專利名稱：：一種降低基板處理設(shè)備能耗的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及設(shè)備工藝控制領(lǐng)域，特別是涉及一種降低基板處理設(shè)備能庫毛的方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：在工藝生產(chǎn)過程中，涉及各種基板處理設(shè)備，而基板處理設(shè)備的能耗問題一直是人們尋求解決的問題。以等離子增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備為例制造晶硅太陽能電池多采用等離子增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝。在晶硅太陽能電池制造設(shè)備中，PECVD設(shè)備多采用在線型鍍膜技術(shù)(In-linePECVD，在線鍍膜型等離子增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備)。參考圖1所示的In-linePECVD設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，In-linePECVD設(shè)備一般包括若干個真空密閉腔室，即圖中的預(yù)熱腔l、反應(yīng)腔2和冷卻腔3，打開抽真空的閥門6，及真空密閉腔室的門閥Gl、G2、G3和G4，通過各門閥的配合作用，即可保持所述預(yù)熱腔1、反應(yīng)腔2和冷卻腔3中的真空狀態(tài)；該設(shè)備還包括裝片臺7和卸片臺8、載板回收裝置9。這種In-linePECVD設(shè)備的工作流程如xl—x9所示的載板拍i運方向，主要包括以下步驟步驟S1、將硅片4放置于載板5上；步驟S2、將載板5搬運(通過輥輪或機械手等自動裝置)到預(yù)熱腔l中，在預(yù)熱腔1進行載板5的預(yù)熱處理流程，加熱載板5和硅片4;將載板5搬運到反應(yīng)腔2中，進行沉積工藝；反應(yīng)完成后將載板5搬運到冷卻腔3中進行冷卻處理，然后將載板5搬運到卸片臺8上，將加工完成的硅片4取走；步驟S3、載板5通過自動搬運裝置9返回裝片臺7。上述工作過程中各主要模塊的處理功能如下預(yù)熱腔l:傳片、加熱、抽真空、充大氣、送片；反應(yīng)腔2:傳片、加熱、抽真空、工藝、吹掃、送片；冷卻腔3:傳片、冷卻、抽真空、充大氣、送片。目前為了使硅片在鍍膜前達到工藝所需的溫度，在預(yù)熱腔1中需要對硅片及載板對其進行加熱。一般在預(yù)熱腔中使用紅外燈管進行加熱，為了達到快速加熱的目的，往往會安裝數(shù)以百計的紅外燈管。除了特氣消耗,PECVD設(shè)備的大部分能耗都在使用紅外燈管的加熱上，而硅片在反應(yīng)腔中從開始工藝到將載板傳出反應(yīng)腔所需的時間，往往大于預(yù)熱腔從接收載板到加熱硅片到指定溫度的時間，很容易造成硅片在預(yù)熱腔中雖然已經(jīng)達到設(shè)定的加熱溫度，但是還必須等待反應(yīng)腔完成工藝才能傳入的現(xiàn)象，在這過程中加熱系統(tǒng)一直在工作，給整個PECVD設(shè)備造成很多不必要的加熱能耗。對于其它類似的基板處理設(shè)備，同樣也存在上述的能耗問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種降低基板處理設(shè)備能耗的方法及系統(tǒng)，能夠降低基板處理設(shè)備的能耗。為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種降低基板處理設(shè)備能耗的方法，所述基板處理設(shè)備至少包括預(yù)熱腔和反應(yīng)腔，以及在所述腔室之間傳輸?shù)妮d板，所述方法包括統(tǒng)計預(yù)熱腔加熱所需的時間T1,以及反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需的時間T2;其中，T2>T1;反應(yīng)腔開始工藝后，根據(jù)時間Tl和T2延遲預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)的啟動時機，使預(yù)熱腔加熱到設(shè)定溫度后及時傳出載板到反應(yīng)腔。優(yōu)選的，所述方法通過以下方式延遲預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)的啟動時才幾檢測預(yù)熱腔是否準備好，若是，則延遲T2-T1時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若否，則等待預(yù)熱腔準備好，并記錄等待時間T3;當T3〈(T2-T1)時，延遲(T2-T1)-T3時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)，否則直《^妄啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)。