專利名稱：用于制造電子部件的方法以及電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造電子部件的方法以及一種電子部件。
背景技術(shù)：
電子部件通常包括載體或者襯底，在該載體或者襯底上涂覆有結(jié)構(gòu)化的帶有金屬 面或者接觸面的金屬層。在這些接觸面的有些接觸面上分別涂覆一個(gè)或者更多器件、例如 半導(dǎo)體芯片或者無源器件。所述一個(gè)或者更多器件通過一種連接介質(zhì)(通常是焊料)與各 個(gè)接觸面連接。假如所述器件之一具有背側(cè)接觸部、亦即朝向載體或者襯底的接觸部，那么 通過該連接介質(zhì)不僅建立到各個(gè)接觸面的機(jī)械連接，而且還建立到各個(gè)接觸面的電連接。 在電接觸連接的情況下，至少有些器件在其背離載體的上側(cè)上分別具有多個(gè)接觸面。接觸 面彼此之間的電連接和/或金屬層的接觸面之一的電連接通常在使用接合線(Bonddraht) 的情況下被實(shí)現(xiàn)。 可替換地，器件的接觸面之間的電連接和/或金屬層的接觸面的電連接的建立通 過一種所謂的平面連接工藝而是可能的，其中半成品的一個(gè)表面首先用絕緣層(例如由絕 緣材料構(gòu)成的塑料薄膜)覆蓋。在接觸面的位置，在該絕緣層中引進(jìn)開口，以便顯露接觸 面。接著，薄的金屬層通過濺射、汽相沉積和其它用于產(chǎn)生薄的接觸層的方法整個(gè)面積地被 涂覆到絕緣層及其所引進(jìn)的開口上。另一通常由絕緣材料制成的光敏薄膜(所謂的光電薄 膜(Fotofolie))被涂覆到該薄的金屬層上。該光電薄膜在另一步驟中根據(jù)希望的導(dǎo)電結(jié) 構(gòu)被曝光和被顯影。光電薄膜的未被曝光的段能夠在另一方法步驟中被去除，使得顯露位 于其下的薄金屬層，更準(zhǔn)確地說顯露銅表面。通過把所準(zhǔn)備的半成品浸入電解液槽、特別是 銅電解液槽，通過電鍍加強(qiáng)(galvanische Verstaerkung)生長(zhǎng)約20 y m到200 y m厚的銅 層。在其后接著的稱為光電薄膜的剝離的步驟中，在其上不應(yīng)構(gòu)造導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的區(qū)域上去除
還位于表面上的光電薄膜。作為最后的步驟，進(jìn)行所謂的差分蝕刻(Differenzatzen)，其中整
個(gè)面積地去除由鈦和銅制成的薄金屬層，使得僅剩下希望的能導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)。也稱為接觸印
制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的能導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)通常由銅構(gòu)造，其中層厚在20iim到500iim的范圍內(nèi)。 以平面連接工藝制成的電子模塊具有下面的優(yōu)點(diǎn)完成的電子模塊的高度與帶有
常規(guī)接合線的電子模塊相比顯著更小。 然而，平面連接工藝也具有一系列缺點(diǎn)。接觸印制導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生經(jīng)常通過激光 燒蝕過程進(jìn)行。該激光燒蝕過程成本非常高，并且引起激光煙形成，結(jié)果是需要花費(fèi)高的清 潔過程?？梢詷?gòu)造不同焦點(diǎn)位置的熔接區(qū)，也觀察到邊界面上的分層。通過激光燒蝕過程 可能徹底去除必要時(shí)存在的填充物和絕緣層的涉及到的樹脂材料。短時(shí)地也曾發(fā)覺器件的 芯片接觸面的損壞。