專利名稱：：用于制造電極箔的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于制造用作電解電容器的陽極箔的電極箔的方法。
背景技術(shù)：
：使用箔作為起始材料制造用于電解鋁電容器的金屬箔，該箔通過軋輥純度高達(dá)98%或者更多的鋁而形成。圖24是圖示電解鋁電容器的陽極箔(鋁箔2)的橫截面的示意圖。通過軋輥處理形成的鋁箔2浸沒在酸性溶液中或者在酸性或者堿性溶液中被電解蝕刻以在表面上形成數(shù)量眾多的蝕刻坑4，來增大鋁箔2的有效表面積。該蝕刻處理也稱為表面粗化處理。通過以上蝕刻方法，每單位面積的放大率(通過表面粗化而獲得的有效箔面積與光滑的箔面積之比)是幾百倍，即，約300至400倍。此外，通過化學(xué)轉(zhuǎn)化處理(如上所述對(duì)表面積增大的鋁箔進(jìn)行陽極化以形成極薄的氧化膜)，形成將由鋁箔組成的陽極和由電解液組成的實(shí)際的陰極分開的介電層(參見于1997年出版的由JapanCapacitanceIndustrialCo.,Ltd.的IsayaNAGATA發(fā)表的"ElectrolyticSolutionCathodeAluminumElectrolyticCapacitor")。在以上所述使用金屬箔作為陽極箔的電解鋁電容器中電極的表面積極其大，并且介電層極其薄。因而，電極的每單位面積的靜電電容(當(dāng)假定電極箔光滑時(shí)獲得的單位面積)較大，因而有利地獲得尺寸小電容大的電解鋁電容器。然而，在市場(chǎng)上，電子裝置的尺寸的減小要求進(jìn)一步減小電解電容器的尺寸和增大電解電容器的電容。為了增大電解電容器的電容，通過執(zhí)行在鋁箔上執(zhí)行的強(qiáng)蝕刻來增大電極的有效表面積是有效的。圖25圖示了示出由強(qiáng)蝕刻處理進(jìn)行處理的鋁箔2的橫截面的示意圖。當(dāng)蝕刻處理的強(qiáng)度過度增大時(shí)，蝕刻坑4將形成以達(dá)到鋁箔2的深的區(qū)域，結(jié)果，金屬箔變脆，其強(qiáng)度降低。因而，至此，當(dāng)意欲增大電解電容器的電容時(shí)，用作起始材料的鋁箔的厚度增大，然后執(zhí)行蝕刻處理，使得在維持箔強(qiáng)度的同時(shí)增大金屬箔的表面積。通過以上所述的方法，每單位面積的電容增大；然而，由于使用厚的鋁箔，在纏繞型電解電容器的情況下，纏繞之后獲得的體積不利地增大。這種體積的增大與尺寸減小的要求相反。對(duì)于以上所述的情況，當(dāng)形成層疊型固體電解電容器時(shí)，當(dāng)鋁箔彼此層疊時(shí)體積也增大，并且這種體積的增大與尺寸減小的要求相反。艮P，作為表面粗化方法的傳統(tǒng)蝕刻方法難以進(jìn)一步滿足電容增大和尺寸減小的市場(chǎng)要求。
發(fā)明內(nèi)容為了實(shí)現(xiàn)以上目的，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種用于制造金屬箔的方法，該金屬箔由第二閥金屬組成的金屬箔和緊緊地固定到金屬箔的閥金屬層形成，閥金屬層由一組金屬細(xì)微顆粒形成，金屬細(xì)微顆粒由第一閥金屬制成的閥金屬組成并且彼此緊緊粘附以在之間形成細(xì)微空隙，該方法包括第一步驟，由第一閥金屬組成并涂覆樹脂的細(xì)微顆粒組形成氣霧，形成氣霧的細(xì)微顆粒組在真空中噴射到金屬箔，并且由彼此緊緊粘附的細(xì)微顆粒組形成的氣霧沉積層緊緊地固定到金屬箔；以及第二步驟，從氣霧沉積層選擇性地去除樹脂以形成閥金屬層。根據(jù)第一方面，在維持箔的厚度大致等于傳統(tǒng)電極箔的厚度的同時(shí)，強(qiáng)度能增大，此外，電極箔的表面積能顯著增大。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種用于制造金屬箔的方法，該金屬箔由第二阛金屬組成的金屬箔和緊緊地固定到金屬箔的閥金屬層形成，閥金屬層由金屬細(xì)微顆粒形成，金屬細(xì)微顆粒由第一閥金屬制成的閥金屬組成并且彼此緊緊粘附以在之間形成細(xì)微空隙，該方法包括第一步驟，由第一閥金屬組成的第一細(xì)微顆粒組和由樹脂組成的第二細(xì)微顆粒組形成的混合物形成氣霧，形成氣霧的混合物在真空中噴射到金屬箔，并且由彼此緊緊粘附的混合物的細(xì)微顆粒形成的氣霧沉積層緊緊地固定到金屬箔；以及第二步驟，從氣霧沉積層選擇性地去除樹脂以形成閥金屬層。根據(jù)第二方面，在維持箔的厚度大致等于傳統(tǒng)電極箔的厚度的同時(shí)，能進(jìn)一步增大強(qiáng)度，此外，能顯著增大電極箔的表面積。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種制造金屬箔的方法，該金屬箔由第二閥金屬組成的金屬箔和緊緊固定到金屬箔的閥金屬層形成，闊金屬層由金屬細(xì)微顆粒形成，該金屬顆粒由第一閥金屬制成的閥金屬組成并且彼此緊緊粘附以在之間形成細(xì)微空隙，該方法包括第一步驟，由第一閥金屬組成并涂覆有第一樹脂的第一細(xì)微顆粒組和涂覆有第二樹脂并由陶瓷組成并具有比第一細(xì)微顆粒組小的顆粒直徑的第二細(xì)微顆粒組形成的混合物形成氣霧，該陶瓷具有比通過對(duì)第一閥金屬進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化處理而獲得的氧化膜高的介電常數(shù)，形成氣霧的混合物在真空中噴射到金屬箔，并且由彼此緊緊粘附的混合物的細(xì)微顆粒形成的氣霧沉積層緊緊地固定到金屬箔；以及第二步驟，從氣霧沉積層選擇性地去除第一和第二樹脂以形成閥金屬層。根據(jù)第三方面，在維持箔的厚度大致等于傳統(tǒng)電極箔的厚度的同時(shí)，強(qiáng)度能進(jìn)一步增大，此外，能顯著增大電極箔的表面積。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，金屬箔在第一至第三方面中優(yōu)選為鋁箔。根據(jù)本發(fā)明第五方面，鋁箔優(yōu)選地通過蝕刻處理來進(jìn)行處理，使得其表面積在第四方面中增大。根據(jù)本發(fā)明的第六方面，閥金屬層和金屬箔在第一至第五方面中優(yōu)選地通過化學(xué)轉(zhuǎn)化處理來進(jìn)行處理。根據(jù)本發(fā)明的第七方面，第二閥金屬優(yōu)選為從以下組成的組中選擇的一項(xiàng)鋁、鈦、鉭、鈮、鋁合金、鈦合金、鉭合金、鈮合金。