專利名稱：具有緊密密封的電路布置的功率半導(dǎo)體模塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明描述了一種功率半導(dǎo)體模塊及其制造方法，其中該功率半 導(dǎo)體模塊的電路布置是緊密密封的，以抵抗周圍影響。尤其是當(dāng)在車
輛或苛刻的環(huán)境的其它應(yīng)用中使用電氣驅(qū)動(dòng)時(shí)，以特定方式來(lái)實(shí)施功 率半導(dǎo)體模塊是有利的。這種實(shí)施應(yīng)當(dāng)保護(hù)功率半導(dǎo)體模塊的電路布
置不受高溫波動(dòng)的影響，尤其是在高溫波動(dòng)與濕氣結(jié)合時(shí)更是如此。
背景技術(shù)：
根據(jù)DE 196 17 055 Cl已知功率半導(dǎo)體模塊，其中公開(kāi)了用于功 率半導(dǎo)體模塊內(nèi)部絕緣的所謂預(yù)浸料坯(prepreg)。在這里和下文中，
預(yù)浸料坯應(yīng)當(dāng)理解為是指包括絕緣材料和塑料基體的半成品的各種配 置，其中該半成品是通過(guò)施加壓力和/或溫度來(lái)制備的，并因此形成與 至少 一 個(gè)對(duì)應(yīng)連接伴的粘性連接。
例如才艮據(jù)DE 10 2004 021 927 Al，同樣已知的是用于功率半導(dǎo)體 模塊內(nèi)部絕緣的以各種方式布置的凝膠狀絕緣材料。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)， 這些功率半導(dǎo)體模塊具有塑料外罩，該塑料外罩具有用于負(fù)栽和輔助 端子的向外引出的端子元件。
例如，DE 103 55 925 Al公開(kāi)了用于功率半導(dǎo)體模塊的電路布置
的電路匹配(circuit-conforming)連接的、包括交替的導(dǎo)電層和絕緣
層序列的連接器件。這種類型的連接器件特別適用于功率半導(dǎo)體模塊 的緊湊構(gòu)造。
同樣，盤(pán)形單元(disc cell)也已經(jīng)已知很長(zhǎng)時(shí)間了；它們?cè)趦?nèi) 部具有一個(gè)或多個(gè)抵抗周圍影響的密封的功率半導(dǎo)體部件。這種類型 的盤(pán)形單元通常沒(méi)有如從具有塑料外罩的功率半導(dǎo)體模塊已知的復(fù)雜 的電路布置，例如三相橋接電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于說(shuō)明一種功率半導(dǎo)體模塊及其制造方法，其中 功率半導(dǎo)體模塊的電路布置是密封的，以抵抗周圍影響，并且其中該 電路布置同時(shí)還可實(shí)現(xiàn)靈活配置并且制造簡(jiǎn)單。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)包括權(quán)利要求1的特征的功率半導(dǎo)體模塊及通
過(guò)根據(jù)權(quán)利要求6的制造方法實(shí)現(xiàn)該目的。優(yōu)選實(shí)施方式在從屬權(quán)利 要求中描述。
本發(fā)明的出發(fā)點(diǎn)是功率半導(dǎo)體模塊的電路布置，所述功能半導(dǎo)體 模塊包括襯底，所述電路布置包括布置在其襯底上的導(dǎo)體跡線和布置 在導(dǎo)體跡線上的功率半導(dǎo)體部件及相對(duì)于功率半導(dǎo)體部件布置的連接
器件。在這種情況下，電路布置被理解為是指對(duì)于實(shí)現(xiàn)電氣功能所需 的所有導(dǎo)體跡線和半導(dǎo)體部件的整體。至少兩個(gè)導(dǎo)電層和至少一個(gè)電
絕緣層的交替層序列在這里充當(dāng)連接器件。電路布置的導(dǎo)體跡線在襯 底上形成并且彼此電絕緣。它們支承功率半導(dǎo)體部件并形成功率半導(dǎo) 體部件的電路匹配連接中的一些。另外的電路匹配連接是通過(guò)連接器 件形成的。為此，至少一個(gè)導(dǎo)電層是固有構(gòu)成的并形成連接跡線。同 樣，在不同的導(dǎo)電層之間提供電鍍通孔(plated-throughhole)可能是 優(yōu)選的。
