專利名稱：一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元件中有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。背景技木
隨著近幾年來納米科技的發(fā)展，在孩i米和納米尺度的范圍內(nèi)具有規(guī)則形貌(如具有球、線、帶、管等形狀)的材料成為各國科學(xué)家的研究熱點(diǎn)之一。微/納米結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電聚合物還可能由于表面效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)和量子隧道效應(yīng)等使其具有其它特殊性能，如載流子遷移率高等優(yōu)點(diǎn)。
近年來，導(dǎo)電聚合物聚3， 4-乙烯基二氧噻吩(PEDOT)由于具有電導(dǎo)率高、熱穩(wěn)定及透明性好等特點(diǎn)，逐步成為有機(jī)電子材料研究的熱點(diǎn)。摻雜態(tài)的PEDOT具有較高的電導(dǎo)率，為一種富空穴材料，因而可以作為有機(jī)電子器件的空穴傳輸材料。
Zhang等人以多孔氧化鋁(AAO)為模板，以化學(xué)聚合方法制備了 PEDOT納米線及納米管。他們首先采用負(fù)壓注入的方法將單體溶液注入AA0 4莫板的孔中，然后再將含有氧化劑的模板浸入氧化劑中發(fā)生聚合，從而得到PEDOT的納米管和納米線。通過控制氧化劑的濃度和反應(yīng)溫度，可以得到管壁厚度可控的一系列納米管，這種納米管可以較好的分散于乙醇溶液中。他們將含有管壁厚度小于20 nm的納米管液滴滴到基片上，待溶劑揮發(fā)后可以得到透明的薄膜，在有機(jī)電子和光電子材料方面具有很好的應(yīng)用前景。
作為有機(jī)電致發(fā)光的空穴注入層，不僅需要材料具有較好的導(dǎo)電性能使得載流予的遷移效率高，同時(shí)要與電極有良好的匹配從而提高載流子的注入效率，因此PEDOT納米線^f更成為理想的空穴傳輸材料，因此采用 一種有效的方法來獲得超薄、高度有序的導(dǎo)電聚合物納米線薄膜，對(duì)于制備高性能的空穴傳輸層并提高有機(jī)電致發(fā)光器件的性能具有重要意義。
目前，以導(dǎo)電聚合物納米線來作為空穴傳輸材料的報(bào)道很少，由于難以獲得分散性良好并與有效的組裝方法結(jié)合，這類材料很難形成致密無缺陷的薄膜結(jié)構(gòu)，因此限制了其在有機(jī)電致發(fā)光器件上的應(yīng)用，因此迫切需要一種方法來
得到結(jié)構(gòu)上緊密排列并嚴(yán)4各有序的導(dǎo)電聚合物納米線結(jié)構(gòu)。
LB拉膜技術(shù)能夠精密的構(gòu)造二維有序組合體，尤其是納米結(jié)構(gòu)陣列化和高密度納米有序薄膜制備的有力工具。Gibson等人利用其實(shí)現(xiàn)了表面活性劑修飾的直徑僅為1.4nm的Au55納米微粒的有序組裝。除了組裝零維納米微粒外，Lieber研究組用LB拉膜技術(shù)組裝Si/Si02核-殼結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米線，形成不同間距的大面積、高密度納米線有序陣列。目前，以LB膜技術(shù)來進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)有序排列還處于起步階段，尤其對(duì)聚合物類型材料研究很少，而采用這種方法得到的有序排列納米結(jié)構(gòu)薄膜由于具有高密度、大面積的優(yōu)點(diǎn)，是有機(jī)電致發(fā)光器件空穴傳輸層的理想材料。
盡管近年來OLED技術(shù)已取得長(zhǎng)足的進(jìn)步，但是目前的技術(shù)在有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域中仍然存在很多瓶頸。無論是從薄膜的材料還是從薄膜的結(jié)構(gòu)來提高器件的空穴傳輸率都是至關(guān)重要的。尤其是利用已知的具有優(yōu)良光電性能的導(dǎo)電聚合物材料、尤其是納米結(jié)構(gòu)材料，采用結(jié)構(gòu)優(yōu)化、盡可能提高器件性能的結(jié)構(gòu)，如LB膜法或者靜電自組裝等方法，實(shí)現(xiàn)載流子注入效率的提高，而得到高效、低成本的器件方面，特別需要人們?nèi)ゲ粩嗟奶剿鳌?br>
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題是如何提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，利用該方法所制得的有機(jī)電致發(fā)光器件能克服現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，提高了空穴注入的效率，提高了器件的發(fā)光效率，同時(shí)制備方法簡(jiǎn)單易于操作。
本發(fā)明所提出的技術(shù)問題是這樣解決的提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，器件包括陽極層、陰極層以及設(shè)置在所述陽極層和陰極層之間的有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層至少包括空穴注入層和發(fā)光層，所述發(fā)光層在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光，其特征在于，制備方法包括以下步驟