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明的任務(wù)在于，給出一種用于制造特別是平面的電子部件的方法，該方 法能夠更簡(jiǎn)單地且成本更低地制造電子部件，其中同時(shí)提高產(chǎn)量。此外應(yīng)給出一種電子部件，該電子部件可以廉價(jià)地被制造并且具有高的可靠性。 所述任務(wù)通過獨(dú)立權(quán)利要求的特征來解決。有利的實(shí)施形式分別得自于從屬權(quán)利 要求。 在根據(jù)本發(fā)明的用于制造(尤其是平面的)電子部件的方法中，多個(gè)布置在晶片 中的芯片在配備有至少一個(gè)芯片接觸面并且被鈍化了的主側(cè)面上被配備有絕緣層。該絕緣 層在相應(yīng)芯片的至少一個(gè)芯片接觸面的區(qū)域內(nèi)被配備有開口。相應(yīng)芯片的芯片接觸面被配 備有預(yù)定厚度的芯片接觸面金屬化部。最后，布置在晶片中的芯片和該晶片分離。
與在開始時(shí)說明的平面電子部件的制造過程相反，本發(fā)明建議已經(jīng)在晶片級(jí)創(chuàng)建 芯片接觸面金屬化部(并且優(yōu)選地僅創(chuàng)建所述芯片接觸面金屬化部)。這一行為方式產(chǎn)生 以下優(yōu)點(diǎn)一方面在可以通過簡(jiǎn)單通用的涂層方法利用平面狀態(tài)下的絕緣層進(jìn)行涂層。此 外，能夠在使用電鍍方法的情況下進(jìn)行芯片接觸面金屬化部的涂覆，其中在芯片接觸面金 屬化部的厚度方面幾乎沒有任何界限。 被涂覆到布置在復(fù)合晶片(Waferverbimd)中的芯片上的絕緣層是永久的絕緣
層，該永久的絕緣層在把芯片和復(fù)合晶片分離之前不被去除。更確切地說，該永久的絕緣
層可以以其特征以有利的方式在創(chuàng)建平面的接觸印制線路結(jié)構(gòu)的范圍內(nèi)被有利地使用。這
樣，在把芯片涂覆到相對(duì)應(yīng)準(zhǔn)備的襯底上之后可能使用更薄的(重新布線)絕緣層，其中可
以以更簡(jiǎn)單和更快速的方式執(zhí)行開始時(shí)提及的創(chuàng)建接觸印制線路結(jié)構(gòu)的過程。 僅在芯片和復(fù)合晶片分離之后才把這些芯片涂覆到載體上或者涂覆到襯底上，并
且經(jīng)受開始時(shí)說明的另外的平面連接工藝。在這種情況下的優(yōu)點(diǎn)是可以以薄的(重新布
線)絕緣層來工作，因?yàn)橥ㄟ^在平面的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生過程的范圍內(nèi)僅需產(chǎn)生厚度小的金屬
層。在這種情況下，使用薄的(重新布線)絕緣層允許在較短的時(shí)間內(nèi)執(zhí)行激光燒蝕過程，
因?yàn)榕c現(xiàn)有技術(shù)相比只需去除層厚小的(重新布線)絕緣材料。此外，幾乎能夠完全消除
現(xiàn)有技術(shù)中與激光燒蝕過程相聯(lián)系的缺點(diǎn)，因?yàn)殪`敏的芯片一方面通過產(chǎn)生的芯片接觸面
金屬化部已經(jīng)被保護(hù)，而另一方面通過在分離時(shí)留在芯片上的絕緣層已經(jīng)被保護(hù)。 適宜地，作為絕緣層使用光敏材料，特別是使用包括聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯
BCB(Benzocyclobutene)或者環(huán)氧抗蝕劑(Epoxyd-Resist)的光敏材料。使用光敏材料作
為絕緣層使得在晶片級(jí)加工芯片的范圍內(nèi)不再必需為了在所設(shè)置的芯片接觸面金屬化部
