專利名稱：：供體基板和顯示器制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在通過(guò)轉(zhuǎn)印方法來(lái)形成有機(jī)發(fā)光器件中的發(fā)光層時(shí)所使用的供體基板，以及使用該供體基板來(lái)制造顯示器的方法。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，人們?cè)诜e極地研究下一代顯示器，且使用有機(jī)發(fā)光器件(有機(jī)電致發(fā)光(EL，electroluminescence)器件)的有機(jī)發(fā)光顯示器引起了人們的注意，在上述有機(jī)發(fā)光器件中，第一電極、包括發(fā)光層的多個(gè)有機(jī)層和第二電極依次層疊在驅(qū)動(dòng)基板上。由于有機(jī)發(fā)光顯示器是自發(fā)光型，因此具有寬視角。在有機(jī)發(fā)光顯示器中，因?yàn)楸彻獠皇潜匦璧?，因此可以?jié)省電能。此外，響應(yīng)度高，并且可以實(shí)現(xiàn)顯示器的極薄型(low-profile)。因此，非常期待將有機(jī)發(fā)光顯示器應(yīng)用于諸如電視等大屏幕顯示器。為了增大這種有機(jī)發(fā)光顯示器的尺寸并提高生產(chǎn)率，人們已經(jīng)考慮了使用一種尺寸更大的樣品玻璃(motherglass)。此時(shí)，在使用普通金屬掩模形成發(fā)光層的方法中，隔著金屬掩模通過(guò)蒸鍍或者涂敷發(fā)光材料來(lái)使R、G和B發(fā)光層圖形化。在該金屬掩模中，金屬板上設(shè)置有開(kāi)口圖形。因此，隨著基板尺寸的增大，必須增大金屬掩模的尺寸。然而，隨著金屬掩模尺寸的增大，由掩模自身重量引起的彎曲和輸送的復(fù)雜性變得明顯，并且對(duì)準(zhǔn)變得困難。因此，難以充分提高開(kāi)口率，結(jié)果，使器件特性劣化。作為不使用金屬掩模的圖形化技術(shù)，曾提供了一種使用諸如激光等輻射線的轉(zhuǎn)印方法。在該轉(zhuǎn)印方法中，形成了設(shè)置有轉(zhuǎn)印層的供體元件，該轉(zhuǎn)印層包含作為支持材料的發(fā)光材料，并且該供體元件面對(duì)著用于形成有機(jī)發(fā)光器件的被轉(zhuǎn)印基板。然后，通過(guò)在減壓環(huán)境下照射輻射線來(lái)將轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印至被轉(zhuǎn)印基板上。除了用激光作為輻射線之外，還有一種情況是，使用并通過(guò)透鏡來(lái)會(huì)聚從氙閃光燈發(fā)出的光(例如，參照曰本專利申請(qǐng)公開(kāi)公報(bào)No.l997-167684(第0017段和第0028段))。在現(xiàn)有技術(shù)的供體基板中，例如僅在由玻璃或膜構(gòu)成的基體的所需區(qū)域(需要被轉(zhuǎn)印的區(qū)域)處對(duì)由鉻(Cr)等構(gòu)成的光熱轉(zhuǎn)換層進(jìn)行圖形化。在轉(zhuǎn)印步驟中，有機(jī)材料的轉(zhuǎn)印層被形成在供體基板上，并且激光對(duì)應(yīng)于光熱轉(zhuǎn)換層進(jìn)行局部地照射。因此，只將轉(zhuǎn)印層中的所需范圍轉(zhuǎn)印至被轉(zhuǎn)印基板上。然而，在使用激光進(jìn)行熱轉(zhuǎn)印的情況下，當(dāng)增大基板尺寸時(shí)，存在著會(huì)使處理時(shí)間延長(zhǎng)并使顯示器等的成本增加的問(wèn)題。因此，曾考慮了氙閃光燈和鹵素紅外燈等有希望用作代替激光的輻射源，因?yàn)榭梢栽谳^大面積內(nèi)進(jìn)行聚中的或一次性轉(zhuǎn)印的處理。然而，在現(xiàn)有技術(shù)中還沒(méi)有開(kāi)發(fā)出能夠有效吸收諸如閃光燈和鹵素紅外燈等具有寬波長(zhǎng)的輻射線的供體基板，并且在使用現(xiàn)有技術(shù)的供體基板的情況下會(huì)出現(xiàn)大幅度的能量損耗。此外，在現(xiàn)有技術(shù)的供體基板中，基體和光熱轉(zhuǎn)換層的表面被由Si02等構(gòu)成的隔熱層覆蓋著，并在該隔熱層上形成有由鉬(Mo)等構(gòu)成的防污染層。因此，光吸收層中的熱量呈放射狀地被擴(kuò)散到防污染層的平面內(nèi)，并且使轉(zhuǎn)印層的有機(jī)材料烙化且輪廓發(fā)生松弛。因此，不僅轉(zhuǎn)印層中的所需范圍，而且不需要的范圍(不需要被轉(zhuǎn)印的區(qū)域)也被轉(zhuǎn)印。因此，降低了轉(zhuǎn)印精度并且會(huì)出現(xiàn)與緊鄰像素的混色，這些會(huì)帶來(lái)生產(chǎn)率的顯著降低。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述情況，本發(fā)明期望提供一種能夠有效吸收具有寬波長(zhǎng)的輻射線的供體基板和使用該供體基板來(lái)制造顯示器的方法。本發(fā)明還期望提供一種能夠?qū)⑥D(zhuǎn)印層的所需范圍以高精度進(jìn)行轉(zhuǎn)印的供體基板以及使用該供體基板來(lái)制造顯示器的方法。本發(fā)明的實(shí)施方式提供了在形成發(fā)光層時(shí)使用的第一種供體基板，所述發(fā)光層是通過(guò)如下步驟形成的形成含有發(fā)光材料的轉(zhuǎn)印層；當(dāng)所述轉(zhuǎn)印層和被轉(zhuǎn)印基板相互面對(duì)時(shí)，將輻射線照射至所述轉(zhuǎn)印層；并且使所述轉(zhuǎn)印層升華或氣化，從而將所述轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印至所述被轉(zhuǎn)印基板上。所述供體基板包括如下構(gòu)件(A)(C):(A)基體；(B)布置在所述基體上的光熱轉(zhuǎn)換層；以及(C)布置在所述基體與所述光熱轉(zhuǎn)換層之間的熱干涉層，所述熱干涉層包括兩個(gè)以上的彼此具有不同折射系數(shù)的層。本發(fā)明的實(shí)施方式提供了在形成發(fā)光層時(shí)使用的第二種供體基板，所述發(fā)光層是通過(guò)如下步驟形成的形成含有發(fā)光材料的轉(zhuǎn)印層；當(dāng)所述轉(zhuǎn)印層和被轉(zhuǎn)印基板相互面對(duì)時(shí)，照射輻射線；并且使所述轉(zhuǎn)印層升華或氣化，從而將所述轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印至所述被轉(zhuǎn)印基板上。所述供體基板包括如下構(gòu)件(A)(E):(A)基體；(B)布置在所述基體上的光熱轉(zhuǎn)換層，所述光熱轉(zhuǎn)換層對(duì)應(yīng)于所述被轉(zhuǎn)印基板上的要形成所述發(fā)光層的區(qū)域；(C)形成在所述光熱轉(zhuǎn)換層和所述基體上的隔熱層；(D)布置在所述隔熱層上且位于各個(gè)光熱轉(zhuǎn)換層之間的區(qū)域中的凸起結(jié)構(gòu)；以及(E)防污染層，所述防污染層包括形成在所述凸起結(jié)構(gòu)的頂面上的第一部分和形成在所述隔熱層的頂面上的第二部分，并且所述第一部分和所述第二部分彼此分開(kāi)。本發(fā)明提供了本發(fā)明實(shí)施方式顯示器的第一種制造方法或者第二種制造方法，在所述顯示器中，在驅(qū)動(dòng)基板上形成有有機(jī)發(fā)光器件，所述有機(jī)發(fā)光器件包括依次布置的第一電極、具有與所述第一電極的發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部的絕緣層、包含發(fā)光層的多層有機(jī)層以及第二電極。所述顯示器的第一制造方法或者第二制造方法包括如下步驟在所述驅(qū)動(dòng)基板上形成所述第一電極、所述絕緣層和所述多層有機(jī)層的一部分有機(jī)層，由此形成被轉(zhuǎn)印基板；在供體基板中形成含有發(fā)光材料的轉(zhuǎn)印層，當(dāng)所述轉(zhuǎn)印層和所述被轉(zhuǎn)印基板相互面對(duì)時(shí)照射輻射線，并且使所述轉(zhuǎn)印層升華或氣化從而將所述轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印至所述被轉(zhuǎn)印基板上，由此形成發(fā)光層；以及形成所述多層有機(jī)層的剩余部分和所述第二電極。作為上述供體基板，使用了本發(fā)明實(shí)施方式的第一種或第二種供體基板。在本發(fā)明實(shí)施方式的第一種供體基板中，在所述基體與所述光熱轉(zhuǎn)換層之間布置有熱干涉層，該熱干涉層包括兩個(gè)以上的彼此具有不同折射系數(shù)的層。因此，能根據(jù)所述輻射線的發(fā)光帶對(duì)所述熱干涉層的反射率進(jìn)行調(diào)整，并且提高了當(dāng)照射至所述供體基板的輻射線被所述光熱轉(zhuǎn)換層吸收并被轉(zhuǎn)換成熱量時(shí)的吸收率。在本發(fā)明實(shí)施方式的第二種供體基板中，所述防污染層包括形成在所述凸起結(jié)構(gòu)的頂面上的第一部分和形成在所述隔熱層的頂面上的第二部分，并且所述第一部分和所述第二部分彼此分開(kāi)。于是，大幅度降低了通過(guò)所述防污染層的熱擴(kuò)散。因此，降低了所述轉(zhuǎn)印層中的不需要的范圍被轉(zhuǎn)印的風(fēng)險(xiǎn)，并能夠以高精度轉(zhuǎn)印所需要的范圍。在本發(fā)明實(shí)施方式的第一種供體基板中，在所述基體與所述光熱轉(zhuǎn)換層之間布置有熱干涉層，該熱干涉層包括兩個(gè)以上的彼此具有不同折射系數(shù)的層。因此，通過(guò)調(diào)整所述熱干涉層的折射系數(shù)(材料)和厚度，使寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)的吸收率提高。在本發(fā)明實(shí)施方式的第二種供體基板中，所述防污染層包括形成在所述凸起結(jié)構(gòu)的頂面上的第一部分和形成在所述隔熱層的頂面上的第二部分，并且所述第一部分和所述第二部分彼此分開(kāi)。于是，大幅度降低了通過(guò)所述防污染層的熱擴(kuò)散，并能以高精度轉(zhuǎn)印所述轉(zhuǎn)印層的所需范圍。