專利名稱：具有窗口陣列的頂部暴露式夾片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片封裝，特別涉及一種在芯片封裝中使用源極 夾片，從而在兼具降低擴(kuò)散電阻與增強(qiáng)熱耗散的方式下提供電性接觸。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體組件封裝上，金屬夾片經(jīng)常是用于在半導(dǎo)體芯片與嵌設(shè)該芯片 的框架之間提供電性連接。大部分的電流夾片是非暴露式夾片。某些夾片為 了有較佳的熱耗散采取暴露設(shè)計，但是有限制。舉例來說，美國專利號
6624522公開一種金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)柵極組件晶片，其源極側(cè)覆蓋 一鈍化層，如光敏液態(tài)環(huán)氧樹脂、氮化硅層或相似者。晶片是由自旋或者屏 蔽涂布或者其它方式沉積液態(tài)環(huán)氧樹脂于晶片表面上。隨后進(jìn)行干燥并且對 已涂布的晶片依照一般顯影技術(shù)進(jìn)行圖案化，并在鈍化層上形成開口，以產(chǎn) 生若干個分隔開且暴露出下方源極金屬的表面區(qū)域，以及用以暴露出位于晶 片上的芯片的下方柵極電極的相似開口。鈍化層是不僅是鈍態(tài)層并且更是電 鍍抵抗層(假如有需要的話)，也作為焊錫掩膜，標(biāo)示并形成焊錫的區(qū)域。
隨后進(jìn)行晶片切割或者以其它方式裁切為獨(dú)立芯片。獨(dú)立芯片隨后向下 放置于源極側(cè)，并且一U字型或者杯狀部分鍍金的夾片是利用導(dǎo)電膠或者焊 錫連接至芯片的可焊錫的漏極側(cè)，或者鍵合漏極夾片至芯片的底部漏極電極。 漏極夾片的管腳的底部是與芯片的源極側(cè)表面(其是接觸處凸出物的頂面) 共平面。隨后，在模鑄承載盤內(nèi)芯片的外表面進(jìn)行模鑄。模鑄后，對組件進(jìn) 行測試、激光標(biāo)記然后切割為獨(dú)立組件。然而，此組件與標(biāo)準(zhǔn)的導(dǎo)線框架管 腳并不兼容。
美國專利號6777800公開一種包含有直立功率MOSFET的半導(dǎo)體芯片封 裝，其底表面設(shè)置有一柵極區(qū)域與一源極區(qū)域，頂表面設(shè)置有一漏極區(qū)域。 柵極引線電性連接至柵極區(qū)域，源極引線電性連接至源極區(qū)域。漏極夾片電 性連接至漏極區(qū)域。 一非傳導(dǎo)模鑄材料將此半導(dǎo)體芯片封圍(encapsulation),其中該漏極夾片的表面是暴露于此非傳導(dǎo)模鑄材料外。然而，這樣的半導(dǎo)體
芯片封裝需要倒裝制程(flip-chipprocess)。
美國專利公開號20080087992公開一種具有橋式板狀內(nèi)部互連結(jié)構(gòu) (bridged plate interconnection)的半導(dǎo)體封裝。這個封裝結(jié)構(gòu)利用一橋式源 極板狀內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)，其具有一橋式部、設(shè)于橋式部兩側(cè)的山谷部、設(shè)置在 山谷部和橋式部兩側(cè)的平面部，以及倚賴于平面部之一的連接部。橋式部是 設(shè)置在高于山谷部分的平面上，平面部分所在的平面是位于橋式部份所在平 面與山谷部份所在平面的中間。在封圍過程中，鍵合材料流經(jīng)橋式部份的下 方并且提供機(jī)械強(qiáng)度給該橋式源級板狀內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)。橋式部份的頂端可能 暴露于模鑄復(fù)合物外，然而暴露的區(qū)域是少的，僅允許少量熱耗散路徑。
美國專利申請案號12/130663 (Attorney Docket No. ANO-014/US)公開 一種頂面暴露的橋式夾片，其包含有兩個或以上個分隔開的導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu) (electrically conductive fingers),其由一個或更多個電性傳導(dǎo)橋來彼此電性 連接。至少一指狀結(jié)構(gòu)的第一末端是用以與引線框架電性接觸。半導(dǎo)體組件 封裝包含有沿著半導(dǎo)體組件與弓I線框架的夾片。此半導(dǎo)體組件可分別在頂表 面與底表面具有第一與半導(dǎo)體區(qū)域。夾片可電性連接至橋式處的半導(dǎo)體區(qū)域 頂面，并電性連接至位于至少一指狀結(jié)構(gòu)的第一末端上的引線框架。然而， 這個夾片具有少量的暴露區(qū)域，其僅允許少量的熱耗散途徑。
