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基板保持部件、基板接合裝置、疊層基板制造裝置、基板接合方法、疊層基板制造方法和疊...的制作方法

文檔序號(hào):6924667閱讀:135來源:國(guó)知局
專利名稱:基板保持部件、基板接合裝置、疊層基板制造裝置、基板接合方法、疊層基板制造方法和疊 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基板保持部件、基板接合裝置、疊層基板制造裝置、基板接合方法、疊 層基板制造方法和疊層半導(dǎo)體裝置制造方法。另外,本申請(qǐng)與下述的日本申請(qǐng)相關(guān)聯(lián)。對(duì)于 認(rèn)可為了進(jìn)行參照而引入文獻(xiàn)的指定國(guó),將記載于下述申請(qǐng)的內(nèi)容作為參照引入本申請(qǐng), 作為本申請(qǐng)的一部分。日本申請(qǐng)2007-281200申請(qǐng)日2007年10月30日日本申請(qǐng)2008-199553申請(qǐng)日2008年8月1日日本申請(qǐng)2008-199554申請(qǐng)日2008年8月1日
背景技術(shù)
作為一種用于提高半導(dǎo)體裝置的有效的安裝密度的技術(shù),存在疊層多個(gè)裸片的構(gòu) 造。疊層有封裝前的裸片的疊層半導(dǎo)體模塊不僅能夠?qū)崿F(xiàn)電路和元件的安裝密度的提高, 而且能夠縮短芯片相互間的配線長(zhǎng)度而實(shí)現(xiàn)高速的處理。而且,在制造疊層半導(dǎo)體模塊時(shí), 也存在以裸片單位進(jìn)行接合的情況,但通過以晶片單位接合后切離為疊層模塊的處理,能 夠提高生產(chǎn)性。作為疊層半導(dǎo)體模塊的材料的晶片,相對(duì)于面積,厚度較薄,機(jī)械強(qiáng)度并不高。于 是,以不損傷晶片地進(jìn)行處理為目的,以固定在具有平坦的吸附面的固定部件的狀態(tài),與固 定部件一同進(jìn)行處理。此外,在接合晶片時(shí),也借助固定部件進(jìn)行晶片接合,而且由固定部 件夾著接合晶片以進(jìn)行保持,由此能夠容易地進(jìn)行接合晶片的操作。在下述專利文獻(xiàn)1中,記載了一對(duì)晶片保持件,其各自具有產(chǎn)生吸附力的結(jié)合部 件,并且夾著接合后的晶片相結(jié)合。由此,能夠?qū)⑾鄬?duì)位置相匹配而接合的一對(duì)晶片維持該 狀態(tài)而進(jìn)行保持。專利文獻(xiàn)1 日本特開2006-339191號(hào)公報(bào)但是,在使用永磁體作為吸附力的產(chǎn)生源的情況下,永磁體對(duì)磁性體不斷產(chǎn)生吸 引力,因此在調(diào)整基板的相對(duì)位置時(shí),磁力可能會(huì)影響到相互間的定位。此外,在永磁體和 磁性體結(jié)合時(shí),如果對(duì)磁性體的吸引力發(fā)揮很強(qiáng)的作用,則在基板彼此接合的瞬間產(chǎn)生很 大的沖擊,可能會(huì)損傷基板。

發(fā)明內(nèi)容
于是,為了解決上述問題,作為本發(fā)明的第一方式,提供一種保持位置匹配而疊層 的一對(duì)基板的基板保持部件,其包括第一保持部件,其保持一對(duì)基板中的一方;多個(gè)被結(jié) 合部件,其與第一保持部件連結(jié);第二保持部件,其與一方的基板相對(duì)并保持一對(duì)基板的另 一方;多個(gè)結(jié)合部件,其具有作用于被結(jié)合部件的吸附力,并與被結(jié)合部件的位置對(duì)應(yīng)地與 第二保持部件連結(jié);以及吸附限制部,其限制吸附力直至一對(duì)基板位置匹配,在一對(duì)基板位 置匹配而接合后被結(jié)合部件和結(jié)合部件相互吸附。
此外,作為本發(fā)明的第二方式,提供一種使一對(duì)基板位置匹配而疊層的基板接合 裝置,其包括第一保持部件支承部,其支承保持一對(duì)基板中的一方的第一保持部件;多個(gè) 被結(jié)合部件,其與第一保持部件連結(jié);第二保持部件支承部,其支承與一方的基板相對(duì)并保 持一對(duì)基板的另一方的第二保持部件;多個(gè)結(jié)合部件,其與被結(jié)合部件的位置對(duì)應(yīng)地與第 二保持部件連結(jié),并具有作用于被結(jié)合部件的吸附力;位置匹配驅(qū)動(dòng)部,其使一對(duì)基板相互 位置匹配;疊層驅(qū)動(dòng)部,其使第一保持部件支承部和第二保持部件支承部中的一方向另一 方驅(qū)動(dòng);以及吸附限制部,其限制吸附力直至一對(duì)基板位置匹配,利用位置匹配驅(qū)動(dòng)部使一 對(duì)基板位置匹配,利用疊層驅(qū)動(dòng)部使一對(duì)基板疊層,然后吸附限制部解除被結(jié)合部件和結(jié) 合部件的吸附的限制。進(jìn)一步,作為本發(fā)明的第三方式,提供一種疊層基板制造裝置,其包括上述接合 裝置;以及加壓裝置,其對(duì)在接合裝置中位置匹配并疊層后的一對(duì)基板加壓使一對(duì)基板貼合。進(jìn)一步,作為本發(fā)明的第四方式,提供一種使一對(duì)基板相互位置匹配而疊層的基 板接合方法,其包括在具有被結(jié)合部件的第一保持部件上保持一對(duì)基板中的一方的步驟; 在具有產(chǎn)生作用于被結(jié)合部件的吸附力的結(jié)合部件的第二保持部件上與一對(duì)基板中的一 方相對(duì)地保持一對(duì)基板中的另一方的步驟;使一對(duì)基板相互位置匹配的步驟;以及作用吸 附力使被結(jié)合部件和結(jié)合部件吸附,在第一保持部件與第二保持部件之間以疊層的狀態(tài)保 持位置匹配的一對(duì)基板的步驟。此外,作為本發(fā)明的第五方式,提供一種疊層基板制造方法,其在上述基板接合方 法之后,還具有隔著第一保持部件和第二保持部件對(duì)一對(duì)基板加壓而使一對(duì)基板貼合的步 馬聚ο進(jìn)一步,作為本發(fā)明的第六方式,提供一種疊層型半導(dǎo)體裝置制造方法,其制造包 括各自具有元件和電極并相互疊層的一對(duì)半導(dǎo)體基板的疊層型半導(dǎo)體裝置,該疊層型半導(dǎo) 體裝置制造方法包括在具有被結(jié)合部件的第一保持部件上保持一對(duì)半導(dǎo)體基板中的一方 的步驟;在具有產(chǎn)生作用于被結(jié)合部件的吸附力的結(jié)合部件的第二保持部件上與一對(duì)半導(dǎo) 體基板中的一方相對(duì)地保持一對(duì)基板中的另一方的步驟;使一對(duì)半導(dǎo)體基板的對(duì)應(yīng)電極相 互位置匹配的步驟;作用吸附力使被結(jié)合部件和結(jié)合部件吸附,在第一保持部件與第二保 持部件之間以疊層的狀態(tài)保持位置匹配的一對(duì)半導(dǎo)體基板的步驟;以及隔著第一保持部件 和第二保持部件對(duì)一對(duì)半導(dǎo)體基板加壓而使一對(duì)半導(dǎo)體基板貼合的步驟。上述發(fā)明的概要內(nèi)容并沒有列舉本發(fā)明的全部必要特征。此外,通過這些特征組 的次組合也能夠得到發(fā)明。


圖1是概略表示疊層基板制造裝置10的說明圖;圖2是概略表示一方的晶片16(17)的平面圖;圖3是表示第一保持部件19和第二保持部件20的平面圖;圖4是表示板簧部件30的作用的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12的縱截面圖;圖5是概略表示搬送臂24的握持部25的側(cè)面圖;圖6是概略表示接合機(jī)構(gòu)13的狀態(tài)的側(cè)面圖7是概略表示板簧部件30的平面圖;圖8是放大表示磁性部件40和磁體41的附近的縱截面圖;圖9是概略表示結(jié)合部件31的立體圖;圖10是概略表示板簧部件30變形后的狀態(tài)的立體圖;圖11是概略表示推動(dòng)銷46的縱截面圖;圖12是概略表示疊層型半導(dǎo)體裝置51的立體圖;圖13是表示其它板簧部件30的平面圖;圖14是表示另外的板簧部件30的平面圖;圖15是表示其它的板簧部件30的平面圖;圖16是表示板簧部件30和磁性部件40的截面圖;圖17是晶片16、17接合的一個(gè)步驟中的接合機(jī)構(gòu)13的截面圖;圖18是表示板簧部件30和磁性部件40的其它截面的截面圖;圖19是表示晶片16、17接合的下一步驟中的接合機(jī)構(gòu)13的截面圖;圖20是表示上述步驟中的板簧部件30和磁性部件40的截面圖;圖21是晶片16、17接合的再下一步驟的接合機(jī)構(gòu)13的截面圖;圖22是晶片16、17接合的又下一步驟的接合機(jī)構(gòu)13的截面圖;圖23是晶片16、17接合的又下一步驟的接合機(jī)構(gòu)13的截面圖;圖24是表示上述步驟中的板簧部件30和磁性部件40的截面圖;圖25是示意性地表示基板接合裝置100的構(gòu)造的截面圖;圖26是表示位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)200的構(gòu)造的立體圖;圖27是示意性地表示基板接合裝置100的控制系統(tǒng)300的構(gòu)造的圖;圖28是表示使用基板接合裝置100的接合順序的流程圖;圖29是將步驟S105中的固定部件抽出而表示的圖;圖30是示意性地表示圖29所示的狀態(tài)下形成的磁路的圖;圖31是將步驟S106中的固定部件抽出而表示的圖;圖32是示意性地表示圖31所示的狀態(tài)下形成的磁路的圖;圖33是將步驟S107中的固定部件抽出而表示的圖;圖34是示意性地表示圖33所示的狀態(tài)下形成的磁路的圖;圖35是表示高透磁率部件181的其它方式的圖;圖36是表示其它實(shí)施方式的磁場(chǎng)控制部180的非結(jié)合狀態(tài)的圖;圖37是表示圖36所示的磁場(chǎng)控制部180的結(jié)合狀態(tài)的圖;圖38是表示又一實(shí)施方式的磁場(chǎng)控制部180的非結(jié)合狀態(tài)的圖;圖39是表示圖38所示的磁場(chǎng)控制部180的結(jié)合狀態(tài)的圖;圖40是表示結(jié)合部件174的其它實(shí)施方式的截面圖;圖41是表示其它實(shí)施方式的磁場(chǎng)控制部180的構(gòu)造的圖;圖42是說明圖41所示的磁場(chǎng)控制部180的動(dòng)作的圖;圖43是將其它實(shí)施方式中的基板接合裝置100的一部分抽出而表示的圖;以及圖44是說明圖43所示的基板接合裝置100的動(dòng)作的圖。符號(hào)說明
7
10疊層基板制造裝置;11基板;12對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu);13接合機(jī)構(gòu);14基板保持部;15搬 送機(jī)構(gòu);16晶片;17晶片;18小區(qū)域;19第一保持部件;20第二保持部件;21臺(tái)部件;22臺(tái) 部件;23塊體;24搬送臂;25握持部;26支承板;27板;28支柱;29a下部加壓部件;29b上 部加壓部件;30板簧部件;31結(jié)合部件;32隙縫;33帶狀部;34固定部;35螺紋部件;36插 通孔;37固定部件;38插入孔;39貫通孔;40磁性部件;41磁體;42罩部件;43收納部;44 端壁;45結(jié)合限制部;46推動(dòng)銷;47殼體;48銷部件;49氣泵;50開口 ;51疊層型半導(dǎo)體裝 置;52結(jié)合具;53結(jié)合部;54芯片;100接合裝置;110框體;112頂板;114支柱;116底板; 120第一驅(qū)動(dòng)部;122氣缸;124活塞;126引導(dǎo)軌;130加壓工作臺(tái);132第一固定部件保持 部;134球面座;136X工作臺(tái);138Y工作臺(tái);140受壓工作臺(tái);142第二固定部件保持部;144 懸吊部件;150壓力檢測(cè)部;160第一基板組裝體;161板簧;162第一基板;163固定具;164 被結(jié)合部件;166第一固定部件;170第二基板組裝體;172第二基板;173永磁體;174結(jié) 合部件;175安裝部件;176第二固定部件;177磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈;178盒體;180磁場(chǎng)控制部; 181高透磁率部件;182支承部件;183貫通孔;184平行臂;185滑動(dòng)部件;186第二驅(qū)動(dòng)部; 187托架;188推動(dòng)銷;189軸支承部;200位置檢測(cè)機(jī)構(gòu);212、222攝像部;214、224照明部; 216,226連接器;218、228電源線纜;300控制系統(tǒng);301板簧組;310位置控制部;320接近 檢測(cè)部
