專利名稱：一種抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，且特別涉及一種將熔絲探 針和測(cè)試探針?lè)謩e布置在不同的芯片上抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
電子芯片的開(kāi)發(fā)包含芯片設(shè)計(jì)，晶圓制造，晶圓測(cè)試，切割封裝，封裝 測(cè)試等。晶圓測(cè)試是由測(cè)試機(jī)臺(tái)與探針卡共同構(gòu)建一個(gè)測(cè)試環(huán)境，在此環(huán)境下 測(cè)試晶圓上的芯片，以確保各個(gè)芯片的電氣特性與功能都符合設(shè)計(jì)的規(guī)格和規(guī) 范。未能通過(guò)測(cè)試的芯片將會(huì)被標(biāo)記為不良產(chǎn)品，在其后的切割封裝階段將被 篩選出來(lái)。只有通過(guò)測(cè)試的芯片才會(huì)被封裝。晶圓測(cè)試對(duì)于降低芯片的生產(chǎn)成 本和提高芯片的質(zhì)量是非常必要的。而一個(gè)優(yōu)質(zhì)的芯片測(cè)試環(huán)境將是這一切的 一個(gè)非常重要的保證。
在晶圓測(cè)試時(shí)，為了提高芯片的良率和質(zhì)量，通常需要對(duì)芯片的若干參數(shù) 進(jìn)行必要的修調(diào)。以熔絲型芯片為例，常用的修調(diào)方法是通過(guò)修整熔絲以改變 被測(cè)芯片的內(nèi)部電路來(lái)實(shí)現(xiàn)修調(diào)的目的。
熔絲型芯片在晶圓測(cè)試時(shí)，修整熔絲一般分為三個(gè)基本步驟
1、 測(cè)試被測(cè)芯片在修整熔絲前的初始值。在修整熔絲之前，需要測(cè)試芯片 的初始值以決定修整的熔絲組合。因此該初始值測(cè)試的準(zhǔn)確性將是致關(guān)重要的， 甚至直接決定著修整熔絲的成敗。
2、 修整熔絲。根據(jù)被測(cè)芯片在修整熔絲之前的初始值選定需要修整的熔絲 組合，然后由熔斷電路來(lái)電熔斷所選熔絲組合。
3、 測(cè)試被測(cè)芯片在修整熔絲之后的最終修調(diào)結(jié)果，并判斷是否符合要求。 上述步驟l、 3的測(cè)試數(shù)據(jù)是通過(guò)探針卡上的測(cè)試探針獲取的，而步驟2的
操作則是通過(guò)探針卡上的熔絲探針來(lái)進(jìn)行的。相應(yīng)的，每一個(gè)熔絲型芯片上設(shè) 有與熔絲探針和測(cè)試探針相匹配的接點(diǎn)，供探針接觸。
目前，現(xiàn)有技術(shù)方案中在上述步驟中將熔絲探針和測(cè)試探針布置在同一顆
3芯片上，圖1是利用現(xiàn)有探針卡10測(cè)試芯片103時(shí)，探針12在芯片103上相 應(yīng)位置的放大示意圖，由于探針12上的熔絲探針122和測(cè)試探針121同時(shí)與 芯片103上的熔絲探針接點(diǎn)和測(cè)試探針接點(diǎn)相接觸，使得在進(jìn)行測(cè)試芯片103 時(shí)，熔絲探針和熔絲探針接點(diǎn)之間、測(cè)試探針和測(cè)試探針接點(diǎn)之間都形成了通 路，導(dǎo)致熔絲探針對(duì)該集成電路芯片測(cè)試的千擾問(wèn)題。
另外芯片在晶圓測(cè)試時(shí)的測(cè)試環(huán)境與芯片封裝后的使用環(huán)境完全不同，大 大增加了芯片在晶圓測(cè)試時(shí)外部環(huán)境對(duì)芯片的干擾。這種干擾對(duì)于 一 些比較敏 感的芯片或者參數(shù)精度要求較高的芯片將是致命的、是必須克服的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種抗千擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，以通過(guò)避免熔絲探針對(duì)芯 片參數(shù)測(cè)試的千擾來(lái)提高修調(diào)的精確性。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，采用 探針卡對(duì)晶圓上的芯片進(jìn)行測(cè)試和修整，所述探針卡上具有測(cè)試探針和熔絲探 針兩種探針，包括以下步驟步驟一、測(cè)試芯片在修整熔絲之前的初始值；步 驟二、修整熔絲；步驟三、測(cè)試修整熔絲之后的最終修調(diào)結(jié)果，在上述三個(gè)步 驟中，每次只采用一種探針與所述芯片相接觸。
所述步驟一中，采用測(cè)試探針與所述芯片相接觸，測(cè)試芯片在修整熔絲之 前的初始值。
所述步驟二中，采用熔絲探針與所述芯片相接觸，并根據(jù)所述初始值選定 需要修整熔絲的組合，再對(duì)所述芯片進(jìn)行修整熔絲。