因此開發(fā)具有有效熱耗散以及與半導(dǎo)體組件低電阻連接的半導(dǎo)體組件封 裝是令人渴求的。并且，開發(fā)與一般標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體管腳兼容的封裝結(jié)構(gòu)是需 要的。進(jìn)一步，使半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)具有堅固耐用的應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)與能彈 性化的使用不同尺寸的半導(dǎo)體組件也是讓人向往的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在提供一種具有窗口陣列的頂部暴露式夾片，其具有 有效的熱耗散途徑且能與一般標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體管腳兼容。
本發(fā)明的另一 目的在提供一種具有窗口陣列的頂部暴露式夾片，其使半 導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)具有堅固耐用的應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)與能彈性化的使用不同尺寸 的半導(dǎo)體組件。
本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體組件封裝的夾片，其包含有一具有窗口陣列的金屬薄板；至少一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)，每一個導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)具有第一末端與第二末 端，其中在窗口之一處，第一末端電性連接至金屬薄板；其中每一導(dǎo)電指狀 結(jié)構(gòu)在第二末端處是用以提供電性連接至半導(dǎo)體組件的上半導(dǎo)體區(qū)域或者引 線框架。
以下由具體實施例詳加說明，當(dāng)更容易了解本發(fā)明的目的、技術(shù)內(nèi)容、 特點及其所達(dá)成的功效。


圖1A是依據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例的具有頂部暴露式夾片的半導(dǎo)體 組件封裝的透視圖1B是利用模鑄化合物封圍圖1A所示的組件封裝的透視圖； 圖1C是圖1A的組件封裝的透視圖； 圖1D是圖1A的組件封裝的側(cè)視圖2A是依據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例的具有頂部暴露式夾片的半導(dǎo)體 組件封裝的透視圖2B是利用模鑄化合物封圍圖2A所示的組件封裝的透視圖； 圖2C是圖2A的組件封裝的透視圖； 圖2D是圖2A的組件封裝的側(cè)視圖2E是依據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例的導(dǎo)電夾片的透視圖； 圖3A-3D是依據(jù)本發(fā)明的具體實施例的用于導(dǎo)電夾片的各種窗口形狀 的俯視圖。
具體實施例方式
圖1A至圖1D是依據(jù)本發(fā)明的具體實施例的半導(dǎo)體組件封裝100的示意 圖。在圖1A與圖1C所顯示的范例中，組件封裝100包含有一熔接的引線框 架102與一半導(dǎo)體組件104，該半導(dǎo)體組件104的頂表面與底表面具有接觸 區(qū)域。此接觸區(qū)域是由金屬暴露區(qū)域或其它電性傳導(dǎo)材料所形成，該其它電 性傳導(dǎo)材料與位于半導(dǎo)體組件104內(nèi)的對應(yīng)的半導(dǎo)體組件結(jié)構(gòu)電性連接。由 實施例的方式，但并不以此為限，半導(dǎo)體組件104可以是直立式金屬氧化物 半導(dǎo)體(MOS)組件，其具有一頂面源極接觸區(qū)S、 一頂面柵極接觸區(qū)G與一底面漏極接觸區(qū)D。在圖1A至1D所示的范例中，半導(dǎo)體組件104是位于 引線框架102上方，底面漏極接觸區(qū)D面對且與引線框架102的主要部分電 性接觸。由范例所示的方式，但并不以此為限，引線框架102可以是被熔接 的或者沒有被熔接的。
