專利名稱：具有用以限制焊料芯吸的開槽式引線的半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體來說涉及半導(dǎo)體裝置及工藝領(lǐng)域，且更具體來說涉及具有引線的表面 安裝裝置，所述引線具有用以限制焊料芯吸的槽。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體裝置的引線框架提供用于將半導(dǎo)體芯片(通常為集成電路(IC)芯片)穩(wěn) 固地定位于封裝內(nèi)的穩(wěn)定支撐墊。用薄(大約ΙΟΟμπι到250μπι)金屬片來制造單片引線 框架已成為慣例。出于容易制造的原因，通常選擇的開始金屬為銅、銅合金、鐵鎳合金(例 如所謂的“合金42”)及鋁。從原始片模壓或蝕刻出所述引線框架的所需形狀。除芯片墊以外，所述引線框架還提供用以使各種電導(dǎo)體與所述芯片非常接近的多 個導(dǎo)電段。通過連接器(通常為個別地接合到IC接觸墊及引線框架段的細(xì)金屬線(例如 金))來橋接所述段的內(nèi)部端與IC表面上的接觸墊之間的剩余間隙。引線段的遠(yuǎn)離IC芯片的端(“外部”端)需要電連接且機械連接到例如印刷電路 板的外部電路。通常通過(傳統(tǒng)上)借助鉛/錫合金焊料在高于200°C的回流溫度下焊接 來執(zhí)行此附接。因此，外段端的表面需要具有適合于到外部部分的回流附接的冶金配置。最近，在因環(huán)境問題而必須使用無鉛焊料時出現(xiàn)了組裝困難，因為這些焊料常常 顯示出焊料芯吸問題。當(dāng)出現(xiàn)芯吸時，表面張力將大部分焊料(有時幾乎所有焊料)從焊 料位置拉離到與裝置附接無關(guān)的引線部分中。因此，裝置的板附接可變得難以控制且不可罪。其它最近的技術(shù)趨勢已使裝置附接過程惡化。作為實例，封裝尺寸還有引線長度 正在縮減，從而為焊料附接提供更小的表面。然后，對使用無鉛焊料的要求將回流溫度范圍 推動到大約260°C附近，從而使得更難以遏制焊料芯吸。另外，市場壓力推動引線框架的成本減少且因此強調(diào)用于引線框架的任何昂貴金 屬的減少。對于以下情況來說尤其如此將最小化通?？捎糜谝€框架中的任何貴金屬 (例如金或鈀)的量。此成本減少對芯吸問題可具有另一有害影響。

發(fā)明內(nèi)容
申請人:認(rèn)識到需要一種用以制作具有避免任一焊料及任一引線框架材料的焊料 芯吸風(fēng)險的引線框架結(jié)構(gòu)的表面安裝裝置的低成本且可靠的方法。另外，所述方法需要適 用于已處于修整及形成的最終組裝階段的彼等裝置，以及適用于新裝置，所述新裝置仍具 有采用具有內(nèi)置式防范措施以首先消除芯吸危險的引線框架的選擇權(quán)。當(dāng)引線框架及其制 作方法靈活到足以適用于不同半導(dǎo)體產(chǎn)品族以及寬泛范圍的設(shè)計及組裝變化形式且實現(xiàn) 朝向經(jīng)改善工藝良率及裝置可靠性目標(biāo)的改善時，存在技術(shù)優(yōu)勢。申請人:進行了對在高溫下的表面安裝裝置的引線的焊接工藝的機械及冶金研究。 當(dāng)液態(tài)焊料發(fā)生芯吸時，其通過基于表面張力的毛細(xì)管力沿固體表面底部被抽吸。申請人 認(rèn)識到，提升焊料的功繼續(xù)直到克服重力提升焊料質(zhì)量所需要的能量平衡所獲得的表面能量為止。當(dāng)達(dá)到此平衡時，不存在上拉焊料的額外能量且芯吸停止。申請人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)沿著引 線向上爬時液態(tài)焊料的質(zhì)量通過將焊料收集于洞穴狀阱中而被局部地累積時，可減緩并停 止焊料芯吸，直到焊料動作因降低溫度及使焊料凝固而完全停止為止。本發(fā)明的一個實施例為具有引線框架的經(jīng)封裝表面安裝半導(dǎo)體裝置，所述引線框 架具有引線的未被封裝囊封的外部段。