專利名稱：快閃存儲(chǔ)器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲(chǔ)器的制造方法，且特別是有關(guān)于一種快閃存儲(chǔ)器(flash memory)及其制造方法。
背景技術(shù)：
非易失性存儲(chǔ)器因具有可多次進(jìn)行數(shù)據(jù)的存入、讀取、抹除等特性，且存入的數(shù)據(jù) 在斷電后也不會(huì)消失，因此被廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦和電子設(shè)備。一般來(lái)說(shuō)，典型的存儲(chǔ)器元 件包括由浮置柵極(floating gate)與控制柵極(controlgate)構(gòu)成的堆迭式柵極結(jié)構(gòu)。 浮置柵極配置于控制柵極和基底之間且處于浮置狀態(tài)，而控制柵極則與字元線相連接。且， 基底與浮置柵極之間配置有穿隧介電層，浮置柵極與控制柵極之間配置有柵間介電層。一般來(lái)說(shuō)，浮置柵極配置于隔離結(jié)構(gòu)之間，且浮置柵極的表面例如是與隔離結(jié) 構(gòu)的表面齊平。因此，移除一部分位于浮置柵極之間的隔離結(jié)構(gòu)可以增加浮置柵極所 暴露出來(lái)的面積，以增加浮置柵極與控制柵極之間的接觸面積，進(jìn)而提升柵極耦合率 (gate-coupling ratio，GCR)。然而，存儲(chǔ)器元件包括存儲(chǔ)器區(qū)與周邊區(qū)，為了移除存儲(chǔ)器區(qū)的浮置柵極之間的 一部分的隔離結(jié)構(gòu)，往往會(huì)同時(shí)移除周邊區(qū)的一部分的隔離結(jié)構(gòu)。在周邊區(qū)中，移除過(guò)多的 隔離結(jié)構(gòu)可能暴露出位于隔離結(jié)構(gòu)之間的基底上的柵介電層，使得柵介電層在后續(xù)的刻蝕 工藝與清洗工藝中退化，而影響周邊區(qū)元件的電性。再者，在移除一部分的隔離結(jié)構(gòu)后會(huì)在 基底上形成一整層的柵間介電層，且接著移除周邊區(qū)的柵間介電層與浮置柵極。若是位于 周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的表面與浮置柵極的表面之間的高度差太大，后續(xù)移除周邊區(qū)的柵間介 電層與浮置柵極的刻蝕工藝會(huì)因間隙壁效應(yīng)(spacer effect)而不易進(jìn)行。因此，如何適當(dāng)?shù)匾瞥鎯?chǔ)器區(qū)與周邊區(qū)的一部分的隔離結(jié)構(gòu)，以提高存儲(chǔ)器元 件的柵極耦合率且維持良好的電性為目前十分重要且急需解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種快閃存儲(chǔ)器的制造方法，使快閃存儲(chǔ)器具有高柵極耦合率與良好 的電性。本發(fā)明提出一種快閃存儲(chǔ)器的制造方法。首先，提供基底，基底包括存儲(chǔ)器區(qū)與周 邊區(qū)，基底上已形成有多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，且隔離結(jié)構(gòu)之間的基底上已形成有第一介電層與浮 置柵極。接著，于基底上形成掩膜層，掩膜層覆蓋周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)以及位于存儲(chǔ)器區(qū)且與 周邊區(qū)緊鄰的隔離結(jié)構(gòu)。然后，以掩膜層為掩膜，移除存儲(chǔ)器區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的一部分，使得 位于周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的表面與第一介電層的表面之間具有第一高度差，位于存儲(chǔ)器區(qū)且 與周邊區(qū)緊鄰的隔離結(jié)構(gòu)的表面與第一介電層的表面之間具有第一高度差，而位于存儲(chǔ)器 區(qū)的其余隔離結(jié)構(gòu)的表面與第一介電層的表面之間具有第二高度差，其中第一高度差大于 第二高度差，且隔離結(jié)構(gòu)的表面高于第一介電層的表面。接著，移除掩膜層。然后，于基底 上形成柵間介電層。繼之，移除周邊區(qū)的柵間介電層以及浮置柵極。