專利名稱：：帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體及其制造方法、以及含有該基體的光電轉(zhuǎn)換元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種在透明基體上形成透明導(dǎo)電膜的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體及其制造方法，以及含有帶透明導(dǎo)電膜的透明基體作為構(gòu)成要素的光電轉(zhuǎn)換元件。
背景技術(shù)：
：含有玻璃等透明基體和在其上形成的透明導(dǎo)電膜的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體，進(jìn)一步在其上形成功能性薄膜，被用于光電轉(zhuǎn)換元件、光傳感器、圖像顯示裝置、發(fā)光裝置等。作為圖像顯示裝置，可以例示液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器、等離子顯示器。作為發(fā)光裝置，可以例示FED(fieldemissiondisplay)、發(fā)光二極管、固體激光器。帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體也可以被用作建筑物用窗玻璃、店鋪用冰箱的窗玻璃、復(fù)印機(jī)的原稿臺，具體地說被用作Low—E(low—emissivity)玻璃、電磁波屏蔽玻璃、防霧玻璃等。光電轉(zhuǎn)換元件是將電能轉(zhuǎn)換為光能或者進(jìn)行相反的轉(zhuǎn)換的能量轉(zhuǎn)換元件。太陽電池將光能轉(zhuǎn)換為電能。硅半導(dǎo)體薄膜系太陽電池包括在帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的透明導(dǎo)電膜上按照該順序形成具有光電轉(zhuǎn)換功能的硅半導(dǎo)體膜(光電轉(zhuǎn)換層)以及背面電極膜的結(jié)構(gòu)。從透明基體側(cè)入射到帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的太陽光，通過透明導(dǎo)電膜而達(dá)到光電轉(zhuǎn)換層。在光電轉(zhuǎn)換層中產(chǎn)生的電能借助透明導(dǎo)電膜以及背面電極膜從外部取出。為了提高太陽光的轉(zhuǎn)換效率，最好增多到達(dá)光電轉(zhuǎn)換層的光量，在透明導(dǎo)電膜的表面上形成凹凸不平、將光關(guān)在光電轉(zhuǎn)換層內(nèi)也有提高轉(zhuǎn)換效率的效果。關(guān)于在透明導(dǎo)電膜的表面上形成凹凸不平的技術(shù)，進(jìn)行了很多嘗試，并提出了很多提議。在特開昭61_288314號公報(bào)和特開昭61—288473號公報(bào)中，公開了對透明導(dǎo)電膜的表面實(shí)施化學(xué)蝕刻并形成凹凸不平的技術(shù)。如果利用該技術(shù)，由于需要附加蝕刻處理、蝕刻液的水洗除去、水洗后的干燥等工序，所以生產(chǎn)率降低。在WO03/36657號公報(bào)中公開了在透明基體上按照順序形成第1基底層、第2基底層、連續(xù)的氧化錫導(dǎo)電膜的技術(shù)，其中所述的第l基底層是被形成為非連續(xù)的圓頂狀的氧化錫膜，所述的第2基底層是連續(xù)的氧化硅膜。但是，如果使用該技術(shù)形成200nm以上高度的凹凸不平，則會產(chǎn)生可以目視確認(rèn)程度的模糊斑。已利用圓頂狀的基底的帶有透明導(dǎo)電膜的基體存在改善的余地。在特開平5—67797號公報(bào)中公開了在玻璃板上形成2層結(jié)晶性金屬氧化錫膜的太陽電池用透明導(dǎo)電性基體。在該基體中，下層的氧化錫在(110)面取向，上層的氧化錫在(200)面取向。在該公報(bào)的圖16中揭示了下層的膜厚和膜整體的模糊率(hazeratio)之間的關(guān)系。如果利用該圖，膜整體的模糊率停留在10%左右。一般而言，在結(jié)晶性金屬氧化物膜中，通過使金屬氧化物的晶粒成長而使其表面的凹凸不平變大。但是，如果單純增大晶粒，那么透明導(dǎo)電膜會變厚，膜的透明性降低，進(jìn)而透明導(dǎo)電膜的殘留應(yīng)力會導(dǎo)致與基體的附著力降低。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種適合得到具有高的表面凹凸不平(換言之，大的模糊率)的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的新制造方法。另外，本發(fā)明的目的還在于，提供一種可以利用該方法制造的新的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體，進(jìn)而提供一種含有該透明基體作為構(gòu)成要素的光電轉(zhuǎn)換元件。4本發(fā)明的制造方法包括一種工序，即向透明基體上供給含有金屬化合物、氧化原料和氯化氫的原料氣體并利用熱分解氧化法在上述透明基體上形成以結(jié)晶性金屬氧化物為主成分的透明導(dǎo)電膜的工序，上述工序按照順序包括在上述原料氣體中上述氯化氫相對上述金屬化合物的摩爾比為0.55的第1工序，和上述摩爾比為210且大于在上述第1工序中的上述摩爾比的第2工序。本發(fā)明的帶有透明導(dǎo)電膜的基體包括透明基體、和在上述透明基體上形成的以結(jié)晶性金屬氧化物為主成分的透明導(dǎo)電膜，上述透明導(dǎo)電膜的厚度為300nm750nm，上述帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率為15%以上。進(jìn)而，本發(fā)明提供一種含有上述帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的光電轉(zhuǎn)換元件。在本發(fā)明中，在形成以結(jié)晶性金屬氧化物為主成分的透明導(dǎo)電膜的工序中，控制原料氣體中氯化氫相對金屬化合物的摩爾比，并使用該摩爾比不同的至少2種原料氣體。只要適當(dāng)?shù)乜刂圃蠚怏w中的氯化氫比，則即使透明導(dǎo)電膜的厚度薄至300750nm，也能得到模糊率為15%以上的帶有透明導(dǎo)電膜的基體成為可能。