所述外部段具有寬度及長度；考慮結(jié)構(gòu)化成五個毗 連部分的長度是方便的。第一部分從囊封物大約水平地伸出。第二部分向下形成凸彎。第 三部分為大致筆直向下的。第四部分向上形成凹彎。第五部分為水平筆直的。在本發(fā)明的實施例中，在每一段的第三部分中存在跨越寬度的第一槽；此槽可位 于底部段表面上，或其可位于頂部段表面上。在任一情況下，所述槽優(yōu)選地在垂向上位于第 五引線部分的底部表面上方大約2個引線框架厚度處。所述槽可具有優(yōu)選地通過模壓制成的角形外形，所述角形外形具有介于大約5μπι 與50 μ m之間的深度，或其可具有優(yōu)選地通過蝕刻制成的大致半圓形外形，所述半圓形外 形具有介于大約50 μ m到125 μ m之間的深度。除第一槽以外，第二槽也可位于第二段部分 中；對于一些裝置，第三槽可位于從第三段部分向第四段部分的過渡區(qū)域中。本發(fā)明的其他實施例為用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法通過用于在引線中 形成槽的技術(shù)而區(qū)分。可模壓所述槽或可蝕刻所述槽。對于通過模壓形成槽，方法通過提供 具有頂部及底部表面、厚度以及內(nèi)部及外部段的金屬引線框架而開始。將外部段配置為具 有寬度及長度的引線；通過堰壩條將所述外部段互連。接著，在內(nèi)部段上組裝半導(dǎo)體芯片， 并將所述芯片及內(nèi)部段包封于塑料囊封物中，從而留下所述引線未被包封。接下來，移除所述堰壩條并跨越每一引線的寬度將第一槽模壓到引線的底部表面 或頂部表面中。可與堰壩條移除同時地或在堰壩條移除之后執(zhí)行所述模壓。所述槽的外形 為大致角形且具有介于大約5 μ m與50 μ m之間的深度。接著，將引線的長度形成為五個毗 連部分第一部分，其從囊封物大約水平地伸出；第二部分，其向下形成凸彎狀體；第三部 分，其為大致筆直向下的，其中所述第三部分包含槽；第四部分，其向上形成凹彎；及第五 部分，其為水平筆直的。所述槽在垂向上定位于所述第五部分的底部表面上方大約2個引 線框架厚度處。對于通過蝕刻形成槽，方法通過提供具有頂部及底部表面以及厚度的金屬引線框 架而開始。接著形成內(nèi)部及外部段，其中將外部段配置為具有寬度及長度的引線，且通過堰 壩條將所述外部段互連。接下來，跨越每一引線的寬度蝕刻第一槽，其優(yōu)選地具有半圓形輪 廓且介于50μ與225μ之間深?？蓪⑺霾畚g刻到引線框架的底部表面或頂部表面中。在內(nèi)部段上組裝半導(dǎo)體芯片，并將所述芯片及內(nèi)部段包封于塑料囊封物中，從而 留下所述引線未被包封。移除堰壩條并將引線的長度形成為五個毗連部分第一部分，其從 囊封物大約水平地伸出；第二部分，其向下形成凸彎；第三部分，其為大致筆直向下的，其 中所述第三部分包含槽；第四部分，其向上形成凹彎；及第五部分，其為水平筆直的。所述 槽在垂向上定位于所述第五部分的底部表面上方大約2個引線框架厚度處。


當(dāng)結(jié)合附圖考慮時，依據(jù)上文對本發(fā)明實例性實施例的說明，本發(fā)明的某些實施 例所表示的技術(shù)進步將變得顯而易見，附圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明具有以底部表面上的槽為特征的引線段的表面安裝裝置的一 部分的示意性透視圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明具有以頂部表面上的槽為特征的引線段的表面安裝裝置的一 部分的示意性透視圖。圖3是具有以底部表面上的角形外形槽為特征的引線段的表面安裝裝置的一部 分的示意性截面圖。圖4是具有以底部表面上的半圓形外形槽為特征的引線段的表面安裝裝置的一 部分的示意性截面圖。
