專利名稱：發(fā)光二極管及其制程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及其制程，特別是涉及一種適合應(yīng)用于光電產(chǎn)品上的 發(fā)光二極管及其制程。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有制造發(fā)光二極管的制程具有下列步驟步驟101，是先在一基板沿一第一方向形成多條相間隔且鏤空的槽道，并于該基板 的一上、一下表面分別形成可導(dǎo)電的一上、一下電極層，每一槽道都是由兩平行該第一方向 的側(cè)壁面，及兩連接在所述側(cè)壁面間的端壁面所形成。步驟102，是分別對該上、下電極層蝕刻，以形成多沿該第一方向配置的上、下電 極部，及多個(gè)分別介于所述上、下電極部間的上、下蝕刻部，所述上、下蝕刻部不具有可導(dǎo)電性。步驟103，是在每一槽道的兩側(cè)壁面形成多個(gè)相間隔且分別與所述上、下電極部電 連接的連接電極部。步驟104，是在每一上蝕刻部兩側(cè)的兩上電極部間設(shè)置分別與所述上電極部電連 接的發(fā)光二極管芯片。步驟105，是在該基板的上表面形成多條避開該槽道且包覆所述發(fā)光二極管芯片、 所述上電極部及所述上蝕刻部的透明覆蓋層。步驟106，是沿一與該第一方向垂直的第二方向切割該基板及所述覆蓋層以形成 多個(gè)發(fā)光二極管。雖然透過前述制程可制得發(fā)光二極管，但為了形成分別與所述上、下電極部電連 接的連接電極部，須先在該基板形成多條條狀鏤空的槽道，所述槽道會(huì)導(dǎo)致該基板的實(shí)質(zhì) 面積大幅縮小，單位面積基板可制造的發(fā)光二極管數(shù)量相對較少，使該現(xiàn)有制程具有基板 利用率較低而較浪費(fèi)的缺失。另外，美國專利6，815，249號案中披露另一種制法，參閱該專利案說明書中的圖 13a 13d，主要是利用雷射鉆孔方式形成多個(gè)相間隔且分別自所述下電極部13 延伸穿 過該基板132但未貫穿所述上電極部133a的盲孔。但在進(jìn)行鉆孔時(shí)，必須控制不鉆穿所 述上電極部133a以形成所述盲孔，及借由所述上電極部133a作為阻隔以防止形成覆蓋層 的膠料流入孔內(nèi)，由于上電極部133a厚度極薄，因此必須使用較精密的工具控制鉆孔的深 度，如此，由于用到較精密的工具設(shè)備導(dǎo)致制造成本提高，為了控制鉆孔深度無法進(jìn)行快速 鉆孔，也會(huì)使制程時(shí)間延長而降低制造效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的其中一個(gè)目的，是在提供一種能夠有效提升基板的利用率的發(fā)光二極管 及其制程。于是，本發(fā)明的一種發(fā)光二極管的制程，包含下列步驟一、提供一個(gè)基板組合體，該基板組合體具有一個(gè)基板、多條沿一第一方向相間隔地設(shè)置在該基板的一個(gè)上表面的上 電極部、多條介于所述上電極部間的上蝕刻部、多條沿該第一方向相間隔地設(shè)置在該基板 的一個(gè)下表面的下電極部、多條介于所述下電極部間的下蝕刻部、多個(gè)相間隔且貫穿該基 板與所述上、下電極部的孔洞，所述孔洞分別在所述上、下電極部界定形成多個(gè)上開口及多 個(gè)下開口 ；二、分別在界定出每一個(gè)孔洞的內(nèi)周壁面形成一個(gè)與該基板組合體的上、下電極 部電連接的連接電極部；三、形成多個(gè)分別封閉每一上電極部的多個(gè)上開口的阻隔單元； 四、在位于每一條上蝕刻部兩側(cè)的兩個(gè)上電極部間，設(shè)置多個(gè)相間隔的發(fā)光二極管芯片，每 一個(gè)發(fā)光二極管芯片分別與所述上電極部電連接；五、在該基板的上表面形成一個(gè)包覆住 所述發(fā)光二極管芯片、所述上電極部與所述上蝕刻部且由透明材質(zhì)制成的覆蓋層；以及六、 沿該第一方向且經(jīng)所述孔洞切割該基板，并沿一垂直于該第一方向的第二方向切割該基 板，以形成多個(gè)發(fā)光二極管。此外，本發(fā)明還提供另一種發(fā)光二極管的制程。其中，該發(fā)光二極管的制程的步驟 一與上述制程中的步驟一相同，且其步驟三 五也分別與上述制程中的步驟四 六相同， 因此，在此不再贅述，僅針對步驟二提出說明。步驟二是分別在所述孔洞填入導(dǎo)電膠作為使 所述上、下電極部電連接的連接電極部。進(jìn)一步地，本發(fā)明還提供另一種發(fā)光二極管的制程，其包含下列步驟一、提供一 個(gè)基板組合體，該基板組合體具有一個(gè)基板、多條沿一第一方向相間隔地設(shè)置在該基板的 一個(gè)下表面的下電極部、多條介于所述下電極部間的下蝕刻部，及多個(gè)相間隔且貫穿該基 板與所述下電極部的孔洞，所述孔洞分別在該基板上表面、所述下電極部界定形成多個(gè)上 開口及多個(gè)下開口 ；二、沿該第一方向在該基板的上表面設(shè)置多條相間隔且封閉所述上開 口并當(dāng)作上電極部的導(dǎo)電薄膜層，并在所述導(dǎo)電薄膜層間界定形成多條上間隔部；三、對經(jīng) 步驟二處理的基板進(jìn)行電鍍，以分別在所述導(dǎo)電薄膜層表面形成上電鍍層，在所述下電極 部表面形成下電鍍層，以及在界定出所述孔洞的內(nèi)周壁面形成連接電鍍層，該連接電鍍層 使該導(dǎo)電薄膜層與該下電極部形成電連接；四、在位于每一條上間隔部兩側(cè)的兩個(gè)上電鍍 層間，設(shè)置多個(gè)相間隔的發(fā)光二極管芯片，每一發(fā)光二極管芯片分別與所述上電鍍層電連 接；五、在該基板的上表面形成一個(gè)包覆住所述發(fā)光二極管芯片、所述上電鍍層與所述上間 隔部且由透明材質(zhì)制成的覆蓋層；以及六、沿該第一方向且經(jīng)所述孔洞切割該基板，并沿一 個(gè)垂直于該第一方向的第二方向切割該基板，以形成多個(gè)發(fā)光二極管。