(1) 將器件陽極層襯底進(jìn)行表面清潔干燥處理；
(2) 將導(dǎo)電聚合物納米線超聲分散溶于有機(jī)溶劑中，形成導(dǎo)良好的分散體
系；
6(3) 將步驟(2)得到的導(dǎo)電聚合物納米線溶液滴加于亞相，并在氣/液界面壓膜形成納米線薄膜；
(4) 控制LB拉膜機(jī)滑障壓縮步驟(3)得到的納米線薄膜到成膜膜壓，采用垂直成膜的方式將納米線薄膜轉(zhuǎn)移至步驟(1)得到的陽極層襯底上形成空穴注入層；
(5) 將形成了空穴注入層的陽極層襯底轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，按照器件結(jié)構(gòu)依次蒸鍍有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳輸層；
(6) 在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行陰極層的制備；
(7) 將步驟(6)所得到的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，手套箱為氮?dú)夥諊?br> (8) 測(cè)試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測(cè)試器件的發(fā)光光譜參數(shù)。按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電
聚合物納米線材料包括3， 4-聚乙撐二氧噻吩和聚吡咯。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，導(dǎo)電聚合物納米線能夠在有機(jī)溶劑中形成穩(wěn)定的分散體系。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層制備過程中，通過選擇不同的導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)而在陽極層上得到不同的導(dǎo)電有序納米薄膜結(jié)構(gòu)。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)功能層還包括空穴傳輸層或者電子傳輸層。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光層是發(fā)出藍(lán)光的熒光材料層或者發(fā)出綠光的熒光材料層或者發(fā)出紅光的摻雜材料層，在所述外加電源的驅(qū)動(dòng)下，發(fā)出藍(lán)光或者綠光或者紅光。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述陽極層是金屬氧化物薄膜或者金屬薄膜，該金屬氧化物薄膜可以是ITO薄膜或者氧化鋅薄膜或氧化錫鋅薄膜，該金屬薄膜可以是金、銅、銀等功函數(shù)較高的金屬薄膜；所述陰極層是金屬薄膜或合金薄膜，該金屬薄膜可以是鋰或鎂或鈣或鍶或鋁或銦等功函數(shù)較低的金屬薄膜或它們與銅或金或銀等的合金薄膜。按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電 子傳輸層是金屬配合物材料或者噁二唑類電子傳輸材料，或者咪唑類電子傳輸
材料；所述空穴傳輸材料可以是芳香族二胺類化合物或星形三苯胺化合物。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā) 藍(lán)光的熒光材料層是雙(2-曱基-8-羥基喹啉)(對(duì)苯基苯酚)鋁(BAlq)或者9，10-二 -(2-萘基)蒽(ADN或BAN);所述發(fā)出綠光的熒光材料層是Alq3 ;所述的發(fā)出紅 色的摻雜熒光材料為Alq3:DCJTB摻雜型材料，主體材料為Alq3，或者ADN等 能級(jí)差異較大的材料，摻雜染料一般為DCJTB或者DCM或者DCM1等紅光染 料。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以 下步驟
(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對(duì)陽極層襯底進(jìn)行超聲清洗，清洗后 用干燥氮?dú)獯蹈桑?br> (2) 將3， 4-聚乙撐二氧噻吩納米線超聲分散溶于丙酮-氯仿中，納米線的濃 度為0.8 mg/ml,以便形成良好的^c體系溶液；
(3) 采用微量進(jìn)樣器抽取100^13， 4-聚乙撐二氧瘞吩納米線/丙酮-氯仿溶液 滴加于亞相，待溶劑揮發(fā)20 min后開始?jí)耗?，此時(shí)在氣/液界面已形成3, 4-聚 乙撐二氧噢吩納米線薄膜；
(4) 控制LB拉膜機(jī)滑障以3 mm/min的速度壓縮納米線薄膜到30 mN/m的 膜壓，采用垂直成膜的方式將納米線薄膜轉(zhuǎn)移至步驟(1)得到的陽極層襯底上， 成膜速率為1 mm/min，得到3， 4-聚乙撐二氧p塞吩納米線有序薄膜，亦是器件 的空穴注入層；
(5) 將制備了空穴注入層的陽極層襯底轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，按照器件結(jié) 構(gòu)依次蒸鍍有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳 輸層；
(6) 在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行陰極層的制備； CO將步驟(6)所得到的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，手套箱為氮?dú)夥諊?br> 器件結(jié)構(gòu)為陽極層/3， 4-聚乙撐二氧瘞吩納米線/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層