因此，當(dāng)使用該供體基板來(lái)制造有機(jī)發(fā)光顯示器時(shí)，不使用掩模就能高精度地形成發(fā)光層。從下面的說(shuō)明中會(huì)更充分地體現(xiàn)出本發(fā)明的其它和進(jìn)一步的目的、特征及優(yōu)點(diǎn)。圖1是圖示了本發(fā)明第一實(shí)施方式顯示器的結(jié)構(gòu)的圖2是圖示了圖1中像素驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)施例的圖3是圖示了圖1中顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)的截面圖4A圖4C是圖示了圖3中第一電極和絕緣層的結(jié)構(gòu)的平面圖5是圖示了在制造圖1所示顯示器的方法中使用的供體基板的結(jié)構(gòu)的截面圖；圖6A和圖6B是圖示了按工藝順序來(lái)制造供體基板的方法的截面圖7A和圖7B是圖示了按工藝順序來(lái)制造圖1所示顯示器的方法的截面圖8是用于說(shuō)明圖4A圖4C中凸柱(rib)的作用的截面圖9A和圖9B是用于說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)供體基板的示例和問(wèn)題的截面圖10是圖示了圖7B中步驟的變形例的截面圖11是圖示了圖5中供體基板的變形例的截面圖12是圖示了使用圖11中供體基板來(lái)制造顯示器的方法的截面圖13是圖示了圖12中步驟的變形例的截面圖14是圖示了本發(fā)明第二實(shí)施方式供體基板的結(jié)構(gòu)的截面圖15是圖示了本發(fā)明第三實(shí)施方式供體基板的截面圖16是圖示了熱干涉層中的吸收光譜的圖17是圖示了熱干涉層中的吸收光譜的圖18是圖示了熱干涉層中的吸收光譜的圖19是圖示了通過(guò)使用圖15中供體基板而進(jìn)行的轉(zhuǎn)印步驟的截面圖20是圖示了輻射線照射方法的實(shí)施例的平面圖21是圖示了輻射線照射方法的另一實(shí)施例的平面圖22是圖示了圖15中供體基板的變形例的截面圖23A和圖23B是用于說(shuō)明比較例1中供體基板的結(jié)構(gòu)和問(wèn)題的截面圖24是圖示了包括第一第三實(shí)施方式的顯示器的模塊的示意性結(jié)構(gòu)平面圖25是圖示了第一第三實(shí)施方式的顯示器的應(yīng)用例1的外觀立體圖26A是圖示了從應(yīng)用例2的正面觀察到的外觀立體圖，并且圖26B是圖示了從應(yīng)用例2的背面觀察到的外觀立體圖27是圖示了應(yīng)用例3的外觀立體圖28圖示了應(yīng)用例4的外觀立體圖29A是應(yīng)用例5的打開(kāi)狀態(tài)的正視圖，圖29B是打開(kāi)狀態(tài)的側(cè)視圖，圖29C是關(guān)閉狀態(tài)的正視圖，圖29D是關(guān)閉狀態(tài)的左視圖，圖29E是關(guān)閉狀態(tài)的右視圖，圖29F是關(guān)閉狀態(tài)的頂視圖，以及圖29G是關(guān)閉狀態(tài)的底視圖30圖示了圖3所示的顯示區(qū)域的其他結(jié)構(gòu)的截面圖。具體實(shí)施例方式下面參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。將按如下順序說(shuō)明。1.第一實(shí)施方式(使用激光作為輻射線并在供體基板上設(shè)置有凸起結(jié)構(gòu)的示例)。2.變形例1(在被凸起結(jié)構(gòu)分開(kāi)的各個(gè)區(qū)域中設(shè)置有不同顏色的轉(zhuǎn)印層的示例)。3.第二實(shí)施方式(在基體與光熱轉(zhuǎn)換層之間設(shè)置有單層結(jié)構(gòu)的熱干涉層的示例)。4.第三實(shí)施方式(使用具有寬波長(zhǎng)的輻射源并且熱干涉層具有層疊結(jié)構(gòu)的示例)。第一實(shí)施方式顯不器圖1圖示了本發(fā)明第一實(shí)施方式顯示器的結(jié)構(gòu)。該顯示器被用作極薄型有機(jī)發(fā)光彩色顯示器等。在該顯示器中，例如，在玻璃材質(zhì)的驅(qū)動(dòng)基板11上形成有顯示區(qū)域110，該顯示區(qū)域110中布置有后面說(shuō)明的呈矩陣形式布置的多個(gè)發(fā)光器件IOR、10G和10B，并且在該顯示區(qū)域110周邊形成有作為圖像顯示用驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120和掃描線驅(qū)動(dòng)電路130。在顯示區(qū)域110中，形成有像素驅(qū)動(dòng)電路140。圖2圖示了像素驅(qū)動(dòng)電路140的實(shí)施例。像素驅(qū)動(dòng)電路140被形成在后面說(shuō)明的第一電極13下方的層中。像素驅(qū)動(dòng)電路140是有源驅(qū)動(dòng)電路，其包括驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫(xiě)晶體管Tr2、布置在驅(qū)動(dòng)晶體管Trl與寫(xiě)晶體管Tr2之間的電容Cs(保持電容)以及在第一電源線(Vcc)與第二電源線(GND)之間與驅(qū)動(dòng)晶體管Trl串聯(lián)連接的有機(jī)發(fā)光器件10R(或者IOG或者IOB)。驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫(xiě)晶體管Tr2由普通薄膜晶體管(TFT)構(gòu)成。例如，TFT的結(jié)構(gòu)不受具體限制，并且可以是逆錯(cuò)列結(jié)構(gòu)(invertedstaggeredstructure)(所謂的底柵型)或者是錯(cuò)列結(jié)構(gòu)(頂柵型)。在像素驅(qū)動(dòng)電路140中，在列方向上布置有多條信號(hào)線120A，并且在行方向上布置有多條掃描線130A。各條信號(hào)線120A與各條掃描線130A之間的交叉部對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光器件IOR、IOG和10B中的任一個(gè)有機(jī)發(fā)光器件(亞像素)。各條信號(hào)線120A與信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120連接，并通過(guò)信號(hào)線120A將圖像信號(hào)從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120提供至寫(xiě)晶體管Tr2的源極電極。各條掃描線130A與掃描線驅(qū)動(dòng)電路130連接，并通過(guò)掃描線130A將掃描信號(hào)從掃描線驅(qū)動(dòng)電路130依次提供至寫(xiě)晶體管Tr2的柵極電極。圖3圖示了顯示區(qū)域110的截面結(jié)構(gòu)的實(shí)施例。在顯示區(qū)域110中，整體上以矩陣形式依次形成有產(chǎn)生紅光的有機(jī)發(fā)光器件IOR、產(chǎn)生綠光的有機(jī)發(fā)光器件10G和產(chǎn)生藍(lán)光的有機(jī)發(fā)光器件IOB。有機(jī)發(fā)光器件IOR、10G和10B具有矩形平面形狀，并按照每種顏色而被布置在縱向方向(列方向)上。彼此緊鄰的有機(jī)發(fā)光器件IOR、IOG和10B的組合構(gòu)成了一個(gè)像素。像素間距例如是300pm。在有機(jī)發(fā)光器件IOR、IOG和10B中，從驅(qū)動(dòng)基板11側(cè)且隔著上述像素驅(qū)動(dòng)電路140中的驅(qū)動(dòng)晶體管(圖中未示出)和平坦化絕緣膜(圖中未示出)，依次層疊有作為陽(yáng)極的第一電極13、絕緣層14、有機(jī)層15和作為陰極的第二電極16，該有機(jī)層15包括后面說(shuō)明的紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或者藍(lán)光發(fā)光層15CB。在這種有機(jī)發(fā)光器件10R、10G和10B上覆蓋有有氮化硅(SiNx)等構(gòu)成的保護(hù)膜17。此外，在保護(hù)膜17的整個(gè)表面上方隔著接合層20而粘接有由玻璃等構(gòu)成的密封基板30，由此對(duì)有機(jī)發(fā)光器件IOR、10G和10B進(jìn)行密封。第一電極13例如由ITO(銦錫復(fù)合氧化物)或者IZO(銦鋅復(fù)合氧化物)制成。第一電極13也可由反射電極構(gòu)成。在這樣的情況下，第一電極13例如具有100nm以上且1000nm以下的厚度，且優(yōu)選的是，第一電極13具有盡可能高的反射率以便提高發(fā)光效率。作為用于第一電極13的材料，例如有諸如鉻(Cr)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鎢(W)、或銀(Ag)等金屬元素的單質(zhì)或者這些金屬元素的合金。絕緣層14確保第一電極13與第二電極16之間的絕緣性，并完全能將發(fā)光區(qū)域制成為所需形狀。絕緣層14例如具有約1nm厚度，并由諸如氧化硅或聚酰亞胺等感光樹(shù)脂制成。在絕緣層14中，設(shè)置有與第一電極13中的發(fā)光區(qū)域13A對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部。絕緣層14還兼作在驅(qū)動(dòng)基板11側(cè)的凸起結(jié)構(gòu)，該凸起結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于后面說(shuō)明的供體基板40中的凸起結(jié)構(gòu)44。不僅在發(fā)光區(qū)域13A上而且在絕緣層14上都可以連續(xù)地布置有有機(jī)層15和第二電極16。然而，僅在絕緣層14的開(kāi)口部處產(chǎn)生發(fā)光。圖4A圖4C圖示了第一電極13和絕緣層14的平面結(jié)構(gòu)的實(shí)施例。例如將絕緣層14設(shè)置為格子圖形。在絕緣層14上，在離開(kāi)第一電極13中的發(fā)光區(qū)域13A(例如，絕緣層14的格子交叉點(diǎn))的位置處布置有凸柱14A。