專利名稱：顯示裝置的修正方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置的修正方法及其裝置，涉及通過使用在大氣 壓下生成的等離子體噴流(plasma jet)對顯示裝置的襯底上的電子電 路圖案的短路位置和開路位置進行修正而恢復(fù)正常的技術(shù)。
另外，本發(fā)明還涉及局部地形成膜或表面處理的制造方法及其制 造裝置，尤其涉及使氣體流入反應(yīng)室而局部地形成膜或表面處理的技 術(shù)。
背景技術(shù)：
例如，液晶顯示裝置是在一對襯底之間夾有液晶的結(jié)構(gòu)，在一個 襯底(有時稱為濾色片襯底)上交互涂敷藍、綠、紅色樹脂而形成濾 色片，在另一個襯底(有時稱為TFT襯底)上形成包含薄膜晶體管 (TFT)的電子電路圖案。
如果在濾色片和布線中產(chǎn)生圖案缺陷，則液晶顯示裝置顯示異 常，成為不合格品。顯示異常有例如，因在濾色片上涂敷的樹脂擠出 到相鄰像素而產(chǎn)生的顏色不好、因樹脂膜厚和TFT襯底不均勻而產(chǎn)生 的顏色不均、布線間的短路和斷線等。
作為檢測這些圖案缺陷的方法，可以使用通過用外觀檢查裝置對 電路圖案進行拍攝并進行圖像處理而使缺陷明顯化的一般的圖案檢查 裝置。
作為濾色片的顏色擠出和TFT襯底的布線短路的修正方法，像
7例如日本專利申請?zhí)亻_平9-307217號公報(參考文獻1)中公開的那 樣，通過向短路位置照射激光而除去該短路位置的修正方法是一般的。
作為在圖案缺陷位置形成布線材料的方法，有像例如特開平 8-66652號公報(參考文獻2 )中公開的那樣，用前端直徑被拉細了的 中空吸液管涂敷上述布線材料的方法。另外，在例如特公平7-484967 號公報(參考文獻3)、特開平11-61413號公報(參考文獻4)中公 開了稱為激光CVD法的、通過向電路襯底上的所希望區(qū)域供給作為 金屬布線的原料的氣體，并向該處照射激光而把原料氣體分解，析出 金屬薄膜的方法。
液晶顯示元件是在在玻璃襯底上形成了電路的TFT襯底與濾色 片村底之間夾著液晶的結(jié)構(gòu)。如果在電路和濾色片中產(chǎn)生缺陷，則液 晶顯示元件顯示異常，成為不合格品。由于在制造工序中使用的玻璃 襯底逐年大型化，僅僅通過改善工藝很難制造無缺陷的液晶顯示元件， 所以必須有修正缺陷部的技術(shù)。
作為現(xiàn)有電路開路缺陷的修正方法，已知有使用激光CVD裝置
和微等離子體產(chǎn)生裝置等在襯底上的缺陷部上局部地形成金屬膜或絕
緣膜的修正方法。激光CVD裝置是在原料氣體氣氛下向村底照射激
光束，促進照射部分的原料氣體的反應(yīng)而形成膜的裝置。另外，微等 離子體產(chǎn)生裝置是向反應(yīng)室內(nèi)導(dǎo)入原料氣體而產(chǎn)生微等離子體，用等
離子體促進原料氣體反應(yīng)而形成膜的裝置。在兩種裝置中都必須有回 收原料氣體以防止它向周圍泄漏的技術(shù)。如果外部大氣混入原料氣體， 則導(dǎo)致膜質(zhì)量的劣化，所以必須有防止外部大氣流入反應(yīng)室的技術(shù)。
由于玻璃襯底的大型化，村底尺寸達到了一邊長度超過2m。因 此如果用反應(yīng)腔室包圍整個襯底則導(dǎo)致裝置巨大化，存在不僅在反應(yīng) 腔室內(nèi)更換氬氣等的惰性氣體需要很多時間，而且惰性氣體的成本也 增大的問題。于是，在用激光CVD裝置和微等離子體產(chǎn)生裝置局部 地形成膜時，像特表平1-502149號公報(參考文獻5)那樣，提出了 安裝局部吸排氣機構(gòu)而形成膜的方法。如果使用局部吸排氣機構(gòu)，則 可以僅僅使反應(yīng)區(qū)域被反應(yīng)室覆蓋且處于惰性氣氛中，所以無需巨大的反應(yīng)腔室，且能夠縮短惰性氣體的更換時間。
局部吸排氣機構(gòu)是多個殼相重疊那樣的結(jié)構(gòu)，最內(nèi)側(cè)的殼是導(dǎo)入 原料氣體和等離子體產(chǎn)生用氣體而進行膜形成或表面處理的反應(yīng)室， 在其外側(cè)的殼內(nèi)吸收從反應(yīng)室漏出的氣體。這些殼的 一方是開放的， 該被開放的面與進行膜形成或表面處理的襯底隔開一定間隙地設(shè)置。 由于必須使向反應(yīng)室供給的原料氣體和等離子體產(chǎn)生用氣體的濃度和 壓力保持恒定，所以一直向反應(yīng)室供給新的氣體并更換反應(yīng)完的氣體。 因此，使排氣流量穩(wěn)定從而使反應(yīng)完成的氣體被快速排出是很重要的。
在曰本特開2003-51490號公報(參考文獻6 )中記載了具有與上 述結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置。該等離子體處理裝置具有
把在等離子體產(chǎn)生部中被等離子體化的處理氣體向村底噴出的噴出 口；在從噴出口隔開適當(dāng)遠的距離的位置上設(shè)置的排氣口；通過排氣 口把處理后的廢氣排出的排氣單元；在等離子體產(chǎn)生部的外周設(shè)置的 迷宮式密封部；以及向迷宮式密封部與村底之間供給惰性氣體的惰性 氣體供給單元。該等離子體產(chǎn)生部與襯底的寬度對應(yīng)地設(shè)置(參照圖
1)，在狹縫狀的噴出口的右側(cè)與其平行地設(shè)置狹縫狀的排氣口 (參照 圖2、圖3);在噴出口的兩側(cè)(左右)設(shè)置同樣的排氣口 (參照圖7)。

發(fā)明內(nèi)容
(發(fā)明要解決的問題)
但是，參考文獻l記載的利用激光的短路修正裝置，由于材料的 選擇加工困難，所以激光照射部不僅對上層而且對直到下層膜都造成 損傷。因此，存在能用于修正的區(qū)域受限制的問題。
參考文獻2記載的涂敷方法，由于與吸液管接觸而涂敷，所以認 為在修正時會對襯底造成損傷，所以與參考文獻1時同樣地，修正的 區(qū)域受限制。
參考文獻3記載的激光CVD技術(shù)，由于具有原料氣體的分解對 照射的激光的光吸收特性依賴性大的缺點，所以多數(shù)情況下可形成的 物質(zhì)是鎢(W)等的金屬薄膜，存在因原料氣體的光吸收小而難以形成硅氧化膜(Si02)等的絕緣薄膜等的問題。
另外，參考文獻1 3記載的顯示裝置的修正方法，用一個裝置能 修正的缺陷受限制，必須有可以用 一個修正裝置處理多種缺陷的方法。
本發(fā)明的目的在于提供能夠大幅度擴大修正的區(qū)域、材料或種類 等的適用范圍的顯示裝置的修正方法及其裝置。
但是，如果因襯底的翹曲等使局部吸排氣機構(gòu)與襯底的間隙變 化，則存在氣體流量變化，發(fā)生膜形成異常和表面處理異常的問題。
本發(fā)明的目的在于降低因襯底的翹曲等導(dǎo)致局部吸排氣機構(gòu)與 襯底的間隙變化而造成的氣體流量變化，使膜形成和表面處理穩(wěn)定化。 (用來解決問題的方案)
本發(fā)明的顯示裝置的修正裝置，對在村底的表面上形成了具有圖 案缺陷的電子電路圖案的顯示裝置的上述圖案缺陷進行修正，其特征 在于包括
通過對上述圖案缺陷的區(qū)域局部地照射等離子體而修正上述圖 案缺陷的等離子體照射單元。
本發(fā)明的顯示裝置的修正方法，對在襯底的表面上形成了具有圖 案缺陷的電子電路圖案的顯示裝置的上述圖案缺陷進行修正，其特征 在于
通過對上述圖案缺陷的區(qū)域局部地照射等離子體而修正上述圖 案缺陷。
另外，本發(fā)明的顯示裝置的修正方法，其特征在于
通過對從等離子體生成用細管的一個端部向上述等離子體生成 用細管的內(nèi)部供給的惰性氣體施加高頻電力而產(chǎn)生等離子體；
通過在上述等離子體生成用細管的另一個端部與襯底之間配置 的掩模，把等離子體噴流微細化；
根據(jù)從上述第一氣體供給部供給的氣體的物理量，分解從第二氣 體供給部供給的反應(yīng)性氣體，對上述襯底上的電子電路圖案的圖案缺 陷進行修正。
另外，本發(fā)明的局部吸排氣機構(gòu)，具有頂蓋、從頂蓋的底面朝
10著襯底的方向設(shè)置的圍繞頂蓋的中心的內(nèi)壁、以及從頂蓋的底面朝著 襯底的方向設(shè)置的圍繞上述內(nèi)壁的外壁，外壁和/或內(nèi)壁的開放側(cè)的面 是形成了溝的迷宮式結(jié)構(gòu)。另外，設(shè)置測定反應(yīng)室的壓力的測定部， 基于其測定結(jié)果調(diào)整局部吸排氣機構(gòu)的高度。
另外，上述的構(gòu)成僅僅是一例，本發(fā)明在不脫離技術(shù)構(gòu)思的范圍 內(nèi)可以適當(dāng)變更。另外，從本申請的說明書整體的記載和附圖可以清 楚地了解上述的構(gòu)成以外的本發(fā)明的構(gòu)成例。 (發(fā)明的效果)
根據(jù)上述的本發(fā)明，能夠大幅度擴大修正的區(qū)域、材料或種類等 的適用范圍?；蛘撸軌蚪档托纬傻哪さ馁|(zhì)量波動，提高表面改性的 均勻性，能夠防止不良情形的發(fā)生，所以能夠降低制造成本。


圖l是示出本發(fā)明的修正裝置的實施例的構(gòu)成圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的用來使等離子體噴流的直徑變細的構(gòu)成圖。 (a)是用非接觸掩模時的構(gòu)成圖，(b)是用兩層管時的構(gòu)成圖。
圖3是示出作為修正對象的液晶顯示裝置的構(gòu)成的示意圖。U) 是剖面圖，(b)是#>素的平面圖。
圖4是示出在液晶顯示裝置的TFT襯底中修正柵布線的圖案缺 陷的過程的圖。
圖5是示出液晶顯示裝置的TFT襯底的制造工序及與該制造工
