專利名稱：：光電子器件的制作方法光電子器件本申請涉及一種光電子器件。在基于氮化物的化合物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體激光二極管情況下，生成輻射的效率通常隨著增大的波長而降低。這使得生成綠色光譜范圍中的輻射變得困難。因此，目前通常通過如下方式來產(chǎn)生綠色激光輻射借助非線性光學(xué)晶體將紅外光譜范圍中的激光輻射頻率翻倍。這與比較大的校準(zhǔn)開銷以及安裝開銷關(guān)聯(lián)。此外還有這種晶體的成本以及比較低的轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明的一個任務(wù)是，提出一種光電子器件，其發(fā)射輻射在如下光譜范圍中該光譜范圍不能直接借助傳統(tǒng)的半導(dǎo)體激光二極管覆蓋。該任務(wù)通過權(quán)利要求1的主題來解決。有利的擴(kuò)展方案和改進(jìn)方案是從屬權(quán)利要求的主題。根據(jù)一個實(shí)施形式，光電子器件具有帶有半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體本體，其中該半導(dǎo)體層序列具有設(shè)計用于產(chǎn)生泵浦輻射的泵浦區(qū)和設(shè)計用于產(chǎn)生發(fā)射輻射的發(fā)射區(qū)。泵浦區(qū)和發(fā)射區(qū)相疊地設(shè)置。泵浦輻射在光電子器件的工作中以光學(xué)方式泵浦發(fā)射區(qū)。在光電子器件的工作中，發(fā)射輻射在橫向方向上從半導(dǎo)體本體出射。借助泵浦輻射，可以在發(fā)射區(qū)中簡化地產(chǎn)生輻射，該輻射的峰值波長在對于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體激光二極管難以達(dá)到的光譜范圍中。在發(fā)射區(qū)中產(chǎn)生的輻射優(yōu)選是相干的。在光電子器件的工作中，泵浦區(qū)優(yōu)選被電泵浦。于是，電功率至少部分地轉(zhuǎn)換為泵浦輻射形式的光功率并且隨后轉(zhuǎn)換為發(fā)射輻射。發(fā)射輻射和泵浦輻射優(yōu)選在橫向方向上傳播。泵浦輻射于是可以與發(fā)射輻射一樣在半導(dǎo)體本體中在橫向方向上傳播。在此，橫向方向理解為如下的方向該方向在半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體層的主延伸平面中走向。此外，發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)可以設(shè)置在共同的波導(dǎo)中。在一個優(yōu)選的改進(jìn)方案中，發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)設(shè)置在兩個罩層之間。此外罩層優(yōu)選分別具有如下折射率該折射率低于分別設(shè)置在罩層的朝向泵浦區(qū)和發(fā)射區(qū)的側(cè)上的半導(dǎo)體層的折射率。罩層于是可以引起泵浦輻射和發(fā)射輻射的同時的側(cè)向的波引導(dǎo)(Wellenfuehrung)0在一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，在光電子器件的工作中一種電荷類型的載流子、即電子或者空穴通過發(fā)射區(qū)注入到泵浦區(qū)中。優(yōu)選的是，為了注入載流子而設(shè)計了第一接觸層和第二接觸層，其中發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)設(shè)置在這些接觸層之間。通過將發(fā)射區(qū)設(shè)置在第一接觸層和第二接觸層之間，可以特別緊湊地構(gòu)建光電子器件。此外，發(fā)射區(qū)與泵浦輻射的光耦合被簡化。發(fā)射輻射的峰值波長合乎目的地大于泵浦輻射的峰值波長。于是保證了泵浦輻射在發(fā)射區(qū)中的有效吸收。在一個擴(kuò)展變形方案中，發(fā)射輻射的峰值波長和/或泵浦輻射的峰值波長在紫外光譜范圍中或者在可見光譜范圍中。例如，泵浦輻射的峰值波長可以在藍(lán)色或者紫外光譜范圍中，而發(fā)射輻射在綠色光譜范圍中。綠色光譜范圍尤其是理解為在490nm到570nm之間的范圍，其中包括端點(diǎn)值。紫外光譜范圍大致包括Inm至380nm的波長范圍。此外，發(fā)射輻射的峰值波長可以在480nm到600nm之間，其中包括端點(diǎn)值。發(fā)射區(qū)和/或泵浦區(qū)優(yōu)選包含III-V半導(dǎo)體材料。尤其是，發(fā)射區(qū)和/或泵浦區(qū)可以包含AlxInyGai_x_yN，其中O彡χ彡1，0彡y彡1并且x+y彡1。該半導(dǎo)體材料特別適于產(chǎn)生在紫外和可見光譜范圍、尤其是藍(lán)色和綠色光譜范圍中的輻射。在一種可替選的擴(kuò)展變形方案中，發(fā)射輻射的峰值波長和/或泵浦輻射的峰值波長在紅外或者紅色光譜范圍中。尤其是為了產(chǎn)生紅色和紅外光譜范圍中的輻射，發(fā)射區(qū)和/或泵浦區(qū)可以包含AlxInyGai_x_ySb、AlxInyGa1^yAs或者AlxInyGai_x_yP，分別有O彡χ彡1，O^y^1并且x+y彡1?？商孢x地或者補(bǔ)充地，發(fā)射區(qū)和/或泵浦區(qū)可以包含III-V半導(dǎo)體材料，例如InGaAsN,帶有最高5%的氮含量。這種半導(dǎo)體材料也稱為“稀釋的氮化物”。在一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，發(fā)射區(qū)和/或泵浦區(qū)具有量子結(jié)構(gòu)。術(shù)語量子結(jié)構(gòu)在本申請的范圍中尤其是包括任何如下結(jié)構(gòu)其中載流子由于限制(“confinement”)而會經(jīng)歷其能量狀態(tài)的量子化。尤其是術(shù)語量子結(jié)構(gòu)并不包含關(guān)于量子化的維數(shù)的說明。由此，其尤其是包括量子槽、量子線和量子點(diǎn)以及這些結(jié)構(gòu)的任意組合。在一個優(yōu)選的改進(jìn)方案中，帶隙對應(yīng)于與量子層鄰接的半導(dǎo)體層，譬如在兩個相鄰的量子層之間的勢壘層、與泵浦區(qū)的量子層鄰接的半導(dǎo)體層。