的區(qū)域內(nèi)結(jié)構(gòu)化并構(gòu)造開口而涂覆相對(duì)應(yīng)的附加的光電層。由此可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化制造過程
并且在成本方面優(yōu)化該制造過程。 絕緣層例如可以通過離心涂鍍(Ausfchleudern)、噴涂(Aufspruehen)、浸漬、滾 筒涂層(Roller-coating)或者層壓過程在晶片上涂覆。 絕緣層的層厚可以在10 ii m到500 y m之間(根據(jù)應(yīng)用情況)來選擇。產(chǎn)生厚的
芯片接觸面金屬化部帶來這樣的優(yōu)點(diǎn)芯片接觸面金屬化部在足夠大的厚度的情況下自身
可以被構(gòu)造為熱緩沖器，這例如在芯片是功率半導(dǎo)體芯片的應(yīng)用情況下是有利的。 絕緣層可以由單層或多層構(gòu)成。例如當(dāng)應(yīng)構(gòu)造厚的芯片接觸面金屬化部時(shí)，多個(gè)
層的使用是有利的。這樣可以在涂覆光敏絕緣層之前把至少一個(gè)其它的、優(yōu)選地具有絕緣
特性的層涂覆到配備有至少一個(gè)芯片接觸面的并且被鈍化的主側(cè)面上。 可替換地可通過漆構(gòu)造絕緣層。該漆例如可以通過采用一種數(shù)據(jù)控制的印刷方法
(例如在使用噴墨打印機(jī)的情況下)已經(jīng)以結(jié)構(gòu)化的形式被涂覆到晶片上。在這種情況下尤其是采用高絕緣的漆。 在另一擴(kuò)展方案中規(guī)定，在涂覆絕緣層之前把晶片涂覆到載體的粘合表面上并且 沿預(yù)先給定的分離路徑把芯片彼此分開，使得在將絕緣層涂覆到芯片的側(cè)邊上時(shí)用絕緣層 的材料覆蓋。由此另外保證，和復(fù)合晶片分離的芯片在整個(gè)表面和側(cè)邊上具有相同厚度的 絕緣層。該特性對(duì)于用于產(chǎn)生平面的接觸印制線路結(jié)構(gòu)的后置方法有用，因?yàn)榭梢砸员〉?絕緣層來工作。 在另一實(shí)施形式中，在分開芯片時(shí)，在其側(cè)邊上分別產(chǎn)生傾斜延伸的側(cè)面，以便簡(jiǎn) 化絕緣層的涂覆。 此外規(guī)定，為了在(永久的)絕緣層內(nèi)引進(jìn)開口，在使用掩膜的情況下對(duì)該絕緣層 進(jìn)行曝光?？商鎿Q地，可以在使用受控的激光曝光系統(tǒng)的情況下在絕緣層內(nèi)引進(jìn)開口。也可 以在使用激光燒蝕方法、等離子體方法或者通過濕化學(xué)蝕刻方法在絕緣層內(nèi)引進(jìn)開口。因 此，在永久絕緣層內(nèi)產(chǎn)生開口可以在使用已知的制造過程的情況下進(jìn)行。例如，當(dāng)絕緣層由 非光敏材料制成時(shí)，后面提到的方法適合。在此，等離子體方法或者蝕刻方法的應(yīng)用需要匹 配的抗蝕結(jié)構(gòu)化，其中相對(duì)應(yīng)的方法步驟從現(xiàn)有技術(shù)熟知。 根據(jù)本方法的另一擴(kuò)展方案，在具有多個(gè)芯片接觸面金屬化部的芯片中，不同厚 度地產(chǎn)生芯片接觸面金屬化部，其中根據(jù)不同層厚的芯片接觸面金屬化部的數(shù)目重復(fù)所述 方法步驟。如果應(yīng)產(chǎn)生具有不同厚度的芯片接觸面金屬化部的電子器件，那么因此建議首 先將絕緣層涂覆到復(fù)合晶片上，該復(fù)合晶片對(duì)應(yīng)于最小厚度的芯片接觸面金屬化部。在此 可以選擇性地僅在應(yīng)在其上創(chuàng)建第一厚度的芯片接觸面金屬化部的那些芯片接觸面上設(shè) 置開口。此后接著電鍍產(chǎn)生相對(duì)應(yīng)的芯片接觸面金屬化部。在下一方法步驟中，另一第二 絕緣層被涂覆到晶片表面上。