專利名稱：具有雙面鈍化的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件的設(shè)計(jì)。更具體而言，本發(fā)明涉及一種有效降低漏 電流、增強(qiáng)器件可靠性的新穎的具有雙面鈍化的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
期望固態(tài)照明引領(lǐng)下一代照明技術(shù)。高亮度發(fā)光二極管從用于顯示器件的光源 到替代燈泡用于常規(guī)照明，其應(yīng)用的范圍逐漸擴(kuò)大。通常情況下，成本，能效及亮度是 決定LED的商業(yè)可行性的三個(gè)最主要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。LED產(chǎn)生的光線來(lái)自“夾于”受主摻雜層(p_型摻雜層)和施主摻雜層(n-型 摻雜層)間的有源區(qū)域。當(dāng)LED被施以正向電壓時(shí)，載流子，包括來(lái)自p_型摻雜層的 空穴和來(lái)自n-型摻雜層的電子在有源區(qū)域內(nèi)復(fù)合。在直接禁帶材料中，這種在有源區(qū)域 內(nèi)的復(fù)合過(guò)程會(huì)釋放出光子形式的能量或者是對(duì)應(yīng)材料的禁帶能量的光線。為了保證LED的高效率，期望載流子只在有源區(qū)域內(nèi)復(fù)合，而不會(huì)在其他區(qū)域 如LED的側(cè)面復(fù)合。然而，由于在LED側(cè)面的晶體結(jié)構(gòu)的中斷(abrupt termination)， 所以在這樣的表面上有大量的復(fù)合中心。此外，LED表面對(duì)周圍環(huán)境非常敏感，這可能 產(chǎn)生額外的雜質(zhì)和缺陷。環(huán)境誘發(fā)的損害會(huì)嚴(yán)重地降低LED的可靠性和穩(wěn)定性。為使 LED與諸如溫度，離子雜質(zhì)，外界電場(chǎng)，熱等多種環(huán)境因素隔絕，并且保持LED的操作 性和穩(wěn)定性，需要格外注重保持表面潔凈和保證LED封裝的可靠性。此外，利用表面鈍 化保護(hù)LED的表面，即在LED表面上沉積非反應(yīng)性材料的薄層，也同樣重要。圖1圖示了具有垂直電極結(jié)構(gòu)的LED的常規(guī)的鈍化方法。在圖1中，從上至下 依次為鈍化層100，n-側(cè)(或P-側(cè))電極102，n-型(或P-型)摻雜半導(dǎo)體層104，基 于多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)的有源層106，p_型(或n-型)摻雜半導(dǎo)體層108，p-側(cè)(或 n-側(cè))電極110，以及襯底112。鈍化層阻止載流子在LED表面上發(fā)生不必要的復(fù)合。對(duì)于圖1中所示的垂直電 極的LED結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，在MQW有源區(qū)域106的側(cè)壁上容易發(fā)生表面復(fù)合。然而，常規(guī)鈍 化層如圖1所示的層100的側(cè)壁覆蓋效果較弱。這種弱的側(cè)壁覆蓋通常由普通的薄膜沉 積技術(shù)得到，如等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)和磁電濺射沉積。對(duì)于具有更陡 峭臺(tái)階如臺(tái)階高于2 ym的器件來(lái)說(shuō)，通過(guò)鈍化層得到的側(cè)壁覆蓋的質(zhì)量會(huì)更差，這也是 大多垂直電極LED存在的一個(gè)問(wèn)題。在這種情況下，鈍化層通常具有很多能明顯降低阻 止載流子表面復(fù)合能力的孔。增大的表面復(fù)合率反過(guò)來(lái)增加了反向漏電流量，進(jìn)而降低 LED的效率和穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種發(fā)光器件。該器件包括襯底，在襯底上的第一 摻雜半導(dǎo)體層，在第一摻雜半導(dǎo)體層上的第二摻雜半導(dǎo)體層，以及在第一摻雜半導(dǎo)體層 和第二摻雜半導(dǎo)體層之間的多量子阱(MQW)有源層。該器件還包括與第一摻雜半導(dǎo)體
4層連接的第一電極，以及位于第一電極和第一摻雜半導(dǎo)體層之間的除歐姆接觸區(qū)域之外 的區(qū)域的第一鈍化層，其中第一鈍化層實(shí)質(zhì)上使第一電極與第一摻雜半導(dǎo)體層的邊緣隔 離，從而降低表面復(fù)合。進(jìn)一步的，該器件包括與第二摻雜半導(dǎo)體層連接的第二電極和 第二鈍化層，其中第二鈍化層實(shí)質(zhì)上覆蓋第一和第二摻雜半導(dǎo)體層側(cè)壁、MQW有源層的 側(cè)壁、和未被第二電極覆蓋的第二摻雜半導(dǎo)體層的部分水平表面。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，襯底包括下列材料中的至少一種Cu，Cr，Si,以 及 SiC。