專利名稱：制備牢固的發(fā)光二極管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及應(yīng)用InGaAlN 基(InxGahAlyN1VO <=x<=l，0<=y<=l)半 導(dǎo)體材料制造半導(dǎo)體發(fā)光器件，更具體而言，本發(fā)明涉及一種在后制程，測試和封裝期間降 低外延制備的InGaAlN-基發(fā)光二極管的損壞風(fēng)險(xiǎn)的技術(shù)。
背景技術(shù)：
III-V族氮化物化合物(如GaN，InN,和AlN)及其合金化合物(如AlGaN，InGaN, 和AlGaInN)已被廣泛地應(yīng)用于可產(chǎn)生高效發(fā)光的發(fā)光二極管(LED)和激光二極管的制造。 應(yīng)用III-V族氮化物材料外延生長LED的技術(shù)包括金屬有機(jī)化學(xué)汽相沉積(MOCVD)，分子束 外延(MBE)及氫化物汽相外延(HVPE)。LED的制造通常包括下列步驟前制程，后制程，測試及封裝。在前制程期間，制備 好晶片并在晶片上外延生長InGaAlN基(InxGahAlyN1VCX=XS= l，0<=y<=l)多 層結(jié)構(gòu)，從而得到LED。在后制程期間，切割晶片以分離得到單個(gè)的LED。隨后，對每個(gè)LED 進(jìn)行測試和封裝。晶片邦定是應(yīng)用于具有垂直電極結(jié)構(gòu)的LED制造的一種技術(shù)。這種制造技術(shù) 首先是在硅生長襯底上制造InGaAlN基多層結(jié)構(gòu)，接著分別制備金屬邦定材料層包覆的 InGaAlN基多層結(jié)構(gòu)和金屬邦定層包覆的導(dǎo)電襯底。接下來利用金屬邦定層對InGaAlN基 多層結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電襯底進(jìn)行壓焊。隨后，應(yīng)用濕法刻蝕技術(shù)去除硅生長襯底。這種方法將 InGaAlN基多層結(jié)構(gòu)從硅生長襯底上轉(zhuǎn)移至導(dǎo)電襯底上，并使多層結(jié)構(gòu)倒置。這種方法制造 的LED具有垂直電極結(jié)構(gòu)，并因此可獲得高的發(fā)光效率。然而，在InGaAlN基多層結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電襯底之間形成的邦定并非總是牢固地可經(jīng)受 后續(xù)的加工和測試。具體來說，利用邦定材料對兩個(gè)不平坦表面進(jìn)行壓焊得到的邦定降低 了接觸表面的完整性且削弱了邦定強(qiáng)度。因此，經(jīng)晶片邦定制造的LED在后續(xù)測試工序中 遭遇外部力量時(shí)可能破裂。例如，當(dāng)真空吸鉗抓取器件時(shí)，來自真空吸鉗的外部力量可導(dǎo)致 器件在器件結(jié)構(gòu)和真空吸氣孔之間的接觸點(diǎn)上破裂。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種制備發(fā)光二極管(LED)的方法。該方法包括在導(dǎo) 電襯底上制備InGaAlN基多層LED結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，該方法包括穿透多層LED結(jié)構(gòu)的有源 區(qū)刻蝕出預(yù)定圖案的凹槽。該凹槽分隔出發(fā)光區(qū)域與非發(fā)光區(qū)域。另外，該方法包括在發(fā) 光和非發(fā)光區(qū)域上沉積電極材料，從而形成電極。此外，該方法包括沉積鈍化層用于覆蓋發(fā) 光和非發(fā)光區(qū)域。除此之外，該方法包括去除電極上的鈍化層，使被電極材料和鈍化層覆蓋 的非發(fā)光區(qū)域比發(fā)光區(qū)域和電極更高，從而使發(fā)光區(qū)域避免與測試設(shè)備接觸。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，制備InGaAlN基多層LED結(jié)構(gòu)包括通過在生長襯底上 刻蝕出凹槽對生長襯底進(jìn)行圖形化，并因此在生長襯底上形成臺面；在生長襯底上的各個(gè) 臺面上沉積InGaAlN基多層結(jié)構(gòu)；在InGaAlN基多層結(jié)構(gòu)上沉積金屬邦定層；在導(dǎo)電襯底上制備金屬邦定層；對InGaAlN基多層結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電襯底進(jìn)行邦定；去除生長襯底。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，預(yù)定圖案是在LED結(jié)構(gòu)的兩個(gè)相對的角上刻蝕得到的 凹槽圖案。