凸柱14A避免了在后面說(shuō)明的轉(zhuǎn)印步驟中供體基板40中的凸起結(jié)構(gòu)44與絕緣層14相互接觸。因此，凸柱14A的高度H優(yōu)選高于凸起結(jié)構(gòu)44的高度，并且可以例如是約5pm。凸柱14A例如由與絕緣層14的材料相同的材料制成。在驅(qū)動(dòng)基板ll上，設(shè)置有用于在后面說(shuō)明的轉(zhuǎn)印步驟中與供體基板40進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M。圖3中所圖示的有機(jī)層15具有如下結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，從第一電極13側(cè)依次層疊有空穴注入層和空穴輸送層15AB;紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍(lán)光發(fā)光層15CB;以及電子輸送層和電子注入層15DE。對(duì)于這些層，如果有必要的話，可以設(shè)置除了紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG和藍(lán)光發(fā)光層15CB以外的層。有機(jī)層15的結(jié)構(gòu)可以13依賴于從有機(jī)發(fā)光器件IOR、IOG和10B發(fā)出的光的顏色而有所不同?？昭ㄗ⑷雽犹岣吡丝昭ㄗ⑷胄剩⑶乙彩怯糜诜乐剐孤兜木彌_層?？昭ㄝ斔蛯犹岣吡讼蚣t光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍(lán)光發(fā)光層15CB的空穴輸送效率。通過(guò)施加電場(chǎng)而發(fā)生了電子和空穴的復(fù)合，且紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍(lán)光發(fā)光層15CB產(chǎn)生光。電子輸送層提高了向紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍(lán)光發(fā)光層15CB的電子輸送效率。電子注入層具有例如約0.3nm的厚度，并由LiF或Li20等制成。在圖3中，空穴注入層和空穴輸送層被圖示為一層(空穴注入層和空穴輸送層15AB)，并且電子輸送層和電子注入層被圖示為一層(電子輸送層和電子注入層15DE)。有機(jī)發(fā)光器件10R中的空穴注入層例如具有5nm以上且300nm以下的厚度，并且由4，4，,4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺(4,4，，4，，-tris(3誦methylphenylphenylamino)triphenylamine，m-MTDATA)或者4,4，,4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(4，4，,4"-tris(2-naphthylphenylamino)triphenylamine，2-TNATA)制成。有機(jī)發(fā)光器件IOR中的空穴輸送層例如具有5nm以上且300nm以下的厚度，并且由二[(N-萘基)-N-苯基]聯(lián)苯胺(bis[(N-naphthyl)-N-phenyl]benzidine，a-NPD)制成。有機(jī)發(fā)光器件10R中的紅光發(fā)光層15CR例如具有10nm以上且100nm以下的厚度，并且通過(guò)將30重量％的2,6-二[(4，-甲氧基二苯基氨基)苯乙烯基]-1，5-二氰基萘(2,6-bis[(4，-methoxydiphenylamino)styry1]-1,5-dicyanonaphthalene，BSN)混合到9，10-二(2-萘基)蒽(9,10-di-(2-naphthyl)anthracene，ADN)中而構(gòu)成。有機(jī)發(fā)光器件10R中的電子輸送層例如具有5nm以上且300nm以下的厚度，并且由8-羥基喹啉鋁(8-hydroxyquinolinealuminum,Alq3)制成。有機(jī)發(fā)光器件10G中的空穴注入層例如具有5nm以上且300nm以下的厚度，并且由m-MTDATA或者2-TNATA制成。有機(jī)發(fā)光器件10G中的空穴輸送層例如具有5nm以上且300nm以下的厚度，并且由a-NPD制成。有機(jī)發(fā)光器件10G中的綠光發(fā)光層15CG例如具有10nm以上且100nm以下的厚度，并且通過(guò)將5體積％的香豆素6(Coumarin6)混合到ADN中而構(gòu)成。有機(jī)發(fā)光器件10G中的電子輸送層例如具有5nm以上且300nm以下的厚度，并且由Alq3制成。有機(jī)發(fā)光器件10B中的空穴注入層例如具有5nm以上且300nm以下的厚度，并且由m-MTDATA或者2-TNATA制成。有機(jī)發(fā)光器件10B中的空穴輸送層例如具有5nm以上且300nm以下的厚度，并且由a-NPD制成。有機(jī)發(fā)光器件10B中的藍(lán)光發(fā)光層15CB例如具有10nm以上且100nm以下的厚度，并且通過(guò)將2.5重量。/。的4,4，-二[2-(4-(N，N-二苯基氨基)苯基)乙烯基]聯(lián)苯(4,4，-bis[2-(4-(N,N-diphenylamino)phenyl〉vinyl]biphenyl，DPAVBi)混合到ADN中而構(gòu)成。有機(jī)發(fā)光器件10B中的電子輸送層例如具有5nm以上且300nm以下的厚度，并且由Alq3制成。圖3所示的第二電極16例如具有5nm以上且50nm以下的厚度，并且由諸如鋁(A1)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、或鈉(Na)等金屬元素的單質(zhì)或者這些金屬元素的合金制成。在這些單質(zhì)及合金中，優(yōu)選鎂和銀的合金(MgAg合金)或者鋁(Al)和鋰(Li)的合金(AlLi合金)。圖3所示的保護(hù)膜17防止水分等滲入到有機(jī)層15中。保護(hù)膜17由具有低滲水性和低吸水性的材料制成，并具有足夠厚度。此外，保護(hù)膜17對(duì)于由發(fā)光層15C產(chǎn)生的光具有高透射率，并由例如具有80%以上透射率的材料制成。這種保護(hù)膜17例如具有約2|im~3pm的厚度，并由無(wú)機(jī)非晶絕緣材料制成。具體地，優(yōu)選非晶硅(a-Si)、非晶碳化硅(a-SiC)、非晶氮化硅(a-SikNJ和無(wú)定形碳(a-C)。由于無(wú)機(jī)非晶絕緣材料不含晶粒且具有低滲水性，因此使用這種材料形成保護(hù)膜17是有利的。保護(hù)膜17可由諸如ITO等透明導(dǎo)電材料制成。圖3所示的接合層20例如由熱固化樹(shù)脂或者紫外線固化樹(shù)脂制成。圖3所示的密封基板30被安置在有機(jī)發(fā)光器件IOR、10G和10B的第二電極16側(cè)。密封基板30與接合層20—起密封有機(jī)發(fā)光器件IOR、10G和10B，并且密封基板30由對(duì)于在有機(jī)發(fā)光器件IOR、10G和10B中產(chǎn)生的光具有高透射率的諸如透明玻璃等材料制成。在密封基板30中，例如設(shè)置有彩色濾光器(圖中未示出)。該彩色濾光器把在有機(jī)發(fā)光器件IOR、IOG和10B中產(chǎn)生的光引出，并且吸收被有機(jī)發(fā)光器件IOR、10G和10B以及有機(jī)發(fā)光器件IOR、IOG和IOB之間的布線反射的自然光，15從而改善對(duì)比度。供體基板接著，說(shuō)明在顯示器制造方法中使用的供體基板。圖5圖示了供體基板的結(jié)構(gòu)。供體基板40被用在通過(guò)轉(zhuǎn)印方法來(lái)形成紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍(lán)光發(fā)光層15CB的步驟中。在供體基板40中，在基體41上依次層疊有光熱轉(zhuǎn)換層42、隔熱層43、凸起結(jié)構(gòu)44和防污染層45。如后面說(shuō)明的那樣，使用基體41來(lái)形成轉(zhuǎn)印層，該轉(zhuǎn)印層含有構(gòu)成紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍(lán)光發(fā)光層15CB的發(fā)光材料。基體41由具有堅(jiān)固度并對(duì)激光具有高透射率的材料制成，利用該堅(jiān)固度能夠與后面說(shuō)明的被轉(zhuǎn)印基板進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)。例如，基體41由玻璃或者膜制成。光熱轉(zhuǎn)換層42吸收激光并將激光轉(zhuǎn)換成熱，并且該光熱轉(zhuǎn)換層42由諸如鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)或錫(Sn)等具有高吸收性的金屬材料或者含有這些金屬材料的合金制成。光熱轉(zhuǎn)換層42例如被形成為寬度為100pm的條形形狀，并對(duì)應(yīng)于想要形成驅(qū)動(dòng)基板11上的紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍(lán)光發(fā)光層15CB的區(qū)域(發(fā)光區(qū)域13A)。隔熱層43抑制從光熱轉(zhuǎn)換層42的熱擴(kuò)散，并被形成在光熱轉(zhuǎn)換層42和基體41的整個(gè)表面上。隔熱層43例如具有約300nm的厚度，并由Si02、SiN、SiON或八1203等制成。凸起結(jié)構(gòu)44以條形形狀被形成在隔熱層43上的位于各光熱轉(zhuǎn)換層42之間的區(qū)域中，并且由例如聚酰亞胺或丙烯酸樹(shù)脂制成。防污染層45反射照射到轉(zhuǎn)印層的所需范圍之外的區(qū)域上的激光，由此保護(hù)已經(jīng)形成在被轉(zhuǎn)印基板上的有機(jī)層15和像素驅(qū)動(dòng)電路140。優(yōu)選的是，防污染層45例如在450nm~1500nm的波長(zhǎng)區(qū)域具有85%以上的反射率。