專利名稱：：層疊型電子元器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及層疊型電子元器件及其制造方法，更特定而言，涉及含有諧振電路的層疊型電子元器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
：在專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2中，分別披露了將通孔導(dǎo)體用作電感器的內(nèi)置電感器電子元器件及層疊型LC元器件。在這些內(nèi)置電感器電子元器件及層疊型LC元器件中，通過(guò)調(diào)整多個(gè)通孔導(dǎo)體間的距離，或追加新的通孔導(dǎo)體，來(lái)調(diào)整電感器彼此之間的磁場(chǎng)耦合度。據(jù)此，在內(nèi)置電感器電子元器件及層疊型LC元器件中，得到期望的特性。然而，在調(diào)整通孔導(dǎo)體間的距離或者追加新的通孔導(dǎo)體時(shí)，需要再設(shè)計(jì)內(nèi)置電感器電子元器件及層疊型LC元器件，需要非常麻煩的操作。更詳細(xì)而言，需要變更用于在構(gòu)成內(nèi)置電感器電子元器件及層疊型LC元器件的陶瓷生片(greensheet)形成通孔導(dǎo)體的開(kāi)孔用程序，或重新設(shè)定用于在陶瓷生片進(jìn)行開(kāi)孔的裝置，或重新制作用于在陶瓷生片穿孔的金屬模。專利文獻(xiàn)1日本專利特開(kāi)平09-35936號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本專利特開(kāi)2002-57543號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的問(wèn)題因此，本發(fā)明的目的在于提供一種可以容易調(diào)整電感器彼此之間的磁場(chǎng)耦合度的層疊型電子元器件及其制造方法。用于解決問(wèn)題的方法本發(fā)明的特征在于，包括層疊含有第一絕緣體層及第二絕緣體層的多個(gè)絕緣體層而形成的層疊體；形成于所述層疊體內(nèi)的第一電容器及第二電容器；在所述層疊體內(nèi)沿層疊方向延伸而形成、起到作為第一電感器的作用的第一層間連接導(dǎo)體及第二層間連接導(dǎo)體；以及在所述層疊體內(nèi)沿層疊方向延伸而形成、起到作為與所述第一電感器進(jìn)行磁場(chǎng)耦合的第二電感器的作用的第三層間連接導(dǎo)體及第四層間連接導(dǎo)體，所述第一電容器及所述第一電感器形成第一諧振電路，并且所述第二電容器及所述第二電感器形成第二諧振電路，所述第一層間連接導(dǎo)體及所述第三層間連接導(dǎo)體在離開(kāi)第一距離的狀態(tài)下形成于所述第一絕緣體層，所述第二層間連接導(dǎo)體及所述第四層間連接導(dǎo)體在離開(kāi)與所述第一距離不同的第二距離的狀態(tài)下形成于所述第二絕緣體層。根據(jù)本發(fā)明，由于層間連接導(dǎo)體間的距離存在2種，因此通過(guò)使第一層間連接導(dǎo)體及第二層間連接導(dǎo)體的長(zhǎng)度、第三層間連接導(dǎo)體及第四層間連接導(dǎo)體的長(zhǎng)度變化，可以調(diào)整第一電感器與第二電感器的平均距離。其結(jié)果是，可以調(diào)整第一電感器與第二電感器的磁場(chǎng)耦合度。在本發(fā)明中，也可以在所述第一絕緣體層的主面內(nèi)，僅形成所述第一層間連接導(dǎo)體及所述第三層間連接導(dǎo)體，在所述第二絕緣體層的主面內(nèi)，僅形成所述第二層間連接導(dǎo)體及所述第四層間連接導(dǎo)體。在本發(fā)明中，也可以還包括形成于所述層疊體內(nèi)的接地電極，所述第一電容器及所述第二電容器，在層疊方向位于所述第一電感器及所述第二電感器、與所述接地電極之間。在本發(fā)明中，也可以還包括形成于所述層疊體內(nèi)的公共電極，所述第一層間連接導(dǎo)體與所述第二層間連接導(dǎo)體電連接，所述第三層間連接導(dǎo)體與所述第四層間連接導(dǎo)體電連接，所述第一層間連接導(dǎo)體對(duì)所述第一電容器連接，所述第三層間連接導(dǎo)體對(duì)所述第二電容器連接，所述第二層間連接導(dǎo)體及所述第四層間連接導(dǎo)體通過(guò)所述公共電極電連接。本發(fā)明對(duì)于層疊型電子元器件的制造方法也可以適用。具體而言，本發(fā)明是含有由第一電容器及第一電感器構(gòu)成的第一諧振電路和由第二電容器及第二電感器構(gòu)成的第二諧振電路的層疊型電子元器件的制造方法，其特征在于，包括將起到作為所述第一電感器的作用的第一層間連接導(dǎo)體和起到作為所述第二電感器的作用的第三層間連接導(dǎo)體、離開(kāi)第一距離而形成于第一絕緣體層的第一工序；將起到作為所述第一電感器的作用的第二層間連接導(dǎo)體和起到作為所述第二電感器的作用的第四層間連接導(dǎo)體、離開(kāi)與所述第一距離不同的第二距離而形成于第二絕緣體層的第二工序；以及層疊所述第一絕緣體層和所述第二絕緣體層的第三工序。在本發(fā)明中，也可以在所述第三工序中，為了調(diào)整所述層疊型電子元器件的特性，而調(diào)整所述第一絕緣體層的片數(shù)與所述第二絕緣體層的片數(shù)來(lái)進(jìn)行層疊。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，由于層間連接導(dǎo)體間的距離存在2種，因此通過(guò)使第一層間連接導(dǎo)體及第二層間連接導(dǎo)體的長(zhǎng)度、第三層間連接導(dǎo)體及第四層間連接導(dǎo)體的長(zhǎng)度變化，可以調(diào)整第一電感器與第二電感器的磁場(chǎng)耦合度。圖1(a)是從上表面?zhèn)扔^察第一實(shí)施方式所涉及的層疊型電子元器件的圖，圖1(b)是從下表面?zhèn)扔^察該層疊型電子元器件的圖。