根據(jù)本發(fā)明，襯底具有第一密封區(qū)域，該區(qū)域沒(méi)有任何中斷地封
住了電路布置。所述密封區(qū)域可以配置為圍繞電路布置的框架并作為
例如類似于導(dǎo)體跡線的金屬層或者作為襯底上的自由區(qū)域形成。該第
一密封區(qū)域通過(guò)連接層緊密密封地連接到在金屬層或絕緣層上的連接
器件的指定的第二密封區(qū)域。這種連接優(yōu)選地作為壓力燒結(jié)連接形成。 在這里和下文中，術(shù)語(yǔ)壓力燒結(jié)連接不僅應(yīng)當(dāng)理解為已知的借助
于燒結(jié)金屬的兩種金屬的連接，還應(yīng)當(dāng)理解為與預(yù)浸料坯而不是燒結(jié) 金屬的電絕緣連接，其中在連接形成過(guò)程中的溫度和壓力條件對(duì)應(yīng)于 借助于燒結(jié)金屬的已知壓力燒結(jié)連接中的溫度和壓力條件。
根據(jù)本發(fā)明的用于形成這種類型功率半導(dǎo)體模塊的方法的特征
5在于以下基本步驟
將功率半導(dǎo)體部件布置在襯底的指定導(dǎo)體跡線上，其中在
這里在相應(yīng)的功率半導(dǎo)體部件與導(dǎo)體跡線上指定區(qū)域之間
布置燒結(jié)金屬層是優(yōu)選的； 在第一密封區(qū)域上布置連接層，其中連接層實(shí)施為例如燒
結(jié)金屬層或預(yù)浸料坯； 相對(duì)于功率半導(dǎo)體部件、相對(duì)于第一密封區(qū)域并相對(duì)于襯
底布置連接器件；理所當(dāng)然，在這里第二密封區(qū)域也相對(duì)
于連接層并由此相對(duì)于第一密封區(qū)域定位； 向村底、向功率半導(dǎo)體部件并向連接器件施加壓力并優(yōu)選
地還施加溫度，由此在第一和第二密封區(qū)域之間形成壓力
燒結(jié)連接。
這里可能特別優(yōu)選的是，在布置功率半導(dǎo)體部件之后，凝膠狀絕 緣材料(例如硅膠)完全圍繞它們并在遠(yuǎn)離村底的主要區(qū)域的邊緣上 沿周邊布置。
在示例實(shí)施方式的相應(yīng)描述中提及關(guān)于該電路布置的特別優(yōu)選 的改進(jìn)方案。另外，本發(fā)明的解決方案根據(jù)示例實(shí)施方式及圖1至8 更詳細(xì)地解釋。


圖1以側(cè)視圖的形式示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有連接器件的功率 半導(dǎo)體模塊的一部分。
圖2以平面圖的形式示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有連接器件的功率 半導(dǎo)體模塊的一部分。
圖3以側(cè)視圖的形式示出了根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊的第一 配置的一部分。
圖4以側(cè)視圖的形式示出了根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊的第二 配置的一部分。
圖5以側(cè)視圖的形式示出了根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊的第三配置的一部分。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊的襯底的平面圖。
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體^t塊的第 一連接器件的一部分。
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊的第二連接器件的一部
具體實(shí)施例方式
圖1以側(cè)視圖的形式示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有連接器件(4) 的功率半導(dǎo)體模塊的一部分。在這里和以下所有圖中免去了對(duì)外罩及
