專利名稱：連接墊結(jié)構(gòu)、芯片接合結(jié)構(gòu)與檢測芯片接合狀態(tài)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種連接墊結(jié)構(gòu)、芯片接合結(jié)構(gòu)與檢測的芯片接合狀態(tài)的方 法，尤其涉及一種具有孔洞設(shè)計的不透光導(dǎo)電層的連接墊結(jié)構(gòu)，以及可直接 且正確地檢測芯片接合狀態(tài)的方法。
背景技術(shù)：
COG(chip on glass)技術(shù)是指將芯片直接與玻璃基板上的連接墊接合的 技術(shù)，而由于COG技術(shù)具有低成本的優(yōu)勢，因此目前己廣泛地應(yīng)用在顯示 面板的芯片接合制作上。現(xiàn)行COG技術(shù)主要包括使用金屬焊接與異方性導(dǎo) 電膠(ACF)兩種方式。金屬焊接是利用低熔點金屬將芯片上的導(dǎo)電凸塊焊接 在顯示面板的連接墊上，但在導(dǎo)電凸塊之間的間距越來越小的狀況下，使用 金屬焊接的COG技術(shù)己無法滿足需求，而逐漸為使用異方性導(dǎo)電膠的COG 技術(shù)所取代。請參考圖1。圖1為公知使用異方性導(dǎo)電膠接合芯片與顯示面 板的示意圖。如圖1所示，顯示面板1上設(shè)置有多個連接墊2，而芯片3上 則設(shè)置有多個與連接墊對應(yīng)的導(dǎo)電凸塊4，且芯片3利用異方性導(dǎo)電膠5黏 著于顯示面板l上。異方性導(dǎo)電膠5包括接著劑6與導(dǎo)電粒子7，其中接著 劑6可將芯片3黏著于顯示面板1上，而散布于接著劑6中的導(dǎo)電粒子7與 導(dǎo)電凸塊4以及連接墊2相接觸使得導(dǎo)電凸塊4與連接墊2產(chǎn)生電性連接。 由于導(dǎo)電粒子7在接著劑6之中是分散的，彼此間不相接觸，因此電流并不 會橫向傳導(dǎo)而造成短路。然而在線路布局的密度不斷提升的狀況下，會使得 顯示面板1與芯片3之間的空間不足，導(dǎo)致導(dǎo)電粒子7之間互相接觸而產(chǎn)生 橫向傳導(dǎo)，如此一來容易造成短路8。
近來，有使用非導(dǎo)電性膠接合芯片與顯示面板的技術(shù)被提出，然而由于 具有不易判斷導(dǎo)電凸塊與接合墊的接合狀況的缺點，因此其良率與可靠度均 有待進一步提升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種連接墊結(jié)構(gòu)、芯片接合結(jié)構(gòu)與檢測芯片 接合狀態(tài)的方法，以克服公知技術(shù)所面臨的難題。
為達上述目的，本發(fā)明提供一種連接墊結(jié)構(gòu)，包括透光基板、第一不透 光導(dǎo)電層、第一絕緣層，以及透光導(dǎo)電層。第一不透光導(dǎo)電層設(shè)置于透光基 板上，且第一不透光導(dǎo)電層包括至少一孔洞區(qū)。第一絕緣層覆蓋于第一不透 光導(dǎo)電層上，且第一絕緣層具有一開口，大體上對應(yīng)第一不透光導(dǎo)電層的孔 洞區(qū)。透光導(dǎo)電層設(shè)置于第一絕緣層上并經(jīng)由第一絕緣層的開口與第一不透 光導(dǎo)電層電性連接，其中于孔洞區(qū)中，透光導(dǎo)電層、第一絕緣層與第一不透 光導(dǎo)電層形成一透光區(qū)。
為達上述目的，本發(fā)明提供一種芯片接合結(jié)構(gòu)，包括透光基板、不透光 導(dǎo)電層、絕緣層、透光導(dǎo)電層、芯片，以及非導(dǎo)電性膠。不透光導(dǎo)電層設(shè)置 于透光基板上，且不透光導(dǎo)電層包括至少一孔洞區(qū)。絕緣層覆蓋于不透光導(dǎo) 電層上，且絕緣層包括開口，大體上對應(yīng)不透光導(dǎo)電層的孔洞區(qū)。透光導(dǎo)電 層設(shè)置于絕緣層上并經(jīng)由絕緣層的開口與不透光導(dǎo)電層電性連接，其中透光 導(dǎo)電層、絕緣層與不透光導(dǎo)電層于孔洞區(qū)形成透光區(qū)。芯片包括至少一導(dǎo)電 凸塊，導(dǎo)電凸塊與透光導(dǎo)電層接觸且電性連接，其中透光區(qū)使導(dǎo)電凸塊的部 分表面形成可視區(qū)。非導(dǎo)電性膠將芯片黏著于透光導(dǎo)電層上。