8/陰極層；
(8)測(cè)試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測(cè)試器件的發(fā)光光語參數(shù)。 按照本發(fā)明所提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以 下步驟
(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對(duì)陽極襯底進(jìn)行超聲清洗，清洗后用 干燥氮?dú)獯蹈桑?br> (2) 將聚吡咯納米線超聲分散溶于四氰呋喃-氯仿中，納米線的濃度為1.0 mg/ml，以便形成良好的分散體系溶液；
(3) 采用^f敬量進(jìn)樣器抽取100 nl聚吡咯納米線/四氰呋喃-氯仿滴加于亞相， 待溶劑揮發(fā)20 min后開始?jí)耗ぃ藭r(shí)在氣/液界面已形成聚吡咯納米線薄膜；
(4) 控制LB拉膜才幾滑障以3 mm/min的速度壓縮納米線薄膜到30 mN/m的 膜壓，采用垂直成膜的方式將納米線薄膜轉(zhuǎn)移至步驟(1)得到的陽極層襯底上， 成膜速率為1 mm/min,得到聚吡咯納米線有序薄膜，亦是器件的空穴注入層；
(5) 將沉積了空穴注入層的基片轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，按照器件結(jié)構(gòu)依次 蒸鍍有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳輸層；
(6) 在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行陰極層的制備；
(7) 將步驟(6)得到的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，手套箱為氮?dú)夥諊?陽極層/聚吡咯納米線/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極層；
(8) 測(cè)試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測(cè)試器件的發(fā)光光語參數(shù)。 按照本發(fā)明的制備方法所得的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括以下
幾種結(jié)構(gòu)
① 陽極/3， 4-聚乙撐二氧噻吩納米線/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極；
② 陽極/聚吡咯納米線/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極。 本發(fā)明所提供的一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法中，通過將導(dǎo)電聚合物
納米線組成良好^L體系，將其鋪展于亞相中，通過LB膜動(dòng)態(tài)壓縮方法及納米 結(jié)構(gòu)的自組裝在界面形成致密有序的導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)薄膜，并將其轉(zhuǎn)移至 陽極基片表面作為器件的空穴注入層，再進(jìn)行器件其它功能層及電極薄膜的制 備。在OLED器件的陽極上構(gòu)筑一種納米結(jié)構(gòu)有序排列薄膜作為器件的空穴注入層，提高器件的空穴注入效率，該層有序納米薄膜的構(gòu)筑采用了普通LB膜法，
制備方法合理簡(jiǎn)單，易于梯:作，與器件其它結(jié)構(gòu)的制備工藝兼容。可通過不同 材料納米線的組裝實(shí)現(xiàn)不同導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)有序膜作為空穴注入層，并實(shí) 現(xiàn)大面積成膜。這種有序納米薄膜結(jié)構(gòu)可以有效的減小陽極層與空穴傳輸層之
間接觸勢(shì)壘，增加空穴載流子的注入效率，提高OLED器件的發(fā)光效率。
空穴注入層中的導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)緊密有序排列，具有電導(dǎo)率高、取向有 序的特點(diǎn)。本發(fā)明不僅用于制作高發(fā)光效率、長(zhǎng)壽命的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件， 而且可應(yīng)用于彩色液晶顯示的背光燈、照明燈板等領(lǐng)域。


圖1是導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)有序膜作為空穴注入層后器件原理圖。
其中，1、陽極層，2、空穴注入層(導(dǎo)電聚合物納米線有序膜)，3、空穴 傳輸層，4、發(fā)光層，5、電子傳輸層，6、陰極層，7、外加電源。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖以及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