序中發(fā)生的各種缺陷對應(yīng)的修正方法的流程圖。
圖6是說明使用了接觸掩模的微細位置的修正方法的流程圖。 圖7是示出使用了接觸掩模的斷線缺陷修正的實施例的過程圖，
與圖8—起示出一系列工序。
圖8是示出使用了接觸掩模的斷線缺陷修正的實施例的過程圖，
與圖7—起示出一系列工序。
圖9是本發(fā)明的實施例4的局部膜形成裝置的說明圖。 圖IO是本發(fā)明的實施例4的局部吸排氣機構(gòu)的說明圖。圖11是本發(fā)明的實施例4的另 一局部吸排氣機構(gòu)的說明圖。
圖12是本發(fā)明的實施例4的另一局部吸排氣機構(gòu)的說明圖。
圖13是本發(fā)明的實施例4的另一局部吸排氣機構(gòu)的說明圖。
圖14是本發(fā)明的實施例4的迷宮式結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖15是示出間隙與流量的關(guān)系的說明圖。
圖16是本發(fā)明的實施例4的另一迷宮式結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖17是本發(fā)明的實施例4的另一迷宮式結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖18是本發(fā)明的實施例4的另一迷宮式結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖19是本發(fā)明的實施例4的另一迷宮式結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖20是本發(fā)明的實施例4的另一迷宮式結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖21是本發(fā)明的實施例4的另一局部吸排氣機構(gòu)的說明圖。
圖22是本發(fā)明的實施例5的局部膜形成裝置的說明圖。
圖23是本發(fā)明的實施例5的裝置構(gòu)成的說明圖。
圖24是本發(fā)明的實施例5的另一裝置構(gòu)成的說明圖。
圖25是本發(fā)明的實施例5的高度調(diào)整步驟的說明圖。
圖26是本發(fā)明的實施例6的局部膜形成裝置的說明圖。
圖27是本發(fā)明的實施例6的局部吸排氣機構(gòu)的說明圖。
圖28是本發(fā)明的實施例6的另一局部吸排氣機構(gòu)的說明圖。
圖29是本發(fā)明的實施例7的局部吸排氣機構(gòu)的說明圖。
具體實施例方式
下面，參照

本發(fā)明的實施例。 (實施例1)
圖l是示出作為本發(fā)明的實施例l的液晶顯示裝置的修正中用的 裝置(以下有時稱為修正裝置)的示意圖。
圖1中，修正裝置大致由以下部分構(gòu)成用來修正缺陷的局部等 離子體生成部l、氣體供給部2、等離子體反應(yīng)部3、微細加工用的激 光器4、涂敷機構(gòu)5、用來辨認缺陷的照相機6、用來監(jiān)測等離子體狀 態(tài)的計測4幾構(gòu)7和控制部8。等離子體生成部1，配置由石英等的介電體構(gòu)成的等離子體生成
用細管9和用來通過匹配網(wǎng)絡(luò)11從高頻電源10向該細管9的外周區(qū) 域供給高頻電力的電極12而構(gòu)成。作為具體例，等離子體生成用細管 9使用內(nèi)徑(J)1.5mm、外徑小3.5mm的石英管。另外，用來從高頻電源 10 (例如144MHz、 200W的電源)向等離子體生成用細管9施加預(yù)定 的高頻電力的電極12，在等離子體生成用細管9的外周部上設(shè)置對置 的兩個銅制電極而構(gòu)成。另外，向等離子體生成用細管9供給高頻電 力時，通過自動控制匹配網(wǎng)絡(luò)11而調(diào)整成來自高頻電源10的反射波 最小。
另外，如后文所述，等離子體生成用細管9的一個端部與構(gòu)成氣 體供給部的第一氣體供給部的管路13連接，向等離子體生成用細管9 的內(nèi)部供給第一氣體，然后從高頻電源IO施加所希望的高頻電力后， 用點火裝置15點燃等離子體。該點火裝置15，為了防止其材料即金 屬作為金屬雜質(zhì)飛濺到襯底上，而與等離子體生成用細管9的外側(cè)相 接觸地構(gòu)成。在使用多種氣體產(chǎn)生等離子體時，為了生成穩(wěn)定的等離 子體，在第一氣體供給部13中混合以后經(jīng)由等離子體生成用細管9供 給等離子體反應(yīng)部3。
另外，在等離子體生成部1的側(cè)方設(shè)置用來進行nm級微細加工 的激光振蕩器4和用來控制形狀的掩^=莫和光學(xué)系統(tǒng)(未圖示)、還有 在襯底上涂敷用來進行掩蔽處理的光刻膠等的樹脂材料的涂敷機構(gòu)5、 以及用來進行缺陷位置的確認、分類和確認修正處理后的狀態(tài)的觀察 照相機6。至少把包含上述光學(xué)系統(tǒng)的激光振蕩器4、涂敷機構(gòu)5、觀 察照相機6、等離子體生成部1、細管9、高頻施加用電極12和等離 子體反應(yīng)部3作為一體地移動的機構(gòu)，在與襯底16之間的距離可變時 使它們同時移動。
在等離子體反應(yīng)部3的一端設(shè)置開放部17，上述等離子體生成用 細管9的一個端部從該開放部17的對面?zhèn)炔迦氲入x子體反應(yīng)部3的內(nèi) 部。在等離子體生成用細管9的內(nèi)部生成的由第一氣體產(chǎn)生的等離子 體噴流19從該端部向上述開放部17射出。在等離子體生成用細管9的延長線上，以與等離子體反應(yīng)部3的開放部17面對的狀態(tài)配置襯底 工作臺18并在其上搭載襯底16。
構(gòu)成氣體供給部的第二氣體供給部14直接插入等離子體反應(yīng)部 3的內(nèi)部，在上述等離子體生成用細管9的延長線上向該第二氣體供 給部14的供給口供給氣體，盡可能地接近與襯底16的表面交叉的區(qū) 域而配置。
在此，第一氣體是以Ar、 He等為代表的惰性氣體，在形成等離 子體反應(yīng)部3的內(nèi)部的等離子體噴流19時使用。而第二氣體是以單硅 烷和TEOS等為代表的薄膜形成用原料氣體或者以氯氣或氟化碳等為 代表的蝕刻用氣體，但本發(fā)明中可使用的氣體種類并不限于上述的具 體例。
下面，以例如液晶顯示裝置的TFT襯底(驅(qū)動用電子電路基板) 作為上述襯底16的缺陷修正為例，具體地說明。在此，說明局部地形 成例如由硅氧化膜構(gòu)成的保護膜或者絕緣膜時的情形。
首先，在等離子體噴流19的生成中使用氬氣(以下用Ar表示) 作為第一氣體(惰性氣體)，使用TEOS (四乙氧基硅烷)氣體作為 絕緣膜形成用的第二氣體。從各個系統(tǒng)的氣體管路(第一管路13和第 二管路14)向等離子體反應(yīng)部3的內(nèi)部供給這兩種氣體。
在此，分別地供給第一氣體和第二氣體，在接近襯底16的表面 的區(qū)域進行反應(yīng)的重要性是基于以下理由。即，(1)向細管9的內(nèi)部 導(dǎo)入薄膜形成用的第二氣體(TEOS氣體)，在該處生成等離子體時， 在等離子體生成用細管9的內(nèi)部堆積來自TEOS氣體的活性種，其結(jié) 果難以維持穩(wěn)定的等離子體；(2)由于促進薄膜形成的等離子體中的 活性種和離子的壽命短(在大氣壓下活性種的平均自由行程為幾十nm 左右)，存在在活性種輸送到襯底16表面之前活性種的性質(zhì)發(fā)生變化 等的問題。
為了避免這一點而在襯底16的表面上形成具有所希望特性的薄 膜(例如，硅氧化膜的絕緣破壞強度為500MV/m以上)，像上述那 樣分別地供給用于等離子體形成的Ar氣和用于薄膜形成的TEOS氣
14體，利用由Ar氣形成的等離子體噴流19向襯底16的表面上輸送 TEOS氣體，促進硅氧化膜的形成。
在此，作為第二氣體使用的TEOS氣體在室溫下是液體。因此， TEOS氣體的供給為， 一邊用Ar氣等的惰性氣體使TEOS氣體瓶發(fā) 泡一邊供給TEOS氣體。此時，為了抑制在從TEOS氣體瓶經(jīng)由管路 14到達等離子體反應(yīng)部3內(nèi)之前TEOS氣體在管路內(nèi)附著和蓄積，而 必須在管路內(nèi)安裝帶溫度調(diào)整的加熱器21，把管路保溫在約100。C左 右。而且，為了高效率地供給TEOS氣體，用加熱機構(gòu)22等把TEOS 氣體瓶自身保溫在約100。C左右是有效的。
利用在各自的管路上配置的質(zhì)流控制器23a (以下稱MFC)進行 等離子體形成用Ar氣和薄膜形成用TEOS氣體的流量控制。TEOS 氣體的發(fā)泡中使用的惰性氣體(在此是Ar氣)的控制也用MFC 23b 進行，與TEOS氣體一起供給到等離子體反應(yīng)部3的內(nèi)部。另外，管 路使用不銹鋼制的1/4英寸管，在等離子體反應(yīng)部3的內(nèi)部用1/8英寸 管延伸進入，能夠限定在襯底16的表面附近供給第二氣體。
被供給到等離子體反應(yīng)部3內(nèi)的TEOS氣體通過與等離子體反應(yīng) 部3連接的、調(diào)整等離子體反應(yīng)部3內(nèi)的壓力的排氣機構(gòu)24在排氣設(shè) 備和反應(yīng)氣體的除害設(shè)備(未圖示)中進行處理。另外，為了防止等 離子體反應(yīng)部3內(nèi)的壓力從等離子體反應(yīng)部3的開放部釋放，對于在 從等離子體反應(yīng)部3內(nèi)流出的氣體，通過其周圍設(shè)置的至少一個排氣 機構(gòu)28或供氣和排氣機構(gòu)的組合收集使用過的氣體，并通過排氣機構(gòu) 24進行廢棄處理。