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，第一和/或第二鈍化層包括下列材料中的至少一 種SiOx，SiNx，或 SiOxNy。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，第一摻雜半導(dǎo)體層是p型摻雜半導(dǎo)體層。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，第二摻雜半導(dǎo)體層是n型摻雜半導(dǎo)體層。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，MQW有源層包括GaN和InGaN。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，第一和第二摻雜半導(dǎo)體層在具有由溝槽和臺(tái)面組成 的預(yù)制圖形的襯底上生長(zhǎng)。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，第一和/或第二鈍化層通過(guò)以下方法中的至少一個(gè) 來(lái)形成等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)，磁電濺射沉積和電子束(e_束)蒸發(fā)。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，第一鈍化層的厚度在100 2000埃間，第二鈍化層 的厚度在300 10000埃間。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，第一電極的邊緣和其他層的邊緣之間存在一定的距罔。


圖1圖示了具有垂直電極結(jié)構(gòu)的LED的常規(guī)鈍化方法。圖2A圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的具有預(yù)制圖形的部分襯底。圖2B圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的預(yù)制圖形化的襯底的橫截面。圖3圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有雙面鈍化的發(fā)光器件的制備過(guò)程的 圖表說(shuō)明。
具體實(shí)施例方式給出以下的描述，以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠制造和使用本發(fā)明，且這些描述 是在具體應(yīng)用及其需求的背景下提供的。公開(kāi)實(shí)施例的各種修改對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言 是顯而易見(jiàn)的，且在不離開(kāi)本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)和范圍的情況下，這里限定的一般原理可 以應(yīng)用到其它實(shí)施例和應(yīng)用。因而，本發(fā)明不限于所示出的實(shí)施例，而是與權(quán)利要求的
最寬范圍一致。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種具有雙面鈍化的LED器件的制造方法。覆蓋器件的 上、下兩面的雙面鈍化能有效降低載流子的表面復(fù)合，從而提高LED器件的可靠性。在 一個(gè)實(shí)施例中，在LED的外表面上沉積兩層鈍化層(上鈍化層和下鈍化層)，而不是僅沉 積單層鈍化層。下鈍化層的存在使p_型(或n-型)摻雜層的邊緣和p-側(cè)(或n-側(cè))電 極充分的隔離。另外，因?yàn)橄骡g化層沉積在層疊的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的水平表面，而不是該結(jié)構(gòu)的垂直側(cè)壁，所以下鈍化層避免了與一般薄膜沉積技術(shù)有關(guān)的常見(jiàn)的側(cè)壁覆蓋問(wèn)題。 因此，下鈍化層往往比常規(guī)的單面鈍化層具有更好的表面質(zhì)量。襯底制備InGaAlNdnxGOyAlh-yN，0 <= x <= 1, 0 <= y <= 1)是制備短波長(zhǎng)發(fā)光器
件的可選材料之一。為了在常規(guī)大面積襯底(如硅晶片)上生長(zhǎng)無(wú)裂紋的多層InGaAIN， 以推進(jìn)高質(zhì)量，低成本，短波長(zhǎng)LED的大規(guī)模生產(chǎn)，本發(fā)明介紹這種具有由溝槽和臺(tái)面 組成的預(yù)制圖形的襯底的生長(zhǎng)方法。具有溝槽和臺(tái)面的預(yù)制圖形化的襯底能夠有效釋放 在襯底表面和多層結(jié)構(gòu)之間由于晶格系數(shù)和熱膨脹系數(shù)失配引起的在多層結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生的 應(yīng)力。圖2A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的利用光刻和等離子刻蝕技術(shù)得到的具有預(yù)先刻蝕圖 案的一部分襯底的頂視圖。