優(yōu)選的，所述方法還能夠通過另一種方式延遲預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)的啟動時機檢測是否有關(guān)鍵腔室處于單獨維護狀態(tài)，若是，則等待所述關(guān)鍵腔室解除單獨維護狀態(tài)，并記錄等待時間T4，然后繼續(xù)檢測預(yù)熱腔是否準備好；若否，則直接檢測預(yù)熱腔是否準備好；若預(yù)熱腔準備好，則判斷T4是否小于(T2-T1),若小于，則延遲(T2-T1-T4)時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若大于等于，則直接啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若預(yù)熱腔未準備好，則等待預(yù)熱腔準備好，記錄等待時間T3，判斷T3是否小于(T2-T1-T4)，若小于，則延遲(T2-T1)-丁3時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)，若大于等于，則直接啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)。其中，所述預(yù)熱腔準備好是指預(yù)熱腔完成從準備接收載板到加熱前所需的工作。優(yōu)選的，本發(fā)明所述方法通過以下方式統(tǒng)計時間Tl和T2:針對時間T1，耳又本次加熱之前，預(yù)熱腔加熱所需時間的最大值；針對時間T2,取本次工藝之前，反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需時間的最大值。本發(fā)明還提供了一種降低基板處理設(shè)備能耗的裝置，所述基板處理設(shè)備至少包括預(yù)熱腔和反應(yīng)腔，以及在所述腔室之間傳輸?shù)妮d板，所述裝置包括第一統(tǒng)計單元，用于統(tǒng)計預(yù)熱腔加熱所需的時間Tl;第二統(tǒng)計單元，用于統(tǒng)計反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需的時間T2;控制啟動單元，用于反應(yīng)腔開始工藝后，根據(jù)時間T1和T2延遲預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)的啟動時機，使預(yù)熱腔加熱到設(shè)定溫度后及時傳出載板到反應(yīng)腔。優(yōu)選的，所述控制啟動單元一種包括第一啟動子單元，用于啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；第一檢測子單元，用于反應(yīng)腔開始工藝后，檢測預(yù)熱腔是否準備好，若是，則第一啟動子單元延遲T2-T1時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若否，則觸發(fā)第一計時子單元；第一計時子單元，用于針對第一檢測子單元檢測到預(yù)熱腔未準備好，記錄等待時間T3;當T3〈(T2-T1)時，第一啟動子單元延遲(T2-T1)-T3時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)，否則第一啟動子單元直接啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)。優(yōu)選的，所述控制啟動單元另一種包括第二啟動子單元，用于啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；第二檢測子單元，用于反應(yīng)腔開始工藝后，檢測是否有關(guān)鍵腔室處于單獨維護狀態(tài)，若是，則觸發(fā)第二計時子單元；若否，則觸發(fā)第三^r測子單元；第二計時子單元，用于針對第二檢測子單元檢測到有關(guān)鍵腔室處于單獨維護狀態(tài)，記錄等待時間T4;第三檢測子單元，用于檢測預(yù)熱腔是否準備好，若是，則當?shù)诙嫊r子單元記錄的T4小于(T2-T1)時，第二啟動子單元延遲(T2-T1-T4)時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；當?shù)诙嫊r子單元記錄的T4大于等于(T2-T1)時，第二啟動子單元直接啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若否，則觸發(fā)第三計時子單元；第三計時子單元，用于針對第三檢測子單元4企測到預(yù)熱腔未準備好，記錄等待時間T3;當T3小于(T2-T1-T4)時，第二啟動子單元延遲(T2-T1)-T3時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；否則第二啟動子單元直接啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)。其中，所述預(yù)熱腔準備好是指預(yù)熱腔完成從準備接收載板到加熱前所需的工作。優(yōu)選的，所述第一統(tǒng)計單元將本次加熱之前，預(yù)熱腔加熱所需時間的最大值作為時間Tl;所述第二統(tǒng)計單元將本次工藝之前，反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需時間的最大值作為時間T2。