專利名稱：一種發(fā)光二極管封裝結構和支架結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于發(fā)光二極管領域，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結構和支架結構。
背景技術：
發(fā)光二極管(light emitting diode, LED)由于具有低耗電量、組件壽命長、體積 小、反應速度快、耐震動與適合量產(chǎn)等優(yōu)點，目前逐漸被廣泛應用在照明燈具及其各式電子
廣品上。請參考圖1，圖1為現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結構的示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有的發(fā) 光二極管封裝結構10包含一膠體12、一凹穴14、多個連接墊16設置于凹穴14的底部，以及 三顆低功率發(fā)光二極管20 (分別為紅光發(fā)光二極管、綠光發(fā)光二極管與藍光發(fā)光二極管) 設置于連接墊16上并與連接墊16電性連接?，F(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結構10是由三顆低功率發(fā)光二極管20所組成，并通過紅 光、綠光與藍光的混光形成白光。然而由于藍光發(fā)光二極管的發(fā)光效率較差，因此不僅使得 發(fā)光二極管封裝結構10的整體發(fā)光效率降低，也會導致整體色純度(color purity)的下 降。
發(fā)明內容
本發(fā)明實施例的目的在于提供一種發(fā)光二極管封裝結構，旨在解決現(xiàn)有的發(fā)光二 極管封裝結構之低發(fā)光效率與低色純度的問題。本發(fā)明實施例的另一目的在于提供一種發(fā)光二極管支架結構。本發(fā)明實施例是這樣實現(xiàn)的，一種發(fā)光二極管封裝結構，所述發(fā)光二極管封裝結 構包括一支架結構，所述支架結構包括一基材，具有一第一凹穴以及一第二凹穴，所述第二凹穴位于所述第一凹穴的下 方，且所述第二凹穴小于所述第一凹穴；多個第一連接墊，設置于所述第一凹穴的底部；以及多個第二連接墊，設置于所述第二凹穴的底部；至少一第一發(fā)光二極管，設置于所述第一凹穴的底部，所述第一發(fā)光二極管包括 一陽極和一陰極，且所述陽極和陰極分別電性連接于所述第一連接墊；以及至少一第二發(fā)光二極管，設置于所述第二凹穴的底部，所述第二發(fā)光二極管包括 一陽極和一陰極，且所述陽極和陰極分別電性連接于所述第二連接墊。一種發(fā)光二極管支架結構，所述支架結構包括一基材，具有一第一凹穴以及一第二凹穴，所述第二凹穴位于第一凹穴的下方，且 第二凹穴小于第一凹穴；多個第一連接墊，設置于所述第一凹穴的底部；多個第二連接墊，設置于所述第二凹穴的底部；
多個第一引腳，設置于所述基材中，且各第一引腳的一端延伸至第一凹穴內并分 別與各第一連接墊電性連接，而各第一引腳的另一端暴露于所述基材之外；以及多個第二引腳，設置于所述基材中，且各第二引腳的一端延伸至第二凹穴內并分 別與各第二連接墊電性連接，而各第二引腳的另一端暴露于所述基材之外。在本發(fā)明實施例中，發(fā)光二極管封裝結構將第一發(fā)光二極管和第二發(fā)光二極管設 置于不同的平面，因此具有良好的散熱作用，由于良好散熱，使得發(fā)光二極管封裝結構具有 高亮度和高色純度。
圖1是現(xiàn)有技術提供的發(fā)光二極管封裝結構的示意圖。圖2是本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構整立體示意圖。圖3是本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構的上視圖。圖4是本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構的剖面示意圖。圖5是本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構的底視圖。
具體實施例方式為了使本發(fā)明所要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結 合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅 用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。請參閱圖2，為本實施例的發(fā)光二極管封裝結構整立體示意圖。如圖2所示，本實 施例的發(fā)光二極管封裝結構30主要包括一支架結構40、多個第一發(fā)光二極管60及一第 二發(fā)光二極管70、一第一封膠體50及一第二封膠體48。請參閱圖3，支架結構40包括一基 材42、多個第一連接墊44和多個第二連接墊46?；?2具有一第一凹穴421以及一第二 凹穴422。