該基體的透光性出色，透明導(dǎo)電膜表面上的光散射效果大。只要發(fā)揮該基體的特征，就可以得到透光性、光散射性以及導(dǎo)電性均出色的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。因而，在本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件中，可以容易地使在帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體所吸收的入射光的光量少并成為散射光，從而到達(dá)光電轉(zhuǎn)換層。另外，光電轉(zhuǎn)換層內(nèi)的閉光效果大，已入射的太陽光線的利用效率變高。進(jìn)而，在本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件中，由于透明導(dǎo)電膜的厚度薄，所以透明導(dǎo)電膜與透明基體的附著力高，具有出色的長期穩(wěn)定性。如果在控制氯化氫相對金屬化合物的摩爾比的同時形成透明導(dǎo)電膜，可以將透明導(dǎo)電膜的結(jié)晶形態(tài)控制在優(yōu)選的狀態(tài)下，所以即使厚度薄，模糊率仍然高，而且得到模糊斑受到抑制的帶有透明導(dǎo)電膜的基體變得容易。圖1是表示本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換元件的一個例子的截面圖。圖2是表示為了通過所謂的CVD法制造本發(fā)明的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體而使用的裝置的一個例子的結(jié)構(gòu)的圖。圖3是表示用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察在實(shí)施例1中得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的截面的狀態(tài)的圖。觀察是相對帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體平面以俯角10°進(jìn)行的。圖4是表示用SEM觀察在實(shí)施例3中得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的截面的狀態(tài)的圖。觀察是相對帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體平面以俯角10°進(jìn)行的。圖5是表示用SEM觀察在實(shí)施例7中得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的截面的狀態(tài)的圖。觀察是相對帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體平面以俯角10°進(jìn)行的。圖6是表示用SEM觀察在比較例1中得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的截面的狀態(tài)的圖。觀察是相對帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體平面以俯角10°進(jìn)行的。圖7是表示在實(shí)施例7中得到的透明導(dǎo)電膜的表面的凸部的仰角的度數(shù)分布圖。圖8是表示在比較例2中得到的透明導(dǎo)電膜的表面的凸部的仰角的度數(shù)分布圖。具體實(shí)施例方式透明導(dǎo)電膜以結(jié)晶性金屬氧化物為主成分。在這里，結(jié)晶性金屬氧化物是指在X線衍射圖形中檢測出結(jié)晶峰的金屬氧化物。作為金屬氧化物，可以例示為氧化銦、摻雜了錫的氧化銦、氧化鈦、氧化錫、摻雜了氟或銻的氧化錫，而以氧化鈦或氧化錫為主成分的金屬氧化物膜的優(yōu)點(diǎn)是，在耐藥性方面出色，可以使用廉價的原料形成。在優(yōu)選的透明導(dǎo)電膜的例子中，包括己摻雜了氟的氧化錫。在這里，"作為主成分"是指按照常規(guī)含有該成分的比率為50重量％以上。含有該成分的比率優(yōu)選為70重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為90重量％以上。透明導(dǎo)電膜的厚度為300nm750nm，優(yōu)選為450nm750nm。膜的厚度如果超過750nm，通過膜具有的殘留應(yīng)力，有時附著力的水平就會低于實(shí)際應(yīng)用時需要的水平。另一方面，膜的厚度如果低于300nm，就無法得到高的模糊率，得不到充分的光散射效果。在本發(fā)明的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體中，就與從X線衍射圖形計(jì)算出的結(jié)晶性氧化物的取向面相對應(yīng)的峰面積而言，最好按照使(110)面的峰面積為100、其它所有取向面的峰面積為80以下進(jìn)而70以下的方式，控制結(jié)晶成長，從而形成透明導(dǎo)電膜。(110)面的取向相對于其它取向面的取向越優(yōu)先，就越會得到膜厚度薄且凹凸不平高的氧化錫膜。進(jìn)一步優(yōu)選(211)面的峰面積與(110)面的峰面積相比為次大(換言之，就是(211)面的峰面積為第二大)。透明導(dǎo)電膜通常利用濺射法、真空蒸鍍法等所謂的物理蒸鍍法或噴射法、化學(xué)氣相法(CVD法)等伴隨熱分解氧化反應(yīng)的化學(xué)蒸鍍法在透明基體上形成。在本發(fā)明中，使用CVD法制造帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。CVD法利用高溫透明基體具有的熱能分解原料氣體。作為用于產(chǎn)生構(gòu)成透明導(dǎo)電膜的結(jié)晶性金屬氧化物而向原料氣體中添加的金屬化合物，適宜物質(zhì)為氯化物、具體地說有機(jī)金屬氯化物或無機(jī)金屬氯化物。如果使用有機(jī)金屬氯化物，通過熱分解反應(yīng)生成的碳化物就會殘留于膜中而阻礙其透明性，進(jìn)而次要產(chǎn)生的有機(jī)成分就會成為環(huán)境負(fù)荷主要因素。因而，作為向原料氣體中添加的金屬化合物，優(yōu)選無機(jī)金屬氯化物。