必要的外部負(fù)載和輔助端子元件的圖示。在這里，該圖示出了例如通 常稱為所謂DCB(直接覆銅)或IMS(絕緣金屬襯底)襯底的村底(2 )， 但這并不是要表示限定于這種襯底。村底(2)具有絕緣層(20)，導(dǎo) 體跡線(22a/b)布置在絕緣層(20)上面并且彼此電絕緣。所述導(dǎo)體 跡線(22a)中的一個(gè)在這里支承(carry)未封裝的半導(dǎo)體部件(3)， 諸如用于例如驅(qū)動(dòng)三相電動(dòng)機(jī)的功率晶體管。
燒結(jié)金屬層(52)布置成用于在支承半導(dǎo)體部件(3)的第一導(dǎo) 體跡線(22a)和半導(dǎo)體部件(3)的第一主要區(qū)域上的指定接觸區(qū)域 (32)之間的導(dǎo)電性連接。在制造中，在壓力燒結(jié)處理之后，所述燒 結(jié)金屬層(52)表現(xiàn)出高可靠性的導(dǎo)電性連接。
半導(dǎo)體部件(3)的第二主要區(qū)域有兩個(gè)接觸區(qū)域(34、 36): 第一大面積發(fā)射極端子區(qū)域(34)和另外的較小的柵極端子區(qū)域(36)。 燒結(jié)金屬層又布置在發(fā)射極端子區(qū)域(34)上。所述燒結(jié)金屬層用于 發(fā)射極端子區(qū)域(34)到連接器件4的電連接。
連接器件(4)在這里實(shí)施為在燒結(jié)連接的區(qū)域(50、 52)中的 金屬膜(40),該金屬膜(40)優(yōu)選地是由銅制成，并具有貴金屬涂 層。選擇該金屬膜(40)的厚度使得其至少具有與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的引 線接合連接相同的電流傳送能力。
連接器件(4)構(gòu)成半導(dǎo)體部件(3)的發(fā)射極端子區(qū)域(34)和襯底(2)的第二導(dǎo)體跡線(22b)之間的導(dǎo)電性連接。連接器件(4) 到第二導(dǎo)體跡線(22b)的連接同樣實(shí)施為壓力燒結(jié)連接。金屬膜(40) 優(yōu)選地在兩個(gè)接觸區(qū)域之間具有弓形路線(420 )。
絕緣材料(6)布置在由連接器件(4)的弓形路線(420 )、襯 底(2)和半導(dǎo)體部件(3)形成的立體區(qū)域(volume region )中。所 述絕緣材料是在制造過(guò)程期間施加到隨后被連接器件(4 )覆蓋的區(qū)域 中的。在這種配置的情況下，其是沿半導(dǎo)體部件(3)的橫向邊緣(30) 以及上邊緣(38)的外部部分的區(qū)域，參見(jiàn)圖2。
所使用的絕緣材料(6)優(yōu)選地是多成分硅樹(shù)脂化合物，它以配 比(metering)或灌注方法施力口到半導(dǎo)體部件(3)的邊緣并通過(guò)UV 曝光交聯(lián)。因此，首先提供了絕緣材料(6) —定程度的堅(jiān)韌性，而 其次，如果該電路布置設(shè)計(jì)成用于相應(yīng)較高的電壓，則這種硅樹(shù)脂化 合物還適于內(nèi)部絕緣。
圖2以平面圖的形式示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有連接器件的功率 半導(dǎo)體模塊的一部分。在這里，該圖示出了與關(guān)于圖1所述的電路布
置的相同部分。
在這里，該圖示出了絕緣材料(6)的區(qū)域性范圍，該絕緣材料 (6)在連接器件(4)與導(dǎo)體跡線(22b)以及連接部件(4)與半導(dǎo) 體部件(3)(或者其發(fā)射極端子區(qū)域(34))的接觸區(qū)域(500、 540 ) 之間的區(qū)域中并還在沿連接器件(4)的區(qū)域中。
根據(jù)這種配置，在壓力沿圖中平面方向被區(qū)域性地引入到壓力燒 結(jié)連接環(huán)境中的情況下，絕緣材料(6)首先用作準(zhǔn)流體靜力元件，該 準(zhǔn)流體靜力元件在其界面之間均勻分布?jí)毫Σ⒂纱嗽趬毫κ┘舆^(guò)程中 防止對(duì)半導(dǎo)體部件造成損壞。其次，它還用于已經(jīng)描述過(guò)的根據(jù)本發(fā) 明的功率半導(dǎo)體模塊的電路布置的電絕緣。