具體實(shí)施例方式以下,通過發(fā)明的實(shí)施方式說明本發(fā)明,但本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施方式所 述的范圍。此外,實(shí)施方式中所說明的特征的全部組合并不是解決本發(fā)明所必須具有的。圖1是概略表示疊層基板制造裝置10的說明圖。疊層基板制造裝置10包括用 于匹配兩個(gè)基板11(圖1中表示了一方的基板11)間的相對(duì)位置的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12 ;以及用于 使利用該對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)位置匹配后的各基板11相互接合的接合機(jī)構(gòu)13。而且,疊層基板制造裝 置10包括用于將利用對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12位置匹配的各基板11分別保持在位置匹配的狀態(tài)的基 板保持部14 ;以及將被該基板保持部保持的各基板11分別從對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12搬送至接合機(jī)構(gòu) 13的搬送機(jī)構(gòu)15。圖2是概略表示一方的晶片16(17)的平面圖。在圖示的例子中,該兩個(gè)基板11 分別包含單一的晶片16、17。如圖2所示,晶片16、17,在多個(gè)小區(qū)域18內(nèi)分別形成有未圖 示的晶體管、電阻體和電容器等電路元件,該多個(gè)小區(qū)域18在由為半導(dǎo)體材料的單晶硅構(gòu) 成的圓形的薄板部件B的一個(gè)面上矩陣狀地劃分形成。上述電路元件以光刻技術(shù)為核心, 使用薄膜形成技術(shù)、蝕刻技術(shù)和雜質(zhì)擴(kuò)散技術(shù)等的成形技術(shù)而形成。圖3是表示第一保持部件19和第二保持部件20的平面圖。圖3 (a)概略表示第 一保持部件19,圖3(b)概略表示第二保持部件20。如圖3(a)和圖3(b)所示,基板保持部14具有支承晶片16、17中的一方的晶片16 的第一保持部件19,和支承另一方的晶片17的第二保持部件20。圖4是表示板簧部件30的作用的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)20的縱截面圖。圖4 (a)概略表示板簧 部件30的變形被限制的狀態(tài),圖4(b)概略表示板簧部件30的變形的限制被解除的狀態(tài)。第一保持部件I9和第二保持部件20分別呈圓盤狀。此外,第一保持部件19和第 二保持部件20分別具有在各自的一個(gè)面上吸附晶片16、17的吸附面19a、20a,如圖4 (a)和圖4(b)所示,以該各吸附面相互相對(duì)且板厚方向相互一致的方式重疊配置。各晶片16、17中,分別與形成有上述電路元件的一個(gè)面16a、17a相反的一側(cè)的另 一個(gè)面16b、17b吸附于吸附面19a、20a。此外,通過對(duì)分別設(shè)置在第一保持部件19和第二 保持部件20的未圖示的電極施加電壓,在第一保持部件19和第二保持部件20的各個(gè)吸附 面19a、20a產(chǎn)生靜電吸附力,利用該靜電吸附力,晶片16、17被吸附于各吸附面19a、20a。 由此,各晶片16、17,以分別形成有上述電路元件的一個(gè)面16a、17a分別相對(duì)的狀態(tài)一體支 承于第一保持部件19或第二保持部件20。各晶片16、17對(duì)各吸附面19a、20a的吸附位置,在圖示的例子中,被規(guī)定為各晶 片16、17的中心分別與第一保持部件19和第二保持部件20的各自的中心一致,并且,在分 別設(shè)置于第一保持部件19和第二保持部件20的各個(gè)的未圖示的基準(zhǔn)標(biāo)記如后所述相互匹 配時(shí),各晶片16、17的各小區(qū)域18的排列相對(duì)兩晶片16、17間的沿著該兩晶片的平面面對(duì)稱。如圖4(a)和圖4(b)所示,對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12具有支承第一保持部件19的第一臺(tái)部件 21,和支承第二保持部件20的第二臺(tái)部件22。第一臺(tái)部件21設(shè)置為在圖4看來能夠向上 下方向和左右方向移動(dòng)。第二臺(tái)部件22從對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12的頂板112 (參照?qǐng)D25)懸吊,在下表面支承第二保 持部件20。此外,在頂板112與第二臺(tái)部件22之間插入有多個(gè)壓力檢測(cè)部150。壓力檢測(cè) 部150在接合晶片16、17時(shí)檢測(cè)施加于晶片16、17的壓力。對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12,在進(jìn)行支承于第一保持部件19和第二保持部件20的晶片16、17的 位置匹配時(shí),例如,使用未圖示的顯微鏡檢測(cè)設(shè)置于第一保持部件19和第二保持部件20的 上述基準(zhǔn)標(biāo)記,移動(dòng)第一臺(tái)部件21,使得該基準(zhǔn)標(biāo)記的位置在第一保持部件19和第二保持 部件20之間匹配。在使上述各基準(zhǔn)標(biāo)記匹配時(shí),如上所述,各晶片16、17的各小區(qū)域18的排列相對(duì) 于兩晶片16、17間的沿該兩晶片的平面為面對(duì)稱,因此,通過上述各基準(zhǔn)標(biāo)記的相互匹配, 各晶片16、17能夠配置為下述適當(dāng)?shù)奈恢靡环降木?6的各小匹配18分別與另一方的 晶片17的各小區(qū)域18中對(duì)應(yīng)的該小區(qū)域相對(duì),并且上述一方的晶片16的各小區(qū)域18的 上述電路元件的電極與上述另一方的晶片17的各小區(qū)域18的上述電路元件的電極中對(duì)應(yīng) 的電極對(duì)應(yīng)。此外,對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12,在使各晶片16、17位置匹配時(shí),通過第一臺(tái)部件21的移動(dòng),使 該兩晶片接近,使得在兩晶片16、17間形成很小的間隙S。各晶片16、17,在相互的相對(duì)位置匹配之后,通過基板保持部14的后述的保持作 用,保持于位置匹配后的狀態(tài)。由基板保持部14和被該基板保持部保持的各晶片16、17形 成塊體23。圖5是概略表示握持各晶片16、17和基板保持部14的握持部25的側(cè)面圖。如圖 1所示,搬送機(jī)構(gòu)15包括搬送臂24,和設(shè)置于該搬送臂的一端24a、握持塊體23的握持部 25。如圖5所示,握持部25具有從搬送臂24的一端24a開始延伸,從塊體23的下方 支承塊體23的支承板26 ;以及從塊體23的上方按壓塊體23的按壓板27。在支承板26設(shè) 置有未圖示的電極。通過對(duì)支承板26的上述電極施加電壓,產(chǎn)生靜電吸附力,利用該靜電吸附力,塊體23被吸附固定于支承板26。按壓板27以在圖5中看在上下方向上能夠移動(dòng) 的方式安裝于設(shè)置在支承板26的基端26a的支柱28。通過從按壓板27向固定于支承板 26的塊體23施加按壓力,塊體23被夾持于支承板26與按壓板27之間。搬送機(jī)構(gòu)15以在支承板26與按壓板27之間夾持塊體23的狀態(tài)使搬送臂24動(dòng) 作,由此將塊體23從對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12向接合機(jī)構(gòu)13搬送。圖6是概略表示裝填有晶片16、17和基板保持部14的接合機(jī)構(gòu)13的狀態(tài)的側(cè)面 圖。接合機(jī)構(gòu)13包括配置于第一保持部件19的下方的下部加壓部件29a ;以及配置于第 二保持部件20的上方的上部加壓部件29b。在圖示的例子中,上部加壓部件29b能夠向接 近與下部加壓部件29a聯(lián)動(dòng)對(duì)塊體23加壓的下部加壓部件29b的方向移動(dòng)。在下部加壓部件29a和上部加壓部件29b分別內(nèi)置有未圖示的發(fā)熱體。通過上部 加壓部件29b的移動(dòng),在使塊體23在下部加壓部件29a與上部加壓部件29b間被加壓的狀 態(tài)下使上述發(fā)熱體發(fā)熱,由此各晶片16、17的相互緊貼的上述電極熔接。由此各晶片16、17 的上述電極分別接合。如圖3(a)所示,在第一保持部件19設(shè)置有多個(gè)板簧部件30。此外,如圖3(b)所 示,在第二保持部件20設(shè)置有結(jié)合部件31,該結(jié)合部件31通過在其與各板簧部件30之間 作用吸附力而與各板簧部件30以規(guī)定的位置關(guān)系結(jié)合。圖7是概略表示板簧部件30的平面圖。在圖示的例子中,各板簧部件30分別由 高強(qiáng)度析出硬化型不銹鋼(SUS631)構(gòu)成,如圖7所示形成為圓形。在圖示的例子中,各板 簧部件30的直徑為22mm,各板簧部件30的厚度尺寸為0. 1mm。在各板簧部件30形成有相互沿相同方向延伸且在與伸長(zhǎng)方向正交的方向上隔開 間隔配置的一對(duì)隙縫32。各隙縫32以與各板簧部件30的中心的距離相互等同的方式形成 于該各板簧部件。通過在各板簧部件30形成各隙縫32,在各板簧部件30,包含各板簧部件 30的中心且沿各板簧部件30的徑方向延伸的帶狀部33形成于各隙縫32間。如圖3(a)所 示,各板簧部件30分別以各隙縫32的伸長(zhǎng)方向沿著第一保持部件19的徑方向的方式配置 在第一保持部件19的吸附面19a的邊緣部19b上。在圖3(a)所示的例子中,六個(gè)板簧部件30設(shè)置于第一保持部件19,以兩個(gè)板簧部 件30形成一個(gè)板簧組301。三個(gè)板簧組301配置為形成各板簧組301的各板簧部件30間 的間隔在各板簧組301間相等,并且該各板簧組間的間隔在第一保持部件19的周方向上相等。如圖7所示,各板簧部件30具有固定于第一保持部件19的固定部34。在圖示的 例子中,固定部34分別配置于,在除去各板簧部件30的帶狀部33和各隙縫32的延長(zhǎng)線 (在圖7中表示為點(diǎn)劃線)間的區(qū)域30c的區(qū)域,相對(duì)于帶狀部33的中心部分33a的位置 點(diǎn)對(duì)稱的位置。此外,在圖示的例子中,固定部34從各板簧部件30的周緣部30a沿與各縫隙32 的伸長(zhǎng)方向正交的方向,向各板簧部件30的徑方向外側(cè)伸出。在各固定部34分別形成有 允許螺紋部件35的插通的插通孔36。各固定部34分別利用螺紋部件35固定于第一保持 部件19,由此各板簧部件30分別通過螺紋部件35固定于第一保持部件19。圖8是放大表示磁性部件40和磁體41的附近的縱截面圖。圖8 (a)概略表示結(jié) 合部件31和板簧部件30分別安裝于第一保持部件19和第二保持部件20的狀態(tài),圖8 (b)概略表示磁性部件40吸附于結(jié)合部件31的狀態(tài)。如圖8 (a)所示,在各板簧部件30的中心部即帶狀部33的中心部分33a,分別形成 有插入固定部件37的插入孔38。各固定部件37例如能夠使用螺釘。各固定部件37的一 端部37a以具有游隙的方式插入在第一保持部件19中與各板簧部件30的插入孔38對(duì)應(yīng) 形成的貫通孔39內(nèi)。各固定部件37的另一端部37b分別從吸附面19a突出。各板簧部件30通過在各 自的插入孔38內(nèi)螺合固定部件37的另一端部37b而固定于固定部件37。此外,在各固定 部件37的另一端部37a安裝有配置在各板簧部件30上的磁性部件40。在圖示的例子中,磁性部件40呈圓盤狀,在其中心固定固定部件37的另一端部 37b。由此,各磁性部件40以各自的中心位于帶狀部33的中心部分33a上的狀態(tài),通過固 定部件37與其一體地固定于各板簧部件30。如圖9所示,各結(jié)合部件31具有收納該磁體的罩部件42。此外,如圖3(b)所示, 各結(jié)合部件31與各板簧部件30對(duì)應(yīng)地配置在第二保持部件20的吸附面20a的邊緣部20b 上。在圖示的例子中,磁體41分別由呈圓柱狀的永磁體構(gòu)成,具有8[N]的大小的磁 力。在磁體41的中心形成有允許插通后述的銷部件48的插通孔41a。此外,如圖8(a)所 示,在第二保持部件20分別形成有與插通孔41a匹配的插通孔20c。圖9是概略表示結(jié)合部件31的立體圖。如圖9所示,罩部件42具有收納磁體41 的圓筒狀的收納部43,以及形成于該收納部的一對(duì)安裝部45。磁體41以其軸線沿著收納 部43的軸線的方式收納于收納部43內(nèi)。收納部43在其一端43a具有圓形的端壁44。在 端壁44的中心形成有與磁體41的插通孔41a匹配的插通孔44a。各個(gè)安裝部45a分別從收納部43的周壁向相互相反的方向突出。如圖8(a)所示, 各個(gè)安裝部45a分別通過螺紋部件這樣的結(jié)合具52固定于第二保持部件20。各板簧部件30向第一保持部件19的配置位置和各磁體41向第二保持部件20的 配置位置設(shè)定為,在通過對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12進(jìn)行各晶片16、17的位置匹配時(shí),在第一保持部件19 和第二保持部件20的上述基準(zhǔn)標(biāo)記相互匹配時(shí),各磁體41的插通孔41a分別位于帶狀部 32的中心部分33a的上方。于是,在各晶片16、17間的相對(duì)位置在上述適當(dāng)?shù)奈恢闷ヅ鋾r(shí),如上所述,第一保 持部件19和第二保持部件20相互接近,因此各磁體41的磁力作用于設(shè)置在與該各磁體對(duì) 應(yīng)的板簧部件30的磁性部件40。此外,各磁體41的磁力作為將帶狀部33的中心部分33a 向磁體41拉的拉力,從各磁性部件40作用在各板簧部件30。圖10是概略表示板簧部件30變形后的狀態(tài)的立體圖。在各板簧部件30分別形 成有一對(duì)隙縫32,因此由于帶狀部33的中心部分33a受到拉力,如圖8(b)和圖10所示, 以各板簧部件30的周緣部30a的在各隙縫32的伸長(zhǎng)方向上相互相對(duì)的二個(gè)部分30b接近 的方式,各板簧部件30以通過兩固定部34的線段L(參照?qǐng)D7)為變形的基點(diǎn)彈性變形,同 時(shí),帶狀部33以中心部分33a向上浮起的方式彈性變形。
