專(zhuān)利名稱(chēng)：有源矩陣基板、有源矩陣基板的制造方法和液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于液晶顯示裝置的有源矩陣基板和具備該有源矩陣基板的液晶顯 示裝置。
背景技術(shù)：
歷來(lái)，作為電視和監(jiān)視器等顯示裝置，廣泛使用液晶顯示裝置。其中，在各像素中具備作為開(kāi)關(guān)元件的晶體管的有源矩陣型的液晶顯示裝置，從 高顯示品質(zhì)和高速響應(yīng)性等觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，近年來(lái)逐漸成為液晶顯示裝置的主流。構(gòu)成該有源矩陣型液晶顯示裝置的液晶顯示面板，一般通過(guò)將作為對(duì)置基板的彩 色濾光片基板、和有源矩陣基板組合為一對(duì)而形成。并且，在上述有源矩陣基板中，具備配置為棋盤(pán)格子狀的像素電極、相互正交地 設(shè)置在該像素電極之間的多條柵極配線(xiàn)和源極配線(xiàn)、設(shè)置在該柵極配線(xiàn)和源極配線(xiàn)的交點(diǎn) 近旁的作為開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor) 0這里，在上述液晶顯示面板中的顯示區(qū)域即像素區(qū)域中，一般在上述柵極配線(xiàn)與 像素電極或源極配線(xiàn)之間設(shè)置有絕緣層。此外，在液晶顯示面板的周邊區(qū)域即端子區(qū)域中，為了與其他部件電連接，設(shè)置有 上述柵極配線(xiàn)和源極配線(xiàn)的表面露出的部分。(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)作為具有這樣的結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置，例如，存在專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的液晶顯示裝 置。具體而言，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載有如下結(jié)構(gòu)在顯示區(qū)域(像素區(qū)域)中，柵極電極和 源極電極在它們之間隔著柵極絕緣膜而形成在第一透明基板上，進(jìn)一步，柵極電極、柵極絕 緣膜和源極電極被保護(hù)膜覆蓋。并且，上述保護(hù)膜，在位于上述顯示區(qū)域的周邊的端子區(qū)域中，形成在配線(xiàn)端子部 以外的部分。(專(zhuān)利文獻(xiàn)2)此外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載有如下結(jié)構(gòu)在像素區(qū)域中，在信號(hào)配線(xiàn)(源極配線(xiàn)) 上設(shè)置上部絕緣膜，在使表面平坦后，在該上部絕緣膜上形成像素電極。(專(zhuān)利文獻(xiàn)3)此外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)3中記載有如下結(jié)構(gòu)在像素部(像素區(qū)域)和端子部(端子區(qū) 域)中，除在基板上設(shè)置基底層以外，還在其上形成配線(xiàn)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本國(guó)公開(kāi)專(zhuān)利公報(bào)“特開(kāi)2007-94028號(hào)公報(bào)(2007年4月12日公 開(kāi))”專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本國(guó)公開(kāi)專(zhuān)利公報(bào)“特開(kāi)2001-281680號(hào)公報(bào)(2001年10月10日 公開(kāi))”專(zhuān)利文獻(xiàn)3 日本國(guó)公開(kāi)專(zhuān)利公報(bào)“特開(kāi)2005-210081號(hào)公報(bào)(2005年8月4日公 報(bào))”

發(fā)明內(nèi)容
但是，在現(xiàn)有的液晶顯示裝置，例如上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的液晶顯示裝置中，存 在如下問(wèn)題在端子區(qū)域中，容易產(chǎn)生配線(xiàn)的剝落、在該配線(xiàn)上進(jìn)一步層疊層的情況下，在 該層疊的層上容易產(chǎn)生切斷。下面，基于附圖進(jìn)行說(shuō)明。圖10是表示液晶顯示面板10的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。如圖10所示，液晶顯示面板10通過(guò)將彩色濾光片基板20和有源矩陣基板30貼 合而形成。并且，當(dāng)比較上述彩色濾光片基板20和有源矩陣基板30時(shí)，有源矩陣基板30 大一圈。其結(jié)果，在液晶顯示面板10的周?chē)纬捎杏性淳仃嚮?0從彩色濾光片基板20 伸出的部分。這里，在液晶顯示面板10中，將占據(jù)其中心區(qū)域且顯示圖像的區(qū)域作為像素區(qū)域 RA。另一方面，在上述有源矩陣基板30伸出的部分中，將形成有用于與外部電連接的配線(xiàn) 的區(qū)域作為端子區(qū)域RB。并且，將圖10所示的液晶顯示面板10的端子區(qū)域RB的一部分即區(qū)域R1放大，表 示形成在該區(qū)域的配線(xiàn)的結(jié)構(gòu)的圖為圖11。如圖11所示那樣在上述端子區(qū)域RB中，柵極配線(xiàn)50等配線(xiàn)幾乎平行地形成有多
^^ o并且，表示圖11所示的端子區(qū)域RB的A-A線(xiàn)截面的圖為圖12。(柵極配線(xiàn)3層結(jié)構(gòu))這里，在圖12中，表示形成在端子區(qū)域RB的配線(xiàn)即配線(xiàn)50具有3層結(jié)構(gòu)的情況。 如下所示，從圖13至圖15中，同樣地以柵極配線(xiàn)50具有3層構(gòu)造的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。如圖12所示，例如，在由3層結(jié)構(gòu)形成的柵極配線(xiàn)50從玻璃基板32側(cè)依次為鈦 (Ti :Titanium、第一鈦層 52)、鋁(A1 :Aluminium、鋁層 54)、鈦(Ti :Titanium、第二鈦層 56) 的情況下，因在對(duì)上述柵極配線(xiàn)50進(jìn)行圖案化之際等的耐藥液性等的影響，位于3層內(nèi)的 中間的鋁層54比其他第一鈦層52和第二鈦層56被更大地被削入，在第一鈦層52和第二 鈦層56之間形成空隙(圖12所示的區(qū)域R10)。