更確切地說，在芯片接觸面上產(chǎn)生開口，在這些芯片接觸面上 應(yīng)產(chǎn)生以下厚度的芯片接觸面金屬化部該厚度對(duì)應(yīng)于第一和第二絕緣層的厚度。該行為 可以以相對(duì)應(yīng)的方式針對(duì)另外的、更厚的芯片接觸面金屬化部重復(fù)任意次。在該實(shí)施形式 中，適宜的是隨后除了第一絕緣層之外去除全部絕緣層，以便簡(jiǎn)化平面連接過程中的后來 的其它處理。 利用根據(jù)本發(fā)明的方法制造的電子部件優(yōu)選地在以平面連接工藝與另外的器件 和/或襯底電連接的芯片模塊內(nèi)被使用。 根據(jù)本發(fā)明的電子部件包括在被鈍化的主側(cè)面上配備有至少一個(gè)芯片接觸面的
芯片，在該主側(cè)面上設(shè)置絕緣層，該絕緣層在至少一個(gè)芯片接觸面的區(qū)域內(nèi)分別具有開口 ，
其中在絕緣層的開口中給芯片接觸面配備預(yù)定厚度的芯片接觸面金屬化部。 如上所述，這樣的電子部件能夠低成本地被制造，并且尤其是被用于平面連接工
藝中的其它處理。在此，這樣預(yù)加工的電子部件與常規(guī)芯片相比能夠更廉價(jià)地被進(jìn)一步處 理為模塊。根據(jù)本發(fā)明的電子部件尤其是可以帶有熱緩沖區(qū)地以芯片接觸面金屬化部的形
式被構(gòu)造，這些芯片接觸面金屬化部在平面連接工藝的范圍內(nèi)很難被實(shí)現(xiàn)或者僅能以高的 成本花費(fèi)才能實(shí)現(xiàn)。 在另一擴(kuò)展方案中，給芯片的側(cè)邊配備有絕緣層。另外可以規(guī)定，芯片的側(cè)邊具有 傾斜延伸的側(cè)面，由此使繼續(xù)涂覆在平面連接過程的范圍內(nèi)設(shè)置的絕緣層簡(jiǎn)單。尤其是由 此能夠避免介電強(qiáng)度的范圍內(nèi)的薄弱環(huán)節(jié)。 絕緣層適宜地包括一種光敏材料，特別是包括聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯BCB或者環(huán)氧抗蝕劑的光敏材料。 可替換地，絕緣層可以通過漆來構(gòu)成。 根據(jù)本發(fā)明的部件的芯片接觸面金屬化部的厚度在10 m到500 y m之間?；?br> 上也能夠產(chǎn)生還更厚的芯片接觸面金屬化部。 在另一擴(kuò)展方案中，絕緣層可以由單層或者多個(gè)層構(gòu)成。 芯片可以具有多個(gè)芯片接觸面金屬化部，這些芯片接觸面金屬化部具有不同的厚度。 在具體的擴(kuò)展方案中，芯片是功率半導(dǎo)體芯片，其中一個(gè)芯片接觸面構(gòu)造控制端 子，而另一芯片接觸面構(gòu)造負(fù)載端子，其中負(fù)載端子的芯片接觸面金屬化部大于控制端子 的芯片接觸面金屬化部。在另一具體的擴(kuò)展方案中，芯片是邏輯芯片或者LED(發(fā)光二極 管)芯片。


下面根據(jù)附圖詳細(xì)說明本發(fā)明。 圖1示出多個(gè)被布置在晶片內(nèi)的芯片的在涂覆絕緣層并且構(gòu)造芯片接觸面金屬 化部之后的示意性橫截面圖， 圖2示出根據(jù)本發(fā)明的電子器件，以及 圖3示出電子模塊，其中以平面連接工藝接觸連接根據(jù)本發(fā)明的電子器件。
具體實(shí)施例方式
圖1以示意圖示出示例性為三個(gè)并排被布置在復(fù)合晶片1內(nèi)的芯片的橫截面。在 這種情況下，芯片3被布置在載體2上，載體2例如是配備有粘合表面的鋸齒薄膜。在這種 情況下，載體2與晶片的連接在把芯片3和復(fù)合晶片1分離之前進(jìn)行。