這是因?yàn)楫?dāng)防污染層45的反射率低時(shí)，存在著防污染層45會(huì)吸收光并攝取熱的風(fēng)險(xiǎn)。作為用于防污染層45的材料，例如有鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦CTi)或錫(Sn)等金屬或者含有這些金屬的合金。防污染層45包括形成在凸起結(jié)構(gòu)44頂面上的第一部分45A和形成在隔熱層43頂面上的第二部分45B。第一部分45A和第二部分45B彼此分開(kāi)。因此，在供體基板40中，能夠以高精度對(duì)轉(zhuǎn)印層的所需范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)印。也就是說(shuō)，通過(guò)將防污染層45中的第一部分45A和第二部分45B分開(kāi)，凸起結(jié)構(gòu)44能作為熱擴(kuò)散防止部件以降低通過(guò)防污染層45進(jìn)行的熱擴(kuò)散。因此，凸起結(jié)構(gòu)44優(yōu)選具有底部寬度W2小于頂部寬度Wl的倒錐形截面。這是由于在沉積防污染層45時(shí)，不用光刻步驟也能完全地分開(kāi)第一部分45A和第二部分45B。此外，在通過(guò)噴墨方法來(lái)形成轉(zhuǎn)印層的情況下，能夠抑制液滴泄漏到凸起結(jié)構(gòu)44的外側(cè)。具體地，凸起結(jié)構(gòu)44的側(cè)面與基體41的平面之間的傾斜角ct優(yōu)選為75度以上且140度以下。凸起結(jié)構(gòu)44優(yōu)選具有0.3[im以上且10|im以下的高度。當(dāng)將光熱轉(zhuǎn)換層42與防污染層45的第一部分45A之間的距離設(shè)為較長(zhǎng)時(shí)，降低了通過(guò)隔熱層43和凸起結(jié)構(gòu)44本身的熱擴(kuò)散。此外，防污染層45優(yōu)選具有25nm以上且500nm以下的厚度。當(dāng)厚度小于25nm時(shí)，激光透過(guò)防污染層45，并且不能得到足夠的效率。當(dāng)厚度大于500nm時(shí)，在沉積防污染層45時(shí)，難以完全將第一部分45A和第二部分45B分開(kāi)。供體基板40可以按如下方式制造而成。如圖6A所示，通過(guò)例如濺射方法在上述材料的基體41上形成上述材料的光熱轉(zhuǎn)換層42，并且通過(guò)光刻和蝕刻方法將該光熱轉(zhuǎn)換層42成形為預(yù)定形狀。接著，如圖6B所示，通過(guò)例如化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition,CVD)方法形成上述材料的隔熱層43。接著，如圖6B所示，在基體41的整個(gè)表面上涂敷感光樹(shù)脂，通過(guò)例如光刻方法將該感光樹(shù)脂成形為預(yù)定形狀，并且進(jìn)行燒制。因此，形成了凸起結(jié)構(gòu)44。此時(shí)，凸起結(jié)構(gòu)44例如具有3nm的高度和倒錐形的截面。此后，通過(guò)濺射方法，以例如150nm的厚度形成上述材料的防污染層45。這時(shí)，防污染層45在凸起結(jié)構(gòu)44的側(cè)面處中斷，并被分開(kāi)成形成于凸起結(jié)構(gòu)44頂面上的第一部分45A和形成于隔熱層43頂面上的第二部分45B。因此，諸如光刻等圖形化步驟是不必要的。以此方式，形成了圖5所示的供體基板40。顯示器制造方法例如可以按下面說(shuō)明的方式來(lái)制造顯示器。在驅(qū)動(dòng)基板11上形成第一電極13、絕緣層14以及空穴注入層和空穴輸送層15AB，從而形成被轉(zhuǎn)印基板IIA。也就是說(shuō)，準(zhǔn)備上述材料的驅(qū)動(dòng)基板11，并在驅(qū)動(dòng)基板11上形成像素驅(qū)動(dòng)電路140。此后，通過(guò)在驅(qū)動(dòng)基板11的整個(gè)表面上涂敷感光樹(shù)脂從而形成平坦化絕緣膜(圖中未示出)。通過(guò)曝光和顯影將該平坦化絕緣膜圖形化為預(yù)定形狀，并且形成且燒制驅(qū)動(dòng)晶體管Trl與第一電極13之間的連接孔(圖中未示出)。接著，通過(guò)例如濺射方法形成上述材料的第一電極13，并且通過(guò)例如干式蝕刻將第一電極13成形為預(yù)定形狀。在驅(qū)動(dòng)基板11上的預(yù)定位置處，可以形成用于在后面說(shuō)明的轉(zhuǎn)印步驟中與供體基板進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。接著，在驅(qū)動(dòng)基板11的整個(gè)表面上形成絕緣層14，并且通過(guò)例如光刻方法設(shè)置與第一電極13中的發(fā)光區(qū)域13A對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部。此后，在絕緣層14的上面，在離開(kāi)第一電極13中的發(fā)光區(qū)域13A的位置(例如，絕緣層14的格子交叉點(diǎn))處，設(shè)置具有上述高度且由上述材料構(gòu)成的凸柱14A。此后，通過(guò)例如使用區(qū)域掩模進(jìn)行的蒸鍍方法，依次沉積具有上述厚度且由上述材料構(gòu)成的空穴注入層和空穴輸送層15AB。由此，形成了被轉(zhuǎn)印基板IIA。在形成被轉(zhuǎn)印基板IIA之后，準(zhǔn)備多個(gè)上述供體基板40，并且如圖7A所示，通過(guò)例如真空蒸鍍方法在各個(gè)供體基板40上形成紅色、綠色或藍(lán)色轉(zhuǎn)印層50中的任意一個(gè)顏色的轉(zhuǎn)印層。18接著，使用供體基板40通過(guò)轉(zhuǎn)印方法形成紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍(lán)光發(fā)光層15CB。也就是說(shuō)，如圖7B所示，例如當(dāng)形成紅光發(fā)光層15CR時(shí)，供體基板40中的轉(zhuǎn)印層50面對(duì)著被轉(zhuǎn)印基板IIA。此時(shí)，由于凸柱14A(參照?qǐng)D4A圖4C)被設(shè)置在被轉(zhuǎn)印基板11A的絕緣層14上，因此在供體基板40的凸起結(jié)構(gòu)44與絕緣層14之間形成空間G。因此，如圖8所示，凸起結(jié)構(gòu)44和絕緣層14沒(méi)有相互接觸。所以，抑制了由于凸起結(jié)構(gòu)44與絕緣層14之間的接觸而在所沉積的有機(jī)層15上產(chǎn)生臺(tái)階，同時(shí)避免了由于發(fā)光線等引起的圖像質(zhì)量劣化。接著，如圖7B所示，從供體基板40的背面?zhèn)日丈浼す釲B，使轉(zhuǎn)印層50升華或者氣化從而將轉(zhuǎn)印層50轉(zhuǎn)印至被轉(zhuǎn)印基板IIA上。因此，形成了紅光發(fā)光層15CR。在此，防污染層45包括形成在凸起結(jié)構(gòu)44頂面上的第一部分45A和形成在隔熱層43頂面上的第二部分45B，并且第一部分45A和第二部分45B是彼此分開(kāi)的。因而，大幅度降低了通過(guò)防污染層45的熱擴(kuò)散。因此，減小了轉(zhuǎn)印層50中不需要的范圍被轉(zhuǎn)印的風(fēng)險(xiǎn)，并以高精度對(duì)所需范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)印。另一方面，如圖9A所示，在現(xiàn)有技術(shù)的供體基板中，由于在隔熱層843的整個(gè)表面上連續(xù)地形成防污染層845，因而如圖9B中箭頭Al所示，來(lái)自光熱轉(zhuǎn)換層842的熱量在防污染層845的平面內(nèi)呈放射狀地?cái)U(kuò)散。因而，用于轉(zhuǎn)印層850的有機(jī)材料被熔化并且輪廓發(fā)生松弛。因此，不僅轉(zhuǎn)印層850中的所需要的范圍852而且不需要的范圍(不需要被轉(zhuǎn)印的范圍)851都被轉(zhuǎn)印。所以，降低了轉(zhuǎn)印精度并且出現(xiàn)了與緊鄰像素的混色，這些會(huì)顯著降低生產(chǎn)率。在圖9A和圖9B中，以8作為開(kāi)頭的各個(gè)附圖標(biāo)記表示與圖5、圖7A和圖7B中那些元件基本相同的元件。如圖IO所示，可以在供體基板40的整個(gè)背面?zhèn)日丈浼す釲B。在此情況下，在未形成有光熱轉(zhuǎn)換層42的區(qū)域中，如箭頭A4所示激光LB被防污染層45反射，并且轉(zhuǎn)印層50中的不需要的范圍51未被轉(zhuǎn)印。另一方面，在形成有光熱轉(zhuǎn)換層42的區(qū)域中，光熱轉(zhuǎn)換層42吸收激光LB，并且只有轉(zhuǎn)印層50中的所需要的范圍52被轉(zhuǎn)印給被轉(zhuǎn)印基板IIA。此后，與紅光發(fā)光層15CR類(lèi)似地，形成綠光發(fā)光層15CG或藍(lán)光發(fā)光層15CB。在形成紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍(lán)光發(fā)光層15CB之后，使供體基板40與被轉(zhuǎn)印基板IIA分開(kāi)。在被轉(zhuǎn)印基板11A上，通過(guò)例如蒸鍍方法形成電子輸送層和電子注入層15DE以及第二電極16。以此方式，形成了有機(jī)發(fā)光器件IOR、10G和IOB。在清洗并除去轉(zhuǎn)印層50的殘余、且通過(guò)干式處理或濕式處理來(lái)剝離防污染層45之后，可重復(fù)使用已經(jīng)用過(guò)的供體基板40。在形成有機(jī)發(fā)光器件IOR、IOG和IOB之后，在有機(jī)發(fā)光器件IOR、IOG和10B上形成上述材料的保護(hù)膜17。作為保護(hù)膜17的形成方法，例如優(yōu)選諸如蒸鍍方法或CVD方法等沉積方法，在該沉積方法中沉積粒子的能量小到不會(huì)影響基體的程度。優(yōu)選在形成第二電極16之后連續(xù)地形成保護(hù)膜17而不使第二電極16暴露在空氣中。因此，抑制了有機(jī)層15由于受到空氣中的水分或氧氣的影響而被劣化。此外，為了避免由于有機(jī)層15的劣化而引起的輝度降低，優(yōu)選將保護(hù)膜17的沉積溫度設(shè)成常溫，并在為了避免保護(hù)膜17的剝落而使該膜的應(yīng)力為最小值的條件下進(jìn)行沉積。