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，預(yù)定圖案是在LED結(jié)構(gòu)上刻蝕的矩形或圓形圖形的凹 槽，其中發(fā)光區(qū)域被圍在凹槽圖案內(nèi)。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，電極包括金-鍺-鎳合金。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，鈍化層包括二氧化硅。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，去除電極上的鈍化層包括應(yīng)用光刻技術(shù)。在該實(shí)施例的一個(gè)變型中，被電極材料和鈍化層覆蓋的非發(fā)光區(qū)域高出發(fā)光區(qū)域 禾口電極大約0. 1 μ m 2 μ m。在另一個(gè)變型中，被電極材料和鈍化層覆蓋的非發(fā)光區(qū)域高出發(fā)光區(qū)域和電極大 約 0. 5 μ m。


說明書部分隨附的圖形被用于闡述本發(fā)明的某些特征。參考這些圖形的一個(gè)或多 個(gè)，并結(jié)合這里所作的描述，可以更好的理解本發(fā)明。應(yīng)值得注意的是，圖形中說明的特征 不一定是按照規(guī)定比例繪制。圖1圖示了用于LED測試的帶有機(jī)械抓手的吸盤的橫截面圖。圖2是說明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的在導(dǎo)電襯底上制備LED結(jié)構(gòu)的過程的流程 圖。圖3A圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的在硅生長襯底上外延制備的InGaAlN基多 層LED結(jié)構(gòu)橫截面視圖。圖3B圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的被金屬邦定層覆蓋的導(dǎo)電襯底的橫截面 視圖。圖3C圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的通過晶片邦定在金屬襯底上制備的 InGaAlN基多層LED結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。圖3D圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域在其上分離的 InGaAlN基多層LED結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。圖3E圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的被η-型電極覆蓋的InGaAlN基多層LED 結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。圖3F圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的在其上得到η-型電極的InGaAlN基多層 LED結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。圖3G圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的具有鈍化層的InGaAlN-基多層LED結(jié)構(gòu)的 橫截面視圖。圖3H圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的非發(fā)光區(qū)域高于電極的InGaAlN基多層LED 結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。圖4A圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的在LED結(jié)構(gòu)兩個(gè)相對角上刻蝕的凹槽圖案。圖4B圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的沿著LED結(jié)構(gòu)邊界刻蝕的凹槽圖案。圖4C圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的在LED結(jié)構(gòu)上刻蝕的圓形凹槽圖案。
圖4D圖示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的在LED結(jié)構(gòu)上刻蝕的四角的凹槽圖案。
