專利名稱：一種有機電致發(fā)光器件的制備方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電子元件中有機電致發(fā)光技術領域，具體涉及一種有機電致發(fā)光 器件的制備方法。
背景技術：
近年來，導電聚合物聚3， 4-乙烯基二氧噻吩(PEDOT)由于具有電導率高、 熱穩(wěn)定及透明性好等特點，逐步成為有機電子材料研究的熱點。摻雜態(tài)的PEDOT 具有較高的電導率，為一種富空穴材料，因而可以作為有機電子器件的空穴傳 輸材料。其后通過共聚的方法，拜爾公司獲得了一種電導率可調控且水溶性的 聚3， 4-乙烯基二氧瘞吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)導電聚合物膠體，它具有 環(huán)境穩(wěn)定性好以及良好的電子阻擋特性和透明性，并對ITO有良好的親合性，成 為有機電致發(fā)光器件空穴注入緩沖層的理想材料。在發(fā)光層之間引入能級和ITO 相匹配的有機材料作為空穴注入緩沖層進行界面修飾，可以增強空穴的注入效 率，從而減小開啟電壓，在一定程度上增強發(fā)光效率。目前，為了提高PEDOT:PSS 作為空穴注入層的注入效率主要有兩方面的寺艮道 一方面通過和不同有才幾溶劑 混合、加入摻雜劑以及用臭氧、等離子處理和施加電場等方法對它的空穴注入 性能進行改善，以提高器件的發(fā)光性能。另一方面通過改變空穴注入層的薄膜 結構，如采用準有序膜來代替無序旋涂膜來制備PEDOT:PSS空穴注入層，可以 明顯提高空穴注入效率，從而改善器件的發(fā)光性能。但由于PEDOT:PSS材料自 身的電導率較低，當完全采用其作為空穴注入層后，器件的空穴注入效率受到 影響。
導電聚合物納米材料由于其特殊的結構形態(tài)，^使其具有比塊體材料高得多 的電導率，因此采用納米粒子來制備有^L電致發(fā)光器件的空穴注入層，必然可 以改善空穴的注入效率。但目前針對PEDOT納米粒子來制備復合納米材料的報 道較少，由于難以獲得分散良好的聚合物體系，使得PEDOT納米粒子無法充分發(fā)揮其導電性能高的特點，因此采用一種有效的方法來獲得超薄、均勻分散的
PEDOT納米粒子復合薄膜，對于制備高性能的空穴注入層并提高有機電致發(fā)光 器件的性能具有重要意義。
從目前研究來看，對PEDOT納米粒子作為空穴注入材料的的研究取得了 一 定的進展，但也存在很多問題。首先需要解決的的是PEDOT納米粒子的分散性 問題，以及分散體系的選取。如果不能獲得分散性良好的復合納米材料，會影 響載流子的遷移速率；另外，納米復合體系的成膜性能也需要注意的問題，獲 得致密缺陷少的導電薄膜是改善器件空穴注入效率以及提高器件穩(wěn)定性的重要 保證。
OLED技術的發(fā)展在有機電致發(fā)光領域中仍然存在很多瓶頸。無論是從薄膜 的材料還是從薄膜的結構來提高器件的空穴注入效率都是至關重要的。利用已 知的具有優(yōu)良光電性能的導電聚合物材料，尤其是新型的納米結構材料，是實 現載流子注入效率的提高，而獲得高效、低成本器件的重要途徑。
發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的問題是如何提供一種有機發(fā)光電致器件的制備方法，該 方法所制備的有機電致發(fā)光器件能克服了現有技術中所存在的缺陷，改善了空穴 載流子的注入效率，提高了器件的發(fā)光效率，同時制備方法簡單易于操作。
本發(fā)明所提出的技術問題是這樣解決的提供一種有機電致發(fā)光器件的制 備方法，器件包括陽極層、陰極層以及設置在所述陽極層和陰極層之間的有機 功能層，所述有機功能層至少包括空穴注入層和發(fā)光層，所述發(fā)光層在外加電 源的驅動下發(fā)光，其特征在于，制備方法包括以下步驟
(1) 將器件陽極層襯底進行表面清潔干燥處理；
(2) 將可溶性導電聚合物與導電聚合物納米粒子混合均勻，形成導電聚合物 納米復合材料；
(3) 將步驟(2)得到的導電聚合物納米復合材料旋涂于器件陽極表面作為 空穴注入層；(4) 將制備了空穴注入層的陽極層襯底轉移至有機真空蒸發(fā)室，按照器件結 構依次蒸鍍有機功能層，所述有機功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳 輸層；
(5) 在有機層蒸鍍結束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進行陰極層的制備；
(6) 將步驟(5)所得到的器件傳送到手套箱進行封裝，手套箱為氮氣氛圍；
(7) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時測試器件的發(fā)光光譜參數。 按照本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述可
溶性導電聚合物包括3， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸，導電聚合物納米粒子 材料包括3， 4-聚乙撐二氧噻吩、聚吡咯和聚苯胺。