依據(jù)本發(fā)明的具體實施例，半導(dǎo)體組件封裝100包含有單一階梯狀夾片 106，其包含有兩個分隔開的金屬薄板108與110,且金屬薄板108與110各 自具有窗口陣列111與113。由范例所示的方式，但并不以此為限，金屬薄 板108與110可以是銅、鋼、鋁、鎳、鈦或其它基于這些金屬的合金所制成， 舉例來說42-鎳鐵(42%鎳)合金，或者伴隨有其它成分的銅合金、鋼合金、 鋁與鎳與鈦合金。此處所使用的金屬是指一種具有熱與電傳導(dǎo)的材料，并且 是可延展的可塑的。在金屬薄板108上，每一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)112包含有第一 末端與第二末端，并且導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)112是形成來與半導(dǎo)體組件104的源級 接觸區(qū)域S在導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)112的第二末端上形成電性接觸。每一導(dǎo)電指狀 結(jié)構(gòu)112的第一末端是在每一個對應(yīng)的窗口 111處電性連接至金屬薄板108。 這樣的結(jié)構(gòu)提供若干彼此分隔的電性平行路徑。 一個或更多個導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu) 114是由分隔開的金屬薄板110所形成，以提供半導(dǎo)體組件104的柵極接觸 區(qū)域G與引線框架102的柵極引線107之間的電性接觸。每一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu) 114包含有在窗口 113處電性連接至金屬薄板110的第一末端，以及用以與 半導(dǎo)體組件104的柵極接觸區(qū)域G形成電性接觸的第二末端。例如使用焊錫 或者導(dǎo)電膠117的方式，在導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)112、 114與接觸區(qū)域S、 G間建立 電性與機(jī)械接觸。
由范例所示的方式，但并不以此為限，每一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)112、 114的第 二末端可以是近似V的形狀，由V底部提供電性接觸至位于組件104頂面上 的源極襯墊(pad)和柵極襯墊。導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)112的第二末端也可以是其它 形狀，例如是提供電性連接至源極的U形。"V"形將描述為一般反轉(zhuǎn)的拱形 形狀，其包含有U形與其它同等形狀，但并不以此為限。夾片也包含有導(dǎo)電 指狀結(jié)構(gòu)115與116，其形成于金屬薄片108、 110的最近邊緣，分別與引線 框架102的熔接的源極引線109與柵極引線107電性接觸，以減少夾片鍵合 過程中的位移。通過例如使用焊錫或者導(dǎo)電膠117來建立介于導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu) 115、 116與引線109、 107之間的電性與機(jī)械接觸。導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)115、 116的第二末端與引線框架102的接觸比導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)112、 114與半導(dǎo)體芯片 104之間的接觸陡，以減少夾片鍵合過程中的非期望位移。
導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)可以是利用單一步驟或者兩步驟的沖模制程來制得。導(dǎo)電 指狀結(jié)構(gòu)可以由形成有窗口的相同金屬薄板制成。在這個具體實施例中，導(dǎo) 電指狀結(jié)構(gòu)112、 115的陣列可以是由形成有窗口 111的金屬薄板108沖模而 成，而導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)114、 116是由形成有窗口 113的金屬薄板110沖模形成。
由實施例的方式，但不以此為限，半導(dǎo)體組件104可以是金屬氧化物半 導(dǎo)體(MOS)組件，其具有一頂面源極與頂面柵極，與一底面漏極。在這樣 的范例中，夾片106的金屬薄板108與110 —般是分別指源極夾片與漏極夾 片。夾片106在指狀結(jié)構(gòu)112處電性連接至組件104的頂面源極。每一個V 型的底部是平坦的，以易于電性連接指狀結(jié)構(gòu)112與組件104的頂面源極。 本發(fā)明的源極夾片108可以使用獨(dú)立的柵極夾片110。在另一具體實施例中， 柵極夾片110可以使用一般的打線鍵合或者一般夾片來取代。由實施例的方 式，但不以此為限，夾片106也可與其它型態(tài)的半導(dǎo)體組件一起使用，特別 是直立式半導(dǎo)體組件，例如雙極結(jié)型晶體管(BJT)、絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)與二極管。
如圖1B所示，半導(dǎo)體組件封裝100可以利用模鑄化合物118進(jìn)行封圍 并且留下金屬薄板108、 IIO的頂面，以暴露出來。這暴露出的區(qū)域是大的且 能夠提供有效的熱耗散。由實施例的方式，但不以此為限，模鑄化合物118 可以是環(huán)氧樹脂。