具體實施例方式圖1圖解說明本發(fā)明的實例性實施例。圖1描繪屬于表面安裝產(chǎn)品族的半導(dǎo)體裝 置(通常指定為100)的一部分。這些裝置具有絕緣封裝120，所述封裝具有位于封裝120 外部且因此稱為外部段101的伸出金屬段101。所述外部段經(jīng)成形及經(jīng)形成以使用焊料110 附接到襯底或板190的表面；圖1中所圖解說明的形狀通常稱為“鷗翼”形狀。在將表面安 裝裝置焊料附接到襯底之后，容易對所有焊料回流位點進行目視檢查以確認(rèn)無缺陷附接及 接觸-表面安裝裝置在半導(dǎo)體工業(yè)中如此受歡迎的一個主要原因。裝置100的金屬部分包含用于穩(wěn)固地定位半導(dǎo)體芯片103的墊102 ；金屬外部段 101 ；及位于封裝120內(nèi)部的金屬段104(“內(nèi)部”段)。內(nèi)部段104及外部段101是裝置100 的引線的部分且用于使電力、接地及信號與芯片非常接近。通常通過細(xì)線106來橋接內(nèi)部 段104的尖端與芯片表面上的接觸墊105之間的剩余間隙，所述細(xì)線個別地接合到芯片接 觸墊及引線框架內(nèi)部段。因此，芯片103通過接合線106而電連接到內(nèi)部段104。在裝置組 裝過程開始時，墊102以及段101及104由金屬框架(圖1中未指示)保持在一起且因此 通常稱為原始裝置“引線框架”的部分。此外，在所述組裝過程開始時，通過金屬軌道以機 械方式使所述段穩(wěn)定，所述金屬軌道經(jīng)定位使得其也可用作防止任何塑料材料因模制過程 中所采用的高壓力而無意地被擠出的堰壩；因此，這些軌道稱為“堰壩條”。出于容易且有成本效益制造的原因，用薄平坦金屬片(例如銅、銅合金、鋁及鐵鎳 合金)來制造單片引線框架已成為慣例。所述片的且因此段101及104的厚度107的典型 范圍介于大約100 μ m到250 μ m之間。引線框架片且因此包含外部段101的引線具有頂部 表面IOla及底部表面101b。從此原始片蝕刻或模壓出總引線框架的所需形狀。以此方式， 包含引線框架的外部段的個別引線采取薄的平坦細(xì)長金屬條帶的形式，其中其特定長度及 寬度通過設(shè)計來確定。在圖1的實施例中，裝置100的外部段的寬度相等且指定為108。寬 度108的尺寸可取決于中心到中心的段間距而有很大變化。在各種裝置類型中，所述間距 可從大約1. 27mm到0. 15mm不等。在將芯片組裝于引線框架上之后，優(yōu)選地通過塑料模制技術(shù)囊封(“封裝”)所組 裝的部分。因此，如圖1中所顯示，芯片103及內(nèi)部段104包封于封裝120中，而外部段101 保持未被包封。在下一工藝步驟中，以機械方式移除(“修整”)曾將引線框架各部分保持 在一起的金屬框架(圖1中未顯示)。同時，以機械方式去除各段之間的堰壩條(圖1中未 顯示)。在圖1中，交叉影線130標(biāo)記其中堰壩條最初互連兩個鄰近段的位置。在所述修整過程之后但優(yōu)選地在相同機器中執(zhí)行“形成”過程，在所述“形成”過程中將裝置的外部段的長度擠壓成特定形狀使得所述外部段可充當(dāng)裝置的電引線且將裝 置互連到外部部分。圖1圖解說明根據(jù)本發(fā)明的形成過程的結(jié)果，其將外部段的長度結(jié)構(gòu) 化成五個毗連部分。第一部分(指定為141)從囊封物120大約水平地伸出并延伸到其中定位堰壩條 的位置。部分141的長度可從大約50μπι到370μπι不等。在第二部分142中，所述段向下 形成凸彎；所述第二部分優(yōu)選地具有介于大約250 μ m與1250 μ m之間的長度。第三部分143為大致筆直的且向下定向。部分的長度可有很大變化，因為其主要 確定封裝120距附接襯底的距離。對于許多裝置來說，部分143的長度介于大約250 μ m與 1250μπι或更大之間。第四部分144向上形成凹彎。其可比部分142彎折得稍緊；其優(yōu)選長 度介于大約250μπι與IOOOym之間。