下面，說明本發(fā)明的修正裝置使用的局部等離子體的控制方法。
在圖1中，以1L/分鐘的比例從第一氣體供給部13向等離子體生 成用細管9導(dǎo)入Ar氣作為等離子體生成用氣體。然后通過匹配網(wǎng)絡(luò) 11從高頻電源10向電極12施加100W的接入電力。用點火裝置15 進行Ar氣的等離子體化。在向高頻電源IO反射的反射波大、等離子 體放電不穩(wěn)定時，用匹配網(wǎng)絡(luò)ll進行調(diào)整以使得反射波最小。在剛剛 施加高頻后的等離子體產(chǎn)生前后，該調(diào)整是必需的。雖然通過調(diào)整匹
15配網(wǎng)絡(luò)11的電容可以實現(xiàn)高頻的匹配，但在修正裝置上搭載了監(jiān)測行 進波和反射波的值來進行自動調(diào)整的機構(gòu)。
從在等離子體反應(yīng)部3上設(shè)置的觀察用窗(未圖示)用計測裝置 7觀察等離子體的放電狀態(tài)。例如，通過用分光計測裝置分析250nm ~900nm范圍的等離子體發(fā)光可以獲知等離子體發(fā)光。在本實施例中， 計測Ar的發(fā)光鐠線696nm和750nm，從其電離狀態(tài)判斷了等離子體 的穩(wěn)定性。另外，雖然在此未示出，還可以通過用在5~15|im的波段 具有靈敏度的紅外線傳感器計測等離子體反應(yīng)部3的內(nèi)部，對襯底16 和等離子體生成用細管9的溫度狀態(tài)也進行監(jiān)測，基于該數(shù)據(jù)控制等 離子體。
在上述的放電條件下觀察到了從等離子體生成用細管9的前端部 朝向襯底16的方向的約10mm左右的Ar等離子體噴流19。由于從細 管9的前端射出后，等離子體逐漸消失，所以等離子體噴流19的直徑 一點點地變細，在等離子體噴流19的前端部為約幾百nm。另外，在 該條件的等離子體噴流19中確認了 ，在襯底16上形成的鋁布線到達 熔融的660。C以上。通過用上述的紅外線傳感器監(jiān)測襯底16上的溫度 確認了 ，離等離子體生成用細管9越遠，等離子體噴流19的溫度越低。
而且，在不改變高頻電力而把Ar氣的流量增加到4L/分鐘時， 等離子體噴流19的長度增大到最大15mm,但沒有觀察到等離子體噴 流19造成的襯底16上的鋁布線熔融。用紅外線傳感器觀測襯底16的 表面溫度的結(jié)果，確認為250。C以下，流量增加導(dǎo)致了溫度降低。
另外，使高頻電源10的接入電力在40~200W、 Ar流量在l 7L/ 分鐘、改變等離子體噴流19與襯底16的距離，結(jié)果可以把村底16的 表面溫度控制在約100。C到硅熔點即1400°C左右。
另外，不需要在現(xiàn)有的CVD(化學(xué)汽相沉積)中不可缺少的襯 底加熱。通過如上所述地控制等離子體噴流19的放射熱，無需改變襯 底溫度(在大致室溫下)就能形成質(zhì)量良好的膜。
在等離子體反應(yīng)部3的內(nèi)部生成的等離子體噴流19的直徑可以 使細管9的內(nèi)徑比上述的lmm更細。但是，如果細管9的內(nèi)徑細到0.5mm左右，則細管9中生成的等離子體不穩(wěn)定。
于是，對圖1所示那樣的利用掩模20的等離子體噴流19的直徑 控制進行了研究。圖2 (a)中示出本發(fā)明中使用的掩模20的構(gòu)成。 掩模20配置在從細管9的前端部射出的等離子體噴流19與襯底16之 間。掩模20的材料使用石英板或陶瓷等的耐熱性的非金屬材料。這是 因為在金屬材料那樣的導(dǎo)電材料中等離子體噴流19大大衰減。為了獲 得所希望的等離子體噴流19的直徑，在該掩模上形成尺寸不同的多個 貫通孔202。通過向該貫通孔202照射等離子體噴流19可以使等離子 體直徑進一步減小，減小襯底16上的照射區(qū)域，同時也可以控制等離 子體處理區(qū)域。從掩模20射出的等離子體通過聚光透鏡27利用計測 裝置7對掩模20和等離子體噴流19的軸偏離和等離子體噴流19的穩(wěn) 定性進行監(jiān)測。另外，在等離子體反應(yīng)部3內(nèi)可以用工作臺等控制該 掩模20，向所希望的貫通孔202的位置移動。
利用了掩模方式的等離子體直徑的微細化，與等離子體噴流19 的生成部分離，于是能夠獲得穩(wěn)定的放電。另外，雖然也可以使等離 子體生成用細管9的前端部變細而使等離子體噴流19的直徑變細，但 如果過度細小，則產(chǎn)生等離子體生成用氣體流速低、溫度控制困難、 而且內(nèi)徑細的部分蓄熱、雜質(zhì)從等離子體生成用細管9向襯底16的表 面飛散、等離子體生成用細管9的耐久性顯著降低的問題。在上述中， 作為把放電部和微細化部分離的方法，以掩模方式為例進行了說明， 但也可以是如圖2(b)所示設(shè)置有生成等離子體的細管9和在其周邊 部的用來把等離子體噴流19縮細的外周細管203而成為兩層管結(jié)構(gòu)。 此時，與等離子體生成用的氣體獨立地，成為在外周細管203中流過 Ar氣或等離子體反應(yīng)部3的氣氛氣體的結(jié)構(gòu)，通過不僅有來自細管9 的流動也有來自外周細管203的氣體流動，可以實現(xiàn)等離子體噴流19 的低溫化。
用上述圖l所示的修正裝置嘗試了用Ar氣和TEOS氣體形成絕 緣膜(硅氧化膜)。作為一例，襯底16使用玻璃襯底，膜形成條件為 高頻電源10的接入電力為70W,從第一氣體供給部13向細管9供給
17的Ar氣的流量為3L/分鐘，對于從第二氣體供給部14向襯底16的表 面附近供給的TEOS氣體的供給量，用MFC 23b控制其發(fā)泡中使用 的Ar氣流量，使其流量為0.1L/分鐘。等離子體生成用細管9到襯底 16的表面的距離即Ar等離子體噴流19的長度為約15mm，調(diào)整成前 端部與襯底16接觸。通過光學(xué)顯微鏡觀察和紅外吸收計測確認了，在 該條件下的膜形成中，在村底16的表面約lOOpm直徑的區(qū)域上形成 了硅氧化膜(膜厚約lpm)。
一般地，在通過TEOS氣體的熱分解堆積硅氧化膜時，必須預(yù)先 把襯底16加熱到600。C以上，但通過紅外線傳感器和在襯底16上設(shè) 置的熱電偶的計測發(fā)現(xiàn)，在上述例中在襯底16的表面溫度為200。C左 右時可以形成。
考慮這是因為，通過獨立地進行等離子體噴流19的形成和TEOS 氣體的供給，向等離子體噴流19的與襯底16交叉的區(qū)域直接進行 TEOS氣體的供給，而在襯底表面附近生成并附著TEOS氣體的活性 種，所以即使在大氣壓下也能形成薄膜。另外，獲得的硅氧化膜的絕 緣破壞特性為800MV/m，表現(xiàn)出與一般的熱氧化膜同等程度的良好絕 緣特性。
如上所述，說明了通過從圖1中的第二氣體供給系統(tǒng)供給TEOS 氣體可以在襯底16上局部地形成硅氧化膜。然后，取代TEOS氣體， 從第二氣體供給部向等離子體反應(yīng)部3的內(nèi)部供給CF4氣體。在Ar 氣流量、高頻電力、CF4氣體流量與形成硅氧化膜時大致相同的條件 下進行。作為襯底16使用在玻璃襯底上形成氮化硅薄膜(膜厚約l|um) 的襯底。另外，希望等離子體生成用細管9使用對CF4氣體耐蝕刻性 優(yōu)良的材料，在此未使用石英而是使用了剛玉等的陶瓷管(內(nèi)徑約 lmm)。其結(jié)果確認了，在襯底16上形成的氮化硅薄膜在直徑約幾 百pm的范圍內(nèi)被蝕刻成錐形。
如上所述，說明了用Ar氣作為等離子體生成用氣體、用TEOS 氣體作為薄膜形成用反應(yīng)氣體、用CF4氣體作為蝕刻用氣體的例子， 但并不僅限于這些氣體種類，例如，用He氣作為等離子體生成用氣
18體、用SiH4氣體、SiH2Cl2氣體作為薄膜形成用反應(yīng)性氣體、用Cl2
等作為蝕刻用氣體也是一例，可以使用在通常的半導(dǎo)體制造工序中使 用的氣體。
(實施例2)
下面，作為本發(fā)明的實施例2，說明使用了上述修正裝置的液晶 顯示裝置的缺陷修正方法。
在此，在說明缺陷修正方法之前先用圖3 (a) 、 (b)示意性地 說明作為缺陷修正對象的液晶顯示裝置的構(gòu)成。圖3 (a)是剖面圖， 圖3 (b)是像素部的平面圖。
在圖3(a)中構(gòu)成為，形成有多個像素部的TFT襯底311與形 成有多個濾色片308的濾色片襯底312配置成像素部與濾色片308對 置，且在它們之間夾有液晶310。另外，.如圖3(b)所示，上述像素 部中，在TFT襯底311上形成柵布線305，在其上形成柵絕緣層403 (參照圖3(a))。另外，在該柵絕緣層403之上，在與柵布線305 連接的柵電極所在的區(qū)域(薄膜晶體管TFT的形成區(qū)域)上形成島狀 的半導(dǎo)體層303 (非晶態(tài)硅膜)。另外，通過電極(漏電極)與該半 導(dǎo)體層303的一個端部連接的漏布線304在與柵布線305交叉的方向 上形成。在半導(dǎo)體層303的另一個端部形成源電極306，源電極306 與由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的像素電極309連接。由一對相鄰的柵布線305 與一對相鄰的漏布線304包圍的區(qū)域構(gòu)成一個〗象素的區(qū)域。
這樣構(gòu)成的像素部，利用來自柵布線305的信號接通薄膜晶體管 TFT，通過該接通的薄膜晶體管TFT把來自漏布線304的信號(視頻 信號)供給像素電極309。在像素電極309與在濾色片襯底312側(cè)形 成的由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的對置電極309'之間生成電場，驅(qū)動液晶分子。