而后，于基底上形成導(dǎo)體層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在移除周邊區(qū)的柵間介電層以及浮置柵極后，更包括移 除周邊區(qū)的第一介電層以及于周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)之間的基底上形成第二介電層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的表面高于第二介電層的表 面，且周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的表面與第二介電層的表面之間具有第三高度差，其中第三高度 差大于第二高度差?；谏鲜觯景l(fā)明的快閃存儲(chǔ)器的制造方法利用掩膜層覆蓋周邊區(qū)來(lái)移除存儲(chǔ)器 區(qū)的部分隔離結(jié)構(gòu)，使存儲(chǔ)器區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的表面與穿隧介電層的表面之間的高度差大于 周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的表面與柵介電層的表面之間的高度差。如此一來(lái)，能夠增加浮置柵極 與控制柵極之間的接觸面積，以及保持周邊區(qū)的柵介電層的完整性，使得快閃存儲(chǔ)器具有 高柵極耦合率與良好的電性。


圖IA至圖II是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種快閃存儲(chǔ)器的制造方法的流程剖 面示意圖。圖2A至圖2C是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種快閃存儲(chǔ)器的制造方法的一部分 的流程剖面示意圖。附圖標(biāo)號(hào)100 基底102:存儲(chǔ)器區(qū)104:周邊區(qū)106:第一介電層108:穿隧介電層109 表面110:掩膜層112:溝渠114、114a、114b、114，、114，a、116、116a 隔離結(jié)構(gòu)120 浮置柵極122 掩膜層124、125、126 表面128:柵間介電層130:柵介電層132 表面134 導(dǎo)體層H1、H2、H3、H4、H5 高度差
具體實(shí)施例方式為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖 作詳細(xì)說(shuō)明如下。
第一實(shí)施例圖IA至圖II是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種快閃存儲(chǔ)器的制造方法的流程剖 面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，首先，提供基底100?；?00例如是硅基底?；?00包括存儲(chǔ)器 區(qū)102與周邊區(qū)104。然后，于基底100上依序形成第一介電層106與掩膜層110。第一介 電層106的材料例如是氧化硅，其形成方法例如是熱氧化法或化學(xué)氣相沉積法。掩膜層110 的材料例如是氮化硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。請(qǐng)參照?qǐng)D1B，接著，移除部分掩膜層110、第一介電層106與基底100，以形成溝渠 112。移除部分掩膜層110、第一介電層106與基底100的方法例如是先于掩膜層110上形 成圖案化光阻層(未繪示)。然后，以圖案化光阻層為掩膜，進(jìn)行刻蝕工藝，以移除暴露的掩 膜層110以及掩膜層110下方的第一介電層106與基底100。之后，移除圖案化光阻層。請(qǐng)參照?qǐng)D1C，然后，于溝渠112中形成隔離結(jié)構(gòu)114、114’、116。其中，隔離結(jié)構(gòu) 114’為存儲(chǔ)器區(qū)102中最靠近周邊區(qū)104的隔離結(jié)構(gòu)。隔離結(jié)構(gòu)114、114’、116例如是淺 溝渠隔離結(jié)構(gòu)。隔離結(jié)構(gòu)114、114’、116的材料例如為高密度等離子體氧化物，其形成方法 例如是先以高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法于圖IB所繪示的基底100上形成一層諸如氧 化硅的絕緣材料，然后以掩膜層110為研磨終止層，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝將絕緣材料平 坦化。之后，移除掩膜層110以暴露出第一介電層106。移除掩膜層110的方法例如是非等 向性刻蝕工藝。請(qǐng)參照?qǐng)D1D，接著，例如是以濕刻蝕法去除第一介電層106，并形成穿隧介電層 108。而后，于基底100上形成導(dǎo)體材料層(未繪示)，導(dǎo)體材料層的材料例如是多晶硅。