本發(fā)明還進(jìn)一步提供可透過前述制程所制得的發(fā)光二極管。本發(fā)明的一種的發(fā) 光二極管包含一個(gè)基材、相間隔地設(shè)置于該基材的一個(gè)第一電極、一個(gè)第二電極、一個(gè)分別 與該第一、第二電極電連接的發(fā)光二極管芯片、兩個(gè)分別設(shè)置在該第一、第二電極上的阻隔 單元，及一個(gè)封蓋住該第一、第二電極、該阻隔單元及該發(fā)光二極管芯片的覆蓋體。該基材 包括一個(gè)上表面、一個(gè)下表面，及相間隔地設(shè)置且分別連接于該上、下表面的一個(gè)第一溝槽 部、一個(gè)第二溝槽部，且每一個(gè)溝槽部各具有一個(gè)形成于該上表面的上端缺口。該第一電極 包括分別設(shè)置于該基材的上、下表面的一個(gè)上電極部、一個(gè)下電極部，及一個(gè)設(shè)置在該第一 溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電極部。該第二電極包括分別設(shè)置于該基材的上、下 表面的一個(gè)上電極部、一個(gè)下電極部，及一個(gè)設(shè)置在該第二溝槽部且電連接該上、下電極部 的連接電極部。所述阻隔單元是分別設(shè)置于該第一、第二電極的連接電極部且分別封住該 第一、第二溝槽部的上端缺口。該覆蓋體是由透明材質(zhì)制成，且封蓋住該第一、第二電極的
6上電極部、該阻隔單元及該發(fā)光二極管芯片。進(jìn)一步地，本發(fā)明還提供另一種發(fā)光二極管。其中，該發(fā)光二極管的電極結(jié)構(gòu)、發(fā) 光二極管芯片電性以及覆蓋體皆與上述的發(fā)光二極管相同，因此，不再贅述。不同的是，所 述上、下電極部電連接的連接電極部系由導(dǎo)電膠或其它導(dǎo)電物質(zhì)所形成，并且不包含前述 兩個(gè)分別設(shè)置在該第一、第二電極上的阻隔單元。此外，本發(fā)明的另一種的發(fā)光二極管則包含一個(gè)基材、相間隔地設(shè)置于該基材的 一個(gè)第一電極、一個(gè)第二電極、一個(gè)分別與該第一、第二電極電連接的發(fā)光二極管芯片，及 一個(gè)封蓋住該第一、第二電極及該發(fā)光二極管芯片的覆蓋體。該基材包括一個(gè)上表面、一個(gè) 下表面、相間隔地設(shè)置且分別連接于該上、下表面間的一個(gè)第一溝槽部及一個(gè)第二溝槽部， 且每一個(gè)溝槽部各具有一個(gè)形成于該上表面的上端缺口。該第一電極包括分別設(shè)置于該基 材的上、下表面的一個(gè)上電極部、一個(gè)下電極部、一個(gè)設(shè)置在該第一溝槽部且電連接該上、 下電極部的連接電極部，及一個(gè)與該連接電極部相間隔設(shè)置，且穿設(shè)該基材并電連接該上 電極部與下電極部的輔助連接電極部。該第二電極包括分別設(shè)置于該基材的上、下表面的 一個(gè)上電極部、一個(gè)下電極部、一個(gè)設(shè)置在該第二溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電 極部，及一個(gè)與該連接電極部相間隔設(shè)置且穿設(shè)該基材并電連接該上電極部與下電極部的 輔助連接電極部。其中，該第一、第二電極的上電極部是分別封蓋住該第一、第二溝槽部的 上端缺口。該覆蓋體是由透明材質(zhì)制成，且封蓋住該第一、第二電極的上電極部、連接電極 部、輔助連接電極部，及該發(fā)光二極管芯片。本發(fā)明發(fā)光二極管及其制程的有益效果在于上述發(fā)光二極管的制程借由在該基 板組合體或基板形成孔洞及孔洞內(nèi)周壁面設(shè)置連接電極部或連接電極層，再經(jīng)所述孔洞切 割該基板而形成多個(gè)發(fā)光二極管的方式，有效減少基板廢料的產(chǎn)生，進(jìn)而提升基板利用率 與降低制造成本。此外，前述三種發(fā)光二極管分別借由與該第一、第二電極的連接電極部相 連接的阻隔單元、或分別填滿該基材的第一、第二溝槽部的連接電極部、或該第一、第二電 極的上電極部以封住所述溝槽部的上端缺口，使得覆蓋層原料不會(huì)流入所述溝槽部的空間 而影響發(fā)光二極管的功能。


圖1是一剖視示意圖，說明以本發(fā)明發(fā)光二極管的制程一第一較佳實(shí)施例的一基 板組合體；圖2是一俯視示意圖，說明在該第一較佳實(shí)施例中的一基板組合體具有多條相間 隔的上電極部的情形；圖3是一剖視示意圖，說明在該第一較佳實(shí)施例中設(shè)置一包覆住多個(gè)發(fā)光二極管 芯片的覆蓋層的情形；圖4是一俯視示意圖，說明同時(shí)沿相垂直的一第一方向、一第二方向形成縱向與 橫向的蝕刻部的情形；圖5是一立體示意圖，說明將該覆蓋層切割為多個(gè)塊狀突起的覆蓋體的情形；圖6是一剖視示意圖，說明設(shè)置反射層后進(jìn)行切割以制成多個(gè)發(fā)光二極管的情 形；圖7是一剖視示意圖，說明以本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例所制出的發(fā)光二極管；