圖2是圖1所示的層疊型電子元器件的層疊體的分解立體圖。圖3是層疊型電子元器件的等效電路圖。圖4是圖1所示的層疊型電子元器件的A-A的截面構(gòu)造圖。圖5(a)是表示第一模式的層疊型電子元器件的損耗特性的曲線圖。圖5(b)是表示第二模式的層疊型電子元器件的損耗特性的曲線圖。圖5(c)是表示第三模式的層疊型電子元器件的損耗特性的曲線圖。圖6是表示作為絕緣體層使用的陶瓷生片的圖。圖7是表示層疊型電子元器件的損耗特性的曲線圖。圖8是變形例所涉及的層疊型電子元器件的截面構(gòu)造圖。圖9(a)是從上表面?zhèn)扔^察第二實(shí)施方式所涉及的層疊型電子元器件的圖，圖9(b)是從下表面?zhèn)扔^察該層疊型電子元器件的圖。圖10是圖9所示的層疊型電子元器件的層疊體的分解立體圖。圖11是圖9所示的層疊型電子元器件的A-A的截面構(gòu)造圖。具體實(shí)施例方式下面說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的層疊型電子元器件及其制造方法。(實(shí)施方式1)(關(guān)于層疊型電子元器件的結(jié)構(gòu))下面，參照本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的層疊型電子元器件。圖1是第一實(shí)施方式所涉及的層疊型電子元器件10的外觀立體圖。更詳細(xì)而言，圖1(a)是從上表面?zhèn)扔^察層疊型電子元器件10的圖，圖1(b)是從下表面?zhèn)扔^察層疊型電子元器件10的圖。圖2是層疊型電子元器件10的層疊體12的分解立體圖。圖3是層疊型電子元器件10的等效電路圖。圖4是圖1所示的層疊型電子元器件10的A-A的截面構(gòu)造圖。下面，如圖1所示，以層疊型電子元器件10的上表面的短邊方向作為X軸方向，以層疊型電子元器件10的上表面的長(zhǎng)邊方向作為y軸方向，以層疊型電子元器件10的層疊方向作為Z軸方向。首先，參照?qǐng)D1說(shuō)明層疊型電子元器件10的外觀。層疊型電子元器件10包括層疊體12及輸入用外部電極14a、輸出用外部電極14b、接地用外部電極16a、16b及方向識(shí)別標(biāo)記18。層疊體12是層疊有多個(gè)絕緣體層而形成，具有長(zhǎng)方體狀。在層疊體12內(nèi)，形成有多個(gè)電容器(未圖示)及電感器(未圖示)。輸入用外部電極14a形成于層疊體12的位于y軸方向的端部的端面，起到作為信號(hào)輸入的端子的作用。輸出用外部電極14b形成于與形成有輸入用外部電極14a的端面相對(duì)的端面，起到作為信號(hào)輸出的端子的作用。接地用外部電極16a形成于層疊體12的位于χ軸方向的端部的側(cè)面。接地用外部電極16b形成于與形成有接地用外部電極16a的側(cè)面相對(duì)的側(cè)面。方向識(shí)別標(biāo)記18形成于下表面，是為了識(shí)別層疊型電子元器件10的方向而形成。接下來(lái)，參照?qǐng)D2至圖4說(shuō)明層疊體12的內(nèi)部構(gòu)造。層疊體12如圖2所示，從上層到下層依次排列層疊有絕緣體層20a、20b、22、24、26、28、30a至30g、32、34a至34f、36、38、40，從而形成層疊體(絕緣體層30d至30f、34d、34e未圖示)。另外，在表示個(gè)別的絕緣體層30a至30g、34a至34f時(shí)，記為絕緣體層30a至30g、34a至34f；在總稱絕緣體層30a至30g、34a至34f時(shí)，記為絕緣體層30、34。絕緣體層20a、20b是在主面上什么也不形成的層。在絕緣體層22的主面上形成有內(nèi)部電極42。內(nèi)部電極42含有電容器電極42a及引出電極42b、42c。電容器電極42a是在絕緣體層22的主面上形成為長(zhǎng)方形的電極，如圖3及圖4所示，作為電容器Cl、C2的一個(gè)電極作用。引出電極42b的一端與電容器電極42a連接，并且另一端與圖1所示的接地用外部電極16a連接。引出電極42c的一端與電容器電極42a連接，并且另一端與圖1所示的接地用外部電極16b連接。因此，內(nèi)部電極42也作為接地電極作用。在絕緣體層24的主面上，形成有內(nèi)部電極44、46。內(nèi)部電極44含有電容器電極44a及引出電極44b。電容器電極44a是在絕緣體層24的主面上與電容器電極42a相對(duì)而形成為長(zhǎng)方形的電極，如圖3及圖4所示，起到作為電容器Cl的另一電極的作用。再有，電容器電極44a也起到作為電容器C3的一個(gè)電極的作用。引出電極44b的一端與電容器電極44a連接，并且另一端與圖1所示的輸出用外部電極14b連接。另外，內(nèi)部電極46含有電容器電極46a及引出電極46b。電容器電極46a是在絕緣體層24的主面上與電容器電極42a相對(duì)而形成為長(zhǎng)方形的電極，如圖3及圖4所示，起到作為電容器C2的另一電極的作用。再有，電容器電極46a也起到作為電容器C3的另一電極的作用。即，電容器電極44a、46a構(gòu)成電容器C3。引出電極46b的一端與電容器電極46a連接，并且另一端與圖1所示的輸入用外部電極14a連接。在絕緣體層26的主面上，形成有內(nèi)部電極(電容器電極)48。電容器電極48是在絕緣體層26的主面上分別與電容器電極44a、46a相對(duì)而形成為長(zhǎng)方形的電極，如圖3及圖4所示，構(gòu)成電容器C3的一部分。在絕緣體層28的主面上，形成有內(nèi)部電極50、52。內(nèi)部電極50含有電容器電極50a及引出電極50b。電容器電極50a是在絕緣體層28的主面上形成為長(zhǎng)方形的電極，如圖3及圖4所示，起到作為電容器C3的一個(gè)電極的作用。引出電極50b的一端與電容器電極50a連接，并且另一端與圖1所示的輸出用外部電極14b連接。另外，內(nèi)部電極52含有電容器電極52a及引出電極52b。電容器電極52a是在絕緣體層28的主面上形成為長(zhǎng)方形的電極，如圖3及圖4所示，起到作為電容器C3的另一電極的作用。即，電容器電極50a、52a構(gòu)成電容器C3。