專利名稱：增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤其涉及一種增加發(fā)光效率
的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
請參閱圖1所示，其為公知發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。由上述圖中可知， 公知發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括一發(fā)光本體l，兩個分別設置于該發(fā)光本體1上的正極導電 層P及負極導電層N、一設置于該正極導電層P及該負極導電層N之間的介電層R、一設置 于該發(fā)光本體1的底部的反射層2、及一用于包覆該發(fā)光本體1的透明封裝膠體3。
再者，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)設置于一電路板PCB上，并且通過兩條導電w以分別 將該正極導電層P及該負極導電層N電性連接于該電路板PCB。此外，該發(fā)光本體l產(chǎn)生的 一部分光束直接產(chǎn)生向上投射的效果，并且該發(fā)光本體1所產(chǎn)生的另一部分光束L通過該 反射層2的反射以產(chǎn)生向上投射的效果。 此外，在正常的情況下，氮化鎵正電極層GaN-P的電流會直接往下端跑(如向下的 箭頭所示)，因此氮化鎵正電極層GaN-P與氮化鎵負電極層GaN-N的接觸面上即可產(chǎn)生所需 的光束。然而，由于上述公知發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的介電層R的厚度過于薄，因此造成該氮 化鎵正電極層GaN-P的側(cè)邊容易與該氮化鎵負電極層GaN-N之間產(chǎn)生短路的現(xiàn)象(如斜下 的箭頭所示)，因而使得公知發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)無法產(chǎn)生發(fā)光效果。 因此，本發(fā)明人有感上述技術(shù)缺陷的可改善，且依據(jù)多年來從事此方面的相關(guān)經(jīng) 驗，悉心觀察且研究之，并配合學理的運用，而提出一種設計合理且有效改善上述技術(shù)缺陷 的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封 裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，其通過該絕緣單元的使用，以增加該反射絕緣層的厚度，而使得該氮 化鎵正電極層及該氮化鎵負電極層之間不會像公知一樣產(chǎn)生短路現(xiàn)象。 為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種增加發(fā)光效率的
晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一發(fā)光單元、一絕緣單元、至少兩個第一導電單元及
至少兩個第二導電單元。其中，該發(fā)光單元具有一發(fā)光本體、一成形于該發(fā)光本體上的正極
導電層、一成形于該發(fā)光本體上的負極導電層、一成形于該正極導電層及該負極導電層之
間的反射絕緣層、及一成形于該發(fā)光本體內(nèi)的發(fā)光區(qū)域，其中該發(fā)光本體具有一底部材料
層及一成形在該底部材料層上的頂部材料層。該絕緣單元成形于該底部材料層上表面的周
圍區(qū)域上及位于該反射絕緣層的上方。其中一個第一導電單元成形于部分的正極導電層上
及部分絕緣單元上，并且另外一個第一導電單元成形于部分的負極導電層上及部分絕緣單
元上。上述至少兩個第二導電單元，其分別成形于上述兩個第一導電單元上。 為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種增加發(fā)光效率的
5晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列步驟首先，提供一具有多個發(fā)光單元 的晶片，其中每一個發(fā)光單元具有一發(fā)光本體、一成形于該發(fā)光本體上的正極導電層、一成 形于該發(fā)光本體上的負極導電層、一成形于該正極導電層及該負極導電層之間的反射絕緣 層、及一成形于該發(fā)光本體內(nèi)的發(fā)光區(qū)域，并且該發(fā)光本體具有一底部材料層及一成形在 該底部材料層上的頂部材料層；接著，移除該頂部材料層的周圍部分，以露出該底部材料層 上表面的周圍區(qū)域；然后，形成一絕緣層于所述多個發(fā)光單元上。 接下來，移除一部分的絕緣層，以形成一絕緣單元，其中該絕緣單元具有至少兩個 分別露出部分的正極導電層及部分的負極導電層的第一開口，并且該絕緣單元成形于該底 部材料層上表面的周圍區(qū)域上及位于該反射絕緣層的上方；然后，形成一第一導電層，以填 充上述至少兩個第一開口并覆蓋該絕緣單元；緊接著，形成一光致抗蝕劑材料于該第一導 電層上；接續(xù)，移除一部分的光致抗蝕劑材料，以形成至少兩個分別位于該正極導電層及該 負極導電層上方的第二開口 ；然后，分別填充至少兩個第二導電層于上述至少兩個第二開 口內(nèi)，以形成至少兩個第二導電單元；最后，移除其余的光致抗蝕劑，并且移除位于其余光 致抗蝕劑下方的一部分第一導電層，以形成兩個第一導電單元。
因此，本發(fā)明的有益效果在于通過該絕緣單元的使用來避免該氮化鎵正電極層
及該氮化鎵負電極層之間產(chǎn)生短路現(xiàn)象，進而使得本發(fā)明能夠增加發(fā)光效率。 為了能更進一步了解本發(fā)明為達成預定目的所采取的技術(shù)、手段及功效，請參閱
以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，相信本發(fā)明的目的、特征與特點，當可由此得一深入且
具體的了解，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖1為公知發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第一實 施例的流程圖； 圖2A至圖2K分別為本發(fā)明增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方 法的第一實施例的制作流程示意圖； 圖2L為本發(fā)明第一實施例的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通過錫 膏的方式電性連接于一電路板上； 圖3為本發(fā)明增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的第二實 施例的部分流程圖； 圖3A至圖3C分別為本發(fā)明增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方 法的第二實施例的部分制作流程示意圖；以及 圖3D為本發(fā)明第二實施例的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通過錫
膏的方式電性連接于一 電路板上。 其中，附圖標記說明如下 (公知) 1 發(fā)光本體 P 正極導電層 N 負極導電層
R介電層2反射層3透明封裝膠體w導電光束PCB電路板GaN-P 氮化鎵正電極層
GaN-N 氮化鎵負電極層
(第--實施例)W曰t±"la發(fā)光單元100a氧化鋁基板101a氮化鎵負電極層102a氮化鎵正電極層Aa發(fā)光區(qū)域Pa正極導電層Pla正極導電區(qū)域Na負極導電層Nla負極導電區(qū)域11a反射絕緣層110a介電層Ilia反射層Dei底部材料層Dla周圍區(qū)域Ua頂部材料層la'發(fā)光單元101a'' 氮化鎵負電極層102a'' 氮化鎵正電極層Aa'發(fā)光區(qū)域Pa'正極導電層Pla'正極導電區(qū)域Na'負極導電層Nla'負極導電區(qū)域Ua'頂部材料層2a絕緣層2a'絕緣單元3a第一導電層3a'第一導電單元Ra光致抗蝕劑材料
Za 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) 10a 發(fā)光本體
10a'發(fā)光本體
20a'第一開口