第五部分145為水平筆直的；其長度可有很大變化， 但優(yōu)選地在從大約500 μ m到1500 μ m的范圍中。主要是段101的部分145及144與裝置100到襯底190的焊料附接有關(guān)。為促進 焊料110的流動，優(yōu)選地至少給部分145及144的表面IOlb提供金屬層，所述金屬層對基 于錫的焊料具有親和性。優(yōu)選金屬層包含后跟外部鈀層的鎳，或后跟外部金層的鎳。另一方面，當(dāng)段部分143且尤其是部分142及141被焊料覆蓋時，觀察到不利的焊 料芯吸效應(yīng)。焊料被從部分145及144拉離使得其在需要焊料來附接的地方缺失；焊料沿 較接近封裝120的其中焊料沒有用的部分累積。在焊接過程開始之后不久，與液態(tài)焊料一起使用的助熔劑使得能夠沿引線段的表 面形成薄膜，從而使段表面變濕。在芯吸過程中，克服重力向上拉一定體積的焊料(通?；?于密度為7. 3g · cm-3的錫)需要能量，同時通過消耗表面濕潤的助熔劑膜的一部分來釋放 表面能量。在所述過程的開始，所釋放能量起主導(dǎo)作用；然而，隨著焊料上拉的進行，提升累 積的焊料質(zhì)量所需要的能量接近所釋放能量，最終達(dá)到相等量值。本發(fā)明的段槽充當(dāng)用于 累積使芯吸過程停止所需的焊料質(zhì)量的位置。在許多組裝應(yīng)用中，其中焊料保持為液態(tài)的 時間跨度較短，使得在溫度再次下降且焊料凝固之前槽對芯吸過程所導(dǎo)致的減緩作用已經(jīng) 足以遏制任何有害芯吸效應(yīng)。為防止焊料芯吸，圖1顯示每一引線101具有跨越段寬度108的至少一個槽。類 似地，在圖2的實施例中，每一引線101具有跨越段跨度108的至少一個槽。在圖1中，第 一槽151a位于第三段部分143中；所述位置可由槽中心線更具體地表征。槽151a具有深 度及輪廓；在圖1中，槽151a的深度從底部表面IOlb延伸到段金屬中。類似地，在圖2中， 第一槽151b位于第三段部分143中；所述位置可由槽中心線更具體地表征。槽151b具有 深度及輪廓，其中所述深度從頂部表面IOla延伸到段金屬中。槽151a及151b的中心線垂直于段邊緣地伸展跨越寬度108。優(yōu)選地，所述槽中心 線在垂向上位于第五段部分145的底部表面IOlb上方大約2個引線框架厚度107處。此 位置具有圖1及2中的距離109。槽的深度取決于形成槽所使用的方法(參見下文)；每一方法產(chǎn)生槽的一種特性 外形。當(dāng)通過模壓形成槽時，如優(yōu)選地在封裝修整與形成操作中完成，所述槽具有大致角形 外形。在圖3中描繪此外形的更多細(xì)節(jié)。在角形外形的情況下，優(yōu)選深度介于大約5μπι與 50 μ m之間，優(yōu)選地小于段厚度107的一半。另一方面，當(dāng)通過蝕刻形成槽時，如通常在制造引線框架的過程內(nèi)完成，所述槽具有大致半圓形外形。在圖4中描繪此外形的細(xì)節(jié)。在此情況下，優(yōu)選槽深度介于大約50 μ m 與125 μ m之間，大致為段厚度107的一半。應(yīng)指出，在圖2中，焊料111不僅使段部分144及145的底部表面IOlb變濕，而且 使頂部表面IOla變濕。因此，可通過槽有效地阻止焊料111從頂部表面IOla到達(dá)段金屬 中。如圖1及圖2顯示，在許多裝置應(yīng)用中，優(yōu)選地在每一段中具有多于一個的槽以安 全地防止焊料芯吸；可在無額外成本的情況下制造這些額外槽?？缮髦氐剡x擇所述額外槽 的位置；作為實例，在圖1中，第二槽152a位于第二段部分142中，大致在部分142的凸彎 曲的中間；如同于槽151a，槽152a制成于外部段的底部表面IOlb上。相反，在圖2中，第 二槽152b制成于外部段的頂部表面IOla上。盡管可慎重地選擇第二槽的位置，但圖2描 繪槽152b位于第二部分142中，大致在部分142的凸彎曲的中間。