于是，與發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)中的量子層可以鄰接有尤其是關(guān)于其材料成分方面分別類似地實(shí)施的半導(dǎo)體材料。于是簡化了具有高的晶體質(zhì)量的發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)的構(gòu)建。在一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，在半導(dǎo)體本體中構(gòu)建有載流子勢壘。載流子勢壘優(yōu)選對于一種電荷類型具有比對于另外的電荷類型更高的可穿過性。載流子勢壘于是可以實(shí)施為空穴勢壘或者電子勢壘。在泵浦區(qū)的電泵浦的情況下于是可以更好地實(shí)現(xiàn)電子空穴對的發(fā)射輻射的復(fù)合主要在泵浦區(qū)中進(jìn)行。設(shè)置在半導(dǎo)體本體的η導(dǎo)電地?fù)诫s的區(qū)域中的載流子勢壘或者與半導(dǎo)體本體的η導(dǎo)電地?fù)诫s的區(qū)域鄰接地設(shè)置的載流子勢壘優(yōu)選實(shí)施為空穴勢壘。相應(yīng)地，設(shè)置在半導(dǎo)體本體的ρ導(dǎo)電地?fù)诫s的區(qū)域中的載流子勢壘或者與半導(dǎo)體本體的P導(dǎo)電地?fù)诫s的區(qū)域鄰接地設(shè)置的載流子勢壘優(yōu)選實(shí)施為電子勢壘?？昭▌輭纠缈梢越柚缦掳雽?dǎo)體層來形成該半導(dǎo)體層的價帶邊緣(Valenzbandkante)位于鄰接的半導(dǎo)體層的價帶邊緣之下。相應(yīng)地，可以借助如下半導(dǎo)體層來形成電子勢壘該半導(dǎo)體層的導(dǎo)帶邊緣位于鄰接的半導(dǎo)體層的導(dǎo)帶邊緣之上?？商孢x地或者補(bǔ)充地，載流子勢壘可以實(shí)施為隧道勢壘。優(yōu)選的是，隧道勢壘具有帶隙，該帶隙大于鄰接的半導(dǎo)體材料的帶隙。隧道勢壘優(yōu)選具有最大IOnm的厚度，優(yōu)選為最大5nm、例如2nm的厚度。載流子由于量子力學(xué)的隧道效應(yīng)可以克服該隧道勢壘。隧道概率(Tunnelwahrscheinlichkeit)在此通常對于不同導(dǎo)電類型的載流子是不同的。因此，對于一種電荷類型(通常為電子)的可穿過性高于對于另一電荷類型的可穿過性。在一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，在泵浦區(qū)的背離載流子勢壘的側(cè)上設(shè)置有另外的載流子勢壘。在此合乎目的的是，載流子勢壘實(shí)施為空穴勢壘而另外的載流子勢壘實(shí)施為電子勢壘，或者相反。電子空穴對的復(fù)合于是可以特別有利地限制在泵浦區(qū)域上。于是可以在很大程度上提高電功率至泵浦輻射的轉(zhuǎn)換效率。載流子勢壘可以構(gòu)建在泵浦區(qū)和發(fā)射區(qū)之間。于是，注入的載流子的復(fù)合可以簡化地限制到泵浦區(qū)上。可替選地，載流子勢壘也可以設(shè)置在泵浦區(qū)的背離發(fā)射區(qū)的側(cè)上。在一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體層的層厚度實(shí)施為使得泵浦輻射的預(yù)先給定的部分與發(fā)射區(qū)以光學(xué)方式耦合。尤其是，泵浦輻射與發(fā)射區(qū)的耦合程度可以通過相對于在光電子器件的工作中在垂直方向上形成的泵浦輻射的光學(xué)模式合適地設(shè)置發(fā)射區(qū)來調(diào)節(jié)。在一個擴(kuò)展變形方案中，發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)在垂直的、即側(cè)向的方向上分別設(shè)計用于在相同等級的光學(xué)模式中工作。特別地，發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)可以在垂直方向上分別設(shè)計用于在光學(xué)基本模式中工作。此外，優(yōu)選的是調(diào)節(jié)發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)之間的距離，使得泵浦輻射的預(yù)先給定的部分與發(fā)射區(qū)以光學(xué)方式耦合。發(fā)射區(qū)與泵浦輻射的光學(xué)模式的強(qiáng)度最大值(尤其是在光學(xué)基本模式情況下唯一的強(qiáng)度最大值)的距離越小，則發(fā)射區(qū)與泵浦輻射的光學(xué)耦合越強(qiáng)。發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)可以在垂直方向上也設(shè)計用于在具有彼此不同的等級的側(cè)向光學(xué)模式中工作。特別地，發(fā)射區(qū)可以設(shè)計用于在基本模式中工作，而泵浦區(qū)可以設(shè)計用于在第一級的模式中工作。第η級的光學(xué)模式的特征在于存在的帶有η個節(jié)點(diǎn)的輻射場。泵浦區(qū)和/或發(fā)射區(qū)的光學(xué)模式的節(jié)點(diǎn)可以構(gòu)建在吸收性的層的區(qū)域中。于是可以降低泵浦輻射或者發(fā)射輻射在吸收性的層中的不希望的吸收。半導(dǎo)體本體優(yōu)選具有輻射透射面。發(fā)射輻射以及必要時還有泵浦輻射可以尤其是共線地穿過輻射透射面。在一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，在輻射透射面上構(gòu)建有耦合輸出層。耦合輸出層也可以多層地構(gòu)建。特別地，耦合輸出層可以實(shí)施為布拉格反射器。借助布拉格反射器可以在寬的范圍中彼此獨(dú)立地調(diào)節(jié)針對發(fā)射輻射的反射率和針對泵浦輻射的反射率。優(yōu)選的是，輻射透射面尤其是借助耦合輸出層構(gòu)建為使得其對于發(fā)射輻射具有比對于泵浦輻射更低的反射率。特別地，輻射透射面可以具有最高為70%、優(yōu)選最高50%的反射率，而對于泵浦輻射具有至少為70%的反射率。