為達上述目的，本發(fā)明提供一種檢測芯片接合狀態(tài)的方法，包括下列步 驟。提供透光基板，其中透光基板具有連接墊結(jié)構(gòu)，設(shè)置于透光基板的正面， 且連接墊結(jié)構(gòu)具有透光區(qū)。提供芯片，其中芯片包括導(dǎo)電凸塊。利用非導(dǎo)電 性膠將芯片黏著于透光基板上，并進行壓合工藝使導(dǎo)電凸塊與連接墊結(jié)構(gòu)接 觸。進行檢測工藝，由透光基板的背面經(jīng)由連接墊結(jié)構(gòu)的透光區(qū)觀察導(dǎo)電凸 塊的表面狀況，以確認壓合工藝的壓合效果。
為達上述目的，本發(fā)明提供一種檢測芯片接合狀態(tài)的方法，包括下列步 驟。提供透光基板，其中透光基板具有連接墊結(jié)構(gòu)，設(shè)置于透光基板的正面。 連接墊結(jié)構(gòu)包括不透光導(dǎo)電層、絕緣層以及透光導(dǎo)電層，其中不透光導(dǎo)電層 設(shè)置于透光基板上，絕緣層覆蓋于不透光導(dǎo)電層的正面，且絕緣層包括至少 一開口，暴露出部分不透光導(dǎo)電層，透光導(dǎo)電層設(shè)置于絕緣層上并經(jīng)由絕緣 層的開口與不透光導(dǎo)電層的正面電性連接。提供芯片，其中芯片包括導(dǎo)電凸塊。利用非導(dǎo)電性膠將芯片黏著于透光基板上，并進行壓合工藝使導(dǎo)電凸塊 與透光導(dǎo)電層接觸。進行檢測工藝，由透光基板的背面觀察不透光導(dǎo)電層的 背面對應(yīng)絕緣層的開口的位置，并通過觀察不透光導(dǎo)電層的形變程度，以判 斷壓合工藝的壓合效果。
本發(fā)明提供一種芯片接合結(jié)構(gòu)的連接墊結(jié)構(gòu)以及檢測芯片接合狀態(tài)的 方法，可直接經(jīng)由連接墊結(jié)構(gòu)的透光區(qū)觀察導(dǎo)電凸塊的受力程度，或間接通 過不透光導(dǎo)電層的形變程度判斷導(dǎo)電凸塊的受力程度，可有效提高芯片的壓 合工藝的良率與可靠度。


圖1為公知使用異方性導(dǎo)電膠接合芯片與顯示面板的示意圖。
圖2與圖3為本發(fā)明一較佳實施例的一種芯片接合結(jié)構(gòu)的示意圖。 圖4為本發(fā)明另一較佳實施例的顯示面板的芯片接合結(jié)構(gòu)的示意圖。 圖5示出了本發(fā)明一較佳實施例的檢測芯片接合狀態(tài)的方法的流程示意圖。
圖6為示出了本發(fā)明另一較佳實施例的檢測芯片接合狀態(tài)的方法示意圖。
圖7為本發(fā)明又一較佳實施例的芯片接合結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖8為本發(fā)明又一較佳實施例的檢測芯片接合狀態(tài)的方法的流程示意圖。
上述附圖中的附圖標記說明如下
1顯示面板2連接墊
3心片4導(dǎo)電凸塊
5異方性導(dǎo)電膠6接著劑
7導(dǎo)電粒子8短路
10芯片接合結(jié)構(gòu)12透光基板
14不透光導(dǎo)電層14A孔洞區(qū)
16絕緣層16A開口
18透光導(dǎo)電層20芯片
20A導(dǎo)電凸塊22非導(dǎo)電性膠24連接墊結(jié)構(gòu)25透光區(qū)
26可視區(qū)30芯片接合結(jié)構(gòu)
32透光基板34第一不透光導(dǎo)電層
34A孔洞區(qū)36第一絕緣層
36A開口38第二不透光導(dǎo)電層
38A孔洞區(qū)40第二絕緣層
