專利名稱：射頻芯片的組裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及電子電路以及更具體地涉及形成有裝配射頻收發(fā)裝置的微電子
裝置。
背景技術(shù)：
射頻微電子收發(fā)裝置被越來越多的應(yīng)用于與其相關(guān)聯(lián)對(duì)象的遠(yuǎn)程識(shí)別。通常稱 之為電子標(biāo)簽(RFID)。這種電子標(biāo)簽的功能可限于傳輸標(biāo)識(shí)符，或者可包括更多的復(fù)雜功 能(例如遠(yuǎn)程傳輸由集成在芯片上的傳感器測(cè)量到的結(jié)果；處理來自遠(yuǎn)距離元件的數(shù)據(jù) 等)。 圖1為位于讀取或讀_寫終端1 (READER,讀取器)與電子標(biāo)簽類型的電子裝置 2(TAG，標(biāo)簽)之間的射頻通訊系統(tǒng)的簡(jiǎn)單框圖。終端1和標(biāo)簽2包括以簡(jiǎn)化的電感元件L1 和L2樣式所示的天線。依照傳輸所使用的頻帶，天線Ll和L2為回路天線或偶極子天線。 在圖1所示例中，電感元件L1和L2分別與電容元件C1串聯(lián)、與C2并聯(lián)(以虛線所示)從 而一起構(gòu)成通常被調(diào)諧至工作頻帶中心頻率的振蕩電路。 通常，對(duì)于從數(shù)百千赫至數(shù)十兆赫的頻帶，天線Ll和L2為回路形；而對(duì)于量級(jí)從 數(shù)百兆赫至數(shù)千兆赫的頻率，則所述天線為偶極子形。 最普遍情況下，電子標(biāo)簽2由終端1輻射的射頻場(chǎng)中獲得其所組成的電子電路工 作所必須的功率。 電子標(biāo)簽的許多結(jié)構(gòu)更普遍地以射頻收發(fā)芯片和讀取或讀_寫終端的形式存在。 形成位于所述電子標(biāo)簽一側(cè)的天線L2采用來自于微電子工業(yè)的集成或印刷電路
(蝕刻或印刷導(dǎo)電軌道)制造工藝。這極大的影響所述電子標(biāo)簽的成本。 期望得到一種射頻收發(fā)裝置，其帶有制造成本更便宜的天線。 進(jìn)一步期望得到一種制造裝配有天線的射頻收發(fā)裝置的簡(jiǎn)單方法。 在某些應(yīng)用中，期望將幾個(gè)電子標(biāo)簽與同一個(gè)對(duì)象相關(guān)聯(lián)。之后所述標(biāo)簽必須各
自貼附在相關(guān)的對(duì)象上(例如，一根很長(zhǎng)的管)。 文獻(xiàn)W02008/025889A披露了一種通過用于將芯片與外界電氣連接的電纜元件來 構(gòu)成彼此相連接的微電子芯片的技術(shù)，其中，數(shù)根導(dǎo)線同時(shí)形成RFID組件的天線和電源。
期望利用這種技術(shù)實(shí)現(xiàn)射頻收發(fā)裝置的天線間不需要通過電源導(dǎo)線互聯(lián)從而使 射頻收發(fā)裝置天線的形成更容易。 進(jìn)一步期望得到一種簡(jiǎn)單的解決方法，能在將它們組裝到計(jì)劃或正在應(yīng)用中的對(duì) 象之前將多個(gè)射頻收發(fā)芯片相關(guān)聯(lián)。

發(fā)明內(nèi)容
為達(dá)到這些目標(biāo)的全部或者這些目標(biāo)中和其它相同的一部分，本發(fā)明提供了一種
制造射頻收發(fā)裝置的方法，包括 形成不帶天線的射頻收發(fā)芯片；
3
通過至少兩根導(dǎo)電線纜元件串聯(lián)連接的芯片，該導(dǎo)電線纜元件在相鄰芯片之間分 別具有根據(jù)傳輸-接收頻率選擇的長(zhǎng)度，每個(gè)元件與芯片的至少一個(gè)接線端電接觸并且至 少暫時(shí)地機(jī)械保持所述芯片的串接； 并且，對(duì)于每個(gè)芯片中裝置天線的兩束絞線，以規(guī)則的間隔切割所述的串聯(lián)連接。