此時(shí),如上所述,各固定部件37分別以具有游隙的方式插入第一保持部件19的貫 通孔39內(nèi),由此帶狀部33的彈性變形不會(huì)被各固定部件37妨礙。通過該帶狀部33的彈 性變形,允許各磁性部件40向各結(jié)合部件31的移動(dòng)。各磁性部件40分別向結(jié)合部件31移動(dòng),隔著罩部件42的端壁44吸附于該結(jié)合部件的磁體41,由此,帶狀部33的中心部分 33a借助磁性部件40與結(jié)合部件31結(jié)合。S卩,帶狀部33的中心部分33a以規(guī)定的位置關(guān) 系結(jié)合于各結(jié)合部件31,形成結(jié)合部53。另外,在圖示的例子中,板簧部件30與結(jié)合部件31的上述規(guī)定的位置關(guān)系意味 著,在各板簧部件30與各結(jié)合部件31分別結(jié)合時(shí),在它們之間隔開與磁性部件40的厚度 尺寸相當(dāng)?shù)拇笮〉拈g隔的關(guān)系。進(jìn)一步,在本實(shí)施例中,如圖4(a)和圖4(b)所示,對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12具有用于在兩晶片 16、17的位置匹配時(shí)限制各板簧部件30向各結(jié)合部件31的結(jié)合的結(jié)合限制部45。在圖示 的例子中,結(jié)合限制部45由貫通第二臺(tái)部件22的多個(gè)推動(dòng)銷46形成。圖11是概略表示推動(dòng)銷46的縱截面圖。各推動(dòng)銷46分別配置為在第二保持部 件20支承于第二臺(tái)部件22的狀態(tài)下,與第二保持部件20的各結(jié)合部件31對(duì)應(yīng)。此外,如 圖11所示,各推動(dòng)銷46分別具有固定于第二臺(tái)部件22的殼體47 ;和以能夠從該殼體內(nèi) 向第二保持部件20突出的方式收納的上述銷部件48。進(jìn)一步,各推動(dòng)銷46具有將銷部件 48從殼體47內(nèi)向第二保持部件20推壓的施力部。另外,如圖4所示,推動(dòng)銷46從頂板112懸吊。此外,銷部件48貫通第二臺(tái)部件 22和磁體41,與被結(jié)合部件31抵接。利用該結(jié)構(gòu),在銷部件48按壓磁體41的狀態(tài)下接合 晶片16、17的情況下,負(fù)載傳感器150的檢測(cè)值不會(huì)受到磁體41的磁力的影響。殼體47具有允許銷部件48插通的開口 50,該開口以向第二保持部件20開放的方 式配置。在圖示的例子中,銷部件48由氟樹脂這樣的摩擦系數(shù)較低的合成樹脂材料形成。 在氟樹脂中例如包含所謂的特氟綸(注冊(cè)商標(biāo))。在圖示的例子中,施力部由調(diào)整殼體47內(nèi)的氣壓的氣泵49形成。通過氣泵49的 動(dòng)作,殼體47的氣壓上升,則銷部件48從殼體47內(nèi)向其外方經(jīng)由開口 50被壓出。銷部件 48所受的壓力的大小大于從磁體41作用于板簧部件30的拉力的大小。在利用對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12進(jìn)行兩晶片16、17的位置匹配時(shí),如圖4(a)所示,銷部件48 從殼體47內(nèi)被壓出,經(jīng)由支承于第二臺(tái)部件22的第二保持部件20、磁體41和罩部件42的 各自的插通孔20c、41a和44a從罩部件42的端壁44突出。從端壁44的銷部件48的突出 量設(shè)定為,與兩晶片16、17位置匹配時(shí)應(yīng)在該兩晶片間確保的間隙S的大小大致相等。對(duì) 于結(jié)合限制部45的限制作用,在后面敘述。以下,說明使用上述的基板保持部14使各晶片16、17相互接合的接合方法。在使各晶片16、17相互接合時(shí),首先,實(shí)施基板支承工序。在基板支承工序中,通 過對(duì)第一保持部件19和第二保持部件20的上述電極分別施加電壓,通過將各晶片16、17 分別吸附于第一保持部件19和第二保持部件20而支承各晶片16、17。接著,使用對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)工序,該對(duì)準(zhǔn)工序進(jìn)行兩晶片16、17的位置匹配。在進(jìn)行兩晶片16、17的位置匹配時(shí),首先,將第一保持部件19和第二保持部件20 分別支承于第一臺(tái)部件21和第二臺(tái)部件22,預(yù)先使各推動(dòng)銷46的銷部件48從結(jié)合部件 31的罩部件42的端壁44突出。接著,通過使第一臺(tái)部件21沿著上下方向向第二臺(tái)部件22移動(dòng),使第一保持部件 19和第二保持部件20相互接近,如圖4 (a)所示,使各銷部件48的前端48a分別與各磁性 部件49抵接。
進(jìn)一步,通過使第一臺(tái)部件21向第二臺(tái)部件22移動(dòng),經(jīng)由磁性部件40對(duì)各板簧 部件30作用將各板簧部件30向第一保持部件19按壓的按壓力。此時(shí),銷部件48所受的 壓力的大小,如上所述,大于從磁體41作用于板簧部件30的拉力的大小,因此能夠抵抗該 拉力將各板簧部件30分別按壓于第一保持部件19。由此,各板簧部件30分別保持為沒有 彈性變形的無負(fù)載的狀態(tài),因此限制各磁性部件40和各結(jié)合部件31的結(jié)合。此外銷部件 48從端壁44的突出量,如上所述,設(shè)定為與在兩晶片16、17間應(yīng)該確保的間隙S的大小大 致相等,因此,在各板簧部件30分別被按壓于第一保持部件19的狀態(tài)下,能夠防止兩晶片 16、17的上述電路元件相互接觸。接著,在使各銷部件48的前端48a與各磁性部件40抵接的狀態(tài)下,使第一臺(tái)部件 21向左右方向移動(dòng),由此使各晶片16、17的相對(duì)位置與上述適當(dāng)?shù)奈恢闷ヅ洹?
在通過第一臺(tái)部件21的移動(dòng)使各銷部件48的前端48a在各磁性部件40上滑動(dòng) 時(shí),銷部件48,如上所述,由氟樹脂這樣的摩擦系數(shù)低的合成樹脂材料形成,因此能夠防止 在各銷部件48的前端48a與各磁性部件40之間產(chǎn)生較大的摩擦力。由此,能夠抑制各銷 部件48與各磁性部件40間的摩擦對(duì)兩晶片16、17間的位置匹配造成妨礙,因此各銷部件 48在各磁性部件40上的滑動(dòng)是圓滑的。此外,因?yàn)樵谏鲜鲭娐吩碾姌O相互不接觸且兩晶片16、17相互接近的狀態(tài)下 進(jìn)行該兩晶片的位置匹配,所以能夠防止在位置匹配后使該晶片16、17接近的情況下的各 晶片16、17間的位置偏差,并且能夠防止在使兩晶片16、17相互接觸的狀態(tài)下進(jìn)行位置匹 配的情況下的各晶片16、17的上述電路元件的電極的破損。在兩晶片16、17間的位置匹配結(jié)束后,將各晶片16、17分別保持在位置匹配后的 狀態(tài),進(jìn)入保持工序。在保持工序中,首先,使第一臺(tái)部件21向第二臺(tái)部件22進(jìn)一步移動(dòng),使第一保持 部件19和第二保持部件20分別更加接近,由此,使各晶片16、17的上述電路元件的相互對(duì) 應(yīng)的上述電極彼此接觸。接著,通過各推動(dòng)銷46的氣泵49的動(dòng)作,使殼體47內(nèi)的氣壓下降,由此解除從各 銷部件48作用于各板簧部件30的上述按壓力。由此,各板簧部件30由于上述拉力而彈性 變形,于是各磁性部件40分別如上所述吸附于結(jié)合部件31而結(jié)合。在各磁性部件40分別與結(jié)合部件31結(jié)合的狀態(tài)下,在各板簧部件30產(chǎn)生的彈性 反力的大部分,作為使第一保持部件19和第二保持部件20相互接近的力,從該各板簧部件 30經(jīng)由各磁性部件40作用于該各保持部件,作為分別在板厚方向夾持該各晶片的夾持力, 從第一保持部件19和第二保持部件20的各個(gè)作用于各晶片16、17。由此,兩晶片16、17分別夾于第一保持部件19和第二保持部件20之間,因此能夠 保持為位置匹配后的狀態(tài)。此外,板簧部件30分別為圓形,各固定部34的位置分別關(guān)于帶狀部33的中心部 分33a即各板簧部件30的中心的位置點(diǎn)對(duì)稱,因此,各析簧部件30的由上述線段劃分的兩 具部分的面積相互相等。由此,使各磁性部件40分別與結(jié)合部件31結(jié)合的各板簧部件30 的上述兩個(gè)部分彈性變形時(shí),作用于該各變形部分的力的大小相等。即,在由于作為從各結(jié) 合部件31接受的吸引力的磁力使上述各變形部分彈性變形時(shí),在該各變形部分產(chǎn)生的彈 性反力的大小相等。
進(jìn)一步,各固定部34的位置關(guān)于各板簧部件30的中心的位置點(diǎn)對(duì)稱,因此,在上 述各變形部分分別彈性變形時(shí),從該各變形部分經(jīng)由各結(jié)合部件31作用于第二保持部件 20的彈性反力的各成分中,向與第一保持部件19和第二保持部件20的各自的板厚方向正 交的方向即第一保持部件19和第二保持部件20間的相對(duì)位置偏移的方向的成分相互朝向 相反方向。于是,在由于從各結(jié)合部件31經(jīng)由磁性部件40接受的拉力,上述各變形部分彈性 變形時(shí),在該各變形部分產(chǎn)生的彈性反力的各成分中,向第一保持部件19和第二保持部件 20的相對(duì)位置偏移的方向的成分相互抵消。由此,各板簧部件30的彈性反力不會(huì)作用使第 一保持部件19和第二保持部件20的相對(duì)位置偏移的力作用于第二保持部件20。在各磁性部件40分別吸附于結(jié)合部件31時(shí),例如,在各磁性部件40分別與磁體 41直接抵接的情況下,由于吸附時(shí)的沖擊,磁體41可能產(chǎn)生破損,但在本實(shí)施例中,各磁體 41分別收納于罩部件42內(nèi),因此各磁性部件40不會(huì)分別抵接于各磁體41,而與罩部件42 的端壁44抵接,因此能夠防止由于吸附時(shí)的沖擊導(dǎo)致的磁體41的破損。此外,在各磁性部件40向各結(jié)合部件31吸附時(shí),通過使各板簧部件30的向各結(jié) 合部件31的變形量變化,能夠使各磁性部件40的移動(dòng)量與保持的各晶片16、17的厚度尺 寸對(duì)應(yīng)。由此,能夠不限于各晶片16、17的厚度尺寸來可靠地保持各晶片。進(jìn)一步,通過使各板簧部件30向各結(jié)合部件31變形,能夠使各磁性部件40容易 地吸附于磁體41,因此即使在保持厚度尺寸較大的晶片的情況下,也不需要使磁體41的磁 力很大。由此,因?yàn)椴粚?duì)兩晶片作用較大的夾持力,所以能夠防止由該夾持力導(dǎo)致的上述電 路元件的破損。與此相對(duì),例如,在僅將與板簧部件30不同的不變形的部件吸引于磁體41的情況 下,特別是在保持板厚尺寸較大的晶片時(shí),第一保持部件19和第二保持部件20間的間隔變 大,此時(shí),需要磁體41的磁力較強(qiáng)。但是,如果磁力較強(qiáng),則對(duì)第一保持部件19和第二保持 部件20的各個(gè)在使該兩保持部件相互接近的方向作用的力變大,因此,第一保持部件19和 第二保持部件20夾持兩晶片的夾持力變大。因此,設(shè)置于各晶片的上述電路元件可能由于 上述夾持力而破損。在使各磁性部件40與各結(jié)合部件31結(jié)合后,使第一臺(tái)部件21向從第二臺(tái)部件22 離開的方向移動(dòng),由此,將由基板保持部14和各晶片16、17形成的塊體23從第一臺(tái)部件21 與第二臺(tái)部件22間取出。此時(shí),從第一臺(tái)部件21和第二臺(tái)部件22向第一保持部件19和第二保持部件20的 支承力被解除。如上所述,各板簧部件30的彈性反力不會(huì)作為使第一保持部件19與第二 保持部件20間的相對(duì)位置偏移的力作用于第二保持部件20,因此,在解除上述支承力時(shí), 兩晶片16、17間的相對(duì)位置不會(huì)從上述適當(dāng)?shù)奈恢闷?。通過各磁性部件40向各結(jié)合部件31的結(jié)合,將各晶片16、17分別保持于位置匹 配的狀態(tài)之后,進(jìn)入搬送塊體23的搬送工序。在搬送工序中,以搬送機(jī)構(gòu)15的握持部25如上所述地握持塊體23,通過搬送臂 24的動(dòng)作,將塊體23從對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12搬送至接合機(jī)構(gòu)13。在搬送臂24啟動(dòng)時(shí)和停止時(shí),慣性力作用于塊體23。此時(shí),在作用于第一保持部 件19和第二保持部件20的慣性力的大小產(chǎn)生差別的情況下,對(duì)于利用磁力與結(jié)合部件31一體結(jié)合的板簧部件30,作用向與第一保持部件19和第二保持部件20的各自的板厚方向 正交的方向的力。