特別是針對泵浦輻射并非設(shè)計用于從光電子器件耦合輸出的情況，對于泵浦輻射的反射率也可以為80%或者更高，優(yōu)選為90%或者更高。在一個優(yōu)選的改進(jìn)方案中，半導(dǎo)體本體的與輻射透射面對置的面例如借助反射層構(gòu)建為使得其對于發(fā)射輻射和對于泵浦輻射具有至少50%、優(yōu)選至少70%、特別優(yōu)選至少90%的反射率。在一個優(yōu)選的改進(jìn)方案中，借助外部反射器形成用于發(fā)射輻射和/或用于泵浦輻射的諧振器。在此，發(fā)射輻射在發(fā)射區(qū)和外部的反射器之間經(jīng)過自由射束區(qū)(Freistrahlbereich)0此外，泵浦輻射和發(fā)射輻射可以在彼此不同的諧振器中傳播。特別地，諧振器可以在諧振器類型和/或諧振器長度方面不同方式地構(gòu)建。例如，泵浦輻射可以在線性諧振器中傳播，而發(fā)射輻射在環(huán)形諧振器中傳播，或者相反。在另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，光電子器件具有非線性光學(xué)元件。該非線性光學(xué)元件可以設(shè)計用于發(fā)射輻射的混頻，尤其是用于倍頻，譬如用于將頻率翻倍。此外，非線性光學(xué)元件可以設(shè)置在用于發(fā)射輻射的外部諧振器內(nèi)。于是可以特別有效地進(jìn)行由發(fā)射區(qū)發(fā)出的輻射的轉(zhuǎn)換、例如從綠色光譜范圍至紫外光譜范圍的轉(zhuǎn)換。在另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，光電子器件包括輻射接收器。輻射接收器優(yōu)選具有另外的半導(dǎo)體層序列。該另外的半導(dǎo)體層序列的層構(gòu)造可以至少部分地對應(yīng)于所述半導(dǎo)體層序列的層構(gòu)造。特別地，帶有發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)的半導(dǎo)體層序列和輻射接收器的另外的半導(dǎo)體層序列可以在共同的沉積步驟中例如外延地制造，并且此外優(yōu)選源自共同的半導(dǎo)體層序列。通過這種方式簡化了制造。此外，帶有發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)的半導(dǎo)體層序列和所述另外的半導(dǎo)體層序列可以設(shè)置在用于這些半導(dǎo)體層序列的共同的生長襯底上。借助輻射接收器例如可以監(jiān)視發(fā)射輻射和/或泵浦輻射的強(qiáng)度。為此可以省去附加的光電子器件。在一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，在帶有發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)的半導(dǎo)體本體上或者在該半導(dǎo)體本體中可以構(gòu)建橫向的結(jié)構(gòu)化部。借助這種橫向的結(jié)構(gòu)化部例如可以在橫向的、即經(jīng)線的方向上實(shí)現(xiàn)單模的工作。橫向的結(jié)構(gòu)例如可以是DFB(分布式反饋)結(jié)構(gòu)或者是DBR(分布式布拉格反射器)結(jié)構(gòu)。其他的特征、有利的擴(kuò)展方案和合乎目的性由下面結(jié)合附圖對實(shí)施例的描述中得到。其中圖1在示意性截面圖中示出了光電子器件的第一實(shí)施例，圖2示出了根據(jù)光電子器件的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體本體的部分的導(dǎo)帶邊緣和價帶邊緣的分布，圖3A和3B分別示出了根據(jù)光電子器件的第三實(shí)施例(圖3A)和第四實(shí)施例(圖3B)的半導(dǎo)體本體的部分的導(dǎo)帶邊緣和價帶邊緣的分布，圖4示出了在根據(jù)光電子器件的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體本體的部分中針對導(dǎo)帶邊緣和價帶邊緣的垂直分布以及發(fā)射輻射的復(fù)合率Rs的仿真結(jié)果，圖5A和5B分別示出了針對帶有不同熱阻的光電子器件的實(shí)施例的、作為注入的電流I的函數(shù)的、所發(fā)射的輻射功率P的仿真結(jié)果，圖6A至6C分別示出了對于光電子器件的三個實(shí)施例的折射率、泵浦輻射的光學(xué)模式和發(fā)射輻射的光學(xué)模式的定性的垂直分布，圖7示出了光電子器件的第四實(shí)施例的、在垂直方向上的導(dǎo)帶邊緣分布、費(fèi)米水平和電子密度的仿真結(jié)果，圖8示出了對于圖7所基于的光電子器件的第四實(shí)施例的、作為電壓U的函數(shù)的電流密度j的仿真結(jié)果，圖9示出了對于耦合輸出層的兩個實(shí)施例的、作為波長λ的函數(shù)的耦合輸出層的反射率R的仿真結(jié)果，圖10在示意性側(cè)視圖中示出了光電子器件的第五實(shí)施例，以及圖11在示意性側(cè)視圖中示出了光電子器件的第六實(shí)施例。相同的、類似的和作用相同的元件在附圖中設(shè)置有相同的附圖標(biāo)記。附圖分別是示意圖并且因此并非一定是合乎比例的。更確切地說，比較小的元件以及尤其是層厚度為了清楚可以被夸大地示出。在圖1中在示意性截面圖中示出了光電子器件1的第一實(shí)施例。光電子器件1具有帶有半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體本體2。半導(dǎo)體層序列形成半導(dǎo)體本體并且優(yōu)選外延地、譬如借助MOVPE或者M(jìn)BE來制造。半導(dǎo)體本體的半導(dǎo)體層序列具有設(shè)計用于產(chǎn)生泵浦輻射的泵浦區(qū)3和設(shè)計用于產(chǎn)生發(fā)射輻射的發(fā)射區(qū)4。泵浦區(qū)和發(fā)射區(qū)彼此相疊地設(shè)置。在光電子器件的工作中，泵浦輻射以光學(xué)方式泵浦發(fā)射區(qū)4。這樣產(chǎn)生的發(fā)射輻射在橫向方向上從半導(dǎo)體本體出射。發(fā)射輻射和泵浦輻射在橫向方向上傳播。帶有半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體本體2設(shè)置在支承體29上。