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點首先，本發(fā)明所提供的一種降低基板處理設(shè)備能耗的方法及裝置，針對硅片在預(yù)熱腔中已經(jīng)達到設(shè)定的溫度，但是還必須等待反應(yīng)腔完成工藝才能傳入的現(xiàn)象，采取統(tǒng)計預(yù)熱腔加熱所需的時間Tl，以及反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需的時間T2，反應(yīng)腔開始工藝后，根據(jù)時間Tl和T2延遲預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)的啟動時機的措施，使預(yù)熱腔加熱到設(shè)定溫度后及時傳出載板到反應(yīng)腔，從而避免了出現(xiàn)預(yù)熱腔等待反應(yīng)腔的過程，也避免了加熱系統(tǒng)在這個過程中一直在工作造成的加熱能耗，降低了基板處理設(shè)備的整體能耗。其次，本發(fā)明在反應(yīng)腔開始工藝后，檢測是否有關(guān)鍵腔室處于單獨維護中，若有則等待解除單獨維護狀態(tài)，并記錄等待時間從而相應(yīng)延遲預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)的啟動時機，避免了自動工藝執(zhí)行過程在不終止自動工藝任務(wù)的情況下，對關(guān)鍵腔室如反應(yīng)腔或冷卻腔進行單獨維護工作，而預(yù)熱腔一直在加熱造成的不必要加熱能耗，更進一步降低了基板處理設(shè)備的整體能耗。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種In-linePECVD設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實施例一所述一種降低PECVD設(shè)備能耗的方法流程圖；圖3是本發(fā)明實施例二所述一種降低PECVD設(shè)備能耗的方法流程圖；圖4是本發(fā)明實施例四所述一種降低PECVD設(shè)備能耗的方法流程圖；圖5是本發(fā)明實施例五所述一種P爭低基板處理設(shè)備能耗裝置的一種結(jié)構(gòu)圖6是本發(fā)明實施例六所述一種降低基板處理設(shè)備能耗裝置的另一種結(jié)構(gòu)圖。具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明。本發(fā)明提供的一種P爭低基板處理設(shè)備能耗的方法及裝置，通過統(tǒng)計預(yù)熱腔加熱所需的時間Tl,以及反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需的時間T2,在反應(yīng)腔開始工藝后，根據(jù)時間Tl和T2延遲預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)的啟動時機，使預(yù)熱腔加熱到設(shè)定溫度后及時傳出載板到反應(yīng)腔，避免了預(yù)熱腔等待反應(yīng)腔過程中持續(xù)加熱造成的不必要加熱能耗，從而降低基板處理設(shè)備的整體能耗。下面將以降低PECVD設(shè)備的能耗為例進行詳細說明。實施例一參照圖2，是本實施例所述一種降低PECVD設(shè)備能耗的方法流程圖。S201，統(tǒng)計所需時間；預(yù)熱腔中進行的工藝包括傳輸載板到反應(yīng)腔、準備接收載板、從裝片臺接收載板、接收到載板預(yù)熱腔進行準備、加熱；反應(yīng)腔中進行的工藝包括從預(yù)熱腔接收載板、執(zhí)行工藝、傳出載板到冷卻腔。其中反應(yīng)腔從開始工藝到將載板傳出反應(yīng)腔所需的時間大于預(yù)熱腔從接收載板到加熱到指定溫度所需的時間，針對這一現(xiàn)象，統(tǒng)計預(yù)熱腔充分加熱所需的時間Tl以及反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需的時間T2;S202，延遲加熱系統(tǒng)的啟動時沖幾；由于T2〉T1，故延遲T2-T1時間再啟動預(yù)熱腔加熱系，使預(yù)熱腔加熱到設(shè)定溫度后及時傳出載板到反應(yīng)腔。預(yù)熱腔加熱到設(shè)定溫度及時的傳出載板到反應(yīng)腔，避免了預(yù)熱腔等待反應(yīng)腔并且持續(xù)加熱造成的不必要加熱能耗，從而降低PECVD設(shè)備的整體能耗。實施例二本實施例將以圖3為例對本發(fā)明所述一種降低PECVD設(shè)備能耗的一種實現(xiàn)方法作具體說明。S301，開始工藝；S302，反應(yīng)腔開始工藝；5303,檢測預(yù)熱腔是否準備好；反應(yīng)腔開始工藝后，檢測預(yù)熱腔是否做好從接收載板到完成加熱前所需的準備工作，如果檢測到預(yù)熱腔已經(jīng)準備好，則執(zhí)行步驟S304;如果檢測到預(yù)熱腔未準備好，則執(zhí)行步驟S306;5304,等待(T2-T1)時間，然后繼續(xù)步驟S305;S305，啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；5306,等待預(yù)熱腔準備好，記錄等待時間T3;5307,判斷T3是否小于(T2-T1);如果T3小于(T2_T1)，則執(zhí)行步驟S308;如果T3大于等于(T7-T1)，則執(zhí)行步驟S305;S308，等待(T2-T1)-T3時間，然后執(zhí)行步驟S305。