各板簧部件30的帶狀部33,利用其長(zhǎng)度方向上相互相對(duì)的各端部,連結(jié)于除去板 簧部件30的帶狀部33的部分,因此,在對(duì)帶狀部33作用沿著其長(zhǎng)度方向的力時(shí),該力的大 部分作為在帶狀部33與上述部分之間壓縮它們的壓縮力被接受。另一方面,在板簧部件30形成有一對(duì)隙縫32,因此,在帶狀部33的寬度方向相互 相對(duì)的各側(cè)緣部不在板簧部件30的上述部分連結(jié)。因此,在對(duì)帶狀部作用沿該寬度方向的 力時(shí),該力的大部分不被板簧部件30的上述部分接受,而作為以使一對(duì)隙縫32中的一個(gè)隙 縫32的寬度變大、并且使另一方的隙縫32的寬度變小的方式彈性變形的力起作用。于是, 各帶狀部33,與被作用沿著各自的長(zhǎng)度方向的力時(shí)相比,被作用寬度方向的力時(shí)更容易變 形。在本實(shí)施例中,如上所述,各板簧部件30分別配置為各隙縫32的伸長(zhǎng)方向沿著第 一保持部件19的徑方向。由此,在作用于第一保持部件19和第二保持部件20的慣性力的 大小產(chǎn)生差別時(shí),作用于各板簧部件30中的一個(gè)板簧部件30的力的方向即使例如為該板 簧部件的帶狀部33的寬度方向,作用其它板簧部件30的各個(gè)帶狀部33的力的大部分不是 作用于它們的寬度方向,而作用于其它方向。由此,利用其它的各個(gè)板簧部件30接受上述力,因此,能夠防止由于板簧部件30 的變形引起的第一保持部件19與第二保持部件20間的位置偏移。于是,無論搬送臂24啟 動(dòng)時(shí)和停止時(shí)作用于塊體23的慣性力的方向如何,均能夠不產(chǎn)生兩晶片16、17間的相對(duì)位 置偏移地搬送塊體23。與此相對(duì),例如,在各板簧部件30配置為各隙縫32的伸長(zhǎng)方向朝向相同方向的情 況下,在作用于第一保持部件19和第二保持部件20的慣性力的大小產(chǎn)生差別時(shí),在作用于 板簧部件30的力的方向?yàn)楦鲙畈?3的寬度方向時(shí),各個(gè)帶狀部33可能向與第一保持部 件19和第二保持部件20的各自的板厚方向正交的方向變形。如果各帶狀部33分別變形, 則第一保持部件19和第二保持部件20的各自的相對(duì)位置從適當(dāng)?shù)奈恢闷疲瑑删?6、17 間的相對(duì)位置從適當(dāng)?shù)奈恢闷?。另外,在搬送工序中,在?duì)設(shè)置于第一保持部件19和第二保持部件20的上述電極 施加有電壓的狀態(tài)下搬送塊體23。在搬送工序之后,進(jìn)入使搬送來的各晶片16、17相互接合的接合工序。在接合工序中,使用接合機(jī)構(gòu)13,使各晶片16、17的電極分別與上所述地熔接。由 此,結(jié)束兩晶片16、17的相互的接合。此外,在使用上述的基板保持部14制造疊層半導(dǎo)體裝置時(shí),首先,實(shí)施基板形成 工序。在基板形成工序中,將圖2所示的薄板部件B的一個(gè)面劃分為多個(gè)小區(qū)域18,在該各 小區(qū)域內(nèi)分別形成多個(gè)上述電路元件,由此形成將要接合的晶片16、17。接著,在經(jīng)過上述基板支承工序、對(duì)準(zhǔn)工序、保持工序和接合工序之后,進(jìn)入分離 工序。圖12是概略表示疊層型半導(dǎo)體裝置51的立體圖。在分離工序中,將相互接合的各 晶片16、17,使用未圖示的專用的切割器沿著圖2所示的虛線切斷,由此分離為多個(gè)小區(qū)域 18。由此,如圖12所示,形成包含疊層的兩個(gè)芯片54的疊層體,即疊層型半導(dǎo)體裝置51。
之后,雖然沒有圖示,但經(jīng)過將疊層型半導(dǎo)體裝置51貼附于引線架的安裝工序, 和連接疊層型半導(dǎo)體裝置51和引線的結(jié)合工序等,從而使疊層型半導(dǎo)體裝置51封裝化。根據(jù)本實(shí)施例,如上所述,能夠可靠地抑制由于從各板簧部件30作用于第二保持 部件20的力而導(dǎo)致的第一保持部件19與第二保持部件20間的相對(duì)位置的偏移。由此,對(duì) 于支承于第一保持部件19和第二保持部件20的各個(gè)的各晶片16、17間的相對(duì)位置,能夠 可靠地抑制設(shè)置于一方的晶片16的多個(gè)上述電路元件的上述電極從設(shè)置于另一方的晶片 17的上述各電路元件的對(duì)應(yīng)的上述電極位置偏移。于是,在使兩晶片16、17相互接合時(shí),能 夠可靠地防止由于兩晶片16、17間的電接觸不良的產(chǎn)生。此外,如上所述,各結(jié)合部件31分別具有磁體41,在各板簧部件30分別設(shè)置有磁 性部件40,因此,通過使該磁性部件分別吸附于磁體41,能夠容易地結(jié)合各板簧部件30和 各結(jié)合部件31。進(jìn)一步,如上所述,三個(gè)板簧組301,以形成各板簧組301的各板簧部件30間的間 隔在各板簧組301間相等且該各板簧組間的間隔在第一保持部件19的周方向相等的方式, 配置于第一保持部件19的吸附面19a的邊緣部19b上。由此,能夠在各板簧部件30與各 結(jié)合部件31結(jié)合的狀態(tài)下,在第一保持部件19和第二保持部件20的周方向上大致均勻地 從各板簧部件30對(duì)各晶片16、17作用在板厚方向上夾持該各晶片的夾持力。此外,如上所述,由在各板簧部件30的周緣部30a的相互相對(duì)的位置形成的一對(duì) 固定部34,將各板簧部件30分別固定于第一保持部件19,由此,各板簧部件30以如下方式 彈性變形以各自的周緣部30a的各隙縫32的伸長(zhǎng)方向上相互相對(duì)的兩個(gè)部分接近的方 式,各板簧部件30以通過兩固定部34的線段L為變形的基點(diǎn)進(jìn)行彈性變形,同時(shí),帶狀部 33的中心部分33a浮起。于是,在板簧部件30的變形量產(chǎn)生變化時(shí),帶狀部33的中心部 分33a的軌跡描繪在第一保持部件19和第二保持部件20的板厚方向延伸的直線。由此, 即使在要求各板簧部件30的變形量較大的情況下,伴隨各板簧部件30的變形,各板簧部件 30向各結(jié)合部件31的罩部件42的端壁44的接觸面積也不會(huì)增減。于是,能夠可靠地防止 由于各結(jié)合部件31與各板簧部件30的接觸面積減少而導(dǎo)致第一保持部件19與第二保持 部件20間的保持力減少。與此相對(duì),在現(xiàn)有技術(shù)那樣各板簧部件分別為懸臂梁狀態(tài)的情況下,各板簧部件 在其一端為基點(diǎn),以設(shè)置有磁體的另一端以一端為中心旋轉(zhuǎn)的方式變形,因此,在各板簧部 件變形時(shí),另一端的軌跡描繪弧。因此,在隨著夾持于各保持部件的基板的厚度尺寸的大小 變大而各保持部件間的間隔變大時(shí)這樣的要求板簧部件的變形量變大的情況下,各板簧部 件的以其一端為中心的旋轉(zhuǎn)角度變大。當(dāng)旋轉(zhuǎn)角度變大時(shí),一方的磁體的吸附面相對(duì)另一 方的磁體的吸附面傾斜,于是磁體相互進(jìn)行所謂的錯(cuò)列。當(dāng)由于磁體的錯(cuò)列而在兩磁體間 產(chǎn)生間隙時(shí),與磁體的吸附面相互整面接觸的情況相比,各磁體分從其它磁體接受的磁力 的大小變小。因此,由各磁體產(chǎn)生的各保持部件間的保持力減少。圖13是表示其它的板簧部件30的平面圖。圖13(a)和圖13(b)分別概略表示其 它方式。在本實(shí)施例中,舉出了各固定部34分別從各板簧部件30的周緣部30a沿與各隙 縫32的伸長(zhǎng)方向正交的方向,向各板簧部件30的徑方向外側(cè)伸出的例子。代替上述例子,例如,如圖13(a)所示,能夠?qū)蓚€(gè)固定部34,分別在各板簧部件 30中形成于在與各隙縫32的伸長(zhǎng)方向正交的方向上相對(duì)的位置。此時(shí),各固定部34的位置配置于關(guān)于作為結(jié)合部53的帶狀部33的中心部分33a點(diǎn)對(duì)稱的位置。在圖示的例子中, 在各固定部34形成有分別允許螺紋部件35的插通的插通孔36。根據(jù)圖13(a)所示的例子,各板簧部件30在從各磁體41經(jīng)由各磁性部件40受到 拉力時(shí),與上述內(nèi)容同樣,以通過兩固定部34的線段L為變形的基點(diǎn),以在周緣部30a的各 隙縫32的伸長(zhǎng)方向相互相對(duì)的兩個(gè)部分30b接近的方式彈性變形,同時(shí),帶狀部33的中心 部分33a以浮起的方式彈性變形。代替圖13(a)所示的例子,雖然未圖示,但各固定部34能夠分別配置為,在除去各 板簧部件30的帶狀部33和各隙縫32的延長(zhǎng)線間的區(qū)域30c的區(qū)域,在上述各部分30b以 外的部分,關(guān)于帶狀部33的中心部分33a點(diǎn)對(duì)稱。此外,在本實(shí)施例中,表示了在各板簧部件30分別配置有兩個(gè)固定部34的例子, 但代替該方式,能夠在各板簧部件30分別配置單一的固定部34。例如,在圖13(b)所示的例子中,固定部34包含各板簧部件30的帶狀部33和各 隙縫32的延長(zhǎng)線間的兩個(gè)區(qū)域30c,沿各板簧部件30的徑方向延伸。在圖示的例子中,在 固定部34的兩端部即各板簧部件30的上述延長(zhǎng)線間區(qū)域30c分別形成有允許螺紋部件35 的插通的插通孔36。在該情況下,各板簧部件30在從各磁體41受到拉力時(shí),以通過各插通孔36的線 段L2為變形的基點(diǎn),以在與周緣部30a的各隙縫32的伸長(zhǎng)方向正交的方向相互相對(duì)的兩 個(gè)部分30d即關(guān)于線段L2線對(duì)稱的各部分30d相互接近的方式彈性變形。即,各板簧部件 30的上述各部分30d成為分別與結(jié)合部件31結(jié)合的上述結(jié)合部53。于是,在圖13(b)所 示的例子中,磁性部件40分別安裝于上述各部分30d。進(jìn)一步,在本實(shí)施例中,表示了在各板簧部件30分別形成有一對(duì)隙縫32的例子, 但也能夠省略隙縫32。圖14是表示其它的板簧部件30的平面圖。圖14(a)和圖14(b)分 別概略表示其它方式。在該情況下,例如,如圖14(a)所示,能夠在各板簧部件30的中心部配置固定部 34,在關(guān)于該固定部的位置點(diǎn)對(duì)稱的位置分別配置結(jié)合部53。在固定部34形成有允許螺紋 部件35的插通的插通孔36。在該情況下,能夠省略固定部件37。此外,代替圖14(a)所示的例子,例如,如圖14(b)所示,將包含板簧部件30的中 心且沿板簧部件30的徑方向延伸的部分設(shè)定為固定部34,能夠在作為該固定部的兩端部 的板簧部件30的周緣部30a的相互相對(duì)的一對(duì)的部分,分別形成插通孔36。在該情況下, 能夠省略固定部件37。根據(jù)圖14(b)所示的例子,各板簧部件30在從各磁體受到拉力時(shí),以通過各插通 孔36和各板簧部件30的中心的線段L3為變形的基點(diǎn),以被該線段隔開的兩個(gè)半圓的頂部 30e即關(guān)于線段L3線對(duì)稱的各頂部30e相互接近的方式彈性變形。即,各板簧部件30的上 述各頂部30e分別成為結(jié)合部53。于是,在上述各頂部30e分別安裝磁性部件40。在圖1 圖14所示的例子中,表示了各板簧部件30分別呈圓形的例子,但代替該 方式,也能夠應(yīng)用呈矩形的板簧部件。此外,在圖1 圖14所示的例子中,表示了各板簧部件30分別由SUS631構(gòu)成的 例子,但代替該方式,至少結(jié)合部43能夠使用具有磁性的板簧部件。在該情況下,能夠由磁 性材料形成結(jié)合部53,或者,能夠由不具有磁性的材料形成結(jié)合部53并在該材料中混入磁性體。在結(jié)合部53具有磁性的情況下,能夠省去磁性部件40。此外,在該情況下,各結(jié)合 部53通過從分別對(duì)應(yīng)的磁體41接受拉力而直接吸附于該磁體,由此與該磁體結(jié)合。此外,在該情況下,代替僅結(jié)合部53具有磁性的方式,能夠由磁性材料形成板簧 部件30本身,或者,能夠由不具有磁性的材料形成板簧部件30并在該材料中混入磁性體。另外,在該例子中,板簧部件30與結(jié)合部件31的規(guī)定的位置關(guān)系意味著,在各板 簧部件30和各結(jié)合部件31分別結(jié)合時(shí),它們相互直接抵接的位置關(guān)系。進(jìn)一步,在圖1 圖14所示的例子中,結(jié)合部件31的磁體41由永磁體形成,但代 替該方式,也能夠由電磁鐵形成磁體41。此外,在圖1 圖14所示的例子中,表示了結(jié)合部件31使用磁體41的磁力吸引 各板簧部件30的例子,但代替該方式,例如能夠應(yīng)用真空吸附這樣的使用空氣壓力吸引各 板簧部件30的結(jié)合部件。進(jìn)一步,在圖1 圖14所示的例子中,表示了推動(dòng)銷46的銷部件48由氟樹脂這 樣的摩擦系數(shù)低的合成樹脂材料形成的例子,但代替該方式,能夠?qū)︿N部件48的至少前端 48a的周面實(shí)施特氟綸(注冊(cè)商標(biāo))加工。此外,在圖1 圖14所示的例子中,表示了將銷部件48從殼體47內(nèi)向第二保持 部件20推壓的施力部49由調(diào)整殼體47內(nèi)的氣壓的氣泵40形成的例子,但代替該方式,能 夠由具有比從磁體41作用于板簧部件30的拉力的大小大的彈簧力的壓縮線圈彈簧這樣的 不使用氣泵48的構(gòu)造形成施力部49。