作為額外槽的另一實例，圖1中的第三槽153a位于從外部段的第二部分向第三部 分的過渡處；但應(yīng)指出，第三槽的位置是靈活的。如同于槽151a，槽153a制成于外部段的 底部表面IOlb上。相反，在圖2中，第三槽153b制成于外部段的頂部表面IOla上。盡管 第三槽的位置可為靈活的，但圖2描繪槽153b位于從外部段的第二部分向第三部分的過渡 處。以下情況在本發(fā)明的范圍內(nèi)可將多個額外槽施加到外部段，所述額外槽從底部 段表面延伸到金屬中或從頂部表面延伸到金屬中。此外，額外槽的輪廓可為角形或半圓形。圖3的示意性截面重復(fù)圖1的槽位置及角形外形且允許與圖4中的半圓形槽外形 的比較。優(yōu)選地，通過在裝置制作中的修整-形成封裝步驟處模壓相對淺的輪廓來形成圖3 的槽形狀。因此，可將槽施加到已存在的、幾乎完成的產(chǎn)品。相反，優(yōu)選地通過在引線框架 制作中的早期步驟蝕刻相對深的輪廓來產(chǎn)生圖4的槽形狀。為了便于比較，圖3中的角形槽與圖1中的角形槽在相同位置中；已賦予圖3中的 槽與圖1中的槽對應(yīng)的指示。相反，雖然圖4中的半圓形槽位于與圖1及圖3中的角形槽對應(yīng)的位置中，但已被 賦予不同指示(161a、162a、163a)，因為其不僅具有不同外形，而且還是在制作方法中的不 同工藝步驟處制作的(參見下文)。更詳細(xì)地，用于制作具有起源于底部段表面處(或頂部段表面處)的顯示于圖1、2 及3中的角形槽的半導(dǎo)體裝置的方法通過提供具有頂部及底部表面、厚度以及具有內(nèi)部及 外部段的多個組裝位點的金屬引線框架條帶而開始。所述外部段具有寬度及長度且其通過 堰壩條互連。接著提供半導(dǎo)體芯片。在每一組裝位點上組裝(例如，使用粘合劑)一半導(dǎo)體芯片且將所述芯片連接 (例如通過線接合)到內(nèi)部段。接著將經(jīng)組裝芯片及內(nèi)部段包封于塑料囊封物中，從而留下 外部段未被包封。接著從所述條帶單個化所述位點(例如通過鋸切)。接下來，在引線框架修整機器中移除(通過沖壓)堰壩條。另外，在此機器中，跨 越每一引線的寬度模壓第一槽。模壓工具可使其凹痕壓進入到段的底部表面中或頂部表 面中。可與堰壩條移除同時地或在移除堰壩條的步驟之后執(zhí)行槽的模壓。所述槽具有外 形(對于模壓技術(shù)，優(yōu)選地為角形)及深度。對于模壓，所述深度優(yōu)選地介于大約5μπι與 50μπι之間。此外，所述槽具有中心線；如下文所規(guī)定，所述中心線具有相對于段的底部表面的優(yōu)選位置。在下一工藝步驟中，在形成機器中執(zhí)行未經(jīng)囊封段的形成。將外部段的長度形 成為五個毗連部分第一部分，其從囊封物大約水平地伸出；第二部分，其向下彎折成凸彎 曲；第三部分，其大致筆直地向下定向且包含槽(模壓到底部段表面中或模壓到頂部段表 面中)；第四部分，其向上形成凹彎且過渡到水平筆直的第五部分中。優(yōu)選地，槽中心線在 垂向上位于第五部分的底部表面上方大約2個引線框架厚度處。除第一槽以外，相同工藝流程還允許第二槽、第三槽或更多槽的制作。舉例來說， 所述模壓步驟可包含在底部表面上(或在頂部表面上)且跨越段寬度模壓第二槽，其中所 述第二槽優(yōu)選地位于外部段的第二部分中。另外，所述模壓步驟可進一步包含在底部表面 上(或在頂部表面上)且跨越段寬度模壓第三槽，其中所述第三槽優(yōu)選地位于從外部段的 第二部分向第三部分的過渡處。本發(fā)明的另一實施例是一種用于制作具有起源于底部或頂部段表面處的顯示于 圖4中的半圓形槽的半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法通過提供具有頂部及底部表面以及厚度 的金屬片而開始。引線框架條帶經(jīng)形成而包含帶有具有內(nèi)部及外部段的引線的多個組裝位 點。外部段具有寬度及長度且通過堰壩條互連。接下來，優(yōu)選地借助于掩模而跨越每一外 部段的寬度蝕刻第一槽。