請參閱圖4，第二凹穴422位于第一凹穴421的下方，且第二凹穴422小于第一 凹穴421。此外，第一連接墊44設置于第一凹穴421的底部，而第二連接墊46則設置于第 二凹穴422的底部。第一發(fā)光二極管60設置于第一凹穴421的底部，其中各第一發(fā)光二極 管60包括一陽極62和一陰極64，且陽極62和陰極64分別電性連接于第一連接墊44，例 如利用打線或覆晶方式。第二發(fā)光二極管70設置于第二凹穴422的底部，其中第二發(fā)光二 極管70包括一陽極72和一陰極74，且陽極72和陰極74分別電性連接于第二連接墊46， 例如利用打線或覆晶方式。另外，第二封膠體48填充在第二凹穴422內且覆蓋第二發(fā)光二 極管70，而第一封膠體50則填充在第一凹穴421內且覆蓋第一發(fā)光二極管60。請再參閱圖5，并一并參閱圖4。支架結構40包括多個第一引腳52和多個第二 引腳54，其中第一引腳52設置于基材42中，且各第一引腳52的一端延伸至第一凹穴421 內并分別與各第一連接墊44電性連接，而各第一引腳52的另一端暴露于基材42之外，各 第一發(fā)光二極管60的陽極62和陰極64的電性可通過第一引腳52作對外電性連接；同樣 地，第二引腳54設置于基材42中，且各第二引腳54的一端延伸至第二凹穴422內并分別 與各第二連接墊46電性連接，而各第二引腳54的另一端暴露于基材42之外，第二發(fā)光二 極管70的陽極72和陰極74可通過第二引腳54作對外電性連接。此外在本實施例中，第 二封膠體48的折射率高于第一封膠體50的折射率，根據(jù)司乃耳定理(snell'slaw)可增加第二發(fā)光二極管70的出光量，而提升發(fā)光二極管封裝結構30的整體亮度。另外，第一凹穴 421和第二凹穴422較佳具有向外傾斜的內壁，第一發(fā)光二極管60和第二發(fā)光二極管70所 發(fā)射出的光線可分別通過第一凹穴421和第二凹穴422的內壁反射而增加光利用率。在本實施例中，基材42為發(fā)光二極管封裝結構30的基材，其材質可為聚鄰苯二甲 酰胺(PPA)、環(huán)氧樹脂(印oxy)或其它絕緣材質。第二封膠體48和第一封膠體50則可為 硅或其它可隔絕濕氣的材質。第一發(fā)光二極管60選用低功率發(fā)光二極管，例如電流值約為 20mA的發(fā)光二極管，但不以此為限。本實施例以白光發(fā)光二極管封裝結構為例，因此第一發(fā) 光二極管60可包括低功率紅光發(fā)光二極管、低功率綠光發(fā)光二極管和低功率藍光發(fā)光二 極管，利用紅光、綠光與藍光的混光而形成白光，但不以此為限。舉例而言，第一發(fā)光二極管 60可為低功率藍光發(fā)光二極管，且在此狀況下第一封膠體50可選用黃色熒光膠體，低功率 藍光發(fā)光二極管在照射到黃色熒光膠體后可產(chǎn)生白光。另一方面，第二發(fā)光二極管70選用 高功率發(fā)光二極管，例如電流值約為350mA的發(fā)光二極管，但不以此為限。例如第二發(fā)光二 極管70可選用高功率藍光發(fā)光二極管，且第二封膠體48選用黃色熒光膠體，高功率藍光發(fā) 光二極管在照射到黃色熒光膠體后可產(chǎn)生白光。然而，本發(fā)明的應用并不以此為限，例如第 二發(fā)光二極管70可包括高功率紅光發(fā)光二極管、高功率綠光發(fā)光二極管和高功率藍光發(fā) 光二極管，利用紅光、綠光與藍光的混光而形成白光。另外，在其它實施樣態(tài)下，例如發(fā)光二 極管封裝結構30若為單色發(fā)光二極管封裝結構，則第一發(fā)光二極管60可為所需的單色低 功率發(fā)光二極管，例如藍光低功率發(fā)光二極管，而第二發(fā)光二極管70可為所需的單色高功 率發(fā)光二極管，例如藍光高功率發(fā)光二極管。在本實施例中，第二發(fā)光二極管70選用高功率發(fā)光二極管，用于提升發(fā)光二極管 封裝結構30的亮度和色純度。然而相較于低功率發(fā)光二極管，高功率發(fā)光二極管在運作時 會產(chǎn)生較多的熱能，因此高功率發(fā)光二極管的溫度遠高于低功率發(fā)光二極管。鑒于此，本發(fā) 明的第一發(fā)光二極管60和第二發(fā)光二極管70分別設置于第一凹穴421和第二凹穴422的 底部，且第一凹穴421和第二凹穴422兩者位于不同的平面上，第二發(fā)光二極管70所產(chǎn)生 的熱可直接經(jīng)由導熱性較佳的第二連接墊46向下傳導，而不易經(jīng)由導熱性較差的第二封 膠體48向上傳導而影響第一發(fā)光二極管60的發(fā)光效率。另一方面，第一發(fā)光二極管60所 產(chǎn)生的熱也可經(jīng)由導熱性較佳的第一連接墊44向外側傳導，而不易經(jīng)由導熱性較差的第 二封膠體48向下傳導而影響第二發(fā)光二極管70的發(fā)光效率。綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結構分別將高功率發(fā)光二極管和低功率發(fā)光 二極管設置于不同的平面，使高功率發(fā)光二極管所產(chǎn)生的熱可直接經(jīng)由連接墊向下傳導， 而低功率發(fā)光二極管所產(chǎn)生的熱也可經(jīng)由連接墊向外側傳導，因此達到有效散熱作用。通 過良好散熱，高功率發(fā)光二極管和低功率發(fā)光二極管的發(fā)光效率均可有效提升，進而使得 發(fā)光二極管封裝結構具有高亮度和高色純度。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精 神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述發(fā)光二極管封裝結構包括 一支架結構，所述支架結構包括一基材，具有一第一凹穴以及一第二凹穴，所述第二凹穴位于所述第一凹穴的下方，且 所述第二凹穴小于所述第一凹穴；多個第一連接墊，設置于所述第一凹穴的底部；以及 多個第二連接墊，設置于所述第二凹穴的底部；至少一第一發(fā)光二極管，設置于所述第一凹穴的底部，所述第一發(fā)光二極管包括一陽 極和一陰極，且所述陽極和陰極分別電性連接于所述第一連接墊；以及至少一第二發(fā)光二極管，設置于所述第二凹穴的底部，所述第二發(fā)光二極管包括一陽 極和一陰極，且所述陽極和陰極分別電性連接于所述第二連接墊。
2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述發(fā)光二極管封裝結構 還包括一第二封膠體，填充于所述第二凹穴內且覆蓋所述第二發(fā)光二極管；所述第二封膠 體包括一黃色熒光膠體；所述第二發(fā)光二極管包括有藍光發(fā)光二極管。
3.如權利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述發(fā)光二極管封裝結構 還包括一第一封膠體，填充于所述第一凹穴內且覆蓋所述第一發(fā)光二極管。
4.如權利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述第二封膠體的折射率 高于所述第一封膠體的折射率。
5.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述第一發(fā)光二極管包括 一低功率發(fā)光二極管，所述第二發(fā)光二極管包括一高功率發(fā)光二極管。
6.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述第一凹穴具有一向外 傾斜的內壁；所述第二凹穴具有一向外傾斜的內壁。
7.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述支架結構還包括多個 第一引腳，設置于所述基材中，且各第一引腳的一端延伸至所述第一凹穴內并分別與各第 一連接墊電性連接，而各第一引腳的另一端暴露于所述基材之外。
8.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，所述支架結構還包括多個 第二引腳，設置于所述基材中，且各第二引腳的一端延伸至所述第二凹穴內并分別與各第 二連接墊電性連接，而各第二引腳的另一端暴露于所述基材之外。
9.一種發(fā)光二極管支架結構，其特征在于，所述支架結構包括一基材，具有一第一凹穴以及一第二凹穴，所述第二凹穴位于第一凹穴的下方，且第二 凹穴小于第一凹穴；多個第一連接墊，設置于所述第一凹穴的底部； 多個第二連接墊，設置于所述第二凹穴的底部；多個第一引腳，設置于所述基材中，且各第一引腳的一端延伸至第一凹穴內并分別與 各第一連接墊電性連接，而各第一引腳的另一端暴露于所述基材之外；以及多個第二引腳，設置于所述基材中，且各第二引腳的一端延伸至第二凹穴內并分別與 各第二連接墊電性連接，而各第二引腳的另一端暴露于所述基材之外。
10.如權利要求9所述的發(fā)光二極管支架結構，其特征在于，所述第一凹穴具有一向外 傾斜的內壁；第二凹穴具有一向外傾斜的內壁。
全文摘要
本發(fā)明適用于發(fā)光二極管領域，提供了一種發(fā)光二極管封裝結構和支架結構。所述發(fā)光二極管封裝結構包括一支架結構、至少一第一發(fā)光二極管和至少一第二發(fā)光二極管。所述支架結構包括一基材，且基材具有一第一凹穴以及一第二凹穴，其中第二凹穴位于第一凹穴的下方，且第二凹穴小于第一凹穴；第一發(fā)光二極管設置于第一凹穴的底部，且第二發(fā)光二極管設置于第二凹穴的底部。本發(fā)明將第一發(fā)光二極管和第二發(fā)光二極管設置于不同的平面，因此具有良好的散熱作用，由于良好散熱，使得發(fā)光二極管封裝結構具有高亮度和高色純度。
文檔編號H01L25/075GK101996983SQ20091010949
公開日2011年3月30日 申請日期2009年8月21日 優(yōu)先權日2009年8月21日
發(fā)明者蘇峻緯, 莫啟能, 鄒健龍, 陸富財 申請人:深圳華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司