本發(fā)明提供了一種在陽極層上構(gòu)筑導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)有序薄膜作為空穴 注入層的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。通過將導(dǎo)電聚合物納米線組成良好 ^t體系，將其鋪展于亞相中，通過LB膜動(dòng)態(tài)壓縮方法及納米結(jié)構(gòu)的自組裝在 界面形成致密有序的導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)薄膜，并將其轉(zhuǎn)移至陽極基片表面作 為器件的空穴注入層，再進(jìn)行器件其它功能層及電極薄膜的制備。在OLED器 件的陽極上構(gòu)筑一種納米結(jié)構(gòu)有序排列薄膜作為器件的空穴注入層，提高器件 的空穴注入效率，該層有序納米薄膜的構(gòu)筑采用了普通LB膜法，制備方法合理 筒單，易于操作，可以通過常規(guī)方法制備器件其它功能層，空穴注入層的制備 方法與OLED器件的制備工藝兼容。
圖l是導(dǎo)電聚合物多層有序膜作為空穴注入層后器件原理圖，其中1、陽 極層，2、空穴注入層(導(dǎo)電聚合物納米線有序膜)，3、空穴傳輸層，4、發(fā)光 層，5、電子傳輸層，6、陰極層，7、外加電源。2可以通過選擇不同的導(dǎo)電聚 合物材料來構(gòu)筑不同的有序膜。
本發(fā)明的特點(diǎn)是采用了一種納米線結(jié)構(gòu)致密有序排列薄膜作為OLED器件的空穴注入層，空穴注入層的厚度可以通過納米線的直徑來進(jìn)行調(diào)控。
依托成熟的LB膜成膜方法，本發(fā)明制備的空穴注入層嚴(yán)格有序并可控，可 以轉(zhuǎn)移至多種基片上，并實(shí)現(xiàn)大面積成膜，適宜于大面積OLED器件的制備。 采用本發(fā)明制備的一些有機(jī)電致發(fā)光器件舉例如下
① 陽極/3, 4-聚乙撐二氧瘞吩納米線/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極；
② 陽才57聚吡咯納米線/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極。 以下是本發(fā)明的具體實(shí)施例
實(shí)施例1
如圖l所示，器件結(jié)構(gòu)中的有機(jī)功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子 傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍(lán)色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB,發(fā)光層材料為BAlq或者Alq3,電子傳輸 材料為Alq3,陰極層用Mg:Ag合金。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)描述為
玻璃襯底/ITO /3， 4-聚乙撐二氧噻吩納米線(直徑20nm) / NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3(10 nm)/Mg:Ag(90 nm)
制備方法如下
(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對(duì)陽4及層襯底進(jìn)行超聲清洗，清洗后
用干燥氮?dú)獯蹈桑?br> (2) 將3， 4-聚乙撐二氧噻吩納米線超聲M溶于丙酮/氯仿中，納米線的濃 度為0.8mg/ml，以便形成良好的^t體系溶液；
(3) 采用微量進(jìn)樣器抽取100fi13, 4-聚乙撐二氧噻吩納米線/丙酮-氯仿溶液 滴加于亞相，待溶劑揮發(fā)20 min后開始?jí)耗?，此時(shí)在氣/液界面已形成3， 4-聚 乙撐二氧噻吩納米線薄膜；
(4) 控制LB拉膜機(jī)滑障以3 mm/min的速度壓縮納米線薄膜到30 mN/m的 膜壓，將處理后的基片采用垂直成膜的方式將納米線薄膜轉(zhuǎn)移至基片上，成膜 速率為1 mm/min，得到3， 4-聚乙撐二氧噻吩納米線有序薄膜，亦是器件的空 穴注入層；
(5) 將沉積完空穴注入層后的基片轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，待室內(nèi)氣壓為 4xl04Pa，開始進(jìn)行有機(jī)薄膜的蒸鍍。按照如上所述器件結(jié)構(gòu)依次蒸鍍的空穴傳
ii輸層NPB為30nm,發(fā)光層材料BAlq層10 nm， Alq3層10 nm并且兼作電子 傳輸層。各有機(jī)層的蒸鍍速率0.1nm/s,蒸鍍速率及厚度由安裝在基片附近的膜 厚儀監(jiān)控；
(6) 在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將基片傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行金屬電極的 制備。其氣壓為3xl(T3Pa，蒸鍍速率為lnm/s，合金中Mg， Ag比例為 10:l， 膜層厚度為90nm。蒸鍍速率及厚度由安裝在基片附近的膜厚儀監(jiān)控；
(7) 將做好的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，手套箱為99.9%氮?dú)夥諊?br> (8) 測(cè)試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測(cè)試器件的發(fā)光光譜參數(shù)。 實(shí)施例2