40A開口42透光導(dǎo)電層
44芯片44A導(dǎo)電凸塊
45透光區(qū)46非導(dǎo)電性膠
48連接墊結(jié)構(gòu)72透光基板
74不透光導(dǎo)電層76絕緣層
76A開口78透光導(dǎo)電層
80連接墊結(jié)構(gòu)82心片
82A導(dǎo)電凸塊84非導(dǎo)電性膠
具體實施例方式
為使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能更進一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的 數(shù)個較佳實施例，并配合附圖，詳細說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達成的功 效。
請參考圖2與圖3。圖2與圖3為本發(fā)明一較佳實施例的一種芯片接合 結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖2為俯視示意圖，圖3為沿圖2的切線AA'示出的剖 面示意圖。為清楚表達本發(fā)明的顯示面板的芯片接合結(jié)構(gòu)的特征，圖2未示 出出芯片。另外，本發(fā)明的各實施例以顯示面板的芯片接合結(jié)構(gòu)為例，例如 液晶顯示面板、電激發(fā)光顯示面板與等離子體顯示面板等各式顯示面板的芯 片接合結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明的芯片接合結(jié)構(gòu)的應(yīng)用并不以此為限，而可應(yīng)用于各 種電子裝置上。如圖2與圖3所示，本實施例的芯片接合結(jié)構(gòu)10包括透光 基板12、不透光導(dǎo)電層14、絕緣層16、透光導(dǎo)電層18、芯片20以及非導(dǎo) 電性膠22。透光基板12系為顯示面板的透光基板，例如薄膜晶體管基板， 其可由具有透光特性的各種材料構(gòu)成，例如玻璃、石英或塑膠等。不透光導(dǎo) 電層14設(shè)置于透光基板12上，其中不透光導(dǎo)電層14可為例如金屬導(dǎo)電層，并與顯示面板的金屬導(dǎo)線例如柵極線或數(shù)據(jù)線由同一層金屬圖案所構(gòu)成，但
不以此為限。不透光導(dǎo)電層14包括至少一孔洞區(qū)14A，也即具有缺口而使 得光線得以通過。絕緣層16覆蓋于不透光導(dǎo)電層14上，且絕緣層16包括 一開口 16A，大體上對應(yīng)不透光導(dǎo)電層14的孔洞區(qū)14A并暴露出部分不透 光導(dǎo)電層14。透光導(dǎo)電層18則設(shè)置于絕緣層16上并經(jīng)由絕緣層16的開口 16A與不透光導(dǎo)電層14接觸而電性連接，且部分透光導(dǎo)電層18填入不透光 導(dǎo)電層14的孔洞區(qū)14A而形成于透光基板12的表面。透光導(dǎo)電層18可由 各式透光導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如氧化銦錫，并可與顯示面板的像素電極由同 一層透光導(dǎo)電層所構(gòu)成，但不以此為限。另外，芯片20包括至少一導(dǎo)電凸 塊20A，大體上對應(yīng)不透光導(dǎo)電層14。導(dǎo)電凸塊20A可為金凸塊或其它導(dǎo) 電性佳的材料。非導(dǎo)電性膠22不具有導(dǎo)電特性，其作用在于將芯片20的導(dǎo) 電凸塊20A以外的區(qū)域黏著于顯示面板上，借此使得導(dǎo)電凸塊20A可與透 光導(dǎo)電層18接觸而產(chǎn)生電性連接，并通過透光導(dǎo)電層18與不透光導(dǎo)電層14 電性連接，而進一步與顯示面板的金屬導(dǎo)線例如柵極線或數(shù)據(jù)線等電性連 接。在本實施例中，透光導(dǎo)電層18、絕緣層16與不透光導(dǎo)電層14構(gòu)成連接 墊結(jié)構(gòu)24，而由于不透光導(dǎo)電層14具有可透光的孔洞區(qū)14A，加上絕緣層 16也具有相對應(yīng)的開口 16A，因此在孔洞區(qū)14A內(nèi)，透光導(dǎo)電層18、絕緣 層16與不透光導(dǎo)電層14形成一可容許光線穿透的透光區(qū)25，借此使得導(dǎo)電 凸塊20A的部分表面形成可視區(qū)26(如圖2所示)，而允許以目視方式判斷出 芯片20的接合狀況是否正常。