圖1圖示示出使用根據(jù)第一實(shí)施例的用作陽極箔的電極箔的纏繞型電解電容器的立體視圖2圖示了通過拆卸外包裝(金屬殼)示出纏繞型電解電容器的內(nèi)部的立體視圖3圖示了根據(jù)第一實(shí)施例制造的電極箔(陽極箔)的橫截面視圖；圖4圖示了示出用于制造第一和第三實(shí)施例的電極箔(陽極箔)的方法的工序的流程圖5A和圖5B圖示根據(jù)第一實(shí)施例的處理步驟；圖6A和圖6B圖示了根據(jù)第一實(shí)施例的處理步驟；圖7圖示了氣霧沉積設(shè)備的示意圖8圖示了示出具有樹脂的細(xì)微鋁顆粒形成氣霧的狀態(tài)的示意視圖；圖9圖示根據(jù)第二實(shí)施例制造的電極箔(陽極箔)的橫截面視圖；圖10圖示了示出用于制造第二實(shí)施例的電極箔的方法的工序的流程圖；-圖IIA和圖IIB圖示了根據(jù)第二實(shí)施例的處理步驟；圖12圖示了根據(jù)第二實(shí)施例的處理步驟；圖13圖示了根據(jù)第三實(shí)施例制造的電極箔(陽極箔)的橫截面視圖14圖示了示出細(xì)微鋁顆粒和由丙烯酸樹脂組成的細(xì)微顆粒的氣霧化混合物的狀態(tài)的示意視圖15A和15B圖示根據(jù)第三實(shí)施例的處理步驟；圖16A和16B圖示根據(jù)第三實(shí)施例的處理步驟；圖17圖示根據(jù)第四實(shí)施例制造的電極箔(陽極箔)的橫截面視圖18圖示用于制造第四實(shí)施例的電極箔的方法的工序的流程圖19圖示了示出涂覆有丙烯酸樹脂的細(xì)微鋁顆粒和由涂覆有丁縮醛樹脂的鈦酸鋇組成細(xì)微顆粒的氣霧化混合物的狀態(tài)的示意視圖20A和20B圖示根據(jù)第四實(shí)施例的處理步驟；8圖21圖示了圖示設(shè)置有通過化學(xué)轉(zhuǎn)化處理在其表面上形成介電氧化膜層和粘附到表面的陶瓷細(xì)微顆粒的細(xì)微鋁顆粒的橫截面的示意視圖22圖示的流程圖示出用于制造第四實(shí)施例的電極箔的方法的工序；圖23圖示了根據(jù)第五實(shí)施例制造的電極箔(陽極箔)的橫截面視圖24圖示了圖示電解鋁電容器的陽極箔的橫截面的示意視圖；以及圖25圖示了示出通過強(qiáng)蝕刻處理進(jìn)行處理的鋁箔的橫截面的示意視圖。具體實(shí)施例方式以下，將參照附圖描述實(shí)施例。然而，本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于以下實(shí)施例，而是包括權(quán)利要求及其等同物中所描述的各項(xiàng)。第一實(shí)施例此實(shí)施例涉及用于制造用于電解電容器的電極箔(陽極箔)的方法。該方法包括使由諸如鋁的閥金屬(valvemetal)組成的并涂覆有諸如丙烯酸樹脂的樹脂的細(xì)微顆粒氣霧化；并且將形成氣霧的細(xì)微顆粒噴射到諸如鋁箔的金屬箔以形成電極箔。(0整體結(jié)構(gòu)圖1圖示了示出使用此實(shí)施例的電極箔作為陽極箔的纏繞型電解電容器6的整體的立體視圖。圖2圖示了通過拆卸外包裝或者金屬殼8而立體地示出纏繞型電解電容器6的內(nèi)部的視圖。陽極引線12和陰極引線14被由絕緣樹脂制成的密封體10固定。纏繞電容器元件16固定到密封體10，并置于外包裝8的內(nèi)部，并且陽極引線12和陰極引線14分別電連接到使用本實(shí)施例的電極箔的陽極箔18和陰極箔20。陽極箔和陰極箔18、20以之間插入作為隔離器的電解紙22的方式纏繞，并且終端被纏繞停止帶24固定，以維持該纏繞狀態(tài)。(ii)電極箔的結(jié)構(gòu)圖3是在此實(shí)施例中制造的電極箔(陽極箔)的橫截面視圖。在此實(shí)施例中制造的電極箔24具有閥金屬層30緊緊地固定到由諸如鋁的第二閥金屬組成的金屬箔32的結(jié)構(gòu)。閥金屬層30由一組金屬細(xì)微顆粒26形成。每個(gè)金屬細(xì)微顆粒26由諸如鋁的第一闊金屬組成，并且金屬細(xì)微顆粒彼此緊緊地粘附以在之間形成細(xì)微空隙28。在此實(shí)施例中，形成閥金屬層30的金屬細(xì)微顆粒26各電連接到金屬箔32。在此情況下，每個(gè)細(xì)微空隙28的寬度優(yōu)選在100nm至100/mi的范圍中。此外，閥金屬層30和金屬箔32的表面被氧化。通過氧化，電極箔24的包括闊金屬層30的整個(gè)表面覆蓋有諸如Al2Cb的介電氧化膜層(在附圖中未示出)。在以下第二實(shí)施例至第五實(shí)施例中執(zhí)行與以上所述相同的處理。在此實(shí)施例中，為了簡(jiǎn)化描述，將描述僅僅在金屬箔32的一個(gè)表面上形成閥金屬層30的示例。然而，為了減小電解電容器的尺寸，閥金屬層30優(yōu)選地形成在金屬箔32的兩個(gè)表面上。在以下第二實(shí)施例至第五實(shí)施例中與以上所述相同的處理也是優(yōu)選的。(iii)制造方法以下，將描述用于制造圖3所示的電極箔24的方法。然而，假定形成電極箔24的構(gòu)件由諸如通過示例在以上"(ii)電極箔的結(jié)構(gòu)"中所描述的鋁和A1203的材料形成。圖4是示出用于制造本實(shí)施例的電極箔(陽極箔)的方法的工序的流程圖。圖5和圖6圖示了示出圖4所示的處理步驟的狀態(tài)的視圖。首先，準(zhǔn)備通過軋輥方法形成的厚度為40/mi純度為99%的鋁箔34(圖5A，步驟S2)。通過圖7所示的氣霧沉積設(shè)備38在這樣準(zhǔn)備的鋁箔34上執(zhí)行表面處理。圖7是圖示氣霧沉積設(shè)備38的示意結(jié)構(gòu)示例的視圖。膜形成室40具有可沿著X和Y方向移動(dòng)的工作臺(tái)42，并且在步驟S2準(zhǔn)備的軋輥的鋁箔34卡在工作臺(tái)42上(步驟S4)。膜形成室40預(yù)先由增壓泵43和真空泵44抽氣至10帕斯卡或者更小(步驟S6)。10起始材料粉末46倒入氣霧產(chǎn)生容器48中。起始材料粉末46是由細(xì)微顆粒組成的細(xì)微顆粒組，該細(xì)微顆粒由平均顆粒直徑為3/mi的鋁形成并涂覆有丙烯酸樹脂。然后，執(zhí)行預(yù)處理以去除在粉末表面上吸收的濕氣(步驟S8)。在預(yù)處理中，在大約15(TC下加熱的氣霧產(chǎn)生容器48減壓達(dá)30分鐘，同時(shí)整個(gè)容器48暴露于用振動(dòng)器50產(chǎn)生的超聲波。通過例如所謂的噴霧干燥方法容易形成通過樹脂涂覆進(jìn)行處理的細(xì)微鋁顆粒。此外，涂層的厚度優(yōu)選在100nm至1/mi的范圍中。接著，高純度氦氣52(氣壓2kg/cm2，氣體流率101/min)引入到氣霧產(chǎn)生容器48中，并且由預(yù)處理處理的起始材料46形成氣霧(漂浮粉末塵的形成)(步驟SIO)。圖8是圖示如上所述形成氣霧的細(xì)微鋁顆粒的狀態(tài)的示意圖。如在圖8中所示，各覆蓋有由丙烯酸樹脂組成的涂層62的細(xì)微鋁顆粒60漂浮在引入到氣霧產(chǎn)生容器48中的氦氣52，使得形成氣霧狀態(tài)。接著，此氣霧由噴嘴54經(jīng)由管子供應(yīng)到膜形成室40中。作為噴嘴54，使用在內(nèi)部形成螺旋槽的噴嘴。將形成氣霧的起始材料粉末從內(nèi)部具有螺旋槽的噴嘴54噴射到鋁箔34達(dá)3分鐘(步驟S12)。在噴射氣霧的同時(shí)，設(shè)備內(nèi)的壓力維持在500Pa的恒定值。在此步驟中，在氣霧中涂覆有丙烯酸樹脂的細(xì)微鋁顆粒64以高于聲速的高速度沖擊鋁箔34。