上述方法使預(yù)熱腔加熱到設(shè)定溫度后及時傳出載板到反應(yīng)腔，避免出現(xiàn)預(yù)熱腔等待反應(yīng)腔的過程，也避免了加熱系統(tǒng)在這個過程中一直在工作造成的加熱能耗，降低了PECVD設(shè)備的整體能耗。實施例三基于以上內(nèi)容，為了說明本發(fā)明所述一種能夠降低PECVD設(shè)備能耗方法的性能，下面以機臺實操進行的試驗為例子對比說明。目前機臺的執(zhí)行各種操作所需時間為(單位秒)預(yù)熱腔接收載板30預(yù)熱腔準備好30預(yù)熱腔充分加熱硅片到指定溫度90工藝腔接收載板30工藝腔執(zhí)行工藝240工藝腔傳出載板30現(xiàn)有技術(shù)實施結(jié)果如下表所示(單位秒)<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>爿t人試^^結(jié)果可以看出，實施本發(fā)明所述的方法，預(yù)熱腔的加熱時間縮短了一半，降低PECVD設(shè)備的整體能耗。實施例四本實施例將以圖4為例對本發(fā)明所述一種降低PECVD設(shè)備能耗的另一種實現(xiàn)方法作具體說明。S401，開始工藝，進4亍初始化；初始化主要是將下面步驟中的等待時間T3和T4初始化設(shè)置為0;S402,反應(yīng)腔開始工藝；S403，檢測是否有關(guān)鍵腔室處于維修狀態(tài)；反應(yīng)腔開始工藝之后，檢測是否有關(guān)鍵腔室處于單獨維護狀態(tài)，如果檢測沒有腔室處于維^修狀態(tài)，則^L行步驟S404;如果檢測到有腔室處于維修狀態(tài)，則執(zhí)行步驟S408;其中，所述關(guān)鍵腔室是指反應(yīng)腔、冷卻腔；S404，檢測預(yù)熱腔是否準備好；如果檢測到預(yù)熱腔已經(jīng)準備好，則執(zhí)行步驟S405;如果;^企測到預(yù)熱腔未準備好，則執(zhí)行步驟S409;S405，判斷T4是否小于(T2-T1);如果T4小于(T2-T1)，則執(zhí)行步驟S406;如果T4大于等于(T2-T1)，則執(zhí)行步驟S407;5406,等待(T2-T1-T4)時間，繼續(xù)步驟S407;5407,啟動預(yù)熱器加熱系統(tǒng)；5408,等待S403所述關(guān)鍵腔室解除單獨維護狀態(tài)，記錄等待時間T4，然后執(zhí)行S404;S409,等待預(yù)熱腔準備好，記錄等待時間T3;S4010,判斷T3是否小于(T2-Tl-T4);如果T3小于(T2-T1-T4)，則執(zhí)行步驟S4011;如果T3大于等于(T2-T1-T4)，則執(zhí)行步驟S407;S4011，等待(T2-T1)-T3時間，然后執(zhí)行步驟S407。上述方法避免了自動工藝執(zhí)行過程，不終止自動工藝任務(wù)的情況下，對反應(yīng)腔或冷卻腔進行單獨維護工作，而預(yù)熱腔一直在加熱造成的不必要加熱能耗，更進一步降低了PECVD設(shè)備的整體能耗。實施例五針對上述方法實施例，本發(fā)明還提供了一種能夠降低基板處理設(shè)備能耗裝置的實施例。參照圖5,為本實施例所述一種能夠降低基板處理設(shè)備能耗裝置的一種結(jié)構(gòu)圖。其中，所述基板處理設(shè)備至少包括預(yù)熱腔和反應(yīng)腔，以及在所述腔室之間傳輸?shù)妮d板。所述一種能夠降低基板處理設(shè)備能耗裝置包括第一統(tǒng)計單元501，用于統(tǒng)計預(yù)熱腔加熱所需的時間Tl;第二統(tǒng)計單元502,用于統(tǒng)計反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需的時間T2;控制啟動單元503，用于反應(yīng)腔開始工藝后，根據(jù)時間T1和T2延遲預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)的啟動時機，使預(yù)熱腔加熱到設(shè)定溫度后及時傳出載板到反應(yīng)腔。本實施例優(yōu)選的，所述控制啟動單元503包括第一啟動子單元5031,用于啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；第一檢測子單元5032,用于檢測預(yù)熱腔是否準備好，若是，則啟動子單元延遲T2-T1時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若否，則觸發(fā)計時子單元；第一計時子單元5033,用于針對;險測子單元^r測到預(yù)熱腔未準備好，記錄等待時間T3;當T3〈(T2-T1)時，啟動子單元5031延遲(T2-T1)-T3時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)，否則啟動子單元5031直4妄啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)。