請參考圖4。圖4為本發(fā)明另一較佳實施例的顯示面板的芯片接合結(jié)構(gòu) 的示意圖。為簡化說明，以下僅針對兩實施例的相異處進行說明而不再對重 復(fù)處進行贅述。如圖4所示，本實施例的顯示面板的芯片接合結(jié)構(gòu)30包括 透光基板32、第一不透光導(dǎo)電層34、第一絕緣層36、第二不透光導(dǎo)電層38、 第二絕緣層40、透光導(dǎo)電層42、芯片44以及非導(dǎo)電性膠46。第一不透光導(dǎo) 電層34設(shè)置于透光基板32上，并可與顯示面板的金屬導(dǎo)線例如數(shù)據(jù)線由同 一層金屬圖案，但不以此為限，且第一不透光導(dǎo)電層34包括至少一孔洞區(qū) 34A。第一絕緣層36覆蓋于第一不透光導(dǎo)電層34上，且第一絕緣層36具有 一開口 36A，大體上對應(yīng)孔洞區(qū)34A。第二不透光導(dǎo)電層38設(shè)置于透光基 板32上，并可與顯示面板的金屬導(dǎo)線層例如柵極線由同一層金屬圖案所構(gòu)成，但不以此為限，且第二不透光導(dǎo)電層38包括一孔洞區(qū)38A，與第一不透光導(dǎo)電層34的孔洞區(qū)34A大體上對應(yīng)。第二絕緣層40設(shè)置于第二不透光導(dǎo)電層38與第一不透光導(dǎo)電層34之間，且第二絕緣層40具有一開口 40A，大體上對應(yīng)孔洞區(qū)38A并暴露出部分第二不透光導(dǎo)電層38。透光導(dǎo)電層42設(shè)置于第一絕緣層36上并經(jīng)由第一絕緣層36的開口 36A、第一不透光導(dǎo)電層34的孔洞區(qū)34A與第二絕緣層40的開口 40A與第二不透光導(dǎo)電層38電性連接，且部分透光導(dǎo)電層42填入第一絕緣層36的開口36A、第一不透光導(dǎo)電層34的孔洞區(qū)34A、第二絕緣層40的開口 40A與第二不透光導(dǎo)電層38的孔洞區(qū)38A而形成于透光基板32的表面。透光導(dǎo)電層42可與顯示面板的像素電極由同一層透光導(dǎo)電層所構(gòu)成，但不以此為限。另外，芯片44包括至少一導(dǎo)電凸塊44A，而非導(dǎo)電性膠46將芯片44的導(dǎo)電凸塊44A以外的區(qū)域黏著于透光導(dǎo)電層42上，借此使得導(dǎo)電凸塊44A可與透光導(dǎo)電層42接觸而產(chǎn)生電性連接。
與前述實施例不同之處在于，在本實施例中連接墊結(jié)構(gòu)48由第二不透光導(dǎo)電層38、第二絕緣層40、第一不透光導(dǎo)電層34、第一絕緣層36與透光導(dǎo)電層42所堆疊而形成。通過第二不透光導(dǎo)電層38的可透光的孔洞區(qū)38A、第二絕緣層40的開口 40A、第一不透光導(dǎo)電層34的可透光的孔洞區(qū)34A與第一絕緣層36的開口36A，在孔洞區(qū)38A、 34A內(nèi)，第二不透光導(dǎo)電層38、第二絕緣層40、第一不透光導(dǎo)電層34、第一絕緣層36與透光導(dǎo)電層42形成透光區(qū)45，且經(jīng)由此透光區(qū)45，導(dǎo)電凸塊44A的部分表面會形成可視區(qū)，因此可利用目視方式判斷出芯片44的接合狀況是否正常。
