專利名稱：基板處理裝置和基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板處理裝置和基板處理方法。
背景技術(shù)：
作為基板處理裝置的一例，按照裝載端口、裝載鎖定室、輸送室和處理室的順序輸送晶片，并在處理室進(jìn)行處理。
處理室是被閘閥阻擋的獨(dú)立空間，在各室中能夠單獨(dú)地進(jìn)行晶片的處理。
通常，在基板載置臺(tái)上進(jìn)行處理的結(jié)構(gòu)中，在一個(gè)室中只進(jìn)行一個(gè)晶片的處理。專利文獻(xiàn)l公開了一種技術(shù)，將未處理的晶片交替地向處理室輸送，已處理的晶片從各處理室返回到基板支承體時(shí)，更換成下一個(gè)要進(jìn)行處理的未處理晶片。
專利文獻(xiàn)l:日本特開2006 - 86180號(hào)7>報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
以往的基板處理裝置是存放晶片的裝栽鎖定室為兩個(gè)室、具有將晶片搬運(yùn)到各室的機(jī)器人的輸送室為一個(gè)室、處理晶片的處理室為兩個(gè)室的結(jié)構(gòu)。在本裝置的結(jié)構(gòu)中，要使單位時(shí)間的吞吐量超過200張是困難的。在以進(jìn)一步提高吞吐量為目標(biāo)的情況下，單純地向輸送室外周部增加處理室，能夠?qū)崿F(xiàn)吞吐量的提高。但是，相對(duì)地輸送室內(nèi)的輸送機(jī)器人就變得大型化，而且由于增加處理室占地面積(footprint)變大是無法避免的。
本發(fā)明的目的是提供一種基板處理裝置和基板處理方法，能夠?qū)崿F(xiàn)同時(shí)滿足高吞吐量化和省占地面積化這樣相反的條件。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，提供一種基板處理裝置，具有輸送室和處理基板的處理室，所述輸送室具有將基板從該輸送室向所述處
理室輸送的第l基板輸送部件，所述處理室具有與所述輸送室鄰接的、具有第l基板載置臺(tái)的第l處理部；與所述第l處理部中的所述輸送室一側(cè)的不同側(cè)鄰接的、具有第2基板栽置臺(tái)的第2處理部；在所述第1處理部和所述第2處理部之間輸送基板的第2基板輸送部件；至少控制所述第2基板輸送部件的控制部。處理室具有第1處理部和第2處理部，能夠同時(shí)進(jìn)行處理，由此與以往相比，處理張數(shù)增加，吞吐量提高。另外，作為四個(gè)反應(yīng)室保持裝置，與其他公司產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)相比能夠?qū)崿F(xiàn)省占地面積的配置。
另外，根據(jù)本發(fā)明的另一方式，提供一種基板處理方法，具有如下步驟將至少2張基板向具有第1處理部、第2處理部及栽置基板的基板栽置臺(tái)的處理室供給的步驟；將所述至少2張基板分別載置在所述第1處理部的第1基板輸送機(jī)構(gòu)及所述第2處理部的第2基板輸送機(jī)構(gòu)上的步驟；將基板載置在所述基板載置臺(tái)時(shí)，相對(duì)地控制所述第1基板輸送機(jī)構(gòu)和所述第2基板輸送機(jī)構(gòu)、或所述基板載置臺(tái)的步驟，以使所述第l基板輸送機(jī)構(gòu)和內(nèi)置在所述基板載置臺(tái)的加熱器之間的距離、與所述第2基板輸送機(jī)構(gòu)和內(nèi)置在所述基板載置臺(tái)的加熱器之間的距離相同。由此，第1處理部和第2處理部的各基板與加熱器的距離相同，加熱條件一致，基板溫度以相同的比例上升。
根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)同時(shí)滿足高吞吐量化和省占地面積化這樣相反的條件。


圖l是本發(fā)明的實(shí)施方式使用的基板處理裝置的整體結(jié)構(gòu)圖，是從上方觀察的示意圖。
圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式使用的基板處理裝置的整體結(jié)構(gòu)圖的縱剖視圖。
圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置的處理室的立體圖。圖4是用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置的晶片止擋件和晶片的位置關(guān)系的圖。