引出電極52b的一端與電容器電極52a連接，并且另一端與圖1所示的輸入用外部電極14a連接。再有，在絕緣體層28，形成有通孔導(dǎo)體51、53。通孔導(dǎo)體51、53分別對(duì)電容器電極50a、52a直接連接。另外，在絕緣體層30a至30g，分別形成有通孔導(dǎo)體54a至54g、56a至56g(通孔導(dǎo)體54b至54g、56b至56g未圖示)。絕緣體層30a至30g是具有相同結(jié)構(gòu)的部件。通過(guò)層疊絕緣體層28、30a至30g，通孔導(dǎo)體51、54a至54g形成作為在層疊體12內(nèi)沿層疊方向延伸的第一層間連接導(dǎo)體，如圖3及圖4所示，起到作為電感器LlA的作用。通過(guò)層疊絕緣體層28、30a至30g，通孔導(dǎo)體53、56a至56g形成作為在層疊體12內(nèi)沿層疊方向延伸的第三層間連接導(dǎo)體，如圖3及圖4所示，起到作為電感器L2A的作用。下面，在所指的是形成于各絕緣體層30a至30g的通孔導(dǎo)體時(shí)，記為通孔導(dǎo)體54a至54g、56a至56g；在所指的是連接有通孔導(dǎo)體51、54a至54g、53、56a至56g的通孔導(dǎo)體時(shí)，記為通孔導(dǎo)體54、56。再有，關(guān)于通孔導(dǎo)體51、54a至54g與通孔導(dǎo)體53、56a至56g，是在離開(kāi)第一距離Dl的狀態(tài)下形成于絕緣體層28、30a至30g。另外，在絕緣體層30a至30g的主面內(nèi)，僅形成通孔導(dǎo)體54a至54g、56a至56g。在絕緣體層32的主面上，形成有內(nèi)部電極58、60。內(nèi)部電極58是在絕緣體層32的主面上形成為長(zhǎng)方形的電極，連接有通孔導(dǎo)體54。內(nèi)部電極60是在絕緣體層32的主面狀形成為長(zhǎng)方形的電極，連接有通孔導(dǎo)體56。再有，在絕緣體層32，形成有通孔導(dǎo)體59、61。通孔導(dǎo)體59、61分別與內(nèi)部電極58,60連接。內(nèi)部電極58、60如圖3及圖4所示，起到使與電感器L1A、L2A電連接的電感器L1C、L2C相對(duì)于電感器L1A、L2A在xy平面內(nèi)錯(cuò)開(kāi)的作用。另外，內(nèi)部電極58、60分別如圖3及圖4所示，還起到作為電感器LIB、L2B的作用。另外，在絕緣體層34a至34f，分別形成有通孔導(dǎo)體62a至62f、64a至64f(通孔導(dǎo)體62b至62f、64b至64f未圖示)。絕緣體層34a至34f是具有相同結(jié)構(gòu)的部件。通過(guò)層疊絕緣體層32、34a至34f，通孔導(dǎo)體59、62a至62f形成作為在層疊體12內(nèi)沿層疊方向延伸的第二層間連接導(dǎo)體，起到作為電感器LlC的作用。通過(guò)層疊絕緣體層32、34a至34f，通孔導(dǎo)體61、64a至64f形成作為在層疊體12內(nèi)沿層疊方向延伸的第四層間連接導(dǎo)體，起到作為電感器L2C的作用。下面，在所指的是形成于各絕緣體層34a至34f的通孔導(dǎo)體時(shí)，記為通孔導(dǎo)體62a至62f、64a至64f；在所指的是連接有通孔導(dǎo)體59、62a至62f、61、64a至64f的通孔導(dǎo)體時(shí)，記為通孔導(dǎo)體62、64。再有，關(guān)于通孔導(dǎo)體59、62a至62f與通孔導(dǎo)體61、64a至64f，是在離開(kāi)小于第一距離的第二距離D2的狀態(tài)下形成于絕緣體層32、34a至34f。另外，在絕緣體層34a至34f的主面內(nèi)，僅形成通孔導(dǎo)體62a至62f、64a至64f。在絕緣體層36的主面上，形成有內(nèi)部電極66、68。內(nèi)部電極66含有電感器電極66a、66b及引出電極66c，起到作為公共電極的作用。電感器電極66a、66b分別是在絕緣體層36的主面上形成為長(zhǎng)方形的電極，與接地用外部電極16b—起起到作為電感器L3的作用。電感器電極66a、66b的一端分別與通孔導(dǎo)體62、64連接。引出電極66c的一端與電感器電極66a、66b連接，另一端與接地用外部電極16a連接。據(jù)此，電感器LlC與電感器L2C通過(guò)內(nèi)部電極66電連接。另外，內(nèi)部電極68沿著與形成有引出電極66c的邊相對(duì)的邊形成。該內(nèi)部電極68從電感器電極66a、66b離開(kāi)預(yù)定的間隔而形成，其一端與接地用外部電極16b連接。絕緣體層38是在主面上什么也不形成的層。絕緣體層40在下層側(cè)的主面，形成有輸入用外部電極14a、輸出用外部電極14b、接地用外部電極16a、16b及方向識(shí)別標(biāo)記18的各一部分。通過(guò)層疊如上所述構(gòu)成的絕緣體層20a、20b、22、24、26、28、30a至30g、32、34a至34f、36、38、40，構(gòu)成具有圖3所示的等效電路、具有圖4所示的截面構(gòu)造的層疊型電子元器件10。此處，說(shuō)明圖3所示的等效電路。層疊型電子元器件10的等效電路包括電容器Cl、C2、C3、電感器L1A、LIB、L1C、L2A、L2B、L2C、L3、輸入端子Pl及輸出端子P2，構(gòu)成帶通濾波器。另外，輸入端子Pl相當(dāng)于圖1的輸入用外部電極14a，輸出端子P2相當(dāng)于圖1的輸出用外部電極14b。電容器Cl與電感器L1A、L1B、L1C并聯(lián)連接，形成諧振電路LCI。電容器C2與電感器L2A、L2B、L2C并聯(lián)連接，形成諧振電路LC2。諧振電路LCl的一端與輸入端子Pl連接，諧振電路LCl的另一端與電感器L3連接。另外，諧振電路LC2的一端與輸出端子P2連接，諧振電路LC2的另一端與電感器L3連接。電感器L3的一端接地。即，電感器L3的另一端相當(dāng)于接地用外部電極16a、16b。再有，在輸入端子Pl與輸出端子P2之間，設(shè)有用于使各諧振電路LCI、LC2耦合的電容器C3。