Ra'光致抗蝕劑材料4a第二導電層5a熒光層5a'熒光層S高分子基板PCB電路板Bei錫球Ba'錫膏La光束[第-二實施例]W曰t±"lb發(fā)光單元Ab發(fā)光區(qū)域C凹槽5b熒光層5b'熒光層S高分子基板PCB電路板Bb錫球Bb'錫膏Lb光束
Rla'第二開
Zb 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)
具體實施例方式
請參閱圖2、及圖2A至圖2K所示，本發(fā)明第一實施例提供一種增加發(fā)光效率的晶 片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列步驟 步驟S100為請配合圖2及圖2A所示，提供一具有多個發(fā)光單元la的的晶片 W(圖式中只顯示出該晶片W上的其中一個發(fā)光單元la)，其中每一個發(fā)光單元la具有一發(fā) 光本體10a、一成形于該發(fā)光本體10a上的正極導電層Pa(例如P型半導體材料層)、一成 形于該發(fā)光本體10a上的負極導電層Na(例如N型半導體材料層)、一成形于該正極導電 層Pa及該負極導電層Na之間的反射絕緣層lla、及一成形于該發(fā)光本體10a內(nèi)的發(fā)光區(qū)域 Aa，并且該發(fā)光本體10a具有一底部材料層Da及一成形在該底部材料層Da上的頂部材料 層Ua。 此外，該發(fā)光本體10a具有一氧化鋁基板100a、一成形于該氧化鋁基板100a上的 氮化鎵負電極層101a、及一成形于該氮化鎵負電極層101a上的氮化鎵正電極層102a，此外 該正極導電層Pa成形于該氮化鎵正電極層102a上，該負極導電層Na成形于該氮化鎵負電 極層101a上，另外該反射絕緣層lla成形于該氮化鎵負電極層101a上并且位于該正極導 電層Pa、該負極導電層Na及該氮化鎵正電極層102a之間。其中，該底部材料層Da為該氧 化鋁基板100a，并且該頂部材料層Ua由該氮化鎵負電極層101a與該氮化鎵正電極層102a 所組成。
另外，該正極導電層Pa的上表面具有一正極導電區(qū)域Pla，該負極導電層Na的上 表面具有一負極導電區(qū)域Nla，并且該反射絕緣層1 la覆蓋于該正極導電層Pa的一部分正 極導電區(qū)域Pla上及覆蓋于該負極導電層Na的一部分負極導電區(qū)域Nla上。此外，該反射 絕緣層11a由一介電層110a及一形成于該介電層110a上的反射層111a所組成。
其中，該介電層110a成形于該氮化鎵負電極層101a上并且位于該正極導電層Pa、 該負極導電層Na及該氮化鎵正電極層102a之間，并且該介電層llOa覆蓋于該正極導電層 Pa的一部分正極導電區(qū)域Pla上及覆蓋于該負極導電層Na的一部分負極導電區(qū)域Nla上。 此外，以本發(fā)明所揭示的第一實施例而言，該反射層llla只成形于位于該氮化鎵正電極層 102a上方的部分介電層110a的上表面。 步驟S102為請配合圖2及圖2B所示，移除該頂部材料層Ua的周圍部分(被移 除的頂部材料層Ua上方的一部分正極導電層Pa及一部分負極導電層Na也同時被移除)， 以露出該底部材料層Da上表面的周圍區(qū)域Dla。其中，該頂部材料層Ua的周圍部分被移除 后則變成一頂部材料層Ua'，其由一氮化鎵負電極層101a'及一氮化鎵正電極層102a' 所組成。 一部分正極導電層Pa及一部分負極導電層Na被移除后，則形成一具有一正極導 電區(qū)域Pla'的正極導電層Pa'及一具有一負極導電區(qū)域Nla'的負極導電層Na'，并且 該發(fā)光區(qū)域Aa被切割成發(fā)光區(qū)域Aa'。 步驟S104為請配合圖2及圖2C所示，形成一絕緣層2a于所述多個發(fā)光單元 la'上，其中該絕緣層2a可為一聚酰亞胺(Polylmide，PI)層或壓克力。
步驟S106為請配合圖2及圖2D圖所示，移除一部分的絕緣層2a，以形成一絕緣 單元2a'，其中該絕緣單元2a'具有至少兩個分別露出部分的正極導電層Pa'及部分的 負極導電層Na'的第一開口20a'，并且該絕緣單元2a'成形于該底部材料層Da上表面的 周圍區(qū)域Dla上及位于該反射絕緣層lla的上方。 步驟S108為請配合圖2及圖2E所示，形成一第一導電層3a，以填充上述至少兩 個第一開口20a'并覆蓋該絕緣單元2a'，其中該第一導電層3a可為鈦、鎢、銅或其合金。