硅與金屬之間的熱擴(kuò)散不協(xié)調(diào)可能會引起應(yīng)力，甚至是裂痕。假如兩者 間具有大的單一接觸區(qū)域，則問題將會更嚴(yán)重。此時可以采用如同半導(dǎo)體組 件100所實行的方式，將接觸區(qū)域碎裂為若干較小片段作為解決的方式。夾 片106通過導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)112、 114、 115與116所提供的多個接觸點來提供 介于夾片106與MOS組件104之間的應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)。因為導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)112、 114、 115與116給予模鑄化合物118許多在不同角度的錨狀物的特色，也增 加封裝的機(jī)械強(qiáng)度。如同圖1D所示，當(dāng)處在垂直力量下，可以由水平移動 來釋放應(yīng)力。
在夾片106中，若干個電性接觸區(qū)域減少擴(kuò)散熱阻。擴(kuò)散熱阻是指在導(dǎo) 體內(nèi)電流擴(kuò)散所產(chǎn)生的電阻，起因于電流從導(dǎo)體接觸點的側(cè)向移動。分布多個平行傳導(dǎo)路徑來引導(dǎo)貫穿半導(dǎo)體組件104的頂面上的接觸襯墊的通道電流 來減低擴(kuò)散電阻。假如接觸點是緊密串接在一起或者假如接觸點在數(shù)量上是 較少時，如在美國專利申請案公開號20080087992所示的源極夾片結(jié)構(gòu)，圖 1A至1D所示的夾片型態(tài)能具有較低的電阻。
本發(fā)明的另一優(yōu)點是能夠與一般半導(dǎo)體封裝的管腳與印刷管腳 (footprints)相兼容。因此，本發(fā)明可以使用在現(xiàn)行的裝置上，而無須改變 電路板或者周遭組件的設(shè)計。
本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員可以輕易裝配半導(dǎo)體組件封裝100。舉例來說，半 導(dǎo)體組件104可以嵌設(shè)于引線框架102上。夾片106隨后可以依附到半導(dǎo)體 組件104上和引線框架102上。可以額外加入模鑄化合物118來封圍大部分 的半導(dǎo)體組件封裝100。夾片106的頂面暴露于模鑄化合物118夕卜，以使熱 容易散逸。
圖2A至2D是本發(fā)明的另一具體實施例的半導(dǎo)體組件封裝的示意圖。半 導(dǎo)體組件封裝200基本上包含有先前所述且描繪在圖1A至1D內(nèi)的半導(dǎo)體組 件封裝100的所有組成組件，除了源極夾片包含有可容納較厚的封裝的雙階 梯狀指狀結(jié)構(gòu)。
如圖2A與2C所示，組件封裝200包含有一熔接引線框架102與一半導(dǎo) 體組件104，例如具有一頂面源極S、頂面柵極G與底面漏極D且設(shè)置在引 線框架102頂面上的MOS組件，其底面漏極D與引線框架102的主要部分 接觸。由實施例的方式，但不以此為限，引線框架102可以是被熔接的或是 無被熔接的。
依據(jù)本發(fā)明的具體實施例，半導(dǎo)體組件封裝200包含有夾片206，其包 含有兩個分隔開且分別具有窗口陣列211和213的金屬薄板208與210。在 金屬薄板208上，皆具有第一末端與第二末端的導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)212的陣列是 在第二末端處的半導(dǎo)體組件104的頂面源極上形成電性接觸。每一導(dǎo)電指狀 結(jié)構(gòu)212的第一末端是在每一對應(yīng)窗口 211處電性連接至金屬薄板208。這 樣的結(jié)構(gòu)提供多個平行電性路徑，其彼此間是分隔開的。在金屬薄板210上， 包含有第一末端與第二末端的導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)214在第二末端處與半導(dǎo)體組件 104的頂面柵極形成電性接觸。每一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)214的第一末端是在對應(yīng) 窗口213處與金屬薄板210電性連接。由實施例的方式，但不以此為限，導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)212與214的第二末端可以是近似V的形狀，由V型底部提供電 性接觸至位于組件104頂面上的源極襯墊(pad)和柵極襯墊。導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu) 212、 214也可以是其它形狀，例如是提供電性連接至源極的U形。"V"形 將描述為一般反轉(zhuǎn)的拱形形狀，其包含有U形與其它同等形狀，但并不以此 為限。