可將所述蝕刻執(zhí)行到金屬片的底部表面中或執(zhí)行到頂部表面中。 對于大多數(shù)引線框架金屬，槽具有大致半圓形外形及優(yōu)選地介于50 μ m與125 μ m之間的深 度。所述槽進一步具有中心線；如下文所規(guī)定，所述中心線具有相對于段的底部表面的優(yōu)選 位置。接著提供半導(dǎo)體芯片。在每一組裝位點上組裝(例如，通過使用粘合劑)一芯片 且將所述芯片連接(例如通過線接合)到內(nèi)部段。接著將經(jīng)組裝芯片及內(nèi)部段包封于塑料 囊封物中，從而留下外部段未被包封。接著從所述條帶單個化所述位點。接下來，在修整機 器中移除(例如通過沖壓)堰壩條。在下一工藝步驟中，在形成機器中執(zhí)行未經(jīng)囊封段的形成。將外部段的長度形成 為五個毗連部分第一部分，其從囊封物大約水平地伸出；第二部分，其向下折彎成凸彎； 第三部分，其大致筆直地向下定向且包含槽(蝕刻到底部段表面中或蝕刻到頂部段表面 中)；第四部分，其向上形成凹彎且過渡到水平筆直的第五部分中。優(yōu)選地，槽中心線在垂 向上位于第五部分的底部表面上方大約2個引線框架厚度處。除第一槽以外，相同工藝流程還允許第二槽、第三槽或更多槽的制作。舉例來說， 所述蝕刻步驟包含在底部表面上(或在頂部表面上)且跨越段寬度蝕刻第二槽，其中所述 第二槽優(yōu)選地位于外部段的第二部分中。另外，所述蝕刻步驟可進一步包含在底部表面上 (或在頂部表面上)且跨越段寬度蝕刻第三槽，其中所述第三槽優(yōu)選地位于從外部段的第 二部分向第三部分的過渡處。本發(fā)明適用于使用任何類型半導(dǎo)體芯片、離散或集成電路的產(chǎn)品，且半導(dǎo)體芯片 的材料可包括硅、硅鍺、砷化鎵或用于集成電路制造中的任何其他半導(dǎo)體或化合物材料。替 代組裝于囊封物內(nèi)部的單個芯片，裝置可采用芯片堆疊，且組裝可采用倒裝芯片技術(shù)。另 外，芯片組裝位點可為另一材料的金屬。本發(fā)明打算特此涵蓋具有在實例性實施例的上下文中所描述的特征或步驟中的 一者或一者以上的不同組合的實施例，所述實例性實施例具有所有或僅一些此類特征或步驟。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，在所主張發(fā)明的范圍內(nèi)還可能有許多其它實施例及變化 形式。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，其包括金屬引線框架，其具有頂部及底部表面、厚度以及若干內(nèi)部及外部段；半導(dǎo)體芯片，其連接到所述內(nèi)部段；所述芯片及所述內(nèi)部段包封于塑料囊封物中，所述外部段未被包封；所述外部段具有寬度及結(jié)構(gòu)化成五個毗連部分的長度第一部分，其從所述囊封物大約水平地伸出；第二部分，其向下形成凸彎；第三部分，其為大致筆直向下的；第四部分，其向上形成凹彎；及第五部分，其為水平筆直的；且每一引線跨越所述寬度具有位于所述第三部分中的第一槽，所述槽具有中心線、深度及外形。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述槽位于所述引線框架的所述底部表面或頂部表 面上。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述槽中心線在垂向上位于所述第五部分的所述底 部表面上方大約兩個引線框架厚度處。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述槽具有大致角形外形及介于大約5μ m與50 μ m 之間的深度；或其中所述槽具有大致半圓形外形及介于大約50 μ m與125 μ m之間的深度。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其進一步包含位于所述外部段的所述第二部分中的第二槽。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其進一步包含位于從所述外部段的所述第二部分向所述 第三部分的過渡處的第三槽。