圖3以側(cè)視圖的形式示出了根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊的笫一 配置的一部分。村底(2)及布置在導(dǎo)體跡線(22)上的功率半導(dǎo)體部 件(3)的基本構(gòu)造與關(guān)于圖l所描述的相同。但是，在這里，連接器 件(4)具有包括至少三層的交替結(jié)構(gòu)，其中從襯底(2)看去，層序
8列從第一導(dǎo)電層(40)開(kāi)始，然后是第一絕緣層(44)，然后又是導(dǎo) 電層(42)。在這里，連接器件(4)在整個(gè)電路布置上延伸并超出第 一密封區(qū)域(200)，參見(jiàn)圖6。
根據(jù)本發(fā)明，村底(2)具有只圍繞電路布置沿周邊形成的密封 區(qū)域(200)，所述密封區(qū)域在這里布置到類似于導(dǎo)體跡線(22)形成 的金屬層(24)上。按照根據(jù)本發(fā)明用于制造這種類型的功率半導(dǎo)體 模塊的方法，燒結(jié)金屬層(60)布置到第一區(qū)域(200)(在這里是金 屬密封區(qū)域(200 ))上，所述燒結(jié)金屬層連接到第二密封區(qū)域(400)， 在壓力燒結(jié)方法中，該第二密封區(qū)域(400 )在這里布置到連接器件(4 ) 的第一導(dǎo)電層(40)上。為了形成這些燒結(jié)連接，優(yōu)選地當(dāng)然是提供 具有貴金屬涂層的對(duì)應(yīng)連接伴，也就是說(shuō)第一密封區(qū)域(200)和第二 密封區(qū)域(400)。特別優(yōu)選的是在一個(gè)工作步驟中同時(shí)形成多個(gè)燒結(jié) 連接，也就是說(shuō)兩個(gè)密封區(qū)域(200、 400)的燒結(jié)連接及功率半導(dǎo)體 部件(3)的燒結(jié)連接，即到指定導(dǎo)體跡線(22)和到連接器件(4) 的第一金屬層(40)的連接。
該圖還示出了凝膠狀的絕緣材料(6)圍繞相應(yīng)的功率半導(dǎo)體部 件(3)沿周邊布置，其遠(yuǎn)至第一密封區(qū)域(200)是有利的。所述絕 緣材料不僅在功率半導(dǎo)體部件(3 )的外邊緣(30 )封住了該功率半導(dǎo) 體部件(3)，而且覆蓋了所述部件的主要區(qū)域，該部件在所述主要區(qū) 域的邊緣(38)處遠(yuǎn)離村底。
圖4以側(cè)視圖的形式示出了根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊的笫二 配置的一部分。功率半導(dǎo)體部件(3)的實(shí)施方式及連接器件(4)的 構(gòu)造基本上與關(guān)于圖3所述的相同。但是，在這里，為了例如連接到 用于外部負(fù)載和輔助端子的端子元件，連接器件在遠(yuǎn)離功率半導(dǎo)體部 件(3)的一側(cè)至少部分地進(jìn)一步從第一密封區(qū)域(200)突出。
但是，在這里，就象第一密封區(qū)域(200) —樣，襯底(2)沒(méi)有 金屬層，而是僅僅具有完全封住電路布置的襯底(2)的基體(20)的 凹陷區(qū)域，也就是說(shuō)在DCB襯底的情況下陶資上的區(qū)域。
在這里，燒結(jié)金屬可以再次用作連接層(60),但是，在這種情況下，貴金屬涂層將必須沉積到相應(yīng)的密封區(qū)域(200、 400)上?？?選地和優(yōu)選地，預(yù)浸料坯在這里用作連接層(60)，所述預(yù)浸料坯以 框架狀方式圍繞電路布置來(lái)布置，并因此完全封住了電路布置(參見(jiàn) 圖6)。在功率半導(dǎo)體部件(3)燒結(jié)連接的環(huán)境下，在這里，預(yù)浸料 坯(60)到笫一密封區(qū)域(200)和第二密封區(qū)域(400)的連接也被 同時(shí)創(chuàng)建，其中第二密封區(qū)域(400)在這里再次是連接器件(4)的 第一導(dǎo)電層(40)的部分區(qū)域。
