專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜電容、使用該薄膜電容的顯示裝置和存儲(chǔ)器單元、以及它們的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種由形成在基板上的下側(cè)電極、絕緣層和上側(cè)電極 構(gòu)成的薄膜電容、使用該薄膜電容的顯示裝置和存儲(chǔ)器單元、以及它 們的制造方法。
背景技術(shù)：
圖7 (a)是表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置的像素輔助電容(薄膜電容) 及其周邊電路的平面圖，圖7 (b)是圖7 (a)的X-X截面圖。
以往，在液晶顯示裝置中，如圖7 (a)、 (b)所示，使用由形成在 基板上的下側(cè)電極101、絕緣層102和上側(cè)電極103構(gòu)成的多個(gè)薄膜元 件作為像素輔助電容(薄膜電容)110。
該薄膜電容的形成，并不限定于液晶顯示裝置，在數(shù)據(jù)保持用的 存儲(chǔ)器單元中也同樣可以。例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存 儲(chǔ)器，如圖8所示，具有形成在基板上的作為下側(cè)電極的下側(cè)電容器 電極151、圖中未示出的絕緣層、和作為上側(cè)電極的上側(cè)電容器電極 152。
然而，在夾著源極金屬配線(xiàn)相鄰的像素中共用地形成例如如圖7 (a)、 (b)所示的由下側(cè)電極101、絕緣層102和上側(cè)電極103構(gòu)成的 薄膜電容的情況下，當(dāng)通過(guò)同一層的配線(xiàn)連接各像素的上側(cè)電極103 彼此時(shí)，在源極金屬配線(xiàn)的形成區(qū)域中形成以下結(jié)構(gòu)，即，上述絕緣 層102和上述配線(xiàn)覆蓋相鄰的下側(cè)電極101的端部101a。
其結(jié)果，由下側(cè)電極101的端部101a在上述絕緣層102和上述配 線(xiàn)產(chǎn)生臺(tái)階，在該臺(tái)階部分基于絕緣層102的對(duì)下側(cè)電極101的敷層 (覆蓋)變劣。因此，存在耐壓降低，在施加高電壓的電容部會(huì)產(chǎn)生 絕緣破壞從而上側(cè)電極103與下側(cè)電極101漏電的問(wèn)題。
例如專(zhuān)利文獻(xiàn)2也具體地公開(kāi)了該問(wèn)題。圖9 (a) (h)是專(zhuān)利
6文獻(xiàn)2公開(kāi)的現(xiàn)有的制造的工序圖。
專(zhuān)利文獻(xiàn)2公開(kāi)以下內(nèi)容，g卩，如圖9 (e)所示，被垂直地蝕刻 的第一層多晶硅柵極電極201、和通過(guò)熱氧化在其上形成的第二柵極氧 化膜202，在由熱應(yīng)力引起的內(nèi)部應(yīng)變等的影響下會(huì)產(chǎn)生以下傾向，即， 它們的周邊部隆起(B部)，進(jìn)而在第一柵極氧化膜203附近第二柵極 氧化膜202變得非常薄(B'部)。
此外，專(zhuān)利文獻(xiàn)2還公開(kāi)了以下問(wèn)題，g卩，如該圖(f)所示，通 過(guò)LPCVD (低壓化學(xué)氣相沉積)法在第二柵極氧化膜202、 202，上形 成3000A左右的第二層多晶硅膜，接著，進(jìn)行磷的擴(kuò)散作成第二層多 晶硅柵極電極204。此時(shí)，在如該圖(f)所示的上述周邊部的隆起(B 部)和薄的部分(B，部)的形成等的影響下，第二層多晶硅柵極電極 204的端部成為突出(overhang)狀地形成(C部)。其結(jié)果，在該圖 (e)的B、 B，部的第一層多晶硅柵極電極201與第二層多晶硅柵極電 極204之間的耐壓不充分，耐壓破壞導(dǎo)致在第一層多晶硅柵極電極201 和第二層多晶硅柵極電極204之間漏電。
在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中，為了解決上述問(wèn)題，如圖10 (a) (h)所示， 在第一層多晶硅柵極電極201的端部帶有錐度地進(jìn)行蝕刻。由此，第 二柵極氧化膜202的表面平滑地形成而不會(huì)成為突出狀，因此敷層良 好，能夠在第一層多晶硅柵極電極201與第二層多晶硅柵極電極204 之間獲得充分的耐壓。
專(zhuān)利文獻(xiàn)3公開(kāi)了一種液晶顯示元件，在液晶顯示裝置整個(gè)區(qū)域 呈網(wǎng)眼狀地形成輔助電容配線(xiàn)，由此能夠降低伴隨輔助電容配線(xiàn)的斷 線(xiàn)產(chǎn)生的壞影響。
專(zhuān)利文獻(xiàn)4公開(kāi)了以下結(jié)構(gòu)，g卩，在柵極線(xiàn)和輔助電容線(xiàn)與形成 在顯示區(qū)域的周?chē)木€(xiàn)交叉的部分，直至柵極線(xiàn)與輔助電容線(xiàn)不處于 同一層而交叉的跟前為止，使柵極線(xiàn)和輔助電容線(xiàn)分別為Cr與ITO的 2層結(jié)構(gòu)，在接觸孔露出ITO線(xiàn)。
在專(zhuān)利文獻(xiàn)5中，在水平方向信號(hào)線(xiàn)與垂直方向信號(hào)線(xiàn)的交錯(cuò)部， 連續(xù)地形成水平方向信號(hào)線(xiàn)、斷續(xù)地形成垂直方向信號(hào)線(xiàn)，并且在交 錯(cuò)部中垂直方向信號(hào)線(xiàn)彼此的連接在形成于相比交錯(cuò)部更上層的其他 配線(xiàn)層上進(jìn)行。由此可以防止垂直方向信號(hào)線(xiàn)或水平方向信號(hào)線(xiàn)的斷線(xiàn)，提高信號(hào)線(xiàn)的可靠性。
專(zhuān)利文獻(xiàn)l:日本特開(kāi)平4-274359號(hào)公報(bào)(平成4年9月30日公
開(kāi))
專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)昭61-264740號(hào)公報(bào)(昭和61年11月22