圖5是從上方觀察本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理時(shí)的第2基板輸送部件周邊的圖。
圖6是從上方觀察本發(fā)明的實(shí)施方式的處理室內(nèi)的圖，表示晶片搬運(yùn)的流程。
圖7是從上方觀察本發(fā)明的實(shí)施方式的處理室內(nèi)的圖，表示圖6的晶片搬運(yùn)的流程的延續(xù)。
圖8是比較例的基板處理裝置的整體結(jié)構(gòu)圖，是從上方觀察的示意圖。
圖9是從上方觀察比較例的基板處理裝置的處理室內(nèi)的圖，表示晶片搬運(yùn)的流程。
圖10表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置10的配置例。
圖11表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的基板處理裝置。
圖12表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的基板處理裝置。
附圖標(biāo)記的說明1 晶片
10基板處理裝置12輸送室14裝載鎖定室16處理室
30第l基板輸送部件
35閘閥
36第l處理部
38第2處理部
39基板保持銷
40第2基板輸送部件
64加熱器70晶片止擋件
具體實(shí)施例方式
以下，根據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖l是本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置10的整體結(jié)構(gòu)圖，從裝 置10的上方觀察的示意圖。
基板處理裝置10中，例如以輸送室12為中心，配置有兩個(gè)裝載 鎖定室14a、 14b及兩個(gè)處理室16a、 16b，在裝載鎖定室14a、 14b的上 游側(cè)配置有前端模塊即EFEM ( Equipment Front End Module ) 18。
在EFEM18中，成為能夠搭載三臺(tái)存放晶片l的環(huán)箍(25張)的 構(gòu)造。
在EFEM18內(nèi)，載置有在大氣中能夠同時(shí)搬運(yùn)多張(5張)晶片 的大氣機(jī)器人(未圖示)，能夠在兩個(gè)裝載鎖定室14a、 14b之間進(jìn) 行晶片搬運(yùn)。另外，本裝置具有用于控制各構(gòu)成部件的控制器84。
如圖2所示，在裝載鎖定室14a、 14b中，設(shè)置有在縱向上隔開一 定間隔收容例如25張基板的基板支承體(舟皿)20。基板支承體20 由例如碳化硅或鋁構(gòu)成，并具有連接上部板2 2和下部板2 4的例如三 個(gè)支柱26。在支柱26的長(zhǎng)度方向內(nèi)側(cè)，平行地形成有例如25個(gè)載置 部28。另外，基板支承體20是在裝載鎖定室14a、 14b內(nèi)沿垂直方向 移動(dòng)(沿上下方向移動(dòng))，并且以沿垂直方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸為軸進(jìn) 行旋轉(zhuǎn)。
在輸送室12中，設(shè)置有在裝載鎖定室14a、 14b和處理室16a、 16b 之間輸送晶片1的第1基板輸送部件30。第1基板輸送部件30具有臂 34,該臂34設(shè)置有由上機(jī)械手(finger) 32a及下機(jī)械手32b構(gòu)成的機(jī) 械手對(duì)32。上機(jī)械手32a及下機(jī)械手32b具有例如相同的形狀，并在 上下方向上分開規(guī)定間隔，并從臂34開始分別沿大致水平的方向延 伸，能夠分別支承晶片l。臂34以沿垂直方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸為軸進(jìn)行 旋轉(zhuǎn)，并且沿水平方向移動(dòng)。輸送室12和處理室16a、以及輸送室12 和處理室16b如圖3所示地分別通過閘閥35連通。在處理室16a和處理室16b之間具有分界壁48，通過該分界壁48使各處理室的環(huán)境氣體成 為獨(dú)立的狀態(tài)。
因此，存放在裝載鎖定室14a、 14b中的未處理的晶片由配置在 輸送室12的第1基板輸送部件30同時(shí)地每次2張地經(jīng)由閘閥35向處理 室16a、 16b搬運(yùn)。已處理的晶片由第l基板輸送部件30從處理室16a、 16b—次2張地向裝載鎖定室14a、 14b搬運(yùn)(第l基板輸送機(jī)構(gòu))。