隨 后，例如是以隔離結(jié)構(gòu)114、114’、116為研磨終止層，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝將導(dǎo)體材料層 平坦化，以形成浮置柵極120。特別注意的是，在本實(shí)施例中，浮置柵極120的表面與隔離 結(jié)構(gòu)114、114’、116的表面例如是齊平。特別一提的是，本發(fā)明未限制快閃存儲(chǔ)器的形成方 法，圖IA至圖IC所述的流程僅是多種進(jìn)行快閃存儲(chǔ)器的前段工藝中的一種，換言之，熟知 此技藝者應(yīng)了解可使用各種方法來(lái)制作圖ID所示的穿隧介電層108、浮置柵極120以及隔 離結(jié)構(gòu) 114、114，、116。請(qǐng)參照?qǐng)D1E，接著，于基底100上形成掩膜層122，掩膜層122覆蓋周邊區(qū)104的 隔離結(jié)構(gòu)116以及位于存儲(chǔ)器區(qū)102且與周邊區(qū)104緊鄰的隔離結(jié)構(gòu)114’。掩膜層122的 材料例如是光阻。然后，以掩膜層122為掩膜，移除位于存儲(chǔ)器區(qū)102的部分隔離結(jié)構(gòu)114，以形成隔 離結(jié)構(gòu)114a。如此一來(lái)，除了與周邊區(qū)104緊鄰的隔離結(jié)構(gòu)114’以外，存儲(chǔ)器區(qū)102的其 余隔離結(jié)構(gòu)114a的表面124皆低于位于周邊區(qū)104的隔離結(jié)構(gòu)116的表面126。換言之， 隔離結(jié)構(gòu)114a、114’、116的表面124、125、126高于穿隧介電層108的表面109，且周邊區(qū) 104的隔離結(jié)構(gòu)116的表面126與穿隧介電層108的表面109之間具有第一高度差HI、位 于存儲(chǔ)器區(qū)102且與周邊區(qū)104緊鄰的隔離結(jié)構(gòu)114’的表面125與穿隧介電層108的表 面109之間同樣具有第一高度差Hl，而位于存儲(chǔ)器區(qū)102的其余隔離結(jié)構(gòu)114a的表面124 與穿隧介電層108的表面109之間具有小于第一高度差Hl的第二高度差H2。請(qǐng)參照?qǐng)D1F，接著，例如是以非等向性刻蝕工藝移除掩膜層122。而后，在本實(shí)施 例中，例如是對(duì)隔離結(jié)構(gòu)114a、114’、116進(jìn)行全面性移除，以形成隔離結(jié)構(gòu)114b、114，a、116a。全面性移除的方法包括濕式刻蝕法或干式刻蝕法。如此一來(lái)，位于存儲(chǔ)器區(qū)102的 隔離結(jié)構(gòu)114b的表面124仍低于位于周邊區(qū)104的隔離結(jié)構(gòu)116a的表面126以及位于存 儲(chǔ)器區(qū)102且與周邊區(qū)104緊鄰的隔離結(jié)構(gòu)114’ a的表面125。換言之，隔離結(jié)構(gòu)114b、 114’ a、116a的表面124、125、126高于穿隧介電層108的表面109，且位于周邊區(qū)104的隔 離結(jié)構(gòu)116a的表面126與穿隧介電層108的表面109之間具有高度差H3，位于存儲(chǔ)器區(qū) 102且與周邊區(qū)104緊鄰的隔離結(jié)構(gòu)114’a的表面125與穿隧介電層108的表面109之間 同樣具有高度差H3，而位于存儲(chǔ)器區(qū)102的其余隔離結(jié)構(gòu)114b的表面124與穿隧介電層 108的表面109之間具有小于高度差H3的高度差H4。請(qǐng)參照?qǐng)D1G，之后，于基底100上形成柵間介電層128。柵間介電層128例如是由 氧化硅層、氮化硅層與氧化硅層堆迭而成的復(fù)合介電層，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積 法。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，柵間介電層128也可以是氧化硅、氮化硅等介電材料的單層結(jié) 構(gòu)。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)DIG與圖1H，然后，移除周邊區(qū)104的柵間介電層128、浮置柵極120 以及穿隧介電層108。而后，于周邊區(qū)104的隔離結(jié)構(gòu)116a之間的基底100上形成柵介電 層130。移除周邊區(qū)104的柵間介電層128、浮置柵極120以及穿隧介電層108的方法例如 是干式刻蝕工藝或濕式刻蝕工藝。柵介電層130的材料例如是氧化硅，其形成方法例如是 化學(xué)氣相沉積法。其中，周邊區(qū)104的隔離結(jié)構(gòu)116a的表面126與柵介電層130的表面 132之間的高度差H5大于隔離結(jié)構(gòu)114b的表面124與穿隧介電層108的表面109之間的 高度差H4。