如圖l所示，器件結(jié)構(gòu)中的有機(jī)功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子 傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍(lán)色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB，發(fā)光層材料為BAlq或者Alq3,電子傳輸 材料為Alq3，陰極層用Mg:Ag合金。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)描述為
玻璃襯底/ITO /3, 4-聚乙撐二氧噻吩納米線(直徑40 nm) / NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3 (10 nm)/Mg:Ag(90 nm) 器件的制備流程與實(shí)施方式1相同。 實(shí)施例3
如圖l所示，器件結(jié)構(gòu)中的有機(jī)功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子 傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍(lán)色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB，發(fā)光層材料為BAlq或者Alq3，電子傳輸 材料為Alq3,陰極層用Mg:Ag合金。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)描述為
玻璃襯底/ITO /聚吡咯納米線(直徑30 nm) / NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3 (10 nm)/Mg:Ag(90 nm)
器件的制備流程與實(shí)施方式1相同。 實(shí)施例4
如圖l所示，器件結(jié)構(gòu)中的有機(jī)功能層包括空穴傳輸層3，發(fā)光層4和電子 傳輸層5，其中發(fā)光層4分別為藍(lán)色發(fā)光層或者綠色發(fā)光層。
器件的空穴傳輸層材料為NPB,發(fā)光層材料為BAlq或者Alq3,電子傳輸材料為Alq3,陰極層用Mg:Ag合金。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)描述為
玻璃襯底/ITO /聚吡咯納米線(直徑20 nm) / NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3
(10 nm)/Mg:Ag(90 nm)
器件的制備流程與實(shí)施方式1相同。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，器件包括陽極層、陰極層以及設(shè)置在所述陽極層和陰極層之間的有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層至少包括空穴注入層和發(fā)光層，所述發(fā)光層在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光，其特征在于，包括以下步驟(1)將器件陽極層襯底進(jìn)行表面清潔干燥處理；(2)將導(dǎo)電聚合物納米線超聲分散溶于有機(jī)溶劑中，形成良好的分散體系；(3)將步驟(2)得到的導(dǎo)電聚合物納米線溶液滴加于亞相，并在氣/界面壓膜形成納米線薄膜；(4)控制LB拉膜機(jī)滑障壓縮步驟(3)得到的納米線薄膜到成膜膜壓，采用垂直成膜的方式將納米線薄膜轉(zhuǎn)移至步驟(1)得到的陽極層襯底上形成空穴注入層；(5)將形成了空穴注入層的陽極層襯底轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，按照器件結(jié)構(gòu)依次蒸鍍有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳輸層；(6)在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行陰極層的制備；(7)將步驟(6)所得到的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，手套箱為氮?dú)夥諊?8)測(cè)試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測(cè)試器件的發(fā)光光譜參數(shù)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物納米線材料包括3, 4-聚乙撐二氧遙吩和聚吡咯。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，導(dǎo)電聚合物納米線能夠在有機(jī)溶劑中形成穩(wěn)定的分散體系。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層制備過程中，通過選擇不同的導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)而在陽極層上得到不同的導(dǎo)電有序納米薄膜結(jié)構(gòu)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)功能層還包括空穴傳輸層或者電子傳輸層。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光層是發(fā)出藍(lán)光的熒光材料層或者發(fā)出綠光的熒光材料層或者發(fā)出紅光的摻雜材料層，在所述外加電源的驅(qū)動(dòng)下，發(fā)出藍(lán)光或者綠光或者紅光。