圖8是一俯視示意圖，說明以本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例所制出的正面發(fā)光型的發(fā) 光二極管；圖9是一俯視示意圖，說明本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例改變蝕刻模式所制出的另一 種正面發(fā)光型的發(fā)光二極管；圖10是一俯視示意圖，說明以本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例所制出的側(cè)面發(fā)光型的 發(fā)光二極管；圖11是一剖視示意圖，說明在本發(fā)明制程的一第二較佳實(shí)施例中，在孔洞內(nèi)填滿 導(dǎo)電膠再設(shè)置覆蓋層的情形；圖12是一剖視示意圖，說明在該第二較佳實(shí)施例中設(shè)置反射層后進(jìn)行切割以形 成多個(gè)發(fā)光二極管的情形；圖13是一剖視示意圖，說明以本發(fā)明制程的第二、第三較佳實(shí)施例所制出的發(fā)光
二極管；圖14是一剖視示意圖，說明在本發(fā)明制程的一第三較佳實(shí)施例中，分別在多個(gè)孔 洞上設(shè)置多個(gè)遮蓋單元的情形；圖15是一剖視示意圖，說明利用所述遮蓋單元移除位于其上方的塊體的情形；圖16是一剖視示意圖，說明在本發(fā)明制程的一第四較佳實(shí)施例中，在一基板組合 體形成多個(gè)分別貫穿多條下電極部與一基板的孔洞的情形；圖17是一俯視示意圖，說明在該基板上沿一第一方向在每一孔洞二相反側(cè)分別 形成二個(gè)輔助穿孔的的情形；圖18是一剖視示意圖，說明在該第四較佳實(shí)施例中設(shè)置反射層后進(jìn)行切割以形 成多個(gè)發(fā)光二極管的情形；圖19是一剖視示意圖，說明以本發(fā)明制程的第四較佳實(shí)施例所制出的發(fā)光二極管。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明發(fā)光二極管的制程一第一較佳實(shí)施例，包含下列步驟參閱圖1、圖2與圖3，步驟301是提供一基板組合體30，該基板組合體30具有一 基板31、多條沿一第一方向I相間隔地設(shè)置在該基板31 —上表面311的上電極部321、多 條介于所述上電極部321間的上蝕刻部322、多條沿該第一方向I相間隔地設(shè)置在該基板 31 一下表面312的下電極部331、多條介于所述下電極部331間的下蝕刻部332、多個(gè)相間 隔且貫穿該基板31與所述上、下電極部321、331的孔洞340，所述孔洞340分別在所述上、 下電極部321、331界定形成多個(gè)上開口 320及多個(gè)下開口 330。本實(shí)施例中是利用黏膠在 該基板31的上、下表面311、312各貼附一層銅箔32、33，并以機(jī)械鉆孔形成貫穿該基板31 與所述銅箔32、33的孔洞340后，再分別對所述銅箔32、33進(jìn)行蝕刻以形成所述含有孔洞 340的上、下電極部321、331與所述上、下蝕刻部322、332。步驟302是分別在界定出每一孔洞340的內(nèi)周壁面341形成一與該基板組合體30 的上、下電極部321、331電連接的連接電極部351。在本實(shí)施例中，該連接電極部351為以 電鍍方式附著在該內(nèi)周壁面341上的兩層電鍍層，分別是一鎳金屬層及形成于該鎳金屬層 上的金或銀金屬層。另外，為增加該上、下電極部321、331的導(dǎo)電性，可在形成該連接電極部351的同時(shí)，分別在該上、下電極部321、331電鍍上述兩層金屬鍍層。值得說明的是，如 果想要增加該上、下電極部321、331的導(dǎo)電性，但同時(shí)要節(jié)省電鍍材料的成本時(shí)，則可以在 對貼附在該基板31上、下表面311、312的銅箔32、33進(jìn)行蝕刻時(shí)，同時(shí)沿一垂直于該第一 方向I的第二方向II增設(shè)如圖4所示的橫向的上、下蝕刻部322’、332’，如此，將可減少該 上、下電極部321、331的面積，達(dá)到節(jié)省電鍍材料成本的目的。參閱圖3，步驟303是形成多個(gè)分別封閉每一上電極部321的多上開口 320的阻隔 單元360，所述阻隔單元360各具有一封閉住所述上開口 320的第一阻隔層361，及一位于 該第一阻隔層361上且黏滯性小于該第一阻隔層361的黏滯性，及硬度大于該第一阻隔層 361的硬度的第二阻隔層362。在本實(shí)施例中，是以網(wǎng)板印刷方式分別形成所述第一、第二 阻隔層361、362，且所述第一阻隔層361為絕緣材質(zhì)的綠漆，所述第二阻隔層362是由一選 自下列群組中的絕緣材質(zhì)所制成環(huán)氧樹脂、硅氧樹脂及合成樹脂。步驟304是在位于每一條上蝕刻部322兩側(cè)的兩個(gè)上電極部321間，設(shè)置多個(gè)相 間隔的發(fā)光二極管芯片37，每一發(fā)光二極管芯片37分別以打線接合(wire bonding)與覆 晶(flip chip)的其中一種方式與所述上電極部321電連接。步驟305 是以射出成型(injection molding)與轉(zhuǎn)注成型(transfer molding) 其中一種方式，在該基板31的上表面311形成一包覆住所述發(fā)光二極管芯片37、所述上電 極部321、所述上蝕刻部322及所述第二阻隔層362且由環(huán)氧樹脂類或硅烷氧樹脂類的透明 材質(zhì)制成的覆蓋層38。該覆蓋層38的外形若維持穩(wěn)定不變形將有助于增進(jìn)發(fā)光二極管芯 片37的發(fā)光效果。此外，該覆蓋層38也可以由摻雜熒光粉的透明材質(zhì)制成，借以改變發(fā)光 二極管芯片37所呈現(xiàn)的發(fā)光顏色。