依據(jù)一個(gè)實(shí)施例，兩根導(dǎo)電線纜元件放置在所述芯片的任意一側(cè)，在這些芯片各 自沿第一方向的側(cè)面邊緣的附近。 依據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在兩相鄰芯片之間設(shè)置有支撐連接所述兩根導(dǎo)電線纜元件的至
少一個(gè)導(dǎo)電部分的中間元件，并且對(duì)于每個(gè)芯片，該中間元件用于切割形成回路天線。 依據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述芯片在通過導(dǎo)電線纜元件連接之前被放置于支撐條之上。 依據(jù)一個(gè)實(shí)施例，線纜連接元件是在切割所述串聯(lián)連接之前與不同的芯片連接，
以在切割所述串聯(lián)連接之后形成一連串的射頻裝置。 依據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述絞線纏繞在所述連接元件四周。 依據(jù)一個(gè)實(shí)施例，每個(gè)芯片包括至少一個(gè)用于接收導(dǎo)電線纜元件的區(qū)域。 本發(fā)明還提供了一種射頻收發(fā)裝置，包括 集成射頻收發(fā)電路的微電子芯片； 至少兩束導(dǎo)線天線絞線。 本發(fā)明還提供了一串射頻收發(fā)裝置，包括若干個(gè)集成射頻收發(fā)電路的電子芯片并 且電子芯片通過連接至所述芯片的天線連接墊片的至少兩個(gè)導(dǎo)電線纜元件彼此之間連接， 所述元件在兩相鄰芯片之間各自的長(zhǎng)度根據(jù)傳輸_接收頻率選擇。 依據(jù)一個(gè)實(shí)施例，附加的連接元件具有比兩相鄰芯片之間導(dǎo)電元件各自的長(zhǎng)度更 長(zhǎng)的長(zhǎng)度，在切割所述芯片之間的導(dǎo)電元件之后連接所述芯片。


前述的對(duì)象、特征以及本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，與其它一樣都在以下的但不限于與附圖相 對(duì)應(yīng)的具體實(shí)施例說明中詳細(xì)討論，附圖中包括 圖l，如上述，為作為實(shí)施例應(yīng)該于本發(fā)明的一種射頻收發(fā)系統(tǒng)的框圖； 圖2為實(shí)施例中可容納接收線纜元件的微電子芯片的橫截面簡(jiǎn)示圖； 圖3為另一實(shí)施例中可容納接收線纜元件的微電子芯片的橫截面簡(jiǎn)示圖； 圖4A和4B分別是分離之前的一串芯片以及由這串芯片獲得的射頻收發(fā)裝置的頂
視圖； 圖5A和5B分別是形成所述天線之前和之后，另一實(shí)施例中的一串射頻收發(fā)裝置 的頂視圖； 圖6是集成電路晶片一部分的頂視簡(jiǎn)圖； 圖7A和7B分別是串接和立即分開應(yīng)用于回轉(zhuǎn)天線的另一實(shí)施例中射頻裝置；
圖8A和8B所示仍然分別為在串接狀態(tài)以及立即分開的另一實(shí)施例中的射頻裝 置； 圖9A和9B所示仍然為另一實(shí)施例中的一串射頻收發(fā)裝置的頂視簡(jiǎn)圖。
相同的元件在不同的圖中都用相同的數(shù)字指定，但并不按比例。
具體實(shí)施例方式
為清楚起見，只有那些有助于理解本發(fā)明的步驟和元件才會(huì)示出和描述。尤其是 所述射頻收發(fā)裝置的電路內(nèi)部沒有詳述，發(fā)明根據(jù)目標(biāo)應(yīng)用采用常用電路(例如測(cè)量傳感 器、物體識(shí)別器等等)。批量制造所述微電子芯片的步驟也未有詳述，在此本發(fā)明將再一次 采用常用技術(shù)。 此后本發(fā)明的描述將與RFID芯片的實(shí)施例相關(guān)，但它更通常應(yīng)用于任意的芯片 或者微型射頻收發(fā)電路。 圖2為微電子芯片3的橫截面簡(jiǎn)示圖，該電子芯片能夠形成圖1中標(biāo)簽2類型的 電子標(biāo)簽芯片。襯底33支撐一個(gè)或多個(gè)集成電路以及元件，并且具有至少兩個(gè)墊片，在芯 片3外側(cè)對(duì)應(yīng)線纜連接元件41和42 (圖示為虛線)的接收區(qū)域35，與可接觸的接觸區(qū)域 電連接(連接31和32)。在圖2的實(shí)施例中，襯底33雙面都涂覆有絕緣和保護(hù)材料34，例 如，環(huán)氧樹脂。接收區(qū)域35在芯片的兩側(cè)沿第一方向形成。圖2相關(guān)所描述的結(jié)構(gòu)為文獻(xiàn) W02008/025889A中實(shí)施例描述的形式。