為了得到作為優(yōu)選金屬氧化物的氧化錫，作為金屬化合物可以使用錫化合物。作為無機(jī)金屬氯化物，可以例示為氯化銦、氯化鋅、氯化鈦、氯化錫(氯化亞錫、氯化錫(四氯化錫))，而如果考慮生成的金屬氧化物的耐藥性、原料的價格等，優(yōu)選氯化鈦和氯化錫，作為氯化錫，特別優(yōu)選四氯化錫。作為向原料中添加的氧化原料，可以例示為氧、水、水蒸氣、干燥空氣，優(yōu)選使用水蒸氣。如果混合無機(jī)金屬氯化物特別是四氯化錫與水蒸氣，氧化反應(yīng)會快速進(jìn)行并生成固體的氧化錫，并蓄積于供給原料氣體的配管中使配管閉塞。另外，即使可以供給原料氣體，但由于原料氣體的組成發(fā)生變化，所以透明基體與透明導(dǎo)電膜之間的結(jié)合可能會變?nèi)?。氯化氫具有抑制四氯化錫與水蒸氣之間的氧化反應(yīng)的作用。所以，如果在含有氯化氫的環(huán)境中促進(jìn)熱分解氧化反應(yīng)，則可以在透明基體上穩(wěn)定形成透明導(dǎo)電膜。在混合四氯化錫與水蒸氣之前，氯化氫可以與其中任一方或兩方混合。在本發(fā)明的制造方法中，至少通過透明導(dǎo)電膜形成工序來形成透明導(dǎo)電膜，其中所述的透明導(dǎo)電膜形成工序至少包括氯化氫相對金屬化合物的摩爾比為0.55、優(yōu)選為0.85、更優(yōu)選為15的第1工序和該摩爾比為210且大于第1工序中的摩爾比的第2工序。第1工序中的上述摩爾比優(yōu)選為不到4，進(jìn)而優(yōu)選為3以下；第2工序中的上述摩爾比優(yōu)選為3以上。在第1工序中，由于氯化氫的摩爾比小，所以在透明基體上形成很多結(jié)晶性的初始粒子。在第2工序中，該初始粒子成為起點(diǎn)，金屬氧化物的結(jié)晶成長。在第1工序中，調(diào)整上述摩爾比，可以調(diào)整初始粒子的量以及大小。在第1工序中，優(yōu)選形成極薄的金屬氧化物膜并形成很多初始粒子。在第2工序中，供給上述摩爾比相對較大的原料氣體，以上述初始粒子為起點(diǎn)促進(jìn)金屬氧化物的結(jié)晶成長，可以形成粒徑大且厚度方向長的結(jié)晶。透明導(dǎo)電膜形成工序也可以在第2工序之后進(jìn)一步包括第3工序。在這種情況下，第3工序中氯化氫相對金屬化合物的摩爾比可以根據(jù)需要的結(jié)晶的成長速度來決定。結(jié)晶的成長速度基本上可以根據(jù)金屬的種類、目的結(jié)晶的粒徑、長度等進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。在優(yōu)選大的成長速度的情況下，可以使第3工序中的上述摩爾比小于第2工序中的上述摩爾比，進(jìn)而也小于第1工序中的上述摩爾比，具體地說為不到1.5，優(yōu)選不到1。在本發(fā)明中，由于在第l、第2工序中通過氯化氫抑制原料氣體中的金屬化合物的反應(yīng)，所以優(yōu)選在第3工序中將上述摩爾比控制在上述程度來促進(jìn)結(jié)晶的成長，從而得到需要的膜厚度。透明導(dǎo)電膜形成工序也可以在第3工序之后適當(dāng)追加第4工序、第5工序。即使在第2工序之后通過多個工序使結(jié)晶成長的情況下，也優(yōu)選對這些多個工序中氯化氫相對金屬化合物的摩爾比進(jìn)行調(diào)整，使其整體減小到上述程度，例如調(diào)整至作為整體小于第2工序中的上述摩爾比。氧化錫等金屬氧化物的結(jié)晶成長為柱狀，粒徑也伴隨該成長而增大。因而，為了形成大粒徑的氧化錫結(jié)晶，也可以減少初始粒子的數(shù)量。但是，如果初始粒子的數(shù)目過少，在第2工序中，巨大結(jié)晶就會出現(xiàn)而成為斑點(diǎn)、污點(diǎn)等的原因，進(jìn)而也會引起部分的模糊斑。通過上述方法，可以在透明基體上形成優(yōu)先在(110)面取向的結(jié)晶性金屬氧化物。另外，可以得到從透明基體的表面近旁粒徑大且柱狀的結(jié)晶緊密接觸的透明導(dǎo)電膜，所以即使使厚度變薄也可以維持高模糊率。在從透明基體的表面近旁粒徑大且結(jié)晶緊密接觸的膜中，晶界減少。如果作為載體的散射源的晶界減少，則載體的移動度會提高，即使使厚度變薄，也可以維持良好的導(dǎo)電性。由于可以在維持導(dǎo)電性的同時改善透明性，所以該帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體有助于提高光電轉(zhuǎn)換元件中的太陽光線的轉(zhuǎn)換效率。為了提高將氧化錫作為主成分的透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性，也可以摻雜少量氟。作為向原料氣體中添加的氟化合物，可以例示為氟化氫、二氟乙垸、氯二氟甲烷、三氟醋酸、溴三氟甲烷，優(yōu)選不含有機(jī)物的氟化氫。原料氣體典型為事先混合四氯化錫、氧化原料、氯化氫、含氟化合物、氣體狀稀釋劑，而向透明基體供給。如果混合沒有充分進(jìn)行，由于原料氣體的組成的偏差，膜中容易發(fā)生組成不均或膜厚度不均。構(gòu)成原料氣體的各成分可以在混合結(jié)束時刻成為氣體，在迄今為止的階段，只要能夠定量地供給，則為液體或固體均可。熱分解氧化反應(yīng)在被加熱到高溫的透明基體上進(jìn)行。透明基體的表面溫度優(yōu)選為400800。C，特別優(yōu)選為600。C以上。如果透明基體的表面溫度為600。C以上，已形成的金屬氧化物薄膜變得容易結(jié)晶化，導(dǎo)電性提高，而且金屬氧化物薄膜的成膜速度變大。伴隨原料氣體的熱分解氧化的CVD法，可以通過例如將預(yù)先已切斷為規(guī)定大小的透明基體放置于網(wǎng)帶(meshbelt)后使其通過加熱爐，在透明基體達(dá)到規(guī)定溫度的時刻供給原料氣體來進(jìn)行。但是，CVD法優(yōu)選為，使透明基體為在利用浮動法的玻璃制造工序中的熔融金屬浴上的玻璃帶9(ribbon)、特別是其表面溫度為600。C以上的玻璃帶的、所謂聯(lián)機(jī)(online)CVD法。這樣，可以容易地得到高溫狀態(tài)，而且不用為了加熱成高溫而投入新能量，并得到帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。通過使用己混合氯化氫的原料氣體的聯(lián)機(jī)CVD法，可以長時間連續(xù)地穩(wěn)定地進(jìn)而高速地制造大面積的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。