本實施例優(yōu)選的，所述第一統(tǒng)計單元501將本次加熱之前，預(yù)熱腔加熱所需時間的最大值作為時間Tl;所述第二統(tǒng)計單元502將本次工藝之前，反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需時間的最大值作為時間T2。本實施例所述一種能夠降低基板處理設(shè)備能耗裝置中，第一統(tǒng)計單元501，統(tǒng)計預(yù)熱腔加熱所需的時間并將本次加熱之前，預(yù)熱腔加熱所需時間的最大值作為時間T1，第二統(tǒng)計單元502，統(tǒng)計反應(yīng)腔寺丸行工藝和傳出載板所需的時間并將將本次工藝之前，反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需時間的最大值作為時間T2，控制啟動單元503，檢測預(yù)熱腔是否準備好，若是，則延遲T2-T1時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若否，則等待預(yù)熱腔準備好，并記錄等待時間T3;當T3〈(T2-T1)時，延遲(T2-T1)-T3時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)，否則直接啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)。該裝置使預(yù)熱腔加熱到設(shè)定溫度后及時傳出載板到反應(yīng)腔，從而避免了出現(xiàn)預(yù)熱腔等待反應(yīng)腔的過程，也避免了加熱系統(tǒng)在這個過程中一直在工作造成的加熱能耗，降低了PECVD設(shè)備的整體能耗。實施例六參照圖6，為本實施例所述一種能夠降低基板處理設(shè)備能耗裝置的另一種結(jié)構(gòu)圖。其中，所述基板處理設(shè)備至少包括預(yù)熱腔和反應(yīng)腔，以及在所述腔室之間傳輸?shù)妮d板。所述一種能夠降低PECVD設(shè)備能耗裝置包括第一統(tǒng)計單元601,用于統(tǒng)計預(yù)熱腔加熱所需的時間Tl;第二統(tǒng)計單元602，用于統(tǒng)計反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需的時間T2;控制啟動單元603,用于反應(yīng)腔開始工藝后，根據(jù)時間T1和T2延遲預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)的啟動時機，使預(yù)熱腔加熱到設(shè)定溫度后及時傳出載板到反應(yīng)腔。本實施例優(yōu)選的，所述控制啟動單元603包括第二啟動子單元6031，用于啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；第二檢測子單元6032,用于反應(yīng)腔開始工藝后，檢測是否有關(guān)鍵腔室處于單獨維護狀態(tài)，若是，則觸發(fā)第二計時子單元；若否，則觸發(fā)第三檢測子單元；第二計時子單元6033，用于針對第二4企測子單元4企測到有關(guān)^1建腔室處于單獨維護狀態(tài)，記錄等待時間T4;第三檢測子單元6034,用于檢測預(yù)熱腔是否準備好，若是，則當?shù)诙嫊r子單元記錄的T4小于(T2-T1)時，第二啟動子單元延遲(T2-T1-T4)時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；當?shù)诙嫊r子單元記錄的T4大于等于(T2-T1)時，第二啟動子單元直接啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若否，則觸發(fā)第三計時子單元；第三計時子單6035，用于針對第三4企測子單元4全測到預(yù)熱腔未準備好，記錄等待時間T3;當T3小于(T2-T1-T4)時，第二啟動子單元延遲(T2-T1)-T3時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；否則第二啟動子單元直4妄啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)。本實施例優(yōu)選的，所述第一統(tǒng)計單元601將本次加熱之前，預(yù)熱腔加熱所需時間的最大^f直作為時間Tl;所述第二統(tǒng)計單元602將本次工藝之前，反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需時間的最大值作為時間T2。