具體實(shí)施例方式給出以下的描述，以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠制造和使用本發(fā)明，且這些描述是 在具體應(yīng)用及其需求的背景下提供的。公開實(shí)施例的各種修改對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯 而易見的，且在不離開本發(fā)明的范圍的情況下，這里限定的一般原理可以應(yīng)用到其它實(shí)施 例和應(yīng)用。因而，本發(fā)明不限于所示出的實(shí)施例，而是與權(quán)利要求的最寬范圍一致。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種在制造高質(zhì)量發(fā)光二極管(LED)的同時(shí)降低測試過 程中LED損壞風(fēng)險(xiǎn)的方法。通常在襯底上制備LED結(jié)構(gòu)后，晶片被切割分成單個(gè)LED，接著 對每個(gè)LED進(jìn)行包括測試和封裝的進(jìn)一步處理。每個(gè)LED通過機(jī)械抓手在生產(chǎn)線內(nèi)來回移 動，機(jī)械抓手配有附帶吸盤的真空吸入通道。具體而言，金屬或非金屬材料制成的吸盤，吸 住LED并把LED送至進(jìn)一步測試或加工的操作位置。圖1圖示了 LED測試用附帶機(jī)械抓手的吸盤的橫截面視圖。吸盤120與真空吸入 通道110連接。吸盤120具有外徑122和內(nèi)徑124。真空泵通過吸盤120的孔抽氣，于是 在孔的內(nèi)部及附近形成真空。利用在孔周圍的空氣壓力差可抓取LED器件130。因此，LED 130與吸盤120接觸。大的壓力差和剛性吸盤可能在抓取過程中損傷LED器件。例如，與接觸吸盤可引 起LED器件內(nèi)的破裂。若是利用晶片邦定技術(shù)制備LED器件，則這種破裂很可能發(fā)生在 InGaAlN基多層結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電襯底間的邦定材料層內(nèi)。通常邦定層的物理強(qiáng)度及結(jié)構(gòu)完整性 不如外延層的好，部分原因是由于邦定材料分別在多層結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電襯底上沉積時(shí)，這種邦 定層可能存在不平坦表面。因此，由鋼制吸盤直接加在LED上的外力可潛在地使半導(dǎo)體材 料破裂，以致LED不能使用。利用橡膠吸盤可減輕這種破裂。然而，真空壓力仍然需要仔細(xì) 的調(diào)整。另外，橡膠吸盤的使用壽命有限且成本高，因而使LED的制造成本增加。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了 一種通過提升器件邊緣或器件邊角并將這些提升的 區(qū)域與發(fā)光區(qū)域隔離，避免由于與吸盤撞擊在LED器件內(nèi)形成破裂的方法。在一個(gè)實(shí)施例 中，在提升的區(qū)域和發(fā)光區(qū)域間刻蝕凹槽。這些凹槽分隔出發(fā)光區(qū)域與非發(fā)光區(qū)域。進(jìn)一 步加工提升非發(fā)光區(qū)域的高度。因此，吸盤可只與具有提升高度的非發(fā)光區(qū)域接觸，而不是 與發(fā)光區(qū)域接觸。如果破裂發(fā)生在抓取過程，那么這些破裂也只會影響非發(fā)光區(qū)域。因此， 發(fā)光區(qū)域在抓取過程中得到保護(hù)。圖2利用流程圖用于說明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的在導(dǎo)電襯底上制備LED結(jié)構(gòu)的 過程。在一個(gè)實(shí)施例中，LED的制造過程包括下列操作首先，在硅襯底上制備具有金屬邦 定層包覆的InGaAlN基多層LED結(jié)構(gòu)(操作210)。具體而言，硅襯底被刻蝕成預(yù)定圖案的 十字交叉凹槽，這樣就得到了在其上制備InGaAlN基多層LED結(jié)構(gòu)的臺面結(jié)構(gòu)。接著，制備 被金屬邦定層覆蓋的導(dǎo)電襯底(操作220)。然后，利用壓焊技術(shù)將InGaAlN基多層LED結(jié) 構(gòu)與導(dǎo)電襯底邦定(操作230)。接著，穿透有源區(qū)并沿著LED結(jié)構(gòu)的邊緣或邊角刻蝕凹槽(操作240)。應(yīng)注意的 是理想的凹槽深度是能足夠隔離發(fā)光區(qū)域與非發(fā)光區(qū)域，這樣如果其中一個(gè)非發(fā)光區(qū)域破 裂，發(fā)光區(qū)域仍然有用。接下來在LED結(jié)構(gòu)上沉積η型電極層(操作250)。然后，利用光刻 將部分發(fā)光區(qū)域上的多余η型電極材料去除，以形成不被電極覆蓋的部分發(fā)光區(qū)域(操作260)。應(yīng)注意的是，去除多余η電極材料后，電極材料只覆蓋非光發(fā)光區(qū)域和發(fā)光區(qū)域內(nèi)的 電極區(qū)域。