所述修整熔絲步驟采用電路電熔斷熔絲法或激光切割熔絲法實(shí)現(xiàn)。
所述步驟三中，采用測(cè)試探針與所述芯片相接觸，測(cè)試芯片在修整熔絲之 后的最終修調(diào)結(jié)果，并判斷該最終修調(diào)結(jié)果是否符合要求。
所述探針卡上依次設(shè)置有第一測(cè)試探針組、熔絲探針組和第二測(cè)試探針組， 通過(guò)晶圓與探針卡的相對(duì)位移，使晶圓上的所述芯片依次移動(dòng)至各個(gè)探針組所 對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，并依次執(zhí)行步驟一至步驟三。
本技術(shù)方案在測(cè)試芯片時(shí)，對(duì)于某一芯片而言，每次只會(huì)有一種探針，即 測(cè)試探針或熔絲探針與之接觸，因此在修整熔絲之前進(jìn)行測(cè)試芯片初始值時(shí)以及在修整熔絲之后進(jìn)行最終修調(diào)結(jié)果時(shí)，被測(cè)芯片不會(huì)與熔絲探針相接觸，從 而避免了熔絲探針對(duì)芯片測(cè)試初始值和修調(diào)結(jié)果的干擾，測(cè)試精度得到很大的 提高。


圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)方案中測(cè)試芯片時(shí)探針在芯片相應(yīng)位置的放大示意圖。
圖2所示為本發(fā)明技術(shù)方案中進(jìn)行晶圓測(cè)試時(shí)探針在相鄰芯片相應(yīng)位置的 放大示意圖。
圖3所示為本發(fā)明晶圓測(cè)試的流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明較佳實(shí)施例，以詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。
圖2是利用本實(shí)用新型探針卡IO進(jìn)行晶圓測(cè)試時(shí)，熔絲探針122和測(cè)試探 針121在晶圓上相鄰芯片102、 103、 104上對(duì)應(yīng)位置的放大示意圖，如圖所示， 熔絲探針僅與芯片103上相應(yīng)的接點(diǎn)接觸，兩組測(cè)試探針?lè)謩e與芯片102和芯 片104上的測(cè)試探針接點(diǎn)接觸，可見(jiàn)，熔絲探針122和測(cè)試探針121在同一步 驟時(shí)是對(duì)應(yīng)于不同芯片的，因此測(cè)試某一芯片時(shí)，不會(huì)存在由于熔絲探針122 和測(cè)試探針121同時(shí)與芯片接觸而帶來(lái)干擾的問(wèn)題。
圖3所示為利用本實(shí)用新型探針卡進(jìn)行晶圓測(cè)試流程圖，晶圓單方向進(jìn)行 測(cè)試，程序設(shè)計(jì)要與測(cè)試方向一致。為便于說(shuō)明，假定設(shè)置探針臺(tái)，使晶圓從 右向左單向測(cè)試。以芯片103的修調(diào)過(guò)程為例來(lái)說(shuō)明本技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)修調(diào)的整 個(gè)過(guò)程。主要分為以下三個(gè)步驟
步驟一測(cè)試芯片103在修整熔絲之前的初始值；
1、 使被測(cè)芯片103相對(duì)探針卡的位置移動(dòng)到如圖202位置，此時(shí)探針卡 上只有右側(cè)的一組測(cè)試探針位于芯片103上方。
2、 使該組測(cè)試探針與芯片103上的測(cè)試探針接點(diǎn)相接觸，測(cè)試被測(cè)芯片 103在修整熔絲之前的初始值并保存該初始值到臨時(shí)文件1中。因?yàn)樵跍y(cè)試芯片 103時(shí)芯片103上沒(méi)有接觸到熔絲探針，所以就避免了熔絲探針對(duì)芯片103測(cè)試的干擾。在大量的對(duì)比實(shí)驗(yàn)中，與現(xiàn)有的技術(shù)方案相比，本方案可將電壓初始
值的測(cè)試精度由±2%提高到± 0.5%。
3、將臨時(shí)文件1中數(shù)據(jù)傳送給臨時(shí)文件2。 步驟二修調(diào)熔絲；
1、 晶圓向左步移一位，使芯片103相對(duì)探針卡位移到203位置，此時(shí)芯 片103上方只有熔絲探針；
2、 讀取臨時(shí)文件2中數(shù)據(jù)，此數(shù)據(jù)為芯片103在修整熔絲之前的初始值。 根據(jù)該初始值選定需要修整熔絲的組合，使熔絲探針與芯片103上的熔絲探針 接點(diǎn)相接觸，并進(jìn)行修整熔絲；
其中修整熔絲的方法可以是使用熔斷電路電熔斷熔絲，也可以用激光切割 熔絲法來(lái)實(shí)現(xiàn)。
3、 將臨時(shí)文件2中數(shù)據(jù)傳送給臨時(shí)文件3。 步驟三測(cè)試^修整炫絲之后的最終修調(diào)結(jié)果。