本實施例所述一種能夠降低基板處理設(shè)備能耗裝置中，第一統(tǒng)計單元601,統(tǒng)計預(yù)熱腔加熱所需的時間并將本次加熱之前，預(yù)熱腔加熱所需時間的最大值作為時間T1，第二統(tǒng)計單元602,統(tǒng)計反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需的時間并將將本次工藝之前，反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需時間的最大值作為時間T2，控制啟動單元603，用于反應(yīng)腔開始工藝后檢測是否有關(guān)鍵腔室處于單獨維護狀態(tài)，若是，則等待所述關(guān)鍵腔室完成解除單獨維護狀態(tài)，并記錄等待時間T4;若否，則檢測預(yù)熱腔是否準備好，若是，則判斷T4是否小于(T2-T1)，若小于則延遲(T2-T1-T4)時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若大于等于則直接啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若否，則等待預(yù)熱腔準備好，記錄等待時間T3，判斷T3是否小于(T2-T1-T4)，若小于則延遲(T2-T1)-T3時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)，若大于等于則直接啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)。該裝置使預(yù)熱腔加熱到設(shè)定溫度后及時傳出載板到反應(yīng)腔，從而避免了出現(xiàn)預(yù)熱腔等待反應(yīng)腔的過程，也避免了加熱系統(tǒng)在這個過程中一直在工作造成的加熱能耗，降低了基板處理設(shè)備的整體能耗。本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。對于系統(tǒng)實施例而言，由于其與方法實施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法實施例的部分說明即可。以上對本發(fā)明所提供的一種降低基板處理設(shè)備能耗的方法及系統(tǒng)，進行述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。權(quán)利要求1、一種降低基板處理設(shè)備能耗的方法，所述基板處理設(shè)備至少包括預(yù)熱腔和反應(yīng)腔，以及在所述腔室之間傳輸?shù)妮d板，其特征在于，所述方法包括統(tǒng)計預(yù)熱腔加熱所需的時間T1，以及反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需的時間T2；其中，T2＞T1；反應(yīng)腔開始工藝后，根據(jù)時間T1和T2延遲預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)的啟動時機，使預(yù)熱腔加熱到設(shè)定溫度后及時傳出載板到反應(yīng)腔。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過以下方式延遲預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)的啟動時才幾檢測預(yù)熱腔是否準備好，若是，則延遲T2-T1時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若否，則等待預(yù)熱腔準備好，并記錄等待時間T3;當T3〈(T2-T1)時，延遲(T2-T1)-T3時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)，否則直接啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過以下方式延遲預(yù)熱月空加熱系統(tǒng)的啟動時才幾檢測是否有關(guān)鍵腔室處于單獨維護狀態(tài)，若是，則等待所述關(guān)鍵腔室解除單獨維護狀態(tài)，并記錄等待時間T4,然后繼續(xù)檢測預(yù)熱腔是否準備好；若否，則直接檢測預(yù)熱腔是否準備好；若預(yù)熱腔準備好，則判斷T4是否小于(T2-T1)，若小于，則延遲(T2-T"T4)時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若大于等于，則直^l妄啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若預(yù)熱腔未準備好，則等待預(yù)熱腔準備好，記錄等待時間T3，判斷T3是否小于(T2-T1-T4)，若小于，則延遲(T2-T1)-T3時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)，若大于等于，則直接啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)。4、根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于所述預(yù)熱腔準備好是指預(yù)熱腔完成從準備接收載板到加熱前所需的工作。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過以下方式統(tǒng)計時間Tl和T2:針對時間T1，取本次加熱之前，預(yù)熱腔加熱所需時間的最大值；針對時間T2，取本次工藝之前，反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需時間的最大值。