此后，在保護(hù)膜17上形成接合層20，并且隔著接合層20將保護(hù)膜17與設(shè)置有彩色濾光器的密封基板30粘合在一起。此時(shí)，優(yōu)選將密封基板30的形成有彩色濾光器的那個(gè)面安置在有機(jī)發(fā)光器件10R、10G和10B側(cè)。因此，完成了圖1的顯示器。在以此方式得到的顯示器中，通過(guò)寫(xiě)晶體管Tr2的柵極電極將掃描信號(hào)從掃描線驅(qū)動(dòng)電路130提供給各個(gè)像素，并通過(guò)寫(xiě)晶體管Tr2把來(lái)自信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120的圖像信號(hào)保持在保持電容Cs中。也就是說(shuō)，根據(jù)在保持電容Cs中保持的信號(hào)對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管Trl進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制。因此，驅(qū)動(dòng)電流Id被注入至各個(gè)有機(jī)發(fā)光器件IOR、IOG和IOB中，并且通過(guò)空穴和電子的復(fù)合而產(chǎn)生發(fā)光。該光透過(guò)第二電極16、彩色濾光器和密封基板30，然后被引出。以此方式，在第一實(shí)施方式中，防污染層45包括形成在凸起結(jié)構(gòu)44頂面上的第一部分45A和形成在隔熱層43頂面上的第二部分45B，并且第一部分45A和第二部分45B是彼此分開(kāi)的。因此，大幅度降低通過(guò)防污染層45的熱擴(kuò)散，并以高精度對(duì)轉(zhuǎn)印層50的所需范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)印。所以，當(dāng)使用供體基板40來(lái)制造有機(jī)發(fā)光顯示器時(shí)，沒(méi)有使用掩模就能以高精度形成紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍(lán)光發(fā)光層15CB。變形例1圖11圖示了本發(fā)明變形例1的供體基板40A的結(jié)構(gòu)。在變形例1的供體基板40A中，在被凸起結(jié)構(gòu)44分開(kāi)的每個(gè)區(qū)域上，設(shè)置有光熱轉(zhuǎn)換層42。因此，可以形成對(duì)于各個(gè)區(qū)域而言含有不同顏色發(fā)光材料的轉(zhuǎn)印層，從而減少了轉(zhuǎn)印的次數(shù)。除了上述說(shuō)明之外，結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)相同。除了在被凸起結(jié)構(gòu)44分開(kāi)的每個(gè)區(qū)域上設(shè)置有光熱轉(zhuǎn)換層42之外，可以按照與第一實(shí)施方式相同的方式來(lái)制造變形例1的供體基板40A。接著，說(shuō)明使用變形例1的供體基板40A來(lái)制造顯示器的方法。與第一實(shí)施方式相類(lèi)似，在驅(qū)動(dòng)基板11上形成第一電極13、絕緣層14以及空穴注入層和空穴輸送層15AB，從而形成被轉(zhuǎn)印基板IIA。接著，如圖12所示，通過(guò)例如噴墨方法形成對(duì)于被凸起結(jié)構(gòu)44分開(kāi)的每個(gè)區(qū)域而言含有不同顏色光發(fā)光材料的紅色轉(zhuǎn)印層50R、綠色轉(zhuǎn)印層50G和藍(lán)色轉(zhuǎn)印層50B。接著，如圖12所示，通過(guò)照射激光LB并利用一次轉(zhuǎn)印，在被轉(zhuǎn)印基板11A上形成全部的紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG和藍(lán)光發(fā)光層15CB。因此，提高了發(fā)光材料的使用效率，并降低了操作成本。此外，減少了轉(zhuǎn)印的次數(shù)，并且降低了制造器件的成本還提高了生產(chǎn)能力。如圖13所示，可以將激光LB照射至供體基板40A的整個(gè)背面。在形成紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG和藍(lán)光發(fā)光層15CB之后，將供體基板40A與被轉(zhuǎn)印基板IIA分開(kāi)。與第一實(shí)施方式相類(lèi)似，通過(guò)例如蒸鍍方法在被轉(zhuǎn)印基板11A上形成電子輸送層和電子注入層15DE以及第二電極16。以此方式，形成了有機(jī)發(fā)光器件IOR、10G和IOB。與第一實(shí)施方式相類(lèi)似，在形成有機(jī)發(fā)光器件IOR、IOG和IOB之后，在有機(jī)發(fā)光器件10R、IOG和IOB上形成上述材料的保護(hù)膜17。此后，在保護(hù)膜17上形成接合層20，并且隔著接合層20將形成有彩色濾光器的密封基板30與保護(hù)膜17粘合在一起。因此，完成了圖l所示的顯不器。第二實(shí)施方式圖14圖示了本發(fā)明第二實(shí)施方式的供體基板40B的結(jié)構(gòu)。除了在基體41與光熱轉(zhuǎn)換層42之間設(shè)置有熱干涉層46之外，供體基板40B具有與第一實(shí)施方式中供體基板40的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。因此，相同的附圖標(biāo)記用于表示基本相同的元件，并省略了說(shuō)明。按照與第一實(shí)施方式相同的方式制造基體41、光熱轉(zhuǎn)換層42、隔熱層43、凸起結(jié)構(gòu)44和防污染層45。隔熱層46提高了光熱轉(zhuǎn)換層42中對(duì)激光LB的吸收率。隔熱層46例如具有15nm以上且80nm以下的厚度，并由a-Si制成。與被轉(zhuǎn)印基板11A上的要形成紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG和藍(lán)光發(fā)光層15CB的區(qū)域(發(fā)光區(qū)域13A)相對(duì)應(yīng)，布置光熱轉(zhuǎn)換層42和熱干涉層46。當(dāng)制造供體基板40B時(shí)，在基體41上連續(xù)地形成具有上述厚度并由上述材料制成的熱干涉層46和光熱轉(zhuǎn)換層42，然后將熱干涉層46和光熱轉(zhuǎn)換層42成形為所需形狀，除了這些之外，可以按照與第一實(shí)施方式相同的方式來(lái)制造供體基板40B。與第一實(shí)施方式相類(lèi)似，該供體基板40B可以用于顯示器的制造方法中。此時(shí)，由于供體基板40B在基體41與光熱轉(zhuǎn)換層42之間設(shè)置有熱干涉層46，因此在如圖7B所示的轉(zhuǎn)印步驟中提高了光熱轉(zhuǎn)換層42中對(duì)激光LB的吸收并抑制了損失。此外，可以使用低能量的激光LB。以此方式，在第二實(shí)施方式中，由于在基體41與光熱轉(zhuǎn)換層42之間設(shè)置有熱干涉層46，因此提高了光熱轉(zhuǎn)換層42中對(duì)激光LB的吸收并抑制了損失，并且可使用低能量的激光LB。第三實(shí)施方式圖15圖示了本發(fā)明第三實(shí)施方式的供體基板40C的結(jié)構(gòu)。供體基板40C具有層疊結(jié)構(gòu)，該層疊結(jié)構(gòu)中的熱干涉層46包括折射系數(shù)彼此不同的兩個(gè)以上的層，并且供體基板40C沒(méi)有設(shè)置凸起結(jié)構(gòu)44，除了這些之外，供體基板40C具有與第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。因此，相同的附圖標(biāo)記用于表示基本相同的元件。按照與第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式相同的方式來(lái)制造基體41、光熱轉(zhuǎn)換層42和隔熱層43。如上所述，熱干涉層46包括兩個(gè)以上的彼此具有不同折射系數(shù)的層。具體地，熱干涉層46例如包括從基體41側(cè)依次布置的如下各層厚度為50nm以上且200nm以下并由Si02、SiN、SiON或八1203制成的第一干涉層46A;以及厚度為15nm以上且80nm以下并由a-Si制成的第二干涉層46B。因此，在供體基板40C中，有效地吸收了具有寬波長(zhǎng)的諸如氤或氪閃光燈、柱狀鹵素?zé)?beamhalogenlamp)等的輻射線。對(duì)熱干涉層46的兩個(gè)以上層(例如，第一干涉層46A和第二干涉層46B)的折射系數(shù)和厚度進(jìn)行調(diào)整，使得在輻射線的發(fā)光帶的100nm以上連續(xù)波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)的反射率為0.1以下。圖16圖示了兩種情況下的吸收光譜之間的比較，在第一種情況下，熱干涉層46包括厚度為100nm且由Si02制成的第一干涉層46A和厚度為15nm且由a-Si制成的第二干涉層46B;在第二種情況下，熱干涉層46不包括第一干涉層46A(具有第二干涉層46B單層結(jié)構(gòu)的情況)。在典型的光學(xué)多層薄膜中通過(guò)反射率計(jì)算方法來(lái)計(jì)算反射率(例如，參考"PrinciplesofOptics,MaxBornandEmilWolf,1974(Pergamonpress)"等)。從圖16中可理解到，與熱干涉層46中未設(shè)有第一干涉層46A的情況相比，在熱干涉層46中具有第一干涉層46A和第二干涉層46B層疊結(jié)構(gòu)的情況下在較寬范圍波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)有高的吸收率。圖17圖示了在第二干涉層46B的厚度為15nm或者35nm情況下的吸收光譜。圖18圖示了在第一干涉層46A的厚度為200nm或者100nm情況下的吸收光譜。從圖16~圖18中可理解到，當(dāng)使第一干涉層46A或者第二干涉層46B的厚度變化時(shí)，吸收光譜就發(fā)生變化。