日公開(kāi))
專(zhuān)利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)平9-160075號(hào)公報(bào)(平成9年6月20日公
開(kāi))
專(zhuān)利文獻(xiàn)4:日本特開(kāi)平5-323375號(hào)公報(bào)(平成5年12月7日公
開(kāi))
專(zhuān)利文獻(xiàn)5:日本特開(kāi)2003-110019號(hào)公報(bào)(平成15年4月11日 公開(kāi))

發(fā)明內(nèi)容
然而，如專(zhuān)利文獻(xiàn)2所述的那樣，在上述現(xiàn)有的薄膜電容中存在 以下問(wèn)題，即，當(dāng)在作為下側(cè)電極的第一層多晶硅柵極電極201的端 部帶有錐度地作成的情況下，在下側(cè)電極的中央與端部，電極的厚度 不同，從而產(chǎn)生電極內(nèi)的摻雜濃度的差。其結(jié)果，在端部與中央，閾 值特性不同，從而產(chǎn)生特性的惡化。另外，如專(zhuān)利文獻(xiàn)3所述的那樣， 即使呈網(wǎng)眼狀地配置輔助電容配線(xiàn)，也會(huì)產(chǎn)生與上述的專(zhuān)利文獻(xiàn)1同 樣的問(wèn)題。另外，專(zhuān)利文獻(xiàn)4和5并沒(méi)有公開(kāi)任何有關(guān)薄膜電容的斷 線(xiàn)的問(wèn)題以及用于解決該問(wèn)題的方案。
本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)有的問(wèn)題而完成的，其目的在于提供一種在 下側(cè)電極的中央部和端部不改變厚度而通過(guò)斷線(xiàn)可能性低的連接配線(xiàn) 連接上側(cè)電極彼此的薄膜電容、使用該薄膜電容的顯示裝置和存儲(chǔ)器 單元、以及它們的制造方法。
為了解決上述課題，本發(fā)明的薄膜電容是設(shè)置在基板上由相互正 交的多個(gè)掃描信號(hào)線(xiàn)和多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)包圍的各區(qū)域、并且依次構(gòu)成 有下側(cè)電極、第一絕緣層和上側(cè)電極的薄膜電容，其特征在于，使用 位于相比該上側(cè)電極更上方、并且與任一個(gè)上述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)交叉的連 接配線(xiàn)，進(jìn)行相互相鄰的上側(cè)電極彼此的電連接。
此外，本發(fā)明的薄膜電容的制造方法是設(shè)置在基板上由相互正交
8的多個(gè)掃描信號(hào)線(xiàn)和多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)包圍的各區(qū)域、并且依次構(gòu)成有 下側(cè)電極、第一絕緣層和上側(cè)電極的薄膜電容的制造方法，其特征在 于，使用位于相比該上側(cè)電極更上方、并且與任一個(gè)上述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn) 交叉的連接配線(xiàn)，進(jìn)行相互相鄰的上側(cè)電極彼此的電連接。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，不采用在數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的形成區(qū)域中上側(cè)電極本身 覆蓋相鄰的下側(cè)電極的端部的結(jié)構(gòu)，與下側(cè)電極相鄰?fù)瑯拥?，在?shù)據(jù) 信號(hào)線(xiàn)的形成區(qū)域中使用位于相比上側(cè)電極更上方、并且與任一個(gè)數(shù) 據(jù)信號(hào)線(xiàn)交叉的連接配線(xiàn)進(jìn)行相鄰的上側(cè)電極彼此的連接。由此，連 接上側(cè)電極與下側(cè)電極的連接配線(xiàn)難以發(fā)生斷線(xiàn)，而且無(wú)需如專(zhuān)利文 獻(xiàn)2所述的那樣設(shè)置錐度，因此下側(cè)電極的厚度在中央部和端部也不 會(huì)變化。進(jìn)而，在上述結(jié)構(gòu)中，以將連接配線(xiàn)與數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)交叉的方 式設(shè)置。即，夾著數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)配置的上側(cè)電極彼此的連接由與數(shù)據(jù)信 號(hào)線(xiàn)交叉的連接配線(xiàn)進(jìn)行。
因此，無(wú)需為了夾著數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)配置的上側(cè)電極彼此的連接，而 使薄膜電容的平面形狀為特殊的形狀，因而能夠使薄膜電容的平面形 狀成為簡(jiǎn)單的形狀。更詳細(xì)說(shuō)明的話(huà)，即在使連接配線(xiàn)不與數(shù)據(jù)信號(hào) 線(xiàn)交叉的情況下，必須將夾著數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)配置的上側(cè)電極的任一個(gè)越 過(guò)(橫跨)數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)延伸至另一個(gè)上側(cè)電極一側(cè)。與此相應(yīng)地，電 容部的平面形狀會(huì)變得復(fù)雜。
由于能夠使薄膜電容的平面形狀成為簡(jiǎn)單的形狀，因此與平面形 狀會(huì)變得復(fù)雜的結(jié)構(gòu)相比，在由掃描信號(hào)線(xiàn)和數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)包圍的區(qū)域 中，能夠形成大面積的薄膜電容。其結(jié)果，能夠使電容變大。