也可以在透明基體上直接形成透明導(dǎo)電膜，可以預(yù)先在透明基體上設(shè)置至少1層、優(yōu)選為2層的基底層，然后在該基底層上形成?；讓右种仆该骰w與透明導(dǎo)電膜的組合引起的本應(yīng)避免的現(xiàn)象，例如從作為透明基體的玻璃擴(kuò)散出來的堿成分使透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性降低的現(xiàn)象。通過基底層，也可以賦予獨(dú)自的有利性能，例如透明基體與金屬氧化物膜的界面上的反射光量的降低、透明基體與金屬氧化物膜的粘附力的提高?；讓右部梢愿鶕?jù)其設(shè)置目的而由多層構(gòu)成。當(dāng)基底層為1層時，基底層可以是由折射率為1.51.8的材料形成的厚度40nm120nm的膜。作為折射率在上述范圍的材料，可以例示氧碳化硅。當(dāng)基底層為2層時，透明基體側(cè)的第1基底層可以是由折射率為1.62.4的材料形成的厚度10nm100nm的膜，透明導(dǎo)電膜側(cè)的第2基底層可以是由折射率為1.41.8的材料形成的厚度10100nm的膜。作為折射率為1.62.4的材料，可以例示氧化錫、氧化銦、氧化鋅。作為折射率為1.41.8的材料，可以例示氧化硅、氧化鋁、硅酸碳化物。對基底層的形成方法沒有特別限制，如果用與透明導(dǎo)電膜相同的方法形成，則控制制造帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的整個過程變得容易。在聯(lián)機(jī)CVD法中，特別優(yōu)選以同樣的方法而連續(xù)地形成層與金屬氧化物的聯(lián)機(jī)CVD法。將含有堿成分的玻璃作為透明基體時，為了抑制該堿成分向透明導(dǎo)電膜擴(kuò)散，也可以形成氧化硅膜、氧碳化硅膜等堿阻擋層作為基底層。為了更強(qiáng)地粘附透明基體與堿阻擋層，也可以進(jìn)一步使金屬氧化物基底層介于其中間。作為利用熱分解氧化法形成氧化硅膜時的硅原料，可以例示為甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷、一氯硅烷、二氯硅垸、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基乙硅烷，但特別優(yōu)選甲硅烷。這種情況下的氧化原料可以例示氧、水、水蒸氣、干燥氣體、二氧化碳、一氧化碳、二氧化氮，但特別優(yōu)選氧。當(dāng)作為硅原料使用甲硅烷時，為了控制甲硅垸與氧化原料之間的反應(yīng)、控制得到的膜的折射率，也可以添加乙烯、乙炔、甲苯等不飽和烴化合物氣體。為了強(qiáng)化氧化硅膜與透明基體的粘附力、降低在氧化硅膜與透明基體的界面上的反射光量，也可以在該界面上形成金屬氧化物膜。在這種情況下，如果使用與用于形成透明導(dǎo)電膜的金屬化合物為同種的金屬化合物，則整個過程變得容易控制。該膜也優(yōu)選以與透明導(dǎo)電膜相同的方法、特別是聯(lián)機(jī)CVD法形成。當(dāng)將該金屬氧化物膜作為氧化錫膜時，也可以在用于形成氧化錫膜的原料氣體中添加氯化氫。光電轉(zhuǎn)換元件可以按照以往公知的方法在帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體上按照順序形成光電轉(zhuǎn)換層和背面電極層而得到。圖1表示光電轉(zhuǎn)換元件的一個例子的截面。在該光電轉(zhuǎn)換元件中，可以進(jìn)一步在由透明基體20、第1基底層21、第2基底層22以及透明導(dǎo)電膜23構(gòu)成的帶有透明導(dǎo)電膜的基體的透明導(dǎo)電膜23上形成光電轉(zhuǎn)換層24以及背面電極膜25。光電轉(zhuǎn)換層24也可以由吸收已接收的光并生成光載流子的光反應(yīng)性半導(dǎo)體薄膜層構(gòu)成。通常使用非晶硅系的半導(dǎo)體薄膜層、非單結(jié)晶硅系的結(jié)晶性半導(dǎo)體薄膜層、或者組合了它們的半導(dǎo)體薄膜層。具體地說，可以為從透明基體側(cè)開始，按照p型硅半導(dǎo)體膜、i型硅半導(dǎo)體膜、n型硅半導(dǎo)體膜的順序進(jìn)行層疊，成為多層結(jié)構(gòu)的硅系半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換層。在背面電極膜25通常使用金屬薄膜。在n型硅膜與背面電極膜之間形成金屬氧化物薄膜，也可以防止硅膜與金屬薄膜(背面電極膜)的合金化，提高雙方的膜的性能穩(wěn)定性。透明導(dǎo)電膜的表面形狀影響光電轉(zhuǎn)換層的光電轉(zhuǎn)換效率。如果透明導(dǎo)電膜的表面的凸部的仰角過大，則光電轉(zhuǎn)換層內(nèi)的pn(pin)接合的柵格缺陷增加。另外，如果凸部的仰角大且膜表面的谷變得陡峭，則Jsc(短路電流)降低。進(jìn)而，如果仰角大且凸部的頂點(diǎn)或棱線變銳，Voc(釋放電壓)就會降低。另一方面，如果仰角過小，則帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率就會降低，所以不能充分獲得閉光效果。如果考慮上述因素，透明導(dǎo)電膜的表面的凸部的仰角的平均值(仰角平均值)優(yōu)選為20度30度。帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率，也會受到透明導(dǎo)電膜的凸部的直徑的影響。從這個觀點(diǎn)出發(fā)，透明導(dǎo)電膜的表面的凸部的直徑的平均值(凸部直徑平均值)優(yōu)選為300nm500nm。透明導(dǎo)電膜的表面最好沒有局部突出的圓頂狀的凸部。這是因?yàn)?，如果存在這樣的凸部，則容易在帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體上顯示模糊斑。圖2是表示在聯(lián)機(jī)CVD法中使用的裝置的一個例子的示意圖。玻璃材料從熔融爐(浮動窯)11流到浮動槽(floatbath)12內(nèi)，成為玻璃帶10，在瑢融錫浴15上移動，成為半固體，然后利用輥17牽拉，將其送入到退火爐13。利用省略圖示的切斷裝置將在退火爐13中固體化的玻璃帶切斷為規(guī)定大小的玻璃板。