并且，該空隙如接下來(lái)說(shuō)明的那樣，成為柵極配線(xiàn)50的剝落、層疊在該柵極配線(xiàn) 50的上層的層切斷的原因。另外，如表示上述圖11的B-B線(xiàn)截面的圖即圖15所示那樣，多條并列設(shè)置的柵極 配線(xiàn)50的截面形狀幾乎相同。(剝落)首先，對(duì)柵極配線(xiàn)50的剝落進(jìn)行說(shuō)明。如示意性地表示柵極配線(xiàn)50的剝落情況的圖即圖13所示，對(duì)于成為上述空隙 (參照?qǐng)D12所示的區(qū)域R10)的上邊的第二鈦層56，由于在其下不存在鋁層54，因此容易產(chǎn) 生彎曲等變形(參照?qǐng)D13所示的區(qū)域R12)，進(jìn)而產(chǎn)生第二鈦層56的剝落。(切斷)接著，對(duì)切斷進(jìn)行說(shuō)明。圖14是表示層疊在柵極配線(xiàn)50上的層已切斷的情況的圖。這里，切斷的意思是 層在臺(tái)階部分?jǐn)嗔选?br> 如圖14所示，在層間具有空隙(參照?qǐng)D12所示的區(qū)域R10)的柵極配線(xiàn)50中，在 其上層層疊有柵極絕緣層78和溝道半導(dǎo)體層80的情況下，該柵極絕緣層78和溝道半導(dǎo)體 層80變?yōu)楦采w上述空隙R10的形態(tài)。并且，由于如上所述第二鈦層56容易彎曲，因此由于 該第二鈦層56的變形的影響，柵極絕緣層78和溝道半導(dǎo)體80斷裂，產(chǎn)生所謂的上述切斷。 此外，存在由于第二鈦層56與第一鈦層52或玻璃基板32的陡峭的臺(tái)階而產(chǎn)生上述切斷的 情況。(柵極配線(xiàn)1層結(jié)構(gòu))此外，在上述使用圖12至圖15進(jìn)行的說(shuō)明中，對(duì)柵極配線(xiàn)50具有3層結(jié)構(gòu)的情 況進(jìn)行了說(shuō)明，但即使在柵極配線(xiàn)50由一層構(gòu)成的情況下，上述剝落和切斷也會(huì)產(chǎn)生。S卩，如在柵極配線(xiàn)50由一層構(gòu)成的情況下的相當(dāng)于上述圖11的A-A線(xiàn)截面圖的 圖16所示那樣，在柵極配線(xiàn)50由基于例如鈦或鋁的一層構(gòu)成的情況下，柵極配線(xiàn)50的截 面形狀存在變?yōu)樗^的倒錐形狀的情況。這里，倒錐形狀的意思是如下形狀關(guān)于柵極配線(xiàn) 50的線(xiàn)寬度，該線(xiàn)寬度隨著遠(yuǎn)離與玻璃基板32相接的部分而擴(kuò)展。即，意思是與玻璃基板 32相接的部分的線(xiàn)寬度變得最狹窄的形狀。此外，在柵極配線(xiàn)50由一層構(gòu)成的情況下的表示上述圖11的B-B線(xiàn)截面的圖為 圖17。如圖17所示，在柵極配線(xiàn)50由一層構(gòu)成的情況下，多條并列設(shè)置的柵極配線(xiàn)50的 截面形狀(倒錐形狀)幾乎相同。即使在這樣的具有倒錐形狀的柵極配線(xiàn)50中，與形成有上述空隙的柵極配線(xiàn)50 相同，也容易產(chǎn)生剝落和切斷。S卩，就剝落而言，在倒錐形狀中，相對(duì)于玻璃基板32的接觸面積變小，另外，當(dāng)什 么東西與倒錐形狀的頂端部分接觸時(shí)，會(huì)輕易地產(chǎn)生促使剝離的應(yīng)力。此外，就切斷而言，當(dāng)在錐形狀的柵極配線(xiàn)50的上層層疊有柵極絕緣層78和溝道 半導(dǎo)體層80等時(shí)，容易由該柵極絕緣層78和溝道半導(dǎo)體層80、和錐形狀的柵極配線(xiàn)50的 邊緣形成空隙。并且，覆蓋該空隙的柵極絕緣層78和溝道半導(dǎo)體層80，由于與使用上述的圖14說(shuō) 明了的情況相同的理由，容易產(chǎn)生斷裂。即，在倒錐形狀的邊緣部分(圖16和圖17所示的 區(qū)域R16)，容易產(chǎn)生切斷。如以上那樣，對(duì)于端子區(qū)域的柵極配線(xiàn)50等配線(xiàn)，容易產(chǎn)生剝落和切斷等不良情 況。但是，在上述各現(xiàn)有技術(shù)中難以回避該不良情況的產(chǎn)生。S卩，在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的結(jié)構(gòu)中，在配線(xiàn)上形成有保護(hù)膜。但是，它設(shè)置在配 線(xiàn)端子部(端子區(qū)域)以外，難以抑制在端子區(qū)域產(chǎn)生不良情況。另外，在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)2所記載的結(jié)構(gòu)中，為了使基板和配線(xiàn)的密合性提高而形 成有基底層。但是，上述端子區(qū)域的不良情況，與其說(shuō)在基板和配線(xiàn)的界面上產(chǎn)生不如說(shuō)是 在配線(xiàn)的表面近旁產(chǎn)生。因此，難以抑制在上述端子區(qū)域產(chǎn)生不良情況。另外，在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)3所記載的結(jié)構(gòu)中，由于用液滴吐出法形成配線(xiàn)，配線(xiàn)的密 合力變?nèi)?。于是，本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而提出的，其目的在于，實(shí)現(xiàn)一種有源矩陣基板、有 源矩陣基板的制造方法和液晶顯示裝置，能夠抑制在形成端子等的周?chē)鷧^(qū)域中，產(chǎn)生配線(xiàn) 的剝落和層疊體的切斷等的端子不良情況。
為了解決上述課題，本發(fā)明的有源矩陣基板具備基板；形成在上述基板上的配 線(xiàn)；和絕緣層，該絕緣層用于將形成在該配線(xiàn)上的其他層與上述配線(xiàn)絕緣，該有源矩陣基板 的特征在于在上述基板的一部分區(qū)域中，上述絕緣層不設(shè)置在該配線(xiàn)的上表面，上述上表 面露出，而在上述配線(xiàn)的至少沿著長(zhǎng)度方向的端面，上述絕緣層以與上述端面相接的方式 設(shè)置在上述基板上。此外，本發(fā)明的有源矩陣基板，優(yōu)選在上述基板的一部分區(qū)域的上述配線(xiàn)的端 面，上述絕緣層以與上述端面相接的方式設(shè)置在上述基板上。此外，本發(fā)明的有源矩陣基板，能夠令上述基板的一部分區(qū)域?yàn)樯鲜龌宓闹車(chē)?區(qū)域。此外，本發(fā)明的有源矩陣基板，能夠令上述基板的一部分區(qū)域?yàn)樯鲜龌宓倪B接 區(qū)域。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在基板的一部分區(qū)域中配線(xiàn)的上表面露出，所以能夠形成該配線(xiàn) 與其他配線(xiàn)或部件等的電連接。這里，上述一部分區(qū)域，例如在基板的周?chē)鷧^(qū)域等中，被設(shè)置為連接區(qū)域的情況 下，上述配線(xiàn)作為電連接點(diǎn)起作用。