配合參閱圖5與圖6，步驟306是沿該第一、第二方向I、II切割該覆蓋層38以 形成多個(gè)突起的塊狀覆蓋體381，及多個(gè)圍繞所述覆蓋體381的溝槽382，并以射出成型與 轉(zhuǎn)注成型的其中一種方式，在所述溝槽382填滿可反射光線的材質(zhì)以形成圍繞所述覆蓋體 381的反射層39。該反射層39并含有一選自下列群組中的物質(zhì)二氧化鈦、二氧化硅及其 等的組合，借此可達(dá)到較佳反射光線效果。步驟307是沿該第一方向I且經(jīng)所述孔洞340切割該基板31，并沿該第二方向II 切割該基板31 (參照圖2)，以形成多個(gè)如圖7及圖8所示的發(fā)光二極管40。另外，如果依 上述圖4的蝕核模式即會(huì)形成如圖9所示的發(fā)光二極管40’。值得說明的是，在本實(shí)施例中，是沿如圖2所示的多條平行該第一方向I且經(jīng)過所 述孔洞340的切割線i，與多條平行該第二方向II的切割線ii分別切割該基板31，因此， 在步驟307所制得的發(fā)光二極管40 (見圖7)是屬于正面發(fā)光型(top view)，但該制程的切 割方式并不以此為限。如果調(diào)整切割線ii，使其路徑通過所述孔洞340切割該基板31，配 合將所述上電極部321的面積放大設(shè)計(jì)用來供該發(fā)光二極管芯片37設(shè)置，及所述下電極部 322的面積縮小設(shè)計(jì)以節(jié)省電鍍材料成本，及如圖4所示增加或調(diào)整上述沿該第二方向II 的上、下蝕刻部322’、332’，并配合調(diào)整切割線進(jìn)行切割，就能制得如圖10所示的側(cè)向發(fā)光 型(edge type)的發(fā)光二極管40，。參閱圖7與圖8，以下再針對經(jīng)由上述制程所制出的發(fā)光二極管40的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說 明。該發(fā)光二極管40包含一基材31、相間隔地設(shè)置于該基材31的一第一電極41、一第二 電極42、一分別與該第一、第二電極41、42電連接的發(fā)光二極管芯片37、兩分別設(shè)置在該第一、第二電極41、42上的阻隔單元360、一封蓋住該第一、第二電極41、42，所述阻隔單元360 及該發(fā)光二極管芯片37的覆蓋體381，及一圍繞該覆蓋體381設(shè)置在該基材31上的反射杯 391。該反射杯391即是由前述步驟307的反射層39 (見圖6)切割后形成。該基材31包括一上表面311、一下表面312，及相間隔地設(shè)置且分別連接于該上、 下表面311、312的一第一溝槽部342、一第二溝槽部343，所述溝槽部342、343即是由所述 孔洞340(見圖6)經(jīng)步驟307切割后所形成。因此，每一溝槽部342、343各具有一形成于 該上表面311的上端缺口 ；344、；345。且所述上端缺口 344、345是由所述上開口 320(見圖 6)經(jīng)步驟307切割后所形成。該第一電極41包括分別設(shè)置于該基材31的上、下表面311、312的一上電極部 321、一下電極部331，及一設(shè)置在該第一溝槽部342且電連接該上、下電極部321、331的連 接電極部351。其中，該上電極部321可以只是銅箔，或由銅箔與沉積在銅箔上的金屬鍍層 形成以借此進(jìn)一步增加導(dǎo)電性。該第二電極42包括分別設(shè)置于該基材31的上、下表面311、312的一上電極部 321、一下電極部331，及一設(shè)置在該第二溝槽部343且電連接該上、下電極部321、331的連 接電極部351。其中，該第一、第二電極41、42的連接電極部351為前述制程步驟302中所 形成的電鍍層。該發(fā)光二極管芯片37分別與該第一、第二電極41、42的上電極部321、321電連接。該阻隔單元360各包括分別設(shè)置于該第一、第二電極41、42的連接電極部351、351 且分別封住該第一、第二溝槽部；342、；343的上端缺口 344、345的一第一阻隔層361，及一形 成在該第一阻隔層361上且黏滯性小于該第一阻隔層361的黏滯性，及硬度大于該第一阻 隔層361的硬度的第二阻隔層362。所述阻隔單元360的第一、第二阻隔層361、362的材質(zhì) 與該第一較佳實(shí)施例的制程所述相同。該覆蓋體381是由透明材質(zhì)制成，且封蓋住該第一、第二電極41、42的上電極部 321、321、該上蝕刻部322、所述阻隔單元360，及該發(fā)光二極管芯片37。該反射杯391是由可反射光線的材質(zhì)所制成，且是圍繞該覆蓋體381，并沿該基材 31的上表面311及所述阻隔單元360的第二阻隔層362設(shè)置。該覆蓋體381的材質(zhì)與該反 射杯391中所含物質(zhì)亦與該第一較佳實(shí)施例的制程所述相同。本發(fā)明發(fā)光二極管的制程一第二較佳實(shí)施例，則包含步驟401 步驟406。且其步 驟401與該第一較佳實(shí)施例的步驟301相同，故不再贅述。參閱圖11，步驟402是分別在所述孔洞340填入導(dǎo)電膠作為使所述上、下電極部 321,331電連接的連接電極部352。其中，該導(dǎo)電膠為摻雜導(dǎo)電粉末的環(huán)氧樹脂。步驟403與該第一較佳實(shí)施例的步驟304相同。參閱圖11，步驟404是以射出成型與轉(zhuǎn)注成型的其中一種方式，在該基板31的上 表面311形成一包覆住所述發(fā)光二極管芯片37、所述上電極部321、所述上蝕刻部322及所 述連接電極部352的覆蓋層38，該覆蓋層38的材質(zhì)與該第一較佳實(shí)施例的步驟305所述者 相同。步驟405與該第一較佳實(shí)施例的步驟306相同。