支承體例如可以是用于半導(dǎo)體本體2的半導(dǎo)體層序列的生長襯底。可替選地，支承體29也可以不同于生長襯底。在這種情況中，支承體不必滿足對生長襯底的高要求，特別是在晶體純度方面的高要求，而是可以在其他特性方面如導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性和/或機(jī)械穩(wěn)定性方面進(jìn)行選擇。此外，光電子器件1具有第一接觸層61和第二接觸層62。第一和第二接觸層設(shè)置為使得在光電子器件的工作中，載流子可以通過這些接觸層從不同的側(cè)注入到泵浦區(qū)3中并且在那里通過電子-空穴對的復(fù)合產(chǎn)生輻射。接觸層優(yōu)選分別包括金屬，譬如Au、Ag、Ti、Pt、Al或者Ni，或者具有上述金屬至少之一的金屬合金。于是，泵浦區(qū)3被垂直地電泵浦，而以光學(xué)方式泵浦發(fā)射區(qū)4的泵浦輻射在橫向方向上傳播。泵浦區(qū)3示例性地具有三個量子層31，在它們之間分別設(shè)置有勢壘層32。在泵浦區(qū)中也可以構(gòu)建數(shù)目不同于三個的量子層，譬如一個量子層、兩個量子層或者四個或更多個量子層。此外，發(fā)射區(qū)4具有一個量子層41。與此不同，發(fā)射區(qū)也可以包括兩個或者更多個量子層。發(fā)射區(qū)4的量子層合乎目的地實(shí)施為使得電子_空穴對在發(fā)射區(qū)的量子層中的躍遷能小于在泵浦區(qū)3的量子層31中的躍遷能。在泵浦區(qū)中產(chǎn)生的泵浦輻射于是可以有效地在發(fā)射區(qū)中被吸收。在光電子器件的工作中，一種電荷類型的載流子通過發(fā)射區(qū)4注入泵浦區(qū)3中。在所示的實(shí)施例中，發(fā)射區(qū)設(shè)置在載流子從第二接觸層62至泵浦區(qū)3中的注入路徑中。合乎目的的是，半導(dǎo)體層在泵浦區(qū)的一側(cè)至少部分地η導(dǎo)電地?fù)诫s，并且在泵浦區(qū)的另一側(cè)至少部分地P導(dǎo)電地?fù)诫s。于是簡化了載流子從泵浦區(qū)的兩個不同側(cè)進(jìn)入泵浦區(qū)的注入。例如，在泵浦區(qū)4和支承體29之間可以設(shè)置η導(dǎo)電的半導(dǎo)體層21和η導(dǎo)電的罩層20。在泵浦區(qū)4的背離支承體的側(cè)上可以相應(yīng)地設(shè)置ρ摻雜的半導(dǎo)體層22、24以及ρ導(dǎo)電的罩層23。罩層合乎目的地具有如下折射率該折射率小于設(shè)置在罩層之間的半導(dǎo)體層的折射率。發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)設(shè)置在這些罩層之間。于是簡化了在罩層之間的泵浦輻射和發(fā)射輻射的共同的側(cè)向波引導(dǎo)。發(fā)射區(qū)4和泵浦區(qū)3優(yōu)選至少部分地設(shè)置在半導(dǎo)體本體的相同類型地?fù)诫s的區(qū)域中。特別地，發(fā)射區(qū)可以完全地設(shè)置在η導(dǎo)電地?fù)诫s的區(qū)域中，而泵浦區(qū)可以完全地或者至少部分地設(shè)置在η導(dǎo)電地?fù)诫s的區(qū)域中。發(fā)射區(qū)4和泵浦區(qū)3的半導(dǎo)體層可以關(guān)于其材料組分方面在大的范圍中變動。優(yōu)選的是，發(fā)射區(qū)4和/或泵浦區(qū)3包含III-V化合物半導(dǎo)體材料。為了產(chǎn)生綠色發(fā)射輻射，合適的尤其是氮化物化合物半導(dǎo)體材料，其優(yōu)選基于材料組分AlxInyGai_x_yN，其中O彡χ彡1，0彡y彡1并且x+y彡1。在表1中示出了圖1中示出的層構(gòu)造的示例性材料組分，其中發(fā)射區(qū)設(shè)計用于產(chǎn)生在綠色光譜范圍中、譬如在532nm左右的輻射。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>發(fā)射輻射的峰值波長在此可以通過將發(fā)射區(qū)4的量子層41的厚度及其In含量適當(dāng)組合來調(diào)節(jié)，其中峰值波長可以通過提高In含量和/或通過增大層厚度來提高。例如具有銦含量y為10%以及厚度為2nm的InGaN量子層41適于產(chǎn)生波長為大約532nm的發(fā)射輻射。與該量子層41鄰接的半導(dǎo)體層21、5分別基于GaN并且由此具有帶隙，該帶隙大于量子層41的帶隙。發(fā)射區(qū)也可以具有多于一個的量子層，其中量子層優(yōu)選相同類型地實(shí)施。對于泵浦區(qū)3的量子層31，在此適合的是具有厚度為4nm并且銦含量y為大約5.1%的量子層。勢壘層32又基于GaN，于是具有與半導(dǎo)體層21、5(這些半導(dǎo)體層與發(fā)射區(qū)4的量子層41鄰接)相同的組分。泵浦區(qū)具有三個量子層31。與此不同，也可以設(shè)計具有僅僅一個、兩個或者多于三個的量子層的量子結(jié)構(gòu)。泵浦區(qū)3的量子層31于是具有比發(fā)射區(qū)4的量子層41更低的銦濃度。于是特別是與注入到發(fā)射區(qū)4的量子層中相比，簡化了載流子至泵浦區(qū)3的量子層中的注入。隨著增大的銦含量使得載流子至量子層中的注入變得困難的原因在于壓電場，該壓電場在InGaN/GaN界面上形成。In含量越高，則這些壓電場越強(qiáng)。借助電泵浦的泵浦區(qū)3和通過該泵浦區(qū)以光學(xué)方式泵浦的發(fā)射區(qū)4，于是可以以簡單的方式通過施加外部的電壓來產(chǎn)生一個波長范圍中的輻射，例如在綠色波長范圍中的輻射。于是，可以產(chǎn)生綠色光譜范圍中的相干輻射，譬如激光輻射，其中可以省去在非線性光學(xué)晶體中的轉(zhuǎn)換。綠色相干輻射于是還在電泵浦的半導(dǎo)體本體2內(nèi)產(chǎn)生。在泵浦區(qū)3和發(fā)射區(qū)4之間設(shè)置有中間層5。借助該中間層可以調(diào)節(jié)泵浦輻射和發(fā)射區(qū)4之間的光學(xué)耦合。中間層的厚度優(yōu)選為Inm到2μm之間，特別優(yōu)選為5nm到1μm之間，其中均包括端點(diǎn)值。這結(jié)合圖6A至6C進(jìn)一步說明。通過調(diào)節(jié)層厚度和/或材料組分，也可以產(chǎn)生其他的發(fā)射波長。