以此方式，根據(jù)要使用的輻射線的發(fā)光光譜，可以優(yōu)化熱干涉層46的結(jié)構(gòu)從而得到最大吸收率。例如，氙燈或氙閃光燈等的輻射線主要包括從約400nm到1000nm的發(fā)光帶。因此，從圖17中可理解到，當(dāng)熱干涉層46具有厚度為100nm且由Si02制成的第一干涉層46A和厚度為15nm且由a-Si制成的第二干涉層46B的層疊結(jié)構(gòu)時(shí)，在上述發(fā)光帶的100nm以上連續(xù)波長(zhǎng)區(qū)域中的透射率為O.l以下。在此情況下，當(dāng)?shù)谝桓缮鎸?6A具有50nm以上且100nm以下的厚度以及第二干涉層46B具有15nm以上且22nm以下的厚度時(shí)，得到了與圖17的效果相似的效果。例如，鹵素?zé)舻鹊募t外輻射熱根據(jù)色溫主要具有從約900nm到1600nm的發(fā)光峰。因此，從圖18中可理解到，當(dāng)熱干涉層46包括厚度為200nm且由Si02制成的第一干涉層46A和厚度為35nm且由a-Si制成的第二干涉層46B的層疊結(jié)構(gòu)時(shí)，在上述發(fā)光帶的100nm以上連續(xù)波長(zhǎng)區(qū)域中的透射率為0.1以下。在此情況下，當(dāng)?shù)谝桓缮鎸?6A具有150nm以上且250nm以下的厚度以及第二干涉層46B具有35nm以上且80nm以下的厚度時(shí)，得到了與圖18的效果相似的效果。利用熱干涉層46的層疊結(jié)構(gòu)，沒(méi)有必要在供體基板40C中設(shè)置凸起結(jié)構(gòu)44，并且防污染層45在隔熱層43的表面上連續(xù)地形成。因此，簡(jiǎn)化了供體基板40C的結(jié)構(gòu)和制造方法。當(dāng)制造供體基板40C時(shí)，在基體41上連續(xù)地形成具有上述厚度且由上述材料制成的第一干涉層46A、第二干涉層46B和光熱轉(zhuǎn)換層42之后，將第一干涉層46A、第二干涉層46B和光熱轉(zhuǎn)換層42成形為預(yù)定形狀，除了這些之外，按照與第一實(shí)施方式相同的方式來(lái)制造供體基板40C。供體基板40C例如可被用在下面說(shuō)明的顯示器制造方法中。與第一實(shí)施方式相類(lèi)似，在驅(qū)動(dòng)基板11上形成第一電極13、絕緣層14以及空穴注入層和空穴輸送層15AB，從而形成被轉(zhuǎn)鄰基板IIA。接著，準(zhǔn)備多個(gè)供體基板40C,并且通過(guò)例如真空蒸鍍方法在各個(gè)供體基板40C上形成紅色、綠色或藍(lán)色轉(zhuǎn)印層50中的任意一個(gè)顏色的轉(zhuǎn)印層。接著，使用供體基板40C通過(guò)轉(zhuǎn)印方法形成紅光發(fā)光層15CR、綠光發(fā)光層15CG或藍(lán)光發(fā)光層15CB。也就是說(shuō)，如圖19所示，例如當(dāng)形成紅光發(fā)光層15CR時(shí)，在供體基板40C上的轉(zhuǎn)印層50面對(duì)著被轉(zhuǎn)印基板11A。此時(shí)，與第一實(shí)施方式相類(lèi)似，由于在被轉(zhuǎn)印基板IIA的絕緣層14上設(shè)置有凸柱14A(參照?qǐng)D4A圖4C)，因此在供體基板40C與絕緣層14之間形成了空間G。如圖8所示，供體基板40C與絕緣層14沒(méi)有相互接觸。因此，抑制了由于供體基板40C與絕緣層14之間的接觸而在所沉積的有機(jī)層15中產(chǎn)生臺(tái)階，同時(shí)避免了由于發(fā)光線等引起的圖像質(zhì)量劣化。接著，如圖19所示，從供體基板40C的背面?zhèn)日丈漭椛渚€R，使轉(zhuǎn)印層50升華或者氣化從而將轉(zhuǎn)印層50轉(zhuǎn)印至被轉(zhuǎn)印基板11A上。因此，形成了紅光發(fā)光層15CR。此時(shí)，如圖20所示，可以使用氣閃光燈作為輻射線R來(lái)實(shí)施平面圖?？蛇x擇地，如圖21所示，可以使用線束RB并在箭頭A5的方向上移動(dòng)該線束RB來(lái)實(shí)施線性圖，在該線束RB中，由光學(xué)系統(tǒng)會(huì)聚作為輻射線R的鹵素?zé)?。這里，熱干涉層46包括彼此具有不同折射系數(shù)的第一干涉層46A和第二干涉層46B。因此，當(dāng)依據(jù)輻射線R的發(fā)光帶對(duì)熱干涉層46的反射率進(jìn)行調(diào)整時(shí)，改善了照射至供體基板40C上的輻射線R被光熱轉(zhuǎn)換層42吸收并轉(zhuǎn)換成熱量時(shí)的吸收率。因此，有效地吸收了具有寬波長(zhǎng)的輻射線R，并抑制了損失。此外，大幅度降低了用于轉(zhuǎn)印的能量。此時(shí)，由于在熱干涉層46中有效地吸收輻射線R，因此減少了防污染層45內(nèi)的熱擴(kuò)散，并且盡管防污染層45不與凸起結(jié)構(gòu)44分開(kāi)也可以以高精度進(jìn)行轉(zhuǎn)印。以此方式，在第三實(shí)施方式中，由于熱干涉層46具有折射系數(shù)彼此不同的第一干涉層46A和第二干涉層46B的層疊結(jié)構(gòu)，因此改善了寬波長(zhǎng)的輻射線R的吸收率并抑制了損失，并且大幅度降低了用于轉(zhuǎn)印的能在第三實(shí)施方式中，說(shuō)明了在未設(shè)置凸起結(jié)構(gòu)44的隔熱層43表面上連續(xù)地形成有防污染層45的情況。然而，如圖22所示，還可以在隔熱層43上形成有凸起結(jié)構(gòu)44，并且防污染層45的第一部分45A和第二部分45B被凸起結(jié)構(gòu)44分開(kāi)。25實(shí)施例下面說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施例。實(shí)施例1按照與第一實(shí)施方式相同的方式來(lái)制造顯示器。首先，在玻璃驅(qū)動(dòng)基板11上形成ITO第一電極13、1pm厚的聚酰亞胺絕緣層14、5nm高的聚酰亞胺凸柱14A以及空穴注入層和空穴輸送層15AB，從而形成被轉(zhuǎn)印基板IIA。通過(guò)蒸鍍方法形成該空穴注入層和空穴輸送層15AB。m-MTDATA空穴注入層具有25nm的厚度，并且a-NPD空穴輸送層具有30nm的厚度。接著，制造供體基板40(參照?qǐng)D5)。通過(guò)濺射方法在玻璃基體41上形成200nm厚的鉻(Cr)光熱轉(zhuǎn)換層42。例如通過(guò)光刻方法將該光熱轉(zhuǎn)換層42成形為100|im寬且具有條形形狀。接著，通過(guò)CVD方法形成300jum厚的Si02隔熱層43。形成3pm厚的由上述材料構(gòu)成的凸起結(jié)構(gòu)44。該凸起結(jié)構(gòu)44被成形為條形形狀，并具有倒錐形截面。此后，形成150nm厚的鉬(Mo)防污染層45。通過(guò)蒸鍍方法在供體基板40上形成25nm厚的轉(zhuǎn)印層50(參照?qǐng)D7A)。接著，在被轉(zhuǎn)印基板11A上安置供體基板40(參照?qǐng)D7B)。在供體基板40與被轉(zhuǎn)印基板IIA之間，維持約2pm高度的空間G。這個(gè)2ym高度對(duì)應(yīng)5nm高的凸柱14A與3pm高的凸起結(jié)構(gòu)44之間的高度差。此時(shí)，從供體基板40的背面?zhèn)日丈洳ㄩL(zhǎng)為800nm的激光LB，并將轉(zhuǎn)印層50轉(zhuǎn)印至被轉(zhuǎn)印基板11A上(參照?qǐng)D7B)。激光LB的束斑尺寸被固定為100pmx20|im。激光LB在與束斑尺寸的長(zhǎng)邊方向(幅寬100]um)正交的方向上掃描。通過(guò)重復(fù)上述步驟，形成紅光發(fā)光層15C、綠光發(fā)光層15G和藍(lán)光發(fā)光層15B，然后通過(guò)蒸鍍方法形成電子輸送層和電子注入層15DE以及第二電極16。電子輸送層由Alq3制成并具有20nm的厚度。電子注入層由LiF(蒸鍍速度為0.01mn/sec)制成并具有0.3nm的厚度。第二電極16由MgAg制成并具有10nm的厚度。此后，形成保護(hù)膜17和接合層20，并且粘附密封基板30。因此，完成了顯示器。作為比較例1，如圖23A所示，形成了供體基板840，在該供體基板840中，在光熱轉(zhuǎn)換層842與隔熱層843之間全面設(shè)置有鋁(A1)反射層846。通過(guò)使用供體基板840，按照與實(shí)施例1相同的方式制造顯示器。此時(shí)，反射層846由鋁(Al)制成并具有100nm的厚度。通過(guò)目視觀察來(lái)確認(rèn)實(shí)施例1和比較例1中顯示器的發(fā)光狀態(tài)。在實(shí)施例1中沒(méi)有確認(rèn)出與緊鄰像素的混色。然而，在比較例1中確認(rèn)了與緊鄰像素的混色。在實(shí)施例1和比較例1中，研究了所轉(zhuǎn)印的發(fā)光層的寬度。其結(jié)果在表1中示出。表1存在或不存在凸起結(jié)構(gòu)與緊鄰像素的混色用100pm寬度照射后的轉(zhuǎn)印寬度實(shí)施例1存在未觀察到105jam比較例1不存在觀察到122拜從表l可理解到，當(dāng)通過(guò)將束斑尺寸的長(zhǎng)邊(幅寬)設(shè)為100pm來(lái)照射激光時(shí)，實(shí)施例1中的所轉(zhuǎn)印發(fā)光層的寬度為105pm，并且比較例1中的所轉(zhuǎn)印發(fā)光層的寬度為122nm。與比較例1相比，實(shí)施例1的轉(zhuǎn)印精度大幅度提高。其理由可作如下考慮。在圖23A所示比較例1的供體基板840中，當(dāng)用激光LB照射整個(gè)表面時(shí)，如圖23B的箭頭A2所示，在未形成有光熱轉(zhuǎn)換層842的區(qū)域中激光LB被反射層846反射。另一方面，在形成有光熱轉(zhuǎn)換層842的區(qū)域中，激光LB被光熱轉(zhuǎn)換層842吸收，并且只將轉(zhuǎn)印層850中的所需要的范圍850B轉(zhuǎn)印至被轉(zhuǎn)印基板上。然而，在比較例1的供體基板840中，如箭頭A3所示在反射層846中產(chǎn)生了熱傳導(dǎo)。因此，用于轉(zhuǎn)印層850的有機(jī)材料被熔化并且輪廓發(fā)生松弛。于是，不僅轉(zhuǎn)印層850中的所需要的范圍850B，而且不需要的范圍(不需要被轉(zhuǎn)印的區(qū)域)850A也被轉(zhuǎn)印。