按照本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，可溶性 導電聚合物具有良好的成膜特性，可與導電聚合物納米粒子形成良好^t體系。
按照本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空 穴注入層制備過程中，可以選擇不同的導電聚合物納米粒子來獲得不同納米復 合材料作為空穴注入層。
按照本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有 機功能層還包括空穴傳輸層或者電子傳輸層。
按照本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā) 光層是發(fā)出藍光的熒光材料層或者發(fā)出綠光的熒光材料層或者發(fā)出紅光的摻雜 材料層，在所述外加電源的驅動下，發(fā)出藍光或者綠光或者紅光。
按照本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述陽 極層是金屬氧化物薄膜或者金屬薄膜，該金屬氧化物薄膜可以是ITO薄膜或者 氧化鋅薄膜或氧化錫鋅薄膜，該金屬薄膜可以是金、銅、銀等功函數較高的金 屬薄膜；所述陰極層是金屬薄膜或合金薄膜，該金屬薄膜可以是鋰或鎂或釣或 鍶或鋁或銦等功函數較低的金屬薄膜或它們與銅或金或銀等的合金薄膜。
按照本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電 子傳輸層是金屬配合物材料或者噁二唑類電子傳輸材料，或者咪唑類電子傳輸 材料；所述空穴傳輸材料是芳香族二胺類化合物或星形三苯胺化合物。
按照本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)
7藍光的熒光材料層是雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(對苯基苯酚)鋁(BAlq)或者9，10-二 -(2-萘基)蒽(ADN或BAN);所述發(fā)出綠光的熒光材料層是Alq3 ;所述的發(fā)出紅 色的摻雜熒光材料為Alq3:DCJTB摻雜型材料，主體材料為Alq3,或者ADN等 能級差異較大的材料，摻雜染料一般為DCJTB或者DCM或者DCM1等紅光染 料。
按照本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以 下步驟
(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對陽極層襯底進行超聲清洗，清洗后 用干燥氮氣吹干；
(2) 將3， 4-聚乙撐二氧噢吩/聚苯乙烯磺酸和3， 4-聚乙撐二氧噻吩納米粒 子超聲^t,形成穩(wěn)定^lt體系，兩者的質量比為1: 1;
(3) 將步驟(2)得到^t體系采用旋涂的方法沉積于陽極層表面，作為器 件空穴注入層；
(4) 將沉積了空穴注入層的陽極層襯底轉移至有機真空蒸發(fā)室，按照器件結 構依次蒸鍍有機功能層，所述有機功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳 輸層；
(5) 在有機層蒸鍍結束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進行電極的制備，所 述電極包括陰極層或者陽極層；
(6) 將#支好的器件傳送到手套箱進行封裝，器件結構自下而上為陽極層、3， 4-聚乙撐二氧嗜吩/聚苯乙烯磺^/3, 4-聚乙撐二氧噻吩納米粒子、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層、陰極層，手套箱為氮氣氛圍；
(7) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時測試器件的發(fā)光光鐠參數。 按照本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以
下步驟
(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對陽極層襯底進行超聲清洗，清洗后 用干燥氮氣吹干；
(2) 將3, 4-聚乙撐二氧瘞呤/聚苯乙烯磺酸和聚吡咯納米粒子超聲^:，形 成穩(wěn)定M體系，兩者的質量比為1: 1;
8(3) 將3， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺^/聚吡咯納米粒子形成的分散體系 采用旋涂的方法沉積于陽^l層表面，作為器件空穴注入層；
(4) 將沉積了空穴注入層的陽極層襯底轉移至有機真空蒸發(fā)室，按照器件結 構依次蒸鍍有機功能層，所述有機功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳 輸層；