芯片3的每個(gè)芯片在背離載體2的主側(cè)面上示例性地具有兩個(gè)芯片接觸面4、5。 給這些主側(cè)面如在處理晶片時(shí)通常的那樣配備有鈍化層6。以公知的方式，芯片接觸面4、5 和鈍化層6的背離芯片3的表面大體位于一個(gè)平面。 作為將絕緣層7涂覆到芯片3的表面上的準(zhǔn)備，這些芯片3可選地(粘附在載體2 上地)被彼此分開。兩個(gè)相鄰芯片3之間的各個(gè)相對(duì)應(yīng)的分割線的寬度在圖1中用bl標(biāo) 示。這種分開例如可以通過鋸切過程進(jìn)行，該鋸切過程將兩個(gè)相鄰的芯片3彼此完全分開， 使得由此在載體2中形成小的空隙10。 接著給芯片3配備絕緣層7。由于在兩個(gè)相鄰的芯片3之間形成的溝，在這種情況
下，不僅芯片3的與載體2平行構(gòu)造的表面、而且芯片3的側(cè)邊11或側(cè)面都用絕緣層7覆
蓋。絕緣層7可以通過離心涂鍍、噴涂、浸漬、滾筒涂層或者層壓過程實(shí)現(xiàn)。假如該絕緣層
通過漆來構(gòu)造，那么該絕緣層也可以通過結(jié)構(gòu)化的印刷技術(shù)方法來涂覆。 絕緣層7的厚度取決于要產(chǎn)生的芯片接觸面金屬化部8、9的厚度。 優(yōu)選地，對(duì)于絕緣層7使用光敏材料。這例如可以是光敏的聚酰亞胺、光敏的苯并
環(huán)丁烯BCB或者光敏的環(huán)氧抗蝕劑。由此可以通過已知的光電技術(shù)(Fototechnik)進(jìn)行絕
緣層的結(jié)構(gòu)化。這樣，例如可以通過掩膜工藝或者通過數(shù)據(jù)引導(dǎo)的激光曝光系統(tǒng)進(jìn)行曝光，
使得在這兩種情況下都能夠產(chǎn)生高精度的開口結(jié)構(gòu)。由此，在芯片接觸面4、5的區(qū)域內(nèi)構(gòu)造絕緣層7內(nèi)的相對(duì)應(yīng)的開口 。 如果對(duì)于絕緣層7使用非光敏的絕緣材料，那么尤其是激光燒蝕方法、等離子體 方法或者還有濕化學(xué)蝕刻方法適合于進(jìn)行結(jié)構(gòu)化。等離子體方法或者蝕刻方法的應(yīng)用事先 需要匹配的抗蝕結(jié)構(gòu)化。 在絕緣層7內(nèi)在芯片接觸面4、5的區(qū)域內(nèi)構(gòu)造開口 12之后，可以通過電鍍過程在 芯片接觸面4、5的區(qū)域內(nèi)構(gòu)造芯片接觸面金屬化部8、9。 在這種情況下，芯片接觸面8、9的構(gòu)造在晶片級(jí)進(jìn)行。所建議的方法的優(yōu)點(diǎn)在于， 涂覆平面狀態(tài)下的絕緣層7可以通過簡(jiǎn)單通用的涂層方法進(jìn)行，由此該方法是非常有成本 效益的。絕緣材料的寬范圍的選擇使得能夠匹配被分離的電子器件的后置的接觸連接方 法。 通過預(yù)先鋸開，所述鋸開尤其是還傾斜地在使用所謂的V形鋸條的情況下進(jìn)行， 特別是還能夠在芯片的臨界的側(cè)邊上在晶片水平級(jí)上進(jìn)行絕緣。這可以通過涂漆或者通過 采用絕緣薄膜實(shí)現(xiàn)，所述絕緣薄膜例如通過真空層壓過程來涂覆。 通過多重涂層能夠得到不同層厚的芯片接觸面金屬化部，由此例如能夠通過厚的 芯片接觸面金屬化部構(gòu)造熱緩沖器。該結(jié)構(gòu)化可以以高的精度也針對(duì)精細(xì)結(jié)構(gòu)化被實(shí)施。
尤其是在稍后在印刷電路板上或者對(duì)于芯片模塊重新布線時(shí)不應(yīng)用用于對(duì)器件 進(jìn)行位置確定的自動(dòng)光學(xué)檢查系統(tǒng)，由此能夠成本有利地實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)化、亦即在絕緣層中產(chǎn) 生開口。 在產(chǎn)生芯片接觸面金屬化部8、9之后分離還位于復(fù)合晶片1中的芯片3。這例如 通過鋸切過程進(jìn)行，其中在這種情況下盡可能不損壞在芯片3的側(cè)面11上涂覆的絕緣層。 兩個(gè)相鄰的芯片3的分開因此在具有寬度b2的分割線的區(qū)域內(nèi)進(jìn)行。 