因此，降低了轉(zhuǎn)印精度并且出現(xiàn)了與緊鄰像素的混色。也就是說(shuō)，當(dāng)防污染層45包括形成在凸起結(jié)構(gòu)44頂面上的第一部分45A和形成在隔熱層43頂面上的第二部分45B，并且第一部分45A與第二部分45B彼此分開(kāi)時(shí)，大幅度降低了通過(guò)防污染層45的熱擴(kuò)散，并且以高精度對(duì)轉(zhuǎn)印層50中的所需范圍進(jìn)行轉(zhuǎn)印。實(shí)施例2和實(shí)施例3按照與第三實(shí)施方式相同的方式來(lái)制造顯示器。此時(shí)，在實(shí)施例2中，使用氙閃光燈作為輻射線R，并通過(guò)圖20所示的面描寫(xiě)來(lái)實(shí)施轉(zhuǎn)印步驟。供體基板40C的結(jié)構(gòu)如下?；w41:玻璃熱干涉層46:由厚度為100nm的SK)2第一干涉層46A和厚度為15rnn的a-Si第二干涉層46B層疊起來(lái)的層疊結(jié)構(gòu)光熱轉(zhuǎn)換層42:厚度為200nm的鈦(Ti)隔熱層43:厚度為300nm的Si02防污染層45:厚度為50nm的鋁(Al)在實(shí)施例3中，利用光學(xué)系統(tǒng)對(duì)鹵素?zé)暨M(jìn)行會(huì)聚的線束RB被用作輻射線R，并通過(guò)圖21所示的線描寫(xiě)來(lái)實(shí)施轉(zhuǎn)印步驟。供體基板40C的結(jié)構(gòu)如下?；w41:玻璃熱干涉層46:由厚度為200nm的Si02第一干涉層46A和厚度為35nm的a-Si第二干涉層46B層疊起來(lái)的層疊結(jié)構(gòu)光熱轉(zhuǎn)換層42:厚度為200nm的鈦(Ti)隔熱層43:厚度為300nm的SiO2防污染層45:厚度為50nm的鋁(A1)作為比較例2和比較例3,除了在供體基板中未設(shè)置第一干涉層(僅有第二干涉層的單層結(jié)構(gòu))之外，按照與實(shí)施例2和實(shí)施例3相同的方式來(lái)制造顯示器。研究了在實(shí)施例2和實(shí)施例3以及比較例2和比較例3中使用的輻射線R的照射能量。其結(jié)果在表2和表3中示出。表2使用閃光燈的情況<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>從表2和表3可理解到，在熱干涉層46具有由折射系數(shù)彼此不同的第一干涉層46A和第二干涉層46B層疊起來(lái)的層疊結(jié)構(gòu)的實(shí)施例2和實(shí)施例3中，與未設(shè)置第一干涉層的比較例2和比較例3相比大幅度降低了照射能量。也就是說(shuō)，當(dāng)熱干涉層46具有由折射系數(shù)彼此不同的第一干涉層46A和第二干涉層46B層疊起來(lái)的層疊結(jié)構(gòu)時(shí)，大幅度降低了用于轉(zhuǎn)印的必要能量。模塊和應(yīng)用例下面，說(shuō)明在第一第三實(shí)施方式中說(shuō)明的顯示器的應(yīng)用例。各實(shí)施方式的顯示器適用于諸如電視機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、筆記本電腦、手機(jī)等便攜式終端或者攝像機(jī)等各個(gè)領(lǐng)域的電子裝置中的顯示器，這些顯示器把從裝置外部輸入的圖像信號(hào)或者在裝置內(nèi)部產(chǎn)生的圖像信號(hào)作為圖片或圖像進(jìn)行顯示。模塊例如，如圖24所示的模塊，各實(shí)施方式的顯示器被安裝在稍后說(shuō)明的應(yīng)用例1應(yīng)用例5的各種電子裝置等中。該模塊例如設(shè)置有區(qū)域210，該區(qū)域210從密封基板30和接合層20露出來(lái)直至驅(qū)動(dòng)基板11的一側(cè)。在露出來(lái)的區(qū)域210中，將信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120的布線和掃描線驅(qū)動(dòng)電路130的布線延長(zhǎng)從而形成外部連接端子(圖中未示出)。在該外部連接端子中，可以設(shè)置有用于輸入/輸出信號(hào)的柔性印刷電路(flexibleprintedcircuit,FPC)220。應(yīng)用例1圖25圖示了應(yīng)用了各實(shí)施方式顯示器的電視機(jī)的外觀。該電視機(jī)裝置例如包括含有前面板310和濾光玻璃320的圖像顯示屏300。圖像顯示屏300由各實(shí)施方式的顯示器構(gòu)造而成。應(yīng)用例2圖26A和圖26B圖示了應(yīng)用了各實(shí)施方式顯示器的數(shù)碼照相機(jī)的外觀。該數(shù)碼照相機(jī)例如包括閃光用發(fā)光部件410、顯示器420、菜單開(kāi)關(guān)430和快門(mén)按鈕440。顯示器420由各實(shí)施方式的顯示器構(gòu)造而成。應(yīng)用例3圖27圖示了應(yīng)用了各實(shí)施方式顯示器的筆記本電腦的外觀。該筆記本電腦例如包括主體510、用于文字等的輸入操作的鍵盤(pán)520和用于顯示圖像的顯示器530。顯示器530由各實(shí)施方式的顯示器構(gòu)造而成。應(yīng)用例4圖28圖示了應(yīng)用了各實(shí)施方式顯示器的攝像機(jī)的外觀。該攝像機(jī)例如包括主體610、用于拍攝物體的透鏡620、用于拍攝的開(kāi)始/停止開(kāi)關(guān)630和顯示器640。顯示器640由各實(shí)施方式的顯示器構(gòu)造而成。應(yīng)用例5圖29A圖29G圖示了應(yīng)用了各實(shí)施方式顯示器的手機(jī)的外觀。在該手機(jī)中，例如上部殼體710通過(guò)連接部件(鉸鏈)730與下部殼體720連接。該手機(jī)包括顯示器740、副顯示器750、圖片燈760和照相機(jī)770。顯示器740和副顯示器750由各實(shí)施方式的顯示器構(gòu)造而成。以上，通過(guò)實(shí)施方式和實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明。然而，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式和實(shí)施例，并可做出各種變形。例如，在實(shí)施方式和實(shí)施例中，說(shuō)明了在轉(zhuǎn)印步驟中照射諸如激光或閃光燈等輻射線的情況。然而，也可使用諸如熱棒和熱頭(thermalhead)等其它光源的輻射線進(jìn)行照射。在上述各實(shí)施方式中，說(shuō)明了通過(guò)轉(zhuǎn)印方法形成全部的R、G和B發(fā)光層15C的情況。然而，如圖30所示，在通過(guò)轉(zhuǎn)印方法僅形成紅光發(fā)層15CG之后，可通過(guò)蒸鍍方法在整個(gè)表面上沉積藍(lán)光發(fā)光層15CB。此時(shí)，在有機(jī)發(fā)光器件IOR中，盡管形成有紅光發(fā)光層15CR和藍(lán)光發(fā)光層15CB，但能量轉(zhuǎn)移發(fā)生在具有最低能級(jí)的紅光處，且紅光發(fā)光占支配地位。在有機(jī)發(fā)光器件10G中，盡管形成有綠光發(fā)光層15CG和藍(lán)光發(fā)光層15CB，但能量轉(zhuǎn)移發(fā)生在具有最低能級(jí)的綠光處，且綠光發(fā)光占支配地位。在有機(jī)發(fā)光器件10B中，由于僅形成有藍(lán)光發(fā)光層15CB，因此產(chǎn)生藍(lán)光發(fā)光。例如，各層的材料和厚度、沉積方法、沉積條件和激光的照射條件不限于上述實(shí)施方式和實(shí)施例中說(shuō)明的那些。其它材料和厚度也是可以的。其它沉積方法、沉積條件和照射條件也是可以的。例如，第一電極13可包括電介質(zhì)多層膜。例如，盡管在各實(shí)施方式中說(shuō)明了在驅(qū)動(dòng)基板11上從驅(qū)動(dòng)基板11側(cè)依次層疊第一電極13、有機(jī)層15和第二電極16并從密封基板30側(cè)引出光的情況，但層疊順序也可以是相反順序。在此情況下，可以是在驅(qū)動(dòng)基板11上從驅(qū)動(dòng)基板11側(cè)依次層疊第二電極16、有機(jī)層15和第一電極13，并從該驅(qū)動(dòng)基板ll側(cè)引出光。例如，盡管在各實(shí)施方式中說(shuō)明了將第一電極B作為陽(yáng)極并將第二電極16作為陰極的情況，但也可將陽(yáng)極和陰極互換。在此情況下，可將第一電極13作為陰極并將第二電極16作為陽(yáng)極。此外，可將第一電極13作為陰極并將第二電極16作為陽(yáng)極，并且在驅(qū)動(dòng)基板11上從驅(qū)動(dòng)基板11側(cè)依次層疊第二電極16、有機(jī)層15和第一電極13。于是，從該驅(qū)動(dòng)基板ll側(cè)引出光。在各實(shí)施方式中，盡管如上所述具體說(shuō)明了有機(jī)發(fā)光器件IOR、10G和10B的層結(jié)構(gòu)，但并非總是必須包括全部層，并且可進(jìn)一步包括其它層。例如，在第一電極層13與有機(jī)層15之間，可設(shè)置由鉻氧化物(III)(Cr203)、ITO(銦錫氧化物銦(In)和錫(Sn)的氧化物混合膜)或其他類(lèi)似材料構(gòu)成的空穴注入薄膜層。盡管在各實(shí)施方式中說(shuō)明了將第二電極16構(gòu)造成半透射電極且將發(fā)光層15C所產(chǎn)生的光從第二電極16側(cè)引出的情況，但也可將所產(chǎn)生的光從第一電極13側(cè)引出。在此情況下，第二電極16優(yōu)選具有足夠高的反射率以提高發(fā)光效率。此外，盡管在各實(shí)施萬(wàn)式中說(shuō)明了有源矩陣顯示器的情況，但本發(fā)明也適用于無(wú)源矩陣顯示器。用于驅(qū)動(dòng)有源矩陣的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)不限于上述各實(shí)施方式說(shuō)明的那些方面，如果必要可以添加電容或晶體管。在這種情況下，除了具有上述說(shuō)明的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120和掃描線驅(qū)動(dòng)電路130之外，還可根據(jù)像素驅(qū)動(dòng)電路中的變化來(lái)添加必要的驅(qū)動(dòng)電路。