在如上所述構(gòu)成的層疊型電子元器件10中，通過(guò)在電感器LlA與電感器L2A之間形成互感Ml，并且在電感器LlC與電感器L2C之間形成互感M2，諧振電路LCl與諧振電路LC2進(jìn)行磁場(chǎng)耦合。諧振電路LCl與諧振電路LC2的磁場(chǎng)耦合度取決于圖2及圖4的通孔導(dǎo)體54、56、62、64的各長(zhǎng)度、以及距離D1、D2的大小。因此，在層疊型電子元器件10中，通過(guò)調(diào)整絕緣體層30及絕緣體層34的各自片數(shù)，可以得到具有期望特性的帶通濾波器。另夕卜，關(guān)于絕緣體層30、34的片數(shù)的調(diào)整，將后述。(關(guān)于層疊型電子元器件的制造方法)接下來(lái)，參照?qǐng)D1及圖2說(shuō)明層疊型電子元器件10的制造方法。首先，制作作為絕緣體層2(^、2013、22、24、26、28、3(^至3(^、32、343至34廠36、38、40使用的陶瓷生片。例如，稱量適當(dāng)比率的氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鋇(BaO2)、氧化鋯(ZrO2)、氧化硼(B2O3)等，以得到期望的磁導(dǎo)率、介電常數(shù)等特性，將各材料作為原材料投入球磨機(jī)，進(jìn)行濕法攪拌。將得到的混合物干燥后粉碎，將得到的粉末在800至900°C下預(yù)燒1至2小時(shí)。將得到的預(yù)燒粉末用球磨機(jī)進(jìn)行濕法粉碎后，干燥后破碎，得到陶瓷粉末。對(duì)該陶瓷粉末添加粘合劑(乙酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等)和增塑劑、濕潤(rùn)劑、分散劑，用球磨機(jī)進(jìn)行混合，之后，利用減壓進(jìn)行脫泡。利用刮刀法將得到的陶瓷漿料形成為片狀使其干燥，制作具有期望膜厚的陶瓷生片。接下來(lái)，對(duì)于作為絕緣體層28、30a至30g使用的陶瓷生片，形成圖2所示的通孔導(dǎo)體51、54a至54g與通孔導(dǎo)體53、56a至56g，使它們離開(kāi)第一距離D1。更詳細(xì)而言，對(duì)陶瓷生片使用激光束等來(lái)形成貫穿孔，通過(guò)對(duì)該貫穿孔利用印刷涂布等方法填充Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等的導(dǎo)電糊料，形成通孔導(dǎo)體51、54a至54g、53、56a至56g。接下來(lái)，對(duì)于作為絕緣體層32、34a至34f使用的陶瓷生片，形成圖2所示的通孔導(dǎo)體59、62a至62f與通孔導(dǎo)體61、64a至64f，使它們離開(kāi)第二距離D2。另外，由于通孔導(dǎo)體59、61、62a至62f、64a至64f的形成方法的細(xì)節(jié)與通孔導(dǎo)體51、53、54a至54g、56a至56g的形成方法的細(xì)節(jié)相同，因此省略說(shuō)明。接下來(lái)，通過(guò)在用于絕緣體層22、24、26、28、32、36的陶瓷生片的主面上，用絲網(wǎng)印刷法或光刻法等方法涂布導(dǎo)電性糊料，形成內(nèi)部電極42、44、46、48、50、52、58、60、66、68。再有，利用同樣的方法，在用于絕緣體層40的陶瓷生片的主面上，形成輸入用外部電極14a、輸出用外部電極14b、接地用外部電極16a、16b及方向識(shí)別標(biāo)記18的一部分。接下來(lái)，層疊陶瓷生片，形成未燒成的母板層疊體。此時(shí)，調(diào)整絕緣體層30、34的各自的片數(shù)，調(diào)整通孔導(dǎo)體54、56、59、61的長(zhǎng)度，以得到期望特性(頻帶寬度及衰減特性)的帶通濾波器。然后，分別重疊預(yù)定片數(shù)的陶瓷生片，進(jìn)行預(yù)壓接。若完成所有的預(yù)壓接，則利用靜液壓等對(duì)母板層疊體進(jìn)行正式壓接。接下來(lái)，將未燒成的母板層疊體，利用切割機(jī)等切割為各個(gè)層疊體。據(jù)此，得到長(zhǎng)方體狀的層疊體。接下來(lái)，對(duì)該層疊體實(shí)施脫粘合劑處理及燒成。據(jù)此，得到燒成的層疊體12。接下來(lái)，通過(guò)在層疊體12的表面，例如利用浸漬法等已知的方法涂布及燒接主成分為銀、銅、鈀等的電極糊料，形成具有圖1所示的形狀的銀電極、銅電極、鈀電極等。最后，通過(guò)在燒接的銀電極、銅電極、鈀電極等的表面，實(shí)施鍍鎳及鍍錫或者鍍鎳及焊料鍍覆，完成輸入用外部電極14a、輸出用外部電極14b、接地用外部電極16a、16b及方向識(shí)別標(biāo)記18。經(jīng)過(guò)以上的工序，完成圖1所示的層疊型電子元器件10。另外，作為層疊型電子元器件10的制造方法，說(shuō)明了片材層疊法，但層疊型電子元器件10的制造方法不限于此。例如，也可以利用逐次印刷層疊法或轉(zhuǎn)印層疊法來(lái)制造層疊型電子元器件10。(效果)根據(jù)上述層疊型電子元器件10及其制造方法，可以使電感器L1A、LlC與電感器L2A、L2C的耦合度容易變化，可以容易得到具有多種特性的層疊型電子元器件10。下面詳細(xì)說(shuō)明。在專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2披露的內(nèi)置電感器電子元器件及層疊型LC元器件中，為了得到具有多種特性的內(nèi)置電感器電子元器件及層疊型LC元器件，利用調(diào)整通孔導(dǎo)體間的距離的方法或者追加通孔導(dǎo)體的方法，來(lái)使電感器彼此之間的磁場(chǎng)耦合度變化。然而，在這些方法中，需要再設(shè)計(jì)內(nèi)置電感器電子元器件及層疊型LC元器件，需要非常麻煩的操作。