另一方面，即使在不作為電連接點(diǎn)使用的情況下，由于配線(xiàn)的上表面露出，例如也 能夠作為對(duì)準(zhǔn)用等的標(biāo)記或文字標(biāo)簽等使用。另一方面，在上述配線(xiàn)的端面(至少沿著上述配線(xiàn)的長(zhǎng)度方向的側(cè)端面)，以與該 端面相接的方式形成有絕緣層。因此，該絕緣層抑制上述配線(xiàn)的從基板的剝落，或者抑制形成在上述配線(xiàn)的上層 的層的斷裂。下面進(jìn)行說(shuō)明。(剝落)首先，在上述配線(xiàn)為例如3層結(jié)構(gòu)等多層結(jié)構(gòu)的情況下，在對(duì)上述配線(xiàn)進(jìn)行圖案 化的過(guò)程中，存在各個(gè)層的端面不一致，而在端面形成有凹部和凸部的情況。該凹凸部，容 易在構(gòu)成上述多個(gè)層的材料各不相同的情況下產(chǎn)生。另外，在上述配線(xiàn)為單層構(gòu)造的情況下，存在其截面形狀為倒錐形狀的時(shí)候。這 里，倒錐形狀是指，在配線(xiàn)的截面形狀中，從與基板相接的部分朝向上表面方向，其線(xiàn)幅度 變得擴(kuò)大的形狀。并且，上述端面具有凹部和凸部、或者倒錐形的截面形狀等的配線(xiàn)，容易產(chǎn)生配線(xiàn) 的剝離(剝落)。S卩，在上述配線(xiàn)的端面的凹部和凸部中，存在配線(xiàn)突出的部分。并且，以該部分為 起點(diǎn)容易產(chǎn)生配線(xiàn)的彎曲、進(jìn)而產(chǎn)生配線(xiàn)的剝落。另外，在具有上述倒錐形的截面形狀的部分中，以倒錐形狀的頂點(diǎn)的部分，換言 之，以帽檐狀地突出的部分為起點(diǎn)，容易產(chǎn)生配線(xiàn)的剝落。對(duì)此，在上述結(jié)構(gòu)中，與配線(xiàn)的端面相接形成有絕緣層。因此，例如，即使在配線(xiàn)的 端面形成有凹部和凸部，也在洼陷的部分(例如凹部的空隙部分等)形成有絕緣層。并且， 由于其具有固定配線(xiàn)的作用，難以產(chǎn)生配線(xiàn)的剝落。另外，即使對(duì)于倒錐形狀的配線(xiàn)也同樣地，通過(guò)由絕緣層得到的配線(xiàn)的固定作用， 能夠抑制剝落。
(切斷)進(jìn)一步，根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，能夠抑制形成在上述配線(xiàn)的上層的層的斷裂(切斷)。 下面進(jìn)行說(shuō)明。在端面具有凹部和凸部、或者倒錐形的截面形狀等這樣的上述配線(xiàn)中，容易產(chǎn)生 形成在其上的層的斷裂。即，在形成有覆蓋具有這樣的形狀的配線(xiàn)的層(上層)的情況下，在該上層，容易 產(chǎn)生不與成為上層的基底層的上述配線(xiàn)相接的部分。換言之，在上層和配線(xiàn)之間形成間隙 (空隙)的情況較多。例如，在凹部形狀中的凹的部分、倒錐形狀的基板與配線(xiàn)的接點(diǎn)附近 部分等容易形成該間隙。并且，在該間隙上的上層，例如，在從外部壓入的力或?qū)舆M(jìn)行拉拽的力作用在上 層的情況下，在該部分容易產(chǎn)生斷裂。對(duì)此，根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，與配線(xiàn)的端面相接形成有絕緣層。因此，例如，即使在配線(xiàn) 的端面形成有凹部和凸部，也會(huì)在在洼陷的部分(例如凹部的空隙部分等)形成有絕緣層， 填埋端面的凹的部分等。另外，各層間、以及各層與基板之間難以產(chǎn)生陡峭的臺(tái)階。此外，對(duì)于倒錐形狀的配線(xiàn)，也同樣地，配線(xiàn)與基板的附近部分的洼陷也被絕緣層 填埋。因此，即使在上述配線(xiàn)上形成有層(上層)，在該上層和配線(xiàn)之間也難以形成間 隙，因此，難以產(chǎn)生上層的斷裂。根據(jù)以上所述，上述的結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板起到能夠?qū)崿F(xiàn)一種有源矩陣基板的效 果，該有源矩陣基板在形成端子等的周?chē)鷧^(qū)域中，能夠抑制配線(xiàn)的剝落和層疊體的切斷等 端子不良情況的產(chǎn)生。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板，優(yōu)選上述絕緣層的與上述配線(xiàn)的端面相接部分的 厚度為，該絕緣層所相接部分的配線(xiàn)的膜厚以下的高度。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，與配線(xiàn)的端面相接的絕緣層的厚度，為該配線(xiàn)的膜厚以下。因此，不會(huì)形成比配線(xiàn)的上表面更突出的絕緣層，層的厚度變得容易從配線(xiàn)到絕 緣層連續(xù)地減少。即，能夠達(dá)到結(jié)構(gòu)的平坦化。因此，例如，在作為端子利用配線(xiàn)之際，能夠容易地確保對(duì)該配線(xiàn)的電連接。另外， 難以產(chǎn)生基板與配線(xiàn)和絕緣層的剝離、特別是絕緣層的剝離。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板，優(yōu)選與上述配線(xiàn)的端面相接的上述絕緣層，從該 端面起，至少在與上述基板平行的方向上，具有上述絕緣層的膜厚以上的寬度。上述的結(jié)構(gòu)的絕緣層，由于與基板的接觸長(zhǎng)度變?yōu)樵撃ず褚陨系拈L(zhǎng)度，因此難以 與基板剝離。并且，與該絕緣層相接的配線(xiàn)也難以從基板剝離。另外，與上述絕緣層的基板平行的方向的寬度，例如在配線(xiàn)相鄰的情況下到該配 線(xiàn)為止，在基板端接近的情況下到該基板端為止或者到上述基板的周?chē)鷧^(qū)域端為止等，為 其最長(zhǎng)寬度。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板，優(yōu)選在上述基板上形成有薄膜晶體管作為開(kāi)關(guān) 元件，上述配線(xiàn)是與上述薄膜晶體管電連接的柵極配線(xiàn)、源極配線(xiàn)、或者柵極配線(xiàn)和源極配 線(xiàn)。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，配線(xiàn)是柵極配線(xiàn)、源極配線(xiàn)、或者柵極配線(xiàn)和源極配線(xiàn)。因此，使用上述周?chē)鷧^(qū)域的配線(xiàn)，能夠直接輸入用于控制上述薄膜晶體管的信號(hào)。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板，優(yōu)選上述一部分區(qū)域包括上述配線(xiàn)與其他部件電 連接的端子區(qū)域。