進(jìn)一步,在圖1 圖14所示的例子中,表示了結(jié)合限制部45由推動(dòng)銷46形成的 例子,但代替該方式,例如能夠由在各結(jié)合部件31與各磁性部件40之間分別配置的間隔部 件形成結(jié)合限制部45。在該情況下,上述各間隔部件的厚度尺寸設(shè)定為,與在兩晶片16、17的位置匹配 時(shí)應(yīng)在該兩晶片間確保的間隙S的大小大致相等。此外,在該情況下,能夠省去磁體41和 罩部件42的插通孔41a、44a。根據(jù)該例子,上述各間隔部件分別在兩晶片16、17的位置匹配時(shí)插入各結(jié)合部件 31與各磁性部件40之間,并夾持于它們之間。此時(shí),由于從各結(jié)合部件31作用于各板簧部 件30的按壓力,能夠抵抗從磁體41作用于板簧部件30的拉力,將各板簧部件30分別按壓 于第一保持部件19。由此,各板簧部件30保持為在它們之間維持上述規(guī)定的間隔的狀態(tài)。此外,在使兩晶片16、17的位置匹配時(shí),只要能夠限制上述規(guī)定的位置關(guān)系下的 各結(jié)合部件31與各板簧部件30的結(jié)合,則能夠由推動(dòng)銷46和上述間隔部件以外的部件形 成結(jié)合限制部45。此外,在圖1 圖14所示的例子中,表示了相互接合的兩個(gè)基板11分別由單一的 晶片16、17形成的例子,但代替該方式,能夠使各基板11的一方由單一的晶片形成,使各基 板11的另一方為通過接合重合的多個(gè)晶片而形成的疊層體,或者,使兩基板11分別由上述 疊層體形成。進(jìn)一步,在圖1 圖14所示的例子中,表示了第一保持部件19和第二保持部件20 的兩方呈圓盤狀的例子,代替該方式,能夠形成為任意一方例如呈矩形狀這樣的圓形以外 的形狀。在該情況下,例如在將第一保持部件19形成為圓盤狀、將第二保持部件20形成為矩形狀時(shí),能夠在與設(shè)置于第一保持部件19的各板簧部件30的配置位置對(duì)應(yīng)的位置,將各 結(jié)合部件31分別設(shè)置于第二保持部件20。圖15是表示具有其它方式的板簧部件30的平面圖。另外,對(duì)與圖7的板簧部件 30相同的要素標(biāo)注相同的參照符號(hào),省略重復(fù)說明。該板簧部件30也具有一對(duì)隙縫32。但是,該隙縫32,在后述的板簧部件30變形 時(shí),為了避免與磁性部件40干涉,而單側(cè)形成為圓弧狀。該圓弧具有比磁性部件40的外周 稍大的直徑。此外,板簧部件30的帶狀部33夾著插入孔38具有一對(duì)臺(tái)階30d。圖16是表示在圖15所示的板簧部件30安裝有磁性部件40的狀態(tài)的截面圖。該 截面相當(dāng)于圖15所示的K-K截面。此外,對(duì)與圖15共同的要素標(biāo)注相同的參照符號(hào)。如圖所示,由于臺(tái)階30d,帶狀部33的中央部比板簧部件30的其它部分隆起。由 此,即使在板簧部件30的固定部34相對(duì)于帶狀部33向上方變形的情況下,板簧部件30和 磁性部件40也不會(huì)干涉。圖17是示意性地表示包含上述的板簧部件30的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12的構(gòu)造的截面圖。另 外,對(duì)與圖4共同的要素標(biāo)注相同的參照符號(hào),省略重復(fù)說明。相對(duì)于圖4所示的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12,該對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12具有,在保持有晶片16的第一保持 部件19載置于臺(tái)部件21時(shí),從下方吸引板簧部件30和磁性部件40的吸引部64。吸引圖 64與未圖示的真空源連接,在有效時(shí)在內(nèi)部產(chǎn)生負(fù)壓。圖17表示在對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12裝填有接合前的晶片16、17的狀態(tài)。晶片16、17分別保 持于第一保持部件19和第二保持部件20的任意一個(gè),被臺(tái)部件21、22支承。此外,在晶片 16,17間存在間隙,下降的銷部件48的下端與磁性部件40的上表面抵接。圖18是放大表示圖17所示的狀態(tài)的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12中的板簧部件30和磁性部件40 的截面圖。板簧部件30的截面相當(dāng)于圖15所示的L-L截面。此外,對(duì)與圖15共同的要素 標(biāo)注相同的參照符號(hào)。如圖所示,銷部件48的下端與磁性部件40抵接,因此,即使作用磁體41的磁力, 磁性部件40也不會(huì)吸附于磁體。于是,在磁體41與磁性部件40之間形成間隙隊(duì)。此外, 板簧部件30幾乎不變形,是平坦的。圖19是表示晶片16、17的接合中的下一步驟的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12的狀態(tài)的截面圖。如 圖所示,與圖18所示的狀態(tài)相比較,銷部件48進(jìn)一步下降,按壓磁性部件40。圖20是放大表示圖19所示的狀態(tài)的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12中磁性部件40的周圍的截面圖。 如圖所示,被銷部件48按下的磁性部件40與吸引部64的上端相接,被吸引部64吸附。由 此,磁體41與磁性部件40間的間隙變大,作用于磁性部件40的磁力變小。另外,由于磁性部件40被按下,板簧部件30變形,磁性部件40的下表面移位至比 板簧部件30的上表面更低的位置。于是,磁體41與磁性部件40間形成放大后的間隙Dlt) 但是,由于圖15所示的隙縫32的形狀,在板簧部件30的長(zhǎng)度方向上磁性部件40和板簧部 件30不會(huì)干涉。此外,如圖16所示,板簧部件30的帶狀部33的中央隆起,因此,在帶狀部 33的延伸方向上,磁性部件40和板簧部件30也不會(huì)干涉。圖21是表示晶片16、17的接合中的下一步驟的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12的狀態(tài)的截面圖。如 圖所示,與圖19所示的狀態(tài)相比較,銷部件48上升,從磁性部件40離開。但是,磁性部件 40吸附于吸引部64,與磁體41隔開間隔Di地大幅遠(yuǎn)離。
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由此,作用于磁性部件40的磁力較小,即使銷部件48離開,磁性部件40也不會(huì)吸 附于磁體41。此外,銷部件48從磁性部件40離開,因此沒有在上側(cè)和下側(cè)的臺(tái)部件21、22 間接觸的部件。于是,能夠例如使下側(cè)的臺(tái)部件21移動(dòng),使晶片16相對(duì)于晶片17精密地 進(jìn)行位置匹配。圖22是表示晶片16、17的接合中的下一步驟的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12的狀態(tài)的截面圖。如 圖所示,當(dāng)晶片16、17的位置匹配結(jié)束時(shí),使下側(cè)的臺(tái)部件21上升,使晶片16、17接合。此外,通過使下側(cè)的臺(tái)部件21上升,第一保持部件19也上升,磁性部件40與磁體 41接近。但是,銷部件48下降,限制磁性部件40吸附于磁體41。于是,在由于接近磁體 41,作用于磁性部件40的磁體41的磁力變強(qiáng)時(shí),能夠抑制磁性部件40吸附于磁體41。圖23是表示晶片16、17的接合時(shí)的下一步驟的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)12的狀態(tài)的截面圖。如 圖所示,在晶片16、17已接合的狀態(tài)下,拉升銷部件48。在拉升銷部件48時(shí),將其上升速度 保持得較低,通過使銷部件48緩緩上升,磁性部件40不產(chǎn)生沖擊地吸附于磁體41。圖24是放大表示圖23所示的狀態(tài)下的磁體41的下端和磁性部件40的附近的截 面圖。如圖所示,作用于磁性部件40的磁體41的磁力變強(qiáng),因此,板簧部件30變形,磁體 41的下表面與磁性部件40的上表面相互緊貼。由此,磁性部件41強(qiáng)力吸附于磁體41。于 是,在接合后的狀態(tài)下被第一保持部件19和第二保持部件20夾持的晶片16、17的位置匹 配能夠可靠地被保持。圖25是示意性地表示在接合第一基板162和第二基板172時(shí)使用的基板接合裝 置100的構(gòu)造的截面圖。基板接合裝置100具有,配置在框體110的內(nèi)側(cè)的第一驅(qū)動(dòng)部120、 加壓工作臺(tái)130、受壓工作臺(tái)140、壓力檢測(cè)部150和磁場(chǎng)控制部180。另外,在基板接合裝 置100中,裝填有接合的第一基板162和第二基板172,以及保持它們的第一固定部件166 和第二固定部件176??蝮w110包括相互平行且水平的頂板112和底板116、結(jié)合頂板112和底板116的 多個(gè)支柱14。頂板112、支柱114和底板116分別由剛性高的材料形成,在后述的接合時(shí)的 向第一基板162和第二基板172加壓的反力作用于它們的情況下也不會(huì)變形。在框體110的內(nèi)側(cè),在底板116上配置有第一驅(qū)動(dòng)部120。第一驅(qū)動(dòng)部120具有固 定在底板116的上表面的氣缸122,和配置在氣缸122的內(nèi)側(cè)的活塞124?;钊?24由未圖 示的流體回路、凸輪、齒輪系等驅(qū)動(dòng),在圖中箭頭Z所示的方式沿氣缸122升降。在活塞124的上端搭載有加壓工作臺(tái)130。加壓工作臺(tái)130具有Y工作臺(tái)138、X 工作臺(tái)、球面座134和第一固定部件保持部132。Y工作臺(tái)138隔著引導(dǎo)軌126安裝在活塞 124的上端,在與紙面垂直的Y方向移位。X工作臺(tái)136安裝在Y工作臺(tái)138的上表面,與 紙面平行地移位。球面座134搭載在X工作臺(tái)136上,在X工作臺(tái)136上搖動(dòng)。進(jìn)一步,在 X工作臺(tái)136上形成有第一固定部件保持部132。在第一固定部件保持部132搭載有吸附保持第一基板162的第一固定部件166。 第一固定部件166使上表面與第一基板162緊貼并保持第一基板162。此外,第一固定部件 166在第一基板162的外側(cè)的區(qū)域設(shè)置有由磁性體形成的多個(gè)被結(jié)合部件164。S卩,包含第 一基板162、被結(jié)合部件164和第一固定部件166的第一基板組裝體160能夠相對(duì)基板接合 裝置100裝入或搬出。通過上述構(gòu)造,能夠使作為第一基板組裝體160搭載于加壓工作臺(tái)130的第一基板162,通地X工作臺(tái)136和Y工作臺(tái)138的作用,向與底板116平行的X方向和Y方向移 位。此外,通過球面座134的作用,能夠使第一基板162搖動(dòng)。進(jìn)一步,第一基板162通過 第一驅(qū)動(dòng)部120的作用,能夠相對(duì)底板116升降。另一方面,在框體110的內(nèi)側(cè),在頂板112的下表面,配置有受壓工作臺(tái)140和磁 場(chǎng)控制部180。受壓工作臺(tái)140具有懸吊部件144和第二固定部件保持部142。第二固定 部件保持部142被從頂板112垂下的多個(gè)懸吊部件144從下表面支承。由此,第二固定部 件保持部142能夠向上方自由移位,且能夠固定于規(guī)定的位置。在第二固定部件保持部142固定吸附保持第二基板172的第二固定部件176。第 二固定部件176使下表面與第二基板172緊貼而保持第二基板172。此外,第二固定部件 176在第二基板172的外側(cè)的區(qū)域,設(shè)置有包含永磁體173的多個(gè)結(jié)合部件174。S卩,包含 第二基板172、結(jié)合部件174和第二固定部件176的第二基板組裝體170能夠相對(duì)基板接合 裝置100裝入或搬出。另外,第一固定部件保持部132和第二固定部件保持部142具有利用靜電吸附、負(fù) 壓吸附等的吸附機(jī)構(gòu)。由此,吸附保持第一基板組裝體160和第二基板組裝體170。壓力檢測(cè)部150包含夾在頂板112與第二固定部件保持部142間的多個(gè)負(fù)載傳感 器。壓力檢測(cè)部150限制第二固定部件保持部142向上方的移動(dòng),并且檢測(cè)對(duì)第二固定部 件保持部142施加的壓力。磁場(chǎng)控制部180具有第二驅(qū)動(dòng)部186、平行臂184、支承部件182和高透磁率部件 181而形成限制部件。第二驅(qū)動(dòng)部186固定于頂板112。平行臂184使上端與第二驅(qū)動(dòng)部 186結(jié)合,使下端與支承部件182結(jié)合。由此,在使第二驅(qū)動(dòng)部186動(dòng)作時(shí),支承部件182大 致水平地移位。此外,在支承部件182的前端支承高透磁率部件181。高透磁率部件181由至少具 有比被結(jié)合部件164高的透磁率的材料形成。此外,在圖示的狀態(tài)中,高透磁率部件181配 置于覆蓋結(jié)合部件174的下表面的位置。