刻蝕的結(jié)果是形成了方形臺(tái)面200和溝槽202。圖2B是根 據(jù)一個(gè)實(shí)施例的沿著圖2A的水平線A-A’的預(yù)制圖形化的襯底的橫截面視圖，因此它更 加清楚地說(shuō)明了臺(tái)面和溝槽的結(jié)構(gòu)。如圖2B所示，溝槽204的邊界有效地形成了獨(dú)立臺(tái) 面結(jié)構(gòu)的邊界，如臺(tái)面206和部分臺(tái)面(partial mesas) 208和210。每個(gè)臺(tái)面限定一個(gè)獨(dú) 立的表面區(qū)域用于生長(zhǎng)各自的半導(dǎo)體器件。值得注意的是，可應(yīng)用不同的光刻和蝕刻技術(shù)在半導(dǎo)體襯底上形成溝槽和臺(tái) 面。同樣值得注意的是，除了形成圖2A所示的方形臺(tái)面200外，可以通過(guò)改變溝槽202 的圖案來(lái)形成其他可供選擇的臺(tái)面形狀。這些可供選擇的幾何圖案可包括但不限于三 角形，矩形，平行四邊形，六邊形，圓形或其他不規(guī)則圖形。制造具有雙面鈍化的發(fā)光器件圖3列出多個(gè)圖形用于說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有雙面鈍化的發(fā)光器件的 制造步驟。在步驟A中，準(zhǔn)備好具有溝槽和臺(tái)面的預(yù)制圖形化的襯底后，形成InGaAIN 多層結(jié)構(gòu)。多種生長(zhǎng)技術(shù)包括但不限于金屬有機(jī)化學(xué)汽相沉積(MOCVD)可用于形成 InGaAIN多層結(jié)構(gòu)。制造得到的LED結(jié)構(gòu)可包括襯底302，可以是硅晶片；n_型摻雜 半導(dǎo)體層304，可以是Si摻雜GaN層；有源層306，可以是GaN/InGaAIN MQW結(jié)構(gòu)； p_型摻雜半導(dǎo)體層308，可以是Mg摻雜GaN層。應(yīng)注意的是，p_型層和n_型層間的 生長(zhǎng)順序可以顛倒。在步驟B中，在p_型摻雜半導(dǎo)體層上沉積第一(下)鈍化層310?？捎糜谛纬上?鈍化層310的材料包括但不限于氧化硅(SiOx)，氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)。 多種薄膜沉積技術(shù)如PECVD和磁電濺射沉積可應(yīng)用于沉積下鈍化層310。下鈍化層的厚 度可在100 2000埃之間。在一個(gè)實(shí)施例中，下鈍化層厚大約為500埃。對(duì)應(yīng)步驟B 的圖形圖示了下鈍化層310沉積后的LED結(jié)構(gòu)的橫截面。為了在p_型摻雜半導(dǎo)體層和電極(p-側(cè)電極)間留有歐姆接觸的區(qū)域，在步驟 C中，應(yīng)用光刻和蝕刻技術(shù)刻蝕掉部分鈍化層而形成鈍化層312。在一個(gè)實(shí)施例中，刻蝕 面積的選擇應(yīng)該滿足有足夠的區(qū)域面積用于電接觸，且器件邊緣與p_側(cè)電極之間可獲得 足夠的距離。在步驟D中，刻蝕下鈍化層312后，在多層結(jié)構(gòu)316上沉積一金屬層以形成電 極。若多層結(jié)構(gòu)的上層是p_型摻雜材料，那么電極就是p_側(cè)電極。p_側(cè)電極可以是多 種類型的金屬，如鎳(Ni)，金(Au)，鉬(Pt)，以及它們的合金。金屬層314可利用蒸發(fā)技術(shù)如電子束(e_束)蒸發(fā)來(lái)沉積。在步驟F中，將多層結(jié)構(gòu)316倒置，以邦定至支撐導(dǎo)電結(jié)構(gòu)318。應(yīng)注意的是， 在一個(gè)實(shí)施例中，支撐導(dǎo)電襯底結(jié)構(gòu)318包括支撐襯底320和邦定層322。此外，為了 推進(jìn)邦定進(jìn)程，可在金屬層314上沉積邦定金屬層。支撐襯底層320是導(dǎo)電性的，且可 包括硅(Si)，銅(Cu)，碳化硅(SiC)，鎘(Cr)，以及其他材料。邦定層322可包括金 (Au)。在步驟G中，邦定后，去除襯底302?？捎糜谌コr底302的技術(shù)可包括但不 限于機(jī)械研磨，干法刻蝕，化學(xué)刻蝕，以及上述方法的任何組合。在一個(gè)實(shí)施例中， 應(yīng)用化學(xué)刻蝕方法可完全去除襯底302，該方法包括將多層結(jié)構(gòu)浸入氫氟酸，硝酸和醋酸 組成的溶液中。應(yīng)注意的是支撐襯底層320不會(huì)被化學(xué)刻蝕腐蝕。在步驟H中，為了減少表面復(fù)合中心并且確保貫穿整個(gè)器件的材料的高質(zhì)量， 去除多層結(jié)構(gòu)的邊緣。盡管如此，若生長(zhǎng)過(guò)程能保證多層結(jié)構(gòu)良好的邊緣質(zhì)量，那么， 邊緣去除操作就是可供選擇的。在步驟I中，去除邊緣后，在多層結(jié)構(gòu)的上部形成另一個(gè)電極324。應(yīng)注意的 是，因?yàn)樵诰疃ú襟E期間，多層結(jié)構(gòu)312已被倒置，現(xiàn)在的上層是n-型摻雜半導(dǎo) 體。因此，新形成的電極是n-側(cè)電極。金屬組成和n-側(cè)電極的形成步驟與p_側(cè)電極 的金屬組成和形成步驟相似。在步驟J中，沉積第二(或上)鈍化層326。可用于形成上鈍化層的材料可包括 但不限于SiOx，SiN)^nSiOxNy。值得注意的是，可選擇相同或不同的材料形成上、下 鈍化層。多種薄膜沉積技術(shù)如PECVD和磁電濺射沉積可應(yīng)用于沉積上鈍化層。上鈍化 層的厚度可在300 10000埃之間。在一個(gè)實(shí)施例中，上鈍化層的厚度大約為2000埃。在步驟K中，對(duì)上鈍化層326進(jìn)行光刻圖形化和刻蝕操作，以暴露n_側(cè)電極。