請(qǐng)參照?qǐng)DII，繼之，于基底100上形成導(dǎo)體層134，以覆蓋存儲(chǔ)器區(qū)102的柵間介 電層128與周邊區(qū)104的柵介電層130與隔離結(jié)構(gòu)116a。其中，存儲(chǔ)器區(qū)102的導(dǎo)體層134 作為控制柵極，周邊區(qū)104的導(dǎo)體層134作為柵極。導(dǎo)體層134的材料例如是摻雜多晶娃， 其形成方法例如是利用化學(xué)氣相沉積法形成一層未摻雜多晶硅層后，進(jìn)行離子植入步驟以 形成之；或者也可采用臨場(chǎng)(in-situ)植入摻質(zhì)的方式，利用化學(xué)氣相沉積法形成之。之 后，進(jìn)行快閃存儲(chǔ)器的后段工藝步驟，如形成源極與漏極區(qū)、接觸窗與導(dǎo)線等步驟，此為本 領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者所熟知，于此不再贅述。在本實(shí)施例中，利用掩膜層覆蓋周邊區(qū)以及鄰近周邊區(qū)的存儲(chǔ)器區(qū)，使得存儲(chǔ)器 區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)與周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)被移除的程度不同。如此一來(lái)，存儲(chǔ)器區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的 表面低于周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的表面，也就是存儲(chǔ)器區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的表面與穿隧介電層的表 面之間的高度差大于周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的表面與柵介電層的表面之間的高度差。在存儲(chǔ)器 區(qū)中，由于較多的隔離結(jié)構(gòu)被移除，使得浮置柵極暴露出較多的面積，故增加浮置柵極與控 制柵極之間的接觸面積，以提升柵極耦合率。在周邊區(qū)中，由于較少的隔離結(jié)構(gòu)被移除，故 即使對(duì)周邊區(qū)進(jìn)行多次的刻蝕或清洗工藝，也不會(huì)使柵介電層暴露出來(lái)，能避免柵介電層 退化(degradation)，因此能使存儲(chǔ)器元件具有良好的電性。再者，由于位于存儲(chǔ)器區(qū)且與 周邊區(qū)鄰近的隔離結(jié)構(gòu)的表面與周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的表面幾乎齊平，因此在形成作為控制 柵極的導(dǎo)體層時(shí)，能避免導(dǎo)體層在位于存儲(chǔ)器區(qū)且鄰近周邊區(qū)處發(fā)生間隙壁效應(yīng)。換言之， 本發(fā)明的快閃存儲(chǔ)器的制造方法能夠增加浮置柵極與控制柵極之間的接觸面積，以及保持 周邊區(qū)的柵介電層的完整性，使得快閃存儲(chǔ)器具有高柵極耦合率與良好的電性。第二實(shí)施例
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圖2A至圖2C是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種快閃存儲(chǔ)器的制造方法的一部分 的流程剖面示意圖。在本實(shí)施例中，快閃存儲(chǔ)器的前段工藝與第一實(shí)施例中圖IA至圖ID 以及其對(duì)應(yīng)說(shuō)明相似，因此以下僅針對(duì)接續(xù)圖ID的步驟進(jìn)行說(shuō)明。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)DID與圖2A，在隔離結(jié)構(gòu)114、114’、116之間的基底100上形成堆 迭的穿隧介電層108與浮置柵極120后，例如是對(duì)隔離結(jié)構(gòu)114、114’、116進(jìn)行全面性 (blanket)移除，以形成隔離結(jié)構(gòu)114a、114’ a、116a。其中，隔離結(jié)構(gòu)114a、114’ a、116a的 表面124、125、126高于穿隧介電層108的表面109，且隔離結(jié)構(gòu)114a、114，、116的表面124、 125、126例如是齊平且與穿隧介電層108的表面109之間具有第一高度差Hl。全面性移除 的方法包括濕式刻蝕法或干式刻蝕法。