根據(jù)本發(fā)明，區(qū)域36用于天線連接接觸區(qū)域。 圖3為微電子芯片3的另一實(shí)施例的橫截面簡(jiǎn)示圖。與圖2實(shí)施例相比，襯底33 的后表面并未覆蓋樹脂。導(dǎo)線41和42的接收區(qū)域35由芯片3內(nèi)形成的平行凹進(jìn)所形成。 所述凹進(jìn)可以例如為凹槽。凹槽的形狀可以有多種，尤其是方底型、V型、截錐V型、或者圓 弧形。在以前的實(shí)施例中，凹進(jìn)的尺寸和形狀根據(jù)所述線纜連接元件的特性優(yōu)選。如一實(shí) 施例，凹槽的深度和寬度在20至100微米的范圍內(nèi)變化，以對(duì)應(yīng)具有20至100微米直徑的 連接元件41或42。例如在凹進(jìn)35的底部設(shè)置有金屬區(qū)域36，并且根據(jù)本發(fā)明用作天線連 接接觸區(qū)域，例如通過絕緣材料34中的導(dǎo)電通孔32的方式。凹進(jìn)35可直接形成在襯底33 中，優(yōu)選緊鄰微電子元件。凹進(jìn)35可通過任意合適的工藝形成，例如，通過干法或濕法蝕 刻、鋸切等。 圖2和3的結(jié)構(gòu)具有不同的變型，例如，如上文提及的文獻(xiàn)中所描述。 圖4A為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一串RFID芯片3的頂視圖。圖4A中所示的連接是在
將芯片3從至少部分由半導(dǎo)體材料制成的晶片上劃片之后，通過將所述芯片放置在條5之
上以規(guī)則的間隔暫時(shí)支撐而獲得。然后優(yōu)選將導(dǎo)線41和42安置于芯片側(cè)面，與由每個(gè)芯
片的導(dǎo)線41和42的屏蔽套35易得到的接觸區(qū)域電接觸。例如，所述接觸區(qū)域在晶片批量
生產(chǎn)期間在屏蔽套側(cè)面內(nèi)金屬化形成。經(jīng)由與芯片3的導(dǎo)電區(qū)域36電接觸的導(dǎo)線41或42
的組裝，通過導(dǎo)電膠、焊接、或其它任意合適的方法實(shí)現(xiàn)。 最后，導(dǎo)線41和42以所述連接的規(guī)則間隔切割，例如，在每個(gè)芯片3的一端對(duì)應(yīng) 導(dǎo)線41而在每個(gè)芯片的另一端對(duì)應(yīng)導(dǎo)線42 (沿圖4A中所示的虛線C)，得到裝配天線的 RFID裝置2。 圖4B是在切割圖4A的導(dǎo)線41和42之后得到的RFID裝置2的頂視簡(jiǎn)圖。每個(gè) 芯片3與發(fā)源于暫時(shí)連接導(dǎo)線41和42的兩束絞線41'和42'相連以形成裝置2。
選擇一旦芯片已分離開仍然保持的絞線或者部分41'和42'的長(zhǎng)度以適應(yīng)射頻收 發(fā)天線的理想長(zhǎng)度。如圖4B所示實(shí)施例中的天線類型，該長(zhǎng)度，例如對(duì)于兩根對(duì)準(zhǔn)的絞線 41'和42'之和大約為入/2數(shù)量級(jí)，這里A代表傳輸/接收波段中心頻率的波長(zhǎng)。
線纜元件41和42的直徑大于芯片3內(nèi)部的可能連接線(例如圖2中的32和33)
5的直徑。例如，該直徑與完成的芯片3厚度具有相同的數(shù)量級(jí)(比例在1/4和1之間)。