步驟S110為請配合圖2及圖2F所示，形成一光致抗蝕劑材料Ra于該第一導電 層3a上。 步驟S112為請配合圖2及圖2G所示，移除一部分的光致抗蝕劑材料Ra，以形成 至少兩個分別位于該正極導電層Pa'及該負極導電層Na'上方的第二開Rla'。其中，上 述一部分被移除的光致抗蝕劑材料Ra形成一光致抗蝕劑材料Ra'。 步驟S114為請配合圖2及圖2H所示，分別填充至少兩個第二導電層4a于上述 至少兩個第二開口 Rla'內(nèi)，以形成至少兩個第二導電單元。另外，以第一實施例而言，每一 個第二導電單元由至少兩層導電金屬層通過電鍍的方式相互堆疊所組成；其中上述至少兩 層導電金屬層為一鎳層(Ni)及一金層(Au)或錫層(Sn)，并且該金層或錫層成形于該鎳層 上。 另外，依據(jù)不同的設計設求，每一個第二導電單元由至少三層導電金屬層通過電 鍍的方式相互堆疊所組成；其中上述至少三層導電金屬層為一銅層(Cu)、一鎳層(Ni)及一 金層(Au)或錫層(Sn)，該鎳層成形于該銅層上，并且該金層或錫層成形于該鎳層上。換言 之，只要是由兩層以上的導電金屬層相互堆疊的第二導電單元皆為本發(fā)明所保護的范圍。
步驟S116為請配合圖2及圖21所示，移除其余的光致抗蝕劑Ra'，并且移除位于其余光致抗蝕劑下方的一部分第一導電層3a，以形成兩個第一導電單元3a'。 步驟S118為請配合圖2及圖2J所示，將該晶片W翻轉(zhuǎn)，并置于一耐熱的高分子
基板S上。 步驟S120為請配合圖2及圖2J所示，成形一熒光層5a于每一個發(fā)光單元la' 的底端。換言之，通過將該晶片W翻轉(zhuǎn)的方式，以將該熒光層5a成形于該氧化鋁基板100a 的底面。此外，上述的熒光層5a可依據(jù)不同的使用需求，而選擇為由一硅膠(silicon)與 一熒光粉(fluorescentpowder)所混合形成的熒光膠體(fluorescent resin)、或由一環(huán) 氧樹脂(印oxy)與一熒光粉(fluorescent powder)所混合形成的熒光膠體(fluorescent resin)。 步驟S122為請配合圖2及圖2K所示，沿著圖2J的X_X線以進行切割過程，以將 該晶片W切割成多個覆蓋有熒光層5a'的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Za，并且通過至少兩個錫球 Ba以將每一個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Za電性連接于一電路板PCB上，其中每一個發(fā)光二極管 封裝結(jié)構(gòu)Za從該發(fā)光區(qū)域Aa'產(chǎn)生通過該熒光層5a'的光束La，以進行照明的需求。此 外，有一部分從該發(fā)光區(qū)域Aa'所產(chǎn)生的光束(圖未示)投向下方，并且所述多個投向下方 的光束受到該正極導電層Pa'、該負極導電層Na'及該反射層llla的反射而產(chǎn)生向上投 光效果。 借此，由上述圖2K可知，本發(fā)明第一實施例提供一種增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光 二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一發(fā)光單元la'、一絕緣單元2a'、至少兩個第一導電單元3a' 及至少兩個第二導電單元(至少兩個第二導電層4a)。 其中，該發(fā)光單元la'具有一發(fā)光本體10a'、一成形于該發(fā)光本體10a'上的正 極導電層Pa'、一成形于該發(fā)光本體10a'上的負極導電層Na'、一成形于該正極導電層 Pa'及該負極導電層Na'之間的反射絕緣層lla、及一成形于該發(fā)光本體10a'內(nèi)的發(fā)光 區(qū)域Aa'，并且該發(fā)光本體10a'具有一底部材料層Da及一成形在該底部材料層Da上的 頂部材料層Ua'。 再者，該發(fā)光本體10a'具有一氧化鋁基板100a、一成形于該氧化鋁基板100a 上的氮化鎵負電極層101a'、及一成形于該氮化鎵負電極層101a'上的氮化鎵正電極層 102a'，此外該正極導電層Pa'成形于該氮化鎵正電極層102a'上，該負極導電層Na'成 形于該氮化鎵負電極層101a'上，另外該反射絕緣層lla成形于該氮化鎵負電極層101a' 上并且位于該正極導電層Pa'、該負極導電層Na'及該氮化鎵正電極層102a'之間。