通過多個膜形成工序(布線、半導(dǎo)體層、電極)和蝕刻工序制造 這樣構(gòu)成的液晶顯示裝置。此時，在該過程中混入的異物和光掩模等 的不合適導(dǎo)致產(chǎn)生布線間的短路、布線的斷線、半導(dǎo)體層的形狀不良 等，這些都成為液晶顯示裝置的特性和質(zhì)量下降、進而招致制造成品 率下降的主要原因。因此，根據(jù)需要對在液晶顯示裝置的限定的區(qū)域上產(chǎn)生的上述缺陷部分進行修正是很重要的。
圖4示出用上述修正裝置進行把缺陷部分恢復(fù)正常(修正處理) 的方法，是示出了修正柵布線305的斷線的過程的工序圖。
首先，在圖4 (a)中，在玻璃襯底401 (相當(dāng)于圖1的襯底16) 上形成由例如Al等構(gòu)成的柵布線305。在柵布線305上形成由例如氮 化硅膜構(gòu)成的柵絕緣膜403，再在其上形成由例如氮化硅膜或硅氧化 膜構(gòu)成的保護膜404。此時，由柵布線305形成后的檢查工序判明了， 在柵布線305的形成工序中由于異物附著而在柵布線305上產(chǎn)生斷線 部405。在該狀態(tài)下不可能向柵布線305的一部分供給信號，作為液 晶顯示裝置被作為致命的"線缺陷品"處理。
于是，使用本發(fā)明的利用局部等離子體的修正裝置，嘗試了對上 述的斷線缺陷部405的修正。首先，修正裝置接收利用檢查工序輸出 的缺陷信息，把承載了襯底16的工作臺18移動到缺陷位置(斷線缺 陷部405)。本發(fā)明的等離子體反應(yīng)部3，與激光加工機構(gòu)4、涂敷機 構(gòu)5、觀察照相機6 —起搭載到具有龍門結(jié)構(gòu)(gantry )的修正裝置上， 具有相對于承載襯底16的平面的一軸方向或二軸方向的移動機構(gòu)。
在檢查工序中，由于檢查lm見方或2m見方的大型襯底，所以 檢測分辨率一般較低。因此，在修正裝置與襯底16—起接收缺陷數(shù)據(jù) 時，用高分辨率照相機6再次拍攝，辨認正確的缺陷坐標和缺陷種類。 可以通過操作員的操作進行缺陷的再確認，但為了縮短修正處理時間， 也嘗試了自動化。因此，為了提高缺陷自動辨認的靈敏度，采用能辨 認l|um左右的缺陷的XGA ( 1024 x 768像素)以上的高分辨率的照相 機，確保了直到亞微米級別的分辨率。由此，通過比較高分辨率圖像 和大視野上的相鄰的正常像素和缺陷像素，可以自動辨認缺陷位置、 缺陷尺寸和缺陷種類，還可以實現(xiàn)修正的自動化。根據(jù)辨認的缺陷尺 寸決定要處理的范圍，把掩模20的機構(gòu)調(diào)整成具有適當(dāng)?shù)难谀Ｖ睆健?br> 如果辨認出缺陷是斷線缺陷405,則移動到預(yù)先設(shè)定好偏移量的 等離子體反應(yīng)部3，進行修正處理。等離子體反應(yīng)部3是與外部大氣 隔離的結(jié)構(gòu)。即，等離子體反應(yīng)部3的至少一層外周具有排氣機構(gòu)，是等離子體反應(yīng)部3的氣體不會泄漏到裝置周邊的結(jié)構(gòu)。
在此，從第二氣體供給部14向等離子體反應(yīng)部3內(nèi)供給來自蝕 刻性氣體用瓶29的CF4氣體。然后，從第一氣體供給部13通過等離 子體生成用細管9和掩模20導(dǎo)入Ar氣，從高頻電源IO接通電力， 用等離子體點火裝置15對等離子體點火。在此前后，用搭載了自動調(diào) 整機構(gòu)的匹配網(wǎng)絡(luò)11調(diào)整等離子體的反射波，使Ar等離子體噴流19 穩(wěn)定。利用由Ar等離子體噴流19激勵的村底16表面附近的CF4氣 體的反應(yīng)種，依次蝕刻在襯底16的斷線缺陷部405上覆蓋斷線部405 上部的保護膜404和柵絕緣膜403，露出玻璃襯底401的表面，形成 了蝕刻除去部406 (圖4 (a) 、 (b))。另外，保護膜404和柵絕緣 膜403的開口部必須比柵布線402的斷線缺陷部405大。
然后，如圖4 (c)所示，把從笫二氣體供給部14供給的反應(yīng)性 氣體從蝕刻性的CF4氣體更換成(CH3) 3A1氣體(三甲基鋁氣體)， 與柵布線305的斷線缺陷部405的兩端部相重疊地形成了 Al布線形成 部407。在此，雖然用(CH3)sAl氣體，但只要是具有低電阻特性的 含有金屬原子的氣體即可。但是，在形成金屬布線時必須注意膜形成 氣氛。如果含有氧，則在原料氣體的金屬原子形成膜結(jié)構(gòu)時成為氧化 的原因。因此，在形成金屬膜時，尤其要用Ar和He等的惰性氣體或 氮氣等進行氣氛更換。另外，也可以使用氫氣等的活潑的還原氣氛。
然后，如圖4 (d)所示，再次更換從第二氣體供給部14供給的 反應(yīng)性氣體的種類，以埋入上述的布線形成部407的內(nèi)部的方式形成 了絕緣膜408。在此，使用的反應(yīng)性氣體是TEOS，形成的絕緣膜408 是氧化硅薄膜。
這樣，用本發(fā)明的利用局部等離子體的修正裝置把被認為是液晶 顯示裝置的致命缺陷的柵布線305的斷線缺陷部405恢復(fù)正常，可以 恢復(fù)本來的功能。
同樣地，對于液晶顯示裝置的制造過程中產(chǎn)生的各種各樣的缺 陷，例如，布線間的短路(缺陷種類A)、在布線和絕緣膜等的層疊 膜之間混入的異物(缺陷種類B)、上述的布線的斷線(缺陷種類C )，下面，分別說明制造工序中的修正步驟。
圖5是把TFT襯底的形成工序的流程與上述的缺陷檢查、分類 及其修復(fù)的流程匯總示出的流程圖。在TFT襯底的形成工序中，經(jīng)過 形成各種布線、半導(dǎo)體薄膜和絕緣膜的薄膜形成工序501、光刻工序 502、和蝕刻與光刻膠剝離工序503形成所希望的電路圖案和TFT。 然后，通過TFT陣列檢查工序504用外觀檢查裝置和陣列測試器等檢 測缺陷。修正裝置通過在生產(chǎn)線上構(gòu)建的網(wǎng)絡(luò)接收在上述檢查裝置中 檢測到的缺陷信息及其缺陷位置信息?；谠撔畔?，驅(qū)動搭載有檢測 了缺陷的TFT襯底的工作臺，在修正裝置的觀察照相機的光學(xué)系統(tǒng)視 野內(nèi)再現(xiàn)缺陷位置。然后，利用觀察照相機的瀏覽圖像，詳細地辨別 缺陷的顏色、平面形狀、高度信息等的缺陷種類(缺陷種類辨別工序 505)。
在這些缺陷的辨別中，例如，利用自動焦點機構(gòu)使觀察光學(xué)系統(tǒng) 整體在與工作臺的設(shè)置TFT襯底的面垂直的Z方向上移動，將焦點調(diào) 整在TFT襯底的表面上?；蛘?，也可以利用工作臺使TFT襯底在Z 軸方向上移動。然后，從用觀察照相機拍攝到的圖像獲得缺陷的高度 信息后，進行修正處理。除此之外，在缺陷種類的辨別中也可以利用 垂直向下照明、斜向照明、基于濾色片的薄膜干涉效應(yīng)。
由此，下面說明辨別例如缺陷種類A、缺陷種類B、缺陷種類C、 與這些缺陷種類對應(yīng)的工序。
(缺陷種類A時的修正506)
首先，在缺陷種類辨別工序505中檢測到了布線間的短路缺陷即 缺陷種類A506時，從圖1所示的修正裝置中的第一氣體供給部13向 等離子體生成用細管9供給Ar氣。另外，從高頻電源10向電極12 施加高頻電力，生成等離子體噴流19。向缺陷種類A506照射該等離 子體噴流19，除去布線間的多余區(qū)域。此時，也可以從第二氣體供給 部即管路14適當(dāng)選擇可以蝕刻布線材料的氣體并向缺陷種類A508附 近供給，蝕刻除去多余的布線。
然后，用觀察照相機觀察和檢查除去了布線的位置，如果布線除
22去不充分，則進一步照射等離子體噴流19或者變更等離子體處理條件 進行再次處理。假如，在判斷多余布線充分除去時，在被處理了的布 線附近的表面上形成保護膜(保護膜形成工序509)，提高作為電路 村底的可靠性，結(jié)束缺陷修正，把TFT襯底移送到下一工序。 (缺陷種類B時的修正507)
下面，說明在缺陷種類辨別工序505中檢測到在布線和絕緣膜等 的層疊膜之間混入的異物(缺陷種類B)時的修正方法。在此示出在 TFT襯底16的柵布線上存在異物(凸狀缺陷)的例子。形成布線膜 時，由于例如濺射導(dǎo)致的金屬薄膜的熔融物附著的噴濺缺陷和膜形成 時的異物混入等，產(chǎn)生凸狀缺陷。該凸狀缺陷的高度大時，突破在其 上形成的柵絕緣膜和保護膜而與在濾色片襯底上形成的透明對置電極 接觸，引起上下電極間短路和液晶盒間隔(cell gap)不良導(dǎo)致的顯示 特性不良。
首先，為了除去覆蓋了異物的保護膜，利用上述的方法生成Ar 等離子體噴流19。然后，通過向第二氣體供給部14導(dǎo)入用來蝕刻保 護膜的適當(dāng)氣體，并供給到存在凸狀缺陷的保護膜的表面上，進行保 護膜的蝕刻處理。在保護膜是氮化硅薄膜時，從第二氣體供給部14供 給的氣體用CF4氣體或Ch氣。利用觀察照相機6確認蝕刻狀態(tài)，優(yōu) 化等離子體噴流19的條件。然后同樣地除去位于保護膜下層的柵絕緣 膜。接著，在凸狀缺陷從表面上露出時，更換從第二氣體供給部14供 給的氣體，蝕刻噴濺等的金屬系材料而除去上述凸狀缺陷。
在此，為了獲得蝕刻的選擇性，對每一層更換作為蝕刻氣體的笫 二氣體。此時，也可以只用Ar等離子體噴流19而一并除去保護膜和 凸狀缺陷，但如果熱作用大，則會因保護膜和凸狀缺陷的材料不同導(dǎo) 致應(yīng)除去的材料向周圍飛濺，所以如上所述地分別分離除去是優(yōu)選的。
然后，在修正部分上重新形成保護膜(根據(jù)需要還形成柵絕緣膜) (保護膜形成工序509)，結(jié)束凸狀缺陷的修正。 (缺陷種類C時的修正508)
