專利名稱：堆疊半導(dǎo)體封裝及選擇其中的一個(gè)半導(dǎo)體芯片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝、具有該半導(dǎo)體封裝的堆疊半導(dǎo)體封裝、以及選 擇堆疊半導(dǎo)體封裝中的一個(gè)半導(dǎo)體芯片的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體芯片技術(shù)中，半導(dǎo)體器件的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存和處理能力為一重要因 素。此因素已經(jīng)引發(fā)各種對(duì)于半導(dǎo)體技術(shù)的儲(chǔ)存和處理大量數(shù)據(jù)能力的嘗試。
近來(lái)在半導(dǎo)體芯片技術(shù)的發(fā)展包含設(shè)計(jì)成提高數(shù)據(jù)儲(chǔ)存能力和數(shù)據(jù)處 理速度的堆疊半導(dǎo)體封裝。在堆疊半導(dǎo)體封裝中，至少兩個(gè)半導(dǎo)體封裝^f皮堆疊。
堆疊半導(dǎo)體封裝需要運(yùn)用 一種封裝選擇技術(shù)，其中從多個(gè)半導(dǎo)體封裝中 選擇將被驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體封裝。
業(yè)界已經(jīng)運(yùn)用若干不同方法來(lái)促進(jìn)在堆疊半導(dǎo)體封裝選擇一個(gè)半導(dǎo)體
封裝，其包括包含在相應(yīng)半導(dǎo)體封裝中的半導(dǎo)體芯片形成為具有不同結(jié)構(gòu)； 重配線不同地形成于相同的半導(dǎo)體芯片中；或半導(dǎo)體芯片置成臺(tái)階形狀且導(dǎo) 線連接到芯片以建立不同配置。
然而，當(dāng)使用這些封裝選擇方法來(lái)制造堆疊半導(dǎo)體封裝時(shí)，由于使用上 述技術(shù)時(shí)制造工藝的數(shù)量顯著增加，因此使用這些封裝選擇方法會(huì)在堆疊半 導(dǎo)體封裝的制造中產(chǎn)生諸多問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例包含具有適用于堆疊半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝。 此外，本發(fā)明的實(shí)施例包含堆疊半導(dǎo)體封裝，其中利用電壓降落效應(yīng)， 可以從相同的半導(dǎo)體封裝中選擇任一半導(dǎo)體封裝。
再者，本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種在顯示這種選擇能力的堆疊半導(dǎo)體封裝 中選擇一個(gè)半導(dǎo)體封裝的方法。在一個(gè)方面， 一種半導(dǎo)體封裝，包括半導(dǎo)體芯片，具有電路部；第一
芯片選擇電極，在該半導(dǎo)體芯片的第一位置穿過(guò)該半導(dǎo)體芯片，并具有第一
電阻；第二芯片選擇電極，在該半導(dǎo)體芯片的第二位置穿過(guò)該半導(dǎo)體芯片， 并具有大于第一電阻的第二電阻；以及信號(hào)比較部，形成于該半導(dǎo)體芯片中 并電連接到第 一和第二芯片選擇電極，以比較從第 一芯片選擇電極應(yīng)用的第 一信號(hào)和從第二芯片選擇電極應(yīng)用的第二信號(hào)且隨后輸出芯片選擇信號(hào)到 該電路部
該半導(dǎo)體封裝還包括接地重配線，該接地重配線形成于該半導(dǎo)體芯片上 且電連接到第二芯片選擇電極。
該半導(dǎo)體封裝還包括數(shù)據(jù)電極，該數(shù)據(jù)電極穿過(guò)該半導(dǎo)體芯片且具有小 于第二電阻的第三電阻。
該第一電阻和第三電阻大致相等。
當(dāng)?shù)?一信號(hào)和第二信號(hào)相等時(shí)，該芯片選擇信號(hào)從信號(hào)比較部輸出到電路部。
在本發(fā)明的另一方面， 一種堆疊半導(dǎo)體封裝包括相互堆疊并具有相應(yīng) 電路部的多個(gè)半導(dǎo)體芯片；第一芯片選擇電極，穿過(guò)相應(yīng)半導(dǎo)體芯片上的第 一位置且具有第一電阻；第二芯片選擇電極，穿過(guò)相應(yīng)半導(dǎo)體芯片上的第二 位置且具有大于第一電阻的第二電阻；以及信號(hào)比較部，形成于相應(yīng)半導(dǎo)體 芯片中且電連接到相應(yīng)半導(dǎo)體芯片的第一和第二芯片選擇電極，從而依據(jù)從 第 一和第二芯片選擇電極應(yīng)用的第一信號(hào)和第二信號(hào)之間的差，輸出芯片選 擇信號(hào)到電路部
該堆疊半導(dǎo)體封裝還包括基板，該基板上裝設(shè)該半導(dǎo)體芯片。該基板具 有信號(hào)供應(yīng)單元，用于產(chǎn)生具有不同水平的第二信號(hào)，以及具有和任一第二 信號(hào)相同的水平的第一信號(hào)。
該信號(hào)供應(yīng)單元包括分壓器，用于將具有預(yù)設(shè)水平的電壓分成具有不 同水平的多個(gè)電壓；電源供應(yīng)部，用于供應(yīng)具有預(yù)設(shè)水平的電壓到該分壓器； 開(kāi)關(guān)部，用于輸出由該分壓器分出的多個(gè)電壓；以及驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部，用于 馬區(qū)動(dòng)該開(kāi)關(guān)吾，。
該分壓器包含電阻器，電阻器串聯(lián)連接且具有與半導(dǎo)體芯片的數(shù)量對(duì)應(yīng) 的節(jié)點(diǎn)的數(shù)量。
相應(yīng)電阻器具有相同的電阻值。該分壓器還包含與該電阻器串聯(lián)連接的附加接地電阻器，該第二芯片選 擇電極具有電連接到第二芯片選擇電極的接地重配線。
相應(yīng)開(kāi)關(guān)部串聯(lián)連接在相應(yīng)節(jié)點(diǎn)和相應(yīng)第 一 芯片選擇電極之間。 該電源供應(yīng)部供應(yīng)電源到分壓器和第二芯片選擇電極。 相應(yīng)第二芯片選擇電極皆有相同的電阻值。
在本發(fā)明的另一方面， 一種半導(dǎo)體封裝包括半導(dǎo)體芯片，具有電路部； 芯片選擇電極，穿過(guò)該半導(dǎo)體芯片；參考電壓供應(yīng)部，形成于該半導(dǎo)體芯片 中用于輸出參考電壓；以及信號(hào)比較部，形成于該半導(dǎo)體芯片中并電連接到 芯片選擇電極和該參考電壓供應(yīng)部，以比較從芯片選擇電極應(yīng)用的第 一信號(hào) 和從參考電壓供應(yīng)部應(yīng)用的第二信號(hào)并輸出芯片選擇信號(hào)到該電路部。
該半導(dǎo)體封裝還包括作為電阻器的接地重配線，該接地重配線形成于該 半導(dǎo)體芯片且電連接到該芯片選擇電極。
該半導(dǎo)體封裝還包括數(shù)據(jù)電極，該數(shù)據(jù)電極穿過(guò)半導(dǎo)體芯片且具有第一 電阻。該芯片選擇電極具有大于第一電阻的第二電阻。
當(dāng)?shù)谝缓偷诙盘?hào)大致相等時(shí)，該芯片選擇信號(hào)從該信號(hào)比較部輸出到 該電路部。
在本發(fā)明的另一方面， 一種堆疊半導(dǎo)體封裝包括相互堆疊且具有相應(yīng) 電路部的多個(gè)半導(dǎo)體芯片；芯片選擇電極，穿過(guò)相應(yīng)半導(dǎo)體芯片；參考電壓 供應(yīng)部，形成于相應(yīng)半導(dǎo)體芯片中，用于輸出參考電壓；以及信號(hào)比較部， 電連接到相應(yīng)半導(dǎo)體芯片的芯片選擇電極和參考電壓供應(yīng)部，以依據(jù)從芯片 選擇電極應(yīng)用的第一信號(hào)和從參考電壓供應(yīng)部應(yīng)用的第二信號(hào)的水平差，輸 出芯片選擇信號(hào)到電路部。
該堆疊半導(dǎo)體封裝還包括裝設(shè)多個(gè)半導(dǎo)體芯片的基板，該基板具有用于 產(chǎn)生包含第一信號(hào)的多個(gè)第二信號(hào)的信號(hào)供應(yīng)單元。
該信號(hào)供應(yīng)單元包括分壓器，用于將具有預(yù)設(shè)水平的電壓分成具有不 同水平的多個(gè)電壓；電源供應(yīng)部，用于供應(yīng)具有預(yù)設(shè)水平的電壓到該分壓器； 開(kāi)關(guān)部，用于輸出由該分壓器分出的多個(gè)電壓；以及驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部，用于 產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)相應(yīng)開(kāi)關(guān)部。
該分壓器包含電阻器，該電阻器串聯(lián)連接且具有與半導(dǎo)體芯片的數(shù)量對(duì) 應(yīng)的節(jié)點(diǎn)的數(shù)量。
相應(yīng)電阻器具有相同的電阻值。該分壓器還包含與該電阻器串聯(lián)連接的附加接地電阻器，該第二芯片選 擇電極具有電連接到第二芯片選擇電極的接地重配線。
相應(yīng)開(kāi)關(guān)部串聯(lián)連接在相應(yīng)節(jié)點(diǎn)和相應(yīng)第一芯片選擇電極之間。 在本發(fā)明的再一方面， 一種選擇堆疊半導(dǎo)體封裝中的一個(gè)半導(dǎo)體芯片的
方法，包括以下步驟將第一信號(hào)應(yīng)用到相應(yīng)信號(hào)比較部，其中信號(hào)比較部 形成于相互堆疊的多個(gè)半導(dǎo)體芯片中；將包含第一信號(hào)的第二信號(hào)應(yīng)用到半 導(dǎo)體芯片的相應(yīng)信號(hào)比較部；比較應(yīng)用到相應(yīng)信號(hào)比較部的第一信號(hào)和第二 信號(hào)的水平之間的差；以及從信號(hào)比較部，應(yīng)用到該信號(hào)比較部的第一和第 二信號(hào)具有最小的水平差，輸出具有芯片選擇使能水平的信號(hào)。
應(yīng)用第一信號(hào)的步驟包括以下步驟產(chǎn)生具有不同水平的第一信號(hào)；以 及選擇任一具有不同水平的第 一信號(hào)。
產(chǎn)生具有不同水平的第 一信號(hào)的步驟包括以下步驟將具有預(yù)設(shè)水平的 DC電壓分成多個(gè)電壓，其中該多個(gè)電壓的數(shù)量對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體芯片的數(shù)量。