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2A與圖2B，接著，于基底100上形成掩膜層122，掩膜層122覆蓋周 邊區(qū)104的隔離結(jié)構(gòu)116a以及位于存儲(chǔ)器區(qū)102而與周邊區(qū)104緊鄰的隔離結(jié)構(gòu)114’a。 掩膜層122的材料例如是光阻。然后，以掩膜層122為掩膜，移除位于存儲(chǔ)器區(qū)102的部分隔離結(jié)構(gòu)114a，以形成 隔離結(jié)構(gòu)114b。如此一來(lái)，除了與周邊區(qū)104緊鄰的隔離結(jié)構(gòu)114’ a以外，位于存儲(chǔ)器區(qū) 102的其余隔離結(jié)構(gòu)114b的表面124低于位于周邊區(qū)104的隔離結(jié)構(gòu)116a的表面126。也 就是說(shuō)，周邊區(qū)104的隔離結(jié)構(gòu)116a的表面126與穿隧介電層108的表面109之間仍具有 第一高度差HI、位于存儲(chǔ)器區(qū)102且與周邊區(qū)104緊鄰的隔離結(jié)構(gòu)114’a的表面125與穿 隧介電層108的表面109之間仍具有第一高度差H1，但位于存儲(chǔ)器區(qū)102的其余隔離結(jié)構(gòu) 114b的表面124與穿隧介電層108的表面109之間具有小于第一高度差Hl的第二高度差 H2。請(qǐng)參照?qǐng)D2C，而后，移除掩膜層122。在移除掩膜層122后，本實(shí)施例的快閃存儲(chǔ) 器的后段工藝與第一實(shí)施例中圖IG至圖II以及其對(duì)應(yīng)說(shuō)明相似，于此不贅述。綜上所述，利用掩膜層覆蓋周邊區(qū)以及鄰近周邊區(qū)的存儲(chǔ)器區(qū)，使得存儲(chǔ)器區(qū)的 隔離結(jié)構(gòu)與周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)被移除的程度不同。如此一來(lái)，存儲(chǔ)器區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的表面 與穿隧介電層的表面之間的高度差大于周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的表面與柵介電層的表面之間 的高度差。在存儲(chǔ)器區(qū)中，由于較多的隔離結(jié)構(gòu)被移除，故能增加浮置柵極與控制柵極之間 的接觸面積，以提升柵極耦合率。在周邊區(qū)中，由于較少的隔離結(jié)構(gòu)被移除，故能避免柵介 電層因暴露出來(lái)而退化，使存儲(chǔ)器元件具有良好的電性。換言之，本發(fā)明的快閃存儲(chǔ)器的制 造方法能夠增加浮置柵極與控制柵極之間的接觸面積，以及保持周邊區(qū)的柵介電層的完整 性，使得快閃存儲(chǔ)器具有高柵極耦合率與良好的電性。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域 中一般技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的 保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種快閃存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述方法包括提供一基底，所述基底包括一存儲(chǔ)器區(qū)與一周邊區(qū)，所述基底上已形成有多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，且所述這些隔離結(jié)構(gòu)之間的所述基底上已形成有一第一介電層與一浮置柵極；于所述基底上形成一掩膜層，所述掩膜層覆蓋所述周邊區(qū)的所述這些隔離結(jié)構(gòu)以及位于所述存儲(chǔ)器區(qū)且與所述周邊區(qū)緊鄰的所述隔離結(jié)構(gòu)；以所述掩膜層為掩膜，移除所述存儲(chǔ)器區(qū)的所述這些隔離結(jié)構(gòu)的一部分，使得位于所述周邊區(qū)的所述這些隔離結(jié)構(gòu)的表面與所述第一介電層的表面之間具有一第一高度差，位于所述存儲(chǔ)器區(qū)且與所述周邊區(qū)緊鄰的所述隔離結(jié)構(gòu)的表面與所述第一介電層的表面之間具有所述第一高度差，而位于所述存儲(chǔ)器區(qū)的其余所述這些隔離結(jié)構(gòu)的表面與所述第一介電層的表面之間具有一第二高度差，其中所述第一高度差大于所述第二高度差，且所述這些隔離結(jié)構(gòu)的表面高于所述第一介電層的表面；移除所述掩膜層；于所述基底上形成一柵間介電層；移除所述周邊區(qū)的所述柵間介電層以及所述這些浮置柵極；以及于所述基底上形成一導(dǎo)體層。