具體實(shí)施例在一個(gè)實(shí)施例中，常規(guī)襯底被圖形化和刻蝕后形成獨(dú)立的臺(tái)面。每個(gè)臺(tái)面的尺 寸大約為300X300iim2。下鈍化層由500埃厚的Si02層形成，而上鈍化層由2000埃厚 的3:102層形成。刻蝕后，p_側(cè)電極的尺寸大約為250X250P m2。去除邊緣后器件的上 表面面積大約為280X280iim2。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)臺(tái)面的尺寸大約為300X300 iim2。下鈍化層由500埃厚 的幻02層形成，而上鈍化層由2000埃厚的3丨隊(duì)層形成?？涛g后，p_側(cè)電極的尺寸大約 為250X250iim2。去除邊緣后器件上表面的面積大約為280X280iim2。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)臺(tái)面的尺寸大約為300X300 iim2，下鈍化層由100埃厚 的已丨隊(duì)層形成，而上鈍化層由5000埃厚的3丨隊(duì)層形成?？涛g后，p_側(cè)電極的尺寸大約 為260X260iim2。去除邊緣后器件上表面的面積大約為280X280iim2。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)臺(tái)面的尺寸大約為300X300 iim2，下鈍化層由1000埃厚 的已丨隊(duì)層形成，而上鈍化層由500埃厚的幻02層形成。刻蝕后，p_側(cè)電極的尺寸大約 為230X230iim2。去除邊緣后器件上表面的面積大約為280X280iim2。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)臺(tái)面的尺寸大約為300X300 iim2，下鈍化層由500埃厚 的幻02層形成，而上鈍化層由10000埃厚的幻02層形成?？涛g后，p-側(cè)電極的尺寸大約為230X230iim2。去除邊緣后器件上表面的面積大約為280X280iim2。
本發(fā)明實(shí)施例的前述描述僅為說(shuō)明和描述的目的而給出。它們并非窮盡性的， 或并不旨在將本發(fā)明限制成這里所公開(kāi)的形式。因而，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，許多修 改和變化是顯而易見(jiàn)的。另外，上述公開(kāi)內(nèi)容并非旨在限制本發(fā)明。本發(fā)明的范圍由所 附權(quán)利要求來(lái)限定。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該器件包括襯底，位于所述襯底上的第一摻雜半導(dǎo)體 層，位于所述第一摻雜半導(dǎo)體層上的第二摻雜半導(dǎo)體層，位于所述第一和第二摻雜半導(dǎo) 體層之間的多量子阱(MQW)有源層，以及與所述第一摻雜半導(dǎo)體層連接的第一電極， 位于所述第一電極和所述第一摻雜半導(dǎo)體層之間除歐姆接觸區(qū)域之外的區(qū)域的第一鈍化 層，其中所述第一鈍化層實(shí)質(zhì)上使所述第一電極與所述第一摻雜半導(dǎo)體層的邊緣隔離， 從而減少表面復(fù)合，與所述第二摻雜半導(dǎo)體層連接的第二電極，以及第二鈍化層，其中 所述第二鈍化層實(shí)質(zhì)上覆蓋所述第一和第二摻雜半導(dǎo)體層的側(cè)壁、所述MQW有源層的 側(cè)壁和未被第二電極覆蓋的第二摻雜半導(dǎo)體層的部分水平表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述襯底包括下列材料中的至少一 種Cu，Cr，Si，以及 SiC。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述第一和/或第二鈍化層包括下 列材料中的至少一種氧化硅(SiOx),氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiNxOy)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述第一摻雜半導(dǎo)體層是ρ-型摻 雜半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述第二摻雜半導(dǎo)體層是η-型摻 雜半導(dǎo)體層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述MQW有源層包括GaN和 InGaN。