在上述的缺陷種類B的修正507中對布線上存在的凸狀缺陷修正時，布線自身缺損的可能性很高。針對該缺陷修正，繼續(xù)進行在此說
明的缺陷種類C的修正508的處理。
由于在圖4中已經(jīng)詳細說明了斷線缺陷部405的修正，在此，說 明在缺陷種類辨別工序505中檢測出布線的斷線缺陷(缺陷種類C) 時的步驟。
首先，在比斷線區(qū)域大的區(qū)域上加工除去存在布線斷線的區(qū)域的 保護膜。即，在圖l的修正裝置中，從第一氣體供給部13向細管9供 給Ar氣，選擇通過圖像辨認判斷的合適的掩模20，形成Ar等離子體 噴流19。然后，用來自第二氣體供給部14的可以蝕刻保護膜(在此 是氮化硅薄膜)的CF4氣體，除去保護膜。保護膜的除去狀況用觀察 照相機6確認，如果加工不足，則用等離子體噴流19再次進行等離子 體處理直到露出布線。
然后，取代CF4氣體而從第二氣體供給部14供給導(dǎo)電率高的包 含金屬的氣體，覆蓋上述的布線而形成布線。確認了布線修正部導(dǎo)通 后，在該修正部上再次形成保護膜，結(jié)束布線的斷線修正?？梢酝ㄟ^ 用探針在發(fā)生了斷線缺陷的布線的兩端部進行導(dǎo)通試驗而進行該導(dǎo)通 確認(未圖示)。另外，也可以通過用觀察照相機6和與觀察照相機 6同軸設(shè)置的紅外線傳感器(未圖示)的拍攝，根據(jù)形成的金屬膜的 反射強度確認形成了金屬膜。
如上所述，通過使用本發(fā)明的修正裝置不僅可以除去異物，還可 以用于保護膜和絕緣膜的除去、布線的連接和保護膜的形成等多種用 途。尤其是，如果用于液晶顯示元件的TFT襯底，則可以修復(fù)布線間 的短路、層間膜中存在的異物和布線的斷線等的液晶顯示裝置的致命 缺陷。
另外，本發(fā)明中說明了使用144MHz的高頻電源的例子，但并不 僅限于此。
(實施例3)
在本發(fā)明的實施例3中，上述修正裝置具有涂敷成為接觸掩模的 光刻膠等的樹脂類材料的涂敷機構(gòu)以及激光加工裝置，利用修正裝置進行缺陷部的恢復(fù)正常處理，該激光加工裝置具有能夠進行幾pm的 微細加工和在幾百^m的大范圍內(nèi)照射激光的機構(gòu)。
上述的等離子體噴流19照射到襯底16上的等離子體強度具有高 斯分布。因此，從等離子體照射區(qū)域的中心部到周邊部產(chǎn)生膜厚和膜 質(zhì)量特性分布，難以高精度地進行jam級別的微細加工。于是，本實 施例中使用了采用樹脂類材料的掩模工藝。
圖6示出了該接觸掩模方式下的斷線缺陷部的修正步驟。在此， 以圖6所示的TFT襯底的制造工序為例說明。在直到缺陷種類辨別工 序505之前進行與實施例2同樣的處理。在此，缺陷為ium級別時或 者是TFT溝道部等之類的尺寸精度對其性能影響大的部分時，修正裝 置判斷為進行利用接觸掩模方式的修正。
以下，用圖7(a) (c)、圖8(d) (f)示出利用了接觸式 掩模工序的布線修正方法。另外，在圖7(a) (c)、圖8(d) (f) 中，左側(cè)的圖是平面圖，右側(cè)的圖是剖面圖(平面圖的箭頭處的剖面
首先，如圖7(a)所示，在襯底701上形成的柵布線702上生成 缺陷部703，在該柵布線702上形成絕緣膜705、保護膜704。接著， 如圖7 (b)所示，針對需要幾nm級別的微細尺寸精度的缺陷部703 用涂敷機構(gòu)5涂敷光刻膠材料706 (涂敷工序601)。該涂敷精度不需 要修正位置的Hm級別的精度，只要是能夠覆蓋斷線缺陷部703的涂 敷即可。在此，用噴灑(dispenser)方式以直徑約50pm涂敷了膜厚 lHm左右的光刻膠。該涂敷區(qū)域可以是任意的，但考慮到其后面工序 中進行的等離子體噴流19的照射區(qū)域和照射精度，其大小為至少能覆 蓋其范圍。然后，用激光裝置4進行利用紫外線的光硬化或者利用紅 外線的熱硬化，獲得了膜厚0.5jam的掩模。
然后，移動到激光加工裝置4，如圖7(c)所示，進行缺陷部703 上涂敷的光刻膠膜706的開窗加工(激光開窗加工602)形成開窗部 707。進而如圖8(d)所示，形成到達保護膜704、絕緣膜705的開窗 部708，從該開窗部708露出柵布線702的各端部。因缺陷部703的
25產(chǎn)生，柵布線702的各端部成為斷續(xù)的部分。與等離子體噴流19相比， 激光加工能夠通過組合光學(xué)系統(tǒng)更容易地實現(xiàn)jLim級別的加工。此處 的激光波長，如果使用例如YAG激光器的四次諧波即266nm等的紫 外脈沖激光，則可以通過高的形狀精度加工形成開窗部708。另外， 由于掩模中使用的光刻膠706的材料與作為下層的金屬布線、硅氮化 膜、硅氧化膜等的加工閾值相差很大，所以可以不對下層造成損傷地 進行開窗加工。在此次的加工中，使用YAG的四次諧波266nm波長、 脈沖寬度10nm的激光振蕩器，用能量0.1mJ，照射10次、狹縫寬度 5pm，進行了矩形的激光開窗加工602。
然后，如圖8(e)所示，把開窗部708移動到修正裝置的等離子 體反應(yīng)部3中，用等離子體噴流19形成布線膜709。在開窗部708且 在光刻膠涂敷區(qū)域706內(nèi)進行利用等離子體的膜形成。從第一氣體供 給部13導(dǎo)入Ar氣，生成等離子體噴流19，從第二氣體供給部14導(dǎo) 入成為金屬系材料的反應(yīng)性氣體，形成金屬膜709。在上述那樣地堆 積金屬膜709時，為了抑制薄膜的氧化，形成Ar、 He的惰性氣體或 N2氣等的氣氛，成為除去了氧的環(huán)境?；蛘?，導(dǎo)入H等的還原性氣體。 由此，在開窗部708和光刻膠涂敷部706上形成金屬膜709。
然后，再次移動到激光加工裝置4，如圖8 (f)所示，進行光刻 膠膜706的除去加工(激光去除(lift-off)工序604 )。在此，為了除 去上述光刻膠涂敷部706的光刻膠，與開窗加工708不同，在大范圍 上向光刻膠涂敷部706照射激光。激光照射區(qū)域為幾十 幾百jLim范圍。 如上所述，由于光刻膠加工能量不會對下層造成損傷，所以照射激光 的位置不一定必須存在光刻膠膜。利用該工序去除金屬膜709，在斷 線缺陷部703上形成新的布線709，形成保護膜710，修正結(jié)束。
然后，根據(jù)需要向Ar等離子體噴流19添加大約百分之幾的氧， 對襯底的表面進行清洗處理，修正結(jié)束。
以上，用實施例說明了本發(fā)明，但到此為止的各實施例中說明的 構(gòu)成僅僅是一例，本發(fā)明在不脫離技術(shù)構(gòu)思的范圍內(nèi)可以適當(dāng)變更。 另外，各實施例中說明的構(gòu)成，只要不互相矛盾，也可以組合使用。(實施例4)
圖9示出局部膜形成裝置1020的構(gòu)成。在等離子體生成室1001 內(nèi)有作為絕緣體的石英管1002、巻繞在石英管1002的周圍的線圏 1003、與石英管1002的上部連接的等離子體點火用的點火器1009。 線圏1003的一方與高頻電源1007和高頻匹配箱1008連接，另一方接 地。石英管1002的下部通過局部吸排氣^l構(gòu)1004的貫通孔向反應(yīng)室 1052伸出。分別從原料氣體容器IOIO和等離子體氣體容器1011供給 原料氣體和等離子體氣體，在管路部的中途安裝有用來控制氣體流量
的質(zhì)流控制器1012。關(guān)于原料氣體，也可以在石英管1002的正前方 分支出管路，在微等離子體1005附近從噴嘴1006吹出。如果在向石 英管1002供給等離子體氣體、向線圏1003施加高頻電壓的狀態(tài)下用 點火器1009對等離子體點火，則從石英管1002的前端部產(chǎn)生微等離 子體1005。如果使原料氣體與該微等離子體1005反應(yīng)，則能夠在村 底1016上形成膜。從石英管1002連續(xù)地供給原料氣體、等離子體用 氣體，反應(yīng)后從反應(yīng)室1052向外排出。在排氣室1050中形成吸氣口 1044，與排氣用管1014連接。排氣用管1014經(jīng)由吸引閥1015與排氣 泵1017連接。排氣室1050 ,皮吸引泵1017吸引，把從反應(yīng)室1052排 出的氣體取入到排氣室1050中，經(jīng)由排氣用管路1014、吸引閥1015 排出。
圖10示出局部吸排氣機構(gòu)1004的結(jié)構(gòu)例。局部吸排氣機構(gòu)1004 具有外壁1042和內(nèi)壁1043，外壁1042的上表面和內(nèi)壁1043的上表 面與頂蓋1041的底面接合，進行密封以防止氣體泄漏。在頂蓋1041 的中心形成用來使石英管1002通過的貫通孔，為了防止氣體從貫通孔 與石英管1002的間隙泄漏而進行了密封。石英管1002向在內(nèi)壁1043 的內(nèi)部形成的反應(yīng)室1052伸出，從前端部噴出微等離子體1005。另 外，為了排出外壁1042和內(nèi)壁1043之間的排氣室1050內(nèi)的氣體，在 頂蓋1041上形成吸氣口 1044。等離子體氣體和原料氣體從反應(yīng)室1052 通過內(nèi)壁1043與襯底1016的間隙而進入湘，氣室1050，向吸氣口 1044 流動。另外，在外壁1042的周圍存在的外部大氣也通過外壁1042與襯底1016的間隙而進入排氣室1050，向吸氣口 1044流動。吸氣口 1044 與圖9所示的排氣用管1014連接。雖然在圖10中吸氣口 1044形成在 頂蓋1041上，但也可以像圖11中那樣形成在外壁1042的側(cè)面上。在 有多個吸氣口 1044時，也可以是分別用吸引泵1017排氣的方法，或 者與各吸氣口 1044連接的排氣用管1014在吸引閥1015處合流而用同 一個吸引泵1017排氣的方法。