盡管參照實(shí)施方式和變形例已經(jīng)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不限于那些，并可做出各種修改。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其它因素，可以在本發(fā)明所附的權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次組合及改變。權(quán)利要求1.一種在形成發(fā)光層時(shí)使用的供體基板，所述發(fā)光層是通過(guò)如下步驟形成的形成含有發(fā)光材料的轉(zhuǎn)印層，使所述轉(zhuǎn)印層和被轉(zhuǎn)印基板相互面對(duì)且將輻射線照射至所述轉(zhuǎn)印層，并且使所述轉(zhuǎn)印層升華或氣化從而將所述轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印至所述被轉(zhuǎn)印基板上，所述供體基板包括基體；布置在所述基體上的光熱轉(zhuǎn)換層；以及布置在所述基體與所述光熱轉(zhuǎn)換層之間的熱干涉層，所述熱干涉層包括折射系數(shù)彼此不同的兩個(gè)以上層。2.如權(quán)利要求l所述的供體基板，其中，所述熱干涉層中的兩個(gè)以上層的折射系數(shù)和厚度被調(diào)整為使得在所述輻射線的發(fā)光帶的100nm以上連續(xù)波長(zhǎng)區(qū)域中的反射率是O.l以下。3.如權(quán)利要求2所述的供體基板，其中，所述熱干涉層包括從所述基體側(cè)依次布置的如下各層厚度為50nm以上且250nm以下并由Si02、SiN、SiON或A1203構(gòu)成的第一干涉層；以及厚度為15nm以上且80nm以下并由a-Si構(gòu)成的第二干涉層。4.如權(quán)利要求l所述的供體基板，其中，所述光熱轉(zhuǎn)換層和所述熱干涉層被布置為與所述被轉(zhuǎn)印基板上要形成所述發(fā)光層的區(qū)域相對(duì)應(yīng)。5.如權(quán)利要求4所述的供體基板，其包括形成在所述光熱轉(zhuǎn)換層和所述基體上的隔熱層；以及形成在所述隔熱層上的防污染層。6.如權(quán)利要求5所述的供體基板，其中，在所述隔熱層上的未設(shè)置所述光熱轉(zhuǎn)換層和所述熱干涉層的區(qū)域中形成有凸起結(jié)構(gòu)，并且所述防污染層包括形成在所述凸起結(jié)構(gòu)的頂面上的第一部分和形成在所述隔熱層的頂面上的第二部分，且所述第一部分和所述第二部分彼此分開(kāi)。7.—種在形成發(fā)光層時(shí)使用的供體基板，所述發(fā)光層是通過(guò)如下步驟形成的形成含有發(fā)光材料的轉(zhuǎn)印層，使所述轉(zhuǎn)印層和被轉(zhuǎn)印基板相互面對(duì)且照射輻射線，并且使所述轉(zhuǎn)印層升華或氣化從而將所述轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印至所述被轉(zhuǎn)印基板上，所述供體基板包括-基體；布置在所述基體上的光熱轉(zhuǎn)換層，所述光熱轉(zhuǎn)換層與所述被轉(zhuǎn)印基板上要形成所述發(fā)光層的區(qū)域相對(duì)應(yīng)；形成在所述光熱轉(zhuǎn)換層和所述基體上的隔熱層；凸起結(jié)構(gòu)，所述凸起結(jié)構(gòu)被布置在所述隔熱層上且位于各個(gè)所述光熱轉(zhuǎn)換層之間的區(qū)域中；以及防污染層，所述防污染層包括形成在所述凸起結(jié)構(gòu)的頂面上的第一部分和形成在所述隔熱層的頂面上的第二部分，并且所述第一部分和所述第二部分彼此分開(kāi)。8.如權(quán)利要求7所述的供體基板，其中，所述凸起結(jié)構(gòu)具有底部寬度小于頂部寬度的倒錐形截面。9.如權(quán)利要求7所述的供體基板，其中，所述凸起結(jié)構(gòu)的高度為0.3nm以上且10pm以下。10.如權(quán)利要求7所述的供體基板，其中，所述防污染層的厚度為25nm以上且500nm以下。11.如權(quán)利要求7所述的供體基板，其中，在所述基體與所述光熱轉(zhuǎn)換層之間設(shè)置有熱干涉層。12.—種顯示器制造方法，在所述顯示器中，在驅(qū)動(dòng)基板上形成有有機(jī)發(fā)光器件，所述有機(jī)發(fā)光器件包括依次布置的第一電極、具有與所述第一電極的發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部的絕緣層、包含發(fā)光層的多層有機(jī)層以及第二電極，所述顯示器制造方法包括如下步驟在所述驅(qū)動(dòng)基板上形成所述第一電極、所述絕緣層和所述多層有機(jī)層的一部分有機(jī)層，由此形成被轉(zhuǎn)印基板；在供體基板中形成含有發(fā)光材料的轉(zhuǎn)印層，使所述轉(zhuǎn)印層和所述被轉(zhuǎn)印基板相互面對(duì)且照射輻射線，并且使所述轉(zhuǎn)印層升華或氣化從而將所述轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印至所述被轉(zhuǎn)印基板上，由此形成發(fā)光層；以及形成所述多層有機(jī)層的剩余部分和所述第二電極，其中所述供體基板包括基體、布置在所述基體上的光熱轉(zhuǎn)換層以及布置在所述基體與所述光熱轉(zhuǎn)換層之間的熱干涉層，所述熱干涉層包括折射系數(shù)彼此不同的兩個(gè)以上層。13.如權(quán)利要求12所述的顯示器制造方法，其中，所述熱干涉層中的兩個(gè)以上層的折射系數(shù)和厚度被調(diào)整為使得在所述輻射線的發(fā)光帶的lOOnm以上連續(xù)波長(zhǎng)區(qū)域中的反射率是O.l以下。14.如權(quán)利要求13所述的顯示器制造方法，其中，所述熱干涉層包括從所述基體側(cè)依次布置的如下各層厚度為50nm以上且250nm并由Si02、SiN、SiON或A1203構(gòu)成的第一干涉層；以及厚度為15nm以上且80nm以下并由a-Si構(gòu)成的第二干涉層。15.—種顯示器制造方法，在所述顯示器中，在驅(qū)動(dòng)基板上形成有有機(jī)發(fā)光器件，所述有機(jī)發(fā)光器件包括依次布置的第一電極、具有與所述第一電極的發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部的絕緣層、包含發(fā)光層的多層有機(jī)層以及第二電極，所述顯示器制造方法包括如下步驟在所述驅(qū)動(dòng)基板上形成所述第一電極、所述絕緣層和所述多層有機(jī)層的一部分有機(jī)層，由此形成被轉(zhuǎn)印基板；在供體基板中形成含有發(fā)光材料的轉(zhuǎn)印層，使所述轉(zhuǎn)印層和所述被轉(zhuǎn)印基板相互面對(duì)且照射輻射線，并且使所述轉(zhuǎn)印層升華或氣化從而將所述轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印至所述被轉(zhuǎn)印基板上，由此形成發(fā)光層；以及形成所述多層有機(jī)層的剩余部分和所述第二電極，其中所述供體基板包括基體；布置在所述基體上的光熱轉(zhuǎn)換層，所述光熱轉(zhuǎn)換層與所述被轉(zhuǎn)印基板上要形成所述發(fā)光層的區(qū)域相對(duì)應(yīng)；形成在所述光熱轉(zhuǎn)換層和所述基體上的隔熱層；布置在所述隔熱層上且位于各個(gè)所述光熱轉(zhuǎn)換層之間的區(qū)域中的凸起結(jié)構(gòu)；以及防污染層，所述防污染層包括形成在所述凸起結(jié)構(gòu)的頂面上的第一部分和形成在所述隔熱層的頂面上的第二部分，并且所述第一部分和所述第二部分彼此分開(kāi)。16.如權(quán)利要求15所述的顯示器制造方法，其中，所述凸起結(jié)構(gòu)具有底部寬度小于頂部寬度的倒錐形截面。17.如權(quán)利要求15所述的顯示器制造方法，其中，所述凸起結(jié)構(gòu)的高度為0.3|am以上且10pm以下。18.如權(quán)利要求15所述的顯示器制造方法，其中，所述防污染層的厚度為25nm以上且500nm以下。19.如權(quán)利要求15所述的顯示器制造方法，其中，在所述基體與所述光熱轉(zhuǎn)換層之間設(shè)置熱干涉層。20.如權(quán)利要求15所述的顯示器制造方法，其中，在被各個(gè)所述凸起結(jié)構(gòu)分開(kāi)的各個(gè)區(qū)域中形成含有不同顏色發(fā)光材料的轉(zhuǎn)印層，并且通過(guò)一次轉(zhuǎn)印在所述被轉(zhuǎn)印基板上形成二種以上顏色的發(fā)光層。全文摘要本發(fā)明提供了在形成發(fā)光層時(shí)使用的供體基板，還提供了使用該供體基板制造顯示器的方法，所述發(fā)光層是通過(guò)如下步驟形成的形成含有發(fā)光材料的轉(zhuǎn)印層；使所述轉(zhuǎn)印層和被轉(zhuǎn)印基板相互面對(duì)且將輻射線照射至所述轉(zhuǎn)印層；并且使所述轉(zhuǎn)印層升華或氣化從而將所述轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印至所述被轉(zhuǎn)印基板上。所述供體基板包括基體；布置在所述基體上的光熱轉(zhuǎn)換層；以及布置在所述基體與所述光熱轉(zhuǎn)換層之間的熱干涉層，所述熱干涉層包括折射系數(shù)彼此不同的兩個(gè)以上層。本發(fā)明能夠通過(guò)調(diào)整所述熱干涉層的折射系數(shù)(材料)和厚度，使寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)的吸收率提高。文檔編號(hào)H01L51/52GK101615658SQ20091014863公開(kāi)日2009年12月30日申請(qǐng)日期2009年6月25日優(yōu)先權(quán)日2008年6月25日發(fā)明者松尾圭介,肥后智之申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社