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層是金屬配合物材料或者噁二唑類電子傳輸材料，或者咪唑類電子傳輸材料；所述空穴傳輸材料是芳香族二胺類化合物或星形三苯胺化合物。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)藍(lán)光的熒光材料層是雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(對(duì)苯基苯酚)鋁或者9,10-二-(2-萘基)蒽；所述發(fā)出綠光的熒光材料層是Alq3;所述的發(fā)出紅色的摻雜熒光材料為Alq3:DCJTB摻雜型材料，主體材料為Alq3或者ADN摻雜染料為DCJTB或者DCM或者DCM1紅光染料。
9、 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對(duì)陽極層襯底進(jìn)行超聲清洗，清洗后用干燥氮?dú)獯蹈桑?2) 將3， 4-聚乙撐二氧噻吩納米線超聲分散溶于丙酮-氯仿中，納米線的濃度為0.8mg/ml,形成良好的^Ht體系溶液；(3) 采用4效量進(jìn)樣器抽取100^13， 4-聚乙撐二氧噻吩納米線/丙酮-氯仿溶液滴加于亞相，待溶劑揮發(fā)20 min后開始?jí)耗ぃ藭r(shí)在氣/液界面已形成3， 4-聚乙撐二氧p塞吩納米線薄膜；(4) 控制LB拉膜機(jī)滑障以3 mm/min的速度壓縮納米線薄膜到30 mN/m的膜壓，采用垂直成膜的方式將納米線薄膜轉(zhuǎn)移至步驟(1)得到的陽極層襯底上，成膜速率為1 mm/min，得到3， 4-聚乙撐二氧瘞吩納米線有序薄膜，亦是器件的空穴注入層；(5) 將制備了空穴注入層的陽極層襯底轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，按照器件結(jié)構(gòu)依次蒸鍍有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳輸層；(6) 在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行陰極層的制備；(7) 將步驟(6)所得到的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，手套箱為氮?dú)夥諊枠O層/3， 4-聚乙撐二氧噻吩納米線/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極層；(8) 測(cè)試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測(cè)試器件的發(fā)光光語參數(shù)。
10、 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟(1) 利用洗滌劑、乙醇溶液和去離子水對(duì)陽極襯底進(jìn)行超聲清洗，清洗后用干燥氮?dú)獯蹈桑?2) 將聚吡咯納米線超聲分散溶于四氰呋喃-氯仿中，納米線的濃度為1.0mg/ml ，形成良好的分散體系溶液；(3) 采用微量進(jìn)樣器抽取100 pl聚吡咯納米線/四氰呋喃-氯仿滴加于亞相，待溶劑揮發(fā)20 min后開始?jí)耗ぃ藭r(shí)在~液界面已形成聚吡咯納米線薄膜；(4) 控制LB拉膜機(jī)滑障以3 mm/min的速度壓縮納米線薄膜到30 mN/m的膜壓，采用垂直成膜的方式將納米線薄膜轉(zhuǎn)移至步驟(1)得到的陽極層襯底上，成膜速率為1 mm/min，得到聚吡咯納米線有序薄膜，亦是器件的空穴注入層；(5) 將沉積了空穴注入層的基片轉(zhuǎn)移至有機(jī)真空蒸發(fā)室，按照器件結(jié)構(gòu)依次蒸鍍有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層、空穴傳輸層或者電子傳輸層；(6) 在有機(jī)層蒸鍍結(jié)束后將其傳送至金屬真空蒸發(fā)室中進(jìn)行陰極層的制備；(7) 將步驟(6)得到的器件傳送到手套箱進(jìn)行封裝，手套箱為氮?dú)夥諊?，陽極層/聚吡咯納米線/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極層；(8) 測(cè)試器件的電流-電壓-亮度特性，同時(shí)測(cè)試器件的發(fā)光光譜參數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，首先在器件陽極上構(gòu)筑有序緊密排列的導(dǎo)電聚合物納米線結(jié)構(gòu)作為器件的空穴注入層，再進(jìn)行器件其它功能層及電極薄膜的制備?？昭ㄗ⑷雽又械牟牧鲜怯行蚺帕械母邔?dǎo)電性聚合物納米線，具有載流子遷移率高的特點(diǎn)。本發(fā)明不僅用于制作高發(fā)光效率、長(zhǎng)壽命的有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，而且可應(yīng)用于彩色液晶顯示的背光燈、照明燈板等領(lǐng)域。
文檔編號(hào)H01L51/54GK101540378SQ20091005906
公開日2009年9月23日 申請(qǐng)日期2009年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月24日
發(fā)明者徐建華, 楊亞杰, 蔣亞東 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)