優(yōu)選的是，發(fā)射輻射的峰值波長在480nm到600nm之間，其中包括端點(diǎn)值。泵浦輻射的峰值波長優(yōu)選在藍(lán)色光譜范圍或者紫外光譜范圍中。泵浦區(qū)3和發(fā)射區(qū)4設(shè)置在兩個罩層23、20之間，它們分別包含Alatl6Gaa94N,并且由此具有比設(shè)置在這些罩層20、23之間的GaN半導(dǎo)體層(譬如泵浦區(qū)3的勢壘層32或者分別在發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)那一側(cè)與罩層20和23鄰接的半導(dǎo)體層21和22)更低的折射率。不同于所描述的層序列的材料組分，發(fā)射區(qū)和/或泵浦區(qū)可以包含其他的半導(dǎo)體材料，尤其是III-V半導(dǎo)體材料。例如，發(fā)射區(qū)和/或泵浦區(qū)可以包含AlxInyGai_x_ySb、AlxInyGa1^yAs或者AlxInyGai_x_yP，分別有0彡χ彡1，0彡y彡1并且x+y彡1。也可以使用具有氮含量ζ最高為5%的III-V半導(dǎo)體材料例如InyGai_yASl_zNz。通過合適地選擇半導(dǎo)體材料以及半導(dǎo)體層厚度，于是可以在從紫外經(jīng)過可見直到近紅外或者中紅外范圍的寬的范圍中調(diào)節(jié)發(fā)射輻射。例如，針對在中紅外的輻射發(fā)射而設(shè)計的發(fā)射區(qū)可以借助在近紅外發(fā)射的泵浦區(qū)來光學(xué)泵浦。帶有半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體本體2具有輻射透射面26。輻射透射面傾斜于或者垂直于半導(dǎo)體本體2的半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體層的主延伸方向并且由此在橫向方向上形成半導(dǎo)體本體的邊界。輻射透射面26例如可以借助分裂或者折斷或者借助刻蝕、譬如濕化學(xué)或者干化學(xué)刻蝕來制造。在輻射透射面26上構(gòu)建了耦合輸出層7，借助該耦合輸出層將對于發(fā)射輻射和/或泵浦輻射的反射率與反射率的預(yù)先給定的值或者預(yù)先給定的光譜分布匹配。必要時，也可以省去耦合輸出層。不同于所示的實(shí)施例，耦合輸出層7可以并不覆蓋或者僅僅部分地覆蓋接觸層61、62和/或支承體29。耦合輸出層7可以針對發(fā)射輻射具有比對于泵浦輻射更小的反射率。耦合輸出層7例如可以對于發(fā)射輻射具有最高70%、優(yōu)選最高50%的反射率，而對于泵浦輻射具有至少70%、優(yōu)選至少80%、特別優(yōu)選至少90%的反射率。尤其是對于泵浦輻射并非設(shè)計用于從半導(dǎo)體本體2耦合輸出而是僅僅用于對發(fā)射區(qū)4光泵浦的情況，耦合輸出層對于泵浦輻射也可以具有至少80%、優(yōu)選至少90%、特別優(yōu)選至少95%的反射率。在半導(dǎo)體本體2的與輻射透射面26對置的側(cè)上構(gòu)建有反射層28。反射層優(yōu)選對于泵浦輻射以及對于發(fā)射輻射具有高的反射率。該反射率可以為至少50%、優(yōu)選至少70%、特別優(yōu)選至少80%、通常優(yōu)選至少90%。泵浦輻射也可以至少部分地設(shè)計用于從半導(dǎo)體本體2耦合輸出。在這種情況中，耦合輸出層7對于泵浦輻射的較小的反射率也可以是合乎目的的。光電子器件于是可以同時提供發(fā)射輻射和泵浦輻射，即具有彼此不同的峰值波長的兩種輻射部分，例如藍(lán)色和綠色光譜范圍中的輻射。發(fā)射輻射和泵浦輻射尤其是可以共線地穿過輻射透射面。可以省去具有不同峰值波長的輻射部分的費(fèi)事的疊加。此外，耦合輸出層7也可以多層地構(gòu)建。特別地，可以借助多個層來形成布拉格反射器。布拉格反射器優(yōu)選借助介電地構(gòu)建的層來形成。對于發(fā)射輻射或者對于泵浦輻射，這些層可以至少部分地具有發(fā)射輻射的峰值波長或者泵浦輻射的峰值波長的四分之一的光學(xué)層厚度(也即層厚度乘以折射率)。介電層可以沉積在優(yōu)選預(yù)制的半導(dǎo)體本體2上。這例如可以借助濺射或者氣相淀積來進(jìn)行。耦合輸出層7例如可以包含氧化物譬如TiO2或者SiO2，或者氮化物譬如Si3N4，或者氮氧化物(Oxinitrid)譬如氮氧化硅。特別地，具有SiO2層和Si3N4層的層對適合于耦合輸出層。對于耦合輸出側(cè)所描述的特征也可應(yīng)用于反射層28。在帶有所描述的垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體本體2上或者半導(dǎo)體本體2中可以構(gòu)建橫向的結(jié)構(gòu)化部。例如橫向的結(jié)構(gòu)化部可以根據(jù)DFB半導(dǎo)體激光器或者DBR半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)化來實(shí)施。在圖2中針對光電子器件的第二實(shí)施例示出了在包括泵浦區(qū)3和發(fā)射區(qū)4的半導(dǎo)體本體2的部分區(qū)域中導(dǎo)帶邊緣EC和價帶邊緣EV的示意性分布。該第二實(shí)施例基本上對應(yīng)于結(jié)合圖1所描述的第一實(shí)施例。所繪出的ζ方向在此垂直于半導(dǎo)體本體2的半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體層的主延伸方向。ζ方向由此沿著該半導(dǎo)體層的沉積方向走向。如結(jié)合圖1所描述的那樣，泵浦區(qū)3和發(fā)射區(qū)4分別包括量子結(jié)構(gòu)，其中泵浦區(qū)3示例性地具有三個量子層31而發(fā)射區(qū)4具有一個量子層41。在發(fā)射區(qū)4的量子層41中在導(dǎo)帶邊緣和價帶邊緣之間的能量差小于在泵浦區(qū)3的量子層31中在導(dǎo)帶邊緣和價帶邊緣之間的能量差。通過在泵浦區(qū)3的量子層31中電子-空穴對的發(fā)射輻射的復(fù)合而產(chǎn)生的輻射于是可以在發(fā)射區(qū)4中、尤其是在量子層41中被吸收。通過發(fā)射區(qū)4中的電子-空穴對的復(fù)合，于是可以產(chǎn)生具有如下峰值波長的相干輻射該峰值波長大于泵浦輻射的峰值波長。