由此得到的另外還從載體2被解除的電子部件100在圖2中示出。在該實(shí)施例中， 電子部件100具有兩個(gè)相同厚的芯片接觸面金屬化部8、9。但是這不是強(qiáng)制性的。通過多 次順序執(zhí)行上述方法，能夠創(chuàng)建不同厚的芯片接觸面金屬化部。在此，芯片接觸面金屬化部 8、9的層厚優(yōu)選地在10 ii m到500 y m之間。當(dāng)厚的芯片接觸面金屬化部例如要承擔(dān)熱緩沖 器功能時(shí)，產(chǎn)生這種芯片接觸面金屬化部適合。 圖3示出把根據(jù)本發(fā)明的根據(jù)圖2的電子部件進(jìn)一步處理成芯片模塊200。在這 種情況下，應(yīng)用在開始時(shí)說明的平面連接工藝。在本實(shí)施例中，襯底20在前側(cè)和背側(cè)具有 接觸面21 、22、23。電子部件被布置在接觸面21上，并且例如通過焊接與該接觸面21機(jī)械 連接。假如該電子部件在其背側(cè)有電接觸部，則通過該連接也在這里制造電接觸部。芯片接 觸面金屬化部9與襯底20的接觸面22的電連接通過導(dǎo)線組結(jié)構(gòu)(Leiterzugstruktur)26 進(jìn)行，該導(dǎo)線組結(jié)構(gòu)26在芯片模塊200的(重新布線)絕緣層24上延伸。芯片接觸面8 與導(dǎo)線組結(jié)構(gòu)25連接，通過該導(dǎo)線組結(jié)構(gòu)25同樣進(jìn)行與在圖中未進(jìn)一步可見的接觸面或 者與器件的電接觸。 所構(gòu)造的導(dǎo)線組結(jié)構(gòu)25、26的制造通過用絕緣層24覆蓋在載體上涂覆的電子模 塊的表面來進(jìn)行。在接觸面金屬化部8、9的位置，在(重新布線)絕緣層24中引進(jìn)開口， 以便顯露這些接觸面金屬化部8、9。接著，薄的金屬層整個(gè)面積地被涂覆到絕緣層24以及 其所引進(jìn)的開口上。該薄的金屬層可以通過濺射、汽相沉積或者其它方法產(chǎn)生。該薄的金 屬層例如包含大約50nm厚的鈦層和大約liim厚的銅層。然后在該薄的金屬層上涂覆另一通常由絕緣材料制成的光敏薄膜。該光敏薄膜根據(jù)希望的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被曝光和被顯影。該曝 光例如在使用掩膜的情況下進(jìn)行，利用該掩膜把導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)的布局轉(zhuǎn)移到薄膜上。在此，光 電薄膜的應(yīng)構(gòu)造稍后的導(dǎo)線組結(jié)構(gòu)25、26的那些段通過掩膜被隔離。光電薄膜的未被曝光 的段能夠被除去，使得顯露位于其下的薄金屬層。通過把準(zhǔn)備的半成品浸入電解液槽、尤其 是銅電解液槽中，通過電鍍加強(qiáng)使導(dǎo)線組結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)，該導(dǎo)線組結(jié)構(gòu)具有20ym到200 ii m的 厚度。 由于已經(jīng)進(jìn)行的芯片接觸面金屬化部8、9的產(chǎn)生，導(dǎo)線組結(jié)構(gòu)25、26可以非常薄 地被構(gòu)造，因?yàn)檫@些導(dǎo)線組結(jié)構(gòu)25、26僅為制造各個(gè)接觸面之間的電連接所需要。可能的 熱緩沖器功能或者電阻不再必須通過該方法來考慮。在緊接其后的步驟中，還位于該表面 上的光電薄膜在不應(yīng)構(gòu)造導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的區(qū)域上被去除。