只要導(dǎo)線41和42未被切割，它們將芯片3機(jī)械保持在一起，例如以輥壓形式在它 們最終組裝在將識(shí)別的對(duì)象之上之前，能夠維持它們的連接。 圖5A和5B所示為另一實(shí)施例的分別在切割導(dǎo)線41和42以分離天線之前和之后 的頂視圖。根據(jù)本實(shí)施例，芯片3仍然以線纜連接元件7的方式彼此連接。例如，當(dāng)所述芯 片仍然在晶片中或被臨時(shí)條如圖3A的條5所支撐時(shí)，線纜7在切割導(dǎo)線41和42之前與芯 片3相連。選擇各芯片3之間連接元件7的部分的長(zhǎng)度大于絞線41'和42'的長(zhǎng)度。該長(zhǎng) 度基于目標(biāo)應(yīng)用中兩個(gè)射頻裝置之間的理想距離以及例如從幾厘米到數(shù)米。連接元件7即 使在天線分離開之后仍能保持所述RFID裝置在連接串20中，因而直到它們最終植入到對(duì) 象上。 實(shí)施例中將RFID芯片連接串20沿地下線路放置的適用情況使定位更加容易。
根據(jù)另一實(shí)施例，連接線纜7可規(guī)則分布RFID芯片以代替織線混合進(jìn)紡織品中。
實(shí)施例中線纜7根據(jù)最終期望的連接長(zhǎng)度切割。線纜7優(yōu)選為絕緣并且其機(jī)械阻 抗基于目標(biāo)的應(yīng)用。線纜7的橫截面為圓形或其它形狀(例如矩形)、單股或多股。
所述連接元件(多個(gè))，它們是將形成天線絞線41'和42'的連接元件41和42或 者將形成最終支撐線纜7的連接元件，可具有圓形、正方形、或其它橫截面，并且由一根線 纜或多個(gè)線纜形成。至于將形成所述天線的導(dǎo)線41和42，這些元件是導(dǎo)電的(并且除了在 與芯片的接觸處之外可能由絕緣體屏蔽)。 根據(jù)所述具體實(shí)施例，不同的芯片形成在半導(dǎo)體或絕緣襯底晶片上。它們通過至 少一個(gè)線纜連接元件(或者將形成兩根天線的導(dǎo)線41和42，或者永久連接元件7，或者二 者皆有)互相連接。然后，排列襯底以將通過連接元件(多個(gè))提供單獨(dú)柔性機(jī)械連接而 連接的芯片3彼此分離開。傳統(tǒng)上芯片3的分離在固體襯底的情況下實(shí)現(xiàn)，例如通過鋸切， 同時(shí)要細(xì)心避免切割所述連接元件(多個(gè))。 圖6所示為襯底晶片的部分6，之上有依據(jù)本實(shí)施例形成的多個(gè)RFID芯片3。在 本實(shí)施例中，在切割之前連接元件41和42與芯片43相連接。這將避免使用暫時(shí)支撐條。 然而，依據(jù)所需的天線長(zhǎng)度，相對(duì)于切割通道所需的間隔，芯片之間需要相對(duì)大的間隔。兩 芯片之間導(dǎo)線41和42的長(zhǎng)度如圖示優(yōu)選大于晶片上的芯片見的間隔，以對(duì)應(yīng)所期望的天 線長(zhǎng)度。 如果條5 (圖4A)用作暫時(shí)保持芯片3連接的臨時(shí)支撐，準(zhǔn)備形成天線絞線的導(dǎo)線 41和42則在將芯片3放置在條5上之后進(jìn)行組裝。 圖7A和7B分別是在切割天線導(dǎo)線之前和之后另一更詳細(xì)實(shí)施例采用的形成的回 路天線頂視圖。 根據(jù)該實(shí)施例，在切割所述天線(圖7A)之前的芯片連接結(jié)構(gòu)中，連接導(dǎo)線41和 42在兩芯片之間通過包括彼此連接導(dǎo)線41和42的導(dǎo)電部分中間元件8來連接彼此。例 如，芯片3兩個(gè)兩個(gè)的成對(duì)以使第一切割線(c')位于兩芯片之間而不讓任意導(dǎo)線殘留其 間，并且第二切割線(c")位于連接元件8留下的位置，在切割線c"的任一側(cè)絞線43'連 接絞線41'和42'(圖7B)。連接部分43的寬度基于切割線c"的寬度以保持在每一側(cè)，導(dǎo) 電部分43'。作為一種變化，兩個(gè)平行部分43'形成在切割線c"任意一側(cè)的元件8之上或 之中。在圖7A和7B的實(shí)施例中，提供的RFID裝置2'(圖7B)最終分離開。然而，與圖5A和5B所示相關(guān)的永久連接元件的變化形式也被提供。 圖8A和8B仍然為另一實(shí)施例中分別連接或分離開的RFID芯片頂視圖。 根據(jù)該實(shí)施例，具有大體拉長(zhǎng)的形狀以及從每個(gè)芯片3的兩側(cè)的突出的元件9在