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述第一和第二摻雜半導(dǎo)體層在具 有溝槽和臺(tái)面的預(yù)制圖形的襯底上生長(zhǎng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述第一和/或第二鈍化層是通過(guò) 下列方法中的至少一種來(lái)形成等離子增強(qiáng)汽相沉積(PECVD)，磁電濺射沉積或電子束 (e-束)蒸發(fā)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述第一鈍化層的厚度在100 2000埃之間，所述第二鈍化層的厚度在300 10000埃之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述第一電極的邊緣與其他層的 邊緣之間存在一定的距離。
11.一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，該方法包括在第一襯底上生長(zhǎng)多層半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)，其中所述多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一摻雜半導(dǎo)體層，MQW有源層及第二摻雜半導(dǎo)體 層；形成第一鈍化層，其中所述第一鈍化層實(shí)質(zhì)上使所述第一摻雜半導(dǎo)體的邊緣與隨后 生長(zhǎng)的第一電極隔離；形成與所述第一摻雜半導(dǎo)體層連接的第一電極；使所述多層結(jié)構(gòu) 與第二襯底邦定；去除所述第一襯底；形成與所述第二摻雜半導(dǎo)體層連接的第二電極； 以及形成第二鈍化層，其中所述第二鈍化層實(shí)質(zhì)上覆蓋了所述第一和第二摻雜半導(dǎo)體層 的側(cè)壁、所述MQW有源層的側(cè)壁、和未被所述第二電極覆蓋的所述第二摻雜半導(dǎo)體層 的部分表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于襯底包括下列材料中的至少一種Cu， Cr，Si 和 SiC。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于所述第一和/或第二鈍化層包括下列材料中 的至少一種氧化硅(SiOx)，氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiNxOy)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于所述第一摻雜半導(dǎo)體層是ρ-型摻雜半導(dǎo)體層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于所述第二摻雜半導(dǎo)體層是η-型摻雜半導(dǎo)體層。
16.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于所述MQW有源層包括GaN和InGaN。
17.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于所述第一和第二摻雜半導(dǎo)體層在具有溝槽和 臺(tái)面的預(yù)制圖形的襯底上生長(zhǎng)。
18.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于所述第一和/或第二鈍化層至少是通過(guò)下 列方法中的至少一種來(lái)形成等離子增強(qiáng)汽相沉積(PECVD)，磁電濺射沉積或電子束 (e-束)蒸發(fā)。
19.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于所述第一鈍化層的厚度在100 2000埃之 間，所述第二鈍化層的厚度在300 10000埃之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征在于所述第一電極的邊緣與其他層的邊緣間存在一定的距離。
全文摘要
一種發(fā)光器件，該器件包括襯底，位于所述襯底上的第一摻雜半導(dǎo)體層，位于所述第一摻雜半導(dǎo)體層上的第二摻雜半導(dǎo)體層，位于所述第一和第二摻雜層之間的多量子阱(MQW)有源層。該器件還包括與所述第一摻雜層連接的第一電極和第一鈍化層，其中所述第一鈍化層位于所述第一電極和所述第一摻雜層之間除歐姆接觸區(qū)域之外的區(qū)域。所述第一鈍化層實(shí)質(zhì)上使第一電極與所述第一摻雜層的邊緣隔離，從而降低表面復(fù)合。進(jìn)一步地，該器件包括與所述第二摻雜層連接的第二電極和第二鈍化層，其中所述第二鈍化層實(shí)質(zhì)上覆蓋所述第一和第二摻雜層的側(cè)壁、所述MQW有源層的側(cè)壁和第二摻雜層的水平表面。
文檔編號(hào)H01L33/40GK102017193SQ200880128211
公開(kāi)日2011年4月13日 申請(qǐng)日期2008年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月25日
發(fā)明者劉軍林, 江風(fēng)益, 王立 申請(qǐng)人:晶能光電(江西)有限公司