另外，該正極導電層Pa'的上表面具有一正極導電區(qū)域Pla'，該負極導電層 Na'的上表面具有一負極導電區(qū)域Nla'，并且該反射絕緣層lla覆蓋于該正極導電層 Pa'的一部分正極導電區(qū)域Pla'上及該負極導電層Na'的一部分負極導電區(qū)域Nla' 上。此外，該反射絕緣層lla由一介電層110a及一形成于該介電層110a上的反射層llla 所組成。此外，該頂部材料層Ua'由一氮化鎵負電極層101a'及一氮化鎵正電極層102a' 所組成。 其中，該介電層110a成形于該氮化鎵負電極層101a'上并且位于該正極導電層 Pa'、該負極導電層Na'及該氮化鎵正電極層102a'之間，并且該介電層110a覆蓋于該正 極導電層Pa'的一部分正極導電區(qū)域Pla'上及覆蓋于該負極導電層Na'的一部分負極 導電區(qū)域Nla'上。此外，以本發(fā)明所揭示的第一實施例而言，該反射層llla只成形于位于該氮化鎵正電極層102a'上方的部分介電層110a的上表面。 此外，該絕緣單元2a'成形于該底部材料層Da上表面的周圍區(qū)域Dla上及位于該
反射絕緣層lla的上方。其中一個第一導電單元3a'成形于部分的正極導電層Pa'上及
部分絕緣單元2a'上，并且另外一個第一導電單元3a'成形于部分的負極導電層Na'上
及部分絕緣單元2a'上。上述至少兩個第二導電單元(上述至少兩個第二導電層4a)分別
成形于上述兩個第一導電單元3a'上。此外，該熒光層5a'成形于該發(fā)光單元la'的氧化
鋁基板100a的底部，以配合該發(fā)光區(qū)域Aa'所產(chǎn)生的光束La來提供白色光源。 請參閱圖2L所示，其為本發(fā)明第一實施例的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管
封裝結(jié)構(gòu)通過錫膏的方式電性連接于一電路板上。由上述圖中可知，通過至少兩層錫膏
Ba'的涂布以將每一個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Za電性連接于一電路板PCB上。 請參閱圖3、及圖3A至圖3C所示，本發(fā)明第二實施例與第一實施例最大的差別在
于在第二實施例中，于將該晶片W翻轉(zhuǎn)，并置于一耐熱的高分子基板S上的步驟后，更進一
步包括 步驟S200為請配合圖3及圖3A所示，進行第一次切割過程，以將該晶片W切割 成多個形成于多個發(fā)光單元lb之間的凹槽C。 步驟S202為請配合圖3及圖3B所示，填充熒光材料(圖未示)于所述多個凹 槽C內(nèi)。此外，上述的熒光材料可依據(jù)不同的使用需求，而選擇為由一硅膠(silicon)與 一熒光粉(fluorescent powder)所混合形成的熒光膠體(fluorescent resin)、或由一環(huán) 氧樹脂(印oxy)與一熒光粉(fluorescent powder)所混合形成的熒光膠體(fluorescent resin)。 步驟S204為請配合圖3及圖3B所示，固化該熒光材料，以形成一熒光層5b于每 一個發(fā)光單元lb的底端及周圍。 步驟S206為請配合圖3及圖3C所示，沿著圖3B的Y_Y線以進行第二次切割過 程，以將該晶片W切割成多個覆蓋有熒光層5b'的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Zb，并且通過至少 兩個錫球Bb以將每一個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Zb電性連接于一電路板PCB上，其中每一個 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Zb從該發(fā)光區(qū)域Ab產(chǎn)生通過該熒光層5b'的光束Lb，以進行照明的需求。 