此碰撞產(chǎn)生的影響允許鋁顆粒60突破丙烯酸樹脂62。然后，鋁顆粒60粘附到鋁箔34或者粘附到之前與其碰撞的鋁顆粒60，并變形形成氣霧沉積層56(參見圖3)。通過如上所述的氣霧沉積，在鋁箔34的上表面上形成厚度約為20/mi的氣霧沉積層56(參見圖5(b))。此外，通過以上所述的工序，還可以在襯底鋁箔34的兩個(gè)表面上形成氣霧沉積層56(在第二實(shí)施例至第五實(shí)施例中還能執(zhí)行與以上所述相同的處理)。接著，在此氣霧沉積層56與鋁箔34—起浸沒在諸如丙酮的有機(jī)溶劑中之后，對(duì)其施加超聲波，使得選擇性地去除施加到細(xì)微鋁顆粒60的樹脂62(步驟S14)。能通過使用化學(xué)反應(yīng)劑執(zhí)行此選擇性的去除，該化學(xué)反應(yīng)劑諸如是溶解樹脂但是不溶解鋁(金屬)的有機(jī)溶劑，而不是諸如酸的溶解鋁的化學(xué)反應(yīng)劑。結(jié)果，在由丙烯酸樹脂占據(jù)的空間中形成細(xì)微空隙28，并且形成由彼此緊緊粘附形成細(xì)微空隙的鋁顆粒60組成的閥金屬層30(參見圖6)。閥金屬層30的表面積通過形成細(xì)微空隙而顯著地增大。隨后，閥金屬層30在惰性氣體中與鋁箔34—起加熱到80°C以蒸發(fā)有機(jī)溶劑。接著，閥金屬層30與鋁箔34—起在惰性氣體中在30(TC的溫度下退火，該溫度相當(dāng)于或者低于鋁的熔點(diǎn)(660°C)，使得鋁顆粒之間的接合增強(qiáng)。然后，通過在鹽酸、硝酸和AlCl3的水溶液中以0.2A/m2(50Hz)的電流密度進(jìn)行電解處理達(dá)8分鐘使得執(zhí)行蝕刻處理(表面粗化處理)來處理此鋁箔(步驟S16)。通過此蝕刻處理，細(xì)微空隙28進(jìn)一步膨脹，此外，蝕刻坑4也在鋁箔34中形成(參見圖6B)。結(jié)果，鋁箔34的包括閥金屬層30的整個(gè)表面積進(jìn)一步增大，并且較僅僅通過表面粗化處理來處理的鋁箔，其表面積顯著增大。隨后，在硼酸銨/己二酸銨水溶液中執(zhí)行化學(xué)轉(zhuǎn)化處理(步驟S18)。閥金屬層30的表面和鋁箔34的表面被此化學(xué)轉(zhuǎn)化處理氧化，具有較大介電常數(shù)的介電氧化膜層覆蓋鋁箔34的包括閥金屬層30的整個(gè)表面。通過以上所述的步驟，形成根據(jù)參照?qǐng)D3所述的實(shí)施例的電極箔24。(iv)特性測(cè)量由圖4所示的處理流程形成的電極箔24的抗張強(qiáng)度、泄漏電流(通過由步驟S14中的化學(xué)轉(zhuǎn)化處理形成的介電氧化膜層的泄漏電流)和每單位面積的靜電電容。然而，使用由鋁箔34和設(shè)置在其兩個(gè)表面上的兩個(gè)閥金屬層30組成并具有80Mm厚度(二40/mi的鋁箔+20/mi的閥金屬層+20/zm的閥金屬層)的樣本測(cè)量抗張強(qiáng)度。在對(duì)抗張強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)量中，通過切割獲得寬度為lcm長度為5cm的測(cè)試件，并由張力測(cè)試設(shè)備以10mm/min的速率拉著測(cè)試件，以測(cè)量斷裂強(qiáng)度。該強(qiáng)度不是由厚度規(guī)格化，而是由測(cè)試件的二維形狀限定。在電壓達(dá)到預(yù)定電壓20V之后的30分鐘測(cè)量泄漏電流。作為以上電極箔24的測(cè)量結(jié)果，抗張強(qiáng)度是2.2kg/cm，泄漏電流是0.9AiA/cm2，并且靜電電容是200/xF/cm2。為了比較目的，通過與以上所述相同的(除了氣霧沉積之外)方法對(duì)與本實(shí)施例中所使用的鋁箔相同規(guī)格的鋁箔進(jìn)行處理，使得形成電極箔。即，通過蝕刻方法形成電極箔，并將其用作比較目的的樣本。然而，為了針對(duì)強(qiáng)度測(cè)量準(zhǔn)備厚度與以上樣本相同的樣本，使用厚度為80/mi的鋁箔作為起始材料形成用于抗張強(qiáng)度比較的樣本。在與以上所述相同的條件下測(cè)量用比較目的的樣本的抗張強(qiáng)度、泄漏電流和靜電電容。作為用于比較目的的樣本的測(cè)量結(jié)果，抗張強(qiáng)度是1.5kg/cm，泄漏電流是1.0jLiA/cm2，并且靜電電容是40/>iF/cm2。在以下描述的比較示例中將詳細(xì)描述用于比較目的的樣本的制造方法和測(cè)量結(jié)果。此外，根據(jù)此實(shí)施例和比較示例制造的電極箔的測(cè)量結(jié)果將集中示出在以下表格1中。還如上所述示出根據(jù)第二實(shí)施例至第五實(shí)施例制造的電極箔、如以上測(cè)量結(jié)果所示，與由傳統(tǒng)的蝕刻方法形成的電極箔，由圖4所示的處理流程(即由氣霧沉積方法)形成的電極箔24的強(qiáng)度在抗張強(qiáng)度方面增大了約1.5倍，泄漏電流大致相等，并且靜電電容增大約5倍。艮口，根據(jù)本實(shí)施例，與由傳統(tǒng)的蝕刻方法形成的電極箔，能制造每單位面積的靜電電容顯著增大并且機(jī)械強(qiáng)度還進(jìn)一步增大的電極箔。以上所述是由于密集和均勻地形成在閥金屬層30中的細(xì)微空隙28顯著增大了電極箔的表面積和牢固形成的閥金屬層30強(qiáng)化了強(qiáng)度而獲得。此外，在本實(shí)施例中制造的電極箔的抗張強(qiáng)度較高，諸如2.2kg/cm;然而，在批量生產(chǎn)中，在一些情況下由于制造條件變化等，抗張強(qiáng)度會(huì)減小。因而，對(duì)于由批量生產(chǎn)的電極箔，必須增加抗張強(qiáng)度的測(cè)量作為檢査項(xiàng)目，并確定抗張強(qiáng)度的允許范圍。優(yōu)選地，由本實(shí)施例制造的電極箔的靜電電容和強(qiáng)度得到提高。因而，由本實(shí)施例制造的電極箔的強(qiáng)度優(yōu)選地約等于或者大于由蝕刻處理制造并具有與由本實(shí)施例制造的電極箔相同的厚度的電極箔的強(qiáng)度。因而，作為檢測(cè)抗張強(qiáng)度的接受標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)于根據(jù)本實(shí)施例制造的電極箔，設(shè)定在以上比較示例中獲得的抗張強(qiáng)度1.5kg/cm。此接受標(biāo)準(zhǔn)同樣應(yīng)用到根據(jù)以下第二實(shí)施例至第五實(shí)施例制造的電極箔。(V)結(jié)論如上所述，在本實(shí)施例中，由第一和第二步驟制造電極箔。第一步驟包括由第一閥金屬(鋁)組成并涂覆有樹脂(丙烯酸樹脂)的細(xì)微顆粒組(粉末)在真空中形成氣霧(步驟S10)，然后形成氣霧的細(xì)微顆粒組(粉末)在真空中噴射到金屬箔(鋁箔34)(步驟S12)，因而由彼此緊緊粘附的細(xì)微顆粒組組成的氣霧沉積層56緊緊地固定到以上金屬箔(鋁箔34)。