圖5以側(cè)視圖的形式示出了根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊的第三 配置的一部分。該配置與根據(jù)圖4的第二配置的區(qū)別在于第二密封區(qū) 域(400)是連接器件(4)的第一絕緣層(44)的部分區(qū)域。在這里， 將連接層(60)實(shí)施為預(yù)浸料坯是有利的。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊的襯底(2)的平面圖。 在這里，該圖示出了具有電路布置的襯底(2),該電路布置包括三個(gè) 導(dǎo)體跡線(22)和布置在所述導(dǎo)體跡線中的兩個(gè)上的功率半導(dǎo)體部件 (3)。該圖同樣示意性地示出了連接層(4)，該連接層(4)與襯底 (2)上的周邊第一密封區(qū)域(200)和連接器件(4)上的第二密封區(qū) 域(400)疊合。
功率半導(dǎo)體部件(3)相互之間或者到另一個(gè)導(dǎo)體跡線(22)的 電路匹配連接是由連接器件(4)實(shí)現(xiàn)的，只示出了其輪廓。根據(jù)本發(fā) 明，很顯然在這里所述器件在整個(gè)電路布置和第一密封區(qū)域(200)上 突出，以便相對(duì)于周圍影響實(shí)現(xiàn)電路布置的緊密密封。
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊的第一連接器件(4) 的一部分。在這里，該圖示出了從中斷的(422)第二導(dǎo)電層(42)通 過(guò)絕緣層(44)中的切斷(442)到第一導(dǎo)電層(40)的穿通接觸連接 (404)。在這里將其實(shí)施為引線接合連接(404)。該圖同樣示出了 第一導(dǎo)電層(40)的中斷(402 )，例如為了制造用于功率半導(dǎo)體部件 的發(fā)射極端子和柵極端子的兩個(gè)相互絕緣的連接跡線，參見(jiàn)圖3至5。
為了密封電路布置，可能需要不僅將外周的第一和第二密封區(qū)域 彼此連接，而且還要在導(dǎo)電層(40、 42)的開(kāi)口 ( 402、 422)之間提供距離(x)。因此特別有利的是，這種類型的兩個(gè)開(kāi)口 ( 402、 422) 彼此之間存在距離(x)，該距離(x)包括布置在導(dǎo)電層(40、 42) 之間的絕緣層(44)厚度(d)的至少十倍。
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊的第二連接器件(4) 的一部分。在這里，該圖示出了包括三個(gè)導(dǎo)電層(40、 42、 46)和分 別布置在其間的兩個(gè)絕緣層(44、 48)的連接器件。第一和第二導(dǎo)電 層(40、 42)具有用于電路匹配連接的電鍍通孔(406)，而第三導(dǎo)電 層(46)沒(méi)有中斷并可以用于例如掩蔽電路布置。
這種連接器件的每個(gè)單獨(dú)的層，但特別是第三個(gè)、未中斷的導(dǎo)電 層(46),適于在其上面布置第二密封區(qū)域(400)。
權(quán)利要求
1、一種功率半導(dǎo)體模塊，包括襯底(2)；在所述襯底上形成的電路布置，所述電路布置包括多個(gè)導(dǎo)體跡線(22)，所述導(dǎo)體跡線是彼此電絕緣的；并且包括布置在所述導(dǎo)體跡線上的功率半導(dǎo)體部件(3)，所述功率半導(dǎo)體部件(3)通過(guò)連接器件(4)以電路匹配的方式連接，所述連接器件(4)包括至少兩個(gè)導(dǎo)電層(40、42、46)和至少一個(gè)電絕緣層(44、48)的交替層序列，其中襯底(2)具有第一密封區(qū)域(200)，該區(qū)域沒(méi)有任何中斷地封住了所述電路布置，而且該密封區(qū)域(200)通過(guò)連接層(60)連接到連接器件(4)的一層上的指定的第二密封區(qū)域(400)。
2、 如權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體模塊，其中笫 一密封區(qū)域(200 ) 布置在金屬層(24)上，并且通過(guò)壓力燒結(jié)連接和作為連接層(60) 的燒結(jié)金屬層緊密密封地連接到連接器件(4 )的導(dǎo)電層(40、 42、 46 )。
3、 如權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體模塊，其中第 一密封區(qū)域(200 ) 在金屬層上形成或者作為襯底(2)的絕緣區(qū)域，并且通過(guò)壓力燒結(jié)連 接和作為連接層(60)的預(yù)浸料坯緊密地密封連接到第二密封區(qū)域(400)。