接著形成鈍化層以覆蓋器件上部(操作270)；利用光刻將發(fā)光區(qū)域內(nèi)覆蓋電極 的部分鈍化層去除(操作280)。圖3Α-3Η圖示了在硅襯底臺面上制造的單個(gè)LED器件不同制造階段的橫截面視 圖。這些階段對應(yīng)于在圖2中流程圖說明的那些制造步驟。圖3A圖示了在硅生長襯底300 上外延制造的InGaAlN基多層LED結(jié)構(gòu)310的橫截面視圖(對應(yīng)于圖2中的操作210)。 LED結(jié)構(gòu)310的上層是ρ-型層312，下層是η-型層314。有源多量子阱(MQW)層313夾于 P-型層312和η-型層314之間。金屬邦定層315覆蓋ρ-型層312的上部。LED結(jié)構(gòu)310 可利用金屬有機(jī)化學(xué)汽相沉積法制造。接著，如圖3B所示，制備被金屬邦定層330覆蓋的導(dǎo)電襯底320 (對應(yīng)于圖2中的 操作220)。在一個(gè)實(shí)施例中，利用電子束蒸發(fā)，磁電濺射和/或任何其他金屬涂覆方法，可 在導(dǎo)電襯底320上沉積金屬邦定層330。適合金屬邦定層330的材料可是合金如金/鋅，金
/銦及金/錫。對應(yīng)于圖2中操作230，圖3C圖示了如何利用金屬邦定層330把多層LED結(jié)構(gòu)310 壓焊至導(dǎo)電襯底320上，隨后，利用如機(jī)械研磨，干法刻蝕或化學(xué)刻蝕的技術(shù)去除硅生長襯 底300，從而暴露η-型層314。應(yīng)注意的是，金屬邦定層330的邊界332在壓焊過程中會遭 受一些損傷。如圖3D所示，對應(yīng)于圖2中的操作240，首先從組成預(yù)定凹槽圖案的組中選擇所要 刻蝕的圖案。接著，利用例如金相刻蝕在LED結(jié)構(gòu)310上刻蝕凹槽316。應(yīng)注意的是，凹槽 316穿透LED結(jié)構(gòu)310并至金屬鍵邦層330。凹槽316至少穿透LED結(jié)構(gòu)310內(nèi)的有源區(qū)， 以有效地隔離在LED結(jié)構(gòu)310中間區(qū)域的發(fā)光區(qū)域317和非發(fā)光區(qū)域318。如圖3E所示，對應(yīng)于圖2中操作250，接著在n_型層314上沉積n_型電極材料層 340。電極材料層340覆蓋η-型層314并且填充凹槽316。如圖3F所示，對應(yīng)于圖2中操作260，接著應(yīng)用光刻法去除η_型層314上的多余 η型電極材料，從而形成三個(gè)被電極材料覆蓋的區(qū)域342，344及346。區(qū)域342和346位于 非發(fā)光區(qū)域的上部，而η-型電極區(qū)域344位于發(fā)光區(qū)域的上部。應(yīng)注意的是，只有區(qū)域344 中的電極材料才可被應(yīng)用作為發(fā)光區(qū)域的電極。如圖3G所示，對應(yīng)于圖2中操作270，在LED結(jié)構(gòu)310的整個(gè)表面包括電極材料覆 蓋的區(qū)域342，344和346上形成鈍化層350。應(yīng)注意的是，鈍化層也填充發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光 區(qū)域之間的空隙。如圖3H所示，對應(yīng)于圖2中的操作280，應(yīng)用光刻法去除部分鈍化層350并暴露電 極344，從而形成環(huán)繞電極344的鈍化區(qū)域。結(jié)果，現(xiàn)在被鈍化層350覆蓋的非發(fā)光區(qū)域以 預(yù)定的高度高于電極344。由于非發(fā)光區(qū)域比發(fā)光區(qū)域更高，那么在剝離過程期間，吸盤只與提升高度的的 非發(fā)光區(qū)域接觸。換句話說，有可能被吸盤損傷的區(qū)域只是非發(fā)光區(qū)域。如果裂紋發(fā)生在 器件測試過程，它們也只影響非發(fā)光區(qū)域，因此，發(fā)光區(qū)域是完好的。接下來具體的實(shí)施例進(jìn)一步闡述了公開的方法。在圖4A-4D中，單個(gè)LED結(jié)構(gòu)用 于說明在LED結(jié)構(gòu)上刻蝕的示例性預(yù)定凹槽圖案。圖4A圖示了在LED結(jié)構(gòu)的兩個(gè)相對角 上刻蝕的凹槽圖案。圖4B圖示了沿著LED周界刻蝕的凹槽圖案。圖4C圖示了在LED結(jié)構(gòu)