將第二信號(hào)應(yīng)用到相應(yīng)信號(hào)比較部的步驟包括以下步驟將該DC電壓 分成多個(gè)電壓，其中該多個(gè)電壓的數(shù)量對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體芯片的數(shù)量。
應(yīng)用第 一信號(hào)的步驟包括以下步驟將從相應(yīng)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的第 一信 號(hào)應(yīng)用到相應(yīng)信號(hào)比較部。
應(yīng)用第二信號(hào)的步驟包括以下步驟將具有預(yù)設(shè)電壓水平的DC電壓分 壓，由此產(chǎn)生具有不同電壓水平的初級(jí)第二信號(hào)；輸出選擇信號(hào)，用于選擇 具有不同電壓水平的初級(jí)第二信號(hào)的任何一個(gè)；響應(yīng)于該選擇信號(hào)選擇初級(jí) 第二信號(hào)；以及將所選擇的初級(jí)第二信號(hào)分成與該半導(dǎo)體芯片一樣的數(shù)量， 由此產(chǎn)生包含第一信號(hào)且具有不同水平的第二信號(hào)。


圖1為示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖面圖。
圖2為示出堆疊半導(dǎo)體封裝的剖面圖，其中多個(gè)圖l所示半導(dǎo)體封裝相
互堆疊。
圖3為示出用于產(chǎn)生在圖2所示堆疊半導(dǎo)體封裝中使用的具有不同水平 的第 一信號(hào)和第二信號(hào)的信號(hào)供應(yīng)單元的方框圖。
圖4為示出根據(jù)本發(fā)明另 一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖面圖。
圖5為示出堆疊半導(dǎo)體封裝的剖面圖，其中多個(gè)圖4所示半導(dǎo)體封裝相互堆疊。
圖6為示出用于產(chǎn)生在圖5所示堆疊半導(dǎo)體封裝中使用的具有不同水平 的第一信號(hào)和第二信號(hào)的信號(hào)供應(yīng)單元的方框圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考

根據(jù)本發(fā)明特定實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝、具有該半導(dǎo) 體封裝的堆疊半導(dǎo)體封裝、以及選擇堆疊半導(dǎo)體封裝中的一個(gè)半導(dǎo)體芯片的 方法。注意，本發(fā)明并不局限于下列實(shí)施例，而本領(lǐng)域:技術(shù)人員將察覺(jué)到本 發(fā)明可以以各種不同方式實(shí)現(xiàn)而不偏離本發(fā)明的技術(shù)概念。
圖1為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖面圖。
參考圖1,半導(dǎo)體封裝IOO包含半導(dǎo)體芯片10、第一芯片選擇電極20、 第二芯片選擇電極30和信號(hào)比較部40。
在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片10為矩形六面體的形狀，并且包 含電路部2和焊墊(未示出)。
電路部2例如具有用于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存部(未示出)和用于處理數(shù) 據(jù)的凄t據(jù)處理部(未示出)。
焊墊電連接到電路部2，且可以設(shè)置于半導(dǎo)體芯片IO上表面的中央部分 或鄰近上表面的邊緣。
第一芯片選擇電極20在半導(dǎo)體芯片10的第一位置穿過(guò)半導(dǎo)體芯片10 的上表面和下表面。在本實(shí)施例中，第一芯片選擇電極20具有第一電阻R1。
第二芯片選擇電極30在半導(dǎo)體芯片10的第二位置穿過(guò)半導(dǎo)體芯片10 的上表面和下表面。在本實(shí)施例中，第二芯片選^^電極30具有大于第一電 阻R1的第二電阻R2。
此外，重配線4形成于半導(dǎo)體芯片IO的上表面，使得重配線4接地并 且電連接到第二芯片選擇電極30。
信號(hào)比較部40形成于電路部2。例如，信號(hào)比較部40比較從第一芯片 選擇電極20和第二芯片選擇電極30接收的兩個(gè)信號(hào)，并且在輸入信號(hào)具有 大致相等的水平或者輸入信號(hào)的水平差在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)輸出芯片選擇信號(hào) CSS到電路部2。在本實(shí)施例中，信號(hào)比較部40可包括差分放大器。
例如，從第一芯片選擇電極20輸出第一信號(hào)FS，從第二芯片選擇電極 30輸出第二信號(hào)SS。接著，將第一信號(hào)FS和第二信號(hào)SS輸入信號(hào)比較部40。信號(hào)比較部40比較所接收的第一信號(hào)FS和第二信號(hào)SS的電壓水平， 且在第一信號(hào)FS和第二信號(hào)SS具有大致相等的水平或二者之差在預(yù)設(shè)范圍 內(nèi)時(shí)，輸出芯片選擇信號(hào)CSS到電路部2。
除了第一芯片選擇電極20和第二芯片選擇電極30，半導(dǎo)體芯片10包含 數(shù)據(jù)電極50,數(shù)據(jù)通過(guò)該數(shù)據(jù)電極50被輸入和輸出。各數(shù)據(jù)電極50穿過(guò)半 導(dǎo)體芯片IO的上表面和下表面，并且通過(guò)焊墊電連接到電路部2。在本實(shí)施 例中，各數(shù)據(jù)電極50具有第三電阻R3。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)電 極50的第三電阻R3大致等于第一芯片選擇電極20的第一電阻R1。
當(dāng)芯片選擇信號(hào)CSS從信號(hào)比較部40輸出到電路部2時(shí)，數(shù)據(jù)通過(guò)數(shù) 據(jù)電極50由電路部2輸入或輸出。
圖2為示出堆疊半導(dǎo)體封裝的剖面圖，其中多個(gè)圖l所示半導(dǎo)體封裝相 互堆疊。
在圖2所示的實(shí)施例中，堆疊半導(dǎo)體封裝200具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中兩 個(gè)芯片選擇電極用于選擇多個(gè)堆疊半導(dǎo)體芯片中的一個(gè)半導(dǎo)體芯片。
參考圖2，堆疊半導(dǎo)體封裝200包含多個(gè)堆疊半導(dǎo)體芯片110、 120、 130、 140,多個(gè)第一芯片選擇電極112、 122、 132、 142,多個(gè)第二芯片選擇電極 114、 124、 134、 144和多個(gè)信號(hào)比較部118、 128、 138、 148。
在圖2所示的本發(fā)明實(shí)施例中，堆疊半導(dǎo)體封裝200具有四個(gè)堆疊半導(dǎo) 體芯片110、 120、 130和140。然而，本發(fā)明并不局限于四個(gè)半導(dǎo)體芯片的 堆疊，而可以包含任何數(shù)量的半導(dǎo)體芯片。
下面將該四個(gè)半導(dǎo)體芯片110、 120、 130、 140稱作第一半導(dǎo)體芯片110、 第二半導(dǎo)體芯片120、第三半導(dǎo)體芯片130和第四半導(dǎo)體芯片140。
第二半導(dǎo)體芯片120放置于第一半導(dǎo)體芯片IIO上，第三半導(dǎo)體芯片130 放置于第二半導(dǎo)體芯片120上，以及第四半導(dǎo)體芯片140放置于第三半導(dǎo)體 芯片130上。
第一半導(dǎo)體芯片110包含第一芯片選擇電極112、第二芯片選擇電極114 和在第一半導(dǎo)體芯片IIO的電路部116形成的信號(hào)比較部118。
在本實(shí)施例中，第一芯片選擇電極112位于第一半導(dǎo)體芯片110的第一 位置，第二芯片選擇電極114位于第一半導(dǎo)體芯片IIO的第二位置。第一芯 片選擇電極112和第二芯片選擇電極114分別穿過(guò)第一半導(dǎo)體芯片110的上 表面和下表面(與上表面相對(duì))。第一芯片選擇電極112具有第一電阻Rr,第二芯片選擇電極114具有大于第 一電阻Rr的第二電阻RO。
在第一半導(dǎo)體芯片110的電路部116中形成的信號(hào)比較部118，電連接 到第一芯片選擇電極112和第二芯片選擇電極114。信號(hào)比較部118依據(jù)從
差，輸出芯片選擇信號(hào)CSS1到第一半導(dǎo)體芯片110的電路部116。
例如，第一信號(hào)Vs應(yīng)用到第一芯片選擇電極112。接著。第一信號(hào)Vs 應(yīng)用到信號(hào)比較部118。
當(dāng)DC電壓Vdc應(yīng)用到第二芯片選擇電極114時(shí)，由于第二芯片選擇電 極114的第二電阻R0，該DC電壓Vdc下降，且電壓下降的第二信號(hào)VF1 應(yīng)用到信號(hào)比較部118。
第一半導(dǎo)體芯片no的信號(hào)比較部118比較第一信號(hào)Vs的電壓水平和 第二信號(hào)VF1的電壓水平，并且在第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF1的電壓水平 大致相等或二者之差在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，輸出芯片選擇信號(hào)CSS1到電路部 116。反之，在信號(hào)比較部118比較第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF1的電壓水 平時(shí)，如果第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF1之間的電壓水平差不在該預(yù)設(shè)范圍 內(nèi)，信號(hào)比較部118不輸出芯片選擇信號(hào)CSS1到電路部116。
第二半導(dǎo)體芯片120包含第一芯片選擇電極122、第二芯片選擇電極124 和信號(hào)比一交部128。