所示的導(dǎo)帶邊緣和價帶邊緣的分布僅僅示意性地示出了單個半導(dǎo)體層的導(dǎo)帶和價帶的名義上的走向。在該強(qiáng)烈簡化的視圖中并未考慮由于邊界效應(yīng)引起的該分布的變化。不同于結(jié)合圖1所描述的實(shí)施例，在半導(dǎo)體本體2中構(gòu)建有載流子勢壘50。載流子勢壘設(shè)置在發(fā)射區(qū)4和泵浦區(qū)3之間。載流子勢壘50構(gòu)建在中間層5中，其中載流子勢壘包含半導(dǎo)體材料，該半導(dǎo)體材料具有比鄰接的半導(dǎo)體材料更大的帶隙。例如，在GaN中間層中的載流子勢壘可以實(shí)施為鋁含量在10%到30%之間、優(yōu)選在15%到25%之間的AlGaN載流子勢壘，其中包括端點(diǎn)值。載流子勢壘的厚度例如可以為IOnm到50nm之間，其中包括端點(diǎn)值，譬如為20nm。載流子勢壘50具有價帶邊緣，該價帶邊緣在能量上比鄰接的半導(dǎo)體材料的價帶邊緣更低。于是可以避免從泵浦區(qū)3的一側(cè)通過泵浦區(qū)直到發(fā)射區(qū)4的空穴電流。通過這種方式，促進(jìn)了載流子在泵浦區(qū)3內(nèi)的發(fā)射輻射的復(fù)合。而導(dǎo)帶邊緣在載流子勢壘50的區(qū)域中在恒定的高度上分布，使得電子可以不受阻擋地橫越載流子勢壘至泵浦區(qū)。在圖3A和3B中分別針對光電子器件的第三或者第四實(shí)施例示出了在包括泵浦區(qū)3和發(fā)射區(qū)4的半導(dǎo)體本體2的部分區(qū)域中的導(dǎo)帶邊緣EC和價帶邊緣EV的示意性分布。該分布如在圖2中那樣僅僅示意性示出了單個半導(dǎo)體層的導(dǎo)帶和價帶的名義上的分布，其中并未考慮邊界效應(yīng)。在圖3A中示出的第三實(shí)施例基本上對應(yīng)于結(jié)合圖2所描述的第二實(shí)施例。不同于第二實(shí)施例，發(fā)射區(qū)4示例性地具有三個量子層41。此外，不同于第二實(shí)施例，在泵浦區(qū)3和發(fā)射區(qū)4之間構(gòu)建載流子勢壘50，該載流子勢壘實(shí)施為隧道勢壘51。在隧道勢壘51的情況下，導(dǎo)帶邊緣Ec在能量上比鄰接的半導(dǎo)體材料中更高。同時，價帶邊緣Ev在能量上比鄰接的半導(dǎo)體材料中更低。隧道勢壘優(yōu)選具有最高lOnm、特別優(yōu)選最高5nm、譬如2nm的厚度。在鄰接的GaN半導(dǎo)體材料情況下，例如帶有在30%到70%之間的鋁含量(其中包括端點(diǎn)值)的AlGaN層適于作為隧道勢壘。在這樣實(shí)施的隧道勢壘中，空穴的傳輸概率小于電子的傳輸概率。于是可以防止空穴穿過，而電子在很大程度上可以不受阻擋地通過隧道勢壘。隧道勢壘51由此是空穴勢壘。在泵浦區(qū)3的背離發(fā)射區(qū)4的側(cè)上設(shè)置有另外的載流子勢壘55，其實(shí)施為電子勢壘。在此，電子勢壘具有導(dǎo)帶邊緣，其在能量上高于鄰接的半導(dǎo)體層的導(dǎo)帶邊緣。而價帶邊緣在很大程度上分布在與鄰接的半導(dǎo)體材料相同的能量水平上，使得空穴實(shí)際上可以不受阻擋地橫越電子勢壘到泵浦區(qū)3。例如鋁含量在10%到30%之間、優(yōu)選在15%到25%之間(其中均包括端點(diǎn)值)的AlGaN半導(dǎo)體層適于作為與GaN半導(dǎo)體材料鄰接的電子勢壘。電子勢壘的厚度例如可以在IOnm到50nm之間(其中包括端點(diǎn)值)，譬如20nm。半導(dǎo)體本體2于是對于兩種不同的電荷類型分別具有載流子勢壘。通過這種方式，可以特別有效地將注入半導(dǎo)體本體中的載流子的發(fā)射輻射的復(fù)合限制在泵浦區(qū)上。不同于所示的實(shí)施例，也可以省去實(shí)施為空穴勢壘的載流子勢壘50。在這種情況中，光電子器件于是僅僅具有電子勢壘。圖3B所基于的光電子器件的第四實(shí)施例基本上對應(yīng)于結(jié)合圖3A所描述的第三實(shí)施例。與此不同，用作空穴勢壘的載流子勢壘50并非實(shí)施為隧道勢壘。在此，空穴勢壘可以如結(jié)合圖2所描述的那樣構(gòu)建。在圖4中示出了對于結(jié)合圖3B描述的光電子器件的第四實(shí)施例的導(dǎo)帶邊緣401和價帶邊緣402的分布的仿真結(jié)果。此外，該附圖示出了作為沿著垂直方向ζ的位置的函數(shù)的、發(fā)射輻射的復(fù)合Rs的分布403。借助載流子勢壘50以及另外的載流子勢壘55(它們分別針對空穴或者電子形成勢壘)，可以將半導(dǎo)體本體2的電泵浦時發(fā)射輻射的復(fù)合Rs特別有效地限制到泵浦區(qū)上。這示出了發(fā)射輻射的復(fù)合Rs的分布403，其僅僅在泵浦區(qū)3的量子層的區(qū)域中具有不同于零的值。不同于圖2中以及圖3A和3B中的視圖，在所示的導(dǎo)帶邊緣和價帶邊緣的仿真的分布中也考慮了界面效應(yīng)如壓電場。這例如在導(dǎo)帶邊緣在發(fā)射區(qū)4的含銦的量子層和與其鄰接的半導(dǎo)體層之間的界面上突然的上升和緊隨其后的下降處表現(xiàn)出來。圖5A和5B分別示出了對于所說明的熱阻與注入的電流I有關(guān)的輸出功率P的仿真結(jié)果。在此，發(fā)射區(qū)對于在圖5A中所示的曲線具有20μm的寬度，而對于圖5B中所示的曲線具有10μm的寬度。在此，寬度涉及發(fā)射區(qū)的在半導(dǎo)體本體的半導(dǎo)體層的主延伸平面中以及垂直于發(fā)射方向走向的伸展。這些仿真所基于的結(jié)構(gòu)是，該結(jié)構(gòu)如結(jié)合圖1所描述的那樣來實(shí)施。泵浦輻射在紫外光譜范圍中，發(fā)射輻射在綠色光譜范圍中。在輻射透射面方面，所基于的是對于紫外光譜范圍90%的反射率，而對于綠色光譜范圍10%的反射率。半導(dǎo)體本體的與耦合輸出面對置的面(其同樣形成諧振器面)的反射率對于綠色和紫外光譜范圍分別為90%的反射率。根據(jù)仿真，發(fā)射輻射在3K/W的熱阻情況下可以具有超過0.25W的功率。圖6A至6C分別示出了在垂直方向ζ上的泵浦輻射的電磁場603、613、623和發(fā)射輻射的電磁場604、614、624的仿真結(jié)果。場分布分別被歸一化地示出。此外，曲線601、611和621分別示出了折射率的定性的分布。圖6A至6C分別示出了如下情況泵浦區(qū)3設(shè)計用于在第一級的光學(xué)模式中工作。