另外，本發(fā)明的薄膜電容即使采用以下結(jié)構(gòu)也能夠獲得同樣的效果。
一種薄膜電容，其特征在于，對(duì)于在第一方向上延伸的信號(hào)線(xiàn)， 沿與第一方向交叉的第二方向，在上述信號(hào)線(xiàn)的兩側(cè)的每一側(cè)配置有
下側(cè)電極、第一絕緣層、和上側(cè)電極的疊層結(jié)構(gòu)，使用位于相比上側(cè) 電極更上層的配線(xiàn)，連接上側(cè)電極彼此，使得上述上側(cè)電極與沿上述 第二方向相對(duì)的上述疊層結(jié)構(gòu)的各端部和上述信號(hào)線(xiàn)均不接觸。
另外，第一絕緣膜也可以由2層以上的多層結(jié)構(gòu)的絕緣膜構(gòu)成。 此外，在本發(fā)明的薄膜電容中，優(yōu)選在上述各上側(cè)電極上，隔著
9具有第一接觸孔的第二絕緣膜設(shè)置有第一配線(xiàn)，上述各第一配線(xiàn)與上 述各上側(cè)電極通過(guò)上述各第一接觸孔電連接，作為上述連接配線(xiàn)，至 少使用上述第一配線(xiàn)。
此外，在本發(fā)明的薄膜電容的制造方法中，優(yōu)選在上述各上側(cè)電 極上，隔著具有第一接觸孔的第二絕緣膜設(shè)置第一配線(xiàn)，將上述各第 一配線(xiàn)與上述各上側(cè)電極通過(guò)上述各第一接觸孔電連接，作為上述連 接配線(xiàn)，至少使用上述第一配線(xiàn)。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠沿從上側(cè)電極通過(guò)第一接觸孔至外部的第一 配線(xiàn)的路徑引導(dǎo)電連接。因此，能夠使以往在上側(cè)電極和下側(cè)電極之 間局部地集中的電荷分散，能夠防止薄膜電容的破壞。
艮P，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)能夠防止如圖7 (b)所示的那樣在上側(cè)電極與 下側(cè)電極接近的部位電場(chǎng)集中并產(chǎn)生絕緣破壞的情況。
此外，當(dāng)與上述各上側(cè)電極的1個(gè)電連接的相對(duì)方上側(cè)電極為多 個(gè)時(shí)，在上述各上側(cè)電極上，設(shè)置與相對(duì)方上側(cè)電極的數(shù)量相同數(shù)量 的上述第一配線(xiàn)即可。由此，例如能夠?qū)?個(gè)上側(cè)電極與在其兩邊相 鄰的其他上側(cè)電極通過(guò)與其他上側(cè)電極的每個(gè)對(duì)應(yīng)的第一配線(xiàn)連接。
此外，在本發(fā)明的薄膜電容中，優(yōu)選與上述各下側(cè)電極相對(duì)的上 述各上側(cè)電極在平面上被完全包圍在上述下側(cè)電極的外形內(nèi)。
此外，在本發(fā)明的薄膜電容的制造方法中，優(yōu)選將與上述各下側(cè) 電極相對(duì)的上述各上側(cè)電極以在平面上被完全包圍在上述下側(cè)電極的 外形內(nèi)的方式設(shè)置。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，與各下側(cè)電極相對(duì)的各上側(cè)電極在平面上被完全 包圍在下側(cè)電極的外形內(nèi)。因此，上側(cè)電極以島狀獨(dú)立地存在。因此， 能夠使在各島的上側(cè)電極與下側(cè)電極之間存在的電荷變小，從而能夠 防止薄膜電容的破壞。
而且，由于在上側(cè)電極在平面上被完全包圍在下側(cè)電極的外形內(nèi) 的結(jié)構(gòu)中不形成如圖7 (b)所示那樣的上側(cè)電極與下側(cè)電極接近的部 位，因此不發(fā)生電場(chǎng)的局部集中，也是能夠防止絕緣破壞的理由。
此外，在本發(fā)明的薄膜電容中，優(yōu)選在上述各第一配線(xiàn)上，隔著 具有第二接觸孔的第三絕緣膜設(shè)置有第二配線(xiàn)，上述各第二配線(xiàn)跨越 任一個(gè)上述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)設(shè)置，上述各第一配線(xiàn)與上述各第二配線(xiàn)通過(guò)上述各第二接觸孔電連接，作為上述連接配線(xiàn)，至少使用上述第一配 線(xiàn)和上述第二配線(xiàn)。
此外，在本發(fā)明的薄膜電容的制造方法中，優(yōu)選在上述各第一配 線(xiàn)上，隔著具有第二接觸孔的第三絕緣膜設(shè)置第二配線(xiàn)，以跨越任一 個(gè)上述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的方式設(shè)置上述各第二配線(xiàn)，將上述各第一配線(xiàn)與 上述各第二配線(xiàn)通過(guò)上述各第二接觸孔電連接，至少使用上述第一配 線(xiàn)和上述第二配線(xiàn)作為上述連接配線(xiàn)。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于能夠通過(guò)第二接觸孔進(jìn)一步引導(dǎo)到上方的第 二配線(xiàn)，因此能夠使上側(cè)電極和下側(cè)電極間的電荷進(jìn)一步分散。
此外，在本發(fā)明的薄膜電容中，優(yōu)選上述第一接觸孔的中心位置 與上述第二接觸孔的中心位置錯(cuò)開(kāi)。
此外，在本發(fā)明的薄膜電容的制造方法中，優(yōu)選上述第一接觸孔 的中心位置與上述第二接觸孔的中心位置錯(cuò)開(kāi)。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，使第一接觸孔與第二接觸孔的中心位置一致時(shí)， 在已形成下側(cè)電極的第一接觸孔形成上層的層間膜之際，層間膜進(jìn)入 第一接觸孔的凹部，相應(yīng)地層間膜的膜厚增加。其結(jié)果，當(dāng)形成第二 接觸孔時(shí)，在第一接觸孔的凹部作為殘?jiān)鼩埩魧娱g膜在下側(cè)電極上， 因此產(chǎn)生接觸不良。因此，通過(guò)使第一接觸孔與第二接觸孔的中心位 置錯(cuò)開(kāi)能夠解決接觸不良的問(wèn)題。