2.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，在移除所述掩膜層之后 更包括對(duì)所述這些隔離結(jié)構(gòu)進(jìn)行全面性移除。
3.如權(quán)利要求2所述的快閃存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述全面性移除的方法 包括濕式刻蝕法或干式刻蝕法。
4.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，在形成所述掩膜層之前 更包括對(duì)所述這些隔離結(jié)構(gòu)進(jìn)行全面性移除。
5.如權(quán)利要求4所述的快閃存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述全面性移除的方法 包括濕式刻蝕法或干式刻蝕法。
6.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，在移除所述周邊區(qū)的所 述柵極間介電層以及所述這些浮置柵極后，更包括移除所述周邊區(qū)的所述第一介電層以及 于所述周邊區(qū)的所述這些隔離結(jié)構(gòu)之間的所述基底上形成一第二介電層。
7.如權(quán)利要求6所述的快閃存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述周邊區(qū)的所述這些 隔離結(jié)構(gòu)的表面高于所述第二介電層的表面，且所述周邊區(qū)的所述這些隔離結(jié)構(gòu)的表面與 所述第二介電層的表面之間具有一第三高度差，其中所述第三高度差大于所述第二高度 差。
8.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述掩膜層的材料包括 光阻。
9.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述這些隔離結(jié)構(gòu)的材 料包括氧化硅。
10.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述第一介電層的材料 包括氧化硅。
11.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述第二介電層的材料 包括氧化硅。
12.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述這些浮置柵極的材料包括摻雜多晶硅。
13.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述柵間介電層的材料 包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。
14.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，所述導(dǎo)體層的材料包括 摻雜多晶硅。
全文摘要
本發(fā)明提供一種快閃存儲(chǔ)器制造方法。提供基底，基底上有多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)之間的基底上有介電層與浮置柵極。于基底上形成掩膜層，以覆蓋周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)以及位于存儲(chǔ)器區(qū)且與周邊區(qū)緊鄰的隔離結(jié)構(gòu)。以掩膜層為掩膜，移除存儲(chǔ)器區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的一部分，使周邊區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)的表面與介電層的表面之間以及位于存儲(chǔ)器區(qū)且與周邊區(qū)緊鄰的隔離結(jié)構(gòu)的表面與介電層的表面之間具有第一高度差，存儲(chǔ)器區(qū)的其余隔離結(jié)構(gòu)的表面與介電層的表面之間具有小于第一高度差的第二高度差。移除掩膜層。于基底上形成柵間介電層。于基底上形成導(dǎo)體層。本發(fā)明的方法所制作的快閃存儲(chǔ)器具有高柵極耦合率與良好的電性。
文檔編號(hào)H01L21/762GK101924078SQ20091014883
公開(kāi)日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2009年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月11日
發(fā)明者廖修漢, 蔣汝平 申請(qǐng)人:華邦電子股份有限公司