發(fā)射區(qū)4設(shè)計用于在光學(xué)基本模式中工作。所示的仿真曲線所基于的半導(dǎo)體層序列彼此不同之處在于，發(fā)射區(qū)4與泵浦區(qū)3的距離變化。在圖6A中示出了如下情況發(fā)射區(qū)4靠近泵浦輻射的光學(xué)模式的節(jié)點(diǎn)設(shè)置。于是泵浦輻射和發(fā)射區(qū)之間的光學(xué)耦合比較低。如在圖6B和6C中所示，可以通過改變泵浦區(qū)和發(fā)射區(qū)之間的距離(在所示的情況下通過增大該距離)來增大泵浦輻射和發(fā)射區(qū)之間的光學(xué)耦合。通過合適地選擇半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體層的層厚度，尤其是通過泵浦區(qū)和發(fā)射區(qū)之間的距離，于是可以調(diào)節(jié)該光學(xué)耦合的強(qiáng)度。光學(xué)耦合越高，則泵浦輻射的在發(fā)射區(qū)中被吸收的部分會越大。通過這種方式，也可以提高發(fā)射輻射的輸出功率。在圖7中示出了在垂直方向的導(dǎo)帶邊緣701和費(fèi)米水平702的分布的仿真結(jié)果。此外，圖7示出了電子密度分布703。這些仿真分別基于結(jié)合圖3B所描述的光電子器件的第四實(shí)施例，其也是圖4的基礎(chǔ)。在圖8中示出了作為電壓降U的函數(shù)的關(guān)聯(lián)的電流密度j。這些仿真示例性地示出了具有三個量子層的發(fā)射區(qū)4的影響，其中這些量子層分別具有10%的銦含量。由于在含銦的量子層和鄰接的GaN層之間的界面上形成的壓電勢壘，導(dǎo)致附加的電壓降，由此提高了光電子器件的工作電壓。如圖8所示，該附加的電壓降在80kA/cm2的電流密度的情況下僅僅為IV。于是，發(fā)射區(qū)4的量子層雖然有高的銦含量仍然僅僅導(dǎo)致工作電壓的較少提升，并且由此并不引起對光電子器件的光電子特征的明顯影響。在圖9中針對耦合輸出層的兩個不同的實(shí)施例示出了作為波長λ的函數(shù)的反射率R的仿真結(jié)果。耦合輸出層分別多層地構(gòu)建，并且以布拉格反射器的形式來實(shí)施。所示的曲線120和121分別在405nm至470nm的波長范圍中具有非常高的、至少90%的反射率。在520nm的波長情況下，反射率在曲線120的情況下接近0%，而反射率在曲線121的情況下為大約50%。所示的仿真表明，通過改變耦合輸出層的布拉格反射器的層厚度可以實(shí)施輻射透射面，使得其對于藍(lán)色或者紫外光譜范圍中的泵浦輻射具有非常高的反射率。同時，對于發(fā)射輻射的反射率可與光電子器件的要求匹配地在寬的范圍上調(diào)節(jié)。在圖10中示意性地示出了光電子器件的第五實(shí)施例。帶有半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體本體2在此尤其是可以如結(jié)合圖1、2、3A或者3B所描述的那樣實(shí)施。所示的光電子器件1具有外部反射器8，其用作諧振器85的端部反射器。諧振器85于是實(shí)施為外部諧振器。半導(dǎo)體本體2和外部反射器8設(shè)置在安裝支承體95上并且優(yōu)選與該安裝支承體機(jī)械穩(wěn)定地連接。外部反射器8與半導(dǎo)體本體2間隔。發(fā)射輻射于是經(jīng)過自由輻射區(qū)域從半導(dǎo)體本體2至外部反射器8。在該自由輻射區(qū)域中，可以設(shè)置非線性光學(xué)元件9，譬如非線性光學(xué)晶體。借助該非線性光學(xué)元件可以將發(fā)射輻射和/或泵浦輻射通過非線性光學(xué)混頻、尤其是倍頻、譬如頻率翻倍來轉(zhuǎn)換到其他波長的輻射。例如，具有波長為532nm的綠色輻射可以頻率翻倍到波長為266nm的紫外輻射中。在所示的實(shí)施例中，半導(dǎo)體本體的輻射透射面26可以實(shí)施為使得其對于泵浦輻射是高反射性的，而對于發(fā)射輻射具有非常低的反射率，譬如20%或者更低、優(yōu)選10%或者更低的反射率。輻射透射面26可以通過這種方式對于泵浦輻射表現(xiàn)為諧振器端面，而對于發(fā)射輻射而言外部的反射器8形成諧振器端面。發(fā)射輻射和泵浦輻射于是可以在諧振器中以不同的長度振蕩。不同于所示的實(shí)施例，發(fā)射輻射也可以在其他類型的諧振器、譬如在環(huán)形諧振器中振蕩。在這種情況中，半導(dǎo)體本體的與輻射透射面26對置的側(cè)面可以對于發(fā)射輻射具有比較低的反射率，譬如20%或者更低、優(yōu)選10%或者更低的反射率。在圖11中示意性地在側(cè)視圖中示出了光電子器件的第六實(shí)施例。附加于帶有發(fā)射區(qū)4和泵浦區(qū)3的半導(dǎo)體本體2，該光電子器件具有輻射接收器200。該輻射接收器200包括另外的半導(dǎo)體層序列210。該另外的半導(dǎo)體層序列的層構(gòu)造、尤其是其輻射敏感的區(qū)域至少部分地對應(yīng)于帶有發(fā)射區(qū)4和泵浦區(qū)3的半導(dǎo)體層序列的層構(gòu)造。用于輻射接收器200的半導(dǎo)體層序列以及帶有泵浦區(qū)3和發(fā)射區(qū)4的半導(dǎo)體層序列于是可以在共同的沉積步驟中、譬如借助MOCVD或者M(jìn)BE來制造。輻射接收器200和帶有發(fā)射區(qū)和泵浦區(qū)的半導(dǎo)體本體2可以設(shè)置在共同的支承體29上，該支承體可以借助用于半導(dǎo)體層序列的生長襯底來形成。在這種光電子器件中，于是發(fā)射區(qū)4、泵浦區(qū)3和輻射接收器200的輻射敏感的區(qū)域可以單片地集成。在背離支承體29的側(cè)上，輻射接收器具有接觸層63。輻射接收器的接觸層可以與接觸層61—同沉積。在光電子器件1的工作中，在接觸層63和第二接觸層62之間可以截取檢測信號。借助輻射接收器200例如可以監(jiān)視發(fā)射輻射和/或泵浦輻射的強(qiáng)度。為此可以省去附加的光電子器件。本專利申請要求德國專利申請102007045463.7和102007058952.4的優(yōu)先權(quán)，它們的公開內(nèi)容通過弓丨用結(jié)合于此。本發(fā)明并未通過借助實(shí)施例的描述而受到限制。