此外，在本發(fā)明的薄膜電容中，優(yōu)選上述各第一配線(xiàn)設(shè)置在任一 個(gè)上述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的下側(cè)，并且單獨(dú)地作為上述連接配線(xiàn)使用。
此外，在本發(fā)明的薄膜電容的制造方法中，優(yōu)選將上述各第一配 線(xiàn)設(shè)置在上述各數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的下側(cè)，并且單獨(dú)地作為上述連接配線(xiàn)使 用。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由第一配線(xiàn)單獨(dú)地進(jìn)行上側(cè)電極彼此的連接。因
此，能夠更加縮小連接規(guī)模。
此外，本發(fā)明的顯示裝置優(yōu)選包括上述任一個(gè)薄膜電容。
此外，本發(fā)明的顯示裝置的制造方法優(yōu)選使用上述任一個(gè)薄膜電
容的制造方法。
此外，本發(fā)明的存儲(chǔ)器單元優(yōu)選使用上述任一個(gè)薄膜電容作為數(shù) 據(jù)保持電容。此外，本發(fā)明的存儲(chǔ)器單元的制造方法優(yōu)選使用上述任一個(gè)薄膜 電容的制造方法作為數(shù)據(jù)保持用電容的制造方法。
關(guān)于上述的液晶顯示裝置的各個(gè)限定事項(xiàng)能夠任意地組合，并且 即便如此也能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目的。
本發(fā)明的其他目的、特征、和優(yōu)異點(diǎn)可以通過(guò)以下所示的記載來(lái) 充分了解。此外，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)可以通過(guò)參照附圖進(jìn)行的以下說(shuō)明而 變得明確。


圖1表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的實(shí)施方式，是表示液晶面板基
板的像素輔助電容部和包括TFT的周邊電路配置的平面圖。
圖2是表示圖1的液晶面板基板的像素輔助電容部的結(jié)構(gòu)的截面
圖，(a)是表示沿圖1的點(diǎn)劃線(xiàn)的向視截面圖，(b)是表示在形成第
二接觸孔之前的第一接觸孔周?chē)寞B層結(jié)構(gòu)的圖。
圖3表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的變形例，是與圖1對(duì)應(yīng)的平面圖。 圖4表示圖3的液晶面板基板的像素輔助電容部的結(jié)構(gòu)，是沿圖3
的點(diǎn)劃線(xiàn)的向視截面圖。
圖5表示本發(fā)明的參考例，是與圖1對(duì)應(yīng)的平面圖。
圖6表示圖5的液晶面板基板的像素輔助電容部的結(jié)構(gòu)，是沿A-A
線(xiàn)的向視截面圖。
圖7是表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置的圖，(a)是表示液晶面板基板
的像素輔助電容部和包括TFT的周邊電路配置的平面圖；(b)是表示
上述液晶面板基板的像素輔助電容部的結(jié)構(gòu)的圖，是(a)的X-X線(xiàn)截面圖。
圖8是表示現(xiàn)有的存儲(chǔ)器單元的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖9是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造工序的截面圖。
圖IO是表示現(xiàn)有的其他的半導(dǎo)體裝置的制造工序的截面圖。
符號(hào)說(shuō)明
1玻璃基板(基板) 3下側(cè)電極
4柵極絕緣膜(第一絕緣膜)5 上側(cè)電極
6 第一層間絕緣膜(第二絕緣膜)
7 第一接觸孔
8 第一配線(xiàn)(連接配線(xiàn)) 10像素輔助電容部
11數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)
12柵極金屬配線(xiàn)(掃描信號(hào)線(xiàn)) 15第二接觸孔
17第二層間絕緣膜(第三絕緣膜) 20第二配線(xiàn)(連接配線(xiàn)) 31數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)
具體實(shí)施例方式
參照附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是表示液晶面板基板的包括電容部(像素輔助電容部；在權(quán) 利要求范圍中記載的"薄膜電容")的周邊電路配置的平面圖，圖2 (a) 是沿圖1的點(diǎn)劃線(xiàn)的向視截面圖。
如圖1所示，在液晶面板基板上設(shè)置有數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)11、與數(shù)據(jù)信 號(hào)線(xiàn)11正交的柵極金屬配線(xiàn)(掃描信號(hào)線(xiàn))12、平行于掃描信號(hào)線(xiàn)12 并且跨越各個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)11并且在各個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)11每一個(gè)上設(shè)置 的多個(gè)第二配線(xiàn)20、和電容部IO。另外，為了方便說(shuō)明，在圖l所示 的電容部10中繪制有剖面線(xiàn)。