在圖3中，表示了處理室16的概要。
在處理室16中，配置有兩臺(tái)基板載置臺(tái)，將輸送室12側(cè)的第1處 理部36的基板載置臺(tái)作為第1基板載置臺(tái)37,將另一個(gè)第2處理部38 的基板載置臺(tái)作為第2基板載置臺(tái)41。
第1處理部36和第2處理部38是相互獨(dú)立的構(gòu)造，從裝置整體來 看，成為與晶片處理流動(dòng)方向同向的一列。
即，第2處理部38從輸送室12隔著第1處理部36向遠(yuǎn)處配置。
在第1處理部36和第2處理部38中，通過相同的工藝進(jìn)行基板處理。
第l處理部36和第2處理部38連通，處理室16內(nèi)能夠升溫到 300°Co
在第1基板載置臺(tái)37及第2基板栽置臺(tái)41上，內(nèi)插有加熱器64進(jìn) 行加熱。另外，第1基板載置臺(tái)37和第2基板載置臺(tái)41由例如鋁 (A5052、 A5056等)形成。
為了實(shí)現(xiàn)省空間、低成本化的目的，也可以由例如鋁(A5052 ) 一個(gè)部件形成裝載鎖定室14a、 14b、輸送室12及處理室16a、 16b。
在處理室16內(nèi)的第1處理部36和第2處理部38之間的內(nèi)側(cè)即靠分 界壁48—側(cè)，設(shè)置有第2基板輸送部件40。
第2基板輸送部件40是以軸部43e為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，軸部"e配置 在分界壁48側(cè)。
另 一個(gè)處理室中的第2基板輸送部件40配置成隔著分界壁48與 一個(gè)處理室的第2基板輸送部件40相對(duì)。通過相對(duì)地配置，能夠?qū)⒂?于控制各第2基板輸送部件40的布線集中配設(shè)在處理室16的下部，即
8水平方向上的裝置中央處，即分界壁48近邊。其結(jié)果，在布線空間 中，能夠按照部件集中設(shè)置布線，從而使布線空間高效化。另外， 由于以配置在分界壁48附近的軸部43e為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，所以能夠使 處理室16的外側(cè)為圓形。通過作成圓形，能夠使裝置主體ll的輪廓 lla為傾斜狀，其結(jié)果，能夠更大地確保供維修人員進(jìn)入的維護(hù)空間 17。假設(shè)，在將軸部43e配置在處理室16的外側(cè)的情況下，不能使輪 廓11 a為傾斜狀，則不能更大地確保供維修人員進(jìn)入的維護(hù)空間17。
第2基板輸送部件40將由第1基板輸送部件30輸送的2張未處理 晶片中的1張搬運(yùn)到第2處理部38的第2基板載置臺(tái)41,再將第2基板 載置臺(tái)41的已處理的晶片向第1基板輸送部件30的機(jī)械手上搬運(yùn)(第 2基板輸送機(jī)構(gòu))。
圖4是第1基板輸送部件3 0的周邊的側(cè)視圖。
作為基板固定部件的晶片止擋件70 ，靠近第1基板輸送部件30的 上機(jī)械手32a和下機(jī)械手32b的臂34，以從下機(jī)械手32b向垂直方向上 方延伸的狀態(tài)設(shè)置。例如可以作為使基板在垂直方向整齊排列的整 列板使用。
晶片止擋件70沿著第1基板輸送部件30的外形形成。另外，晶片 止擋件70的上端面如圖4所示地配置在比第1基板輸送部件30的上機(jī) 械手32a上的晶片l的上方更靠上方。由此，即使第2基板輸送部件40 過旋轉(zhuǎn)的情況下，晶片1也能被晶片止擋件70擋住，能夠防止晶片l 躍上晶片止擋件70。另外，晶片止擋件70配置在不與第2基板輸送部 件40發(fā)生干涉的位置。通過設(shè)置晶片止擋件70,防止晶片l從第l基 板輸送部件30偏移而被載置在第1基板載置臺(tái)37上。另外，通過將晶 片止擋件70配置在不與第2基板輸送部件40發(fā)生干涉的位置，能夠使 第l基板輸送部件30及第2基板輸送部件40同時(shí)地位于第l處理部36 的第1基板載置臺(tái)37上。由此，能夠提高吞吐量。
圖5表示處理部16內(nèi)的第2基板輸送部件40在第2處理部38側(cè)待 機(jī)時(shí)(基板處理時(shí))的情況。
第2基板輸送部件40具有外徑比晶片的外徑大的圓弧部43a;從圓弧部43a被切口的切口部43b;從圓弧部43a朝向圓弧部的中心大 致水平地設(shè)置的載置晶片的爪部43c;設(shè)置有支承圓弧部43a的框架 部43d的臂47。
