xiàn)方式如下在所述放絲裝置放絲的同時(shí)， 所述放絲裝置圍繞所述基體材料以一固定的軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，且所述基體材料沿該軸的軸向勻 速平移。
全文摘要
本發(fā)明涉及含有非晶絲材的電磁波吸收材料及其制備方法。具體的，本發(fā)明涉及一種電磁波吸收材料，其特征在于，所述電磁波吸收材料包括非晶絲材和基體材料，其中所述非晶絲材作為吸波組分。本發(fā)明還涉及所述的電磁波吸收材料的制備方法，該方法包括如下步驟(1)制備非晶絲材；(2)通過(guò)繞線(xiàn)的方式將非晶絲材排列在基體材料上。
文檔編號(hào)H01F1/16GK101901660SQ20091023837
公開(kāi)日2010年12月1日 申請(qǐng)日期2009年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月2日
發(fā)明者劉天成, 盧志超, 周少雄, 張俊峰, 張宏浩, 李德仁, 陳征 申請(qǐng)人:安泰科技股份有限公司