從位于熔融錫浴15上的高溫狀態(tài)的玻璃帶100的表面隔著規(guī)定距離，將規(guī)定個數(shù)的涂料器16(在圖示的實(shí)施方式中為3個涂料器16a、16b、16c)配置于浮動槽12內(nèi)。從這些涂料器提供原料氣體，在玻璃帶10上連續(xù)地順次形成基底層和透明導(dǎo)電膜。在本發(fā)明的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的制造方法中，當(dāng)利用l層基底層、2個工序形成透明導(dǎo)電膜時，在浮動槽中，用最上游側(cè)的涂料器16a形成基底層，用涂料器16b和16c形成透明導(dǎo)電膜。通過設(shè)置4個以上涂料器16，可以使基底層為多層，或者增加透明導(dǎo)電膜的層數(shù)來形成基底層。在表面上形成了上述各膜的玻璃帶10也可以在出了浮動槽12之后，在玻璃帶10上進(jìn)一步追加其它薄膜，利用噴射法形成。下面，用實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行說明，但本發(fā)明不被下面的實(shí)施例所限制。在實(shí)施例的說明中，對與使用的性能相關(guān)的測量、評價法進(jìn)行說明。(模糊率)使用日本電色工業(yè)公司制NDH2000,從帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的透明基體側(cè)使光入射，測量模糊率。(薄片電阻)使用夕'一7一乂只、乂/P^y、乂公司制MCP—TESTERLORESTA—FP，測量薄片電阻。(峰面積)在利用理學(xué)電機(jī)公司制RAD—RC裝置得到的、結(jié)晶的X線衍射圖形中，各取向面的衍射峰強(qiáng)度乘以半輻值，求得各取向面的峰面積，將(110)面的峰面積設(shè)為100，計(jì)算各取向面相對(110)面的峰面積的比率。(仰角平均值)使用AFM(原子間力顯微鏡；THERMOMICROSCOPE公司制掃描型探查顯微鏡)，以非接觸模式(noncontactmode)測定透明導(dǎo)電膜的表面的凹凸不平，將凸部的棱線與顯微鏡的樣品載臺之間的夾角作為仰角，求得其平均值。(凸部直徑平均值)從使用AFM測量的數(shù)據(jù)出發(fā)，制作從與透明導(dǎo)電膜的膜面垂直的方向觀察到的平面圖，算出該平面圖中表現(xiàn)出的凸部面積，并算出面積與該面積相等的圓的直徑的平均值。(透明導(dǎo)電膜的膜厚度)使用金屬Zn粉末和鹽酸，蝕刻透明導(dǎo)電膜的規(guī)定范圍，使用階差計(jì)(Tencor公司制a7亍、;/7。一500)，測量已形成的階差的高度。透明導(dǎo)電膜的膜面為對存在于此面的凹凸不平進(jìn)行平均化的面。(實(shí)施例1)利用聯(lián)機(jī)CVD法，在玻璃帶上按照下述順序形成基底膜和透明導(dǎo)電膜(結(jié)晶性金屬氧化物膜)。具體地說，向浮動槽空間內(nèi)供給98體積％的氮和2體積％的氫，以維持浮動槽內(nèi)與槽外相比為稍高壓。在將浮動槽保持在非氧化性氣氛的狀態(tài)下，從位于最上游側(cè)的第l涂料器，供給由四氯化錫(蒸氣)、水蒸氣、氯化氫、氮?dú)夂秃?gòu)成的混合氣體，在玻璃帶上形成折射率為1.9、厚度為55nm的氧化錫膜(Sn02膜、第1基底層)。接著，從第2涂料器，供給由甲硅烷、乙烯、氧氣和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第1基底層上形成折射率為1.46、厚度為30nm的氧化硅膜"102膜、第2基底層)。進(jìn)而，從第3涂料器，供給由四氯化錫(蒸氣)0.58摩爾%、水蒸氣11.65摩爾％、氯化氫0.70摩爾％和氮?dú)?剩余部份；在下面也是氮占剩余部分)構(gòu)成的混合氣體，在第2基底層上形成第1氧化錫膜。進(jìn)而，從被設(shè)置于下游側(cè)的第4涂料器，供給由四氯化錫(蒸氣)1.87摩爾％、水蒸氣37.39摩爾％、氯化氫9.35摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第1氧化錫膜上形成第2氧化錫膜。接著，從位于最下游側(cè)的第5涂料器，供給由四氯化錫(蒸氣)3.40摩爾％、水蒸氣50.99摩爾％、氯化氫0.68摩爾％、氟化氫1.19摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第2氧化錫膜上形成摻雜了氟的氧化錫膜(Sn02:F膜)，得到帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。對第1氧化錫膜、第2氧化錫膜和被摻雜了氟的氧化錫膜進(jìn)行總計(jì)，得到透明導(dǎo)電膜的厚度為700nm。如此得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率為19.5%、透明導(dǎo)電膜的薄片電阻為9.5Q/口。另外，就結(jié)晶的峰面積而言，(211)面的峰面積為43，其它取向面的峰面積更小。(實(shí)施例2)除了將由四氯化錫(蒸氣)1.61摩爾％、水蒸氣16.11摩爾％、氯化氫4.83摩爾％和氮構(gòu)成的混合氣體作為從第4涂料器供給的原料氣體以外，進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的過程，得到帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。透明導(dǎo)電膜的厚度為720nm。這樣得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率為28.0%、透明導(dǎo)電膜的薄片電阻為10.2Q/口。另外，就結(jié)晶的峰面積而言，(211)面的峰面積為38，其它取向面的峰面積更小。(實(shí)施例3)除了將從第3涂料器供給的原料氣體中的氯化氫設(shè)為1.40摩爾％以外，進(jìn)行與實(shí)施例2同樣的過程，得到帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。透明導(dǎo)電膜的厚度為687nm。這樣得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率為36.9%、透明導(dǎo)電膜的薄片電阻為12.7Q/口。