請參考圖5，并一并參考圖2與圖3。圖5示出了本發(fā)明一較佳實施例的檢測芯片接合狀態(tài)的方法的流程示意圖。如圖5所示，本實施例檢測芯片接合狀態(tài)的方法主要包括下列步驟
步驟50:提供透光基板12，其中透光基板12具有連接墊結(jié)構(gòu)24，設(shè)置于透光基板12的正面，且連接墊結(jié)構(gòu)24包括不透光導(dǎo)電層14、絕緣層16、透光導(dǎo)電層18。不透光導(dǎo)電層14具有可透光的孔洞區(qū)14A，絕緣層16也具有相對應(yīng)的開口 16A，因此在孔洞區(qū)14A內(nèi)，透光導(dǎo)電層18、絕緣層16與不透光導(dǎo)電層14形成可容許光線穿透的透光區(qū)25。
步驟52:提供芯片20,其中芯片20包括導(dǎo)電凸塊20A。步驟54:利用非導(dǎo)電性膠22將芯片20黏著于透光基板12的透光導(dǎo)電層18上，并進行一壓合工藝排除導(dǎo)電凸塊20A與透光導(dǎo)電層18之間的非導(dǎo)電性膠22，使導(dǎo)電凸塊20A與連接墊結(jié)構(gòu)24的透光導(dǎo)電層18接觸而產(chǎn)生電性連接，并使非導(dǎo)電性膠22將芯片20的導(dǎo)電凸塊20A以外的區(qū)域與透光導(dǎo)電層18黏著接合。
步驟56:進行一檢測工藝，由透光基板12的背面(如圖3的箭號方向所示的方向)經(jīng)由連接墊結(jié)構(gòu)24的透光區(qū)25觀察，例如利用電子顯微鏡觀察導(dǎo)電凸塊20A的表面狀況，以確認壓合工藝的壓合效果。
導(dǎo)電凸塊20A的表面在未經(jīng)過壓合時具有一定粗糙度，而在經(jīng)過壓合后會因為與透明導(dǎo)電層的接觸而使得導(dǎo)電凸塊20A的表面受力產(chǎn)生類似研磨的效果，使得其表面粗糙度降低而形成相對較平滑的表面，而此一表面性質(zhì)的改變會反應(yīng)在導(dǎo)電凸塊20A的反光程度上。換言之，當(dāng)導(dǎo)電凸塊20A與透光導(dǎo)電層18的接觸良好時，會使得導(dǎo)電凸塊20A的粗糙度改變，并可通過觀察導(dǎo)電凸塊20A表面的反光程度加以衡量；反之，若導(dǎo)電凸塊20A與透光導(dǎo)電層18的接觸不佳，導(dǎo)電凸塊20A的粗糙度將不會改變或是其粗糙度改變會與正常壓合的導(dǎo)電凸塊20A的粗糙度顯著不同，也可通過觀察導(dǎo)電凸塊20A表面的反光程度加以衡量。
請參考圖6，并一并參考圖3。圖6為示出了本發(fā)明另一較佳實施例的檢測芯片接合狀態(tài)的方法示意圖。如圖6所示，本實施例的連接墊結(jié)構(gòu)24包括不透光導(dǎo)電層14、絕緣層16、透光導(dǎo)電層18、芯片20以及非導(dǎo)電性膠22。在本實施例中，不透光導(dǎo)電層14具有多個可透光的孔洞區(qū)14A，絕緣層16也具有相對應(yīng)的開口 16A，因此在各孔洞區(qū)14A內(nèi)，透光導(dǎo)電層18、絕緣層16與不透光導(dǎo)電層14分別形成可容許光線穿透的透光區(qū)25。與前述實施例不同之處在于，本實施例的芯片20包括多個導(dǎo)電凸塊20A,且各導(dǎo)電凸塊20A具有不同的高度并分別對應(yīng)各透光區(qū)25，且各透光區(qū)25分別使得導(dǎo)電凸塊20A的表面形成可視區(qū)26。由于各導(dǎo)電凸塊20A具有不同的高度，因此于壓合工藝后，可通過各可視區(qū)26觀察導(dǎo)電凸塊20A的反光程度，并得知導(dǎo)電凸塊20A的壓合狀況。