更確切地說，本發(fā)明包括任意新的特征以及特征的任意組合，尤其是權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使該特征或者該組合本身并未明確地在權(quán)利要求中或者在實(shí)施例中說明。權(quán)利要求一種光電子器件(1)，其具有帶有半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體本體(2)，其中-半導(dǎo)體本體(2)的半導(dǎo)體層序列具有設(shè)計用于產(chǎn)生泵浦輻射的泵浦區(qū)(3)和設(shè)計用于產(chǎn)生發(fā)射輻射的發(fā)射區(qū)(4)；-泵浦區(qū)(3)和發(fā)射區(qū)(4)相疊地設(shè)置；-泵浦輻射在光電子器件(1)的工作中以光學(xué)方式泵浦發(fā)射區(qū)(4)；以及-在光電子器件(1)的工作中，發(fā)射輻射在橫向方向上從半導(dǎo)體本體(2)出射。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子器件，其中發(fā)射輻射和泵浦輻射在橫向方向上傳播。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電子器件，其中發(fā)射區(qū)(4)和泵浦區(qū)(3)設(shè)置在兩個罩層(20,23)之間，其中罩層(20，23)引起泵浦輻射和發(fā)射輻射的共同的側(cè)向的波引導(dǎo)。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的光電子器件，在該光電子器件的工作中泵浦區(qū)(3)被電泵浦，其中一種電荷類型的載流子穿過發(fā)射區(qū)(4)注入到泵浦區(qū)(3)中。5.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件，其中發(fā)射區(qū)(4)和/或泵浦區(qū)(3)具有量子結(jié)構(gòu)，其中發(fā)射區(qū)(4)和泵浦區(qū)(3)分別具有量子層(31，41)，并且與發(fā)射區(qū)(4)的量子層(41)鄰接的半導(dǎo)體層(5，21)的帶隙對應(yīng)于與泵浦區(qū)(3)的量子層(31)鄰接的半導(dǎo)體層(32，22，5)的帶隙。6.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件，其中在半導(dǎo)體本體(2)中構(gòu)建載流子勢壘(50)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光電子器件，其中載流子勢壘(50)實(shí)施為隧道勢壘(51)。8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的光電子器件，其中載流子勢壘(50)設(shè)置在發(fā)射區(qū)(4)和泵浦區(qū)⑶之間。9.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件，其中在發(fā)射區(qū)(4)和泵浦區(qū)(3)之間的距離調(diào)節(jié)為使得泵浦輻射的預(yù)先給定的部分與發(fā)射區(qū)(4)光學(xué)耦合。10.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件，其中發(fā)射區(qū)(4)和泵浦區(qū)(3)在垂直方向上分別設(shè)計用于在相同等級的光學(xué)模式中工作。11.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的光電子器件，其中發(fā)射區(qū)(4)和泵浦區(qū)(3)在垂直方向上設(shè)計用于在具有彼此不同等級的光學(xué)模式中工作。12.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件，其中發(fā)射區(qū)(4)和/或泵浦區(qū)⑶包含III-V半導(dǎo)體材料，尤其是AlxInyGai_x_yN、AlxInyGa1^ySb,AlxInyGa1^yAs或者AlxInyGai_x_yP，分別有0彡χ彡1，0彡y彡1并且x+y彡1，或者包含具有最高為5%的氮含量的III-V半導(dǎo)體材料。13.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件，其中半導(dǎo)體本體(2)具有輻射透射面(26)，該輻射透射面構(gòu)建為使得其對于發(fā)射輻射具有比對于泵浦輻射更低的反射率。14.根據(jù)權(quán)利要求1至12中的任一項(xiàng)所述的光電子器件，其中半導(dǎo)體本體(2)具有輻射透射面(26)，發(fā)射輻射(4)和泵浦輻射(3)共線地穿過該輻射透射面。15.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子器件，該光電子器件具有輻射接收器(200)，其中該輻射接收器(200)具有另外的半導(dǎo)體層序列(210)，該另外的半導(dǎo)體層序列的層構(gòu)造至少部分對應(yīng)于帶有泵浦區(qū)(3)和發(fā)射區(qū)(4)的半導(dǎo)體層序列的層構(gòu)造。全文摘要本發(fā)明提出了一種光電子器件(1)，其具有帶有半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體本體(2)。半導(dǎo)體本體(2)的半導(dǎo)體層序列具有設(shè)計用于產(chǎn)生泵浦輻射的泵浦區(qū)(3)和設(shè)計用于產(chǎn)生發(fā)射輻射的發(fā)射區(qū)(4)。泵浦區(qū)(3)和發(fā)射區(qū)(4)相疊地設(shè)置。泵浦輻射在光電子器件(1)的工作中以光學(xué)方式泵浦發(fā)射區(qū)(4)。在光電子器件(1)的工作中，發(fā)射輻射在橫向方向上從半導(dǎo)體本體(2)出射。文檔編號H01S5/40GK101809832SQ200880108553公開日2010年8月18日申請日期2008年8月29日優(yōu)先權(quán)日2007年9月24日發(fā)明者克里斯托夫·艾克勒,彼得·布里克,馬蒂亞斯·扎巴蒂爾申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司