圓弧部43a與框架部43d連續(xù)地形成，從臂47被大致水平安裝， 能夠通過爪部43c支承晶片1。
臂47是以沿垂直方向延伸的軸部43e為旋轉(zhuǎn)軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，并且沿 垂直方向升降。
切口部43b配置在當(dāng)軸部43e旋轉(zhuǎn)且處在第l處理部36—側(cè)時(shí)與 輸送室12和處理室16之間設(shè)置的閘閥35相對(duì)的位置。
因此，第2基板輸送部件40的旋轉(zhuǎn)軸即軸部43e旋轉(zhuǎn)、升降。通 過進(jìn)行這樣的動(dòng)作，將被第l基板輸送部件30輸送到處理室16內(nèi)的2 張晶片中的l張晶片，從第1處理部36上方向位于輸送室12的遠(yuǎn)處的 第2處理部38輸送并栽置。
由于第2基板輸送部件40通過來自第1基板載置臺(tái)37及第2基板 載置臺(tái)41的熱輻射成為高溫(250。C左右)，所以優(yōu)選由耐等離子性、 耐高熱性的例如氧化鋁陶瓷(純度99,6%以上)、石英、SiC (碳化 硅)、A1N (氮化鋁)等形成。通過由熱膨脹系數(shù)比金屬部件小的例 如氧化鋁陶資(純度99.6%以上)形成，能夠防止因熱變形產(chǎn)生的撓 曲等導(dǎo)致輸送可靠性劣化。但是，在第2基板輸送部件40的基部，為 了進(jìn)行位置水平調(diào)整，使用金屬部件。
第1基板栽置臺(tái)37及第2基板載置臺(tái)41是在處理室16內(nèi)通過固定 部件(未圖示)固定在裝置主體ll上。另外，在第1基板載置臺(tái)37的 外周，基板保持部即3個(gè)第l基板保持銷39a沿垂直方向貫通，基板保 持銷在上下方向上升降，由此使基板大致水平地升降。另外，在第2 基板載置臺(tái)41的外周，基板保持部即3個(gè)第2基板保持銷39b沿垂直方 向貫通，基板保持銷在上下方向上升降，由此使基板大致水平地升 降。因此，通過閘閥35由第1基板輸送部件30輸送的晶片通過基板保 持銷39a、 39b被載置在基板載置臺(tái)上。也就是說，通過控制器84的 控制，馬達(dá)旋轉(zhuǎn)及反轉(zhuǎn)，第l基板保持銷39a、第2基板保持銷39b在上下方向上移動(dòng)。
圖6及圖7表示處理室16內(nèi)的晶片搬運(yùn)的流程的概要。 在圖6 (a) ~ (d)及圖7 (e) ~ (h)中，上方的圖是處理室16 的俯視圖。下方的圖是表示上方的圖的截面的圖，是說明用附圖。
在下方的圖中，基板保持銷39a中的一個(gè)在第l處理部36內(nèi)設(shè)置 在閘閥35附近的位置。它是為方便說明而表示的。實(shí)際上，如上方 的圖所示，在第1處理部36內(nèi)，在閘閥35附近的位置即第1基板輸送 部件30如圖5 (c)的上方的圖所示地待機(jī)的位置，沒有設(shè)置基板保 持銷39a。
首先，處理室16內(nèi)被真空化為與輸送室12同壓。此外，在以下 的說明中，構(gòu)成基板處理裝置10的各部件的動(dòng)作被控制器84控制。 (步驟l，圖6 (a))
閘閥35打開，第1基板載置臺(tái)37的第1基板保持銷39a和第2基板 載置臺(tái)41的第2基板保持銷39b上升。第2基板輸送部件40在第2處理 部38側(cè)待機(jī)，并與第l基板保持銷39a、第2基板保持銷39b—起上升。 (步驟2,圖6 (b))
第2基板輸送部件40通過軸部43e旋轉(zhuǎn)大致水平地向第l處理部 36側(cè)移動(dòng)。此時(shí)，第2基^l輸送部件40的切口部43b與閘閥35相對(duì)。 (步驟3,圖6 (c))
第l基板輸送部件30同時(shí)輸送被載置在上機(jī)械手32a和下機(jī)械手 32b上的2張晶片，并從輸送室12通過閘閥35向處理室16移動(dòng)，并在 第1處理部36上方停止。此時(shí)，第2基板輸送部件40在機(jī)械手對(duì)32的 上機(jī)械手32a和下機(jī)械手32b之間的高度位置待機(jī)。這里，晶片止擋 件70設(shè)定得比旋轉(zhuǎn)時(shí)的晶片高度高，由此能夠抑制晶片過度旋轉(zhuǎn)。 另外，晶片止擋件70靠近上機(jī)械手32a和下機(jī)械手32b的臂地設(shè)置， 由此能夠防止與旋轉(zhuǎn)時(shí)的晶片l干涉。 (步驟4，圖6 (d))
在第1基板輸送部件30—直不動(dòng)作的狀態(tài)下，第1基板載置臺(tái)37 的第1基板保持銷3 9a上升，將載置在下機(jī)械手3 2b上的晶片載置到第