在該狀態(tài)下第二驅(qū)動(dòng)部186動(dòng)作時(shí),高透磁率部 件181從結(jié)合部件174的下方的區(qū)域向側(cè)方退避。圖26是表示安裝于基板接合裝置100的位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)200的構(gòu)造的立體圖。位 置檢測(cè)機(jī)構(gòu)200使用一對(duì)攝像部212、222和一對(duì)照明部214、224而形成。攝像部212、222 和照明部214、224在與第一基板162和第二基板172的相互相對(duì)的接合面平行的面內(nèi),配 置在夾著第一基板162和第二基板172相對(duì)的位置。各個(gè)攝像部212、222通過連接器216、226將攝取的圖像向外部送出。照明部214、 224通過電源線纜218、228接受電力的供給。能夠根據(jù)上述方式配置的攝像部212、222攝取的圖像,檢測(cè)第二基板172相對(duì)于 第一基板162的位置和傾斜。即,在第一基板162傾斜的情況下,其影像由攝像部212攝取。 此外,在加壓工作臺(tái)130上升,第一基板162和第二基板172抵接的情況下,在第一基板162 與第二基板172間照明光被遮擋,因此能夠根據(jù)攝像部212、222中的任一個(gè)所攝取的圖像 檢測(cè)第一基板162和第二基板172的接觸。但是,攝像部212、222的分辨率依賴于其光學(xué)系統(tǒng)和攝像元件的分辨率。于是,在 第一基板162和第二基板172的間隙比攝像部212、222的分辨率小的情況下,第一基板162 和第二基板172接觸的定時(shí)和接觸檢測(cè)的定時(shí)可能存在偏差。但是,達(dá)不到攝像部212、222的檢測(cè)極限的間隙是非常狹窄的,因此在不能夠?qū)Φ谝换?62和第二基板172的間隙進(jìn) 行攝像時(shí),即使看作第一基板162和第二基板172接觸也不會(huì)有影響。另外,上述的位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)200的構(gòu)造僅是一個(gè)例子,也能夠由其它的構(gòu)造形成 同樣的功能。例如,通過使用干涉計(jì)替換攝像部212、222,能夠形成分辨率更高的位置檢測(cè) 機(jī)構(gòu)200。另一方面,也能夠使用線性標(biāo)尺形成更簡(jiǎn)便的位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)200。本領(lǐng)域的技術(shù) 人員能夠根據(jù)作為目的接合基板的規(guī)格,適當(dāng)?shù)剡x擇這些各種構(gòu)造。圖27是示意性地表示基板接合裝置100的控制系統(tǒng)300的構(gòu)造的圖??刂葡到y(tǒng) 300包括對(duì)包含位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)200的基板接合裝置100設(shè)置的位置控制部310和接近檢 測(cè)部320。位置控制部310參照位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)200檢測(cè)出的第一基板162的位置和傾斜,控 制加壓工作臺(tái)130的各部分的動(dòng)作。即,通過控制第一驅(qū)動(dòng)部120使第一基板162的高度變 化,通過控制Y工作臺(tái)138和X工作臺(tái)136使第一基板162的面方向的位置變化,進(jìn)一步, 通過控制球面座134使第一基板162的傾斜變化。通過這些動(dòng)作,使第一基板162的位置 與第二基板172的位置匹配,并且使第一基板162和第二基板172相互平行。另一方面,接近檢測(cè)部320接到位置控制部310的第一基板162的位置匹配完成 的通知,使第二驅(qū)動(dòng)部186動(dòng)作。由此,在高透磁率部件181夾在相互結(jié)合的結(jié)合部件174 和被結(jié)合部件164間之前,使高透磁率部件181從覆蓋結(jié)合部件174的下表面的位置退避。圖28是表示使用具有上述位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)200和控制系統(tǒng)300的基板接合裝置 100,接合第一基板162和第二基板172時(shí)的順序的流程圖。在接合第一基板162和第二基 板172時(shí),首先,在第一基板162和第二基板172的各個(gè)上安裝第一固定部件166和第二固 定部件176 (步驟S101)。由此,能夠安全且容易地處理相對(duì)于厚度面積較大的硅晶片等的 第一基板162和第二基板172。接著,將保持有第一基板162的第一固定部件166搭載在第一固定部件保持部 132 (步驟S102)。第一固定部件保持部132利用氣氛的吸引等吸附保持并固定第一固定部 件166。此外,將保持有第二基板172的第二固定部件176裝入第二固定部件保持部142 (步 驟S102)。第二固定部件保持部142也通過氣氛的吸引等吸附保持并固定第二固定部件 176。接著,使第二驅(qū)動(dòng)部186動(dòng)作,使高透磁率部件181移動(dòng)(步驟S103)。由此,高 透磁率部件181向覆蓋結(jié)合部件174的下表面的非結(jié)合位置移動(dòng),保持該位置。另外,步驟 S103中的基板接合裝置100的狀態(tài)表示在圖25中。接著,使第一驅(qū)動(dòng)部120動(dòng)作,使加壓工作臺(tái)130上升(步驟S104)。由此,第一基 板162緩慢接近第二基板172。接著,使第一基反162和第二基板172不接觸,進(jìn)行兩者的 面方向的位置匹配,并且調(diào)整第一基板162的傾斜,使得與第二基板172平行(步驟S105)。 由此,第一基板162和第二基板172相互位置匹配,成為能夠進(jìn)行接合的狀態(tài)。于是,從位置控制部310被通知位置匹配結(jié)束的接近檢測(cè)部320使第二驅(qū)動(dòng)部186 動(dòng)作。由此,高透磁率部件18從覆蓋結(jié)合部件174的下表面的非結(jié)合位置向結(jié)合位置退避 (步驟 S106)。這樣,在第一基板162和第二基板172的位置匹配結(jié)束,高透磁率部件181已退避 的狀態(tài)下,利用第一驅(qū)動(dòng)部120使加壓工作臺(tái)130再次上升,由此接合第一基板162和第二基板(步驟S107)。此時(shí),高透磁率部件181退避,直接對(duì)面的結(jié)合部件174和被結(jié)合部件 164也相互結(jié)合。由此,第一基板162和第二基板172被與被結(jié)合部件164和結(jié)合部件174 結(jié)合的第一固定部件166和第二固定部件176夾持,保持為接合后的狀態(tài)。
這樣,實(shí)施使第一基板162和第二基板172為重合狀態(tài)的接合方法,該接合方法包 括在具有包含磁性體的被結(jié)合部件164的第一固定部件166上支承第一基板162和第二 基板172中的一方的步驟;在具有與包含永磁體173的被結(jié)合部件164結(jié)合的結(jié)合部件174 的第二固定部件176上支承第一基板162和第二基板172中的另一方的步驟;在被結(jié)合部 件164和結(jié)合部件174相互接近時(shí),限制被結(jié)合部件164和結(jié)合部件174的吸附,直至被結(jié) 合部件164與結(jié)合部件174的間隔為規(guī)定的間隔的步驟。由此,能夠不受到磁力的影響地精 密地進(jìn)行第一基板162和第二基板172的位置匹配,另一方面,能夠利用第一固定部件166 和第二固定部件176自控地保持接合后的第一基板162和第二基板172。圖29是表示步驟S105中的基板接合裝置100的狀態(tài)的圖。該圖中,放大表示抽 出的第一基板組裝體160、第二基板組裝體170和磁場(chǎng)控制部180。此外,對(duì)與圖25共同的 構(gòu)成要素標(biāo)注相同的參照符號(hào),省略重復(fù)說明。在步驟S105中,與圖25所示的步驟S103的狀態(tài)相比較,第一基板162上升,與第 二基板172接近。但是,在該步驟中,第一基板162和第二基板還是分離的,結(jié)合部件174 和被結(jié)合部件164也還是分離的。此外,高透磁率部件181位于結(jié)合部件174與被結(jié)合部 件164之間。圖30是示意性地表示在圖29所示的狀態(tài)中,在結(jié)合部件174和被結(jié)合部件164的 周圍形成的磁路的圖。結(jié)合部件174包括永磁體173和將永磁體173對(duì)第二固定部件176 固定的安裝部件175。此外,高透磁率部件181在與結(jié)合部件174的幾何中心對(duì)應(yīng)的位置具 有貫通孔183。永磁體173以在與第一基板162和第二基板172的面方向正交的方向分極的方式 勵(lì)磁。由此,在結(jié)合部件174的周圍,由描繪出弧形連結(jié)永磁體173的磁極的磁力線M形成 磁場(chǎng)。但是,在結(jié)合部件174與被結(jié)合部件164之間,插入有覆蓋結(jié)合部件174的下表面 的高透磁率部件181。由此,分布于結(jié)合部件174的下側(cè)的磁力線大部分通過高透磁率部件 181的內(nèi)部。因此,磁場(chǎng)在高透磁率部件181的下側(cè)不會(huì)擴(kuò)展,由永磁體173的磁力產(chǎn)生的 吸引力不會(huì)影響被結(jié)合部件164。這樣,高透磁率部件181使永磁體173的磁場(chǎng)遠(yuǎn)離被結(jié)合部件164,由此即使結(jié)合 部件174和被結(jié)合部件164接近,兩者相吸引的力也非常弱。于是,位置控制部310能夠不 受結(jié)合部件174的磁力的影響地進(jìn)行精密的位置匹配。另外,在第一基板162和第二基板172的接合工序中,存在溫度上升的情況,因此, 作為永磁體173優(yōu)選使用耐熱磁體。此外,如圖所示,在永磁體的幾何中心的位置,永磁體 173產(chǎn)生的磁力線的密度較低。于是,即使在該位置設(shè)置貫通孔183而除去高透磁率部件 181也不會(huì)對(duì)功能有影響。圖31是表示步驟S106中的基板接合裝置100的狀態(tài)的圖。該圖也放大表示抽出 的第一基板組裝體160、第二基板組裝體170和磁場(chǎng)控制部180。此外,對(duì)與圖25共同的構(gòu) 成要素標(biāo)注相同的參照符號(hào),省略重復(fù)說明。
在步驟S106中,第一基板162和第二基板仍分離,結(jié)合部件174和被結(jié)合部件164也分離。但是,在該步驟中,高透磁率部件181從結(jié)合部件174與被結(jié)合部件164間的被結(jié) 合位置退避開。由此,結(jié)合部件174和被結(jié)合部件164相互直接面對(duì)面。圖32是示意性地表示在圖31所示的狀態(tài)下形成的磁路的圖。高透磁率部件181 從結(jié)合部件174與被結(jié)合部件164間退避開,因此,永磁體173產(chǎn)生的磁力線M向結(jié)合部件 174的下方擴(kuò)展而形成磁場(chǎng)。由此,永磁體173的磁力線M到達(dá)被結(jié)合部件164,被結(jié)合部件 164被結(jié)合部件174吸引。這樣,通過使高透磁率部件181從結(jié)合位置退避,結(jié)合部件174 和被結(jié)合部件164通過永磁體173的磁力相吸引。圖33是表示步驟S107中的基板接合裝置100的狀態(tài)的圖。在該圖也放大表示抽 出的第一基板組裝體160、第二基板組裝體170和磁場(chǎng)控制部180。此外,對(duì)與圖25共同的 構(gòu)成要素標(biāo)注相同的參照符號(hào),省略重復(fù)說明。在步驟S107中,第一基板162和第二基板相互緊密接合。此外,結(jié)合部件174和 被結(jié)合部件164也直接結(jié)合。由此,第一基板162和第二基板172被與被結(jié)合部件164和 結(jié)合部件174結(jié)合的第一固定部件166和第二固定部件176夾持,以接合的狀態(tài)被保持。圖34是示意性地表示在圖33所示的狀態(tài)形成的磁路的圖。因?yàn)榻Y(jié)合部件174和 被結(jié)合部件164已結(jié)合,所以永磁體173產(chǎn)生的磁力線M通過與結(jié)合部件174緊貼著的被結(jié) 合部件164的內(nèi)部。由此,被結(jié)合部件164與結(jié)合部件174緊固地結(jié)合,保持第一基板162 和第二基板172接合的狀態(tài)。這樣,形成使第一基板162和第二基板172為重合狀態(tài)的基板接合裝置100,其包 括第一固定部件保持部132,其保持第一固定部件166,該第一固定部件166具有包含磁 性體的被結(jié)合部件164,支承第一基板162和第二基板172中的一方;第二固定部件保持部 142,其保持第二固定部件176,該第二固定部件176具有包含永磁體173與被結(jié)合部件164 結(jié)合的結(jié)合部件174,保持第一基板162和第二基板172中的另一方的基板;第一驅(qū)動(dòng)部 120,其將第一固定部件保持部132和第二固定部件保持部142中的一方向另一方驅(qū)動(dòng);以 及磁場(chǎng)控制部180,其在被結(jié)合部件164和結(jié)合部件174相互接近時(shí),限制被結(jié)合部件164 和結(jié)合部件174的吸附,直至被結(jié)合部件164和結(jié)合部件174的間隔成為規(guī)定的間隔。