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⑸鲜雠渚€(xiàn)用作外部連接的連接端子。因此，在上述配線(xiàn)上，在連接、安裝部件等之際，即使在上述配線(xiàn)上施加應(yīng)力，在上 述配線(xiàn)上也難以產(chǎn)生剝落。因此，能夠確保與上述部件等的連接可靠性。此外，本發(fā)明的有源矩陣基板，優(yōu)選上述基板為長(zhǎng)方形，上述一部分區(qū)域包括在 上述基板的4個(gè)周?chē)械闹辽僖粋€(gè)的周?chē)?。根?jù)上述的結(jié)構(gòu)，能夠容易地將格子狀地配置在長(zhǎng)方形的基板內(nèi)的配線(xiàn)引出到能 夠與外部電連接的區(qū)域。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板，優(yōu)選上述絕緣層由含有有機(jī)成分的絕緣材料構(gòu) 成。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，形成絕緣層的材料含有有機(jī)成分。因此，例如使用旋涂法或印刷 法等涂敷方法，能夠在基板的整個(gè)面上容易地形成層厚較厚的絕緣層。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板，優(yōu)選上述絕緣層含有硅。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，由于絕緣層含有硅，因此通過(guò)將其涂敷到基板上，能夠容易地得 到玻璃膜(二氧化硅類(lèi)皮膜)。并且，這樣的膜一般相對(duì)介電常數(shù)低，因此能夠得到具有良 好的電特性的有源矩陣基板。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板，優(yōu)選上述配線(xiàn)具有多層結(jié)構(gòu)。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，由于上述配線(xiàn)為多層結(jié)構(gòu)，容易對(duì)上述配線(xiàn)賦予所期望的機(jī)械 上的、電學(xué)上的特性。另外，即使配線(xiàn)為多層結(jié)構(gòu)，也如先前說(shuō)明了的那樣，難以產(chǎn)生配線(xiàn)的剝離等。另外，為了解決上述課題，本發(fā)明的有源矩陣基板的制造方法，優(yōu)選上述有源矩 陣基板形成有薄膜晶體管作為開(kāi)關(guān)元件，上述制造方法的特征在于，包括在基板上形成配 線(xiàn)圖案的第一工序；形成覆蓋上述配線(xiàn)的絕緣層的第二工序；和對(duì)上述絕緣層進(jìn)行圖案化 的第三工序，在上述第三工序中，在上述配線(xiàn)與其他部件電連接的區(qū)域，除去上述配線(xiàn)的上 表面的絕緣層，使上述上表面露出，并且在上述區(qū)域中，使與上述配線(xiàn)的端面相接的絕緣層 殘留。根據(jù)上述的方法，能夠容易地形成與配線(xiàn)的端面相接的絕緣層。因此，在形成端子等的周?chē)鷧^(qū)域，起到能夠容易地實(shí)現(xiàn)一種有源矩陣基板的效果， 該有源矩陣基板能夠抑制配線(xiàn)的剝落和層疊體的切斷等端子不良情況的產(chǎn)生。另外，本發(fā)明的液晶顯示裝置，優(yōu)選使用上述有源矩陣基板。根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，由于使用的有源矩陣基板的配線(xiàn)的連接可靠性高，因此能夠得 到高可靠性的液晶顯示裝置。本發(fā)明的有源矩陣基板，在基板的一部分區(qū)域中，絕緣層不設(shè)置在配線(xiàn)的上表面， 上述表面露出，而在上述配線(xiàn)的至少沿著長(zhǎng)度方向的端面，上述絕緣層以與上述端面相接 的方式設(shè)置在上述基板上。另外，本發(fā)明的有源矩陣基板的制造方法，包括在基板上形成配線(xiàn)圖案的第一工 序；形成覆蓋上述配線(xiàn)的絕緣層的第二工序；和對(duì)上述絕緣層進(jìn)行圖案化的第三工序，在上述第三工序中，在上述配線(xiàn)與其他部件電連接的區(qū)域，除去上述配線(xiàn)的上表面的絕緣層， 使上述上表面露出，并且在上述區(qū)域中，使與上述配線(xiàn)的端面相接的絕緣層殘留。因此，起到能夠提供一種能夠抑制在形成端子等的周?chē)鷧^(qū)域中，產(chǎn)生配線(xiàn)的剝落 和層疊體的切斷等端子不良情況的有源矩陣基板、和有源矩陣基板的制造方法的效果。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的圖，是表示有源矩陣基板的端子區(qū)域的概略結(jié)構(gòu) 的俯視圖。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的圖，是表示有源矩陣基板的層結(jié)構(gòu)的概略的截面 圖。圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的圖，是表示有源矩陣基板的工藝流程的概略的 圖。圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的圖，是表示有源矩陣基板的制造流程的圖。圖5是表示有源矩陣基板的與圖4的S3相接的制造流程的圖。圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的圖，是圖1的D-D線(xiàn)截面圖。圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的圖，是圖1的C-C線(xiàn)截面的電子顯微鏡照片。圖8是本發(fā)明的其他的實(shí)施方式的、相當(dāng)于圖1的C-C線(xiàn)截面的圖。圖9是本發(fā)明的其他的實(shí)施方式的、相當(dāng)于圖1的D-D線(xiàn)截面的圖。圖10是液晶顯示面板的概略俯視圖。圖11是表示端子區(qū)域的端子的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。圖12是表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置的圖，是圖11的A-A線(xiàn)截面圖。圖13是表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置的圖，是表示柵極配線(xiàn)的剝落情況的圖。圖14是表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置的圖，是表示層疊在柵極配線(xiàn)上的層的切斷情 況的圖。圖15是表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置的圖，是圖11的B-B線(xiàn)截面圖。圖16是表示現(xiàn)有的其他的液晶顯示裝置的圖，是圖11的其他的結(jié)構(gòu)的A-A線(xiàn)截 面圖。圖17是表示現(xiàn)有的其他的液晶顯示裝置的圖，是圖11的其他的結(jié)構(gòu)的B-B線(xiàn)截 面圖。符號(hào)說(shuō)明30有源矩陣基板32玻璃基板(基板)40像素電極50柵極配線(xiàn)(配線(xiàn))70薄膜晶體管84輔助電容部90層間絕緣層(絕緣層)RA像素區(qū)域RB端子區(qū)域