從晶片切割下之后放置或者集成有從每個(gè)芯片3的兩側(cè)突出的部分91和92。元件9由絕
緣材料制成或者由絕緣材料包皮屏蔽并且計(jì)劃分別接收之后纏繞成線圈的天線絞線41'和
42'(圖8B)。如果得到的RFID裝置2"仍然保持連接，元件9將是支撐線纜7 (圖5A和5B)
的部分。元件9為中度柔性或者剛性并且接收絞線41'和42'，例如，作為紡織品"絕緣膠
帶"。作為變化，元件9可由選自其電磁特性的材料(例如、鐵氧體)制成。 圖8A和8B實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于天線的特性得到改善，尤其是提高了它們阻抗的虛部。 圖9A和9B所示，與之前的示意圖相比較，根據(jù)由對(duì)準(zhǔn)每個(gè)芯片任一側(cè)的兩束絞線 41'和42'組成的每個(gè)天線的變化。在這種情況下，切割導(dǎo)線之前所述芯片的連接通過大量 的具有各自長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)于天線絞線期望長(zhǎng)度的兩倍的導(dǎo)線44(圖8A)獲得，并且與芯片接觸 的區(qū)域36排成一條直線。支撐線纜7在切割導(dǎo)線44之后連接裝置。橫跨芯片3寬度的導(dǎo) 線44的位置無關(guān)緊要(相對(duì)于由導(dǎo)線44的方向定義的長(zhǎng)度方向)。
之上描述的不同實(shí)施例和變化當(dāng)然可以結(jié)合。 所述實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于他們能獲得具有由線纜元件組成的天線的RFID裝置，這 使它們比在絕緣襯底上沉積導(dǎo)電墨水要便宜。 另一優(yōu)點(diǎn)在于提供一種工藝能夠至少在組裝到最終對(duì)象上之前保持射頻芯片連
接的可能性。這可以是對(duì)芯片的巻繞處理，例如電鍍、涂覆處理等等。 另一優(yōu)點(diǎn)是所述的實(shí)施例甚至能夠在最終應(yīng)用中保持連接的射頻芯片結(jié)構(gòu)。 各種不同的實(shí)施例都已描述，以及不同的替代和改進(jìn)方式對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是
可行的。尤其是對(duì)于天線絞線尺寸的選擇基于應(yīng)用以及尤其基于也作用在電子芯片側(cè)之上
的其它元件(尤其是電容元件)的期望工作頻率。 進(jìn)一步，發(fā)明的實(shí)際實(shí)施在基于之前提及的功能指示基礎(chǔ)上本領(lǐng)域技術(shù)人員的能 力之內(nèi)。 最后，盡管本發(fā)明已描述了相關(guān)的每個(gè)提供一個(gè)天線的裝置，但每個(gè)裝置兩根天 線使得能遍及幾個(gè)頻帶工作。例如，在圖7A和7B所示的實(shí)施例裝置的變化中，元件8位于 各個(gè)芯片之間并且絞線41'和42'在同一芯片的兩側(cè)各自的長(zhǎng)度不同，以獲得不同值的兩 個(gè)導(dǎo)電元件。采用單天線也可以實(shí)現(xiàn)設(shè)置工作頻帶，就目前而言，可通過改變電容元件C2 來更改振蕩電路的調(diào)諧頻率以設(shè)置芯片3內(nèi)部構(gòu)件的方式。
權(quán)利要求