在本實(shí)施例中，第二半導(dǎo)體芯片120的第一芯片選擇電極122在第二半 導(dǎo)體芯片120的第一位置穿過(guò)第二半導(dǎo)體芯片120的上表面和下表面(與上 表面相對(duì))。結(jié)果，第二半導(dǎo)體芯片120的第一芯片選擇電極122串聯(lián)電連 接到第一半導(dǎo)體芯片110的第一芯片選擇電極112。
第二半導(dǎo)體芯片120的第二芯片選擇電極124在第二半導(dǎo)體芯片120的 第二位置穿過(guò)第二半導(dǎo)體芯片120的上表面和下表面(與上表面相對(duì))。結(jié) 果，第二半導(dǎo)體芯片120的第二芯片選擇電極124串聯(lián)電連接到第一半導(dǎo)體 芯片110的第二芯片選擇電極114。
第二半導(dǎo)體芯片120的第一芯片選擇電極122具有第一電阻Rr，第二芯 片選擇電極124具有大于第一電阻Rr的第二電阻R1。
在第二半導(dǎo)體芯片120的電路部126形成的信號(hào)比較部128電連接到第 一芯片選擇電極122和第二芯片選擇電極124。信號(hào)比較部128依據(jù)從第一 芯片選擇電極122和第二芯片選擇電極124接收的信號(hào)之間的電壓水平差，輸出芯片選擇信號(hào)CSS2到第二半導(dǎo)體芯片120的電路部126。
例如，從第一芯片選擇電極122接收的第一信號(hào)Vs應(yīng)用到信號(hào)比較部 128。從第二半導(dǎo)體芯片120的第二芯片選擇電極124接收的第二信號(hào)VF2 也應(yīng)用到第二半導(dǎo)體芯片120的信號(hào)比較部128。
第二半導(dǎo)體芯片120的信號(hào)比較部128比較第一信號(hào)Vs的電壓水平和 第二信號(hào)VF2的電壓水平，并且在第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF2的電壓水平 相同或二者之差在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，輸出芯片選擇信號(hào)CSS2到電路部126。 反之，在信號(hào)比較部128比較第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF2的電壓水平時(shí)， 如果第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF2的電壓水平差不在該預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，信號(hào)比 較部128將不輸出芯片選擇信號(hào)CSS2到電路部126。
第三半導(dǎo)體芯片130包含第一芯片選擇電極132、第二芯片選擇電極134 和信號(hào)比較部138。
在本實(shí)施例中，第三半導(dǎo)體芯片130的第一芯片選擇電極132在第三半 導(dǎo)體芯片130的第一位置穿過(guò)第三半導(dǎo)體芯片130的上表面和下表面(與上 表面相對(duì))。結(jié)果，第三半導(dǎo)體芯片130的第一芯片選擇電極132串聯(lián)電連 接到第二半導(dǎo)體芯片120的第一芯片選擇電極122。
第三半導(dǎo)體芯片130的第二芯片選擇電極134在第三半導(dǎo)體芯片130的 第二位置穿過(guò)第三半導(dǎo)體芯片130的上表面和下表面(與上表面相對(duì))。結(jié) 果，第三半導(dǎo)體芯片130的第二芯片選擇電極134串聯(lián)電連接到第二半導(dǎo)體 芯片120的第二芯片選擇電極124。
第三半導(dǎo)體芯片130的第一芯片選擇電極132具有第一電阻Rr，第二芯 片選擇電極134具有大于第一電阻Rr的第二電阻R2。
在第三半導(dǎo)體芯片130的電路部136形成的信號(hào)比較部138電連接到第 一芯片選擇電極132和第二芯片選擇電極134。信號(hào)比較部138依據(jù)從第一 芯片選擇電極D2和第二芯片選擇電極134接收的信號(hào)之間的電壓水平差， 輸出芯片選擇信號(hào)CSS3到第三半導(dǎo)體芯片130的電路部136。
例如，從第一芯片選擇電極132接收的第一信號(hào)Vs應(yīng)用到信號(hào)比較部 138。從第三半導(dǎo)體芯片130的第二芯片選擇電極134接收的第二信號(hào)VF3 也應(yīng)用到第三半導(dǎo)體芯片130的信號(hào)比較部138。
第三半導(dǎo)體芯片130的信號(hào)比較部138比較第一信號(hào)Vs的電壓水平和 第二信號(hào)VF3的電壓水平，并且在第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF3的電壓水平相同或二者之差在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，輸出芯片選擇信號(hào)CSS3到電^^部136。 反之，在信號(hào)比較部138比較第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF3的電壓水平時(shí)， 如果第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF3的電壓水平差不在該預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，信號(hào)比 較部138不輸出芯片選擇信號(hào)CSS3到電路部136。
第四半導(dǎo)體芯片140包含第一芯片選擇電極142、第二芯片選擇電極144 和信號(hào)比4交部148。
在本實(shí)施例中，第四半導(dǎo)體芯片140的第一芯片選擇電極142在第四半 導(dǎo)體芯片140的第一位置穿過(guò)第四半導(dǎo)體芯片140的上表面和下表面(與上 表面相對(duì))。結(jié)果，第四半導(dǎo)體芯片140的第一芯片選擇電極142串聯(lián)電連 接到第三半導(dǎo)體芯片130的第一芯片選擇電極132。
第四半導(dǎo)體芯片140的第二芯片選擇電極144在第四半導(dǎo)體芯片140的 第二位置穿過(guò)第四半導(dǎo)體芯片140的上表面和下表面(與上表面相對(duì))。結(jié) 果，第四半導(dǎo)體芯片140的第二芯片選擇電極144串聯(lián)電連接到第三半導(dǎo)體 芯片130的第二芯片選擇電極134。
第四半導(dǎo)體芯片140的第一芯片選擇電極142具有第一電阻Rr,第二芯 片選擇電極144具有大于第 一電阻Rr的第二電阻R3。具有電阻Rt2并且作 為附加電阻器的重配線149電連接到第二芯片選擇電極144。
在第四半導(dǎo)體芯片140的電路部146形成的信號(hào)比較部148電連接到第 一芯片選擇電極142和第二芯片選擇電極144。信號(hào)比較部148依據(jù)從第一 芯片選擇電極142和第二芯片選擇電極144接收的信號(hào)之間的電壓水平差， 輸出芯片選擇信號(hào)CSS4到第四半導(dǎo)體芯片140的電路部146。
例如，從第一芯片選擇電極142接收的第一信號(hào)Vs應(yīng)用到信號(hào)比較部 148。從第四半導(dǎo)體芯片140的第二芯片選擇電極144接收的第二信號(hào)VF4 也應(yīng)用到第四半導(dǎo)體芯片140的信號(hào)比較部148。
第四半導(dǎo)體芯片140的信號(hào)比較部148比較第一信號(hào)Vs的電壓水平和 第二信號(hào)VF4的電壓水平，并且在第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF4的電壓水平 相等或二者之差在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，輸出芯片選擇信號(hào)CSS4到電路部146。 反之，在信號(hào)比較部148比較第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF4的電壓水平時(shí)， 如果第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF4的電壓水平差不在該預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，信號(hào)比 較部148不輸出芯片選擇信號(hào)CSS4到電路部146。
在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)用到第一至第四半導(dǎo)體芯片110、 120、 130、140的相應(yīng)的第一芯片選擇電極112、 122、 132、 142的各第一信號(hào)Vs所具 有的電壓水平與應(yīng)用到第一至第四半導(dǎo)體芯片110、 120、 130、 140的相應(yīng) 的第二芯片選擇電極114、 124、 134、 144的任一第二信號(hào)VF1、 VF2、 VF3、 VF4相等。因此，通過(guò)調(diào)整第一信號(hào)Vs的水平以與任一第二信號(hào)VF1、 VF2、 VF3、 VF4的水平一致，即可選擇第一至第四半導(dǎo)體芯片110、 120、 130、 140的任一半導(dǎo)體芯片。
此外，在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，第二芯片選擇電極114、 124、 134、 144 以及第一至第四半導(dǎo)體芯片110、 120、 130、 140的重配線149的電阻RO、 Rl、 R2、 R3、 Rt2具有大致相等的值。
在第一至第四半導(dǎo)體芯片110、 120、 130、 140的各第二芯片選擇電極 114、 124、 134、 144中形成的節(jié)點(diǎn)分別定義為節(jié)點(diǎn)NO、節(jié)點(diǎn)N1、節(jié)點(diǎn)N2 和節(jié)點(diǎn)N3,如圖2所示。
從節(jié)點(diǎn)NO輸出的第二信號(hào)VF1應(yīng)用到第 一半導(dǎo)體芯片110的信號(hào)比較 部118;從節(jié)點(diǎn)Nl輸出的第二信號(hào)VF2應(yīng)用到第二半導(dǎo)體芯片120的信號(hào) 比較部128;從節(jié)點(diǎn)N2輸出的第二信號(hào)VF3應(yīng)用到第三半導(dǎo)體芯片130的 信號(hào)比較部138;以及從節(jié)點(diǎn)N3輸出的第二信號(hào)VF4應(yīng)用到第四半導(dǎo)體芯 片140的信號(hào)比較部148。