具體實(shí)施例方式基于附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有源矩陣基板進(jìn)行說(shuō)明如下。本發(fā)明的特征在于，有源矩陣基板的周邊區(qū)域(主要是端子區(qū)域)的、所謂的 S0G(旋涂玻璃)層的結(jié)構(gòu)。即，如本實(shí)施方式的有源矩陣基板30的端子區(qū)域RB的俯視圖 即圖1所示，在本實(shí)施方式的有源矩陣基板30的端子區(qū)域RB中，在柵極配線(xiàn)50等配線(xiàn)之 間的區(qū)域中也以與該各配線(xiàn)相接的方式設(shè)置有層間絕緣層90。下面進(jìn)行說(shuō)明。(有源矩陣基板的結(jié)構(gòu))首先，基于圖2對(duì)本實(shí)施方式的有源矩陣基板的層結(jié)構(gòu)的概略進(jìn)行說(shuō)明。圖2是 表示有源矩陣基板的概略結(jié)構(gòu)的像素區(qū)域的截面圖。這里，如先前基于圖10說(shuō)明的那樣， 像素區(qū)域是指液晶顯示面板10的顯示區(qū)域(參照?qǐng)D10的區(qū)域RA)。如圖2所示，本實(shí)施方式的有源矩陣基板30在上述顯示區(qū)域中，具有與通常的有 源矩陣基板30幾乎相同的結(jié)構(gòu)。S卩，在玻璃基板32上主要形成有作為開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT:Thin Film TransistorWO、和與其連接的像素電極40。另外，在該像素電極40的下層形成有輔助電容 部84。詳細(xì)而言，關(guān)于上述薄膜晶體管70，在玻璃基板32上首先形成有柵極電極72，在 其上隔著柵極絕緣層78形成有溝道半導(dǎo)體層80。并且，在該溝道半導(dǎo)體層80上，分別單獨(dú) 連接有源極電極74和漏極76。進(jìn)一步，在上述源極電極74和漏極電極76的上層，設(shè)置有 保護(hù)層88。并且，上述像素電極40與上述薄膜晶體管70的漏極電極76連接。另外，在上述輔助電容部84中，在上述像素電極40的下層形成有輔助電容電極 86。因此，能夠儲(chǔ)存所謂的輔助電容。(層間絕緣層90)這里，在本實(shí)施方式的有源矩陣基板30中，例如，在上述柵極電極72與輔助電容 電極86之間，且上述玻璃基板32與上述柵極絕緣層78之間的區(qū)域那樣，在玻璃基板32上 形成的相鄰的導(dǎo)體間、玻璃基板32與形成在其上方的層之間，設(shè)置有層間絕緣層90。該層間絕緣層90是上述的所謂的S0G層，由包括有機(jī)成分的旋涂玻璃材料等形 成。詳細(xì)地，如圖2所示，該層間絕緣層90形成于玻璃基板32上的幾乎全部的部分。 但是，在上述柵極電極72與柵極絕緣層78重合的部分、以及上述輔助電容電極86與柵極 絕緣層78重合的部分沒(méi)有形成層間絕緣層90。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，在薄膜晶體管70中，僅上述柵極絕緣層78作為用于使柵極電極 72與源極電極74和漏極電極76之間絕緣的絕緣層起作用。另外，在輔助電容部84中，僅上述柵極絕緣層78作為輔助電容用的電介質(zhì)層起作用。因此，難以產(chǎn)生薄膜晶體管70的驅(qū)動(dòng)性能的下降、輔助電容部84的輔助電容的下 降。另一方面，在沒(méi)有形成上述薄膜晶體管70和輔助電容部84的部分，層厚比較厚的絕緣層即層間絕緣層90形成于上述玻璃基板32與上述柵極絕緣層78之間，因此，像素電 極40等的絕緣可靠性提高。另外，雖然在圖2中沒(méi)有表示，但在與上述柵極電極72連接的 柵極配線(xiàn)和與上述源極電極74連接的源極配線(xiàn)所交叉的部分，在上述柵極配線(xiàn)50與上述 源極配線(xiàn)之間也形成有上述層間絕緣層90。因此，能夠使在該部分的柵極配線(xiàn)50與源極配線(xiàn)的短路的產(chǎn)生減少，并且能夠減 少在柵極配線(xiàn)50與源極配線(xiàn)的交叉部形成的電容(寄生電容)。因此，能夠抑制起因于上 述寄生電容的顯示品質(zhì)的下降。如上所述，上述層間絕緣層90不會(huì)使薄膜晶體管70和輔助電容部84的功能下 降，能夠抑制起因于上述寄生電容的顯示品質(zhì)的下降。(制造流程)接著，對(duì)有源矩陣基板30的制造工藝流程進(jìn)行說(shuō)明，并且對(duì)各制造工序的有源矩 陣基板30的端子區(qū)域RB的配線(xiàn)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。另外，在下面的說(shuō)明中，在將現(xiàn)有的制造方法和本實(shí)施方式的制造方法進(jìn)行對(duì)比 的同時(shí)進(jìn)行說(shuō)明。圖3是表示有源矩陣基板30的制造工藝流程的概略的圖。另外，圖4和圖5均是利用其截面圖按照每個(gè)制造工藝表示有源矩陣基板30的周 邊區(qū)域即端子區(qū)域RB的配線(xiàn)情況的圖。并且，上述圖5是表示與圖4的S3相接的、有源矩 陣基板30的制造流程的圖。另外，圖6是表示上述圖1的D-D線(xiàn)截面的圖。如圖3所示，本實(shí)施方式的有源矩陣基板30的制造工藝的主要部分是柵極配線(xiàn)50 和層間絕緣層90的形成工藝。因此，在下面的說(shuō)明中，以該工藝為中心進(jìn)行說(shuō)明。(柵極圖案形成(圖4的S1、S2))首先，通過(guò)進(jìn)行圖3所示的柵極圖案的形成，得到圖4的S1、S2所示結(jié)構(gòu)的有源矩 陣基板30。(S1)S卩，在基板32的整個(gè)面上形成成為上述柵極電極72(薄膜晶體管70的部分)和 柵極配線(xiàn)50 (上述薄膜晶體管70的部分以外的、配線(xiàn)的外圍部分)的層(下面使用柵極配 線(xiàn)50進(jìn)行說(shuō)明)(結(jié)構(gòu)S1)。在本實(shí)施方式中，上述柵極配線(xiàn)50形成為3層的層疊體。即，從玻璃基板32側(cè)以 第一鈦層52、鋁層54、第二鈦層56的順序?qū)盈B。并且，該3層成為一體，成為形成上述柵極 配線(xiàn)50的層。這里，在本實(shí)施方式中，就各層的厚度而言，第一鈦層52為0. 03 ii m、鋁層54為 0. 