舉例而言，在本實施例中，連接墊結(jié)構(gòu)24具有12個可視區(qū)26，且各可視區(qū)26的導(dǎo)電凸塊20A具有不等的高度，而于壓合工藝后僅有1個可視區(qū)26的導(dǎo)電凸塊20A的反光程度達到預(yù)定可接受的標準，表示在本次的壓合工藝中僅高度最高的導(dǎo)電凸塊20A與透光導(dǎo) 電層18的接觸良好，同理若有6個可視區(qū)26的導(dǎo)電凸塊20A的反光程度達 到預(yù)定可接受的標準，表示本次的壓合工藝中高度較高的6個導(dǎo)電凸塊20A 與透光導(dǎo)電層18的接觸良好。反光程度達到預(yù)定可接受的標準的可視區(qū)26 的數(shù)目可作為壓合工藝的壓合程度的一項指標，若接觸良好的導(dǎo)電凸塊20A 的數(shù)目達到預(yù)先設(shè)定的標準，即表示芯片20順利與連接墊結(jié)構(gòu)24接合，反 之則代表芯片20與連接墊結(jié)構(gòu)24的接合不佳。通過如此方式，即可有效確 認壓合工藝是否使芯片20順利與連接墊結(jié)構(gòu)24接合。本發(fā)明的可視區(qū)26 的數(shù)目與形狀并不限于圖6所示出的配置，而可視設(shè)計不同加以變更。
請參考圖7與圖8。圖7為本發(fā)明又一較佳實施例的芯片接合結(jié)構(gòu)的示 意圖，圖8為本發(fā)明又一較佳實施例的檢測芯片接合狀態(tài)的方法的流程示意 圖。如圖7與圖8所示，本實施例的檢測芯片接合狀態(tài)的方法包括下列步驟
步驟60:提供透光基板72，其中透光基板72具有一連接墊結(jié)構(gòu)80，設(shè) 置于透光基板72的正面，且連接墊結(jié)構(gòu)80包括不透光導(dǎo)電層74設(shè)置于透 光基板72上、絕緣層76覆蓋于不透光導(dǎo)電層74及透光基板72之上，且絕 緣層76包括至少一開口 76A暴露出部分不透光導(dǎo)電層74，以及透光導(dǎo)電層 78設(shè)置于絕緣層76上，并經(jīng)由絕緣層76的開口 76A與不透光導(dǎo)電層74電 性連接。
步驟62:提供芯片82，其中芯片82包括至少一導(dǎo)電凸塊82A。
步驟64:利用非導(dǎo)電性膠84將芯片82黏著于透光基板72上的透光導(dǎo) 電層78，并進行壓合工藝使導(dǎo)電凸塊82A與透光導(dǎo)電層78接觸。
步驟66:進行檢測工藝，由透光基板72的背面(如圖7的箭號方向所示 的方向)觀察不透光導(dǎo)電層74的背面對應(yīng)絕緣層76的開口 76A的位置，并 通過觀察不透光導(dǎo)電層74的形變程度，以判斷壓合工藝的壓合效果。
由于不透光導(dǎo)電層74受到導(dǎo)電凸塊82A的擠壓后會產(chǎn)生形變，特別是 對應(yīng)于絕緣層76的開口 76A的位置會因為應(yīng)力影響而產(chǎn)生較大的形變。因 此，不同于前述實施例的作法，本實施例的不透光導(dǎo)電層74未設(shè)置孔洞區(qū)， 而本實施例的檢測工藝由透光基板72的背面通過觀察不透光導(dǎo)電層74的形 變程度，來判斷壓合工藝的壓合效果。在本實施例中，絕緣層76的開口 76A 的數(shù)目、形狀與配置并不以圖7為限，而可視需要加以變更借此更準確地衡量壓合工藝的壓合效果。
綜上所述，本發(fā)明提供一種芯片接合結(jié)構(gòu)的連接墊結(jié)構(gòu)，以及一種檢測 芯片接合狀態(tài)的方法，可直接經(jīng)由連接墊結(jié)構(gòu)的透光區(qū)觀察導(dǎo)電凸塊的受力 形變程度，或間接通過不透光導(dǎo)電層的形變程度判斷導(dǎo)電凸塊的受力形變程 度，可有效提高芯片的壓合工藝的良率與可靠度。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變 化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種連接墊結(jié)構(gòu)，包括一透光基板；一第一不透光導(dǎo)電層，設(shè)置于該透光基板上，其中該第一不透光導(dǎo)電層包括至少一孔洞區(qū)；一第一絕緣層，覆蓋于該第一不透光導(dǎo)電層上，且該第一絕緣層具有一開口，大體上對應(yīng)該第一不透光導(dǎo)電層的該孔洞區(qū)；以及一透光導(dǎo)電層，設(shè)置于該第一絕緣層上并經(jīng)由該第一絕緣層的該開口與該第一不透光導(dǎo)電層電性連接，其中于該孔洞區(qū)中，該透光導(dǎo)電層、該第一絕緣層與該第一不透光導(dǎo)電層形成一透光區(qū)。