圖3為示出用于產(chǎn)生第一信號(hào)且也產(chǎn)生均具有不同電壓水平的第二信號(hào) 的信號(hào)供應(yīng)單元的方框圖。
參考圖3,堆疊半導(dǎo)體封裝200還包含信號(hào)供應(yīng)單元300。信號(hào)供應(yīng)單 元300輸出分別具有不同電壓水平的第二信號(hào)VF1、 VF2、 VF3、 VF4至第 二芯片選擇電極114、 124、 134、 144。該信號(hào)供應(yīng)單元也產(chǎn)生第一信號(hào)Vs, 使得各第一信號(hào)Vs的電壓水平相同并與第二信號(hào)VF1、 VF2、 VF3、 VF4 之一的電壓水平相等。
在本實(shí)施例中，信號(hào)供應(yīng)單元300可布置于其上裝設(shè)第一至第四半導(dǎo)體 芯片110、 120、 130、 140的基板，例如印刷電^各板。
信號(hào)供應(yīng)單元300包含分壓器310、電源供應(yīng)部320、開(kāi)關(guān)部330和驅(qū) 動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部340。
分壓器310將DC電壓分成具有不同水平的多個(gè)電壓。分壓器310包含 串4關(guān)連接的電阻器Ra、 Rb、 Rc、 Rd。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，電阻器Ra、 Rb、 Rc、 Rd的數(shù)量與堆疊半導(dǎo)體芯片的數(shù)量相對(duì)應(yīng)。例如，由于圖3中半導(dǎo)體芯片的數(shù)量為4，分壓器310的電阻器Ra、 Rb、 Rc、 Rd的數(shù)量設(shè)定為 4。此外，附加的接地電阻器Rtl連接到電阻器Ra。
具有串聯(lián)連接的四個(gè)電阻器Ra、 Rb、 Rc、 Rd的分壓器310具有四個(gè)節(jié) 點(diǎn)Na、 Nb、 Nc、 Nd。節(jié)點(diǎn)Na形成于附加電阻器Rtl和電阻器Ra之間；節(jié) 點(diǎn)Nb形成于電阻器Ra和Rb之間；節(jié)點(diǎn)Nc形成于電阻器Rb和Rc之間； 節(jié)點(diǎn)Nd形成于電阻器Rc和Rd之間。
電源供應(yīng)部320輸出DC電壓Vdc。電源供應(yīng)部320連接到分壓器310 的電阻器Rd和第一半導(dǎo)體芯片110的第二芯片選擇電極114，由此，DC電 壓Vdc應(yīng)用到電阻器Rd和第二芯片選擇電極114。
由驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部340產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的數(shù)量對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片的數(shù) 量。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部340產(chǎn)生四個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)Dvl、 Dv2、 Dv3、 Dv4,其對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片的數(shù)量(4 )。
開(kāi)關(guān)部330的數(shù)量對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片的數(shù)量。例如，在圖3所示的本發(fā) 明實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)部330的數(shù)量為4。
下面將各開(kāi)關(guān)部330稱作第一開(kāi)關(guān)部332、第二開(kāi)關(guān)部334、第三開(kāi)關(guān) 部336和第四開(kāi)關(guān)部338。
在第一開(kāi)關(guān)部332中，晶體管的源極電極S1電連接到節(jié)點(diǎn)Na，漏極電 極D1串聯(lián)電連接到第一半導(dǎo)體芯片110的第一芯片選擇電極112,柵極電 極Ga電連接到驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部340。應(yīng)用到柵極電極Ga的驅(qū)動(dòng)信號(hào)Dv4 是從驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部340接收。
在第二開(kāi)關(guān)部334中，晶體管的源極電極S2電連接到節(jié)點(diǎn)Nb，漏極電 極D2串聯(lián)電連接到第一半導(dǎo)體芯片110的第一芯片選擇電極112,柵極電 極Gb電連接到驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部340。應(yīng)用到柵極電極Gb的驅(qū)動(dòng)信號(hào)Dv3 是從驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部340接收。
在第三開(kāi)關(guān)部336中，晶體管的源極電極S3電連接到節(jié)點(diǎn)Nc,漏極電 極D3串聯(lián)電連接到第一半導(dǎo)體芯片110的第一芯片選擇電極112，柵極電 極Gc電連接到驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部340。應(yīng)用到柵極電極Gc的驅(qū)動(dòng)信號(hào)Dv2 是從驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部340接收。
在第四開(kāi)關(guān)部338中，晶體管的源極電極S4電連接到節(jié)點(diǎn)Nd,漏極電 極D4串聯(lián)電連接到第一半導(dǎo)體芯片110的第一芯片選擇電極112，柵極電 極Gd電連接到驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部340。應(yīng)用到柵極電極Gd的驅(qū)動(dòng)信號(hào)Dvl是從驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部340接收。
下面將參考圖3說(shuō)明本發(fā)明的用于選擇包含在堆疊半導(dǎo)體封裝中的各半
導(dǎo)體芯片的方法。
首先，當(dāng)假設(shè)分壓器310的各電阻器Ra、 Rb、 Rc、 Rd和附加電阻器 Rtl所具有的電阻值與第一至第四半導(dǎo)體芯片110、 120、 130、 140的各第二 芯片選擇電極114、 124、 134、 144及重配線149相等；如果，例如，5[V]
(5[V]x5/5 )的DC電壓Vdc通過(guò)電源供應(yīng)部320應(yīng)用到電阻器Rd和第二 芯片選擇電極114; 4[V] (5[V]x4/5)應(yīng)用到分壓器310的節(jié)點(diǎn)Nd; 3[V]
(5[V]x3/5 )應(yīng)用到節(jié)點(diǎn)Nc; 2[V]( 5[V]x2/5 )應(yīng)用到節(jié)點(diǎn)Nb; l[V]( 5[V]xl/5 ) 應(yīng)用到節(jié)點(diǎn)Na。
5[V]的DC電壓Vdc也應(yīng)用到第一半導(dǎo)體芯片IIO的第二芯片選擇電極 114, 4[V] (5[V]x4/5)應(yīng)用到節(jié)點(diǎn)NO。通過(guò)節(jié)點(diǎn)NO，具有4[V]水平的第二 信號(hào)VF1應(yīng)用到第一半導(dǎo)體芯片110的信號(hào)比較部118。
3[V] (5[V]x3/5)應(yīng)用到節(jié)點(diǎn)N1。通過(guò)節(jié)點(diǎn)N1，具有3[V]水平的第二 信號(hào)VF2應(yīng)用到第二半導(dǎo)體芯片120的信號(hào)比較部128。
2[V] (5[V]x2/5)應(yīng)用到節(jié)點(diǎn)N2。通過(guò)節(jié)點(diǎn)N2，具有2[V]水平的第二 信號(hào)VF3應(yīng)用到第三半導(dǎo)體芯片130的信號(hào)比較部138。
l[V] (5[V]xl/5)應(yīng)用到節(jié)點(diǎn)N3。通過(guò)節(jié)點(diǎn)N3，具有l(wèi)[V]水平的第二 信號(hào)VF4應(yīng)用到第四半導(dǎo)體芯片140的信號(hào)比較部148。
當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體芯片IIO被選擇時(shí)具有4[V]水平的第二信號(hào)VF1應(yīng)用 到第一半導(dǎo)體芯片IIO的信號(hào)比較部118,具有3[V]水平的第二信號(hào)VF2應(yīng) 用到第二半導(dǎo)體芯片120的信號(hào)比較部128,具有2[V]水平的第二信號(hào)VF3 應(yīng)用到第三半導(dǎo)體芯片130的信號(hào)比較部138,具有l(wèi)[V]水平的第二信號(hào) VF4應(yīng)用到第四半導(dǎo)體芯片140的信號(hào)比較部148;且隨后，從驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn) 生部340輸出從而選擇第一半導(dǎo)體芯片110的驅(qū)動(dòng)信號(hào)Dvl開(kāi)啟開(kāi)關(guān)部338。 當(dāng)開(kāi)關(guān)部338開(kāi)啟時(shí)，第一信號(hào)Vs變成節(jié)點(diǎn)Nd的電壓水平4[V],且大致 上Vs二4[V]通過(guò)第一芯片選擇電極112、 122、 132、 142應(yīng)用到第一至第四半 導(dǎo)體芯片110、 120、 130、 140的各信號(hào)比較部118、 128、 138、 148。
相應(yīng)地，具有大致上4[V]電壓水平的第一信號(hào)Vs和具有大致上4[V]電 壓水平的第二信號(hào)VF1應(yīng)用到第一半導(dǎo)體芯片IIO的信號(hào)比較部118,且具 有大致上4[V]電壓水平的第 一信號(hào)Vs和具有大致上3[V]電壓水平的第二信號(hào)VF2應(yīng)用到第二半導(dǎo)體芯片120的信號(hào)比較部128。