27 u m、第二鈦層56為0. 15 y m,作為柵極配線(xiàn)50整體，成為0. 45 u m。另外，柵極配線(xiàn)50的結(jié)構(gòu)并不限定于上述3層結(jié)構(gòu)，例如既可以是4層以上，或者 也可以是1層或2層。另外，即使做成3層結(jié)構(gòu)的情況下，各層的材料并不限定于上述的例子，例如也可 以取代鈦而使用鉬等。(S2)接著，通過(guò)進(jìn)行柵極濕蝕刻或者柵極干蝕刻等，得到圖4的S2所表示結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板30。S卩，通過(guò)對(duì)形成于上述玻璃基板32的幾乎整個(gè)面的各層(第一鈦層52、鋁層54、 和第二鈦層56)進(jìn)行圖案化，得到規(guī)定形態(tài)的柵極配線(xiàn)50。在該圖案化之際，如圖4的S2所示，在濕蝕刻時(shí)等的耐藥液性等的影響下，在形成 柵極配線(xiàn)50的3層中，位于其中間的鋁層54，與其他第一鈦層52和第二鈦層56相比被更 大地削入，其結(jié)果，存在在第一鈦層52和第二鈦層56之間形成空隙R10的情況。(S0G膜形成(圖4的S3)接著，通過(guò)進(jìn)行圖3所示的S0G膜形成，得到圖4的S3所示結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板 30。即，在圖案化后的柵極配線(xiàn)50上涂敷S0G，在幾乎整個(gè)面上形成層間絕緣層90 (所 謂的上述S0G層)。詳細(xì)而言，通過(guò)使用狹縫涂敷(slit coat)法、旋涂法、印刷法等涂敷方法，將含有 有機(jī)成分的旋涂玻璃材料(有機(jī)S0G材料)等涂敷在玻璃基板32上，從而形成上述層間絕
緣層90。并且，該層間絕緣層90利用涂敷方法以厚膜(比上述柵極配線(xiàn)50厚的膜厚)的 方式形成在玻璃基板32的整個(gè)面上。因此，即使在上述柵極濕蝕刻之際形成于柵極配線(xiàn)50 的空隙R10的內(nèi)部，也形成有層間絕緣層90。另外，作為形成該層間絕緣層90的材料，只要是具有絕緣性的材料即可，并不被 特別限定。例如，作為上述有機(jī)S0G材料，優(yōu)選使用具有Si-0-C骨架的S0G材料、具有Si-0 骨架的S0G材料等。使用這些材料，通過(guò)對(duì)基板涂敷，能夠容易地得到玻璃膜(二氧化硅類(lèi) 皮膜)。并且，這些有機(jī)S0G材料，一般相對(duì)介電常數(shù)低，此外，能夠以較厚的膜厚成膜。在 本實(shí)施方式中，該層間絕緣層90的厚度，從上述玻璃基板32起的厚度為約1. 5 y m。(S0G圖案形成(圖5的S14和S24))接著，通過(guò)進(jìn)行S0G光刻(S0G抗蝕劑的圖案化)、S0G干蝕刻(除去TFT溝道部、 輔助電容部(Cs部)、和端子部(端子區(qū)域)的S0G膜(S0G層))等，得到圖5的S14和S24 所示結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板30。這里，圖5是與上述圖4的S3相接的、端子區(qū)域RB的有源矩陣基板30的截面圖， S14表示基于現(xiàn)有的制造方法的有源矩陣基板30，S24表示本實(shí)施方式的有源矩陣基板30。(S14)首先，對(duì)基于現(xiàn)有的制造方法的S14進(jìn)行說(shuō)明。在現(xiàn)有的制造方法中，將形成于玻璃基板32的幾乎整個(gè)面的層間絕緣層90圖案 化形成為所希望的圖案之際，在周邊區(qū)域，將上述層間絕緣層90幾乎全部除去。具體而言，在先前基于圖2進(jìn)行了說(shuō)明的像素區(qū)域RA中，以規(guī)定形態(tài)在玻璃基板 32上殘留上述層間絕緣層90，另一方面，在端子區(qū)域RB中，如圖5中表示其截面圖那樣，為 了能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)于柵極配線(xiàn)50的電連接而除去層間絕緣層90。更加詳細(xì)地，在上述端子區(qū)域RB中，將形成于上述柵極配線(xiàn)50的上表面的層間絕 緣層90、和形成于其周邊的玻璃基板32上的層間絕緣層90 —并除去。因此，上述端子區(qū)域RB中變?yōu)槿缦聽(tīng)顟B(tài)在上述柵極配線(xiàn)50上，不僅在其上表面， 在其端面也沒(méi)有設(shè)置上述層間絕緣層90。
另外，該圖5的S14是相當(dāng)于先前的圖11的A-A線(xiàn)截面的圖。(S24)接著，對(duì)本實(shí)施方式的S24進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)于上述S14，在本實(shí)施方式中，并不是將上述端子區(qū)域RB的上述層間絕緣層90 全部除去，而是以使其一部分殘留的方式進(jìn)行圖案化。具體而言，除去形成于上述柵極配線(xiàn)50的上表面的層間絕緣層90，與此相對(duì)，不 除去與柵極配線(xiàn)50的端面相接形成的層間絕緣層90。S卩，在上述柵極配線(xiàn)50的端面，以與該端面相接的方式，殘留有其厚度為0. 3i!m 的層間絕緣層90。另外，該圖5的S24是相當(dāng)于先前的圖1的C-C線(xiàn)截面的圖。另外，在圖7中表示與上述圖5的S24相當(dāng)?shù)牟糠值碾娮语@微鏡照片的截面形狀。并且，在本實(shí)施方式中，如上述圖1、和圖1的D-D截面圖即圖6所示那樣，以填埋 形成有多條的柵極配線(xiàn)50之間的區(qū)域的方式，換言之，在相鄰的柵極配線(xiàn)50之間不間斷而 連續(xù)地殘留有層間絕緣層90。另外，在該端子區(qū)域RB中，與上述柵極配線(xiàn)50的端面相接地殘留的上述層間絕緣 層90的、從該端面起的與上述玻璃基板32的表面平行的方向上的長(zhǎng)度，換言之殘留的上述 層間絕緣層90的寬度，并不特別限定。并且，也未必需要如圖1所示那樣，將相鄰的柵極配 線(xiàn)50之間全部填埋。但是，在后面說(shuō)明的、從抑制由上述層間絕緣層90引起的上述柵極配線(xiàn)50的剝 落、抑制上述層間絕緣層90自身的剝落的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選其寬度在層間絕緣層90自身的層 厚以上。S卩，例如，在上述層間絕緣層90的、與上述柵極配線(xiàn)50的端面相接的部分的厚度 為0. 3 y m的情況下，上述層間絕緣層90的從上述端面起的與上述玻璃基板32平行的方向 上的長(zhǎng)度，優(yōu)選為上述0.3 iim以上。(剝落)如上所述，在現(xiàn)有的有源矩陣基板30中，如圖11和圖4的S14所示那樣，在對(duì)層 間絕緣層90進(jìn)行圖案化后，在柵極配線(xiàn)50的空隙R10的內(nèi)部什么也沒(méi)有填充。