更詳細(xì)而言，需要變更用于在構(gòu)成內(nèi)置電感器電子元器件及層疊型LC元器件的陶瓷生片(greensheet)形成通孔導(dǎo)體的開(kāi)孔用程序，或重新設(shè)定用于在陶瓷生片進(jìn)行開(kāi)孔的裝置，或重新制作用于在陶瓷生片穿孔的金屬模。與之不同的是，根據(jù)層疊型電子元器件10及其制造方法，只需調(diào)整絕緣體層30、34的各自層疊的片數(shù)，就可以調(diào)整通孔導(dǎo)體54、56、62、64的長(zhǎng)度，可以調(diào)整電感器L1A、L1C與電感器L2A、L2C的磁場(chǎng)耦合度。因此，只要設(shè)計(jì)1種層疊型電子元器件10，若調(diào)整絕緣體層30、34的片數(shù)，就可以得到具有多種特性的層疊型電子元器件10。下面，使用表1及圖5說(shuō)明其一個(gè)例子。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>表1是不使絕緣體層的合計(jì)片數(shù)變化而使絕緣體層30、34的片數(shù)以3種模式變化時(shí)的、電感器L1A、L1C與電感器L2A、L2C的磁場(chǎng)耦合度的比較的表。具體而言，在第一模式的層疊型電子元器件10中，層疊11片絕緣體層30、2片絕緣體層34。在第二模式的層疊型電子元器件10中，層疊7片絕緣體層30、6片絕緣體層34。另外，圖2所示的層疊型電子元器件10相當(dāng)于該第二模式的層疊型電子元器件10。在第三模式的層疊型電子元器件10中，層疊3片絕緣體層30、10片絕緣體層34。另外，圖5(a)是表示第一模式的層疊型電子元器件10的損耗特性的曲線圖。圖5(b)是表示第二模式的層疊型電子元器件10的損耗特性的曲線圖。圖5(c)是表示第三模式的層疊型電子元器件10的損耗特性的曲線圖?？v軸表示損耗，橫軸表示頻率。在以第二模式的層疊型電子元器件10的通孔導(dǎo)體54、56、62、64的長(zhǎng)度為標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，在第一模式的層疊型電子元器件10中，間隔相對(duì)較大的通孔導(dǎo)體62、64相對(duì)較長(zhǎng)，間隔相對(duì)較小的通孔導(dǎo)體59、61相對(duì)較短。因此，第一模式的層疊型電子元器件10的電感器L1A、LlC與電感器L2A、L2C之間的平均距離，大于第二模式的層疊型電子元器件10的電感器L1A、L1C與電感器L2A、L2C之間的平均距離。其結(jié)果是，如表1所示，第一模式的層疊型電子元器件10的磁場(chǎng)耦合度，小于第二模式的層疊型電子元器件10的磁場(chǎng)耦合度。據(jù)此，如圖5(a)及圖5(b)所示，第一模式的層疊型電子元器件10成為具有比第二模式的層疊型電子元器件10的頻帶要窄的濾波器特性的帶通濾波器。另一方面，在第三模式的層疊型電子元器件10中，間隔相對(duì)較大的通孔導(dǎo)體54、56相對(duì)較短，間隔相對(duì)較小的通孔導(dǎo)體62、64相對(duì)較長(zhǎng)。因此，第三模式的層疊型電子元器件10的電感器L1A、L1C與電感器L2A、L2C之間的平均距離，小于第二模式的層疊型電子元器件10的電感器L1A、LlC與電感器L2A、L2C之間的平均距離。其結(jié)果是，如表1所示，第三模式的層疊型電子元器件10的磁場(chǎng)耦合度，大于第二模式的層疊型電子元器件10的磁場(chǎng)耦合度。據(jù)此，如圖5(b)及圖5(c)所示，第三模式的層疊型電子元器件10成為具有比第二模式的層疊型電子元器件10的頻帶要寬的濾波器特性的帶通濾波器。另外，在層疊型電子元器件10中，如圖2所示，由于設(shè)有內(nèi)部電極68，因此可以抑制電感器電極66a、66b的電位偏離。下面，參照?qǐng)D6進(jìn)行說(shuō)明。圖6是表示作為絕緣體層36使用的陶瓷生片的圖。在沒(méi)有內(nèi)部電極68時(shí)，電感器電極66a、66b的電位受到最接近配置的接地用外部電極16b的電位的影響最強(qiáng)。該接地用外部電極16b由于是利用絲網(wǎng)印刷等形成的，因此在制造誤差的范圍內(nèi)，接地用外部電極16b的形成位置會(huì)出現(xiàn)偏離。另外，在制造誤差的范圍內(nèi)，電感器電極66a、66b的形成位置也會(huì)出現(xiàn)偏離。其結(jié)果是，接地用外部電極16b與電感器電極66a、66b的距離會(huì)出現(xiàn)偏離，電感器電極66a、66b的電位受到接地用外部電極16b的電位的影響也產(chǎn)生偏差。因此，在層疊型電子元器件10中，在從電感器電極66a、66b離開(kāi)預(yù)定距離的位置，形成施加接地電位的內(nèi)部電極68。據(jù)此，電感器電極66a、66b的電位受到內(nèi)部電極68的電位的影響最強(qiáng)。因此，電感器電極66a、66b難以受到來(lái)自接地用外部電極16a、16b的影響。再有，內(nèi)部電極68如圖6所示，在陶瓷生片上，在與內(nèi)部電極66相連的狀態(tài)下隔開(kāi)預(yù)定距離利用絲網(wǎng)印刷等形成。之后，通過(guò)切割該陶瓷生片，切斷內(nèi)部電極66與內(nèi)部電極68。因此，即使陶瓷生片的切割位置偏離，內(nèi)部電極66(電感器電極66a、66b)與內(nèi)部電極68的距離也不會(huì)偏離。其結(jié)果是，內(nèi)部電極66的電位受到內(nèi)部電極68的電位的影響難以產(chǎn)生偏差。另外，根據(jù)層疊型電子元器件10，形成有電容器C3。這樣，通過(guò)形成電容器C3，如表示圖7所示的層疊型電子元器件10的損耗特性的曲線圖所示，可以使損耗特性的兩端陡峭變化(產(chǎn)生衰減極)。其結(jié)果是，可以得到具有窄頻帶的濾波器特性的層疊型電子元器件10。再有，根據(jù)層疊型電子元器件10，形成有電感器L3。通過(guò)調(diào)整該電感器L3的電感量，可以將圖7所示的曲線圖的損耗特性的高頻側(cè)的衰減極的頻率從虛線調(diào)整為實(shí)線。