再者，具有大致上4[V]電壓水平的第 一信號(hào)Vs和具有大致上2[V]電壓 水平的第二信號(hào)VF3應(yīng)用到第三半導(dǎo)體芯片130的信號(hào)比較部138，具有大 致上4[V]電壓水平的第一信號(hào)Vs和具有大致上l[V]電壓水平的第二信號(hào) VF4應(yīng)用到第四半導(dǎo)體芯片140的信號(hào)比較部148。
因此，應(yīng)用到第一半導(dǎo)體芯片110中包含的信號(hào)比較部118的第一信號(hào) Vs和第二信號(hào)VF1之間的電壓水平差大致上為O[V]，應(yīng)用到第二半導(dǎo)體芯 片120中包含的信號(hào)比較部128的第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF2之間的電壓 水平差大致上為l[V],應(yīng)用到第三半導(dǎo)體芯片130中包含的信號(hào)比較部138 的第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF3之間的電壓水平差大致上為2[V]，應(yīng)用到第 四半導(dǎo)體芯片140中包含的信號(hào)比較部148的第一信號(hào)Vs和第二信號(hào)VF4 之間的電壓水平差大致上為3[V]。
結(jié)果，在第一至第四半導(dǎo)體芯片110、 120、 130、 140中分別包含的信 號(hào)比較部118、 128、 138、 148中，芯片選擇信號(hào)CSS1從在第一半導(dǎo)體芯片 110中包含的信號(hào)比較部118 (其具有最小的電壓水平差，約為O[V])輸出 到電^各部116。
此外，為了選擇第二半導(dǎo)體芯片120，驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部340輸出驅(qū)動(dòng)信 號(hào)Dv2。結(jié)果，第一信號(hào)Vs變成節(jié)點(diǎn)Nc的電壓水平3[V]，且大致上Vs=3[V] 應(yīng)用到第一至第四半導(dǎo)體芯片110、 120、 130、 140的各信號(hào)比較部118、 128、 138、 148。結(jié)果，芯片選擇信號(hào)CSS2從信號(hào)比較部128輸出到電路部126, 具有大致上3[V]水平的第二信號(hào)VF2應(yīng)用到該信號(hào)比較部128。
再者，為了選擇第三半導(dǎo)體芯片130，驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部340輸出驅(qū)動(dòng)信 號(hào)Dv3。結(jié)果，第一信號(hào)Vs變成節(jié)點(diǎn)Nb的電壓水平2[V],且大致上Vs=2[V] 應(yīng)用到第一至第四半導(dǎo)體芯片110、 120、 130、 140的各信號(hào)比較部118、 128、 138、 148。結(jié)果，芯片選擇信號(hào)CSS3從信號(hào)比較部138輸出到電路部136， 具有大致上2[V]水平的第二信號(hào)VF3應(yīng)用到該信號(hào)比較部138。
此外，為了選擇第四半導(dǎo)體芯片140，驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部340輸出驅(qū)動(dòng)信 號(hào)Dv4。結(jié)果，第一信號(hào)Vs變成節(jié)點(diǎn)Na的電壓水平l[V]，且大致上Vs=l[V] 應(yīng)用到第一至第四半導(dǎo)體芯片110、 120、 130、 140的各信號(hào)比4交部118、 128、 138、 148。結(jié)果，芯片選擇信號(hào)CSS4從信號(hào)比較部148輸出到電路部146， 具有大致上l[V]水平的第二信號(hào)VF4應(yīng)用到該信號(hào)比較部148。圖4為示出根據(jù)本發(fā)明另 一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖面圖。
參考圖4，半導(dǎo)體封裝400包含半導(dǎo)體芯片410、參考電壓供應(yīng)部420、 芯片選擇電極430和信號(hào)比較部440。此外，該半導(dǎo)體封裝400還包含數(shù)據(jù) 電極425,數(shù)據(jù)通過(guò)該數(shù)據(jù)電極425被輸入和輸出。在此實(shí)施例中，數(shù)據(jù)電 極425具有第一電阻。
在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片410為矩形六面體的形狀，并且包 含電路部412和焊墊(未示出)。
電路部412例如具有用于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存部(未示出)和用于處理 數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理部(未示出)。
焊墊電連接到電路部412，且可以設(shè)置于半導(dǎo)體芯片410上表面的中央 部分或鄰近上表面的邊緣。
參考電壓供應(yīng)部420形成于半導(dǎo)體芯片410的電^各部412中，并且輸出 第一信號(hào)Vr到信號(hào)比較部440。從參考電壓供應(yīng)部420接收的第一信號(hào)Vr 可以是用于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體芯片410的電壓信號(hào)。
芯片選擇電極430穿過(guò)半導(dǎo)體芯片410的上表面和下表面(與上表面相 對(duì))。在本實(shí)施例中，芯片選擇電極430具有大于數(shù)據(jù)電極425的第一電阻 的第二電阻。第二信號(hào)VF從芯片選擇電極430輸出。
此外，作為電阻器的重配線435形成于半導(dǎo)體芯片410的上表面，使得 重配線435接地并且電連接到芯片選擇電極430。
信號(hào)比較部440形成于電路部412中。例如，信號(hào)比較部440比較分別 從參考電壓供應(yīng)部420和芯片選擇電極430輸出的第一信號(hào)Vr和第二信號(hào) VF,且在所接收的第一信號(hào)Vr和第二信號(hào)VF具有大致相等的電壓水平或 第一信號(hào)Vr和第二信號(hào)VF的電壓水平差在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，輸出芯片選擇信 號(hào)CSS到電路部412。在此實(shí)施例中，信號(hào)比較部440例如可包括差分放大 器。
例如，第一信號(hào)Vr從參考電壓供應(yīng)部420輸出，第二信號(hào)VF是從芯片 選擇電極430輸出。第一信號(hào)Vr和第二信號(hào)VF輸入到信號(hào)比較部440。信 號(hào)比較部440比較第一信號(hào)Vr的電壓水平和第二信號(hào)VF的電壓水平，且在 第 一信號(hào)Vr和第二信號(hào)VF具有大致相等的電壓水平或第 一信號(hào)Vr和第二 信號(hào)VF的電壓水平差在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，輸出芯片選擇信號(hào)CSS到電路部 412。當(dāng)芯片選擇信號(hào)CSS從信號(hào)比較部440輸出到電路部412時(shí)，數(shù)據(jù)通過(guò) 數(shù)據(jù)電極425由電^各部412輸入或輸出。
圖5為示出堆疊半導(dǎo)體封裝的剖面圖，其中多個(gè)圖4所示半導(dǎo)體封裝相 互堆疊。
根據(jù)本實(shí)施例的堆疊半導(dǎo)體封裝具有一結(jié)構(gòu)，其中一個(gè)芯片選擇電極便 于各半導(dǎo)體芯片的選擇。
參考圖5，堆疊半導(dǎo)體封裝500包含多個(gè)堆疊半導(dǎo)體芯片510、 520、 530、 540,參考電壓供應(yīng)部516、 526、 536、 546，芯片選擇電極513、 523、 533、 543及信號(hào)比較部517、 527、 537、 547。
在圖5所示的本發(fā)明的實(shí)施例中，堆疊半導(dǎo)體封裝500具有四個(gè)堆疊半 導(dǎo)體芯片510、 520、 530、 540。然而，本發(fā)明并未局限于四個(gè)半導(dǎo)體芯片的 堆疊，而可包含任何數(shù)量的半導(dǎo)體芯片。
下面將四個(gè)半導(dǎo)體芯片510、 520、 530、 540稱作第一半導(dǎo)體芯片510、 第二半導(dǎo)體芯片520、第三半導(dǎo)體芯片530和第四半導(dǎo)體芯片540。第二半 導(dǎo)體芯片520置于第一半導(dǎo)體芯片510上，第三半導(dǎo)體芯片530置于第二半 導(dǎo)體芯片520上，且第四半導(dǎo)體芯片540置于第三半導(dǎo)體芯片530上。
第一半導(dǎo)體芯片510包含參考電壓供應(yīng)部516、芯片選擇電極513以及 在第一半導(dǎo)體芯片510的電路部512中形成的信號(hào)比較部517。
信號(hào)比較部517電連接到參考電壓供應(yīng)部516和芯片選擇電極513。信 號(hào)比較部517依據(jù)從參考電壓供應(yīng)部516接收的第一信號(hào)Vrl和由芯片選擇 電極513接收的第二信號(hào)VF1之間的電壓水平差，輸出芯片選擇信號(hào)CSS1 到第一半導(dǎo)體芯片510的電路部512。
詳言之，第一半導(dǎo)體芯片510的信號(hào)比較部517比較分別從參考電壓供 應(yīng)部516和芯片選擇電極513接收的第一信號(hào)Vrl的電壓水平和第二信號(hào) VF1的電壓水平，并且在第一信號(hào)Vrl和第二信號(hào)VF1的電壓水平大致相等 或第 一信號(hào)Vr 1和第二信號(hào)VF1的電壓水平之差在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，輸出芯片 選擇信號(hào)CSS1到電路部512。
第二半導(dǎo)體芯片520包含參考電壓供應(yīng)部526、芯片選擇電極523以及 在第二半導(dǎo)體芯片520的電路部522中形成的信號(hào)比較部527。