參閱圖12，步驟406是以如該第一較佳實(shí)施例的步驟307所述的方式切割該基板31，經(jīng)切割后可形成多個(gè)如圖13所示的發(fā)光二極管50。本發(fā)明發(fā)光二極管的制程一第三較佳實(shí)施例包含步驟501 507。其中，步驟 501 503分別與該第二實(shí)施例的步驟401 403相同，故不再贅述。參閱圖4與圖14，步驟504是沿該第一方向I設(shè)置多個(gè)封閉所述上開口 320且可 移除的遮蓋單元363。其中，該遮蓋單元363可以是可撕除的干膜，或可被移除的模具。在 本實(shí)施例中，該遮蓋單元363為干膜，且該干膜為具有黏膠層的銅箔或膠帶。步驟505是設(shè)置覆蓋層38，且方式與該第二較佳實(shí)施例的步驟404相同，故不再贅 述。配合圖15，步驟506是在該覆蓋層38未完全固化前，將該遮蓋單元363移除，同時(shí) 移除位于該遮蓋單元363上的塊體383，并沿該第二方向II切割該覆蓋層38以形成多個(gè)突 起的塊狀覆蓋體381及多個(gè)圍繞所述覆蓋體381的溝槽382，并在所述溝槽382填滿反射光 線的材質(zhì)以分別形成圍繞所述覆蓋體381的反射層39(見圖1 。借由使用可被移除或撕 除的遮蓋單元363就能減少切割次數(shù)達(dá)到快速形成覆蓋體381與溝槽382的目的。步驟507與步驟406相同，且經(jīng)切割后，同樣可獲得如圖13所述的發(fā)光二極管50。參閱圖13，為經(jīng)由第二、第三較佳實(shí)施例的制程所制出的發(fā)光二極管50，并包含 一基材31、相間隔地設(shè)置于該基材31的一第一電極51、一第二電極52、一分別與該第一、第 二電極51、52電連接的發(fā)光二極管芯片37、一封蓋住該第一、第二電極51、52及該發(fā)光二極 管芯片37的覆蓋體381，及一圍繞該覆蓋體381設(shè)置在該基材31上的反射杯391。配合圖11，該發(fā)光二極管50與經(jīng)第一較佳實(shí)施例所制出的發(fā)光二極管40 (如圖7 所示)的主要差別為該發(fā)光二極管50由于在制造過程中是在所述孔洞340(見圖11)填 入導(dǎo)電膠，且借由固化充填在所述孔洞340內(nèi)的導(dǎo)電膠就能防止后續(xù)制程中的覆蓋層38的 原料流入孔洞中340，所以不需另外再設(shè)阻隔單元360(見圖7)。以下針對該發(fā)光二極管50與第一較佳實(shí)施例所制出的發(fā)光二極管40主要不同處 說明，其它相同結(jié)構(gòu)部分不再贅述。該第一、第二電極51、52的連接電極部352、352是由該 第二、第三較佳實(shí)施例中的步驟402或步驟502的導(dǎo)電膠所制成，且同樣能借由填滿該第 一、第二溝槽部342、343的設(shè)置方式達(dá)到電連接該第一、第二電極51、52的上電極部321、 321與下電極部331、331，及分別封住該第一、第二溝槽部342、343的上端缺口 344、345的 功能。本發(fā)明發(fā)光二極管的制程一第四較佳實(shí)施例，則包含下列步驟參閱圖16與圖17，步驟601是提供一基板組合體30’，該基板組合體30’具有一 基板31、多條沿一第一方向I相間隔地設(shè)置在該基板31 —下表面312的下電極部331、多 條介于所述下電極部331間的下蝕刻部332，及多個(gè)相間隔且貫穿該基板31與所述下電極 部331的孔洞340，所述孔洞340分別在該基板31上表面311、所述下電極331部界定形成 多個(gè)上開口 310及多個(gè)下開口 330。在本實(shí)施例中，是先在該下表面312利用黏膠貼附一層 銅箔33，并以機(jī)械鉆孔的方式形成所述貫穿該銅箔33與該基板31的孔洞340后，再對該銅 箔33蝕刻以形成所述含有孔洞340的下電極部331與下蝕刻部332。步驟602是沿該第一方向I在該基板31的上表面311設(shè)置多條相間隔且封閉所 述上開口 310的導(dǎo)電薄膜層611，并在所述導(dǎo)電薄膜層611間界定形成多條上間隔部612， 在本實(shí)施例中，是在該上表面311利用黏膠貼附多條相間隔的銅箔，以形成所述導(dǎo)電薄膜層 611。配合圖18，步驟603是沿該第一方向I在每一孔洞340兩相反側(cè)形成貫穿所述下 電極部331、基板31與導(dǎo)電薄膜層611的多個(gè)輔助穿孔620，并于每一個(gè)輔助穿孔620填滿 導(dǎo)電膠63以形成一輔助連接電極部621。該導(dǎo)電膠63為摻雜導(dǎo)電粉末的環(huán)氧樹脂。步驟604是對經(jīng)步驟603處理的基板31進(jìn)行電鍍，以分別在所述導(dǎo)電薄膜層611 上表面及所述輔助連接電極部621的上端面形成形成上電鍍層641，在所述下電極部331表 面及所述輔助連接電極部621的下端面形成下電鍍層642，以及在界定出所述孔洞340的內(nèi) 周壁面341形成連接電鍍層643，該連接電鍍層643使該導(dǎo)電薄膜層611與該下電極部331 形成電連接。在本實(shí)施例中，進(jìn)行電鍍后也會(huì)在所述導(dǎo)電薄膜層611位于所述孔洞340中 的內(nèi)表面分別形成一電鍍層644。步驟605是在位于每一條上間隔部612兩側(cè)的兩個(gè)上電鍍層641間，設(shè)置多個(gè)相 間隔的發(fā)光二極管芯片37，每一發(fā)光二極管芯片37分別與所述上電鍍層641電連接。步驟606是以射出成型與轉(zhuǎn)注成型的其中一種方式在該基板31的上表面311形 成一包覆住所述發(fā)光二極管芯片37、所述上電鍍層641與所述上間隔部612且由透明材質(zhì) 制成的覆蓋層38。