在外壁1042和內(nèi)壁1043上形成迷宮式結(jié)構(gòu)1045。迷宮式結(jié)構(gòu) 1045是通過形成裝入了氣體流路的結(jié)構(gòu)而增大流過外壁1042與襯底 1016的間隙的氣體流路的壓力損失，從而減少通過間隙的氣體流量的 結(jié)構(gòu)。其細節(jié)在后面描述，通過形成迷宮式結(jié)構(gòu)1045，具有即使間隙 變化也能使氣體流量穩(wěn)定的效果。
圖10所示的局部吸排氣機構(gòu)1004具有頂蓋1041、從頂蓋1041 的底面朝著襯底1016的方向設(shè)置的圍繞頂蓋1041的中心的內(nèi)壁1043、 以及從頂蓋1041的底面朝著襯底1016的方向設(shè)置的圍繞內(nèi)壁1043的 外壁1042，由于具有向內(nèi)壁1043的內(nèi)側(cè)的反應(yīng)室1052導(dǎo)入氣體，從 外壁1042與內(nèi)壁1043之間的排氣室1050排出氣體的結(jié)構(gòu)，所以反應(yīng) 室1052內(nèi)的氣體向哪個方向都排氣，且由于在外壁1042和內(nèi)壁1043 上形成迷宮式結(jié)構(gòu)1045，所以即使間隙變化也能使氣體流量穩(wěn)定。
圖10中示出外壁1042和內(nèi)壁1043是圓筒狀結(jié)構(gòu)的例子，但也 可以像圖12所示的那樣是長方體形狀。從村底1016側(cè)看外壁1042和 內(nèi)壁1043的形狀是正方形，此時也是，反應(yīng)室1052內(nèi)的氣體向哪個 方向都排氣，且由于在外壁1042和內(nèi)壁1043上形成了迷宮式結(jié)構(gòu) 1045，所以即使間隙變化也能使氣體流量穩(wěn)定。
而且，為了4吏在外壁1042和內(nèi)壁1043與襯底1016的間隙流動 的氣體更均勻地向吸氣口 1044排氣，希望是以下的結(jié)構(gòu)。第一，為了 使流過間隙的氣體的流路長度分別相等，成為外壁1042的厚度和內(nèi)壁 1043的厚度相同的結(jié)構(gòu)。第二，有多個吸氣口 1044時，相對于石英 管1002的中心軸配置成對稱，使連接各吸氣口 1044和吸引閥1015的 排氣用管1014的電導(dǎo)相等。例如，有一臺排氣泵1017時，到達各吸氣口 1044和吸引閥1015的排氣用管1014的長度一般是不同的。因此， 只要使相對較長的排氣用管路1014的截面面積大，而相對較短的排氣 用管1014的截面面積小即可。第三，例如，如圖13所示，在吸氣口 1044的上游側(cè)形成作為緩沖區(qū)1051的空間。通過^L置比排氣室1050 的體積大的緩沖區(qū)1051，可以降低各吸氣口 1044的吸引壓力波動， 可以使排氣室1050內(nèi)的氣體均勻地排出。在這樣的結(jié)構(gòu)中，即使只設(shè) 置一個吸氣口 1044也可以。
當(dāng)產(chǎn)生微等離子體1005時，微等離子體1005的前端部的溫度達 幾百度，反應(yīng)室1052內(nèi)的溫度也上升。于是，局部吸排氣機構(gòu)1004 中使用的材料必須有耐熱性，從這一觀點出發(fā)可以使用金屬、陶瓷或 石英。使用金屬的優(yōu)點是，如果使用容易切削的材料則能夠加工成復(fù) 雜的形狀。但是，需要增大反應(yīng)室1052以使微等離子體1005不受導(dǎo) 體的影響。理想狀態(tài)下，孩i等離子體1005與內(nèi)壁1043的距離為20mm 以上時較好。使用陶乾時的優(yōu)點是，由于陶瓷是絕緣體，所以能夠縮 小反應(yīng)室1052。使用石英的優(yōu)點是，由于石英是絕緣體，所以能夠縮 小反應(yīng)室1052，且石英是透明的。也可以在局部吸排氣機構(gòu)1004的 外側(cè)安裝照相機，監(jiān)測微等離子體1005的產(chǎn)生狀況，或者通過圖像辨 認評價微等離子體1005的狀況并在異常時發(fā)出警報，或者用分光測定 器評價微等離子體1005的產(chǎn)生狀況并對施加電壓和阻抗匹配進行微 調(diào)。這些材料可以單獨使用，也可以組合使用。例如，可以在陶瓷框 體上安裝石英窗。
下面說明迷宮式結(jié)構(gòu)1045的形狀。圖14 (b)是從襯底1016側(cè) 看到的局部吸排氣機構(gòu)1004的圖，圖14(a)示出局部吸排氣機構(gòu)1004 的A-A'剖面。迷宮式結(jié)構(gòu)1045是通過成為裝入了氣體流路的結(jié)構(gòu)而 增大流過與襯底1016的間隙的氣體流路的壓力損失，從而減少通過間 隙的氣體流量的結(jié)構(gòu)。迷宮式結(jié)構(gòu)1045中，多個節(jié)流片1047形成為 同心圓狀，從側(cè)面看時是連續(xù)的凹凸形狀。以下把凹部稱為圓形溝 1046。當(dāng)氣體流過迷宮式結(jié)構(gòu)1045與村底1016的間隙時，由于首先 在入口側(cè)的節(jié)流片1047處流路變窄，所以氣體流速增大，根據(jù)伯努利
29定理，如果流動加快則壓力下降增大。而且，從節(jié)流片1047流入圓形 溝1046的氣體在流路面積大處速度減小，且一邊鋪展開來一邊向下一 個節(jié)流片1047方向流動。由于此時在圓形溝1046的上部氣體的一部 分形成渦流，所以流路阻力增大，壓力損失增大。
如圖15 (a)所示，迷宮式結(jié)構(gòu)1045的入口側(cè)壓力和出口側(cè)壓力 分別處于恒定，迷宮式結(jié)構(gòu)1045的節(jié)流片1047與襯底1016的間隙為 s。圖15 (b)示出間隙s和通過與襯底1016的間隙的氣體的流量Q的 關(guān)系。作為比較，示出了沒有迷宮式結(jié)構(gòu)1045的平滑面的情況下的間 隙s與流量Q的關(guān)系。在迷宮式結(jié)構(gòu)1045的情況下，流量Q與間隙s 成比例，而在平滑面的情況下，流量Q與間隙e的三次方成比例。考 慮了襯底1016的翹曲等的可使用的間隙s的區(qū)域中，迷宮式結(jié)構(gòu)1045 可以減小流量。另外，在可使用的范圍中，有迷宮式結(jié)構(gòu)1045時傾角 小，相對于間隙s的變化的流量Q的變化小。
如果增加節(jié)流片1047的片數(shù)則能夠進一步增加壓力損失，能夠 減小流量。于是，如果外壁1042的節(jié)流片1047的片數(shù)比內(nèi)壁1043多， 則還能夠在反應(yīng)室1052的壓力保持恒定的狀態(tài)下減小外部大氣的取 入量。
在實施例中外壁1042和內(nèi)壁1043兩者都是迷宮式結(jié)構(gòu)1045，但 也可以只有外壁1042或只有內(nèi)壁1043是迷宮式結(jié)構(gòu)1045。流入反應(yīng) 室1052的等離子體氣體和原料氣體的流量大時，通過只使外壁1042 的底面成為迷宮式結(jié)構(gòu)1045而內(nèi)壁1043的底面成為平滑面，氣體更 容易從反應(yīng)室1052向吸氣口 1044流動，氣體不會在反應(yīng)室1052內(nèi)滯 留。排氣流量大時，如果只使內(nèi)壁1043成為迷宮式結(jié)構(gòu)1045而外壁 1042成為平滑面，則由于增加了外部大氣的取入量，所以能夠抑制真 空度的上升。
圖16~圖20示出其它的迷宮式結(jié)構(gòu)1045。圖16~圖20的(b) 示出從下側(cè)看到的局部吸排氣機構(gòu)1004的形狀，(a)示出從側(cè)方看 時的局部吸排氣機構(gòu)1004的剖面圖。在圖16~圖20中只對外壁1042 的底面實施了增大壓力損失的形狀，但也可以只使內(nèi)壁1043的底面或外壁1042和內(nèi)壁1043兩者的底面為同樣的形狀。圖16是在底面上形 成渦旋狀溝1061的形狀，通過成為渦旋狀，在氣體從外壁1042的外 側(cè)向內(nèi)側(cè)流動時氣體不僅具有半徑方向的速度分量，還具有圓周方向 的速度分量，所以能夠增大氣體的流路長度，增大壓力損失。圖17所 示的齒輪狀溝1062、圖19所示的波狀溝1063、圖20所示的矩形形狀 溝1064也同樣地，通過使氣體具有圓周方向的速度分量而增大氣體的 流路長度，從而增大壓力損失。另外，圖18是把圖17的齒輪狀溝1062 的間距錯離得到的結(jié)構(gòu)，由此通過外側(cè)的齒輪狀溝1062的半徑方向的 溝的氣體能夠因內(nèi)側(cè)的圓周方向的溝而具有圓周方向的速度分量。
在由局部吸排氣^i構(gòu)1004和襯底1016形成的空間中，在吸氣口 1044附近真空度最高。如果減小局部吸排氣機構(gòu)1004與襯底1016的 間隙，則電導(dǎo)減小、壓力損失增大，由此吸氣口 1044附近的真空度上 升。如果真空度上升，則局部吸排氣機構(gòu)1004對襯底1016的吸引壓 力增大，襯底1016被吸附到局部吸排氣機構(gòu)上。為了防止吸附，只要 使內(nèi)壁1043的高度比外壁1042的高度大即可。圖21示出從側(cè)方看時 的局部吸排氣機構(gòu)1004的剖面得到的圖。由于是內(nèi)壁1043比外壁1042 高的結(jié)構(gòu)，所以襯底1016與內(nèi)壁1043的間隙比襯底1016與外壁1042 的間隙小。另一方面，如果是內(nèi)壁1043的高度大的結(jié)構(gòu)，則外壁1042 與襯底1016的間隙大，容易取入外部大氣，所以可以減少吸引壓力的 上升，防止襯底1016被吸附到局部吸排氣機構(gòu)1004上。關(guān)于圖21的 結(jié)構(gòu)，在后面描述的實施例5或?qū)嵤├?中也適用。