在本實(shí)施例中，第二半導(dǎo)體芯片520的芯片選擇電極523串聯(lián)連接到第 一半導(dǎo)體芯片510的芯片選擇電極513，且節(jié)點(diǎn)N0形成于芯片選擇電極513、523之間。
在第二半導(dǎo)體芯片520的電路部522中形成的信號(hào)比較部527電連接到 參考電壓供應(yīng)部526和芯片選4奪電極523。信號(hào)比較部527依據(jù)從參考電壓 供應(yīng)部526接收的第一信號(hào)Vr2和從芯片選擇電極523接收的第二信號(hào)VF2 之間的電壓水平差，輸出芯片選擇信號(hào)CSS2到第二半導(dǎo)體芯片520的電路 部522。
詳言之，第二半導(dǎo)體芯片520的信號(hào)比較部527比較分別從參考電壓供 應(yīng)部526和芯片選擇電極523接收的第 一信號(hào)Vr2和第二信號(hào)VF2之間的電 壓水平，并且在第一信號(hào)Vr2和第二信號(hào)VF2的電壓水平大致相等或第一信 號(hào)Vr2和第二信號(hào)VF2的電壓水平之差在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，輸出芯片選擇信號(hào) CSS2到電3各部522。
第三半導(dǎo)體芯片530包含參考電壓供應(yīng)部536、芯片選擇電極533以及 在第三半導(dǎo)體芯片530的電路部532中形成的信號(hào)比較部537。
在本實(shí)施例中，第三半導(dǎo)體芯片530的芯片選擇電極533串聯(lián)連接到第 二半導(dǎo)體芯片520的芯片選擇電極523,且節(jié)點(diǎn)Nl形成于芯片選擇電極523 、 533之間。
在第三半導(dǎo)體芯片530的電路部532中形成的信號(hào)比較部537電連接到 參考電壓供應(yīng)部536和芯片選擇電極533。信號(hào)比較部537依據(jù)從參考電壓 供應(yīng)部536接收的第一信號(hào)Vr3和從芯片選擇電極533接收的第二信號(hào)VF3 之間的電壓水平差，輸出芯片選擇信號(hào)CSS3到第三半導(dǎo)體芯片530的電路 部532。
詳言之，第三半導(dǎo)體芯片530的信號(hào)比較部537比較分別從參考電壓供 應(yīng)部536和芯片選擇電極533接收的第一信號(hào)Vr3和第二信號(hào)VF3之間的電 壓水平，并且在第一信號(hào)Vr3和第二信號(hào)VF3的電壓水平大致相等或第一信 號(hào)Vr3和第二信號(hào)VF3的電壓水平之差在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，輸出芯片選擇信號(hào) CSS3到電3各部532。
第四半導(dǎo)體芯片540包含參考電壓供應(yīng)部546、芯片選擇電極543以及 在第四半導(dǎo)體芯片540的電路部542中形成的信號(hào)比較部547。
在本實(shí)施例中，第四半導(dǎo)體芯片540的芯片選擇電極543串聯(lián)連接到第 三半導(dǎo)體芯片530的芯片選擇電極533，且節(jié)點(diǎn)N2形成于芯片選擇電極533、 543之間。作為附加電阻器的重配線549連接到第四半導(dǎo)體芯片540的芯片選擇電極543，且節(jié)點(diǎn)N3形成于重配線549和芯片選擇電極543之間。
在第四半導(dǎo)體芯片540的電路部542中形成的信號(hào)比較部547電連接到 參考電壓供應(yīng)部546和芯片選擇電極543。信號(hào)比較部547依據(jù)從參考電壓 供應(yīng)部546接收的第一信號(hào)Vr4和從芯片選擇電極543接收的第二信號(hào)VF4 之間的電壓水平差，輸出芯片選擇信號(hào)CSS4到第四半導(dǎo)體芯片540的電路 部542。
詳言之，第四半導(dǎo)體芯片540的信號(hào)比較部547比較分別從參考電壓供 應(yīng)部546和芯片選擇電極543接收的第一信號(hào)Vr4和第二信號(hào)VF4的電壓水 平，并且在第一信號(hào)Vr4和第二信號(hào)VF4的電壓水平大致相等或第一信號(hào) Vr4和第二信號(hào)VF4的電壓水平之差在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，輸出芯片選擇信號(hào) CSS4到電路部542。
在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，第一至第四信號(hào)Vrl、 Vr2、 Vr3、 Vr4具有大 致相等的信號(hào)水平，第一至第四半導(dǎo)體芯片510、 520、 530、 540的芯片選 擇電極513、 523、 533、 543具有大致相等的電阻值。
在圖5,參考符號(hào)515、 525、 535、 545表示數(shù)據(jù)電極，數(shù)據(jù)通過(guò)該數(shù)據(jù) 電極^^皮輸入和輸出。
圖6為示出用于產(chǎn)生具有不同電壓水平的第一信號(hào)和第二信號(hào)(示于圖 5)的信號(hào)供應(yīng)單元的方框圖。
參考圖6,堆疊半導(dǎo)體封裝500還包含信號(hào)供應(yīng)單元600。信號(hào)供應(yīng)單 元600輸出信號(hào)至芯片選擇電極513,使得各第二信號(hào)VF1、 VF2、 VF3、 VF4分別應(yīng)用到芯片選擇電極513、 523、 533、 543。在此實(shí)施例中，信號(hào)供 應(yīng)單元600可置于其上表面裝設(shè)第一至第四半導(dǎo)體芯片510、 520、 530、 540 的基板，例如印刷電路板。
信號(hào)供應(yīng)單元600包含分壓器610、電源供應(yīng)部620、開(kāi)關(guān)部630和驅(qū) 動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部640。
分壓器610包含串聯(lián)連接的多個(gè)電阻器Ra、 Rb、 Rc、 Rd。在本發(fā)明一 個(gè)實(shí)施例中，電阻器Ra、 Rb、 Rc、 Rd的數(shù)量對(duì)應(yīng)于堆疊半導(dǎo)體芯片的數(shù)量。 例如，由于圖5顯示的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量為4，分壓器610的電阻器Ra、 Rb、 Rc、 Rd的數(shù)量設(shè)定為4個(gè)。附加的接地電阻器Rtl連接到電阻器Ra。
具有(串聯(lián)連接的)四個(gè)電阻器Ra、 Rb、 Rc、 Rd的分壓器610具有在 各電阻器Ra、 Rb、 Rc、 Rd、 Rt之間形成的四個(gè)節(jié)點(diǎn)Na、 Nb、 Nc、 Nd。節(jié)點(diǎn)Na形成于附加電阻器Rtl和電阻器Ra之間，節(jié)點(diǎn)Nb形成于電阻 器Ra和Rb之間，節(jié)點(diǎn)Nc形成于電阻器Rb和Rc之間，節(jié)點(diǎn)Nd形成于電 阻器Rc和Rd之間。
電源供應(yīng)部620電連接到分壓器610的電阻器Rd,并且供應(yīng)DC電壓 Vdc至電阻器Rd。
驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部640產(chǎn)生與該半導(dǎo)體芯片的數(shù)量對(duì)應(yīng)的多個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)。 在圖5所示的本發(fā)明的實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部640產(chǎn)生四個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào) Dvl、 Dv2、 Dv3、 Dv4。
開(kāi)關(guān)部630的數(shù)量對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片的數(shù)量。例如，在圖6所示的本發(fā) 明的實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)部630包含四個(gè)開(kāi)關(guān)部。下面將各開(kāi)關(guān)部630稱作第一 開(kāi)關(guān)部632、第二開(kāi)關(guān)部634、第三開(kāi)關(guān)部636和第四開(kāi)關(guān)部638。
在第一開(kāi)關(guān)部632中，晶體管的源極電極S1電連接到節(jié)點(diǎn)Na，漏極電 極D1串聯(lián)電連接到第一半導(dǎo)體芯片510的第一芯片選4奪電極513，柵極電 極Ga連接到驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部640。來(lái)自驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部640的驅(qū)動(dòng)信號(hào)Dvl 應(yīng)用到柵極電極Ga。
在第二開(kāi)關(guān)部634中，晶體管的源極電極S2電連接到節(jié)點(diǎn)Nb，漏極電 極D2串聯(lián)電連接到第一半導(dǎo)體芯片510的第一芯片選擇電極513,柵極電 極Gb電連^^妄到驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部640。來(lái)自驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部640的驅(qū)動(dòng)信號(hào) Dv2應(yīng)用到柵極電極Gb 。
在第三開(kāi)關(guān)部636中，晶體管的源極電極S3電連接到節(jié)點(diǎn)Nc，漏極電 極D3串聯(lián)電連接到第一半導(dǎo)體芯片510的第一芯片選擇電極513,柵極電 極Gc電連接到驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部640。來(lái)自驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部640的驅(qū)動(dòng)信號(hào) Dv3應(yīng)用到柵極電極Gc 。