2. 如權(quán)利要求1所述的連接墊結(jié)構(gòu)，另包括一導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該透光 導(dǎo)電層上，且該透光區(qū)使該導(dǎo)電凸塊的部分表面形成一可視區(qū)。
3. 如權(quán)利要求1所述的連接墊結(jié)構(gòu)，另包括一第二不透光導(dǎo)電層設(shè)置于 該透光基板上，以及一第二絕緣層設(shè)置于該第二不透光導(dǎo)電層與該第一不透 光導(dǎo)電層之間。
4. 如權(quán)利要求3所述的連接墊結(jié)構(gòu)，其中該第二不透光導(dǎo)電層包括一孔 洞區(qū)，大體上與該第一不透光導(dǎo)電層的該孔洞區(qū)對應(yīng)。
5. 如權(quán)利要求4所述的連接墊結(jié)構(gòu)，其中該第二絕緣層具有一開口，大 體上對應(yīng)該第二不透光導(dǎo)電層的該孔洞區(qū)，且該第一不透光導(dǎo)電層經(jīng)由該第 二絕緣層的該開口與該第二不透光導(dǎo)電層電性連接。
6. 如權(quán)利要求1所述的連接墊結(jié)構(gòu)，其中該透光基板包括一顯示面板的 透光基板。
7. —種芯片接合結(jié)構(gòu)，包括 一透光基板；一不透光導(dǎo)電層，設(shè)置于該透光基板上，其中該不透光導(dǎo)電層包括至少 一孔洞區(qū)；一絕緣層，覆蓋于該不透光導(dǎo)電層上，且該絕緣層包括一開口，大體上 對應(yīng)該不透光導(dǎo)電層的該孔洞區(qū)；一透光導(dǎo)電層，設(shè)置于該絕緣層上并經(jīng)由該絕緣層的該開口與該不透光 導(dǎo)電層電性連接，其中該透光導(dǎo)電層、該絕緣層與該不透光導(dǎo)電層于該孔洞區(qū)形成一透光區(qū)；一芯片，包括至少一導(dǎo)電凸塊，該導(dǎo)電凸塊與該透光導(dǎo)電層接觸且電性 連接，其中該透光區(qū)使該導(dǎo)電凸塊的部分表面形成一可視區(qū)；以及 一非導(dǎo)電性膠，將該芯片黏著于該透光導(dǎo)電層上。
8. 如權(quán)利要求7所述的芯片接合結(jié)構(gòu)，其中該透光基板包括一顯示面板 的透光基板。
9. 一種檢測芯片接合狀態(tài)的方法，包括-提供一透光基板，該透光基板具有一連接墊結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該透光基板的 正面，且該連接墊結(jié)構(gòu)具有一透光區(qū)；提供一芯片，該芯片包括一導(dǎo)電凸塊；利用一非導(dǎo)電性膠將該芯片黏著于該透光基板上，并進行一壓合工藝使 該導(dǎo)電凸塊與該連接墊結(jié)構(gòu)接觸；以及進行一檢測工藝，由該透光基板的背面經(jīng)由該連接墊結(jié)構(gòu)的該透光區(qū)觀 察該導(dǎo)電凸塊的表面狀況，以確認該壓合工藝的壓合效果。
10. 如權(quán)利要求9所述的檢測芯片接合狀態(tài)的方法，其中該連接墊結(jié)構(gòu) 包括一不透光導(dǎo)電層，設(shè)置于該透光基板上，其中該不透光導(dǎo)電層包括至少 一孔洞區(qū)；一絕緣層，覆蓋于該不透光導(dǎo)電層的正面，且該絕緣層包括一開口，大 體上對應(yīng)該不透光導(dǎo)電層；以及一透光導(dǎo)電層，設(shè)置于該絕緣層上并經(jīng)由該絕緣層的該開口與該不透光 導(dǎo)電層的正面電性連接，其中該透光導(dǎo)電層、該絕緣層與該不透光導(dǎo)電層于 該孔洞區(qū)形成該透光區(qū)。