該覆蓋層38的材質(zhì)將與該第一較佳實(shí)施例的步驟305相同。步驟607是切割該覆蓋層38以形成多個(gè)突起的塊狀覆蓋體381及多個(gè)圍繞所述 覆蓋體381的溝槽382，并在所述溝槽382填滿可反射光線的材質(zhì)以形成圍繞所述覆蓋體 381的反射層39。步驟608是沿該第一方向I且經(jīng)所述孔洞340切割該基板31，并沿一垂直于該第 一方向I的第二方向II切割該基板31，以形成多個(gè)如圖21所示的發(fā)光二極管70。參閱圖19，為經(jīng)由第四較佳實(shí)施例的制程所制出的發(fā)光二極管70，并包含一基材 31、相間隔地設(shè)置于該基材31的一第一電極71、一第二電極72、一分別與該第一、第二電極 71,72電連接的發(fā)光二極管芯片37、一封蓋住該第一、第二電極71、72及該發(fā)光二極管芯片 37的覆蓋體381，及一圍繞該覆蓋體381設(shè)置在該基材31上的反射杯391。該基材31包括一上表面311、一下表面312、相間隔地設(shè)置且分別連接于該上、下 表面311、312間的一第一溝槽部342及一第二溝槽部343，且每一溝槽部342、343各具有一 形成于該上表面311的上端缺口 ；344、；345。該第一電極71包括分別設(shè)置于該基材31的上、下表面311、312的一上電極部 321、一下電極部331、一設(shè)置在該第一溝槽部342且電連接該上、下電極部321、331的連接 電極部353，及一與該連接電極部353相間隔設(shè)置，且穿設(shè)該基材31并電連接該上電極部 321與下電極部331的輔助連接電極部621。其中，該上電極部321是封蓋住該第一溝槽部 342的上端缺口 ；344。該第二電極72包括分別設(shè)置于該基材71的上、下表面311、312的一上電極部 321、一下電極部331、一設(shè)置在該第二溝槽部343且電連接該上、下電極部321、331的連接 電極部353，及一與該連接電極部353相間隔設(shè)置且穿設(shè)該基材31并電連接該上電極部 321與下電極部331的輔助連接電極部621。其中，該上電極部321是封蓋住該第二溝槽部 343的上端缺口 345。在本實(shí)施例中，該第一、第二電極71、72的上電極部321為前述制程 步驟602中銅箔型式的導(dǎo)電薄膜層611與步驟604的上電鍍層641所配合形成，且該第一、 第二電極71、72的連接電極部353是由前述制程步驟604的連接電鍍層643(見圖18)所形成。該發(fā)光二極管芯片37分別與該第一、第二電極71、72的上電極部321、321電連 接。該覆蓋體381是由透明材質(zhì)制成，且封蓋住該第一、第二電極71、72的上電極部321、 321、連接電極部353、353、該上蝕刻部322，及該發(fā)光二極管芯片37。該反射杯391是由可 反射光線的材質(zhì)所制成，且是圍繞該覆蓋體381，并沿該基材31的上表面311及該第一、第 二電極71、72的上電極部321、321設(shè)置。該發(fā)光二極管70的第一、第二電極71、72除了透 過該連接電極部353、353電連接該上電極部321、321與下電極部331、331外，還能借由該 輔助連接電極621、621確保該上、下電極部321、321、331、331始終獲得穩(wěn)定的電連接，而使 該發(fā)光二極管70具有佳的使用質(zhì)量與可靠度。歸納上述，本發(fā)明發(fā)光二極管40、40’、50、70及其制程，能夠獲致下述的功效及優(yōu) 點(diǎn)，所以能達(dá)到本發(fā)明的目的一、本發(fā)明制程在該基板31形成孔洞340，并在孔洞340內(nèi)設(shè)置連接電極部351、 352或連接電鍍層643就能借此電連接上、下電極部321、331，進(jìn)而使發(fā)光二極管40、50、70 能正常運(yùn)作，再經(jīng)所述孔洞340切割該基板31而形成多個(gè)發(fā)光二極管40、40’、50、70的方 式，可有效減少基板31廢料的產(chǎn)生，進(jìn)而提升基板利用率與降低制造成本。二、本發(fā)明制程利用在該基板31形成孔洞340，并在孔洞340設(shè)置連接電極部 351,352或連接電鍍層643的設(shè)計(jì)，并借由改變切割方式，可分別制成正向或側(cè)向的發(fā)光二 極管40、40’、50、70，使本發(fā)明制程具有容易因應(yīng)產(chǎn)品型式調(diào)整制程彈性的優(yōu)點(diǎn)。三、本發(fā)明制程借由與該第一、第二溝槽部342、343連接的阻隔單元360、或該連 接電極部352、或?qū)щ姳∧?11封蓋住所述孔洞340的上開口 320、310，該覆蓋層38在封 蓋住所述上電極部321與所述發(fā)光二極管芯片37時(shí)，不會(huì)因所述孔洞340的空間而流入變 形，進(jìn)而影響發(fā)光二極管的功能。四、在該發(fā)光二極管的制程的第四較佳實(shí)施例中，還借由先形成貫穿的孔洞340 再設(shè)置導(dǎo)電薄膜層611的制程順序，由于直接形成貫穿的孔洞340而不必考慮鉆孔深度，因 此能以簡單的機(jī)械鉆孔達(dá)到相同的結(jié)果，借此能簡化制程并提高制造效率。