7.一種用于制作半導(dǎo)體裝置的方法，其包括如下步驟提供具有頂部及底部表面、厚度以及帶有具有內(nèi)部及外部段的引線的多個組裝位點的 金屬引線框架條帶；所述外部段具有寬度及長度且通過堰壩條互連；在每一組裝位點上定位半導(dǎo)體芯片且將所述芯片連接到所述內(nèi)部段； 將所述芯片及所述內(nèi)部段包封于塑料囊封物中，從而留下所述外部段未被包封； 從所述條帶單個化所述位點； 移除所述堰壩條；跨越每一引線的所述寬度模壓第一槽，所述槽具有中心線、外形及深度；及 將所述外部段的所述長度形成為五個毗連部分，所述五個毗連部分包括 第一部分，其從所述囊封物大約水平地伸出； 第二部分，其向下形成凸彎；第三部分，其為大致筆直向下，所述第三部分包含所述槽； 第四部分，其向上形成凹彎；及第五部分，其為水平筆直的，借此所述槽中心線在垂向上位于所述第五部分 的所述底部表面上方大約兩個引線框架厚度處。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中將所述槽模壓到所述引線框架的所述底部或頂部表面中。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述槽具有大致角形外形及介于大約5μ與50 μ之 間的深度。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述模壓步驟進一步包含在所述底部表面上或在 所述頂部表面上且跨越所述段寬度模壓第二槽，所述第二槽被定位成位于所述第二外部段 部分中。
11.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述模壓步驟進一步包含在所述底部表面上或在 所述頂部表面上且跨越所述段寬度模壓第三槽，所述第三槽被定位成位于從所述外部段的 所述第二部分向所述第三部分的過渡處。
12.如權(quán)利要求7到11中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述提供金屬引線框架條帶 的步驟包括提供具有所述頂部表面及底部表面、厚度的金屬片；及形成包含帶有具有內(nèi) 部及外部段的引線的多個組裝位點的引線框架條帶；所述外部段具有寬度及長度且通過堰 壩條互連。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種經(jīng)封裝表面安裝半導(dǎo)體裝置(100)，其具有結(jié)構(gòu)化成五個毗連部分的外部未經(jīng)囊封引線段第一部分(141)從囊封物(120)大約水平地伸出；第二部分(142)向下形成凸彎；第三部分(143)為大致筆直向下的；第四部分(144)向上形成凹彎；且第五部分(145)為水平筆直的。每一段跨越寬度具有位于所述第三部分中的第一槽，所述第一槽位于底部表面上或位于頂部表面上。優(yōu)選地，所述槽在垂向上位于所述第五引線部分的底部表面上方大約2個引線框架厚度處。當(dāng)經(jīng)模壓而成時，所述槽可具有大約5μm及50μm深的角形外形；當(dāng)經(jīng)蝕刻而成時，所述槽可具有大約50到125μm深的大致半圓形外形。第二槽可位于所述第二段部分中；第三槽可位于從所述第三段部分向所述第四段部分的過渡區(qū)域中。
文檔編號H01L21/60GK101919035SQ200880125041
公開日2010年12月15日 申請日期2008年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月9日
發(fā)明者約翰·特爾坎普 申請人:德州儀器公司