此外，由上述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)11與上述掃描信號(hào)線(xiàn)12包圍的1個(gè)區(qū) 域是像素區(qū)域，該像素區(qū)域由在掃描信號(hào)線(xiàn)12和像素輔助電容上部設(shè) 置反射區(qū)域(像素反射部)，此外，在光從背面透過(guò)的區(qū)域設(shè)置透過(guò)區(qū) 域(像素透過(guò)部)的結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
如圖2 (a)所示，電容部10由下側(cè)電極(第一電極；Si;硅)3、 柵極絕緣膜(GI: Gate Insulator (柵極絕緣層)；在權(quán)利要求范圍中記 載的"第一絕緣膜")4、和上側(cè)電極(第二電極；GE;柵極金屬)5構(gòu) 成。進(jìn)而，如圖2 (a)所示，在下側(cè)電極3的下層，從下側(cè)電極3 —側(cè)依次設(shè)置有底涂層2和玻璃基板1。
此外，如圖2 (a)所示，在上側(cè)電極5的上層，從上側(cè)電極5 — 側(cè)依次包括第一層間絕緣膜(在權(quán)利要求范圍中記載的"第二絕緣膜") 6、第一配線(xiàn)8、第二層間絕緣膜(在權(quán)利要求范圍中記載的"第三絕緣 膜")17、和第二配線(xiàn)20。此處，如圖2 (a)所示，第一配線(xiàn)8與數(shù) 據(jù)信號(hào)線(xiàn)11在同階層設(shè)置，并且設(shè)置在數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)11的兩側(cè)。
特別地，本實(shí)施方式具有以下結(jié)構(gòu)特征，S卩，相鄰的電容部10的 上側(cè)電極5彼此相互電連接。
設(shè)置在彼此相鄰的電容部10中的上側(cè)電極5，如圖2 (a)所示， 使用第一配線(xiàn)8與第二配線(xiàn)20連接。在本實(shí)施方式中，由第一配線(xiàn)8 和第二配線(xiàn)20形成在權(quán)利要求范圍中記載的"連接配線(xiàn)"。
更具體而言，如圖2 (a)所示，通過(guò)設(shè)置在上側(cè)電極5上的第一 層間絕緣膜6中的第一接觸孔7連接上側(cè)電極5與第一配線(xiàn)8，進(jìn)而， 通過(guò)設(shè)置在第一配線(xiàn)8上的第二層間絕緣膜17中的第二接觸孔15連 接第一配線(xiàn)8與第二配線(xiàn)20。
此外，優(yōu)選將第一接觸孔7與第二接觸孔15的中心位置錯(cuò)開(kāi)。參 照?qǐng)D2 (b)說(shuō)明其理由。另外，圖2 (b)是更詳細(xì)地放大表示在第一 接觸孔7上形成了第二層間絕緣膜17的時(shí)刻的、從上側(cè)電極5至第二 層間絕緣膜17的疊層結(jié)構(gòu)的截面圖。
如圖2 (b)所示，在疊層第一配線(xiàn)8后的第一接觸孔7形成有凹 部。因此，在第一接觸孔7上形成上層的層間絕緣膜(第二層間絕緣 膜17)時(shí)，由于層間絕緣膜進(jìn)入上述凹部，因此相應(yīng)地，第二層間絕 緣膜17的膜厚L增加。
然而，在使第一接觸孔7與第二接觸孔15的中心位置一致的情況 下，為了形成第二接觸孔15，需要將填充在圖2 (b)中繪制剖面線(xiàn)來(lái) 表示的部分17A中的第二層間絕緣膜17完全除去。然而，由于填充在 部分17A中的第二層間絕緣膜17的膜厚L較大，因此難以將第二層間 絕緣膜17從部分17A中徹底除去。其結(jié)果是在形成第二接觸孔15時(shí)， 在第一接觸孔7的凹部殘留有第二層間絕緣膜17作為殘?jiān)瑥亩a(chǎn)生 接觸不良。因此，將第一接觸孔7與第二接觸孔15的中心位置錯(cuò)開(kāi)能 夠解決接觸不良的問(wèn)題。另外，如以下所述，由于通常利用濺射法形成第一配線(xiàn)8，因此在 該情況下，在第一接觸孔7的周?chē)蛢?nèi)部以相同膜厚以下來(lái)形成第一
配線(xiàn)8。從而，在第一接觸孔7內(nèi)易于形成上述凹部。
以往，通過(guò)上側(cè)電極5的圖像形成時(shí)的干蝕刻，蓄積在相連的上 側(cè)電極5整體的電荷，在本實(shí)施方式中能夠分割蓄積到各上側(cè)電極5 的各個(gè)上。然后，在該形成工序期間，由于蓄存在各上側(cè)電極5上的 電荷被放電一次，因此在將上側(cè)電極5彼此相連時(shí)，蓄積在上側(cè)電極5 上的最大電荷量與現(xiàn)有的蓄積在上側(cè)電極整體的電荷相比變小。其結(jié) 果是能夠防止上側(cè)電極在制造中被靜電破壞。
而且，后面作為[參考例]進(jìn)行說(shuō)明的、由相同的發(fā)明人提出、但并 未公開(kāi)的在先申請(qǐng)(本申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)主張日期)的發(fā)明相比具有如下 所述的有益效果。在該參考例中，電容部的形狀成為復(fù)雜的形狀。其 理由在于，如本實(shí)施方式這樣，不使用所謂的與信號(hào)配線(xiàn)交叉的配線(xiàn) 進(jìn)行電容部彼此的連接，而是使用另外的配線(xiàn)進(jìn)行，因此為了連接需 要使電容部的形狀復(fù)雜。
對(duì)此，根據(jù)本實(shí)施方式，使用與數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)11交叉并且設(shè)置在上 側(cè)電極的上方的連接配線(xiàn)(第一配線(xiàn)8和第二配線(xiàn)20)進(jìn)行上側(cè)電極 5彼此的電連接。因此，無(wú)需為了上側(cè)電極的連接而使電容部的平面形 狀成為特殊的形狀，能夠使電容部的平面形狀變得簡(jiǎn)單，因此能夠使 電容部的面積增大，并且能夠防止電極間短路所導(dǎo)致的成品率降低。 此外，由于無(wú)需設(shè)置如上述專(zhuān)利文獻(xiàn)2所述的錐度，因此能夠使下側(cè) 電極的厚度在中央部和端部均勻。