在本實施例中說明了產(chǎn)生微等離子體1005而使原料氣體反應(yīng)的 局部膜形成裝置1020,但也可以適用于局部地控制氣體的流動而形成 膜的裝置(例如激光CVD裝置)或襯底表面處理裝置。
根據(jù)本實施例，能夠減少間隙變化造成的氣體流量變化，可以均 勻性高地形成膜或進行均勻的表面處理，所以能夠防止不良情形發(fā)生， 實現(xiàn)成本降低。
(實施例5)
圖22示出另一實施例。局部膜形成裝置1020具有分別向X、 Y、Z方向移動的X工作臺1120a、 Y工作臺1120b和Z工作臺1120c， 在Z工作臺1120c上有局部膜形成裝置1020的頭部1021。頭部1021 由等離子體生成室1001和局部吸排氣^a構(gòu)1004構(gòu)成。作為本實施例 的等離子體生成室1001和局部吸排氣機構(gòu)1004的結(jié)構(gòu)，可以采用與 上述的實施例4或后述的實施例6、 7相同的結(jié)構(gòu)。
下面用圖23說明局部膜形成裝置1020的各構(gòu)成部分。局部膜形 成裝置1020由存儲部1100、等離子體產(chǎn)生部1110和XYZ工作臺1120 構(gòu)成，而存儲部1100由反應(yīng)條件存儲單元1101和反應(yīng)位置信息存儲 單元1102構(gòu)成，等離子體產(chǎn)生部1110由電力施加單元1111、電力控 制單元1112、反應(yīng)氣體流量控制單元1113、氬氣流量控制單元1114、 和吸引泵動作單元1115構(gòu)成，XYZ工作臺1120由高度測定單元1121、 高度調(diào)整單元1122、XY位置測定單元U23、和XY位置調(diào)整單元1124 構(gòu)成。另外，也可以是如圖24所示，在存儲部1100中還加入了壓力 條件存儲單元1103和壓力測定結(jié)果判斷單元1104，在局部吸排氣機 構(gòu)1004中加入了壓力測定單元1131，從而能夠基于反應(yīng)室1052的壓 力測定結(jié)果調(diào)整襯底1016的高度的裝置。
用圖25說明圖24的裝置構(gòu)成中的高度調(diào)整方法。在實施例中說 明了產(chǎn)生微等離子體1005而使原料氣體反應(yīng)的局部膜形成裝置1020， 但也可以適用于局部地控制氣體的流動而形成膜的裝置(例如激光 CVD裝置)和襯底表面處理裝置。
圖25示出從使局部吸排氣機構(gòu)1004下降到形成膜并使局部吸排 氣機構(gòu)1004退回為止的流程。首先，用X工作臺、Y工作臺使局部 吸排氣機構(gòu)1004移動到膜形成區(qū)域上。接著用Z工作臺使局部吸排 氣機構(gòu)1004靠近襯底1016。然后使吸引泵1017動作而開始吸引。不 產(chǎn)生微等離子體1005而向反應(yīng)室1052導(dǎo)入等離子體用的惰性氣體， 從而趕出空氣，把反應(yīng)室1052更換成惰性氣體氣氛。更換后，用質(zhì)流 控制器1012進行控制以使得惰性氣體的流量與膜形成時相同，之后測 定反應(yīng)室1052內(nèi)的壓力。把該測定結(jié)果與預(yù)先設(shè)定的最佳壓力相比 較，二者不同時用Z工作臺微調(diào)局部吸排氣機構(gòu)1004的高度以使其成為相同。反應(yīng)室1052的壓力比最佳壓力高時使局部吸排氣機構(gòu)1004從襯底1016遠離，低時靠近襯底1016，則能夠使其與最佳條件一致。調(diào)整高度后，向反應(yīng)室1052導(dǎo)入原料氣體，產(chǎn)生微等離子體1005。此時利用微等離子體1005使原料氣體反應(yīng)，在襯底1016上形成膜。形成膜后停止微等離子體1005的產(chǎn)生，停止原料氣體的導(dǎo)入。把反應(yīng)室1052內(nèi)更換成等離子體氣體后，停止等離子體氣體的供給，使吸引泵1017停止動作。最后使局部吸排氣機構(gòu)1004退回。
根據(jù)本實施例，即使間隙有變化也能把反應(yīng)室1052內(nèi)的壓力保持恒定。另外，由于必須在導(dǎo)入原料氣體之前調(diào)整與襯底1016之間的高度，所以可以防止與襯底1016之間的間隙增大，防止原料氣體漏出。(實施例6)
下面，用圖26、 27說明本發(fā)明的實施例6。在本實施例中說明了產(chǎn)生微等離子體1005，使原料氣體反應(yīng)的局部膜形成裝置1020，但也可以適用于局部地控制氣體的流動而形成膜的裝置(例如激光CVD裝置)和襯底表面處理裝置。
圖26示出實施例6的局部膜形成裝置1020的構(gòu)成。在等離子體生成室1001內(nèi)有作為絕緣體的石英管1002、巻繞在石英管1002的周圍的線圏1003、與石英管1002的上部連接的等離子體點火用的點火器1009。線圏1003的一方與高頻電源1007和高頻匹配箱1008連接，而另一方接地。石英管1002的下部通過局部吸排氣機構(gòu)1004的貫通孔向反應(yīng)室1052伸出。分別從原料氣體容器IOIO和等離子體氣體容器1011供給原料氣體和等離子體氣體，在管路部的中途安裝有用來控制氣體流量的質(zhì)流控制器1012。還從等離子體氣體容器1011配置用來向另一個局部吸排氣機構(gòu)1004供給等離子體氣體的等離子體氣體供給用管。關(guān)于原料氣體，也可以在石英管1002的正前方分支配置管路，在微等離子體1005附近從噴嘴1006吹出。如果供給等離子體氣體，則從石英管1002的前端部產(chǎn)生微等離子體1005，如果使原料氣體與該微等離子體1005反應(yīng)，則能夠在襯底1016上形成膜。
圖27示出本實施例的局部吸排氣;f幾構(gòu)1004的結(jié)構(gòu)。圖27 (a)示出從橫向看局部吸排氣機構(gòu)1004的剖面得到的圖。局部吸排氣機構(gòu)1004由頂蓋1041和直徑不同的三個壁構(gòu)成，這三個壁從外側(cè)依次為外壁1042、中壁1048、內(nèi)壁1043。外壁1042、中壁1048、內(nèi)壁1043的各上表面與頂蓋1041的底面接合，進行密封以防止氣體泄漏。在頂蓋1041的中心形成用來使石英管1002通過的貫通孔，為了防止氣體從貫通孔與石英管1002的間隙泄漏而進行了密封。石英管1002向在內(nèi)壁1043內(nèi)部形成的反應(yīng)室1052伸出，從前端部噴出微等離子體1005。在中壁1048與內(nèi)壁1043之間的頂蓋1041上形成用來排氣的吸氣口 1044。等離子體用氣體和原料氣體從反應(yīng)室1052通過內(nèi)壁1043與襯底1016的間隙向吸氣口 1044流動。另外，在外壁1042與中壁1048之間的頂蓋1041上形成用來供給惰性氣體的吹氣口 1049。惰性氣體通過中壁1048與襯底1016的間隙被排出到吸氣口或通過外壁1042排出到局部吸排氣機構(gòu)1004的周圍。通過設(shè)置吹氣口 1049，提高了防止外部大氣取入和原料氣體向周圍泄漏的效果。希望吸氣口1044和吹氣口 1049分別相對于石英管2的中心軸配置成對稱。在圖27中示出了吸氣口 1044和吹氣口 1049都為偶數(shù)個的情形，^f旦也可以配置成像圖28所示那樣，吸氣口 1044和吹氣口 1049為奇數(shù)個，且各自的位置形成正多邊形。
圖27 (b)是從襯底1016側(cè)看到的局部吸排氣機構(gòu)1004的圖。中壁1048和內(nèi)壁1043的底面是迷宮式結(jié)構(gòu)1045。為了把惰性氣體積極地向周圍排出且不取入外部大氣，外壁1042優(yōu)選不是迷宮式結(jié)構(gòu)。根據(jù)本實施例，能夠降低間隙變化導(dǎo)致的外部大氣取入量的變化，降低反應(yīng)室1052的壓力變化。
在上述實施例5的局部膜形成裝置中使用本實施例的局部吸排氣機構(gòu)1004時，也可以針對從吹氣口 1049吹出的氣體進行壓力條件的存儲、壓力的測定和壓力測定結(jié)果的判斷等。
(實施例7)
下面，用圖29說明本發(fā)明的實施例7。在實施例中說明了產(chǎn)生微等離子體1005而使原料氣體反應(yīng)的局部膜形成裝置1020，但也可以
34適用于局部地控制氣體的流動而形成膜的裝置(例如激光CVD裝置)和襯底表面處理裝置。
圖28示出本實施例的局部吸排氣機構(gòu)1004的結(jié)構(gòu)。圖28 (a)示出從橫向看局部吸排氣機構(gòu)1004的剖面得到的圖。如果反應(yīng)室1052的截面面積為A、反應(yīng)室1052內(nèi)的儀表壓力為Pa、排氣室1050的截面面積為B、排氣室1050內(nèi)的4義表壓力為Pb，則只要
PaA + PbB > 0 (式1)
，就不會對襯底1016作用向上的力，所以能夠防止村底1016的吸附。
另外，在圖27所示的局部吸排氣機構(gòu)1004 (實施例6)中使用本實施例時，如果中壁1048與外壁1042之間的空間的截面面積為C,該空間的儀表壓力為Pc，則只要
PaA + PbB + PCC > 0 (式2 )
，就不會對襯底1016作用向上的力，所以能夠防止襯底1016的吸附。
根據(jù)本實施例，能夠防止襯底1016吸附到局部吸排氣機構(gòu)1004上。
產(chǎn)生上的可利用性