導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)215與216分別形成在金屬薄板208與210上，分別與引 線框架102的熔接源極引線109和柵極引線107形成明顯(sharp)的電性接 觸，來減少夾片鍵合時的位移。
導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)可以是利用單一步驟或者兩步驟的沖模制程來制得。導(dǎo)電 指狀結(jié)構(gòu)可以由形成有窗口的相同金屬薄板制成，例如金屬薄板208與210。 在此具體實施例中，導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)212、 215的陣列是由形成有窗口 211的金 屬薄板208沖模形成，導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)214與216是由形成有窗口 213的金屬 薄板210沖模形成。
進(jìn)一步，導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)212、 214、 215與216的形狀是考慮到金屬薄板 208至半導(dǎo)體組件104的表面距離。在這個實施例中，如圖2C與2D所示， 導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)212、 214、 215與216是雙階梯狀，例如樓梯形狀，以提供更 多應(yīng)力釋放能力，減少應(yīng)力釋放過程的水平移動，與封裝頂表面至芯片表面 間較高的距離。在這個范例中，是利用垂直移動來進(jìn)行應(yīng)力釋放。在另一具 體實施例中，導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)212可以是螺旋形，例如圖2E所示。為了形成 螺旋形狀，螺旋圖案可以先于金屬薄板208上裁切，隨后再沖模形成。
如圖2B所示，半導(dǎo)體組件封裝200可以利用模鑄化合物進(jìn)行封圍并且 留下金屬薄板208與210的頂面。由實施例的方式，但不以此為限，模鑄化 合物218可以是環(huán)氧樹脂。
如圖2D所示，當(dāng)承受一垂直力量時，應(yīng)力可以由垂直位移來進(jìn)行釋放。
夾片106與206基本上可以是與半導(dǎo)體組件封裝相同的尺寸。夾片106 與206 —般的尺寸是由大約次毫米(sub-millimeter)至幾分米。舉例來說， 夾片的尺寸在長度與寬度上是由大約0.5mm至大約5cm。長度與寬度可以是 不同的。
由實施例的方式，但不以此為限，圖3A至3C是描述在圖1A至1D與 圖2A至2D中所示窗口 111、 113與211、 213的俯視圖。對應(yīng)的導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)可具有對應(yīng)的形狀。圖3D顯示圖2E的螺旋形狀導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)實施例的圖 案的俯視圖。
雖然，以上的描述是本發(fā)明的具體實施例的整體描述，但是也可使用其 它的選擇、修改與同等物。因此，本發(fā)明的范疇不應(yīng)當(dāng)決定于上述的描述， 而是決定于權(quán)利要求書，伴隨著所有等效范疇。進(jìn)一步，可與其它技術(shù)特征 結(jié)合。附屬權(quán)利要求不能解釋為功能性的限制，除非已明確指出是手段或方 法。
以上所述者，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用來限定本發(fā)明實施 的范圍。故即凡依本發(fā)明的權(quán)利要求所述的特征及精神所為的均等變化或修 飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于半導(dǎo)體組件封裝的夾片，其包含有一金屬薄板，其包含有窗口陣列；至少一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)，每一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)具有第一末端與第二末端，其中，在窗口處，第一末端電性連接至金屬薄板；其中每一該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)在第二末端處是用來提供電性連接到半導(dǎo)體組件的上半導(dǎo)體區(qū)域或者引線框架。