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，即凡依本 發(fā)明申請專利范圍及發(fā)明說明內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明專利涵蓋 的范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管的制程；其特征在于該制程包含下列步驟一、提供一基板組合體，該基板組合體具有一基板、多條沿一第一方向相間隔地設(shè)置 在該基板的一個(gè)上表面的上電極部、多條介于所述上電極部間的上蝕刻部、多條沿該第一 方向相間隔地設(shè)置在該基板的一個(gè)下表面的下電極部、多條介于所述下電極部間的下蝕刻 部，及多個(gè)相間隔且貫穿該基板與所述上、下電極部的孔洞，所述孔洞分別在所述上、下電 極部界定形成多個(gè)上開口及多個(gè)下開口；二、分別在界定出每一孔洞的內(nèi)周壁面，形成一與該基板組合體的上、下電極部電連接 的連接電極部；三、形成多個(gè)分別封閉每一上電極部的多個(gè)上開口的阻隔單元；四、在位于每一條上蝕刻部兩側(cè)的兩上電極部間，設(shè)置多個(gè)相間隔的發(fā)光二極管芯片， 每一發(fā)光二極管芯片分別與所述上電極部電連接；五、在該基板的上表面形成一包覆住所述發(fā)光二極管芯片、所述上電極部與所述上蝕 刻部與所述第二阻隔層且由透明材質(zhì)制成的覆蓋層；及六、沿該第一方向且經(jīng)所述孔洞切割該基板，并沿一垂直于該第一方向的第二方向切 割該基板，以形成多個(gè)發(fā)光二極管。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制程，其特征在于在步驟三中，所述阻隔單元各 具有一封閉住所述上開口的第一阻隔層，及一位于該第一阻隔層上的第二阻隔層，且所述 第二阻隔層的黏滯性是小于所述第一阻隔層的黏滯性，其硬度則大于所述第一阻隔層的硬 度，其中所述第一阻隔層為綠漆，而所述第二阻隔層是由一選自下列群組中的材質(zhì)所制成 環(huán)氧樹脂、硅氧樹脂及合成樹脂。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制程，其特征在于該制程還包含一在步驟五以 后的步驟五-1，在步驟五-1中，是切割該覆蓋層以形成多個(gè)突起的塊狀覆蓋體及多個(gè)圍 繞所述覆蓋體的溝槽，并在所述溝槽填滿可反射光線的材質(zhì)以形成圍繞所述覆蓋體的反射 層，而該反射層含有一選自下列群組中的物質(zhì)二氧化鈦、二氧化硅及其等的組合。
4.一種發(fā)光二極管的制程；其特征在于該制程包含下列步驟一、提供一基板組合體，該基板組合體具有一基板、多條沿一第一方向相間隔地設(shè)置 在該基板的一個(gè)上表面的上電極部、多條介于所述上電極部間的上蝕刻部、多條沿該第一 方向相間隔地設(shè)置在該基板的一個(gè)下表面的下電極部、多條介于所述下電極部間的下蝕刻 部，及多個(gè)相間隔且貫穿該基板與所述上、下電極部的孔洞，所述孔洞分別在所述上、下電 極部界定形成多個(gè)上開口及多個(gè)下開口；二、分別在所述孔洞填入導(dǎo)電膠作為使所述上、下電極部電連接的連接電極部；三、在位于每一條上蝕刻部兩側(cè)的兩個(gè)上電極部間，設(shè)置多個(gè)相間隔的發(fā)光二極管芯 片，每一發(fā)光二極管芯片分別與所述上電極部電連接；四、在該基板的上表面形成一包覆住所述發(fā)光二極管芯片、所述上電極部、所述上蝕刻 部與所述連接電極部且由透明材質(zhì)制成的覆蓋層；及五、沿該第一方向且經(jīng)所述孔洞切割該基板，并沿一垂直于該第一方向的第二方向切 割該基板，以形成多個(gè)發(fā)光二極管。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管的制程，其特征在于該制程還包含一在該步驟三 以后的步驟三-1，步驟三-1是沿該第一方向設(shè)置多個(gè)封閉所述上開口且可移除的遮蓋單元，所述遮蓋單元為可撕除的干膜或可移除的模具。
6.一種發(fā)光二極管的制程；其特征在于該制程包含下列步驟一、提供一基板組合體，該基板組合體具有一基板、多條沿一第一方向相間隔地設(shè)置在 該基板的一個(gè)下表面的下電極部、多條介于所述下電極部間的下蝕刻部，及多個(gè)相間隔且 貫穿該基板與所述下電極部的孔洞，所述孔洞分別在該基板上表面、所述下電極部界定形 成多個(gè)上開口及多個(gè)下開口；二、沿該第一方向在該基板的上表面設(shè)置多條相間隔且封閉所述上開口并當(dāng)作上電極 部的導(dǎo)電薄膜層，并在所述導(dǎo)電薄膜層間界定形成多條上間隔部；三、對經(jīng)步驟二處理的基板進(jìn)行電鍍，以分別在所述導(dǎo)電薄膜層表面形成上電鍍層，在 所述下電極部表面形成下電鍍層，以及在界定出所述孔洞的內(nèi)周壁面形成連接電鍍層，該 連接電鍍層使該導(dǎo)電薄膜層與該下電極部形成電連接；四、在位于每一條上間隔部兩側(cè)的兩個(gè)上電鍍層間，設(shè)置多個(gè)相間隔的發(fā)光二極管芯 片，每一發(fā)光二極管芯片分別與所述上電鍍層電連接；五、在該基板的上表面形成一包覆住所述發(fā)光二極管芯片、所述上電鍍層與所述上間 隔部且由透明材質(zhì)制成的覆蓋層；及六、沿該第一方向且經(jīng)所述孔洞切割該基板，并沿一垂直于該第一方向的第二方向切 割該基板，以形成多個(gè)發(fā)光二極管。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的制程，其特征在于該制程還包含一在該步驟二 以后的步驟二 -1，在步驟二 -1，是沿該第一方向在每一孔洞兩相反側(cè)形成貫穿所述下電極 部、基板、導(dǎo)電薄膜層的多個(gè)輔助穿孔，并于每一個(gè)輔助穿孔填滿導(dǎo)電膠。