iil基板保持銷39a上。而且，通過使第2基板輸送部件40上升，將載置 在上機(jī)械手32a的晶片載置到第2基板輸送部件40的爪部43c上。 (步驟5,圖7 (e))
第1基板輸送部件30返回輸送室12內(nèi)。這里，通過設(shè)置晶片止擋 件70,在第1基板輸送部件30的收縮動(dòng)作時(shí)，也能夠防止與晶片l的 干涉。
(步驟6,圖7 (f))
第2基板輸送部件40是在載置了晶片1的狀態(tài)下，通過使軸部43e 旋轉(zhuǎn)而大致水平向第2處理部38側(cè)移動(dòng)。 閘閥35關(guān)閉。 (步驟7，圖7 (g)) 軸部43e下降，第2基板輸送部件40向第2基板載置臺(tái)41的外周下
方移動(dòng)o
由于第2基板輸送部件40在晶片處理過程中在處理室16內(nèi)待機(jī)， 所以阻礙從第2處理部38上方供給的處理氣體(例如02自由基等)的 氣流，會(huì)使晶片面內(nèi)的均勻性惡化。因此，要將第2基板輸送部件40 移動(dòng)到不阻礙第2基板載置臺(tái)41的外周的氣流的高度。 (步驟8，圖7 (h))
在第1基板載置臺(tái)37的第l基板保持銷39a及第2基板載置臺(tái)41的 第2基板保持銷39b大致水平地保持晶片l的狀態(tài)下，大致同時(shí)地下 降，并將晶片1載置到第1基板載置臺(tái)37及第2基板載置臺(tái)41。即，使 晶片下降，以便使各晶片和與這些晶片對(duì)應(yīng)的基板載置臺(tái)的距離相等。
第1處理部3 6及第2處理部3 8分別對(duì)晶片產(chǎn)生相同的熱影響。通 過實(shí)施相同的熱影響，例如能夠使各晶片的灰化率(ashingrate)均 勻?；逄幚硎荂VD ( Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積) 的情況下，能夠使各膜成為大致相同的厚度。
此外，不必進(jìn)行完全相同的熱影響，只要灰化率和膜厚均勻， 也可以存在誤差。各基板所載置的時(shí)間誤差為例如2秒左右。大致同時(shí)使第1基板保持銷39a和第2基板保持銷39b下降，代替 進(jìn)行相同的熱影響，也可以個(gè)別地控制加熱器64。
另外，在本裝置中，使基板保持銷39下降，但也可以使第l基板 載置臺(tái)37及第2基板載置臺(tái)41上下地構(gòu)成。
之后，將氣體供給到處理室16內(nèi)，實(shí)施等離子生成(灰化處理)， 在基板處理后，執(zhí)行相反的程序，將基板送出。
圖8是比較例的基板處理裝置50的整體結(jié)構(gòu)圖，表示從裝置50上
方觀察的示意圖。
比較例的基板處理裝置5 0是存放晶片的裝載鎖定室5 2為兩個(gè) 室、具有將晶片搬運(yùn)到各室的機(jī)器人的輸送室54為一個(gè)室、處理晶 片的處理室56為兩個(gè)室的結(jié)構(gòu)，在處理室一個(gè)室中只進(jìn)行一個(gè)晶片 的處理。
圖9表示比較例的基板處理裝置50的處理室56內(nèi)的晶片搬運(yùn)的 流程的概要。
此外，在以下的說明中，比較例的構(gòu)成基板處理裝置50的各部 件的動(dòng)作被控制器86控制。
首先，處理室56內(nèi)被真空化為與輸送室54同壓。
(步驟l) 閘閥62打開。
(步驟2)
第3基板輸送部件60輸送晶片1,并從輸送室54通過閘閥62向處 理室56內(nèi)移動(dòng)，在基板載置臺(tái)66上方停止。這里，第3基板輸送部件 60每次能輸送1張晶片。 (步驟3)
在第3基板輸送部件60—直不動(dòng)作的狀態(tài)下，基板保持銷68上 升，晶片l被載置在基板保持銷68上。 (步驟4)
第3基板輸送部件60返回輸送室54內(nèi)。 (步驟5)基板保持銷68是在大致水平地保持晶片l的狀態(tài)下下降，并載置 在基板栽置臺(tái)66上，晶片載置完成。 閘閥62關(guān)閉。
之后，向處理室56內(nèi)供給氣體，實(shí)施等離子生成(灰化處理)， 在基板處理后，執(zhí)行相反的程序，送出基板。