由 此,能夠不受磁力的影響地對(duì)第一基板162和第二基板172進(jìn)行精密的位置匹配,另一方 面,能夠利用第一固定部件166和第二固定部件176自控地保持接合后的第一基板162和 第二基板172。另外,在上述基板接合裝置100中,采用磁場(chǎng)控制部180設(shè)置于基板接合裝置100 的構(gòu)造。但是,通過將磁場(chǎng)控制部180設(shè)置于第一固定部件166和第二固定部件176中的 至少任一方,能夠形成不依賴于基板接合裝置100地發(fā)揮上述作用的基板保持部件。在該情況下,第二驅(qū)動(dòng)部186也可以將其一部分設(shè)置于第一固定部件166或第二 固定部件176,通過從外部供給電力、壓力等操作高透磁率部件181。此外,也可以將電池等 能量源設(shè)置于第一固定部件166或第二固定部件176。這樣,形成使第一基板162和第二基板172為重合狀態(tài)的基板保持部件,其包括 第一固定部件166,其具有包含磁性體的被結(jié)合部件164,支承第一基板162和第二基板172 中的一方;第二固定部件176,其具有包含永磁體173與被結(jié)合部件164結(jié)合的結(jié)合部件 174,保持第一基板162和第二基板172中的另一方;以及磁場(chǎng)控制部180,其在被結(jié)合部件164和結(jié)合部件174相互接近時(shí),限制被結(jié)合部件164和結(jié)合部件174的吸附,直至被結(jié)合 部件164和結(jié)合部件174的間隔成為規(guī)定的間隔。由此,能夠不受磁力的影響地對(duì)第一基 板162和第二基板172進(jìn)行精密的位置匹配,另一方面,能夠利用第一固定部件166和第二 固定部件176自控地保持接合后的第一基板162和第二基板172。 圖35是表示高透磁率部件181的其它方式的圖。另外,在該圖中,對(duì)與其它實(shí)施 方式共同的要素標(biāo)注相同的參照符號(hào),省略重復(fù)說明。圖35(a)表示在從下方觀察處于非結(jié)合位置,由高透磁率部件181覆蓋下表面的 結(jié)合部件174的狀態(tài)。如圖所示,高透磁率部件181在與結(jié)合部件174的幾何中心對(duì)應(yīng)的 位置具有貫通孔183。此外,高透磁率部件181在中央被分割,使得在長(zhǎng)度方向分開。圖35(b)以與圖35(a)相同的視點(diǎn)表示上述高透磁率部件181移動(dòng)到結(jié)合位置的 狀態(tài)。如圖所示,被分割的高透磁率部件181相互向相反方向退避,使結(jié)合部件174的下表 面露出。另外,該方式的高透磁率部件181的移動(dòng)方向,是與圖25 圖34所示的高透磁率 部件181的移動(dòng)方向正交的方向,即、是第一基板162和第二基板172的接線方向。通過采用這樣的結(jié)構(gòu),能夠抑制高透磁率部件181從非結(jié)合位置移動(dòng)到結(jié)合位置 時(shí)的移動(dòng)量,能夠使移動(dòng)時(shí)間縮短。此外,在高透磁率部件181移動(dòng)時(shí),對(duì)結(jié)合部件174所 產(chǎn)生的磁場(chǎng)的影響也是對(duì)稱的,因此,對(duì)第一基板162和第二基板172的位置匹配所造成的 影響也更小。這樣,高透磁率部件181可以具有配置在與結(jié)合部件174的幾何中心對(duì)應(yīng)的位置 的貫通孔183。由此,能夠節(jié)約高透磁率材料,能夠減小材料成本。此外,高透磁率部件181也可以包括,在從非結(jié)合位置向結(jié)合位置移動(dòng)時(shí),相對(duì)第 一基板162和第二基板172的面方向的第一固定部件166的幾何中心,向?qū)ΨQ的方向移動(dòng) 的多個(gè)部分。由此,能夠縮短高透磁率部件181的移動(dòng)時(shí)間,并且能夠使對(duì)第一基板162和 第二基板172的位置匹配造成的影響更小。圖36是表示在其它實(shí)施方式的磁場(chǎng)控制部180中,高透磁率部件181位于非結(jié)合 位置的狀態(tài)的圖。該磁場(chǎng)控制部180由具有插通永磁體173的內(nèi)徑的筒狀的高透磁率部件 181形成。此外,高透磁率部件181以其下端比永磁體173的下端低的位置作為非結(jié)合位置。由此,記磁體173產(chǎn)生的磁力線M在面對(duì)被結(jié)合部件164的永磁體173的下端側(cè) 通過高透磁率部件181的內(nèi)部。由此,由磁力線M形成的磁場(chǎng)從被結(jié)合部件164遠(yuǎn)離,因此 由永磁體173的磁力產(chǎn)生的吸引力不會(huì)到達(dá)被結(jié)合部件164。另外,高透磁率部件181的內(nèi)面被由摩擦阻力小的材料形成的滑動(dòng)部件185覆蓋。 由此,在高透磁率部件181和永磁體173接觸時(shí),也能夠防止高透磁率部件181的移動(dòng)受 阻。圖37是表示在圖36所示的磁場(chǎng)控制部180中,高透磁率部件181位于結(jié)合位置 的狀態(tài)的圖。在該磁場(chǎng)控制部180中,高透磁率部件181以其下端比永磁體173的下端高 的位置作為結(jié)合位置。由此,永磁體173產(chǎn)生的磁力線向被結(jié)合部件164擴(kuò)展,被結(jié)合部件 164位于由磁力線M形成的磁場(chǎng)的內(nèi)部。于是,被結(jié)合部件164被結(jié)合部件174吸附。這樣,高透磁率部件181具有貫通孔183,該貫通孔183在第一基板162和第二基 板172的面方向具有比結(jié)合部件174大的尺寸,在高透磁率部件181從非結(jié)合位置向結(jié)合位置移動(dòng)時(shí),可以使結(jié)合部件174插通于貫通孔183。由此,能夠維持結(jié)合部件174產(chǎn)生的 磁場(chǎng)的對(duì)稱性地在結(jié)合位置和非結(jié)合位置間移動(dòng)。此外,即使在結(jié)合部件174的尺寸變大 的情況下,高透磁率部件181的移動(dòng)量也不會(huì)增加。 圖38是表示在其它實(shí)施方式的磁場(chǎng)控制部180中,高透磁率部件181處于非結(jié)合 位置的狀態(tài)的圖。該磁場(chǎng)控制部180具有在第一基板162和第二基板172的面方向分極的 多個(gè)永磁體173。各個(gè)永磁體173以相對(duì)鄰接的永磁體173使同極相對(duì)的方式配置。此外,磁場(chǎng)控制部180具有高透磁率部件181,其形成在非結(jié)合位置分別覆蓋永磁 體173的各自的下表面的磁軛。由此,永磁體173的各自的磁極通過高透磁率部件181分 別直接結(jié)合,永磁體173各自產(chǎn)生的磁力線M不在高透磁率部件181的外部形成磁場(chǎng)。于 是,磁場(chǎng)不會(huì)到達(dá)被結(jié)合部件164,因此被結(jié)合部件164不會(huì)被永磁體173吸引。圖39是表示在圖34所示的磁場(chǎng)控制部180中,高透磁率部件181處于結(jié)合位置 的狀態(tài)的圖。在該磁場(chǎng)控制部180中,高透磁率部件181向結(jié)合位置水平移動(dòng),使鄰接的永 磁體173的同極結(jié)合。由此,永磁體173產(chǎn)生的磁力線M向被結(jié)合部件164擴(kuò)展,被結(jié)合部 件164位于由磁力線M形成的磁場(chǎng)的內(nèi)部。于是,被結(jié)合部件164被結(jié)合部件174吸附。這樣,結(jié)合部件174包含以在第一基板162和第二基板172的面方向分極、并且相 互使同極相對(duì)的方式排列的多個(gè)永磁體173,高透磁率部件181在非結(jié)合位置結(jié)合多個(gè)永 磁體173的各自的異極,在結(jié)合位置結(jié)合多個(gè)永磁體173中鄰接的永磁體173的同極。由 此,能夠使對(duì)位于結(jié)合位置時(shí)的被結(jié)合部件164的吸引力變高,并且能夠有效地阻斷位于 被結(jié)合位置時(shí)的磁力線。另外,在上述實(shí)施方式中,使用高透磁率部件181形成限制部件,但限制部件的構(gòu) 造并不限定于此。例如,也可以使用其它的永磁體、電磁鐵等,通過抵消永磁體173產(chǎn)生的 磁場(chǎng)而使磁場(chǎng)從被結(jié)合部件164遠(yuǎn)高。但是,工作中的電磁鐵會(huì)產(chǎn)生熱,因此可能對(duì)第一基 板162和第二基板172的定位造成影響。于是,在使用電磁鐵時(shí),優(yōu)選使其工作時(shí)間較短。圖40是表示結(jié)合部件174的其它方式的截面圖。該結(jié)合部件174在盒體178的 內(nèi)部具有同心狀地被收納的永磁體173和磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈177。永磁體173以其下端和上端顯示特定的磁極的方式勵(lì)磁。在圖示的情況下,使下 端為S極,使上端為N極,但并不限于該方向。另一方面,磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈177,在電流流過時(shí),產(chǎn)生與永磁體173極性相反的磁場(chǎng)。 這樣,磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈177產(chǎn)生的磁場(chǎng)與永磁體173產(chǎn)生的磁場(chǎng)相抵消,磁力不會(huì)影響到盒體 178的外部。在接合裝置100安裝有這樣的結(jié)合部件174的情況下,使磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈177動(dòng)作, 直至第一基板162和第二基板172的位置匹配結(jié)束,使得不產(chǎn)生吸附被結(jié)合部件164的磁 力。另一方面,在位置匹配結(jié)束、第一基板162和第二基板172已接合時(shí),緩慢減少磁場(chǎng)產(chǎn)生 線圈177產(chǎn)生的反極性的磁場(chǎng),能夠不產(chǎn)生沖擊地吸附被結(jié)合部件164。此外,在使磁場(chǎng)產(chǎn) 生線圈177動(dòng)作的期間,限于進(jìn)行第一基板162和第二基板172的位置匹配的期間,因此, 從磁場(chǎng)產(chǎn)生線圈177產(chǎn)生的熱對(duì)位置匹配精度造成的影響被抑制。圖41是表示其它實(shí)施方式的磁場(chǎng)控制部180的構(gòu)造的圖。另外,除了磁場(chǎng)控制部 180安裝在第二基板組裝體170這一點(diǎn)之外,圖示的第一基板組裝體160和第二基板組裝體 170的構(gòu)造與其它實(shí)施方式相同。于是,對(duì)共用的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的參照符號(hào),省略重復(fù)說明。磁場(chǎng)控制部180包括托架187、軸支承部189、支承部件182和高透磁率部件181。托架187安裝在第二固定部件176的側(cè)方端面,向第二固定部件176的徑方向外側(cè)延伸。軸 支承托架187從托架187向下方垂直延伸。支承部件182的一端在軸支承部189的下端附近,以在水平的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)自由的方 式被支承。支承部件182的另一端支承高透磁率部件181。在圖示的狀態(tài)中,高透磁率部件 181配置在結(jié)合部件174的下端面的正下方。由此,如參照?qǐng)D30已說明的那樣,永磁體173產(chǎn)生的磁通的大部分通過高透磁率 部件181的內(nèi)部。于是,永磁體173的磁場(chǎng)從第一基板組裝體160側(cè)的被結(jié)合部件164遠(yuǎn) 離,不會(huì)被結(jié)合部件174吸附。換言之,能夠不受永磁體173的磁場(chǎng)的影響地將第一基板組 裝體160對(duì)第二基板組裝體170定位。圖42是說明圖41所示的磁場(chǎng)控制部180的動(dòng)作的圖。如圖所示,通過使支承部 件182圍繞軸支承部189旋轉(zhuǎn),高透磁率部件181從結(jié)合部件174遠(yuǎn)離。由此,永磁體173 的磁場(chǎng)向下方擴(kuò)展,吸附被結(jié)合部件164。于是,固定于第一固定部件166的第一基板162 被向第二基板172按壓,第一基板162和第二基板172接合。圖43是表示抽出其它實(shí)施方式的基板接合裝置100的一部分的圖。除了以下說 明的部分,基板接合裝置100具有與其它實(shí)施方式共同的結(jié)構(gòu)。于是,對(duì)相同要素標(biāo)注相同 的參照符號(hào),省略重復(fù)說明。在基板接合裝置100中,第二固定部件保持部142具有垂直貫通永磁體173和安 裝部件175,延伸至結(jié)合部件174的下方的推動(dòng)銷188。推動(dòng)銷188的下端與第一基板組裝 體160的被結(jié)合部件164上表面抵接。由此,即使被結(jié)合部件164被結(jié)合部件174吸引,也 限制其吸附。于是,也能夠限制第一基板162和第二基板172的接合。此外,在基板接合裝置100中,利用固定具163隔著兩端被固定的板簧161對(duì)第一 固定部件166安裝有被結(jié)合部件164。板簧161向與第一固定部件166接近的方向?qū)Ρ唤Y(jié) 合部件164施力。由此,在圖示的狀態(tài)中,被結(jié)合部件164和板簧161與第一固定部件166 大致緊密接合。圖44是說明圖43所示的基板接合裝置100的動(dòng)作的圖。如圖所示,通過使推動(dòng) 銷188相對(duì)第二固定部件保持部142上升,解除對(duì)被結(jié)合部件164的限制,被結(jié)合部件164 吸附于結(jié)合部件174。進(jìn)一步,結(jié)合部件174的對(duì)被結(jié)合部件164的吸引力使板簧161變形。由此,板簧 161要回到原來的平坦形狀的作用力將第一固定部件166向第二固定部件176吸引。于是, 被第一固定部件166和第二固定部件176夾持的第一基板162和第二基板172相互被按壓 而接合。由此,能夠限制被結(jié)合部件164和結(jié)合部件174的吸附,直至第一固定部件166對(duì) 第二固定部件176的定位完成。此外,在被結(jié)合部件164被結(jié)合部件174吸引直至吸附的 過程中,能夠抑制第一基板組裝體160的移動(dòng)速度,緩和吸附瞬間的沖擊。另外,使推動(dòng)銷升降的驅(qū)動(dòng)部的圖示被省略,能夠任意地選擇利用工作流體或電 磁力的致動(dòng)器。但是,從抵抗結(jié)合部件174對(duì)被結(jié)合部件164的吸引力,限制被結(jié)合部件 164的吸附的作用的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選選擇具有能夠抵抗吸附力的靜止力的致動(dòng)器。