8.一種發(fā)光二極管，包含一個(gè)基材、分別設(shè)置在該基材上的一個(gè)第一電極、一個(gè)第二 電極、一個(gè)與該第一、第二電極電連接的發(fā)光二極管芯片、兩個(gè)分別對應(yīng)該第一、第二電極 設(shè)置的阻隔單元，及一個(gè)封蓋該第一、第二電極、所述阻隔單元與該發(fā)光二極管芯片的覆蓋 體；其特征在于該基材包括一個(gè)上表面、一個(gè)下表面，及相間隔地設(shè)置且分別連接于該上、下表面的一 第一溝槽部、一第二溝槽部，且每一個(gè)溝槽部各具有一形成于該上表面的上端缺口 ；該第一電極包括分別設(shè)置于該基材的上、下表面的一個(gè)上電極部、一個(gè)下電極部，及一 個(gè)設(shè)置在該第一溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電極部；該第二電極與該第一電極相間隔，包括分別設(shè)置于該基材的上、下表面的一個(gè)上電極 部、一個(gè)下電極部，及一個(gè)設(shè)置在該第二溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電極部；該發(fā)光二極管芯片分別與該第一、第二電極的上電極部電連接；所述阻隔單元分別設(shè)置于該第一、第二電極的連接電極部且分別封住該第一、第二溝 槽部的上端缺口 ；及該覆蓋體是由透明材質(zhì)制成，且封蓋住該第一、第二電極的上電極部、所述阻隔單元及 該發(fā)光二極管芯片。
9.一種發(fā)光二極管，包含一個(gè)基材、分別設(shè)置在該基材上的一個(gè)第一電極、一個(gè)第二電 極、一個(gè)與該第一、第二電極電連接的發(fā)光二極管芯片，及一個(gè)封蓋該第一、第二電極與該 發(fā)光二極管芯片的覆蓋體；其特征在于該基材包括一個(gè)上表面、一個(gè)下表面，及相間隔地設(shè)置且分別連接于該上、下表面間的一個(gè)第一溝槽部、一個(gè)第二溝槽部，且每一個(gè)溝槽部各具有一形成于上表面的上端缺口 ；該第一電極包括分別設(shè)置于該基材的上、下表面的一個(gè)上電極部、一個(gè)下電極部，及一 個(gè)填滿該第一溝槽部并電連接該上、下電極部且封住該上端缺口的連接電極部，其中，該連 接電極部為固態(tài)導(dǎo)電膠；該第二電極與該第一電極相間隔，包括分別設(shè)置于該基材的上、下表面的一個(gè)上電極 部、一個(gè)下電極部，及一個(gè)填滿該第二溝槽部并電連接該上、下電極部且封住該上端缺口的 連接電極部，其中，該連接電極部為固態(tài)導(dǎo)電膠；該發(fā)光二極管芯片分別與該第一、第二電極的上電極部電連接；及 該覆蓋體是由透明材質(zhì)制成，且封蓋住該第一、第二電極的上電極部、所述連接電極部 及該發(fā)光二極管芯片。
10. 一種發(fā)光二極管，包含一個(gè)基材、分別設(shè)置在該基材上的一個(gè)第一電極、一個(gè)第二 電極、一個(gè)與該第一、第二電極電連接的發(fā)光二極管芯片，及一個(gè)封蓋該第一、第二電極與 該發(fā)光二極管芯片的覆蓋體；其特征在于該基材包括一個(gè)上表面、一個(gè)下表面、相間隔地設(shè)置且分別連接于該上、下表面間的 一個(gè)第一溝槽部及一個(gè)第二溝槽部，且每一個(gè)溝槽部各具有一個(gè)形成于該上表面的上端缺 Π ；該第一電極包括分別設(shè)置于該基材的上、下表面的一個(gè)上電極部、一個(gè)下電極部、一個(gè) 設(shè)置在該第一溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電極部，及一個(gè)與該連接電極部相間 隔設(shè)置，且穿設(shè)該基材并電連接該上電極部與下電極部的輔助連接電極部，其中，該上電極 部是封蓋住該第一溝槽部的上端缺口；該第二電極與該第一電極相間隔，包括分別設(shè)置于該基材的上、下表面的一個(gè)上電極 部、一個(gè)下電極部、一個(gè)設(shè)置在該第二溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電極部，及一 個(gè)與該連接電極部相間隔設(shè)置且穿設(shè)該基材并電連接該上電極部與下電極部的輔助連接 電極部，其中，該上電極是封蓋住該第二溝槽部的上端缺口 ；該發(fā)光二極管芯片分別與該第一、第二電極的上電極部電連接；及 該覆蓋體是由透明材質(zhì)制成，且封蓋住該第一、第二電極的上電極部、連接電極部，及 該發(fā)光二極管芯片。
全文摘要
一種發(fā)光二極管及其制程，包含下列步驟提供一基板組合體，該基板組合體具有一基板、分別設(shè)置在該基板上、下表面的多條上、下電極部、分別介于所述上、下電極部間的多條上、下蝕刻部、多個(gè)相間隔且貫穿該基板與所述上、下電極部的孔洞，及多個(gè)分別在界定出每一孔洞的內(nèi)周壁面設(shè)置的連接電極部。接著，形成多個(gè)分別封閉每一上電極部的多上開口的阻隔單元，最后在兩上電極部間設(shè)置發(fā)光二極管芯片并形成一覆蓋層，經(jīng)切割后就制得發(fā)光二極管。透過該制程可提升基板利用率，并能進(jìn)行兩次成型而增進(jìn)發(fā)光二極管發(fā)光強(qiáng)度。
文檔編號H01L33/62GK102074639SQ20091022386
公開日2011年5月25日 申請日期2009年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月24日
發(fā)明者張超雄, 曾文良, 林升柏 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司