另外，就結(jié)晶的峰面積而言，(211)面的峰面積為26，其它取向面的峰面積更小。(實(shí)施例4)利用聯(lián)機(jī)CVD法，在玻璃帶上按照順序形成基底膜和透明導(dǎo)電膜(結(jié)晶性金屬氧化物膜)。具體地說，向浮動槽空間內(nèi)供給98體積％的氮和2體積％的氫，以維持浮動槽內(nèi)與槽外相比為稍高壓。在將浮動槽內(nèi)保持在非氧化性氣氛的狀態(tài)下，從位于最上游側(cè)的第1涂料器，供給由四氯化錫(蒸氣)、水蒸氣、氯化氫、氮?dú)夂秃?gòu)成的混合氣體，在玻璃帶上形成折射率為1.9、厚度為55nm的氧化錫膜(SnOj莫、第1基底層)。接著，從第2涂料器，供給由甲硅烷、乙烯、氧氣和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第1基底層上形成折射率為1.46、厚度為30nm的氧化硅膜(SiOj莫、第2基底層)。進(jìn)而，從第3涂料器，供給由四氯化錫(蒸氣)0.50摩爾％、水蒸氣14.88摩爾％、氯化氫0.60摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第2基底層上形成第1氧化錫膜。進(jìn)而，從被設(shè)置于下游側(cè)的第4涂料器，供給由四氯化錫(蒸氣)1.49摩爾％、水蒸氣14.91摩爾％、氯化氫10.44摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第1氧化錫膜上形成第2氧化錫膜。接著，從位于最下游側(cè)的第5涂料器，供給由四氯化錫(蒸氣)3.17摩爾％、水蒸氣47.48摩爾％、氯化氫0.16摩爾％、氟化氫0.55摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第2氧化錫膜上形成被摻雜了氟的氧化錫膜(Sn02:F膜)，得到帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。透明導(dǎo)電膜的厚度為611nm。這樣得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率為15.5%、透明導(dǎo)電膜的薄片電阻為13.7Q/口。另外，就結(jié)晶的峰面積而言，(211)面的峰面積為67，其它取向面的峰面積更小。(實(shí)施例5)利用聯(lián)機(jī)CVD法，在玻璃帶上按照順序形成基底膜和透明導(dǎo)電膜(結(jié)晶性金屬氧化物膜)。具體地說，向浮動槽空間內(nèi)供給98體積％的氮和2體積％的氫，以維持浮動槽內(nèi)與槽外相比為稍高壓。在將浮動槽內(nèi)保持在非氧化性氣氛的狀態(tài)下，從位于最上游側(cè)的第1涂料器，供給由甲硅烷、乙烯、氧氣和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在玻璃帶上形成折射率為1.65、厚度為45nm的氧碳化硅膜(SiOC膜、基底層)。接著，從第2涂料器，噴射氧氣與氮?dú)獾幕旌蠚怏w。此時的氧濃度為33摩爾％。進(jìn)而，從第3涂料器，供給由四氯化錫(蒸氣)0.35摩爾％、水蒸氣7.06摩爾％、氯化氫0.64摩爾Q/^和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在基底層上形成第1氧化錫膜。進(jìn)而，從第4涂料器和第5涂料器，分別供給與實(shí)施例2相同的混合氣體，得到帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。透明導(dǎo)電膜的厚度為700nm。這樣得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率為16.5%、透明導(dǎo)電膜的薄片電阻為8.9Q/口。另外，就結(jié)晶的峰面積而言，(211)面的峰面積為41，其它取向面的峰面積更小。(實(shí)施例6)清洗并干燥預(yù)先被切斷且成為一邊為10cm的正方形的無堿玻璃。在大氣開放型的輸送爐內(nèi)，在被干燥的玻璃板上形成折射率為1.9、厚度為55nm的氧化錫膜(第1基底層)。接著，在第1基底層上形成折射率為1.46、厚度為30nm的氧化硅膜(第2基底層)。進(jìn)而，供給由四氯化錫(蒸氣)0.30摩爾％、水蒸氣9.30摩爾％、氯化氫0.78摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第2基底層上形成第l氧化錫膜。進(jìn)而，繼續(xù)供給由四氯化錫(蒸氣)0.30摩爾％、水蒸氣9.30摩爾％、氯化氫2.35摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第1氧化錫膜上形成第2氧化錫膜。接著，供給由四氯化錫(蒸氣)2.50摩爾％、水蒸氣67.50摩爾％、氯化氫0.40摩爾％、氟化氫1.40摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第2氧化錫膜上形成第1摻雜氟的氧化錫膜，得到帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。透明導(dǎo)電膜的厚度為740nm。這樣得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率為25.5%、透明導(dǎo)電膜的薄片電阻為11.5Q/口。另外，就結(jié)晶的峰面積而言，(211)面的峰面積為55，其它取向面的峰面積更小。(實(shí)施例7)進(jìn)行與實(shí)施例6相同的過程，形成第l基底層和第2基底層，進(jìn)而，供給由四氯化錫(蒸氣)2.30摩爾％、氧氣29.90摩爾％、氯化氫1.84摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第2基底層上形成第1氧化錫膜。進(jìn)而，繼續(xù)供給由四氯化錫(蒸氣)0.30摩爾％、水蒸氣9.30摩爾％、氯化氫2.35摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第1氧化錫膜上形成第2氧化錫膜。