第二步驟包括從氣霧沉積層56選擇性地去除樹脂以形成閥金屬層30。此外，根據(jù)本實(shí)施例，在閥金屬層30中密集和均勻地形成通過從氣霧沉積層選擇性地去除樹脂(丙烯酸樹脂)形成的細(xì)微空隙28。因而，由閥金屬層30和金屬箔32組成的電極箔24(參見圖3)的表面積較傳統(tǒng)的通過蝕刻處理僅僅形成蝕刻坑4的鋁電極箔(參見圖24)顯著地增大了。此外，根據(jù)本實(shí)施例，由于不必在鋁箔上執(zhí)行強(qiáng)蝕刻來增大電容，鋁箔不會(huì)變脆。此外，通過由氣霧沉積形成的牢固的閥金屬層30增強(qiáng)了強(qiáng)度。因而，根據(jù)本實(shí)施例制造的電極箔較通過蝕刻厚度與以上電極箔相同的鋁箔而形成的電極箔牢固。艮P，根據(jù)本實(shí)施例，能制造用于電解電容器使用的金屬箔(陽極箔)，其增大了強(qiáng)度同時(shí)厚度維持與傳統(tǒng)的電極箔的厚度大致相等，并還顯著地增大電極箔的每單位面積的表面積。因而，通過使用根據(jù)本實(shí)施例制造的電極箔，即使當(dāng)減小電極箔的厚度時(shí)，能維持與傳統(tǒng)的電極箔大致相等的強(qiáng)度，并且每單位面積的電容能顯著地增大；因而，較傳統(tǒng)的電解電容器能實(shí)現(xiàn)尺寸小和電容大的電解電容器。第二實(shí)施例本實(shí)施例涉及用于制造用于電解電容器使用的電極箔(陽極箔)的方法，其中由諸如鋁的閥金屬組成并涂覆有諸如丙烯酸樹脂的樹脂的細(xì)微顆粒形成氣霧。這樣形成氣霧的細(xì)微顆粒噴射到通過蝕刻處理(表面粗化處理)進(jìn)行處理的鋁箔。(i)整體結(jié)構(gòu)根據(jù)本實(shí)施例的電極箔應(yīng)用為陽極的纏繞型電解電容器的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的纏繞型電解電容器的結(jié)構(gòu)(參見圖1和圖2)大致相同。因而，省略其描述。(ii)電極箔的結(jié)構(gòu)根據(jù)本實(shí)施例制造的電極箔68(陽極箔)的結(jié)構(gòu)也與第一實(shí)施例的電極箔的結(jié)構(gòu)大致相同。然而，與第一實(shí)施例的電極箔不同在于閥金屬層30僅僅固定到的金屬箔32是被蝕刻的鋁箔。被蝕刻的鋁箔預(yù)先通過蝕刻處理(表面粗化處理)進(jìn)行處理(參見圖9)。此外，圖9是圖示根據(jù)本實(shí)施例制造的金屬箔(陽極箔)的橫截面結(jié)構(gòu)。(iii)制造方法制造本實(shí)施例的電極箔的方法與制造第一實(shí)施例的電極箔的方法大致相同，不同在于以下各點(diǎn)。艮口，根據(jù)本實(shí)施例的制造方法，使用預(yù)先通過蝕刻處理(表面粗化處理)進(jìn)行處理的鋁箔(被蝕刻的鋁箔66)代替未處理的鋁箔。然后，細(xì)微顆粒噴射到金屬箔32。這點(diǎn)與第一實(shí)施例的制造方法不同。此外，在氣霧沉積之后并在金屬箔上執(zhí)行蝕刻處理(步驟S16)，并且這點(diǎn)也與第一實(shí)施例的制造方法不同。圖IO是圖示用于制造本實(shí)施例的電極箔的方法的工序的流程圖。首先，準(zhǔn)備通過軋輥方法形成的純度為99%的鋁箔(厚度40/mi)(步驟S2)。接著，作為預(yù)處理，此鋁箔在30(TC下在惰性氣體中進(jìn)行退火。隨后，通過在鹽酸、硝酸和AlCl3的水溶液中以0.2A/m2(50Hz)的電流密度進(jìn)行電解處理達(dá)8分鐘使得執(zhí)行表面粗化處理來處理此箔。結(jié)果，如圖11A所示，獲得具有被蝕刻表面69的鋁箔(被蝕刻的鋁箔66)(步驟S3)。接著，如第一實(shí)施例中所述的圖4所示的處理流程，在表面粗化的鋁15箔(被蝕刻的鋁箔66)上執(zhí)行從步驟S4至步驟S18的處理。然而，在不執(zhí)行圖4所示的步驟S16的蝕刻處理來執(zhí)行此處理。在本實(shí)施例中，圖11B是圖示在被蝕刻的鋁箔66的上表面上形成厚度為20/mi的氣霧沉積層56的狀態(tài)的橫截面視圖。氣霧沉積層56通過將由鍍覆有丙烯酸樹脂的細(xì)微鋁顆粒組成的氣霧噴射到被蝕刻的鋁箔66而形成(步驟S12)。此外，圖12A示出了圖示通過使用丙酮從氣霧沉積層56選擇性地去除丙烯酸樹脂涂層而在細(xì)微鋁顆粒之間形成細(xì)微空隙28的狀態(tài)的橫截面視圖(步驟S14)。通過以上所述的工序，閥金屬層30可以形成在被蝕刻的鋁箔66的兩個(gè)表面上。(iv)特性如在第一實(shí)施例中那樣測(cè)量通過圖10所示的處理流程形成的電極箔68的抗張強(qiáng)度、泄漏電流(通過步驟S18中的化學(xué)轉(zhuǎn)化處理形成的介電氧化膜層的泄漏電流)和每單位面積的靜電電容。測(cè)量條件等與第一實(shí)施例的相同。作為測(cè)量結(jié)果，抗張強(qiáng)度是1.9kg/cm，泄漏電流是1.1/xA/cm2，并且靜電電容是250MF/cm2。另一方面，作為通過傳統(tǒng)的蝕刻方法制造的電極箔的測(cè)量值，如在第一實(shí)施例中所描述，抗張強(qiáng)度是1.5kg/cm，泄漏電流是1.0/xA/cm2，并且靜電電容是40ptF/cm2(參見以下所示的表l)。如測(cè)量結(jié)果所示，與通過傳統(tǒng)的蝕刻方法制造的電極箔相比，根據(jù)本實(shí)施例制造的電極箔68的強(qiáng)度在抗張強(qiáng)度方面增大了約1.3倍，泄漏電流大致相等并且靜電電容增大約6倍。艮P，根據(jù)本實(shí)施例，與通過傳統(tǒng)的蝕刻方法形成的電極箔相比，每單位面積的靜電電容顯著增大，并且機(jī)械強(qiáng)度還增大。認(rèn)為由于在閥金屬層30中形成的細(xì)微空隙28而造成電極箔的表面積顯著增大和由于牢固的閥金屬層30強(qiáng)化的強(qiáng)度獲得以上所述。第三實(shí)施例本實(shí)施例涉及用于制造用于電解電容器使用的電極箔(陽極箔)的方法。在本方法中，由諸如鋁的閥金屬組成的第一細(xì)微顆粒和由諸如丙烯酸樹脂的樹脂組成的第二細(xì)微顆粒的混合物形成氣霧，并且這樣形成氣溶膠的細(xì)微顆粒噴射到金屬箔(鋁箔)。(i)整體結(jié)構(gòu)根據(jù)本實(shí)施例的電極箔應(yīng)用為陽極箔的纏繞型電解電容器的結(jié)構(gòu)大致與第一實(shí)施例的纏繞型電解電容器的結(jié)構(gòu)(參見圖1和圖2)相同。因而，省略其描述。(ii)電極箔的結(jié)構(gòu)根據(jù)本實(shí)施例制造的電極箔(陽極箔)的結(jié)構(gòu)大致與第一實(shí)施例的電極箔的結(jié)構(gòu)相同。然而，與第一實(shí)施例的電極箔不同在于在閥金屬層23中形成的細(xì)微空隙28來自于在去除由樹脂(丙烯酸樹脂)組成的第二細(xì)微顆粒之后形成的空間(參見圖13)。