(5) 在有機層蒸鍍結束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進行陰極層的制備；
(6) 將步驟(5)得到的器件傳送到手套箱進行封裝，器件的結構自下而上 為陽極層、3， 4-聚乙撐二氧遙吩/聚苯乙烯磺^/聚吡咯納米粒子、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層，手套箱為氮氣氛圍；
(7) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時測試器件的發(fā)光光譜參數。 按照本發(fā)明所提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以
下步驟
(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對陽極層襯底進行超聲清洗，清洗后 用干燥氮氣吹干；
(2) 將3, 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸和聚苯胺納米粒子超聲分散，形 成穩(wěn)定M體系，兩者的質量比為1: 1;
(3) 將3， 4-聚乙撐二氧噢吩/聚苯乙烯磺^/聚苯胺納米粒子形成的分散體系 采用旋涂的方法沉積于陽極層表面，作為器件空穴注入層；
(4) 將沉積了空穴注入層的陽極層襯底轉移至有機真空蒸發(fā)室，按照器件結 構依次蒸鍍有機功能層，所述有機功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳 輸層；
(5) 在有機層蒸鍍結束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進行陰極層的制備；
(6) 將步驟(5)得到的器件傳送到手套箱進行封裝，器件的結構為陽極層、 3， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺^/聚苯胺納米粒子、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層、陰極層，手套箱為氮氣氛圍；
(7) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時測試器件的發(fā)光光譜參數。 本發(fā)明所提供的一種有機電致發(fā)光器件的制備方法中空穴注入層通過旋涂
法獲得，空穴注入材料采用了導電聚合物/導電聚合物納米粒子復合體系，由于
9有機材料間良好的匹配性能，使得復合納米材料具有較高的導電性能，通過復 合膜厚度的控制，可以實現空穴注入效率的提高。制備方法合理簡單，易于操 作，與器件其它結構的制備工藝兼容。采用的可溶性導電聚合物與納米粒子組
成了良好的復合體系，具有較好的成膜性能，同時對ITO粗糙表面具有一定的 平滑作用。這種有序納米薄膜結構可以有效的減小陽極層與空穴傳輸層之間接 觸勢壘，增加空穴栽流子的注入效率，提高OLED器件的發(fā)光效率。
空穴注入層中的導電聚合物納米粒子通常是通過化學原位聚合的方法獲 得，具有較大的比表面積和高的電導率，發(fā)明不僅用于制作高發(fā)光效率、長壽 命的有機電致發(fā)光顯示器件，而且可應用于彩色液晶顯示的背光燈、照明燈板 等領域。
圖l是導電聚合物多層有序膜作為空穴注入層后器件原理其中，1、陽極層，2、空穴注入層(導電聚合物納米粒子復合薄膜)，3、
空穴傳輸層，4、發(fā)光層，5、電子傳輸層，6、陰極層，7、外加電源。
具體實施例方式
下面結合附圖以及實施例對本發(fā)明作進一步的說明。
本發(fā)明提供了一種在陽極層上構筑導電聚合物復合納米薄膜作為空穴注入 層的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。通過將比表面積大、導電性好的納米粒 子與成膜性能好的可溶性導電聚合物復合，得到分散良好的納米復合體系，然 后將其采用旋涂的方法制備于陽極表面。得到導電聚合物/導電聚合物納米粒子 復合納米薄膜結構作為OLED器件的空穴注入層，空穴注入層的厚度可以通過 復合體系的濃度及旋涂轉速來進行調控?？昭ㄗ⑷雽又苽渫旰螅梢酝ㄟ^常規(guī) 方法制備器件其它功能層，空穴注入層的制備方法與OLED器件的制備工藝兼 容。
圖l是導電聚合物多層有序膜作為空穴注入層后器件原理圖，其中1、陽 極層，2、空穴注入層(導電聚合物納米粒子復合薄膜)，3、空穴傳輸層，4、 發(fā)光層，5、電子傳輸層，6、陰極層，7、外加電源。空穴注入層2可以通過選 擇不同的導電聚合物納米粒子來構筑不同的空穴注入層薄膜。本發(fā)明的特點是采用了一種層狀納米粒子復合體系結構作為OLED器件的 空穴注入層，空穴注入層的厚度不僅可以通過工藝參數進行調節(jié)，同時可以通 過不同納米粒子尺寸的控制來實現空穴注入效率的改變。
依托成熟的旋涂成膜方法，以及納米復合體系良好的成膜特性，本發(fā)明制 備的空穴注入層可以轉移至多種基片上，并實現大面積成膜，適宜于大面積 OLED器件的制備。.