7上刻蝕的圓形凹槽圖案。圖4D圖示了在LED結(jié)構(gòu)上刻蝕的四角的凹槽圖案。應(yīng)注意的是上述制造過程可在晶片劃片前完成。在一個(gè)實(shí)施例中，利用化學(xué)汽相 沉積在硅生長襯底上外延制備InGaAlN基多層LED結(jié)構(gòu)。LED結(jié)構(gòu)包括AlN緩沖層，GaN η-型層，GaN/InGaN多量子阱層以及ρ-型層。金屬邦定層，在一個(gè)實(shí)施例中是金基金屬邦 定層，分別在LED結(jié)構(gòu)上和導(dǎo)電硅襯底上形成。制備好LED結(jié)構(gòu)和硅導(dǎo)電襯底后，利用金屬邦定層，外加600kg的力于300°C或低 于300°C的溫度下，在預(yù)定的時(shí)間段內(nèi)對LED結(jié)構(gòu)和硅導(dǎo)電襯底進(jìn)行壓焊。接著，將整個(gè)結(jié) 構(gòu)浸入在由氫氟酸，硝酸和醋酸組成的溶液中，直至硅生長襯底被完全去除。應(yīng)注意的是， 新的邦定導(dǎo)電襯底在濕法刻蝕過程中受到保護(hù)。濕法刻蝕后，GaN η-型層暴露。然后，利用光刻在LED結(jié)構(gòu)上刻蝕圓形凹槽。圓的內(nèi)部區(qū)域是發(fā)光區(qū)域，而外部區(qū) 域是非發(fā)光區(qū)域。大約IOOnm厚的金-鍺-鎳合金層在GaN n_型層上部沉積。除了覆蓋 GaN η-型層外，金-鍺-鎳合金層也填充圓形凹槽并且覆蓋非發(fā)光區(qū)域。接著，應(yīng)用光刻將凹槽內(nèi)多余的金-鍺-鎳合金去除。然而，金-鍺-鎳合金電極 層在外部區(qū)域和內(nèi)部區(qū)域仍有殘余。在接下來的操作中，在LED結(jié)構(gòu)的表面上制備SiO2基 鈍化層。接著，再次應(yīng)用光刻去除電極上多余的SiO2基鈍化層。在其余的發(fā)光區(qū)域和非發(fā) 光區(qū)域仍有鈍化層。電極和非發(fā)光區(qū)域間的高度差可在0. Ιμπι 2μπι之間。在一個(gè)實(shí)施 例中，電極比非發(fā)光區(qū)域上的鈍化層低0. 5 μ m。本發(fā)明實(shí)施例的前述描述僅為說明和描述的目的而給出。它們并非窮盡性的，或 并不旨在將本發(fā)明限制成這里所公開的形式。因而，對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，許多修改和變 化是顯而易見的。另外，上述公開內(nèi)容并非旨在限制本發(fā)明。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要 求來限定。
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權(quán)利要求
一種制備發(fā)光二極管(LED)的方法，該方法包括在導(dǎo)電襯底上制備InGaAlN基多層LED結(jié)構(gòu)；穿透所述多層LED結(jié)構(gòu)刻蝕出預(yù)定圖案的凹槽，其中所述凹槽分隔出發(fā)光區(qū)域與非發(fā)光區(qū)域；在所述發(fā)光區(qū)域和所述非發(fā)光區(qū)域上沉積電極材料，從而形成電極；沉積覆蓋所述發(fā)光和所述非發(fā)光區(qū)域的鈍化層；以及去除所述電極上的所述鈍化層，使被所述電極材料和所述鈍化層覆蓋的所述非發(fā)光區(qū)域高于所述發(fā)光區(qū)域和所述電極，從而使所述發(fā)光區(qū)域避免與測試設(shè)備接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中制造所述InGaAlN基多層LED結(jié)構(gòu)包括通過在生長 襯底上刻蝕出凹槽對所述生長襯底進(jìn)行圖形化，并因此在所述生長襯底上形成臺面；在所述生長襯底的各個(gè)所述臺面上沉積所述InGaAlN-基多層結(jié)構(gòu)；在所述InGaAlN基多層上沉積金屬邦定層；在導(dǎo)電襯底上制備金屬邦定層；將所述InGaAlN基多層結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電襯底邦定；以及去除所述生長襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，所述預(yù)定圖案是在所述LED結(jié)構(gòu)的兩個(gè)相對角上刻蝕得到 的凹槽圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述預(yù)定圖案是在所述LED結(jié)構(gòu)上刻蝕的矩形或圓形 圖案的凹槽，其中所述發(fā)光區(qū)域被圍在所述凹槽圖案內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述電極包括金-鍺-鎳合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述鈍化層包括二氧化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中去除所述電極上的所述鈍化層包括應(yīng)用光刻技術(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中被所述電極材料和所述鈍化層覆蓋的所述非發(fā)光區(qū)域 高出所述發(fā)光區(qū)域和所述電極大約0. 1 μ m 2 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中被所述電極材料和所述鈍化層覆蓋的所述非發(fā)光區(qū)域 高出所述發(fā)光區(qū)域和所述電極大約0. 5 μ m。