此外，圖13是圖示根據(jù)本實(shí)施例制造的金屬箔(陽極箔)的橫截面結(jié)構(gòu)。(iii)制造方法用于制造本實(shí)施例的電極箔的方法與第一實(shí)施例的電極箔的方法大致相同，不同之處在于以下各點(diǎn)。艮P，根據(jù)本實(shí)施例的制造方法，處于氣霧狀態(tài)并要噴射到金屬箔32的細(xì)微顆粒是由鋁(閥金屬)組成的第一細(xì)微顆粒和由丙烯酸樹脂(樹脂)組成的第二細(xì)微顆粒(代替涂覆有丙烯酸樹脂的細(xì)微鋁顆粒)的混合物。這點(diǎn)與第一實(shí)施例的制造方法不同。本實(shí)施例的處理流程與參照?qǐng)D4描述的之前第一實(shí)施例的處理流程相同。然而，如以上所述，"起始材料粉末"的組成與第一實(shí)施例不同。首先，從準(zhǔn)備鋁箔到對(duì)膜形成室進(jìn)行抽氣，如第一實(shí)施例那樣，執(zhí)行從之前參照?qǐng)D4描述的實(shí)施例的步驟S2到步驟S6的處理。接著，在圖7所示的氣霧沉積設(shè)備的氣霧產(chǎn)生容器48中填充細(xì)微鋁顆粒(平均顆粒直徑3pm)和由丙烯酸樹脂組成的細(xì)微顆粒(顆粒平均直徑50/mi)的混合物作為起始材料粉末46。然后，在整個(gè)氣霧產(chǎn)生容器48暴露于由振動(dòng)器50產(chǎn)生的超聲波并在約15(TC的溫度下執(zhí)行加熱的同時(shí)對(duì)氣霧產(chǎn)生容器48抽氣達(dá)30分鐘，使得執(zhí)行用于去除在粉末表面上吸收的濕氣的預(yù)處理(步驟S8)。17接著，如之前參照?qǐng)D4所述的第一實(shí)施例的處理流程那樣，執(zhí)行從步驟S10到步驟S18的處理。圖14是圖示在步驟S10形成氣霧的起始材料粉末的狀態(tài)的示意圖。如圖14所示，細(xì)微鋁顆粒70和由丙烯酸樹脂組成的細(xì)微顆粒72漂浮在引入到氣霧產(chǎn)生容器48中的氦氣52中，使得形成氣霧狀態(tài)。圖15A、15B、16A和16B是圖示本實(shí)施例的處理步驟的狀態(tài)的視圖。圖15A是圖示在步驟S2中準(zhǔn)備的鋁箔34的狀態(tài)的視圖。圖15B是圖示在鋁箔34的上表面上形成厚度為20Mm的氣霧沉積層56的狀態(tài)的視圖。通過將混合物噴射到鋁箔34形成氣霧沉積層56(步驟S12)，其中該混合物是細(xì)微鋁顆粒70和由丙烯酸樹脂組成的細(xì)微顆粒72的氣霧化混合物。此外，圖16A是圖示通過使用丙酮從氣霧沉積層56選擇性地去除由丙烯酸樹脂組成的細(xì)微顆粒72(步驟S14)而在細(xì)微鋁顆粒70之間形成細(xì)微空隙28的狀態(tài)的視圖此外，圖16B是圖示通過在步驟S14中形成的閥金屬層30和鋁箔34上執(zhí)行蝕刻處理(步驟S16)來增大表面積的狀態(tài)的視圖。(iv)特性如在第一實(shí)施例中那樣測(cè)量在本實(shí)施例中形成的電極箔74的抗張強(qiáng)度、泄漏電流(通過步驟S18中的化學(xué)轉(zhuǎn)化處理形成的介電氧化膜層的泄漏電流)和每單位面積的靜電電容。測(cè)量條件等與第一實(shí)施例的相同。作為測(cè)量結(jié)果，抗張強(qiáng)度是1.9kg/cm，泄漏電流是3.4AiA/cm2，并且靜電電容是280MF/cm2。另一方面，作為通過傳統(tǒng)的蝕刻方法制造的電極箔的測(cè)量值，如在第一實(shí)施例中所描述，抗張強(qiáng)度是1.5kg/cm，泄漏電流是1.0pA/cm2，并且靜電電容是40)LtF/cm2(參見以下所示的表l)。如測(cè)量結(jié)果所示，與通過傳統(tǒng)的蝕刻方法制造的電極箔相比，根據(jù)本實(shí)施例制造的電極箔74的強(qiáng)度在抗張強(qiáng)度方面增大了約1.3倍，泄漏電流大致相等并且靜電電容增大約7倍。艮口，根據(jù)本實(shí)施例，與通過傳統(tǒng)的蝕刻方法形成的電極箔相比，每單位面積的靜電電容顯著增大，并且機(jī)械強(qiáng)度還增大?？梢哉J(rèn)為由于在閥金屬層30中密集和均勻形成的細(xì)微空隙28而造成電極箔的表面積顯著增大和由于牢固的閥金屬層30強(qiáng)化的強(qiáng)度獲得以上所述。(V)結(jié)論如上所述，用于制造本實(shí)施例的電極箔的方法包括第一步驟和第二步驟。在第一步驟中，由第一閥金屬(鋁)組成的第一細(xì)微顆粒組(粉末)和由數(shù)組(丙烯酸樹脂)組成的第二細(xì)微顆粒組的混合物形成氣霧(參見圖14)。然后，形成氣霧的混合物在真空中噴射到金屬箔34(步驟S12)，使得由彼此緊緊粘附的混合物的細(xì)微顆粒組成的氣霧沉積層56緊緊地固定到金屬箔32(鋁箔34)。在第二步驟中，從氣霧沉積層56選擇性地去除以上樹脂(丙烯酸樹脂)以形成閥金屬層30(參見圖16A)。此外，通過以上所述的步驟，由于通過從氣霧沉積層56去除丙烯酸樹脂形成密集和均勻存在的細(xì)微空隙28的閥金屬層30，每單位面積的靜電電容顯著增大。此外，由于通過氣霧沉積形成牢固的閥金屬層30而執(zhí)行了強(qiáng)化，與通過蝕刻處理形成并且厚度與本實(shí)施例的箔相同的傳統(tǒng)電極箔相比，本實(shí)施例的電極箔在機(jī)械強(qiáng)度方面得到提高。第四實(shí)施例本實(shí)施例涉及用于制造用于電解電容器使用的電極箔(陽極箔)的方法。在方法中，由諸如鋁的閥金屬組成且涂覆有諸如丙烯酸樹脂的第一樹脂的第一細(xì)微顆粒和有諸如鈦酸鋇的陶瓷組成且涂覆有諸如丁縮醛樹脂的第二樹脂的第二細(xì)微顆粒的混合物形成氣霧。然后這樣形成氣霧的細(xì)微顆粒噴射到通過蝕刻處理(表面粗化處理)進(jìn)行處理的鋁箔(被蝕刻的鋁箔66)。(i)整體結(jié)構(gòu)根據(jù)本實(shí)施例的電極箔應(yīng)用為陽極箔的纏繞型電解電容器的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的纏繞型電解電容器的結(jié)構(gòu)(參見圖1和圖2)相同。因而，省略其描述。(ii)電極箔的結(jié)構(gòu)如圖17所示，根據(jù)本實(shí)施例制造的電極箔76(陽極箔)的結(jié)構(gòu)與第二實(shí)施例的電極箔的結(jié)構(gòu)大致相同，不同之處在于以下各點(diǎn)。艮P，本實(shí)施例的電極箔76具有比第二實(shí)施例的電極箔68大的介電常數(shù)。該差異是由具有由鈦酸鋇組成并結(jié)合了氧化膜(未示出)的的陶瓷細(xì)微顆粒78的電極箔76造成的，該氧化膜通過在閥金屬層30和被蝕刻的鋁箔66上執(zhí)行化學(xué)轉(zhuǎn)化處理獲得的(參見圖17)。(iii)制造方法用于制造本實(shí)施例的電極箔76的方法與用于制造其中被蝕刻的鋁箔用作襯底第二實(shí)施例的電極箔68的方法大致相等，不同在于以下各點(diǎn)。艮口，起始材料粉末由第一和第二細(xì)微顆粒組成。