1、 晶圓向左步移一位，使芯片103相對(duì)探針卡位移到204位置，此時(shí)與 芯片103相對(duì)應(yīng)的是探針卡上左側(cè)的一組測(cè)試探針；
2、 測(cè)試芯片103在修整熔絲之后的最終修調(diào)結(jié)果。因?yàn)樵跍y(cè)試時(shí)芯片103 上沒(méi)有接觸到熔絲探針，所以就避免了熔絲探針對(duì)芯片103測(cè)試的千擾。在大 量的對(duì)比實(shí)驗(yàn)中，與現(xiàn)有的技術(shù)方案相比，本方案可將電壓修調(diào)結(jié)果的測(cè)試精 度由±5%提高到±0.5%。
3、 判斷在修整熔絲之后的最終修調(diào)結(jié)果是否符合要求。讀取臨時(shí)文件3 中數(shù)據(jù)，打印修整熔絲前后的測(cè)試數(shù)據(jù)結(jié)果。
在步驟一和步驟三中測(cè)試被測(cè)芯片相關(guān)參數(shù)值時(shí)，被測(cè)芯片只與測(cè)試探針 接觸，而未接觸到熔絲探針，從而避免了熔絲探針對(duì)芯片測(cè)試的干擾，初始值 測(cè)試精度得到很大的提高。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明 所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各 種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，采用探針卡對(duì)晶圓上的芯片進(jìn)行測(cè)試和修整，所述探針卡上具有測(cè)試探針和熔絲探針兩種探針，所述方法包括以下步驟步驟一、測(cè)試芯片在修整熔絲之前的初始值；步驟二、修整熔絲；步驟三、測(cè)試修整熔絲之后的最終修調(diào)結(jié)果，其特征在于在上述三個(gè)步驟中，每次只采用一種探針與所述芯片相接觸。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，其特征在于所 述步驟一中，采用測(cè)試探針與所述芯片相接觸，測(cè)試芯片在修整熔絲之前的初 始值。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，其特征在于所 述步驟二中，采用熔絲探針與所述芯片相接觸，并根據(jù)所述初始值選定需要修 整熔絲的組合，再對(duì)所述芯片進(jìn)行修整炫絲。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，其特征在于所 述修整熔絲步驟采用電路電熔斷熔絲法或激光切割熔絲法實(shí)現(xiàn)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，其特征在于所 述步驟三中，采用測(cè)試探針與所述芯片相接觸，測(cè)試芯片在修整熔絲之后的最 終修調(diào)結(jié)杲，并判斷該最終修調(diào)結(jié)果是否符合要求。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，其特 征在于所述探針卡上依次設(shè)置有第一測(cè)試探針組、熔絲探針組和第二測(cè)試探 針組，通過(guò)晶圓與探針卡的相對(duì)位移，使晶圓上的所述芯片依次移動(dòng)至各個(gè)探 針組所對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，并依次執(zhí)行步驟一至步驟三。
全文摘要
本發(fā)明提供一種抗干擾異步修調(diào)晶圓測(cè)試方法，采用探針卡對(duì)晶圓上的芯片進(jìn)行測(cè)試和修整，所述探針卡上具有測(cè)試探針和熔絲探針兩種探針，包括以下步驟步驟一、測(cè)試芯片在修整熔絲之前的初始值；步驟二、修整熔絲；步驟三、測(cè)試修整熔絲之后的最終修調(diào)結(jié)果，在上述三個(gè)步驟中，每次只采用一種探針與所述芯片相接觸。在步驟一和步驟三中測(cè)試被測(cè)芯片相關(guān)參數(shù)值時(shí)，被測(cè)芯片只與測(cè)試探針接觸，而未接觸到熔絲探針，從而避免了熔絲探針對(duì)芯片測(cè)試的干擾，初始值測(cè)試精度得到很大的提高。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101510520SQ20091004776
公開(kāi)日2009年8月19日 申請(qǐng)日期2009年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月18日
發(fā)明者葉守銀, 岳小兵, 張志勇, 祁建華 申請(qǐng)人:上海華嶺集成電路技術(shù)有限責(zé)任公司