接著，供給由四氯化錫(蒸氣)1.50摩爾％、水蒸氣45.0摩爾％、氯化氫1.1摩爾％、氟化氫1.38摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第2氧化錫膜上形成摻雜了氟的氧化錫膜，得到帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。透明導(dǎo)電膜的厚度為740nm。這樣得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率為19.3X、透明導(dǎo)電膜的薄片電阻為9.9Q/口。就結(jié)晶的峰面積而言，(211)面的峰面積為38，其它取向面的峰面積更小。(實(shí)施例8)將從第3涂料器供給的原料氣體改為由四氯化錫(蒸氣)0.4摩爾％、水蒸氣7.1摩爾％、氯化氫0.4摩爾Q/^和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，將從第4涂料器供給的原料氣體改為由四氯化錫(蒸氣)2.3摩爾％、水蒸氣22.7摩爾％、氯化氫6.9摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，將從第5涂料器供給的原料氣體改成由四氯化錫(蒸氣)2.6摩爾％、水蒸氣39.5摩爾％、氯化氫0.52摩爾％、氟化氫1.12摩爾。X和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，除此以外，與實(shí)施例3—樣，得到帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。透明導(dǎo)電膜的厚度為640nm。這樣得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率為18.8%、透明導(dǎo)電膜的薄片電阻為10.3Q/口。另外，就結(jié)晶的峰面積而言，(211)面的峰面積為44，其它取向面的峰面積為28以下。(實(shí)施例9)將從第3涂料器供給的原料氣體改為由四氯化錫(蒸氣)0.6摩爾％、水蒸氣11.6摩爾％、氯化氫1.8摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，將從第4涂料器供給的原料氣體改為由四氯化錫(蒸氣)2.4摩爾％、水蒸氣60.1摩爾％、氯化氫12.0摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，將從第5涂料器供給的原料氣體改為由四氯化錫(蒸氣)2.4摩爾％、水蒸氣60.1摩爾％、氯化氫2.9摩爾％、氟化氫1.46摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，除此以外，與實(shí)施例3—樣，得到帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。透明導(dǎo)電膜的厚度為700nm。這樣得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率為22.5%、透明導(dǎo)電膜的薄片電阻為11.3Q/口。另外，就結(jié)晶的峰面積而言，(211)面的峰面積為32，其它取向面的峰面積為17以下。(比較例1)利用聯(lián)機(jī)CVD法，在玻璃帶上按照下述順序形成基底膜和透明導(dǎo)電膜(結(jié)晶性金屬氧化物膜)。具體地說，向浮動槽空間內(nèi)供給98體積％的氮和2體積％的氫，以維持浮動槽內(nèi)與槽外相比為稍高壓。在將浮動槽內(nèi)保持在非氧化性氣氛的狀態(tài)下，從位于最上游側(cè)的第l涂料器，供給由四氯化錫(蒸氣)、水蒸氣、氯化氫、氮?dú)夂秃?gòu)成的混合氣體，在玻璃帶上形成折射率為1.9、厚度為55nm的氧化錫膜(第1基底層)。接著，從第2涂料器，供給由甲硅垸、乙烯、氧氣和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第l基底層上形成折射率為1.46、厚度為30nm的氧化硅膜(第2基底層)。進(jìn)而，從第3涂料器，供給由四氯化錫(蒸氣)0.90摩爾％、水蒸氣27.06摩爾％、氯化氫0.05摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第2基底層上形成第l氧化錫膜。進(jìn)而，從被設(shè)置于下游側(cè)的第4涂料器，供給由四氯化錫(蒸氣)3.05摩爾％、水蒸氣30.49摩爾％、氯化氫0.15摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第1氧化錫膜上形成第2氧化錫膜。接著，從位于最下游側(cè)的第5涂料器，供給由四氯化錫(蒸氣)2.92摩爾％、水蒸氣43.78摩爾％、氯化氫0.58摩爾％、氟化氫0.23摩爾。^和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，在第2氧化錫膜上形成被摻雜了氟的氧化錫膜，得到帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。透明導(dǎo)電膜的厚度為810nm。這樣得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率為14.5%、透明導(dǎo)電膜的薄片電阻為14.0Q/口。另外，就結(jié)晶的峰面積而言，(211)面的峰面積為118，其它取向面的峰面積為94以下。(比較例2)將從第3涂料器供給的原料氣體改為由四氯化錫(蒸氣)1.7摩爾％、水蒸氣58.8摩爾％、氯化氫0.34摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，將從第4涂料器供給的原料氣體改為由四氯化錫(蒸氣)3.2摩爾％、水蒸氣31.9摩爾°%、氯化氫0.16摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，將從第5涂料器供給的原料氣體改為由四氯化錫(蒸氣)3.4摩爾％、水蒸氣51.0摩爾％、氯化氫0.68摩爾％、氟化氫1.19摩爾％和氮?dú)鈽?gòu)成的混合氣體，除此以外，與實(shí)施例3—樣，得到帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。透明導(dǎo)電膜的厚度為960nm。