2. 如權(quán)利要求l所述的夾片，其特征在于，該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是單一階梯狀。
3. 如權(quán)利要求l所述的夾片，其特征在于，該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是雙階梯狀。
4. 如權(quán)利要求l所述的夾片，其特征在于，該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是螺旋形狀。
5. 如權(quán)利要求l所述的夾片，其特征在于，該至少一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)包含有第 二末端是近似V形的至少一指狀結(jié)構(gòu)，其V形的底部與該半導(dǎo)體區(qū)域的 頂部形成電性連接。
6. 如權(quán)利要求l所述的夾片，其特征在于，該至少一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)更包含有 第二末端與一引線框架形成電性連接的至少一指狀結(jié)構(gòu)。
7. 如權(quán)利要求l所述的夾片，其特征在于，該金屬薄板的材料是選自于包含 有銅、鋼、鋁、鎳、鈦、鉬所構(gòu)成的群組或者結(jié)合有其它成分的銅合金、 鋼合金、鋁合金、鎳合金、鈦合金與鉬合金。
8. 如權(quán)利要求l所述的夾片，其特征在于，在鄰接窗口間該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)提 供若干個彼此間是利用間隙分隔開的平行電性路徑。
9. 如權(quán)利要求l所述的夾片，其特征在于，該夾片的尺寸是介于0.5mm與5cm之間。
10. 如權(quán)利要求1所述的夾片，其特征在于，該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是由該金屬薄板 沖模形成。
11. 一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包含有一引線框架，其包含有一個主要部分與至少一個引線；一半導(dǎo)體組件，其包含有至少一個位于頂面的第一接觸區(qū)域；以及一夾片，其包含有一金屬薄板，其包含有一窗口陣列；若干個傳導(dǎo)指狀物，每一個傳導(dǎo)指狀物包含有第一末端與第二末端， 其中，在每個窗口處，該第一末端電性連接至該金屬薄板；其中在該若干個導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)的第一設(shè)置處的第二末端處，該夾片電 性連接至該半導(dǎo)體組件的第一接觸區(qū)域；其中該夾片電性連接該第一接觸區(qū)域至該引線框架；以及該半導(dǎo)體組件的底面面向該引線框架的主要部分設(shè)置。
12. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件封裝，其特征在于，該若干個導(dǎo)電指狀 結(jié)構(gòu)的該第一設(shè)置處的第二末端是近似V形，其中每一個V形的底部與 該第一接觸區(qū)域電性連接。
13. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件封裝，其特征在于，在該若干個導(dǎo)電指 狀結(jié)構(gòu)的第二設(shè)置處，該夾片電性連接至該引線框架。
14. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件封裝，其特征在于，該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是 單一階梯狀。
15. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件封裝，其特征在于，該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是 雙階梯狀。
16. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件封裝，其特征在于，該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是 螺旋形狀。
17. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件封裝，其特征在于，該半導(dǎo)體組件是利 用一模鑄化合物進(jìn)行封圍，其中該夾片的頂表面是自該模鑄化合物暴露 出。
18. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件封裝，其特征在于，該半導(dǎo)體組件是金 屬氧化物半導(dǎo)體MOS組件，其中該MOS組件的表面上更包含有一柵極 區(qū)域。