采用本發(fā)明制備的一些有機電致發(fā)光器件舉例如下
① 陽極/3， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺^/3， 4-聚乙撐二氧噻吩/空穴傳輸 層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極；
② 陽極/3， 4-聚乙撐二氧瘞吩/聚苯乙烯磺酸/聚吡咯納米粒子/空穴傳輸層/ 發(fā)光層/電子傳輸層/陰極；
③ 陽極3， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸/聚苯胺納米粒子/空穴傳輸層/ 發(fā)光層/電子傳輸層/陰極；
以下是本發(fā)明的具體實施例
實施例1
如圖l所示，器件結構中的有機功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子 傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB，發(fā)光層材料為BAlq或者Alq3，電子傳輸 材料為Alq3，陰極層用Mg:Ag合金。整個器件結構描述為
玻璃襯底/ITO /{3， 4-聚乙撐二氧漆吩/聚苯乙烯磺粉3， 4-聚乙撐二氧瘞吩 納米粒子(粒徑20nm) /NPB(30nm)/BAlq(10mn)/Alq3(10nm)/Mg:Ag(90nm)
制備方法如下
(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對陽極襯底進行超聲清洗，清洗后用 干燥氮氣吹干；
(2) 將3， 4-聚乙撐二氧壘吩/聚苯乙烯磺酸和3， 4-聚乙撐二氧噻吩納米粒 子超聲分敉，形成穩(wěn)定分散體系，兩者的質量比為1: 1;
(3) 將3， 4-聚乙撐二氧噢吩/聚苯乙烯磺^/3， 4-聚乙撐二氧噻吩納米粒子 采用旋涂的方法(轉速為500r/min)沉積于陽極表面，作為器件空穴注入層；(8) 將沉積完空穴注入層后的基片轉移至有機真空蒸發(fā)室，待室內氣壓為 4xl0,a,開始進行有機薄膜的蒸鍍。按照如上所述器件結構依次蒸鍍的空穴傳 輸層NPB為30nm,發(fā)光層材料BAlq層10 nm， Al化層10 nm并且兼作電子 傳輸層。各有機層的蒸鍍速率0.1nm/s，蒸鍍速率及厚度由安裝在基片附近的膜 厚儀監(jiān)控；
(9) 在有機層蒸鍍結束后將基片傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進行金屬電極的制 備。其氣壓為3xlO-3pa，蒸鍍速率為1 nm/s，合金中Mg， Ag比例為~ 10:1，膜 層厚度為90nm。蒸鍍速率及厚度由安裝在基片附近的膜厚儀監(jiān)控；
(10) 將^故好的器件傳送到手套箱進行封裝，手套箱為99.9%氮氣氛圍；
(11) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時測試器件的發(fā)光光鐠參數。 實施例2
如圖l所示，器件結構中的有機功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子 傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB，發(fā)光層材料為BAlq或者Alq3，電子傳輸 材料為Alq3，陰極層用Mg:Ag合金。整個器件結構描述為
玻璃襯底/ITO /{3， 4-聚乙撐二氧瘞吩/聚苯乙烯磺粉3， 4-聚乙撐二氧漆吩 納米粒子(粒徑30nm) /NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3(10 nm)/Mg'.Ag(90 nm)
器件的制備流程與實施方式1相同 實施例3
如圖l所示，器件結構中的有機功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子 傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB，發(fā)光層材^T十為BAIq或者Alq3，電子傳輸 材料為Alq3，陰極層用Mg:Ag合金。整個器件結構描述為
玻璃襯底/IT0/(3, 4-聚乙撐二氧瘞吩/聚苯乙烯磺^/聚吡咯納米粒子(粒徑 20腿)/ NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3 (10 nm)/Mg:Ag(90腿)
器件的制備流程與實施方式1相同 實施例4
如圖l所示，器件結構中的有機功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子
12傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB，發(fā)光層材料為BAlq或者Alq3，電子傳輸
材料為Alq3，陰極層用Mg:Ag合金。整個器件結構描述為