借此，由上述圖3C可知，本發(fā)明第二實施例提供一種增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光 二極管封裝結(jié)構(gòu)，并且本發(fā)明第二實施例與第一實施例最大的差別在于該熒光層5b'成 形于該發(fā)光單元lb的底部及周圍，以配合該發(fā)光區(qū)域Ab所產(chǎn)生的光束Lb來提供白色光 源。 請參閱圖3D所示，其為本發(fā)明第二實施例的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管 封裝結(jié)構(gòu)通過錫膏的方式電性連接于一電路板上。由上述圖中可知，通過至少兩層錫膏 Bb'的涂布以將每一個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)Zb電性連接于一電路板PCB上。
綜上所述，本發(fā)明增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法的特 點在于 1、以第一實施例而言，該熒光層5a'可成形于該發(fā)光單元la'的氧化鋁基板 100a的底部，以配合該發(fā)光區(qū)域Aa'所產(chǎn)生的光束La來提供白色光源。以第二實施例而 言，該熒光層5b'成形于該發(fā)光單元lb的底部及周圍，以配合該發(fā)光區(qū)域Ab所產(chǎn)生的光束Lb來提供白色光源。 2、本發(fā)明不需使用像上述公知一樣的導線、反射層及封裝膠體，因此本發(fā)明增加
發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在制作時可大大降低制作時間及成本。 3、本發(fā)明通過該絕緣單元的使用，以增加該反射絕緣層的厚度，而使得該氮化鎵
正電極層及該氮化鎵負電極層之間不會像公知一樣產(chǎn)生短路現(xiàn)象。 但是，本發(fā)明的所有范圍應以下述的權(quán)利要求為準，凡合于本發(fā)明權(quán)利要求的精 神與其類似變化的實施例，皆應包含于本發(fā)明的范圍中，任何本領域普通技術(shù)人員在本發(fā) 明的領域內(nèi)，可輕易思及的變化或修飾皆可涵蓋在以下本發(fā)明的保護范圍中。
權(quán)利要求
一種增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一發(fā)光單元，其具有一發(fā)光本體、一成形于該發(fā)光本體上的正極導電層、一成形于該發(fā)光本體上的負極導電層、一成形于該正極導電層及該負極導電層之間的反射絕緣層、及一成形于該發(fā)光本體內(nèi)的發(fā)光區(qū)域，其中該發(fā)光本體具有一底部材料層及一成形在該底部材料層上的頂部材料層；一絕緣單元，其成形于該底部材料層上表面的周圍區(qū)域上及位于該反射絕緣層的上方；至少兩個第一導電單元，其中一個第一導電單元成形于部分的正極導電層上及部分絕緣單元上，并且另外一個第一導電單元成形于部分的負極導電層上及部分絕緣單元上；以及至少兩個第二導電單元，其分別成形于上述兩個第一導電單元上。
2. 如權(quán)利要求1所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該 發(fā)光本體具有一氧化鋁基板、一成形于該氧化鋁基板上的氮化鎵負電極層、及一成形于該氮化鎵負電極層上的氮化鎵正電極層，此外該正極導電層成形于該氮化鎵正電極層上，該 負極導電層成形于該氮化鎵負電極層上，另外該反射絕緣層成形于該氮化鎵負電極層上并 且位于該正極導電層、該負極導電層及該氮化鎵正電極層之間；該底部材料層為該氧化鋁 基板，并且該頂部材料層由該氮化鎵負電極層及該氮化鎵正電極層所組成。
3. 如權(quán)利要求2所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該 反射絕緣層由一介電層及一形成于該介電層上的反射層所組成，該介電層成形于該氮化鎵 負電極層上并且位于該正極導電層、該負極導電層及該氮化鎵正電極層之間，并且該介電 層覆蓋于該正極導電層的一部分正極導電區(qū)域上及覆蓋于該負極導電層的一部分負極導 電區(qū)域上，并且該反射層只成形于位于該氮化鎵正電極層上方的部分介電層的上表面。