再有，根據(jù)層疊型電子元器件10，電容器Cl、C2在ζ軸方向位于電感器LlA至L1C、L2A至L2C、與接地電極即內(nèi)部電極42之間。據(jù)此，從下面說(shuō)明可知，抑制濾波器的插入損耗的下降。更詳細(xì)而言，在將層疊型電子元器件10安裝在基板上，使得電容器電極44a、46a與內(nèi)部電極42相比位于基板側(cè)時(shí)，由于電容器電極44a、46a隱藏在內(nèi)部電極42的下側(cè)，因此不會(huì)起到作為天線的作用。因而，抑制從電容器44a、46a輻射信號(hào)，抑制濾波器的插入損耗的下降。(變形例)另外，本發(fā)明所涉及的層疊型電子元器件10不限于上述實(shí)施方式，在其要點(diǎn)的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變更。作為層疊型電子元器件10，除帶通濾波器之外，有低通濾波器、高通濾波器等。再有，作為層疊型電子元器件10，也可以是將帶通濾波器組合而構(gòu)成的雙工器、或者將低通濾波器、高通濾波器、陷波電路或這些不同種類的電路組合的雙工器。再有，除雙工器以外，也可以是三工器(triplexer)、多工器(multiplexer)等那樣的含有在1個(gè)層疊體內(nèi)內(nèi)置多個(gè)濾波器的器件，也含有內(nèi)置有濾波器及其他電路的器件。再有，也可以是與由通孔導(dǎo)體構(gòu)成的電感器一起、將耦合線形成于絕緣體層的層疊方向的內(nèi)置帶通濾波器的耦合器。另外，在層疊型電子元器件10中，通過(guò)調(diào)整絕緣體層30、34的片數(shù)，來(lái)調(diào)整通孔導(dǎo)體54、56、59、61的長(zhǎng)度，但通孔導(dǎo)體54、56、59、61的長(zhǎng)度的調(diào)整方法不限于此。例如，也可以通過(guò)調(diào)整絕緣體層30、34的厚度，來(lái)調(diào)整通孔導(dǎo)體54、56、59、61的長(zhǎng)度。圖8是變形例所涉及的層疊型電子元器件IOa的截面構(gòu)造圖。如圖8所示的層疊型電子元器件IOa那樣，通孔導(dǎo)體54與通孔導(dǎo)體62可以相連為1條。此時(shí)，不需要內(nèi)部電極58。在層疊型電子元器件IOa中，由于不必使用內(nèi)部電極58使通孔導(dǎo)體54與通孔導(dǎo)體62錯(cuò)開(kāi)，因此它們之間的斷線問(wèn)題不復(fù)存在。(實(shí)施方式2)(關(guān)于層疊型電子元器件的結(jié)構(gòu))下面，參照本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的層疊型電子元器件。圖9是第二實(shí)施方式所涉及的層疊型電子元器件IOb的外觀立體圖。更詳細(xì)而言，圖9(a)是從上表面?zhèn)扔^察層疊型電子元器件IOb的圖，圖9(b)是從下表面?zhèn)扔^察層疊型電子元器件IOb的圖。圖10是層疊型電子元器件IOb的層疊體12的分解立體圖。圖11是圖9所示的層疊型電子元器件IOb的A-A的截面構(gòu)造圖。下面，如圖9所示，以層疊型電子元器件IOb的上表面的短邊方向作為χ軸方向，以層疊型電子元器件IOb的上表面的長(zhǎng)邊方向作為y軸方向，以層疊型電子元器件IOb的層疊方向作為ζ軸方向。另外，層疊型電子元器件IOb的等效電路圖引用圖3。首先，參照?qǐng)D9說(shuō)明層疊型電子元器件IOb的外觀。層疊型電子元器件IOb包括層疊體12及輸入用外部電極14a、輸出用外部電極14b、接地用外部電極16a、16b及方向識(shí)別標(biāo)記18。層疊體12是層疊有多個(gè)絕緣體層而形成，具有長(zhǎng)方體狀。在層疊體12內(nèi)，形成有多個(gè)電容器(未圖示)及電感器(未圖示)。輸入用外部電極14a形成于層疊體12的位于y軸方向的端部的端面，起到作為信號(hào)輸入的端子的作用。輸出用外部電極14b形成于與形成有輸入用外部電極14a的端面相對(duì)的端面，起到作為信號(hào)輸出的端子的作用。接地用外部電極16a形成于層疊體12的位于χ軸方向的端部的側(cè)面。接地用外部電極16b形成于與形成有接地用外部電極16a的側(cè)面相對(duì)的側(cè)面。方向識(shí)別標(biāo)記18形成于上表面，是為了識(shí)別層疊型電子元器件IOb的方向而形成。接下來(lái)，參照?qǐng)D10及圖11說(shuō)明層疊體12的內(nèi)部構(gòu)造。層疊體12如圖10所示，從上層到下層依次排列層疊有絕緣體層140、136、134a至134f、132、130a至130g、128、126、124、122、120a、120b，從而形成層疊體(絕緣體層130d至30f、134d、134e未圖示)。另外，在表示個(gè)別的絕緣體層130a至130g、134a至134f時(shí)，記為絕緣體層130a至130g、134a至134f；在總稱絕緣體層130a至130g、134a至134f時(shí)，記為絕緣體層130、134。絕緣體層120a、120b是在主面上什么也不形成的層。在絕緣體層122的主面上，形成有內(nèi)部電極142。內(nèi)部電極142含有電容器電極142a及引出電極142b、142c。電容器電極142a是在絕緣體層122的主面上形成為長(zhǎng)方形的電極，如圖3及圖11所示，起到作為電容器Cl、C2的一個(gè)電極的作用。引出電極142b的一端與電容器電極142a連接，并且另一端與圖9所示的接地用外部電極16a連接。引出電極142c的一端與電容器電極142a連接，并且另一端與圖9所示的接地用外部電極16b連接。因此，內(nèi)部電極142也起到作為接地電極的作用。在絕緣體層124的主面上，形成有內(nèi)部電極144、146。內(nèi)部電極144含有電容器電極144a及引出電極144b。電容器電極144a是在絕緣體層124的主面上與電容器電極142a相對(duì)而形成為長(zhǎng)方形的電極，如圖3及圖11所示，起到作為電容器Cl的另一電極的作用。