玻璃襯底/1丁0/{3, 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺^/聚吡咯納米粒子(粒徑
10nm) / NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3 (10 nm)/Mg:Ag(90 nm) 器件的制備流程與實施方式1相同
實施例5
如圖1所示，器件結構中的有機功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子 傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB，發(fā)光層材料為BAlq或者Alq3，電子傳輸 材料為Alq3,陰極層用Mg:Ag合金。整個器件結構描述為
玻璃襯底/ITO/p， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺^/聚苯胺納米粒子(粒徑 15nm) / NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3 (10腿)/Mg:Ag(90 nm)
器件的制備流程與實施方式1相同 實施例6
如圖l所示，器件結構中的有機功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子 傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB,發(fā)光層材料為BAlq或者Alq3，電子傳輸 材料為Alq3，陰極層用Mg:Ag合金。整個器件結構描述為
玻璃襯底/ITO/卩，4-聚乙撐二氧瘞汾/聚苯乙烯磺^/聚苯胺納米粒子(粒徑 20nm) / NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3 (10 nm)/Mg:Ag(90應)
器件的制備流程與實施方式1相同。
1權利要求
1、一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，器件包括陽極層、陰極層以及設置在所述陽極層和陰極層之間的有機功能層，所述有機功能層至少包括空穴注入層和發(fā)光層，所述發(fā)光層在外加電源的驅動下發(fā)光，其特征在于，制備方法包括以下步驟(1)將器件陽極層襯底進行表面清潔干燥處理；(2)將可溶性導電聚合物與導電聚合物納米粒子混合均勻，形成導電聚合物納米復合材料；(3)將步驟(2)得到的導電聚合物納米復合材料旋涂于器件陽極表面作為空穴注入層；(4)將制備了空穴注入層的陽極層襯底轉移至有機真空蒸發(fā)室，按照器件結構依次蒸鍍有機功能層，所述有機功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳輸層；(5)在有機層蒸鍍結束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進行陰極層的制備；(6)將步驟(5)所得到的器件傳送到手套箱進行封裝，手套箱為氮氣氛圍；(7)測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時測試器件的發(fā)光光譜參數。
2、 根據權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所 述可溶性導電聚合物包括3， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸，導電聚合物納米 粒子材料包括3， 4-聚乙撐二氧瘞吩、聚吡咯和聚苯胺。
3、 根據權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所 述有機功能層還包括空穴傳輸層或者電子傳輸層。
4、 根據權利要求l所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所摻雜材料層，在所述外加電源的驅動下，發(fā)出藍光或者綠光或者紅光。
5、 根據權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所 述電子傳輸層是金屬配合物材料或者噁二唑類電子傳輸材料，或者咪唑類電子 傳輸材料；所述空穴傳輸材料是芳香族二胺類化合物或星形三苯胺化合物。
6、 根據權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所 述發(fā)藍光的熒光材料層是雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(對苯基苯酚)鋁或者9，10-二-(2-萘基)蒽；所述發(fā)出綠光的熒光材料層是Alq3 ;所述的發(fā)出紅色的摻雜熒光材料 為Alq3:DCJTB摻雜型材料，主體材料為Alq3，或者ADN，摻雜染料為DCJTB 或者DCM或者DCM1紅光染料。