一種制造射頻收發(fā)裝置(2，2’，2”)的方法，特征在于該方法包括形成不帶天線的射頻收發(fā)芯片(3)；所述芯片串聯(lián)連接，每個(gè)芯片通過至少兩個(gè)導(dǎo)電線纜元件(41，42，44)連接至兩芯片之間，所述至少兩個(gè)導(dǎo)電線元件各自的長(zhǎng)度是根據(jù)傳輸-接收頻率選擇的，并且每個(gè)導(dǎo)電線纜元件與芯片(3)的至少一個(gè)接線端電接觸，并且至少暫時(shí)地機(jī)械保持所述芯片的連接；并且對(duì)于每個(gè)芯片，以規(guī)則的間隔切割所述的連接，以形成裝置天線的絞線(41’，42’)。
2. 權(quán)利要求l所述方法，其中兩個(gè)導(dǎo)電線纜元件(41,42)放置在所述芯片的任意一側(cè)， 處于這些芯片各自沿第一方向的側(cè)面邊緣的附近。
3. 如權(quán)利要求2所述方法，其中每個(gè)中間元件(8)支撐連接所述導(dǎo)電線纜元件(41， 42)的至少一個(gè)導(dǎo)電部分(43)，并且對(duì)于每個(gè)芯片，該中間元件切割形成回路天線。
4. 如權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述方法，其中所述芯片(3)在通過導(dǎo)電線纜元件 (41，42，44)連接之前被放置于支撐條(5)之上。
5. 如權(quán)利要求1至4中的任意一項(xiàng)所述方法，其中線纜連接元件(7)在切割連接之前 與不同的芯片連接，而在切割所述連接之后形成一連串的射頻裝置。
6. 如權(quán)利要求5所述方法，其中所述絞線(41'，42')纏繞在所述連接元件(7)的四周。
7. 如權(quán)利要求1至6中的任意一項(xiàng)所述方法，其中每個(gè)芯片(3)包括用于接收導(dǎo)電線 纜元件(41，42，44)的至少一個(gè)區(qū)域(35)。
8. —種射頻收發(fā)裝置(2，2'，2")，其特征在于該裝置包括 集成射頻收發(fā)電路的微電子芯片(3);應(yīng)用權(quán)利要求1至7中的任意一項(xiàng)方法獲得的至少兩束導(dǎo)線天線絞線(41'，42')。
9. 連接起來的射頻收發(fā)裝置(2，2'，2")連接串，包括若干個(gè)集成射頻收發(fā)電路的電子 芯片(3)并且電子芯片彼此連接，每個(gè)芯片通過至少兩個(gè)導(dǎo)電線纜元件(41，42，44)連接至 所述芯片的天線連接墊片(36)，在兩相鄰芯片之間的元件的長(zhǎng)度分別根據(jù)傳輸-接收頻率 選擇。
10. 如權(quán)利要求9所述裝置的連接串(20)，其中附加的連接元件(7)的長(zhǎng)度比兩相鄰 芯片之間導(dǎo)電元件(41'，42')各自長(zhǎng)度更長(zhǎng)，并且該連接元件在切割所述芯片之間的導(dǎo)電 元件之后連接所述芯片。
11. 如權(quán)利要求9或10所述裝置的連接串，通過實(shí)施權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述 的方法獲得。
全文摘要
本發(fā)明涉及射頻傳輸/接受裝置(2)的制造。本發(fā)明提供形成不具有天線的射頻傳輸/接受芯片；通過至少兩根導(dǎo)電線纜元件串聯(lián)連接的芯片，該導(dǎo)電線纜元件在兩相鄰芯片之間的長(zhǎng)度分別以傳輸/接收頻率為函數(shù)，每個(gè)元件與芯片(3)的至少一端電接觸并且確保能至少暫時(shí)地機(jī)械保持所述芯片的連接；以及，對(duì)于每個(gè)芯片形成裝置天線的兩束絞線(41’，42’)以規(guī)則的間隔切割所述的連接。
文檔編號(hào)H01L21/98GK101711430SQ200880021239
公開日2010年5月19日 申請(qǐng)日期2008年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月21日
發(fā)明者吉恩·布朗, 多米尼克·維卡爾, 貝諾特·利賓娜 申請(qǐng)人:法國原子能委員會(huì)