第一細(xì)微顆粒由平均顆粒直徑約為3/mi且涂覆有丙烯酸樹脂的鋁組成，并且第二細(xì)微顆粒是由平均顆粒直徑約為100nm且涂覆有丁縮醛樹脂的鈦酸鋇(BaTi03;相對(duì)介電常數(shù)200)組成。然后，起始材料粉末形成氣霧。被氣霧化的起始材料粉末噴射到被蝕刻的鋁箔66中。此外，由丙烯酸樹脂組成的涂層的厚度優(yōu)選為100nm至1/mi，并且由丁縮醛樹脂組成的涂層的厚度優(yōu)選為100nm至1000nm。圖18是用于制造本實(shí)施例的電極箔的方法的流程圖。在本實(shí)施例中，從準(zhǔn)備鋁箔到對(duì)膜形成室抽氣，如在之前參照?qǐng)D10描述的第二實(shí)施例的流程那樣，執(zhí)行從步驟S2到步驟S6的處理。接著，在圖7所示的氣霧沉積設(shè)備的氣霧產(chǎn)生容器48中填充涂覆有丙烯酸樹脂的細(xì)微鋁顆粒和由涂覆有丁縮醛樹脂的鈦酸鋇(BaTi03)組成的細(xì)微顆粒的混合物作為起始材料粉末46。然后，在整個(gè)氣霧產(chǎn)生容器48暴露于由振動(dòng)器50產(chǎn)生的超聲波并在約15(TC的溫度下執(zhí)行加熱的同時(shí)對(duì)氣霧產(chǎn)生容器48抽氣達(dá)30分鐘，使得執(zhí)行用于去除在粉末表面上吸收的濕氣的預(yù)處理(步驟S8)。隨后，如之前參照?qǐng)D10所述的第二實(shí)施例的處理流程那樣，執(zhí)行從步驟S10到步驟S12的處理。接著，將其上形成氣霧沉積層的鋁箔浸沒在丙酮和乙醇的混合溶液中，然后通過超聲波應(yīng)用對(duì)鋁箔進(jìn)行處理，使得從氣霧沉積層去除丙烯酸樹脂和丁縮醛樹脂(步驟S14)。隨后，如之前參照?qǐng)D10描述第二實(shí)施例的流程那樣，執(zhí)行步驟S18的處理。圖19是圖示在步驟S10形成氣霧的起始材料粉末的狀態(tài)的示意圖。如圖19所示，涂覆有丙烯酸樹脂的細(xì)微鋁顆粒64和由涂覆有丁縮醛樹脂的鈦酸鋇(BaTi03)組成的細(xì)微顆粒80漂浮在引入到氣霧產(chǎn)生容器48中的氦氣52中，使得形成氣霧狀態(tài)。圖20A和20B示出了各圖示本實(shí)施例的處理步驟的狀態(tài)的視圖。圖20A是圖示在步驟S3由表面粗化處理的鋁箔34的狀態(tài)的視圖。圖20B是圖示通過使用丙酮和乙醇的混合溶液從氣霧沉積層選擇性地去除丙烯酸樹脂和丁縮醛樹脂(步驟S14)而在設(shè)置有緊緊固定到其表面的鈦酸鋇細(xì)微顆粒的鋁顆粒84之間形成細(xì)微空隙28的狀態(tài)的視圖。圖21是圖示通過化學(xué)轉(zhuǎn)化處理(步驟S18)在其表面上形成介電氧化膜層86的一個(gè)細(xì)微鋁顆粒70的橫截面的視圖。通過化學(xué)轉(zhuǎn)化處理，在通過如圖21所示的碰撞而變形的細(xì)微鋁顆粒70的表面上形成鋁氧化膜86(相對(duì)介電常數(shù)7至8)。此外，介電常數(shù)高(相對(duì)介電常數(shù)200)的鈦酸鋇細(xì)微顆粒82與鋁氧化膜86(介電氧化膜)一起覆蓋細(xì)微鋁顆粒70的表面，以形成一部分介電層。鈦酸鋇細(xì)微顆粒82具有比細(xì)微鋁顆粒70更小的顆粒直徑。此外，在氣霧沉積層中，細(xì)微鋁顆粒70緊緊固定到其它細(xì)微鋁顆粒70，但是，在圖21中未示出其它細(xì)微顆粒。以上陶瓷的相對(duì)介電常數(shù)優(yōu)選為10或者更多，這高于鋁氧化膜的相對(duì)介電常數(shù)(7至8)，并且陶瓷細(xì)微顆粒的直徑優(yōu)選為500nm或者更小。(iv)特性如在第一實(shí)施例中那樣測(cè)量在本實(shí)施例中形成的電極箔76的抗張強(qiáng)度、泄漏電流(通過步驟S18中的化學(xué)轉(zhuǎn)化處理形成的介電氧化膜層的泄漏電流)和每單位面積的靜電電容。測(cè)量條件等與第一實(shí)施例的相同。作為測(cè)量結(jié)果，抗張強(qiáng)度是1.9kg/cm，泄漏電流是2.5AiA/cm2，并且靜電電容是265MF/cm2。另一方面，作為通過傳統(tǒng)的蝕刻方法制造的電極箔的測(cè)量值，如在第一實(shí)施例中所描述，抗張強(qiáng)度是1.5kg/cm,泄漏電流是1.0/iA/cm2，并且靜電電容是40/^F/cm2(參見以下所示的表l)。如測(cè)量結(jié)果所示，與通過傳統(tǒng)的蝕刻方法制造的電極箔相比，根據(jù)本實(shí)施例制造的電極箔76的強(qiáng)度在抗張強(qiáng)度方面增大了約1.3倍，泄漏電流大致相等并且靜電電容增大約7倍。艮口，根據(jù)本實(shí)施例，與通過傳統(tǒng)的蝕刻方法形成的電極箔相比，每單位面積的靜電電容顯著增大，并且此外機(jī)械強(qiáng)度也增大。靜電電容的增大是由于在閥金屬層30密集和均勻形成的細(xì)微空隙28造成的電極箔的表面積的顯著增大和包括鈦酸鋇的介電氧化膜造成的介電常數(shù)的增大的合成效果。此外，認(rèn)為電極箔76的機(jī)械強(qiáng)度的增大是由于閥金屬層30造成的強(qiáng)度的強(qiáng)化。(v)結(jié)論如上所述，用于制造本實(shí)施例的電極箔的方法包括第一步驟和第二步驟。第一步驟包括第一細(xì)微顆粒組和第二細(xì)微顆粒組的混合物被氣霧化，然后被氣霧化的混合物在真空中被噴射到金屬箔(被蝕刻的鋁箔66)。因而，由彼此緊緊粘附的混合物的細(xì)微顆粒組成的氣霧沉積層緊緊地固定到以上金屬箔(S12)。第一細(xì)微顆粒組由涂覆有第一樹脂(丙烯酸樹脂)的第一閥金屬(鋁)組成。第二細(xì)微顆粒組由具有比通過在第一閥金屬(鋁)上執(zhí)行化學(xué)轉(zhuǎn)化處理形成的氧化膜高的介電常數(shù)并具有比第一細(xì)微顆粒組小的顆粒直徑的陶瓷(鈦酸鋇)組成。第二步驟包括從氣霧沉積層選擇性里地去除第一和第二樹脂(丙烯酸樹脂和丁縮醛樹脂)以形成閥金屬層30的處理。由于在用于制造本實(shí)施例的電極箔的方法中從氣霧沉積層去除丙烯酸樹脂和丁縮醛樹脂，閥金屬層30具有密集和均勻形成的細(xì)微空隙28，并且介電氧化膜的介電常數(shù)被以上陶瓷(鈦酸鋇)增大。因而，每單位面積的靜電電容顯著增大。此外，由于通過氣霧沉積形成牢固的闊金屬層30而執(zhí)行強(qiáng)化，與通過蝕刻處理形成的且具有與本實(shí)施例的箔相同厚度的傳統(tǒng)電極箔相比，本實(shí)施例的電極箔在機(jī)械強(qiáng)度方面得到提高。22第五實(shí)施例本實(shí)施例涉及用于制造用于電解電容器使用的電極箔(陽極箔)的方法。在本方法中，起始材料粉末由混合在一起的兩種類型的細(xì)微顆粒組成。兩種類型的細(xì)微顆粒的每個(gè)具有不同的平均顆粒直徑。起始材料粉末形成氣霧并噴射到鋁箔以形成氣霧沉積層。氣霧沉積層和鋁箔在不執(zhí)行蝕刻處理(表面粗化處理)的情況下由化學(xué)轉(zhuǎn)化處理來處理。