4、 如權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體模塊，其中第二密封區(qū)域(400 ) 在連接器件(4)的導(dǎo)電層(40、 42、 46)上或者絕緣層(44、 48)上 形成。
5、 如權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體模塊，其中凝膠狀的絕緣材 料(6)圍繞相應(yīng)的功率半導(dǎo)體部件(3)沿周邊布置。
6、 用于制造權(quán)利要求1所述功率半導(dǎo)體模塊的方法，其特征在 于以下基本步驟 將功率半導(dǎo)體部件(3)布置在襯底(2)的指定的導(dǎo)體跡 線(22)上； 在第一密封區(qū)域(200)上布置連接層(60); 相對(duì)于功率半導(dǎo)體部件(3)、相對(duì)于第一密封區(qū)域(200)并相對(duì)于襯底(2)的導(dǎo)體跡線(22)布置連接器件(4); 向村底(2)、向功率半導(dǎo)體部件(3)并向連接器件(4)施力口壓力。
7、 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中，在布置功率半導(dǎo)體部 件(3)之后，凝膠狀的絕緣材料(6)圍繞它們(30)并以覆蓋遠(yuǎn)離 襯底(2)的主要區(qū)域的邊緣(38)的方式布置。
8、 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中相應(yīng)的功率半導(dǎo)體部件 (3)到指定的導(dǎo)體跡線(22)和連接器件(4)的金屬層(40、 42、46)的連接是作為燒結(jié)連接形成的。
9、 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中連接層(60)是燒結(jié)金 屬層，并且其到第一密封區(qū)域(200 )的以金屬方式形成的粘性連接和 到連接器件(4 )的金屬層(40、 42、 46 )上的指定的第二密封區(qū)域(400 ) 的粘性連接是與功率半導(dǎo)體部件(3 )到導(dǎo)體跡線(22 )和連接器件(4 ) 的第一金屬層(40)的燒結(jié)連接同時(shí)形成的。
10、 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中連接層(60)是預(yù)浸料 坯，而且其到第一密封區(qū)域(200)和連接器件(4)的指定的第二密 封區(qū)域(400)的粘性連接是與功率半導(dǎo)體部件(3)到導(dǎo)體跡線(22) 和連接器件(4)的第一金屬層(40)的燒結(jié)連接同時(shí)形成的。
全文摘要
本發(fā)明描述了一種功率半導(dǎo)體模塊，包括襯底；在襯底上形成的電路布置，所述電路布置包括多個(gè)導(dǎo)體跡線，所述多個(gè)導(dǎo)體跡線是彼此電絕緣的；而且包括布置在所述多個(gè)導(dǎo)體跡線上的功率半導(dǎo)體部件。所述功能半導(dǎo)體部件通過(guò)連接器件以電路匹配的方式連接，所述連接器件包括至少兩個(gè)導(dǎo)電層和至少一個(gè)電絕緣層的交替層序列。在這種情況下，襯底具有第一密封區(qū)域，該區(qū)域沒(méi)有任何中斷地封住了電路布置。此外，該密封區(qū)域通過(guò)連接層連接到連接器件的一層上的指定的第二密封區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明，該功率半導(dǎo)體模塊是通過(guò)向襯底、向功率半導(dǎo)體部件以及向連接器件施加壓力來(lái)制造的。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101552255SQ20091013305
公開(kāi)日2009年10月7日 申請(qǐng)日期2009年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月5日
發(fā)明者C·格布爾, H·布拉姆爾 申請(qǐng)人:賽米控電子股份有限公司