以上,使用實(shí)施方式說明了本發(fā)明,但是本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限定于上述實(shí)施 方式所記載的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠明白,能夠?qū)ι鲜鰧?shí)施方式進(jìn)行各種變更或改 良。根據(jù)權(quán)利要求的范圍的記載能夠明確,這樣進(jìn)行了各種變更或改良的方式也包含于本 發(fā)明的技術(shù)范圍。
應(yīng)該注意的是,在權(quán)利要求、說明書和附圖中表示的裝置、系統(tǒng)、程序和方法中的 動(dòng)作、順序、步驟和階段等的各處理的實(shí)施順序,并沒有特別明確“在其之前”、“在其之后” 等,此外,只要沒有將前面的處理的輸出用于后面的處理,就能夠以任意的順序?qū)嵤?。關(guān)于 權(quán)得要求、說明書和附圖中的動(dòng)作順序,為了方便,使用了“首先”、“接著”等語(yǔ)言,但這并非 意味著必須以該順序?qū)嵤?br> 權(quán)利要求
一種基板保持部件,其用于保持位置匹配且疊層的一對(duì)基板,所述基板保持部件其包括第一保持部件,其保持所述一對(duì)基板中的一方;多個(gè)被結(jié)合部件,其與所述第一保持部件連結(jié);第二保持部件,其與所述一方的基板相對(duì)并保持所述一對(duì)基板中的另一方的基板;多個(gè)結(jié)合部件,其具有作用于所述被結(jié)合部件的吸附力,并與所述被結(jié)合部件的位置對(duì)應(yīng)地與所述第二保持部件連結(jié);以及吸附限制部,其限制所述吸附力直至所述一對(duì)基板位置匹配,在所述一對(duì)基板位置匹配而被接合后,所述被結(jié)合部件和所述結(jié)合部件相互吸附。
2.如權(quán)利要求1所述的基板保持部件,其中, 所述被結(jié)合部件包含磁性體所述結(jié)合部件包含磁體所述結(jié)合部件產(chǎn)生通過磁力吸附所述被結(jié)合部件的吸附力。
3.如權(quán)利要求2所述的基板保持部件,其中,所述多個(gè)被結(jié)合部件或所述多個(gè)結(jié)合部件分別經(jīng)由在與所述一對(duì)基板的面方向正交 的方向上彈性支承的多個(gè)彈性部件而與所述第一保持部件或所述第二保持部件連結(jié)。
4.如權(quán)利要求3所述的基板保持部件,其中,所述彈性部件含有磁性體,并構(gòu)成所述被結(jié)合部件的一部分。
5.如權(quán)利要求3或4所述的基板保持部件,其中, 所述多個(gè)彈性部件分別具有固定部,其固定于所述第一保持部件或所述第二保持部件;以及 結(jié)合部,其與所述被結(jié)合部件或所述結(jié)合部件結(jié)合,所述結(jié)合部和所述固定部中的一方的位置相對(duì)于所述結(jié)合部和所述固定部中的另一 方的位置對(duì)稱,所述彈性部件在所述被結(jié)合部件和所述結(jié)合部件結(jié)合時(shí)彈性變形。
6.如權(quán)利要求5所述的基板保持部件,其中,所述彈性部件是具有一對(duì)隙縫的板簧,該一對(duì)隙縫相對(duì)于所述結(jié)合部或所述固定部對(duì) 稱且相互隔開間隔配置。
7.如權(quán)利要求6所述的基板保持部件,其中,所述板簧在被所述一對(duì)隙縫夾著的區(qū)域的外側(cè),具有相對(duì)于所述結(jié)合部或所述固定部 對(duì)稱地配置的一對(duì)所述固定部或所述結(jié)合部。
8.如權(quán)利要求6或7所述的基板保持部件,其中,所述第一保持部件和所述第二保持部件的一方具有圓盤狀的形狀, 所述板簧以所述隙縫的長(zhǎng)度方向沿著該圓盤的徑向的方式配置。
9.如權(quán)利要求3 8中任一項(xiàng)所述的基板保持部件,其中,所述第一保持部件和所述第二保持部件的一方具有圓盤狀的形狀, 所述多個(gè)結(jié)合部件和所述多個(gè)被結(jié)合部件在該圓盤的周向分別等間隔配置。
10.一種基板接合裝置,其用于使一對(duì)基板位置匹配而進(jìn)行疊層,其包括 第一保持部件支承部,其支承保持所述一對(duì)基板中的一方的基板的第一保持部件;多個(gè)被結(jié)合部件,其與所述第一保持部件連結(jié);第二保持部件支承部,其支承與所述一方的基板相對(duì)并保持所述一對(duì)基板中的另一方 的基板的第二保持部件;多個(gè)結(jié)合部件,其與所述被結(jié)合部件的位置對(duì)應(yīng)地與所述第二保持部件連結(jié),并具有 作用于所述被結(jié)合部件的吸附力;位置匹配驅(qū)動(dòng)部,其使所述一對(duì)基板相互位置匹配;疊層驅(qū)動(dòng)部,其將所述第一保持部件支承部和所述第二保持部件支承部中的一方向另 一方驅(qū)動(dòng);以及吸附限制部,其限制所述吸附力直至所述一對(duì)基板位置匹配,利用所述位置匹配驅(qū)動(dòng)部使所述一對(duì)基板位置匹配,利用所述疊層驅(qū)動(dòng)部使所述一對(duì) 基板疊層,然后所述吸附限制部解除所述被結(jié)合部件和所述結(jié)合部件間的吸附的限制。
11.如權(quán)利要求10所述的基板接合裝置,其中,所述吸附限制部設(shè)置于所述位置匹配驅(qū)動(dòng)部。
12.如權(quán)利要求10或權(quán)利要求11所述的基板接合裝置,其中,所述被結(jié)合部件包含磁性體,所述結(jié)合部件包含磁體,所述結(jié)合部件產(chǎn)生通過磁力吸附所述被結(jié)合部件的吸附力。
13.如權(quán)利要求12所述的基板接合裝置,其中,所述吸附限制部與所述被結(jié)合部件或所述結(jié)合部件抵接,并且沿所述驅(qū)動(dòng)部的驅(qū)動(dòng)方 向移動(dòng)。
14.如權(quán)利要求12所述的基板接合裝置,其中,所述吸附限制部是維持所述被結(jié)合部件或所述結(jié)合部件中的一方遠(yuǎn)離另一方的狀態(tài) 的隔離部。
15.如權(quán)利要求12所述的基板接合裝置,其中,所述吸附限制部通過抑制彈性支承所述結(jié)合部件或所述被結(jié)合部件的彈性部件的彈 性變形,限制所述被結(jié)合部件的吸附。
16.如權(quán)利要求12所述的基板接合裝置,其中,所述吸附限制部由具有比所述磁性體的透磁率高的透磁率的材料形成,使所述結(jié)合部 件產(chǎn)生的磁場(chǎng)遠(yuǎn)離所述被結(jié)合部件,直至所述被結(jié)合部件和所述結(jié)合部件的間隔成為規(guī)定 的間隔。
17.如權(quán)利要求16所述的基板接合裝置,其中,所述吸附限制部包含沿著相對(duì)于所述一對(duì)基板的面方向上的所述結(jié)合部件的幾何中 心而呈對(duì)稱的方向移動(dòng)的多個(gè)部分。
18.如權(quán)利要求16或權(quán)利要求17所述的基板接合裝置,其中,所述吸附限制部具有在面對(duì)所述一對(duì)基板的面方向上的所述結(jié)合部件的幾何中心的 位置形成的貫通孔。
19.如權(quán)利要求18所述的基板接合裝置,其中,所述吸附限制部具有在所述面方向上比所述結(jié)合部件大的尺寸,并具有在所述吸附限 制部移動(dòng)時(shí)供所述結(jié)合部件插通的貫通孔。
20.如權(quán)利要求16所述的基板接合裝置,其中,所述結(jié)合部件包含在所述一對(duì)基板的面方向分極、并且相互使同極相對(duì)而排列的多個(gè) 永磁體,所述吸附限制部包含在連結(jié)所述多個(gè)永磁體的各個(gè)的異極的位置和連結(jié)所述多個(gè)永 磁體中鄰接的永磁體的同極的位置之間移動(dòng)的磁性體。
21.一種疊層基板制造裝置,其包括權(quán)利要求10 20中任一項(xiàng)所述的接合裝置;以及加壓裝置,其對(duì)在所述接合裝置中位置匹配并疊層后的一對(duì)基板加壓使該一對(duì)基板貼
22.—種使一對(duì)基板相互位置匹配且進(jìn)行疊層的基板接合方法,其包括 在具有被結(jié)合部件的第一保持部件上保持所述一對(duì)基板中的一方的步驟;在具有產(chǎn)生作用于所述被結(jié)合部件的吸附力的結(jié)合部件的第二保持部件上與所述一 對(duì)基板中的一方相對(duì)地保持所述一對(duì)基板中的另一方的步驟; 使所述一對(duì)基板相互位置匹配的步驟;以及作用所述吸附力使所述被結(jié)合部件和所述結(jié)合部件吸附,在所述第一保持部件與所述 第二保持部件之間以疊層的狀態(tài)保持位置匹配的所述一對(duì)基板的步驟。
23.一種疊層基板制造方法,其在權(quán)利要求22所述的基板接合方法之后,還具有隔著 所述第一保持部件和所述第二保持部件對(duì)所述一對(duì)基板加壓而使一對(duì)基板貼合的步驟。
24.一種疊層型半導(dǎo)體裝置制造方法,其制造包括分別具有元件和電極并相互疊層的 一對(duì)半導(dǎo)體基板的疊層型半導(dǎo)體裝置,該疊層型半導(dǎo)體裝置制造方法包括在具有被結(jié)合部件的第一保持部件上保持一對(duì)半導(dǎo)體基板中的一方的步驟; 在具有產(chǎn)生作用于所述被結(jié)合部件的吸附力的結(jié)合部件的第二保持部件上與所述一 對(duì)半導(dǎo)體基板中的一方相對(duì)地保持所述一對(duì)基板中的另一方的步驟; 使所述一對(duì)半導(dǎo)體基板的對(duì)應(yīng)電極相互位置匹配的步驟;作用所述吸附力使所述被結(jié)合部件和所述結(jié)合部件吸附,在所述第一保持部件與所述 第二保持部件之間以疊層的狀態(tài)保持位置匹配的所述一對(duì)半導(dǎo)體基板的步驟;以及隔著所述第一保持部件和所述第二保持部件對(duì)所述一對(duì)半導(dǎo)體基板加壓而使所述一 對(duì)半導(dǎo)體基板貼合的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供基板保持部件、基板接合裝置、疊層基板制造裝置、基板接合方法、疊層基板制造方法和疊層半導(dǎo)體裝置制造方法。使用利用永磁體的吸引力夾持接合基板的基板保持部件,接合基板。本發(fā)明的保持位置匹配而疊層的一對(duì)基板的基板保持部件包括第一保持部件,其保持一對(duì)基板中的一方;多個(gè)被結(jié)合部件,其與第一保持部件連結(jié);第二保持部件,其與一方的基板相對(duì)并保持一對(duì)基板的另一方的基板;多個(gè)結(jié)合部件,其具有作用于被結(jié)合部件的吸附力,并與被結(jié)合部件的位置對(duì)應(yīng)地與第二保持部件連結(jié);以及吸附限制部,其限制吸附力直至一對(duì)基板位置匹配。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101874288SQ200880114438
公開日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2008年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月30日
發(fā)明者前田榮裕, 片桐惠 申請(qǐng)人:株式會(huì)社尼康
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