另外，還能夠如以下這樣描述上述電容部10的結(jié)構(gòu)。gp，電容部 IO的結(jié)構(gòu)為對(duì)于在第一方向上延伸的數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)ll，沿與第一方向 交叉的第二方向在上述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)11的兩側(cè)的每一側(cè)配置有下側(cè)電極 3、第一層間絕緣膜6和上側(cè)電極5的疊層結(jié)構(gòu)，使用位于相比上側(cè)電 極5更靠上層的第一配線(xiàn)8和第二配線(xiàn)20連接上側(cè)電極5彼此，使得 上側(cè)電極5與沿上述第二方向相對(duì)的上述疊層結(jié)構(gòu)的各端部和上述數(shù) 據(jù)信號(hào)線(xiàn)11均不接觸。
上述第一配線(xiàn)8與上述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)11設(shè)置在相同階層，上述第二 配線(xiàn)20設(shè)置在相比上述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)11的階層更上位的層上。接著，對(duì)圖1、2所示的電容部及其周邊電路的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
首先，對(duì)作為形成電容部10的基材的玻璃基板1進(jìn)行清洗與預(yù)退 火作為前處理。
(1)下側(cè)電極3的形成工序
通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積法(PECVD)在玻璃基板1上形成底 涂層(undercoat) (TEOS/SiNO; 100nm/50nm) 2、和下側(cè)電極(Si) 3 的非晶硅(a-Si)層。接著進(jìn)行通過(guò)約600。C的熱處理使變化成為結(jié)晶 的固相晶化法(SPC)。除此之外還能夠使用SiNx、 SiON、 SiH4+N20 等作為底涂層2的材料。
另外，在進(jìn)行該固相晶化法(SPC)的處理之前，也可以涂敷金屬 催化劑，進(jìn)行用于CG-硅化的前處理。
然而，基于僅進(jìn)行固相晶化法(SPC)會(huì)導(dǎo)致結(jié)晶粒徑小、或者雖 然結(jié)晶粒徑大但是在晶粒內(nèi)包含大量結(jié)晶缺陷等理由，會(huì)對(duì)遷移率小 等的像素TFT的特性產(chǎn)生問(wèn)題。
因此，接著通過(guò)準(zhǔn)分子激光退火法來(lái)提高結(jié)晶粒的品質(zhì)。
最后，通過(guò)光刻法形成圖案，進(jìn)而通過(guò)蝕刻將硅(Si)層成型為希 望的形狀，并形成50nm的下側(cè)電極3。
(2) 柵極絕緣膜4的形成工序
接著，使用四乙基正硅酸鹽(TEOS)氣體作為原料氣體，通過(guò) CVD法形成45nm的柵極絕緣膜4。除此之外還能夠使用SiNx或SiON、 SiH4+N20等作為柵極絕緣膜4的材料。
(3) 溝道摻雜工序
接著，為了控制用于驅(qū)動(dòng)像素晶體管和其他液晶面板的電路所需 的晶體管的閾值，在基板整個(gè)面上摻雜硼，或通過(guò)光刻法僅在想要摻 雜的部分形成圖案、并溝道摻雜規(guī)定量的硼，或者兩者都進(jìn)行。
進(jìn)而，基于晶體管在需要重疊(overlap)結(jié)構(gòu)的情況下，通過(guò)光 刻法進(jìn)行所希望的圖案形成、并摻雜規(guī)定量的磷。此外，該溝道摻雜 也可以在柵極絕緣膜4形成之前進(jìn)行。
通過(guò)摻雜處理，由電容部的硅(Si)層構(gòu)成的下側(cè)電極3成為作為 導(dǎo)體的電極。
16(4) 上側(cè)電極5的形成工序
接著，通過(guò)濺射等形成鎢(W)膜/氮化鉭(TaN)膜(W/TaN; 370nm/30nm)。除此之外，還能夠使用MoW、 Al等低電阻金屬、表面 平坦且特性穩(wěn)定的高熔點(diǎn)金屬等作為上側(cè)電極5所使用的金屬。
接著，通過(guò)光刻法進(jìn)行所希望的圖案形成后，進(jìn)行調(diào)整了 Ar、 SF6、 CF4、 02、 Cl2等混合氣體分量作為原料氣體的干蝕刻，從而形成2層 結(jié)構(gòu)的上側(cè)電極5。
(5) 第一層間絕緣膜6的形成工序
接著，通過(guò)PECVD形成2層結(jié)構(gòu)的第一層間絕緣膜6?？梢允褂?SiNx、 SiON、 TEOS作為第一層間絕緣膜6的材料。例如，能夠在2 層中，在下層設(shè)置250nm的SiN，在上層設(shè)置700nm的TEOS。
(6) 第一接觸孔7的形成工序
接著，進(jìn)行所希望的光刻法后，利用干蝕刻形成接觸孔7。
(7) 退火處理工序
進(jìn)而，為了改善硅(Si)的品質(zhì)，在約40(TC下進(jìn)行氫化退火處理。
(8) 數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)ll和第一配線(xiàn)8的形成工序
接著，利用濺射法形成依次配置鈦(Ti)膜、鋁-硅(Al-Si)類(lèi)合 金膜和Ti膜而成的金屬薄膜。設(shè)定各個(gè)膜的膜厚為例如鈦(Ti)膜 100nm、鋁-硅(Al-Si)類(lèi)合金膜400nm、 Ti膜100nm。此外，也可以 用A1膜代替A1-Si類(lèi)合金膜。此外，由于上層的Ti膜容易被氧化，因 此也可以使用難氧化的TiN等。此外，還可以在形成第二配線(xiàn)20之前， 使用HF或BHF等蝕刻液、或利用Ar等離子體處理除去表面的氧化膜。
接著，通過(guò)光刻法進(jìn)行所希望的圖案形成、和干蝕刻，形成數(shù)據(jù) 信號(hào)線(xiàn)11和第一配線(xiàn)8。此處，在相鄰的電容部IO之間配置數(shù)據(jù)信號(hào) 線(xiàn)11，使與第一配線(xiàn)11分離，在該數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)11的兩側(cè)、且與上側(cè) 電極5相對(duì)的位置配置第一配線(xiàn)8。