(i)整體結(jié)構(gòu)根據(jù)本實(shí)施例的電極箔應(yīng)用為陽極箔的纏繞型電解電容器的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的纏繞型電解電容器的結(jié)構(gòu)(參見圖1和圖2)大致相同。因而，省略其描述。(ii)電極箔的結(jié)構(gòu)根據(jù)本實(shí)施例制造的電極箔88(陽極箔)的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的電極箔的結(jié)構(gòu)大致相同。然而，閥金屬層30和鋁箔34不是通過蝕刻處理來處理的，這是與第一實(shí)施例的電極箔24的不同點(diǎn)。圖23是圖示根據(jù)本實(shí)施例制造的金屬箔(陽極箔)的橫截面結(jié)構(gòu)的視圖。(iii)制造方法用于制造本實(shí)施例的電極箔的方法與用于制造第一實(shí)施例的電極箔的方法大致相同，不同在于以下各點(diǎn)。本實(shí)施例的制造方法與第一實(shí)施例不同在于要形成氣霧的起始材料粉末是包含第一細(xì)微顆粒和第二細(xì)微顆粒的混合比為1比1的混合物，第一細(xì)微顆粒由平均顆粒直徑為3/mi且涂覆有丙烯酸樹脂的鋁組成，第二細(xì)微顆粒由具有10/mi平均顆粒直徑且涂覆有丙烯酸樹脂的鋁組成。此外，本實(shí)施例的制造方法與第一實(shí)施例的制造方法的不同之處是不在氣霧沉積層30和鋁箔襯底34上執(zhí)行蝕刻處理。圖22是圖示用于制造本實(shí)施例的電極箔的方法的工序。如之前參照?qǐng)D4描述第一實(shí)施例的處理流程那樣，從準(zhǔn)備鋁箔到對(duì)膜形成室進(jìn)行抽氣，執(zhí)行從步驟S2到步驟S6的處理。接著，在圖7所示的氣霧沉積設(shè)備的氣霧產(chǎn)生容器48中填充通過以1比1的混合比將平均顆粒直徑為3/xm且涂覆有丙烯酸樹脂的細(xì)微鋁顆粒和具有10/mi平均顆粒直徑且涂覆有丙烯酸樹脂的細(xì)微鋁顆?；旌隙纬傻幕旌衔镒鳛槠鹗疾牧戏勰?6。然后，在振動(dòng)器50將超聲波施加到整個(gè)氣霧產(chǎn)生容器48中并且在大約15(TC的溫度下執(zhí)行加熱的同時(shí)執(zhí)行真空脫氣達(dá)30分鐘，由此執(zhí)行用于去除在粉末表面上吸收濕氣的預(yù)處理(步驟S8)。隨后，如之前參照?qǐng)D4描述第一實(shí)施例的處理流程那樣，執(zhí)行從步驟S10到步驟S14的處理。隨后，在不執(zhí)行蝕刻處理的情況下，在氣霧沉積層和鋁箔襯底上執(zhí)行化學(xué)轉(zhuǎn)化處理(步驟S18)，使得完成圖23所示的電極箔88。通過以上所述的工序，可以在鋁箔的兩個(gè)表面上形成閥金屬層。此外，作為氣霧施加到的襯底，除了鋁箔之外，還可以使用由諸如鈦、鉭、鈮、鋁合金、鈦合金、鉭合金或者鈮合金的其它閥金屬組成的金屬箔。(iv)特性如在第一實(shí)施例中那樣測(cè)量通過圖22所示的處理流程形成的電極箔88的抗張強(qiáng)度、泄漏電流(通過步驟S18中的化學(xué)轉(zhuǎn)化處理形成的介電氧化膜層的泄漏電流)和每單位面積的靜電電容。測(cè)量條件等與第一實(shí)施例的相同。作為測(cè)量結(jié)果，抗張強(qiáng)度是2.5kg/cm，泄漏電流是0.9MA/cm2，并且靜電電容是100/>tF/cm2。另一方面，作為通過傳統(tǒng)的蝕刻方法制造的電極箔的測(cè)量值，如在第一實(shí)施例中所描述，抗張強(qiáng)度是1.5kg/cm，泄漏電流是1.0AtA/cm2，并且靜電電容是40AtF/cm2(參見以下所示的表l)。如測(cè)量結(jié)果所示，與通過傳統(tǒng)的蝕刻方法制造的電極箔相比，根據(jù)本實(shí)施例制造的電極箔88的強(qiáng)度在抗張強(qiáng)度方面增大了約1.3倍，泄漏電流大致相等并且靜電電容增大約2.5倍。艮P，根據(jù)本實(shí)施例，與通過傳統(tǒng)的蝕刻方法形成的電極箔相比，每單位面積的靜電電容顯著增大，并且此外機(jī)械強(qiáng)度也增大?？梢哉J(rèn)為以上所述是由于在閥金屬層30中密集和均勻形成的細(xì)微空隙28而造成電極箔的表面積顯著增大和由于牢固的閥金屬層30強(qiáng)化的強(qiáng)度獲得的。比較示例如下所述形成用于與以上第一實(shí)施例至第五實(shí)施例比較的比較樣本，并且測(cè)量其特性。通過軋輥方法形成并具有80/xm的厚度和99。％的純度的鋁箔在惰性氣體中在30(TC下退火，以執(zhí)行預(yù)處理。通過在鹽酸、硝酸和AlCl3的水溶液中以0.2A/m2(50Hz)的電流密度進(jìn)行電解處理達(dá)8分鐘使得執(zhí)行表面粗化處理來處理此箔。隨后，在己二酸銨水溶液中執(zhí)行化學(xué)轉(zhuǎn)化處理。接著，在電壓達(dá)到預(yù)定電壓20V之后的30分鐘測(cè)量泄漏電流。此外，還測(cè)量膜的抗張強(qiáng)度。在此情況下，為了抗張強(qiáng)度測(cè)量通過切割獲得寬度為lcm長度為5cm的測(cè)試件，并由張力測(cè)試設(shè)備將該測(cè)試件以10mm/min的速率拉動(dòng)，使得測(cè)量箔的抗張強(qiáng)度。以下表1是第一實(shí)施例至第五實(shí)施例與比較示例比較的表格。表1層結(jié)構(gòu)箔*的抗張強(qiáng)度(kg/cm)泄漏電流(;zA/cm2)靜電電容(AtF/cm2)第一實(shí)施例在平坦軋輥鋁箔上的氣霧沉積層(涂覆樹脂的Al)2.20.9200第二實(shí)施例在被蝕刻的鋁箔上的氣霧沉積層(涂覆樹脂的Al)1.91.1250第三實(shí)施例在平坦軋輥鋁箔上的氣霧沉積層(樹脂粉末和鋁粉末的混合物)1.93.4280第四實(shí)施例在被蝕刻的鋁箔上的氣霧沉積層(涂覆樹脂的Al、涂覆樹脂的陶瓷)1.92.5265第五實(shí)在平坦軋輥鋁箔上的氣2.50.910025<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>*:通過化學(xué)轉(zhuǎn)化處理的箔，厚度為80/im**:在電壓達(dá)到預(yù)定電壓20V之后的30分鐘測(cè)量泄漏電流如表1所示，第一實(shí)施例至第五實(shí)施例的抗張強(qiáng)度較比較示例得到提高。對(duì)于每單位面積的靜電電容，比較比較示例中的40/xF，在第一實(shí)施例至第五實(shí)施例中，獲得100至280/xF，g卩，每單位面積的靜電電容提高了約2,5至7.0倍。此外，在以上第一實(shí)施例至第五實(shí)施例中，使用鋁作為要形成氣霧的閥金屬；然而，諸如鈦、鉭、鈮、鋁合金、鈦合金、鉭合金或者鈮合金的其它閥金屬也可以形成氣霧，并且可以在諸如鋁箔的箔襯底上沉積(氣霧沉積)。