這樣得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率為25.8°%、透明導(dǎo)電膜的薄片電阻為9.0Q/口。另外，就結(jié)晶的峰面積而言，(211)面的峰面積為153，其它取向面的峰面積為88以下。將在實(shí)施例19以及比較例12中得到的結(jié)果總結(jié)于表1中。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>*第1工序、第2工序、第3工序分別為形成第1氧化錫膜、第2氧化錫膜、摻雜氟的氧化錫膜的工序*峰面積為當(dāng)(110)面的峰面積為100時的相對值*對于一部分樣品，未測量仰角平均值和凸部平均值如表1所示，從實(shí)施例19得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體，即使透明導(dǎo)電膜的厚度為750nm以下，模糊率則為15%以上，與此相對，從比較例1得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體，即使透明導(dǎo)電膜的厚度超過750nm，模糊率也不會達(dá)到15%。從比較例2得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率高，而這只是因?yàn)橥该鲗?dǎo)電膜厚。在從實(shí)施例19得到的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體中，構(gòu)成透明導(dǎo)電膜的氧化錫的結(jié)晶優(yōu)先在(110)面取向。在通過各實(shí)施例形成的透明導(dǎo)電膜的表面上，未觀察到局部突出的圓頂狀凸部(參照圖3圖5)。此外，在利用聯(lián)機(jī)CVD法的實(shí)施例15、89以及比較例12中，形成透明導(dǎo)電膜時的玻璃帶的表面溫度為620690。C。在實(shí)施例67中，將形成透明導(dǎo)電膜時的玻璃板的溫度設(shè)為約660°C。工業(yè)上的可利用性本發(fā)明的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體，作為構(gòu)成太陽電池、光傳感器之類的光電轉(zhuǎn)換元件；液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器、等離子顯示器之類的顯示器裝置；FED、發(fā)光二極管、固體激光器之類的發(fā)光裝置的部件，極為有用。權(quán)利要求1.一種帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體，包括透明基體和在所述透明基體上形成的以結(jié)晶性金屬氧化物為主成分的透明導(dǎo)電膜，其中，所述透明導(dǎo)電膜的厚度為300nm～750nm，所述帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的模糊率為15％以上，對于從X線衍射圖形計(jì)算出的與所述結(jié)晶性氧化物的取向面對應(yīng)的峰面積，將(110)面的峰面積作為100，其它所有取向面的峰面積為80以下。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體，其中，(211)面的峰面積與(110)面的峰面積相比為次大。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶有透明導(dǎo)電膜的基體，其中，所述透明導(dǎo)電膜的表面的凸部的仰角平均值為20度30度。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶有透明導(dǎo)電膜的基體，其中，所述透明導(dǎo)電膜的表面的凸部的直徑平均值為300nm500nm。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體，其中，所述透明導(dǎo)電膜的表面不具有局部突出的圓頂狀凸部。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體，其中，所述金屬氧化物為氧化錫。7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體，其中，在所述透明基體與所述透明導(dǎo)電膜之間進(jìn)一步含有至少1層基底層。8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體，其中，在所述透明基體與所述透明導(dǎo)電膜之間進(jìn)一步含有2層基底層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體，其中，所述透明基體側(cè)的第1基底層是由折射率為1.62.4的材料形成的厚度10nm100nm的膜，所述透明導(dǎo)電膜側(cè)的第2基底層是由折射率為1.41.8的材料形成的厚度10nm100nm的膜。10.—種光電轉(zhuǎn)換元件，其中，含有權(quán)利要求IO所述的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。全文摘要本發(fā)明提供一種帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體的制造方法，包括向透明基體上提供含有金屬化合物、氧化原料以及氯化氫的原料氣體并利用熱分解氧化法在透明基體上形成以結(jié)晶性金屬氧化物為主成分的透明導(dǎo)電膜的工序，上述工序按照順序包括在原料氣體中氯化氫相對于金屬化合物的摩爾比為0.5～5的第1工序；上述摩爾比為2～10且大于第1工序中的上述摩爾比的第2工序。利用本發(fā)明，可以提供一種透明導(dǎo)電膜的厚度為300nm～750nm、模糊率(hazeratio)為15％以上的帶有透明導(dǎo)電膜的透明基體。由此，本發(fā)明提供一種具有即使膜厚度薄也有高的表面凹凸不平的透明導(dǎo)電膜的透明基體。文檔編號H01L31/04GK101477846SQ200910006139公開日2009年7月8日申請日期2004年11月18日優(yōu)先權(quán)日2003年11月18日發(fā)明者吉田英將,末吉幸雄,瀨戶康德,藤澤章申請人:日本板硝子株式會社