由此，上側(cè)電極5與第一配線(xiàn)8之間經(jīng)由第一接觸孔7導(dǎo)通。
(9) 第二層間絕緣膜17的形成工序
接著，通過(guò)旋涂法形成第二層間絕緣膜17?？梢允褂肑AS (感光 性丙烯酸樹(shù)脂材料)等作為第二層間絕緣膜17的材料。由于該材料平 坦性?xún)?yōu)異、并具有感光性，因此能夠使基底的凹凸平坦化，并且無(wú)需
17蝕刻工序、而只利用光照射工序和顯像工序即能夠進(jìn)行接觸孔的形成，
因此能夠縮短工序。第二層間絕緣膜17的膜厚可以為例如3pm。
(10) 第二接觸孔15的形成工序
接著，利用光照射工序和顯像工序形成第二接觸孔15。以使該第 二接觸孔15的開(kāi)口下端位于第二金屬配線(xiàn)8上的方式設(shè)置該第二接觸 孔15。
(11) 第二配線(xiàn)20的形成工序
接著，通過(guò)濺射法形成依次配置Al (鋁)膜和Mo (鉬)膜而成 的金屬薄膜?？梢栽O(shè)定各個(gè)膜的膜厚為例如Al膜400nm、Mo膜50nm。
接著，通過(guò)光刻進(jìn)行所希望的圖案形成、和干蝕刻，形成第二配 線(xiàn)20。另外，該第二配線(xiàn)20將與相鄰的電容部10的上側(cè)電極5導(dǎo)通 的第一配線(xiàn)8彼此連接，并且跨越數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)11而形成。
如以上所述，在本實(shí)施方式的液晶面板基板的電容部及其制造方 法中，由于與下側(cè)電極3相對(duì)的上側(cè)電極5不會(huì)跨越下側(cè)電極3，因此 不會(huì)受到邊緣的影響。
因此，能夠提供不受下側(cè)電極3的端部影響的薄膜電容及其制造 方法。
此外，如專(zhuān)利文獻(xiàn)2所述，由于無(wú)需在下側(cè)電極3設(shè)置錐度，因 此能夠使下側(cè)電極的厚度在中央和端部均相同。
進(jìn)而，雖然重復(fù)，但是根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，電容部的平面形狀能夠比 后述的[參考例]更簡(jiǎn)單地形成，并且電容部的面積能夠更大，因此能夠 抑制電極間短路導(dǎo)致的成品率的降低。
對(duì)能夠比后述的[參考例]更簡(jiǎn)單地形成平面形狀的理由進(jìn)行詳細(xì) 說(shuō)明的話(huà)，在[參考例]中，沒(méi)有使連接上側(cè)電極彼此的連接配線(xiàn)與數(shù)據(jù) 信號(hào)線(xiàn)交叉。因此，為了夾著數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)存在的上側(cè)電極(電容部) 彼此的連接，需要使一個(gè)上側(cè)電極向另一個(gè)上側(cè)電極延伸(參照?qǐng)D5)。 因此，需要使該部分電容部的平面形狀為特殊的形狀。對(duì)于此，根據(jù) 本實(shí)施方式，由于使連接電極與數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)交叉，因此無(wú)需為了逐個(gè) 地連接而將電容部的平面形狀形成為特殊的形狀。
此外，并不限定于上述的結(jié)構(gòu)，也可以采用以下所述的結(jié)構(gòu)。
18艮P，液晶面板基板的包括電容部10的周邊電路配置，不限定于圖
1、圖2的結(jié)構(gòu)，也可以是圖3、圖4所示的結(jié)構(gòu)。圖3是與圖1對(duì)應(yīng) 的變形例的平面圖，圖4是沿圖3的點(diǎn)劃線(xiàn)的向視截面圖、與圖2對(duì) 應(yīng)的變形例的截面圖。
在圖3所示的周邊電路配置中，設(shè)置在第二層間絕緣膜17的正上 方的數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)31作為源極線(xiàn)(信號(hào)配線(xiàn))與掃描信號(hào)線(xiàn)12正交配 置，在該數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)31的下層，單獨(dú)設(shè)置有連接電容部10的上側(cè)電 極5的第一配線(xiàn)8。
艮口，在圖3所示的周邊電路配置中，上側(cè)電極5彼此的電連接由 第一配線(xiàn)8單獨(dú)進(jìn)行，在第二層間絕緣膜17沒(méi)有設(shè)置接觸孔。因此， 在圖l、 2所示的結(jié)構(gòu)中，在電容部10之間與該電容部10分離設(shè)置的 第一配線(xiàn)8，在圖3、4所示的結(jié)構(gòu)中，以電連接相鄰的電容部IO的方 式配置。
此外，在圖l、 2所示的結(jié)構(gòu)中，雖然設(shè)置在第一層間絕緣膜6上 的數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)11起作為信號(hào)配線(xiàn)的作用，但是在圖3、 4所示的結(jié)構(gòu) 中，在設(shè)置在相比第一層間絕緣膜6更上層的第二層間絕緣膜17上設(shè) 置的數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)31起作為信號(hào)配線(xiàn)的作用。
總之，即使在該變形例的結(jié)構(gòu)中，上側(cè)電極5的連接位于相比上 側(cè)電極5更上方的位置，由與數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)31交叉的連接配線(xiàn)(在變形 例中僅指第一配線(xiàn)8)進(jìn)行，因此至少具有與上述的實(shí)施方式相同的作 用效果。