11. 如權(quán)利要求9所述的檢測芯片接合狀態(tài)的方法，其中該導(dǎo)電凸塊的 表面狀況包括該導(dǎo)電凸塊的粗糙度。
12. 如權(quán)利要求11所述的檢測芯片接合狀態(tài)的方法，其中該導(dǎo)電凸塊的 粗糙度通過觀察該導(dǎo)電凸塊的反光程度加以衡量。
13. 如權(quán)利要求IO所述的檢測芯片接合狀態(tài)的方法，其中該不透光導(dǎo)電 層包括多個孔洞區(qū)，且該透光導(dǎo)電層、該絕緣層與該不透光導(dǎo)電層于各所述 孔洞區(qū)分別形成一透光區(qū)，該芯片包括多個導(dǎo)電凸塊，且各所述導(dǎo)電凸塊具有不同的高度并分別對應(yīng)各所述透光區(qū)，且該檢測工藝包括經(jīng)由各所述透光 區(qū)觀察并比較各所述導(dǎo)電凸塊的表面狀況，以確認該壓合工藝的壓合效果。
14. 如權(quán)利要求9所述的檢測芯片接合狀態(tài)的方法，其中該透光基板包 括一顯示面板的透光基板。
15. —種檢測芯片接合狀態(tài)的方法，包括提供一透光基板，該透光基板具有一連接墊結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該透光基板的 正面，且該連接墊結(jié)構(gòu)包括一不透光導(dǎo)電層，設(shè)置于該透光基板上；一絕緣層，覆蓋于該不透光導(dǎo)電層的正面，且該絕緣層包括至少一開口， 暴露出部分該不透光導(dǎo)電層；以及一透光導(dǎo)電層，設(shè)置于該絕緣層上并經(jīng)由該絕緣層的該開口與該不透光 導(dǎo)電層的正面電性連接；提供一芯片，該芯片包括一導(dǎo)電凸塊；利用一非導(dǎo)電性膠將該芯片黏著于該透光基板上，并進行一壓合工藝使 該導(dǎo)電凸塊與該透光導(dǎo)電層接觸；以及進行一檢測工藝，由該透光基板的背面觀察該不透光導(dǎo)電層的背面對應(yīng) 該絕緣層的該開口的位置，并通過觀察該不透光導(dǎo)電層的形變程度，以判斷 該壓合工藝的壓合效果。
16. 如權(quán)利要求15所述的檢測芯片接合狀態(tài)的方法，其中該透光基板包 括一顯示面板的透光基板。
全文摘要
一種連接墊結(jié)構(gòu)、芯片接合結(jié)構(gòu)與檢測芯片接合狀態(tài)的方法，該芯片接合結(jié)構(gòu)包括透光基板、不透光導(dǎo)電層、絕緣層、透光導(dǎo)電層、芯片，以及非導(dǎo)電性膠。不透光導(dǎo)電層設(shè)置于透光基板上，且不透光導(dǎo)電層包括至少一孔洞區(qū)；絕緣層覆蓋于不透光導(dǎo)電層上，且絕緣層包括一開口，大體上對應(yīng)不透光導(dǎo)電層的孔洞區(qū)。透光導(dǎo)電層設(shè)置于絕緣層上并經(jīng)由絕緣層的開口與不透光導(dǎo)電層電性連接，其中透光導(dǎo)電層、絕緣層與不透光導(dǎo)電層于孔洞區(qū)形成一透光區(qū)；芯片包括至少一導(dǎo)電凸塊，導(dǎo)電凸塊與透光導(dǎo)電層接觸且電性連接，其中透光區(qū)使導(dǎo)電凸塊的部分表面形成一可視區(qū)；非導(dǎo)電性膠將芯片黏著于透光導(dǎo)電層上。本發(fā)明可有效提高芯片的壓合工藝的良率與可靠度。
文檔編號H01L21/50GK101515577SQ20091012967
公開日2009年8月26日 申請日期2009年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月26日
發(fā)明者周詩頻, 石崇甫, 陳盈成, 黃柏輔 申請人:友達光電股份有限公司