在第四開(kāi)關(guān)部638中，晶體管的源極電極S4電連接到節(jié)點(diǎn)Nd,漏極電 極D4串聯(lián)電連接到第一半導(dǎo)體芯片510的第一芯片選擇電極513,柵極電 極Gd電連接到該驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部640。來(lái)自驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部640的驅(qū)動(dòng)信 號(hào)Dv4應(yīng)用到柵4及電極Gd。
下面將描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于選擇包含在圖6所示堆疊半導(dǎo)體封 裝中的各半導(dǎo)體芯片的方法。
首先，假設(shè)分壓器610的電阻器Ra的電阻例如為1Q，電阻器Rb的電 阻例如為,電膽器Rc的電阻例如為6Q，電阻器Rd的電阻例如為OQ,附加電阻器Rtl的電阻例如為4Q:當(dāng)從電源供應(yīng)部620供給12[V]的DC電 壓到電阻器Rd時(shí)，從各參考電壓供應(yīng)部516、 526、 536、 546輸出的第一信 號(hào)Vrl Vr4應(yīng)該為2.4[V]。因此，2.4[V]的第一信號(hào)Vrl Vr4輸入到第一至 第四半導(dǎo)體芯片510、 520、 530、 540的各信號(hào)比較部517、 527、 537、 547。 此外，當(dāng)12[V]的DC電壓從電源供應(yīng)部620應(yīng)用到分壓器610時(shí)，12[V] 應(yīng)用到節(jié)點(diǎn)Nd, 6[V]應(yīng)用到節(jié)點(diǎn)Nc, 4[V]應(yīng)用到節(jié)點(diǎn)Nb,以及3[V]應(yīng)用到 節(jié)點(diǎn)Na。
驅(qū)動(dòng)信號(hào)Dvl從驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部640輸出，從而選擇第一半導(dǎo)體芯片 510。第一開(kāi)關(guān)部632響應(yīng)于驅(qū)動(dòng)信號(hào)Dvl而開(kāi)啟，且3[V]的電壓從節(jié)點(diǎn) Na輸出并輸入到第一半導(dǎo)體芯片510的芯片選擇電極513。
當(dāng)3[V]應(yīng)用到芯片選擇電極513時(shí)，2.4[V] (3[V]x4/5 )從節(jié)點(diǎn)NO應(yīng)用 到信號(hào)比較部517。當(dāng)3[V]應(yīng)用到芯片選擇電極513時(shí)，1.8[V] (3[V]x3/5 ) 從節(jié)點(diǎn)N1應(yīng)用到信號(hào)比較部527。當(dāng)3[V]應(yīng)用到芯片選擇電極513時(shí)，1.2[V] (3[V]x2/5)從節(jié)點(diǎn)N2應(yīng)用到信號(hào)比較部537。當(dāng)3[V]應(yīng)用到芯片選擇電 極513時(shí)，0.6[V] ( 3[V]xl/5 )從節(jié)點(diǎn)N3應(yīng)用到信號(hào)比較部547。
相應(yīng)地，由于2.4[V]從參考電壓供應(yīng)部516輸入到第一半導(dǎo)體芯片510 的信號(hào)比較部517,且2.4[V]從節(jié)點(diǎn)N0應(yīng)用到第一半導(dǎo)體芯片510的信號(hào) 比較部517;信號(hào)比較部517輸出芯片選擇信號(hào)CSS1到電路部512。
作為另 一示例，如果驅(qū)動(dòng)信號(hào)Dv4從驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部640輸出從而選擇 第四半導(dǎo)體芯片540,第四開(kāi)關(guān)部638開(kāi)啟，且A/v節(jié)點(diǎn)Nd輸出的12[V]電壓 輸入到第一半導(dǎo)體芯片510的芯片選擇電極513。
當(dāng)12[V]應(yīng)用到芯片選擇電極513時(shí)，9.6[V] (12[V]x4/5)從節(jié)點(diǎn)NO 應(yīng)用到信號(hào)比較部517。當(dāng)12[V]應(yīng)用到芯片選擇電極513時(shí)，7.2[V] (12[V]x3/5)從節(jié)點(diǎn)Nl應(yīng)用到信號(hào)比較部527。當(dāng)12[V]應(yīng)用到芯片選擇 電極513時(shí)，4.8[V]( 12[V]x2/5)從節(jié)點(diǎn)N2應(yīng)用到信號(hào)比較部537。當(dāng)12[V] 應(yīng)用到芯片選擇電極513時(shí)，2.4[V] ( 12[V]xl/5)從節(jié)點(diǎn)N3應(yīng)用到信號(hào)比 較部547。
相應(yīng)地，由于2.4[V]是從參考電壓供應(yīng)部5464妻收到第四半導(dǎo)體芯片540 的信號(hào)比較部547,且2.4[V]從節(jié)點(diǎn)N3應(yīng)用到第四半導(dǎo)體芯片540的信號(hào) 比較部547;信號(hào)比較部547輸出芯片選4奪信號(hào)CSS4到電路部542?？梢灶?似地選擇堆疊半導(dǎo)體封裝500的其余半導(dǎo)體芯片。由上述顯見(jiàn)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，通過(guò)運(yùn)用串聯(lián)連接的各選擇電極中的 電壓降落效應(yīng)，可選擇相互堆疊的相同半導(dǎo)體芯片。
本發(fā)明特定實(shí)施例予以描述用于說(shuō)明目的，本領(lǐng)域技術(shù)人員將察覺(jué)到各 種修改、增加及替換而不偏離權(quán)利要求所披露的本發(fā)明的范圍和精神。
本申請(qǐng)主張于2008年6月30日提出的韓國(guó)專利申請(qǐng)10-2008-0062912 的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝，包括半導(dǎo)體芯片，具有電路部；第一芯片選擇電極，在該半導(dǎo)體芯片的第一位置穿過(guò)該半導(dǎo)體芯片，該第一芯片選擇電極具有第一電阻并輸出第一信號(hào)；第二芯片選擇電極，在該半導(dǎo)體芯片的第二位置穿過(guò)該半導(dǎo)體芯片，該第二芯片選擇電極具有大于第一電阻的第二電阻并輸出第二信號(hào)；以及信號(hào)比較部，形成于該半導(dǎo)體芯片中并電連接到各第一和第二芯片選擇電極，其中該信號(hào)比較部比較第一信號(hào)和第二信號(hào)并且依據(jù)該比較輸出芯片選擇信號(hào)到該電路部。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括接地重配線，形成在該半導(dǎo)體芯片上并且電連接到該第二芯片選擇電極。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括數(shù)據(jù)電極，在該半導(dǎo)體芯片的第三位置穿過(guò)該半導(dǎo)體芯片，該數(shù)據(jù)電極 具有小于第二電阻的第三電阻。
4. 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一電阻和第三電阻大致 相等。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中當(dāng)?shù)谝缓偷诙盘?hào)大致相等 時(shí)，該芯片選擇信號(hào)從該信號(hào)比較部輸出到該電路部。
6. —種堆疊半導(dǎo)體封裝，包括相互堆疊的多個(gè)半導(dǎo)體芯片，各半導(dǎo)體芯片具有電路部； 第一芯片選擇電極，在相應(yīng)半導(dǎo)體芯片的第一位置穿過(guò)各半導(dǎo)體芯片，其中各第一芯片選擇電極具有第一電阻并輸出第一信號(hào)；第二芯片選擇電極，在相應(yīng)半導(dǎo)體芯片的第二位置穿過(guò)各半導(dǎo)體芯片，其中各第二芯片選擇電極具有第二電阻并輸出第二信號(hào)，且其中第二電阻大于第一電阻；以及信號(hào)比較部，形成于各半導(dǎo)體芯片中，其中各信號(hào)比較部電連接到相應(yīng) 半導(dǎo)體芯片的第一和第二芯片選擇電極，其中各信號(hào)比較部依據(jù)從相應(yīng)半導(dǎo)體芯片的第 一和第二芯片選擇電極接收的第一信號(hào)和第二信號(hào)的電壓水平差，輸出芯片選擇信號(hào)到相應(yīng)半導(dǎo)體 芯片的電^^部。
7. 如權(quán)利要求6所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，還包括基板，該基板上裝設(shè)多個(gè)半導(dǎo)體芯片，該基板具有信號(hào)供應(yīng)單元，該信 號(hào)供應(yīng)單元用于產(chǎn)生該第二信號(hào)，使得各該第二信號(hào)具有不同的電壓水平， 以及該信號(hào)供應(yīng)單元用于產(chǎn)生該第一信號(hào)，使得各該第一信號(hào)具有相同或者 大致相同的電壓水平且該第 一信號(hào)的電壓水平和任一該第二信號(hào)的電壓水 平相同或者大致相同。
8. 如權(quán)利要求7所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其中該信號(hào)供應(yīng)單元包括 分壓器，用于將具有預(yù)設(shè)水平的電壓分成具有不同水平的多個(gè)電壓； 電源供應(yīng)部，用于供應(yīng)具有預(yù)設(shè)水平的電壓到該分壓器； 多個(gè)開(kāi)關(guān)部，用于輸出由該分壓器分出的多個(gè)電壓；以及 驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部，用于驅(qū)動(dòng)該多個(gè)開(kāi)關(guān)部。
9. 如權(quán)利要求8所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其中該分壓器包括串聯(lián)連接 并且具有節(jié)點(diǎn)的電阻器，其中該節(jié)點(diǎn)的數(shù)量對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體芯片的數(shù)量。