因此，形成 柵極配線(xiàn)50的空隙的上邊的第二鈦層56的帽檐部分(參照區(qū)域R12)變?yōu)閼腋≡诳罩械?狀態(tài)。因此，先前基于圖13進(jìn)行了說(shuō)明的那樣，容易產(chǎn)生從該帽檐部分剝落、或者該帽 檐部分彎曲等。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式的有源矩陣基板30中，如圖5的S24所示那樣，在柵極配 線(xiàn)50的空隙R10中填充有上述層間絕緣層90。因此，在第二鈦層56的上述帽檐部分(參 照區(qū)域R12)的下層，存在有上述層間絕緣層90，并不為懸浮在空中的狀態(tài)。因此，能夠抑制由柵極配線(xiàn)50剝落或者彎曲引起的基板不良情況的產(chǎn)生。(切斷)接著，對(duì)柵極絕緣層78、和溝道半導(dǎo)體層80的形成進(jìn)行說(shuō)明。如先前基于圖2進(jìn) 行了說(shuō)明的那樣，在有源矩陣基板30中，為了形成薄膜晶體管70，在上述層間絕緣層90的 上層，形成柵極絕緣層78和溝道半導(dǎo)體層80。
并且，該柵極絕緣層78和溝道半導(dǎo)體層80的形成，一般是在基板的整個(gè)面上形成 后，圖案化形成為所希望的圖案。下面，分為現(xiàn)有的制造方法(參照?qǐng)D5的S15)、和本實(shí)施方式的制造方法(參照?qǐng)D 5的S25)進(jìn)行說(shuō)明。(圖 5 的 S15)首先，對(duì)現(xiàn)有的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。根據(jù)現(xiàn)有的制造方法，緊接著上述S14，在有源 矩陣基板30的整個(gè)面上依次層疊柵極絕緣層78和溝道半導(dǎo)體層80。因此，在柵極配線(xiàn)50上依舊存在空隙R10的狀態(tài)(參照?qǐng)D5的S14)下，在其上層 形成上述柵極絕緣層78和溝道半導(dǎo)體層80。因此，如圖5的S15所示那樣，形成有上述空 隙R10的區(qū)域中的柵極絕緣層78和溝道半導(dǎo)體層80，在其基底不存在其它的層，變?yōu)閼腋?在空中的形態(tài)(參照?qǐng)D5的S15的區(qū)域R14)。因此，如先前基于圖14說(shuō)明了的那樣，在柵極絕緣層78和溝道半導(dǎo)體層80懸浮 在空中的區(qū)域R14中，容易產(chǎn)生層斷裂這樣的切斷。(圖 5 的 S25)與此相對(duì)，在本實(shí)施方式的有源矩陣基板30中，難以產(chǎn)生上述切斷，因此在下面 說(shuō)明。S卩，根據(jù)本實(shí)施方式的制造方法，如圖5的S24所示，在層間絕緣層90被圖案化 后，上述層間絕緣層90在柵極配線(xiàn)50的空隙R10中殘存，空隙R10被填埋。因此，即使在柵極配線(xiàn)50的上層形成有柵極絕緣層78和溝道半導(dǎo)體層80，在上述 各層上分別存在有成為其基底的層，各層不會(huì)變?yōu)閼腋≡诳罩心菢拥慕Y(jié)構(gòu)。因此，在本實(shí)施方式中，先前基于圖14說(shuō)明的那樣的切斷難以產(chǎn)生。(柵極配線(xiàn)1層結(jié)構(gòu))另外，在上述的說(shuō)明中，對(duì)柵極配線(xiàn)50具有3層結(jié)構(gòu)的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明 的結(jié)構(gòu)并不限定于上述結(jié)構(gòu)。例如，柵極配線(xiàn)50既可以為4層以上的結(jié)構(gòu)，也可以是1層或2層的結(jié)構(gòu)。下面，對(duì)柵極配線(xiàn)50為1層的情況進(jìn)行說(shuō)明。圖8是本發(fā)明的其它的實(shí)施方式的、相當(dāng)于上述圖1的C-C線(xiàn)截面的圖，相當(dāng)于上 述圖5的S24。此外，圖9是同樣地相當(dāng)于上述圖1的D-D線(xiàn)截面的圖，相當(dāng)于上述圖6。柵極配線(xiàn)1層結(jié)構(gòu)與上述柵極配線(xiàn)3層結(jié)構(gòu)相比較，制造工藝的大致流程相同，在 基板32上形成成為上述柵極電極72 (薄膜晶體管70的部分)和柵極配線(xiàn)50 (上述薄膜晶 體管70的部分以外的、配線(xiàn)的外圍部分)的層(下面使用柵極配線(xiàn)50進(jìn)行說(shuō)明)之際，并 不層疊鈦、鋁、鈦3層，而僅以一層形成的點(diǎn)為不同點(diǎn)。并且，該不同點(diǎn)成為基于圖3進(jìn)行了說(shuō)明的柵極圖案形成后的柵極配線(xiàn)50的截面 形狀的不同。S卩，該不同點(diǎn)為在柵極配線(xiàn)50被圖案化后，在其截面的中間層(鋁層54)部分不 形成空隙，而是存在柵極配線(xiàn)50自身變?yōu)榈瑰F形狀的情況。下面，以上述不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明。即，如先前基于圖16進(jìn)行了說(shuō)明的那樣，存在如下情況在柵極配線(xiàn)1層結(jié)構(gòu)中，在通過(guò)柵極圖案形成(參照?qǐng)D3)使柵極配線(xiàn)50被圖案化后，端子區(qū)域RB中的柵極配線(xiàn)50 的截面形狀變?yōu)樗^的倒錐型。這里，倒錐形狀的意思是，如先前說(shuō)明了那樣，關(guān)于柵極配 線(xiàn)50的線(xiàn)寬度，隨著遠(yuǎn)離與玻璃基板32相接的部分，其線(xiàn)寬度擴(kuò)大的形狀。S卩，是指與玻 璃基板32相接的部分的線(xiàn)寬度變得最狹窄的形狀。并且，在本實(shí)施方式中，將層間絕緣層90(S0G)涂敷到整個(gè)面(圖3的S0G膜形 成)，在其后進(jìn)行圖案化之際(圖3的S0G圖案形成)，并不是將端子區(qū)域RB中的層間絕緣 層90的全部除去，而是與上述柵極配線(xiàn)3層結(jié)構(gòu)的情況相同，使與柵極配線(xiàn)50的端面相接 的部分殘留。換言之，除去柵極配線(xiàn)50的上層的層間絕緣層90，其它的部分留下。由此，如圖8和圖9所示那樣，變?yōu)樵跂艠O配線(xiàn)50的倒錐部分依舊填充有層間絕 緣層90的狀態(tài)。其結(jié)果，能夠抑制例如通過(guò)對(duì)倒錐部分的、上述柵極配線(xiàn)50的邊緣部分(R16)施 加應(yīng)力等而產(chǎn)生的、上述柵極配線(xiàn)50的剝離。此外，與先前的柵極配線(xiàn)3層結(jié)構(gòu)的情況相同，即使在上述柵極配線(xiàn)50上進(jìn)一步 層疊柵極絕緣層78和溝道半導(dǎo)體層80等的情況下，也難以產(chǎn)生起因于上述邊緣部分(R16) 的存在的上述切斷等。另外，本發(fā)明并不限定于上述的實(shí)施方式，能夠在權(quán)利要求書(shū)中所述的范圍內(nèi)進(jìn) 行種種變更。