此外，在第一實(shí)施例至第五實(shí)施例中，細(xì)微鋁顆粒涂覆有丙烯酸樹脂；然而，該細(xì)微顆粒也可以涂覆有諸如丁縮醛樹脂的不同樹脂。另一方面，在第四實(shí)施例中，盡管鈦酸鋇細(xì)微顆粒涂覆有丁縮醛樹脂，它也可以涂覆有諸如丙烯酸樹脂的不同樹脂。此外，在第四實(shí)施例中，盡管鈦酸鋇細(xì)微顆粒用作陶瓷細(xì)微顆粒，但是也可以使用諸如二氧化鈦的不同陶瓷細(xì)微顆粒。此外，在第一實(shí)施例至第五實(shí)施例中，盡管要形成氣霧的閥金屬細(xì)微顆粒具有3/mi的直徑，但是該直徑可以在100nm至100/xm的范圍中。根據(jù)本實(shí)施例，由于容易執(zhí)行以下在維持箔的厚度大致等于傳統(tǒng)電極箔的厚度的同時(shí)，通過選擇性地去除樹脂而在緊緊固定到閥金屬箔的牢固的閥金屬層的內(nèi)部密集和均勻地形成細(xì)微空隙，所以能制造用于電解電容器使用的電極箔，其中箔的強(qiáng)度能增大并且其表面積能顯著增大。因而，當(dāng)使用根據(jù)本實(shí)施例制造的電極箔時(shí)，即使減電極箔的厚度，也能維持大致等于在過去獲得的強(qiáng)度，并且能顯著增大每單位表面積的電容；因而，能實(shí)現(xiàn)相較于傳統(tǒng)電解電容器尺寸小和電容大的電解電容器。權(quán)利要求1.一種制造電極箔的方法，所述電極箔由閥金屬層和支撐所述閥金屬層的金屬箔組成，所述閥金屬層由第一閥金屬形成，所述金屬箔由第二閥金屬形成，所述方法包括用樹脂涂覆所述第一閥金屬的細(xì)微顆粒以形成復(fù)合細(xì)微顆粒；將所述復(fù)合細(xì)微顆粒形成氣霧；在大氣中在降低的壓力下將所述氣霧噴射到所述金屬箔；將所述復(fù)合細(xì)微顆粒沉積到所述金屬箔以形成氣霧沉積層；并且從所述氣霧沉積層選擇性地去除所述樹脂以形成所述閥金屬層。2.—種制造電極箔的方法，所述電極箔由閥金屬層和支撐所述閥金屬層的金屬箔組成，所述闊金屬層形成有由第一閥金屬形成的多個(gè)第一細(xì)微顆粒，所述金屬箔由第二閥金屬形成，所述方法包括形成由所述多個(gè)第一細(xì)微顆粒和多個(gè)細(xì)微樹脂顆粒組成的混合物；將所述混合物形成氣霧；在大氣中在降低的壓力下將所述氣霧噴射到所述金屬箔；將所述多個(gè)第一細(xì)微顆粒和所述多個(gè)細(xì)微樹脂顆粒中的每個(gè)沉積到所述金屬箔以形成氣霧沉積層；并且從所述氣霧沉積層選擇性地去除所述多個(gè)細(xì)微樹脂顆粒以形成所述閥金屬層。3.—種制造電極箔的方法，所述電極箔由閥金屬層和支撐所述閥金屬層的金屬箔組成，所述閥金屬層形成有由第一閥金屬形成的多個(gè)第一細(xì)微顆粒，所述閥金屬層固定到由由第二閥金屬形成的所述金屬箔，所述方法包括用第一樹脂涂覆所述第一閥金屬的細(xì)微顆粒以形成第一細(xì)微顆粒；形成由所述多個(gè)第一細(xì)微顆粒和多個(gè)第二細(xì)微顆粒組成的混合物，所述第二細(xì)微顆粒由涂覆有第二樹脂的陶瓷組成并具有比所述第一細(xì)微顆粒的直徑小的直徑，所述陶瓷具有比通過在所述第一閥金屬上執(zhí)行化學(xué)轉(zhuǎn)化處理而形成的氧化膜高的介電常數(shù)；將所述混合物形成氣霧；在大氣中在降低的壓力下將所述氣霧噴射到所述金屬箔；將所述多個(gè)第一細(xì)微顆粒和所述多個(gè)第二細(xì)微樹脂顆粒中的每個(gè)彼此固定以形成氣霧沉積層，并將所述氣霧沉積層固定到所述金屬箔；并且從所述氣霧沉積層選擇性地去除所述第一樹脂和第二樹脂以形成所述閥金屬層，并在所述閥金屬層形成多個(gè)空隙。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造電極箔的方法，其中，所述第二閥金屬是鉛。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造電極箔的方法，其中，所述第二閥金屬是鋁。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造電極箔的方法，其中，所述第二閥金屬是鉛o7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造電極箔的方法，其中，通過蝕刻處理增大所述鋁的表面積。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造電極箔的方法，其中，通過蝕刻處理增大所述鋁的表面積。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造電極箔的方法，其中，通過蝕刻處理增大所述鋁的表面積。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造電極箔的方法，其中，在去除步驟之后通過轉(zhuǎn)化處理來處理所述閥金屬層和所述金屬箔。11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造電極箔的方法，其中，在去除步驟之后通過轉(zhuǎn)化處理來處理所述閥金屬層和所述金屬箔。12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造電極箔的方法，其中，在去除步驟之后通過轉(zhuǎn)化處理來處理所述閥金屬層和所述金屬箔。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造電極箔的方法，其中，所述第二閥金屬是從以下各項(xiàng)組成的組中選擇的一者鋁、鈦、鉭、鈮、鋁合金、鈦合金、鉭合金、鈮合金。14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造電極箔的方法，其中，所述第二閥金屬是從以下各項(xiàng)組成的組中選擇的一者鋁、鈦、鉭、鈮、鋁合金、鈦合金、鉭合金、鈮合金。15.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造電極箔的方法，其中，所述第二閥金屬是從以下各項(xiàng)組成的組中選擇的一者鋁、鈦、鉭、鈮、鋁合金、鈦合金、鉭合金、鈮合金。全文摘要本發(fā)明涉及一種用于制造電極箔的方法，電極箔由閥金屬層和支撐閥金屬層的金屬箔組成，閥金屬層由第一閥金屬形成，金屬箔由第二閥金屬形成，所述方法包括用樹脂涂覆所述第一閥金屬的細(xì)微顆粒以形成復(fù)合細(xì)微顆粒；將復(fù)合細(xì)微顆粒形成氣霧；在大氣中在降低的壓力下將氣霧噴射到金屬箔；將復(fù)合細(xì)微顆粒沉積到金屬箔以形成氣霧沉積層；以及從氣霧沉積層選擇性地去除樹脂以形成閥金屬層。文檔編號(hào)H01G9/04GK101552140SQ20091011810公開日2009年10月7日申請(qǐng)日期2009年2月23日優(yōu)先權(quán)日2008年2月22日發(fā)明者今中佳彥,天田英之,山田齊申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社