根據(jù)上述本發(fā)明，作為四個(gè)反應(yīng)室保持裝置，與比較例的基板 處理裝置50相比，能夠進(jìn)行省占地面積的配置。另外，如圖10所示， 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置IO，沒有使晶片l橫向移動(dòng)的 處理室16，由于在進(jìn)深方向上具有多個(gè)處理室16，所以能夠使裝置 IO的橫寬變小，從而能夠配置多個(gè)裝置IO。另外，根據(jù)本發(fā)明，除 了從輸送室輸送晶片的第1基板輸送部件30以外，還具有第2基板輸 送部件40，從而第1基板輸送部件30和第2基板輸送部件40能夠同時(shí) 執(zhí)行各自的動(dòng)作，對(duì)高吞吐量有貢獻(xiàn)。另外，由于第2基板輸送部件 40被配置在處理室16內(nèi)，所以在處理室16內(nèi)部維持減壓、高溫的狀 態(tài)下，能夠進(jìn)行晶片的輸送，在第2基板輸送部件40由例如氧化鋁陶 瓷制成的情況下，能夠在處理室16內(nèi)殘留第2基板輸送部件4 0的狀態(tài) 下進(jìn)行處理。而且，由于能夠挪用已有的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)，所 以能夠減少變更點(diǎn)。
因此，根據(jù)本發(fā)明，能夠在省占地面積布置的狀態(tài)下倍增吞吐量。
圖11表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式。
在第2實(shí)施方式的基板處理裝置中，將上述第1基板載置臺(tái)37和 第2基板載置臺(tái)41作為一個(gè)基板載置臺(tái)65。在處理室16的中央，形成 分隔壁68，而構(gòu)成第1處理部36和第2處理部38。在第1處理部36和第 2處理部38的上方，分別從氣體供給管69供給處理氣體，并從氣體排 氣管71排氣。在基板載置臺(tái)65上內(nèi)插有加熱器64。在基板載置臺(tái)65 的中心，設(shè)置有使基板載置臺(tái)65升降的升降機(jī)構(gòu)67。這里，通過使 基板載置臺(tái)65上升，使第1處理部36的晶片1和加熱器64的距離、與 第2處理部38的晶片l和加熱器64的距離相同。根據(jù)本發(fā)明的第2實(shí)施方式，通過將升降機(jī)構(gòu)67設(shè)置在裝置主體 的中心，能夠以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)平衡性好地使基板載置臺(tái)65升降，由此 與各晶片l的距離難以發(fā)生波動(dòng)。即，使第1處理部36及第2處理部38 對(duì)晶片的熱影響相同，能夠使灰化率均勻。
假設(shè)，在使兩個(gè)基板載置臺(tái)上升的情況下，需要在每個(gè)基板載 置臺(tái)上設(shè)置基板載置臺(tái)的升降機(jī)構(gòu)，會(huì)導(dǎo)致成本提高。另外，需要 對(duì)各基板載置臺(tái)進(jìn)行加熱器64和晶片1間的距離調(diào)整，則維護(hù)作業(yè)增 加，維護(hù)成本增加。另外，在將一個(gè)加熱器嵌入一個(gè)基板載置臺(tái)中 的情況下，由于加熱器的加熱控制部只有一個(gè)，所以不會(huì)增加成本， 或者控制變得簡(jiǎn)單。
圖12是對(duì)本發(fā)明的第3實(shí)施方式進(jìn)行說明的圖。
在第3實(shí)施方式的基板處理裝置中，具有兩個(gè)基板載置臺(tái)65，在 兩個(gè)基板載置臺(tái)65上分別內(nèi)插有加熱器64。從處理室16的中央，處 理室16完全被分隔壁68分隔，從而構(gòu)成第1處理部36和第2處理部38。 在第1處理部36和第2處理部38的上方，分別從氣體供給管69供給處 理氣體，并從氣體排氣管71排氣。
在第3實(shí)施方式中，與本發(fā)明的實(shí)施方式同樣，分別使兩個(gè)基板 載置臺(tái)65的基板保持銷39同時(shí)下降，以便使第1處理部36的晶片l和 加熱器64的距離、與第2處理部38的晶片l和加熱器64的距離相同， 即，加熱器對(duì)各基板的熱影響水平相同。
根據(jù)本發(fā)明的第3實(shí)施方式，由于處理室16被分隔，所以等離子 均勻地打在晶片l上。
由此，由第1處理部36和第2處理部38，以相同溫度且相同條件 打出等離子，從而能夠?qū)寰鶆虻剡M(jìn)行等離子處理。