最后進(jìn)行差分蝕刻，其中整個(gè)面積地 去除薄金屬層，使得僅保留希望的導(dǎo)線組結(jié)構(gòu)。 根據(jù)本發(fā)明的方法在使用剛才說明的連接工藝的情況下的優(yōu)點(diǎn)在于無論是(重 新布線)絕緣層24還是永久的絕緣層7都有助于電絕緣?；谶@一理由，與按照現(xiàn)有技術(shù) 的方法相比，絕緣層24能夠相當(dāng)薄地被構(gòu)造，其中仍然實(shí)現(xiàn)要求的介電強(qiáng)度。通過較薄地 構(gòu)造絕緣層24，能夠更容易地成形，亦即在半成品的三維成形的表面上涂覆絕緣層24。由 此能夠以高的可靠性涂覆絕緣層24，其中尤其是臨界的棱和角也能夠容易地達(dá)到所要求的 介電強(qiáng)度。
權(quán)利要求
用于制造電子部件(100)的方法，其中-多個(gè)布置在晶片中的芯片(3)在配備有至少一個(gè)芯片接觸面(4，5)并且被鈍化的主側(cè)面上被配備有絕緣層(7)，-所述絕緣層(7)在相應(yīng)芯片(3)的至少一個(gè)芯片接觸面(4，5)的區(qū)域中被配備有開口(12)，-相應(yīng)芯片(3)的芯片接觸面(4，5)被配備有預(yù)定厚度的芯片接觸面金屬化部(8，9)，以及-布置在晶片中的芯片(3)和所述晶片分離。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中，作為絕緣層(7)使用光敏材料，尤其是使用包括 聚酰亞胺、BCB(苯并環(huán)丁烯)或者環(huán)氧抗蝕劑的光敏材料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，絕緣層(7)通過離心涂鍍、噴涂、浸漬、滾筒 涂層或者層壓過程被涂覆。
4. 根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，絕緣層(7)的層厚在10iim到500iim之 間被選擇。
5. 根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，絕緣層(7)由單層或者多層構(gòu)成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1到4之一所述的方法，其中，絕緣層(7)通過漆構(gòu)成。
7. 根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，在涂覆絕緣層之前，晶片被涂覆到載體的 粘合表面上，并且芯片(3)沿預(yù)先給定的分離路徑彼此分開，使得在涂覆絕緣層(7)時(shí)，芯 片的側(cè)邊也利用絕緣層(7)的材料來覆蓋。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在分開芯片(3)時(shí)，在所述芯片(3)的側(cè)邊上分 別產(chǎn)生傾斜延伸的側(cè)面，以便使涂覆絕緣層簡(jiǎn)單。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2到8之一所述的方法，其中，為了在絕緣層(7)中引進(jìn)開口 (12)，在 使用掩膜的情況下曝光絕緣層(7)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求2到8之一所述的方法，其中，在使用受控的激光曝光系統(tǒng)的情況下 在絕緣層(7)中引進(jìn)開口 (12)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求2到8之一所述的方法，其中，在使用激光燒蝕方法、等離子體方法或 者通過濕化學(xué)蝕刻方法在絕緣層(7)中引進(jìn)開口 (12)。