19. 如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體組件封裝，其特征在于，該半導(dǎo)體組件封裝 更包含有一柵極夾片，其包含有一第二金屬薄板，其包含有一個窗口陣列；至少一個傳導(dǎo)柵極指狀結(jié)構(gòu)，每一個該柵極指狀結(jié)構(gòu)包含有第一末端 與第二末端，其中在每一個窗口處，該第一末端電性連接至該第二金屬薄 板；其中在至少一個柵極指狀結(jié)構(gòu)的第二末端處，該柵極夾片電性連接至 該半導(dǎo)體組件的柵極接觸區(qū)域；其中在至少另一個柵極指狀結(jié)構(gòu)的第二末端，該柵極夾片電性連接至 一個柵極引線。
20. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件封裝，其特征在于，該夾片能與一般標(biāo) 準(zhǔn)尺寸的半導(dǎo)體組件一起使用。
21. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件封裝，其特征在于，該夾片提供多個平 行且穿過該半導(dǎo)體組件的該第一區(qū)域的電性與熱傳路徑。
22. 如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件封裝，其特征在于，該半導(dǎo)體組件是一 直立式半導(dǎo)體組件，其中該半導(dǎo)體組件的底面更包含有一個第二接觸區(qū)域，其有傳導(dǎo)力的依附于該引線框架的主要部分上。
23. —種形成半導(dǎo)體組件封裝的方法，其包含有(a) 、依附一半導(dǎo)體組件到一引線框架上，該半導(dǎo)體組件的頂側(cè)上具有第一接觸區(qū)域，因此該半導(dǎo)體組件的底側(cè)倚靠在該引線框架的主要部 分上；(b) 、依附一夾片到該半導(dǎo)體組件與該引線框架上，其中，該夾片包含有:一金屬薄板，其包含有窗口陣列；若干個導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)，每一個導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)包含有第一末端與 第二末端，其中在每個窗口處，該第一末端電性連接至該金屬薄板;其中，在該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)的該第二末端，該夾片電性連接至該 半導(dǎo)體組件的第一接觸區(qū)域；以及 (C)、利用一模鑄化合物封圍該半導(dǎo)體組件與部分該引線框架與夾片，因 此該夾片的該頂面是穿過該模鑄化合物暴露出。
24. 如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，該半導(dǎo)體組件是一直立式金屬 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其中該金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管進(jìn)一 步包含有位于頂側(cè)的柵極接觸區(qū)域；以及其中該方法在步驟(a)與(c)間進(jìn)一步包含有 (d)、將該MOSFT的柵極接觸區(qū)域連接至該引線框架的柵極引線。
25. 如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是由金屬薄片 沖模而成。
26. 如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，該半導(dǎo)體組件是一直立式半導(dǎo) 體組件，且步驟(b)進(jìn)一步包含將該直立式半導(dǎo)體組件的底面有傳導(dǎo)力 的依附于該引線框架的主要部分上。
全文摘要
一種半導(dǎo)體組件封裝的夾片，其包含有一包含有窗口陣列與至少一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)的金屬薄片。每一該導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)具有一第一末端與一第二末端。在窗口之一處，第一末端是電性連接至金屬薄板。在第二末端處，每一導(dǎo)電指狀結(jié)構(gòu)是提供電性連接至半導(dǎo)體組件的上半導(dǎo)體區(qū)域或者是引線框架。
文檔編號H01L23/492GK101685810SQ200910175998
公開日2010年3月31日 申請日期2009年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月25日
發(fā)明者凱 劉, 磊 石, 良 趙 申請人:萬國半導(dǎo)體股份有限公司