另外，本發(fā)明不限于用等離子處理基板的等離子處理裝置，還 可以有效地應(yīng)用于如下的基板處理裝置涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，尤 其涉及將被處理基板收容在處理室在由加熱器加熱的狀態(tài)下實(shí)施處 理的熱處理技術(shù)，例如，在被制作了半導(dǎo)體集成電路裝置(半導(dǎo)體 設(shè)備)的半導(dǎo)體晶片上進(jìn)行氧化處理、擴(kuò)散處理、用于離子注入后的載體活性化和平坦化的回流和退火、通過熱CVD反應(yīng)的成膜處理 等中進(jìn)行使用。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，提供一種基板處理裝置，具有輸送室 和處理基板的處理室，所述輸送室具有將基板從該輸送室向所述處 理室輸送的第l基板輸送部件，所述處理室具有與所述輸送室鄰接 且具有第l基板載置臺(tái)的第l處理部；與所述第l處理部中的所述輸送 室一側(cè)不同側(cè)鄰接且具有第2基板載置臺(tái)的第2處理部；在所述第l處 理部和所述第2處理部之間輸送基板的第2基板輸送部件；至少控制 所述第2基板輸送部件的控制部。由此，提高吞吐量。
優(yōu)選地，所述處理室至少設(shè)置兩個(gè)，并分別設(shè)置在所述輸送室 的一面。由此，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)吞吐量的提高和擁有成本(Cost of Ownership)的降低。
優(yōu)選地，所述處理室至少設(shè)置兩個(gè)，并且各處理室的長(zhǎng)度方向 從所述輸送室觀察為同方向。由此，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)吞吐量的提高和 擁有成本(Cost of Ownership )的降低。
優(yōu)選地，所述第1處理部和所述第2處理部中，各處理室連通， 所述第2基板輸送部件具有軸部、栽置基板的的圓弧部、從所述圓弧 部切口的切口部，所述軸部沿垂直方向升降并旋轉(zhuǎn)地構(gòu)成，所述切 口部與所述輸送室和所述處理室之間形成的閘閥相對(duì)地構(gòu)成。由此， 在連通的處理室中，能夠從一個(gè)處理部向另一個(gè)處理部輸送并栽置 基板。另外，在基板處理時(shí)，通過使第2基板輸送部件下降，而不會(huì) 對(duì)氣體排氣產(chǎn)生阻礙。
優(yōu)選地，所述第1處理部具有使基板水平地升降的基板保持部。 由此，對(duì)基板的熱影響相同。
優(yōu)選地，所述控制部進(jìn)行如下控制通過所述基板保持部使基 板從在所述第l處理部配設(shè)的具有第l加熱器的第l基板載置臺(tái)上方 以所希望的距離暫時(shí)待機(jī)，并通過所述第2基板輸送部件使基板從在 所述第2處理部配設(shè)的具有第2加熱器的第2基板載置臺(tái)上方以所述 所希望的距離待機(jī)。由此，來自加熱器的加熱情況變得相同，對(duì)基4反的熱影響相同。
優(yōu)選地，所述控制部在使基板分別在所述第1基板載置臺(tái)和所述
第2基板載置臺(tái)上待機(jī)之后，通過所述基板保持部使所述第l基板載 置臺(tái)和該第l基板載置臺(tái)上的基板下降，并通過所述第2基板輸送部 件使所述第2基板載置臺(tái)和該第2基板載置臺(tái)上的基板下降，根據(jù)各 自的下降，使所述第l基板載置臺(tái)和該第l基板載置臺(tái)上的基板之間 的距離、與所述第2基板載置臺(tái)和該第2基板載置臺(tái)上的基板之間的 距離相同。由此，各基板和加熱器之間的距離相同，加熱條件相同， 對(duì)基板的熱影響相同。
優(yōu)選地，所述第l基板輸送部件和所述第2基板輸送部件構(gòu)成為 在配設(shè)在所述第l處理部上的、具有第l加熱器的第l基板載置臺(tái)上方 待機(jī)，所述第1基板輸送部件在不與所述第2基板輸送部件接觸的位 置具有基板固定部件。由此，能夠同時(shí)使第1基板輸送部件和第2基 板輸送部件在一個(gè)處理部上待機(jī)，搬運(yùn)基板，從而能夠以高吞吐量 輸送基板。
優(yōu)選地，所述基板固定部件的上端配置在比載置在所述第2基板 輸送部件上的基板更靠上方。由此，在載置時(shí)，能夠防止基板從基 板栽置臺(tái)飛出，從而能夠防止基板的破損。
另外，根據(jù)本發(fā)明的另一方式，提供一種基板處理裝置，具有 具有分別處理基板的第1處理部及第2處理部的處理室；包含在所述 處理室的、具有對(duì)基板加熱的加熱器的至少一個(gè)基板載置臺(tái)；設(shè)置 在所述第1處理部的第1基板輸送機(jī)構(gòu)；設(shè)置在所述第2處理部的第2 基板輸送機(jī)構(gòu)；以及控制部，將基板載置在所述基板栽置臺(tái)時(shí)，相 對(duì)地控制所述第1基板輸送機(jī)構(gòu)和所述第2基板輸送機(jī)構(gòu)、或所述基 板栽置臺(tái)，以使所述第l基板輸送機(jī)構(gòu)和所述加熱器之間的距離、與 所述第2基板輸送機(jī)構(gòu)和所述加熱器之間的距離相同。由此，各基板 和加熱器的距離相同，加熱條件相同，對(duì)基板的熱影響相同。