7、 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對陽極層襯底進行超聲清洗，清洗后 用干燥氮氣吹干；(2) 將3, 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸和3, 4-聚乙撐二氧噻吩納米粒 子超聲^t，形成穩(wěn)定分散體系，兩者的質量比為1: 1;(3) 將步驟(2)得到分散體系采用旋涂的方法沉積于陽極層表面，作為器 件空穴注入層；(4) 將沉積了空穴注入層的陽極層襯底轉移至有機真空蒸發(fā)室，按照器件結 構依次蒸鍍有機功能層，所述有機功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳 輸層；(5) 在有機層蒸鍍結束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進行電極的制備，所 述電極包括陰極層或者陽極層；(6) 將做好的器件傳送到手套箱進行封裝，器件結構自下而上為陽極層、3， 4-聚乙撐二氧噢吩/聚苯乙烯磺^/3， 4-聚乙撐二氧瘞吩納米粒子、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層、陰極層，手套箱為氮氣氛圍；(7) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時測試器件的發(fā)光光譜參數。
8、 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對陽極層襯底進行超聲清洗，清洗后 用干燥氮氣吹干；(2) 將3， 4-聚乙撐二氧瘞吩/聚苯乙烯磺酸和聚吡咯納米粒子超聲分敉，形 成穩(wěn)定*體系，兩者的質量比為1: 1;(3) 將3, 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺^/聚吡咯納米粒子形成的^t體系 采用旋涂的方法沉積于陽極層表面，作為器件空穴注入層；(4) 將沉積了空穴注入層的陽極層襯底轉移至有機真空蒸發(fā)室，按照器件結 構依次蒸鍍有機功能層，所述有機功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳輸層；(5) 在有機層蒸鍍結束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進行陰極層的制備；(6) 將步驟(5)得到的器件傳送到手套箱進行封裝，器件的結構自下而上 為陽極層、3, 4-聚乙撐二氧瘞吩/聚苯乙烯磺^/聚吡咯納米粒子、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層和陰4及層，手套箱為氮氣氛圍；(7) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時測試器件的發(fā)光光鐠參數。
9、 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子7K對陽極層襯底進行超聲清洗，清洗后 用干燥氮氣吹干；(2) 將3， 4-聚乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸和聚苯胺納米粒子超聲分散，形 成穩(wěn)定*體系，兩者的質量比為1: 1;(3) 將3， 4-聚乙撐二氧噢吩/聚苯乙烯磺^/聚苯胺納米粒子形成的分散體系 采用旋涂的方法沉積于陽極層表面，作為器件空穴注入層；(4) 將沉積了空穴注入層的陽極層襯底轉移至有機真空蒸發(fā)室，按照器件結 構依次蒸鍍有機功能層，所述有機功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳 輸層；(5) 在有機層蒸鍍結束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進行陰極層的制備；(6) 將步驟(5)得到的器件傳送到手套箱進行封裝，器件的結構為陽極層、 3， 4-聚乙撐二氧p塞吩/聚苯乙烯磺紛聚苯胺納米粒子、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層、陰極層，手套箱為氮氣氛圍；(7) 測試器件的電流-電壓-亮度特性，同時測試器件的發(fā)光光譜參數。
全文摘要
本發(fā)明公開了的一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，首先在器件陽極上構筑導電聚合物/導電聚合物納米粒子復合材料作為器件的空穴注入層，再進行器件其它功能層及電極薄膜的制備?？昭ㄗ⑷雽又械膶щ娋酆衔锇藢щ娋酆衔锛捌浼{米粒子，具有電導率高、薄膜平整度好的特點。本發(fā)明不僅用于制作高發(fā)光效率、長壽命的有機電致發(fā)光顯示器件，而且可應用于彩色液晶顯示的背光燈、照明燈板等領域。
文檔編號H01L51/52GK101540379SQ20091005906
公開日2009年9月23日 申請日期2009年4月24日 優(yōu)先權日2009年4月24日
發(fā)明者徐建華, 楊亞杰, 蔣亞東 申請人:電子科技大學