再有，電容器電極144a也起到作為電容器C3的一個(gè)電極的作用。引出電極144b的一端與電容器電極144a連接，并且另一端與圖9所示的輸出用外部電極14b連接。另外，內(nèi)部電極146含有電容器電極146a及引出電極146b。電容器電極146a是在絕緣體層124的主面上與電容器電極142a相對(duì)而形成為長(zhǎng)方形的電極，如圖3及圖11所示，起到作為電容器C2的另一電極的作用。再有，電容器電極146a也起到作為電容器C3的另一電極的作用。即，電容器電極144a、146a構(gòu)成電容器C3。引出電極146b的一端與電容器電極146a連接，并且另一端與圖9所示的輸入用外部電極14a連接。在絕緣體層126的主面上，形成有內(nèi)部電極(電容器電極)148。電容器電極148是在絕緣體層126的主面上分別與電容器電極144a、146a相對(duì)而形成為長(zhǎng)方形的電極，如圖3及圖11所示，構(gòu)成電容器C3的一部分。在絕緣體層128的主面上，形成有內(nèi)部電極150、152。內(nèi)部電極150含有電容器電極150a及引出電極150b。電容器電極150a是在絕緣體層128的主面上形成為長(zhǎng)方形的電極，如圖3及圖11所示，起到作為電容器C3的一個(gè)電極的作用。引出電極150b的一端與電容器電極150a連接，并且另一端與圖9所示的輸出用外部電極14b連接。另外，內(nèi)部電極152含有電容器電極152a及引出電極152b。電容器電極152a是在絕緣體層128的主面上形成為長(zhǎng)方形的電極，如圖3及圖11所示，起到作為電容器C3的另一電極的作用。即，電容器電極150a、152a構(gòu)成電容器C3。引出電極152b的一端與電容器電極152a連接，并且另一端與圖9所示的輸入用外部電極14a連接。在絕緣體層130a至130g，分別形成有通孔導(dǎo)體154a至154g、156a至156g(通孔導(dǎo)體154b至154g、156b至156g未圖示)。另外，在絕緣體層132，形成有通孔導(dǎo)體159、161。通過(guò)層疊絕緣體層130a至130g、132，通孔導(dǎo)體154a至154g、159形成作為在層疊體12內(nèi)沿層疊方向延伸的第一層間連接導(dǎo)體，如圖3及圖11所示，起到作為電感器LlA的作用。通過(guò)層疊絕緣體層130a至130g、132，通孔導(dǎo)體156a至156g、161形成作為在層疊體12內(nèi)沿層疊方向延伸的第三層間連接導(dǎo)體，如圖3及圖11所示，起到作為電感器L2A的作用。另外，通過(guò)層疊絕緣體層128、13(^，通孔導(dǎo)體1548、1568分別與電容器電極150￡1、152￡1直接連接。下面，在所指的是形成于各絕緣體層130a至130g的通孔導(dǎo)體時(shí)，記為通孔導(dǎo)體154a至154g、156a至156g；在所指的是連接有通孔導(dǎo)體154a至154g、159、156a至156g、161的通孔導(dǎo)體時(shí)，記為通孔導(dǎo)體154、156。再有，關(guān)于通孔導(dǎo)體154a至154g、159與通孔導(dǎo)體156a至156g、161，是在離開(kāi)第一距離Dl的狀態(tài)下形成于絕緣體層130a至130g、132。另外，在絕緣體層130a至130g的主面內(nèi)，僅形成通孔導(dǎo)體154a至154g、156a至156g。絕緣體層130a至130g是具有相同結(jié)構(gòu)的部件。在絕緣體層132的主面上，形成有內(nèi)部電極158、160。內(nèi)部電極158是在絕緣體層132的主面上形成為長(zhǎng)方形的電極，連接有通孔導(dǎo)體159。內(nèi)部電極160是在絕緣體層132的主面狀形成為長(zhǎng)方形的電極，連接有通孔導(dǎo)體161。內(nèi)部電極158、160如圖3及圖11所示，起到使與電感器L1A、L2A電連接的電感器L1C、L2C相對(duì)于電感器L1A、L2A在xy平面內(nèi)錯(cuò)開(kāi)的作用。另外，內(nèi)部電極158、160分別如圖3及圖11所示，還起到作為電感器LIB、L2B的作用。另外，在絕緣體層134a至134f，分別形成有通孔導(dǎo)體162a至162f、164a至164f(通孔導(dǎo)體162b至162f、164b至164f未圖示)。另外，在絕緣體層136，形成有通孔導(dǎo)體167、169。絕緣體層134a至134f是具有相同結(jié)構(gòu)的部件。通過(guò)層疊絕緣體層134a至134f、136，通孔導(dǎo)體162a至162f、167形成作為在層疊體12內(nèi)沿層疊方向延伸的第二層間連接導(dǎo)體，起到作為電感器LlC的作用。通過(guò)層疊絕緣體層134a至134f、136，通孔導(dǎo)體164a至164f、169形成作為在層疊體12內(nèi)沿層疊方向延伸的第四層間連接導(dǎo)體，起到作為電感器L2C的作用。另外，通過(guò)層疊絕緣體層134f、132，通孔導(dǎo)體162f、164f分別與內(nèi)部電極158、161連接。下面，在所指的是形成于各絕緣體層134a至134f的通孔導(dǎo)體時(shí)，記為通孔導(dǎo)體162a至162f、164a至164f；在所指的是連接有通孔導(dǎo)體162a至162f、167、164a至164f、169的通孔導(dǎo)體時(shí)，記為通孔導(dǎo)體162、164。再有，關(guān)于通孔導(dǎo)體162a至162f、167與通孔導(dǎo)體164a至164f、169，是在離開(kāi)小于第一距離的第二距離D2的狀態(tài)下形成于絕緣體層134a至134f、136。另外，在絕緣體層134a至134f的主面內(nèi)，僅形成通孔導(dǎo)體162a至162f、164a至164f。在絕緣體層136的主面上，形成有內(nèi)部電極166、168。內(nèi)部電極166含有電感器電極166a、166b及引出電極166c，起到作為公共電極的作用。