10. 如權(quán)利要求9所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其中各電阻器具有相同的電 阻值。
11. 如權(quán)利要求9所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其中該分壓器還包括串聯(lián)連 接到該電阻器的附加接地電阻器，以及其中該第二芯片選擇電極電連接到一 才妻地重配線。
12. 如權(quán)利要求9所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其中該開(kāi)關(guān)部并聯(lián)連接在節(jié) 點(diǎn)和第 一 芯片選擇電極之間。
13. 如權(quán)利要求8所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其中該電源供應(yīng)部供應(yīng)電源 到該分壓器和第二芯片選擇電極。
14. 如權(quán)利要求6所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其中各第二芯片選擇電極具 有相同的電阻值。
15. —種半導(dǎo)體封裝，包括 半導(dǎo)體芯片，具有電路部；芯片選擇電極，穿過(guò)該半導(dǎo)體芯片并輸出第一信號(hào)；參考電壓供應(yīng)部，形成于該半導(dǎo)體芯片中并供應(yīng)和輸出第二信號(hào)；以及信號(hào)比較部，形成于該半導(dǎo)體芯片中并電連接到各芯片選擇電極和該參考電壓供應(yīng)部，其中該信號(hào)比較部比較第 一信號(hào)和第二信號(hào)并依據(jù)該比較輸 出芯片選擇信號(hào)到該電路部。
16. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，還包括具有電阻的接地重配線，形成于該半導(dǎo)體芯片上并電連接到該芯片選擇 電極。
17. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，還包括 數(shù)據(jù)電極，穿過(guò)該半導(dǎo)體芯片，其中該數(shù)據(jù)電極具有第 一電阻，且該芯片選擇電極具有大于第 一電阻的 第二電阻。
18. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其中當(dāng)?shù)谝缓偷诙盘?hào)大致相 等時(shí)，該芯片選擇信號(hào)從該信號(hào)比較部輸出到該電路部。
19. 一種堆疊半導(dǎo)體封裝，包括相互堆疊的多個(gè)半導(dǎo)體芯片，各半導(dǎo)體芯片具有電路部； 芯片選擇電極，穿過(guò)各半導(dǎo)體芯片并且輸出第一信號(hào)； 參考電壓供應(yīng)部，形成于各半導(dǎo)體芯片中并供應(yīng)和輸出第二信號(hào)；以及 信號(hào)比較部，電連接到各半導(dǎo)體芯片的芯片選擇電極和參考電壓供應(yīng)部，" 。六、 ；" 、 、 鄉(xiāng)供應(yīng)部接收的第一信號(hào)和第二信號(hào)的電壓水平差，輸出芯片選擇信號(hào)到相應(yīng) 半導(dǎo)體芯片的電路部。
20. 如權(quán)利要求19所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，還包括基板，該基板上裝設(shè)多個(gè)半導(dǎo)體芯片，該基板具有用于產(chǎn)生第一信號(hào)的 信號(hào)供應(yīng)單元，其中各第二信號(hào)具有相同或者大致相同的電壓水平以及各第 一信號(hào)具有不同的電壓水平，且任一該第一信號(hào)的電壓水平和該第二信號(hào)的 電壓水平相等或者大致相等。
21. 如權(quán)利要求20所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其中該信號(hào)供應(yīng)單元包括 分壓器，用于將具有預(yù)設(shè)水平的電壓分成具有不同水平的多個(gè)電壓；電源供應(yīng)部，用于供應(yīng)具有預(yù)設(shè)水平的電壓到該分壓器； 多個(gè)開(kāi)關(guān)部，用于輸出由該分壓器分出的多個(gè)電壓；以及 驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生部，用于產(chǎn)生多個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)相應(yīng)開(kāi)關(guān)部。
22. 如權(quán)利要求20所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其中該分壓器包括串聯(lián)連接且具有節(jié)點(diǎn)的電阻器，其中該節(jié)點(diǎn)的數(shù)量對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體芯片的數(shù)量。
23. 如權(quán)利要求20所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其中各電阻器具有相同的 電阻值。
24. 如權(quán)利要求20所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其中該分壓器還包括串聯(lián) 連接到該電阻器的附加接地電阻器，以及其中該芯片選擇電極電連接到 一接 i也重配線。
25. 如權(quán)利要求20所述的堆疊半導(dǎo)體封裝，其中該開(kāi)關(guān)部并聯(lián)連接在 節(jié)點(diǎn)和芯片選擇電極之間。
26. —種選擇堆疊半導(dǎo)體封裝中的一個(gè)半導(dǎo)體芯片的方法，包括以下步驟將第一信號(hào)應(yīng)用到多個(gè)信號(hào)比較部的每一個(gè)，其中信號(hào)比較部形成于相 互堆疊的多個(gè)半導(dǎo)體芯片的每一個(gè)中；將第二信號(hào)應(yīng)用到相應(yīng)半導(dǎo)體芯片的信號(hào)比較部的每一個(gè)，其中各第二 信號(hào)具有不同的電壓水平，且任一第二信號(hào)的電壓水平與第一信號(hào)的電壓水平相等或者大致相等；在各信號(hào)比較部中比較第一信號(hào)的電壓水平和第二信號(hào)的電壓水平之 間的差；以及從信號(hào)比較部，應(yīng)用到該信號(hào)比較部的第一和第二信號(hào)具有最小的電壓 水平差，輸出具有芯片選褲r使能水平的信號(hào)。
27. 如權(quán)利要求26所述的方法，其中應(yīng)用第一信號(hào)的步驟包括以下步驟產(chǎn)生分別具有不同電壓水平的多個(gè)信號(hào)；以及 選擇任一所產(chǎn)生的信號(hào)，并將其應(yīng)用作為各第一信號(hào)。
28. 如權(quán)利要求27所述的方法，其中產(chǎn)生具有不同水平的多個(gè)信號(hào)的 步驟包括以下步驟將具有預(yù)設(shè)水平的DC電壓分成具有不同水平的多個(gè)電壓，其中該預(yù)設(shè) 電壓分成的數(shù)量對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體芯片的數(shù)量。
29. 如權(quán)利要求26所述的方法，其中將第二信號(hào)應(yīng)用到各信號(hào)比較部 的步驟包括以下步驟將該DC電壓分成第二信號(hào)，其中該第二信號(hào)的數(shù)量對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體芯 片的數(shù)量。
30. 如權(quán)利要求26所述的方法，其中應(yīng)用第一信號(hào)的步驟包括以下步驟將從相應(yīng)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的第 一信號(hào)應(yīng)用到相應(yīng)信號(hào)比較部。
31. 如權(quán)利要求26所述的方法，其中應(yīng)用第二信號(hào)的步驟包括以下步驟將具有預(yù)設(shè)電壓水平的DC電壓分壓，且由此產(chǎn)生具有不同電壓水平的 初級(jí)第二信號(hào)；輸出選擇信號(hào)，用于選擇具有不同電壓水平的初級(jí)第二信號(hào)的任何一個(gè)；響應(yīng)于該選擇信號(hào)選擇初級(jí)第二信號(hào)；以及將所選擇的初級(jí)第二信號(hào)分成與該半導(dǎo)體芯片一樣的數(shù)量，且由此產(chǎn)生 分別具有不同電壓水平的第二信號(hào)，其中任一第二信號(hào)的電壓水平和該第一 信號(hào)的電壓水平相等或者大致相等。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體封裝、堆疊半導(dǎo)體封裝、選擇堆疊半導(dǎo)體封裝中的一個(gè)半導(dǎo)體芯片的方法。半導(dǎo)體封裝包括具有電路部的半導(dǎo)體芯片。第一芯片選擇電極穿過(guò)該半導(dǎo)體芯片的第一位置，且該第一芯片選擇電極具有第一電阻并輸出第一信號(hào)。第二芯片選擇電極穿過(guò)該半導(dǎo)體芯片的第二位置，且該第二芯片選擇電極具有大于第一電阻的第二電阻并輸出第二信號(hào)。信號(hào)比較部形成于該半導(dǎo)體芯片中并電連接到第一和第二芯片選擇電極。該信號(hào)比較部比較從第一芯片選擇電極應(yīng)用的第一信號(hào)和從第二芯片選擇電極應(yīng)用的第二信號(hào)，并且依據(jù)比較結(jié)果輸出芯片選擇信號(hào)到該電路部。
文檔編號(hào)H01L27/02GK101621060SQ20091000367
公開(kāi)日2010年1月6日 申請(qǐng)日期2009年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月30日
發(fā)明者崔?？?申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司