6、一種降低基板處理設(shè)備能耗的裝置，所述基板處理設(shè)備至少包括預(yù)熱腔和反應(yīng)腔，以及在所述腔室之間傳輸?shù)妮d板，其特征在于，所述裝置包括第一統(tǒng)計單元，用于統(tǒng)計預(yù)熱腔加熱所需的時間Tl;第二統(tǒng)計單元，用于統(tǒng)計反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需的時間T2;控制啟動單元，用于反應(yīng)腔開始工藝后，根據(jù)時間T1和T2延遲預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)的啟動時機，使預(yù)熱腔加熱到設(shè)定溫度后及時傳出載板到反應(yīng)腔。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述控制啟動單元包括第一啟動子單元，用于啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；第一檢測子單元，用于反應(yīng)腔開始工藝后，檢測預(yù)熱腔是否準備好，若是，則第一啟動子單元延遲T2-T1時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若否，則觸發(fā)第一計時子單元；第一計時子單元，用于針對第一檢測子單元檢測到預(yù)熱腔未準備好，記錄等待時間T3;當T3〈(T2-T1)時，第一啟動子單元延遲(T2-T1)-T3時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)，否則第一啟動子單元直接啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)。8、根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述控制啟動單元包括第二啟動子單元，用于啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；第二檢測子單元，用于反應(yīng)腔開始工藝后，檢測是否有關(guān)鍵腔室處于單獨維護狀態(tài)，若是，則觸發(fā)第二計時子單元；若否，則觸發(fā)第三檢測子單元；第二計時子單元，用于針對第二檢測子單元檢測到有關(guān)鍵腔室處于單獨維護狀態(tài)，記錄等待時間T4;第三檢測子單元，用于檢測預(yù)熱腔是否準備好，若是，則當?shù)诙嫊r子單元記錄的T4小于(T2-T1)時，第二啟動子單元延遲(T2-T1-T4)時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；當?shù)诙嫊r子單元記錄的T4大于等于(T2-T1)時，第二啟動子單元直接啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；若否，則觸發(fā)第三計時子單元；第三計時子單元，用于針對第三檢測子單元4企測到預(yù)熱腔未準備好，記錄等待時間T3;當T3小于(T2-T1-T4)時，第二啟動子單元延遲(T2-T1)-T3時間再啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)；否則第二啟動子單元直"l矣啟動預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)。9、根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的裝置，其特征在于所述預(yù)熱腔準備好是指預(yù)熱腔完成從準備接收載板到加熱前所需的工作。10、根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于所述第一統(tǒng)計單元將本次加熱之前，預(yù)熱腔加熱所需時間的最大值作為時間Tl;所述第二統(tǒng)計單元將本次工藝之前，反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需時間的最大值作為時間T2。全文摘要本發(fā)明提供了一種降低基板處理設(shè)備能耗的方法及系統(tǒng)，能夠降低基板處理設(shè)備的整體能耗。所述方法包括統(tǒng)計預(yù)熱腔加熱所需的時間T1，以及反應(yīng)腔執(zhí)行工藝和傳出載板所需的時間T2；其中，T2＞T1；反應(yīng)腔開始工藝后，根據(jù)時間T1和T2延遲預(yù)熱腔加熱系統(tǒng)的啟動時機，使預(yù)熱腔加熱到設(shè)定溫度后及時傳出載板到反應(yīng)腔，從而避免了出現(xiàn)預(yù)熱腔等待反應(yīng)腔的過程，也避免了加熱系統(tǒng)在這個過程中一直在工作造成的加熱能耗，降低了PECVD設(shè)備的整體能耗。文檔編號H01L21/00GK101599422SQ20091008873公開日2009年12月9日申請日期2009年7月10日優(yōu)先權(quán)日2009年7月10日發(fā)明者璨易申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司