電感器電極166a、166b分別是在絕緣體層136的主面上形成為長(zhǎng)方形的電極，與接地用外部電極16b—起起到作為電感器L3的作用。電感器電極166a、166b的一端分別與通孔導(dǎo)體167、169連接。據(jù)此，電感器LlC與電感器L2C通過(guò)內(nèi)部電極166電連接。引出電極166c的一端與電感器電極166a、166b連接，另一端與接地用外部電極16a連接。另外，內(nèi)部電極168沿著與形成有引出電極166c的邊相對(duì)的邊形成。該內(nèi)部電極168從電感器電極166a、166b離開(kāi)預(yù)定的間隔而形成，其一端與接地用外部電極16b連接。絕緣體層140形成有輸入用外部電極14a、輸出用外部電極14b、接地用外部電極16a、16b及方向識(shí)別標(biāo)記18的各一部分。通過(guò)層疊如上所述構(gòu)成的絕緣體層120a、120b、122、124、126、128、130a至130g、132、134a至134f、136、140，構(gòu)成具有圖3所示的等效電路、具有圖11所示的截面構(gòu)造的層疊型電子元器件10b。根據(jù)如上所述構(gòu)成的層疊型電子元器件10b，可以取得與層疊型電子元器件IOa相同的作用效果。另外，由于層疊型電子元器件IOb的等效電路與層疊型電子元器件10的等效電路相同，因此省略說(shuō)明。另外，由于層疊型電子元器件IOb的制造方法基本上也與層疊型電子元器件10相同，因此省略說(shuō)明。工業(yè)上的實(shí)用性如上所述，本發(fā)明對(duì)于層疊型電子元器件及其制造方法是有用的，特別是在可以容易調(diào)整電感器彼此之間的磁場(chǎng)耦合度這一點(diǎn)較優(yōu)。權(quán)利要求一種層疊型電子元器件，其特征在于，包括層疊含有第一絕緣體層及第二絕緣體層的多個(gè)絕緣體層而形成的層疊體；形成于所述層疊體內(nèi)的第一電容器及第二電容器；在所述層疊體內(nèi)沿層疊方向延伸而形成、起到作為第一電感器的作用的第一層間連接導(dǎo)體及第二層間連接導(dǎo)體；以及在所述層疊體內(nèi)沿層疊方向延伸而形成、起到作為與所述第一電感器進(jìn)行磁場(chǎng)耦合的第二電感器的作用的第三層間連接導(dǎo)體及第四層間連接導(dǎo)體，所述第一電容器及所述第一電感器形成第一諧振電路，并且所述第二電容器及所述第二電感器形成第二諧振電路，所述第一層間連接導(dǎo)體及所述第三層間連接導(dǎo)體在離開(kāi)第一距離的狀態(tài)下形成于所述第一絕緣體層，所述第二層間連接導(dǎo)體及所述第四層間連接導(dǎo)體在離開(kāi)與所述第一距離不同的第二距離的狀態(tài)下形成于所述第二絕緣體層。2.如權(quán)利要求1所述的層疊型電子元器件，其特征在于，在所述第一絕緣體層的主面內(nèi)，僅形成所述第一層間連接導(dǎo)體及所述第三層間連接導(dǎo)體，在所述第二絕緣體層的主面內(nèi)，僅形成所述第二層間連接導(dǎo)體及所述第四層間連接導(dǎo)體。3.如權(quán)利要求1或2中任一項(xiàng)所述的層疊型電子元器件，其特征在于，還包括形成于所述層疊體內(nèi)的接地電極，所述第一電容器及所述第二電容器，在層疊方向位于所述第一電感器及所述第二電感器、與所述接地電極之間。4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的層疊型電子元器件，其特征在于，還包括形成于所述層疊體內(nèi)的公共電極，所述第一層間連接導(dǎo)體與所述第二層間連接導(dǎo)體電連接，所述第三層間連接導(dǎo)體與所述第四層間連接導(dǎo)體電連接，所述第一層間連接導(dǎo)體對(duì)所述第一電容器連接，所述第三層間連接導(dǎo)體對(duì)所述第二電容器連接，所述第二層間連接導(dǎo)體及所述第四層間連接導(dǎo)體通過(guò)所述公共電極電連接。5.一種層疊型電子元器件的制造方法，所述層疊型電子元器件含有由第一電容器及第一電感器構(gòu)成的第一諧振電路和由第二電容器及第二電感器構(gòu)成的第二諧振電路，所述制造方法的特征在于，包括將起到作為所述第一電感器的作用的第一層間連接導(dǎo)體和起到作為所述第二電感器的作用的第三層間連接導(dǎo)體、離開(kāi)第一距離而形成于第一絕緣體層的第一工序；將起到作為所述第一電感器的作用的第二層間連接導(dǎo)體和起到作為所述第二電感器的作用的第四層間連接導(dǎo)體、離開(kāi)與所述第一距離不同的第二距離而形成于第二絕緣體層的第二工序；以及層疊所述第一絕緣體層和所述第二絕緣體層的第三工序。6.如權(quán)利要求5所述的層疊型電子元器件的制造方法，其特征在于，在所述第三工序中，為了調(diào)整所述層疊型電子元器件的特性，而調(diào)整所述第一絕緣體層的片數(shù)與所述第二絕緣體層的片數(shù)來(lái)進(jìn)行層疊。全文摘要本發(fā)明提供一種可以容易調(diào)整電感器彼此之間的磁場(chǎng)耦合度的層疊型電子元器件及其制造方法。通孔導(dǎo)體(54、62)在層疊體(12)內(nèi)沿層疊方向延伸而形成，起到作為第一電感器的作用。通孔導(dǎo)體(56、64)在層疊體(12)內(nèi)沿層疊方向延伸而形成，起到作為第二電感器的作用。第一電容器及第一電感器形成第一諧振電路，并且第二電容器及第二電感器形成第二諧振電路。通孔導(dǎo)體(54、56)在離開(kāi)第一距離D1的狀態(tài)下形成于第一絕緣體層，通孔導(dǎo)體(62、64)在離開(kāi)第二距離D2的狀態(tài)下形成于第二絕緣體層。文檔編號(hào)H01G4/30GK101821943SQ200880112330公開(kāi)日2010年9月1日申請(qǐng)日期2008年9月11日優(yōu)先權(quán)日2007年10月23日發(fā)明者礒島仁士朗申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所