即，將在權(quán)利要求書(shū)所述的范圍內(nèi)適當(dāng)變更的技術(shù)方式組合而得到的實(shí)施方 式也包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍中。例如，在上述的說(shuō)明中，舉例說(shuō)明了層間絕緣層90與柵極配線(xiàn)50的端面相接的部 分的、上述層間絕緣層90的層厚為0. 3 y m。該層間絕緣層90的厚度并不限定于該厚度，只 要在柵極配線(xiàn)50的厚度以下即可。這里，從更加可靠地抑制關(guān)于柵極配線(xiàn)50的配線(xiàn)不良 情況的觀(guān)點(diǎn)出發(fā)，例如，優(yōu)選柵極配線(xiàn)50的厚度的50%以上的厚度，更加優(yōu)選75%以上的厚度。此外，在上述的說(shuō)明中，舉例說(shuō)明了上述層間絕緣層90的、從柵極配線(xiàn)50的端面 起的、與玻璃基板32平行的方向上的長(zhǎng)度為0. 3 y m以上。該層間絕緣層90的與玻璃基板 32平行的方向上的長(zhǎng)度(層間絕緣層90的寬度)只要在柵極配線(xiàn)50的厚度以上即可。這 里，從進(jìn)一步使層間絕緣層90的密合性提高等的觀(guān)點(diǎn)出發(fā)，該寬度優(yōu)選為ISiim以上。此 外，在柵極配線(xiàn)50相鄰地形成有多條的情況下，也可以遍及到該相鄰的柵極配線(xiàn)50之間而 連續(xù)地形成。工業(yè)上的可利用性能夠減少有源矩陣基板的制造時(shí)和部件安裝時(shí)的不良情況的產(chǎn)生，因此在追求低 成本且高可靠性的液晶顯示裝置的制造上能夠利用。
權(quán)利要求
一種有源矩陣基板，其具備基板；形成在所述基板上的配線(xiàn)；和絕緣層，所述絕緣層用于將形成在該配線(xiàn)上的其他層與所述配線(xiàn)絕緣，該有源矩陣基板的特征在于在所述基板的一部分區(qū)域中，所述絕緣層不設(shè)置在該配線(xiàn)的上表面，所述上表面露出，而在所述配線(xiàn)的至少沿著長(zhǎng)度方向的端面，所述絕緣層以與所述端面相接的方式設(shè)置在所述基板上。
2.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于在所述基板的一部分區(qū)域的所述配線(xiàn)的端面，所述絕緣層以與所述端面相接的方式設(shè) 置在所述基板上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述基板的一部分區(qū)域?yàn)樗龌宓闹車(chē)鷧^(qū)域。
4.如權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述基板的一部分區(qū)域?yàn)樗龌宓倪B接區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于所述絕緣層的與所述配線(xiàn)的端面相接的部分的厚度為，該絕緣層所相接部分的配線(xiàn)的 膜厚以下的高度。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于與所述配線(xiàn)的端面相接的所述絕緣層，從該端面起，至少在與所述基板平行的方向上， 具有所述絕緣層的膜厚以上的寬度。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于 在所述基板上形成有薄膜晶體管作為開(kāi)關(guān)元件，所述配線(xiàn)是與所述薄膜晶體管電連接的柵極配線(xiàn)、源極配線(xiàn)、或者柵極配線(xiàn)和源極配線(xiàn)。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述一部分區(qū)域包括所述配線(xiàn)與其他部件電連接的端子區(qū)域。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于所述基板為長(zhǎng)方形， 所述一部分區(qū)域包括所述基板的4個(gè)周?chē)械闹辽僖粋€(gè)周?chē)?br> 10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述絕緣層由含有有機(jī)成分的絕緣材料形成。
11.如權(quán)利要求10所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述絕緣層含有硅。
12.如權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述配線(xiàn)具有多層結(jié)構(gòu)。
13.一種有源矩陣基板的制造方法，所述有源矩陣基板形成有薄膜晶體管作為開(kāi)關(guān)元 件，所述制造方法的特征在于，包括在基板上形成配線(xiàn)圖案的第一工序； 形成覆蓋所述配線(xiàn)的絕緣層的第二工序；和 對(duì)所述絕緣層進(jìn)行圖案化的第三工序，在所述第三工序中，在所述配線(xiàn)與其他部件電連接的區(qū)域，除去所述配線(xiàn)的上表面的絕緣層，使所述上表面露出，并且在所述區(qū)域中，使與所述配線(xiàn)的端面相接的絕緣層殘留。
14. 一種液晶顯示裝置，其特征在于其使用如權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板。
全文摘要
本發(fā)明涉及有源矩陣基板、有源矩陣基板的制造方法和液晶顯示裝置。本發(fā)明涉及用于液晶顯示裝置的有源矩陣基板和具備該有源矩陣基板的液晶顯示裝置。本發(fā)明的有源矩陣基板(30)具備基板；形成在基板上的柵極配線(xiàn)(50)；和層間絕緣層(90)，該層間絕緣層(90)用于將形成在柵極配線(xiàn)(50)上的其它層與柵極配線(xiàn)(50)絕緣，在基板的一部分區(qū)域中，層間絕緣層(90)不設(shè)置在柵極配線(xiàn)(50)的上表面而使上表面露出，另一方面，在柵極配線(xiàn)(50)的至少沿著長(zhǎng)度方向的端面，層間絕緣層(90)以與端面相接的方式設(shè)置在基板上。根據(jù)本發(fā)明，能夠減少在有源矩陣基板的制造時(shí)和部件安裝時(shí)的不良情況的產(chǎn)生，因此能夠利用在追求低成本且高可靠性的液晶顯示裝置的制造中。
文檔編號(hào)H01L23/522GK101842827SQ20088010106
公開(kāi)日2010年9月22日 申請(qǐng)日期2008年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月2日
發(fā)明者中村涉, 伴厚志, 妹尾亨, 嶋田幸峰, 田中哲憲 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社