12. 根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，在具有多個(gè)芯片接觸面金屬化部(8，9) 的芯片(3)中不同厚地產(chǎn)生芯片接觸面金屬化部，其中根據(jù)不同層厚的芯片接觸面金屬化 部(8，9)的數(shù)目重復(fù)方法步驟。
13. —種電子部件在芯片模塊中的應(yīng)用，所述芯片模塊以平面連接工藝與其它器件和 /或襯底電連接。
14. 一種電子部件，其包括在被鈍化的主側(cè)面上被配備有至少一個(gè)芯片接觸面(4， 5) 的芯片(3)，在該主側(cè)面上設(shè)置絕緣層(7)，該絕緣層(7)在至少一個(gè)芯片接觸面(4，5)的 區(qū)域內(nèi)分別具有開口 (12)，其中，在絕緣層(7)的開口中給芯片接觸面(4，5)配備預(yù)定厚度 的芯片接觸面金屬化部(8， 9)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的部件，其中，芯片(3)的側(cè)邊(11)被配備有絕緣層(7)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的部件，其中，芯片(3)的側(cè)邊(11)具有傾斜延伸的側(cè)面。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14到16之一所述的部件，其中，絕緣層(7)包括光敏材料，特別是包 括包含聚酰亞胺、BCB(苯并環(huán)丁烯)或者環(huán)氧抗蝕劑的光敏材料。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14到17之一所述的部件，其中，絕緣層(7)通過漆構(gòu)成。
19. 根據(jù)權(quán)利要求14到18之一所述的部件，其中，芯片接觸面金屬化部(8，9)的厚度 在10iim至lj 500iim之間。
20. 根據(jù)權(quán)利要求14到19之一所述的部件，其中，絕緣層(7)由單層或者多層構(gòu)成。
21. 根據(jù)權(quán)利要求14到20之一所述的部件，其中，芯片(3)具有多個(gè)芯片接觸面金屬 化部(8，9)，所述芯片接觸面金屬化部(8，9)具有不同的厚度。
22. 根據(jù)權(quán)利要求14到21之一所述的部件，其中，芯片(3)是功率半導(dǎo)體芯片，其中一 個(gè)芯片接觸面(4)構(gòu)造控制端子，而另一芯片接觸面(5)構(gòu)造負(fù)載端子，其中負(fù)載端子的芯 片接觸面金屬化部(9)大于控制端子的芯片接觸面金屬化部(8)。
23. 根據(jù)權(quán)利要求14到21之一所述的部件，其中，芯片(3)是邏輯芯片或者是發(fā)光二 極管芯片。
全文摘要
給出一種用于制造電子部件(100)的方法，其中，多個(gè)布置在晶片中的芯片(3)在配備有至少一個(gè)芯片接觸面(4，5)并且被鈍化的主側(cè)面上被配備有絕緣層(7)。在相應(yīng)芯片(3)的至少一個(gè)芯片接觸面(4，5)的區(qū)域內(nèi)的絕緣層(7)被配備有開口(12)。相應(yīng)芯片(3)的芯片接觸面(4，5)被配備有預(yù)定厚度的芯片接觸面金屬化部(8，9)，并且布置在晶片中的芯片(3)和所述晶片分離。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101765912SQ200880101035
公開日2010年6月30日 申請(qǐng)日期2008年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月31日
發(fā)明者H·施瓦茨鮑爾, K·韋德納, R·霍弗, W·霍夫曼 申請(qǐng)人:西門子公司