4. 如權(quán)利要求1所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該 反射絕緣層由一介電層及一形成于該介電層上的反射層所組成。
5. 如權(quán)利要求1所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該 絕緣層為一聚酰亞胺層或壓克力。
6. 如權(quán)利要求1所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該 正極導電層的上表面具有一正極導電區(qū)域，該負極導電層的上表面具有一負極導電區(qū)域， 并且該反射絕緣層覆蓋于該正極導電層的一部分正極導電區(qū)域上及該負極導電層的一部 分負極導電區(qū)域上。
7. 如權(quán)利要求1所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于每 一個第二導電單元由至少兩層導電金屬層通過電鍍的方式相互堆疊所組成；其中上述至少 兩層導電金屬層為一鎳層及一金層或錫層，并且該金層或錫層成形于該鎳層上。
8. 如權(quán)利要求1所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于每 一個第二導電單元由至少三層導電金屬層通過電鍍的方式相互堆疊所組成；其中上述至少 三層導電金屬層為一銅層、一鎳層及一金層或錫層，該鎳層成形于該銅層上，并且該金層或 錫層成形于該鎳層上。
9. 如權(quán)利要求1所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更 進一步包括一成形于該發(fā)光單元底部的熒光層或一成形于該發(fā)光單元底部及周圍的熒光層。
10. —種增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括下 列步驟提供一具有多個發(fā)光單元的晶片，其中每一個發(fā)光單元具有一發(fā)光本體、一成形于該 發(fā)光本體上的正極導電層、一成形于該發(fā)光本體上的負極導電層、一成形于該正極導電層及該負極導電層之間的反射絕緣層、及一成形于該發(fā)光本體內(nèi)的發(fā)光區(qū)域，并且該發(fā)光本 體具有一底部材料層及一成形在該底部材料層上的頂部材料層；移除該頂部材料層的周圍部分，以露出該底部材料層上表面的周圍區(qū)域；形成一絕緣層于所述多個發(fā)光單元上；移除一部分的絕緣層，以形成一絕緣單元，其中該絕緣單元具有至少兩個分別露出部 分的正極導電層及部分的負極導電層的第一開口 ，并且該絕緣單元成形于該底部材料層上 表面的周圍區(qū)域上及位于該反射絕緣層的上方；形成一第一導電層，以填充上述至少兩個第一開口并覆蓋該絕緣單元；形成一光致抗蝕劑材料于該第一導電層上；移除一部分的光致抗蝕劑材料，以形成至少兩個分別位于該正極導電層及該負極導電 層上方的第二開口；分別填充至少兩個第二導電層于上述至少兩個第二開口內(nèi)，以形成至少兩個第二導電 單元；以及移除其余的光致抗蝕劑，并且移除位于其余光致抗蝕劑下方的一部分第一導電層，以 形成兩個第一導電單元。
11. 如權(quán)利要求io所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于該發(fā)光本體具有一氧化鋁基板、一成形于該氧化鋁基板上的氮化鎵負電極層、及 一成形于該氮化鎵負電極層上的氮化鎵正電極層，此外該正極導電層成形于該氮化鎵正電 極層上，該負極導電層成形于該氮化鎵負電極層上，另外該反射絕緣層成形于該氮化鎵負 電極層上并且位于該正極導電層、該負極導電層及該氮化鎵正電極層之間；該底部材料層 為該氧化鋁基板，并且該頂部材料層由該氮化鎵負電極層及該氮化鎵正電極層所組成。
12. 如權(quán)利要求11所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法， 其特征在于該反射絕緣層由一介電層及一形成于該介電層上的反射層所組成，該介電層 成形于該氮化鎵負電極層上并且位于該正極導電層、該負極導電層及該氮化鎵正電極層之 間，并且該介電層覆蓋于該正極導電層的一部分正極導電區(qū)域上及覆蓋于該負極導電層的 一部分負極導電區(qū)域上，并且該反射層只成形于位于該氮化鎵正電極層上方的部分介電層 的上表面。