另外，根據(jù)本發(fā)明的又一方式，提供一種基板處理裝置，具有 如下步驟將至少2張基板載置向具有第1處理部、第2處理部及栽置基板的基板載置臺(tái)的處理室供給的步驟；將所述至少2張基板分別載 置在所述第1處理部的第1基板輸送機(jī)構(gòu)及所述第2處理部的第2基板 輸送機(jī)構(gòu)上的步驟；將基板載置在所述基板載置臺(tái)時(shí)，相對(duì)地控制 所述第1基板輸送機(jī)構(gòu)和所述第2基板輸送機(jī)構(gòu)、或所述基板載置臺(tái) 的步驟，以使所述第1基板輸送機(jī)構(gòu)和內(nèi)置在所述基板載置臺(tái)的加熱 器之間的距離、與所述第2基板輸送機(jī)構(gòu)和內(nèi)置在所述基板載置臺(tái)的 加熱器之間的距離相同。由此，各基板和加熱器的距離相同，加熱 條件相同，對(duì)基板的熱影響相同。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有輸送室；和處理基板的處理室，所述輸送室具有將基板從該輸送室向所述處理室輸送的第1基板輸送部件，所述處理室具有與所述輸送室鄰接的、具有第1基板載置臺(tái)的第1處理部；與所述第1處理部中的所述輸送室一側(cè)不同側(cè)鄰接的、具有第2基板載置臺(tái)的第2處理部；在所述第1處理部和所述第2處理部之間輸送基板的第2基板輸送部件；至少控制所述第2基板輸送部件的控制部。
2. 如權(quán)利要求l所述的基板處理裝置，其特征在于，所述處理室至少設(shè)置兩個(gè)，并分別設(shè)置在所述輸送室的一面。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第1處理部和所述第2處理部中，各處理室連通，所述第2基板輸送部件具有軸部、載置基板的圓弧部、從所述圓弧部切口的切口部，所述軸部構(gòu)成為沿垂直方向升降并旋轉(zhuǎn)，所述切口部構(gòu)成為與所述輸送室和所述處理室之間形成的閘閥相對(duì)。
4. 如權(quán)利要求1至3的任意一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第1處理部具有使基板水平升降的基板保持部。
5. —種基板處理方法，其特征在于，具有如下步驟將至少2張基板向具有第l處理部、第2處理部及載置基板的基板載置臺(tái)的處理室供給的步驟；將所述至少2張基板分別載置在所述第1處理部的第1基板輸送機(jī)構(gòu)及所述第2處理部的第2基板輸送機(jī)構(gòu)上的步驟；將基板載置在所述基板載置臺(tái)時(shí)，相對(duì)地控制所述第l基板輸送機(jī)構(gòu)和所述第2基板輸送機(jī)構(gòu)、或所述基板載置臺(tái)的步驟，以使所述 第1基板輸送機(jī)構(gòu)和內(nèi)置在所述基板載置臺(tái)的加熱器之間的距離、與 所述第2基板輸送機(jī)構(gòu)和內(nèi)置在所述基板載置臺(tái)的加熱器之間的距 離相同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)高吞吐量化和省占地面積化這樣相反的條件。本發(fā)明的基板處理裝置具有輸送室和處理基板的處理室，所述輸送室具有將基板從該輸送室向所述處理室輸送的第1基板輸送部件，所述處理室具有與所述輸送室鄰接的、具有第1基板載置臺(tái)的第1處理部；與所述第1處理部中的所述輸送室一側(cè)不同側(cè)鄰接的、具有第2基板載置臺(tái)的第2處理部；在所述第1處理部和所述第2處理部之間輸送基板的第2基板輸送部件；至少控制所述第2基板輸送部件的控制部。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101673667SQ20091017314
公開日2010年3月17日 申請(qǐng)日期2009年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月12日
發(fā)明者坂田雅和, 野內(nèi)英博, 高橋哲 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立國際電氣