通過使用了等離子體噴流的修正裝置，在現(xiàn)有的激光工藝中難以解決的缺陷也能恢復(fù)正常，可以使迄今被廢棄處理的液晶顯示元件等的產(chǎn)品再生等等，在工業(yè)利用上以及從環(huán)保的觀點看其優(yōu)點大。
另外，本發(fā)明能夠用于需要控制膜形成區(qū)域的氣體流動的等離子體產(chǎn)生裝置或激光CVD裝置。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置的修正裝置，對在襯底的表面上形成了具有圖案缺陷的電子電路圖案的顯示裝置的上述圖案缺陷進行修正，其特征在于包括通過對上述圖案缺陷的區(qū)域局部地照射等離子體而修正上述圖案缺陷的等離子體照射單元。
2. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置的修正裝置，其特征在于 上述等離子體照射單元包括等離子體生成部、第一氣體供給部、第二氣體供給部、和具有開放部的等離子體反應(yīng)部，上述等離子體生成部包括等離子體生成用細管、和在該等離子 體生成用細管的外周區(qū)域上配置的用來通過匹配網(wǎng)絡(luò)從高頻電源供給 高頻電力的電極，上述等離子體生成用細管的一個端部從上述開放部的對面?zhèn)炔?入上述等離子體反應(yīng)部內(nèi)；在上述開放部上配置有保持并能移動上述顯示裝置的工作臺機 構(gòu)，且上述顯示裝置的修正裝置包括從檢查裝置接收上述缺陷圖案的 信息，辨認上述缺陷圖案的缺陷并將其分類的觀察機構(gòu)。
3. 如權(quán)利要求2所述的顯示裝置的修正裝置，其特征在于 根據(jù)從上述第一氣體供給部供給的氣體的物理量，分解從第二氣體供給部供給的反應(yīng)性氣體。
4. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置的修正裝置，其特征在于 在上述等離子體反應(yīng)部中具有把等離子體噴流的直徑變細的掩模，上述掩模配置在上述等離子體生成用細管與襯底之間，第二氣體 供給部配置在上述掩模與襯底之間。
5. 如權(quán)利要求4所述的顯示裝置的修正裝置，其特征在于 上述掩模是絕緣體。
6. 如權(quán)利要求l所述的顯示裝置的修正裝置，其特征在于 根據(jù)從上述第一氣體供給部供給的氣體的物理量，控制被加工物的溫度。
7. 如權(quán)利要求3、 6中任一項所述的顯示裝置的修正裝置，其特征在于上述氣體的物理量是流量、流速、氣體種類、電離度中的至少一種。
8. —種顯示裝置的修正方法，對在襯底的表面上形成了具有圖 案缺陷的電子電路圖案的顯示裝置的上述圖案缺陷進行修正，其特征 在于通過對上述圖案缺陷的區(qū)域局部地照射等離子體而修正上述圖 案缺陷。
9. 一種顯示裝置的修正方法，其特征在于 通過對從等離子體生成用細管的一個端部向上述等離子體生成用細管的內(nèi)部供給的惰性氣體施加高頻電力，產(chǎn)生等離子體；通過在上述等離子體生成用細管的另一個端部與襯底之間配置的掩模，把等離子體噴流微細化；根據(jù)從第一氣體供給部供給的氣體的物理量，分解從第二氣體供給部供給的反應(yīng)性氣體，對上述村底上的電子電路圖案的圖案缺陷進行修正。
10. 如權(quán)利要求9所述的顯示裝置的修正方法，其特征在于 上述氣體的物理量是流量、流速、氣體種類、電離度中的至少一種。
11. 一種膜形成或表面處理裝置，具有局部吸排氣機構(gòu)，其特征在于上述局部吸排氣機構(gòu)，具有頂蓋、從上述頂蓋的底面朝著要進行膜形成或表面處理的 襯底的方向設(shè)置的圍繞上迷頂蓋的中心的內(nèi)壁、以及從上述頂蓋的底 面朝著上述襯底的方向設(shè)置的圍繞上述內(nèi)壁的外壁，是向上述內(nèi)壁的內(nèi)側(cè)的第一空間導(dǎo)入氣體、且從上述內(nèi)壁與上述 外壁之間的第二空間排出氣體的結(jié)構(gòu)，上述內(nèi)壁或上述外壁的開放側(cè)的面中的至少一個是迷宮式結(jié)構(gòu)。
12. —種膜形成或表面處理裝置，具有局部吸排氣機構(gòu)，其特征在于上述局部吸排氣機構(gòu)，具有頂蓋、從上述頂蓋的底面朝著要進行膜形成或表面處理的 襯底的方向設(shè)置的圍繞上述頂蓋的中心的內(nèi)壁、從上述頂蓋的底面朝 著上述襯底的方向設(shè)置的圍繞上述內(nèi)壁的中壁、以及從上述頂蓋的底 面朝著上述襯底的方向設(shè)置的圍繞上述中壁的外壁，是向上述內(nèi)壁的內(nèi)側(cè)的第一空間導(dǎo)入氣體，從上述內(nèi)壁與上述中 壁之間的第二空間排出氣體，從上述中壁與上述外壁之間的第三空間 導(dǎo)入氣體的結(jié)構(gòu)，上述內(nèi)壁、上述中壁或上述外壁的開放側(cè)的面中的至少一個是迷 宮式結(jié)構(gòu)。
13. 如權(quán)利要求11或12所述的膜形成或表面處理裝置，其特征在于包括測定導(dǎo)入氣體的上述第一空間內(nèi)的壓力的計測部、和基于 上述壓力的測定值調(diào)整上述局部吸排氣機構(gòu)與襯底之間的間隙的高度 調(diào)整部。
14. 如權(quán)利要求11或12所述的膜形成或表面處理裝置，其特征在于具有測定導(dǎo)入氣體的空間的壓力的壓力測定部、壓力條件存儲 部、壓力測定結(jié)果判斷部、反應(yīng)條件存儲部、反應(yīng)位置信息存儲部、 電力施加部、電力控制部、反應(yīng)氣體流量控制部、氬氣流量控制部、 吸引泵動作部、高度測定部、高度調(diào)整部、XY位置測定部、和XY位 置調(diào)整部。
15. 如權(quán)利要求ll所述的膜形成或表面處理裝置，其特征在于 上述第一空間的截面面積和上迷第一空間內(nèi)的儀表壓力的積與上述第二空間的截面面積和上述第二空間內(nèi)的儀表壓力的積之和大于0。
16. 如權(quán)利要求12所述的膜形成或表面處理裝置，其特征在于 上述第 一空間的截面面積和上述第 一空間內(nèi)的儀表壓力的積、上述第二空間的截面面積和上述第二空間內(nèi)的儀表壓力的積與上述第三 空間的截面面積和上述第三空間內(nèi)的儀表壓力的積之和大于0。
17. 如權(quán)利要求ll所述的膜形成或表面處理裝置，其特征在于 上述內(nèi)壁和上述外壁各自的厚度相同。
18. 如權(quán)利要求12所述的膜形成或表面處理裝置，其特征在于 上述內(nèi)壁、上述中壁和上述外壁各自的厚度相同。
19. 如權(quán)利要求ll所述的膜形成或表面處理裝置，其特征在于 用來從上述第二空間排出氣體的吸氣口離用來向上述第 一空間導(dǎo)入氣體的氣體導(dǎo)入口的中心的距離相同，且在圓周方向上均勻地配 置。
20. 如權(quán)利要求12所述的膜形成或表面處理裝置，其特征在于 用來從上述第二空間排出氣體的吸氣口和用來向上述第三空間導(dǎo)入氣體的氣體導(dǎo)入口離用來向上述第一空間導(dǎo)入氣體的氣體導(dǎo)入口 的中心的距離分別相同，且分別在圓周方向上均勻地配置；用來從上述第二空間排出氣體的吸氣口與用來向上述第一空間 導(dǎo)入氣體的氣體導(dǎo)入口之間的距離，比用來向上迷第三空間導(dǎo)入氣體 的氣體導(dǎo)入口與用來向上述第 一空間導(dǎo)入氣體的氣體導(dǎo)入口之間的距 離小。
21. 如權(quán)利要求ll所述的膜形成或表面處理裝置，其特征在于 上述內(nèi)壁的高度比上述外壁的高度高。
22. 如權(quán)利要求12所述的膜形成或表面處理裝置，其特征在于 上述內(nèi)壁的高度比上述中壁和上述外壁的高度都高。
23. 如權(quán)利要求11或12所迷的膜形成或表面處理裝置，其特征在于上述局部吸排氣機構(gòu)的材料是金屬、陶瓷或石英中的任一種。
24. 如權(quán)利要求11或12所述的膜形成或表面處理裝置，其特征在于形成有多個用來從上述第二空間排出氣體的吸氣口，上述吸氣口 通過各個管與同一吸引閥連接，上述管的電導(dǎo)都相等。
25. 如權(quán)利要求11或12所述的膜形成或表面處理裝置，其特征在于在用來從上述第二空間排出氣體的吸氣口與上述第二空間之間 形成有緩沖區(qū)域，上述緩沖區(qū)域的體積比上述第二空間的體積大。
26. —種使用了如權(quán)利要求11或12所述的膜形成或表面處理裝 置的膜形成或表面處理方法，其特征在于包括使上述局部吸排氣機構(gòu)下降到預(yù)定位置的第 一 工序； 使用來排出氣體的氣體吸引泵動作的第二工序； 用氣體更換上述第一空間內(nèi)的外部大氣的工序； 測定上述第一空間內(nèi)的壓力的工序；以及 調(diào)整上述局部吸排氣機構(gòu)的高度以使得上述壓力成為預(yù)定的壓 力的工序。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置的修正方法及其裝置，能夠大幅度擴大修正的區(qū)域、材料或種類等的適用范圍。本發(fā)明的顯示裝置的修正裝置，用于對在襯底的表面上形成了具有圖案缺陷的電子電路圖案的顯示裝置的上述圖案缺陷進行修正，包括通過對上述圖案缺陷的區(qū)域局部地照射等離子體而修正上述圖案缺陷的等離子體照射單元。
文檔編號H01L21/00GK101667527SQ20091016164
公開日2010年3月10日 申請日期2009年7月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月5日
發(fā)明者中須信昭, 大錄范行, 新井武, 枝村理夫 申請人:株式會社日立顯示器