13. 如權(quán)利要求IO所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于該反射絕緣層由一介電層及一形成于該介電層上的反射層所組成。
14. 如權(quán)利要求IO所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于該絕緣層為一聚酰亞胺層或壓克力。
15. 如權(quán)利要求IO所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于該正極導電層的上表面具有一正極導電區(qū)域，該負極導電層的上表面具有一負 極導電區(qū)域，并且該反射絕緣層覆蓋于該正極導電層的一部分正極導電區(qū)域上及該負極導電層的一部分負極導電區(qū)域上。
16. 如權(quán)利要求IO所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于每一個第二導電單元由至少兩層導電金屬層通過電鍍的方式相互堆疊所組成； 其中上述至少兩層導電金屬層為一鎳層及一金層或錫層，并且該金層或錫層成形于該鎳層 上。
17. 如權(quán)利要求IO所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于每一個第二導電單元由至少三層導電金屬層通過電鍍的方式相互堆疊所組成； 其中上述至少三層導電金屬層為一銅層、一鎳層及一金層或錫層，該鎳層成形于該銅層上， 并且該金層或錫層成形于該鎳層上。
18. 如權(quán)利要求IO所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于，上述形成兩個第一導電單元的步驟后，更進一步包括如下步驟將該晶片翻轉(zhuǎn)，并置于一耐熱的高分子基板上； 成形一熒光層于每一個發(fā)光單元的底端；以及 進行切割過程，以將該晶片切割成多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
19. 如權(quán)利要求IO所述的增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其 特征在于，上述形成兩個第一導電單元的步驟后，更進一步包括如下步驟將該晶片翻轉(zhuǎn)，并置于一耐熱的高分子基板上；進行第一次切割過程，以將該晶片切割成多個形成于所述多個發(fā)光單元之間的凹槽； 填充熒光材料于所述多個凹槽內(nèi)；固化該熒光材料，以形成一熒光層于每一個發(fā)光單元的底端及周圍；以及 進行第二次切割過程，以將該晶片切割成多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種增加發(fā)光效率的晶片級發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，該結(jié)構(gòu)包括發(fā)光單元、絕緣單元、兩個第一導電單元及兩個第二導電單元。發(fā)光單元具有發(fā)光本體、正極導電層、負極導電層、成形于正、負極導電層之間的反射絕緣層，發(fā)光本體具有底部材料層及頂部材料層。絕緣單元成形于底部材料層上表面的周圍區(qū)域上及位于反射絕緣層的上方。其中一個第一導電單元成形于部分的正極導電層上及部分絕緣單元上，并且另外一個第一導電單元成形于部分的負極導電層上及部分絕緣單元上。上述至少兩個第二導電單元，其分別成形于上述兩個第一導電單元上。本發(fā)明通過絕緣單元的使用來避免氮化鎵正電極層該氮化鎵負電極層之間產(chǎn)生短路現(xiàn)象，進而能夠增加發(fā)光效率。
文檔編號H01L33/00GK101771112SQ20091000170
公開日2010年7月7日 申請日期2009年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月6日
發(fā)明者汪秉龍, 蕭松益, 陳政吉 申請人:宏齊科技股份有限公司