10.一種發(fā)光二極管(LED)，其制造過程包括 在導(dǎo)電襯底上制備InGaAlN基多層LED結(jié)構(gòu)；穿透所述多層LED結(jié)構(gòu)的有源區(qū)刻蝕出預(yù)定圖案的凹槽，其中，所述凹槽分隔出發(fā)光 區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域；在所述發(fā)光和所述非發(fā)光區(qū)域上沉積電極材料，從而形成電極； 沉積覆蓋所述發(fā)光區(qū)域和所述非發(fā)光區(qū)域的鈍化層；以及去除所述電極上的所述鈍化層，使被所述電極材料和所述鈍化層覆蓋的所述非發(fā)光區(qū) 域高于所述發(fā)光區(qū)域和所述電極，從而使所述發(fā)光區(qū)域避免與測試設(shè)備接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中制造所述InGaAlN基多層LED結(jié)構(gòu)包括通過在生 長襯底上刻蝕出凹槽對所述生長襯底進(jìn)行圖形化，并因此在所述生長襯底上得到臺面；在所述生長襯底上的各個(gè)所述臺面上沉積所述InGaAlN基多層結(jié)構(gòu)； 在所述InGaAlN基多層結(jié)構(gòu)上沉積金屬邦定層； 在導(dǎo)電襯底上制備金屬邦定層；將所述InGaAlN基多層結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電襯底邦定；以及 去除所述生長襯底。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，所述預(yù)定圖案是在所述LED結(jié)構(gòu)的兩個(gè)相對角上刻蝕得 到的凹槽圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述預(yù)定圖案是在所述LED結(jié)構(gòu)上刻蝕的矩形或圓 形圖案的凹槽，其中所述發(fā)光區(qū)域被圍在所述凹槽圖案內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述電極包括金-鍺-鎳合金。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述鈍化層包括二氧化硅。
16.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中去除所述電極上的所述鈍化層包括應(yīng)用光刻技術(shù)。
17.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中被所述電極材料和所述鈍化層覆蓋的所述非發(fā)光區(qū) 域高出所述發(fā)光區(qū)域和所述電極0. 1 2 μ m。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中被所述電極材料和所述鈍化層覆蓋的所述非發(fā)光區(qū) 域高出所述發(fā)光區(qū)域和所述電極大約0. 5 μ m。
19.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中，所述LED的邊緣或角高于所述發(fā)光區(qū)域。
全文摘要
一種制造發(fā)光二極管(LED)的方法。該方法包括在導(dǎo)電襯底上制造InGaAlN基多層LED結(jié)構(gòu)。該方法進(jìn)一步包括穿透所述多層LED結(jié)構(gòu)的有源區(qū)刻蝕出預(yù)定圖案的凹槽。所述凹槽分隔出發(fā)光區(qū)域與非發(fā)光區(qū)域。另外，該方法包括在所述發(fā)光區(qū)域和所述非發(fā)光區(qū)域上沉積電極材料，從而形成電極。此外，該方法包括沉積覆蓋所述發(fā)光區(qū)域和所述非發(fā)光區(qū)域的鈍化層。該方法還包括去除所述電極上的所述鈍化層，使被所述電極材料和所述鈍化層覆蓋的所述非發(fā)光區(qū)域高于所述發(fā)光區(qū)域和所述電極，從而使所述發(fā)光區(qū)域避免與測試設(shè)備接觸。
文檔編號H01L33/44GK101919074SQ200880128208
公開日2010年12月15日 申請日期2008年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月26日
發(fā)明者江風(fēng)益, 王立 申請人:晶能光電(江西)有限公司