另外，也可以如以下的方式描述上述電容部10的結(jié)構(gòu)。gp，電容 部10的結(jié)構(gòu)為對(duì)于在第一方向上延伸的數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)31，沿與第一方 向交叉的第二方向在上述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)31的兩側(cè)的每一側(cè)配置有下側(cè)電 極3、第一層間絕緣膜6、和上側(cè)電極5的疊層結(jié)構(gòu)，使用位于相比上 側(cè)電極5更上層的第一配線(xiàn)8連接上側(cè)電極5彼此，使得上側(cè)電極5 與沿上述第二方向相對(duì)的上述疊層結(jié)構(gòu)的各端部和上述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)31 均不接觸。
上述第一配線(xiàn)8設(shè)置在上述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)31的階層與上側(cè)電極5的 階層之間。
接著，僅對(duì)圖3、 4所示的變形例的結(jié)構(gòu)的制造方法與圖1、 2所示的結(jié)構(gòu)的制造方法的不同之處進(jìn)行說(shuō)明，而省略對(duì)相同的制造方法 的說(shuō)明。直至上述的工序(7)所示的退火處理為止，均與上述的制造方法 相同。在上述的工序(8)所示的形成工序中，使用與上述(8)相同的 材料、方法，以單獨(dú)地相互連接相鄰的電容部10的方式配置第一配線(xiàn) 8。進(jìn)而，通過(guò)與上述的工序(9)相同的方法，形成第二層間絕緣膜 17，不形成上述的工序(10)所示的第二接觸孔，由上述的工序(11) 所示的形成方法、材料形成數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)31。但是，在工序(11)的制 造方法中，與上述的圖1、 2的制造方法不同，使數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)31不與 在其下層的配線(xiàn)導(dǎo)通，配置在與相鄰的電容部IO之間對(duì)應(yīng)的位置。根據(jù)上述變形例的結(jié)構(gòu)，與上述的實(shí)施方式相比具有如下優(yōu)點(diǎn)。第一層間絕緣膜6使用無(wú)機(jī)膜，能夠進(jìn)行干蝕刻，且能夠進(jìn)行微 細(xì)加工，因此能夠形成微細(xì)的接觸孔、和配線(xiàn)。對(duì)此，其上層的第二層間絕緣膜17使用感光性有機(jī)膜的情況較多， 其他的情況下也通常在蝕刻時(shí)較多使用濕蝕刻。因此，隨著越是上層， 加工所需要的裕量越大，換言之，高精度的加工變得困難。根據(jù)上述 的變形例的結(jié)構(gòu)，在第二層間絕緣膜17不設(shè)置接觸孔，在更下層進(jìn)行 上側(cè)電極5的電連接。因此，沒(méi)有設(shè)置接觸孔的部分、配置在上側(cè)電 極5的上層的接觸部的面積占有率較小即可，因此能夠形成小的像素 輔助電容。進(jìn)而，本變形例的結(jié)構(gòu)可以縮小連接規(guī)模。此外，如上述的圖l、 2所示的實(shí)施方式那樣，由于無(wú)需設(shè)置作為 連接第一接觸孔7與第二接觸孔15的中介的配線(xiàn)的第一配線(xiàn)8，因此 能夠縮小像素輔助電容。另一方面，由于線(xiàn)路和空間的集成度不高， 因此數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)31能夠加大加工裕量。另外，在本實(shí)施方式和變形例中，對(duì)電容部搭載在液晶顯示裝置 的液晶面板基板上的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但不必限定于此，本發(fā)明的下 側(cè)電極3、絕緣膜4、和上側(cè)電極(GE) 5的結(jié)構(gòu)也能夠應(yīng)用于存儲(chǔ)器 單元的數(shù)據(jù)保持用電容。例如，能夠應(yīng)用于在玻璃基板上集成DRAM 的圖像幀存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)器單元。20這樣，能夠通過(guò)使用上述的薄膜電容作為數(shù)據(jù)保持用電容，提供 不會(huì)被下側(cè)電極3的端部影響的存儲(chǔ)器單元及其制造方法作為存儲(chǔ)器 單元及其制造方法。此外，本發(fā)明的薄膜電容在源極金屬配線(xiàn)的上層具備層間絕緣膜 和上層金屬配線(xiàn)，能夠經(jīng)由源極金屬配線(xiàn)和上層金屬配線(xiàn)將像素輔助 電容的上側(cè)電極(GE)之間電連接。此外，本發(fā)明的薄膜電容在源極金屬配線(xiàn)的上層具備層間絕緣膜 和上層金屬配線(xiàn)，能夠經(jīng)由源極金屬配線(xiàn)將像素輔助電容的上側(cè)電極(GE)之間電連接。此外，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)能夠通過(guò)例如光學(xué)顯微鏡、截面SEM檢測(cè)。 [本實(shí)施方式的參考例]在本實(shí)施方式中，在信號(hào)配線(xiàn)的上層或下層，使相鄰的電容部的 上側(cè)配線(xiàn)相互連接。另一方面，本發(fā)明人已經(jīng)提出的在先申請(qǐng)的未公開(kāi)的發(fā)明(參考 例)中，如圖5、 6所示，在與配置有數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的位置不同的部位， 想要進(jìn)行相鄰的電容部60的上側(cè)配線(xiàn)55彼此的相互連接。為了實(shí)現(xiàn) 這樣的連接，在參考例中，如圖5所示，電容部60的平面結(jié)構(gòu)如本實(shí) 施方式一樣并非四角形狀，而是兩側(cè)突出，大致呈字母S形狀。因此， 存在隨著電容部60的形狀變復(fù)雜而容易產(chǎn)生上側(cè)電極55之間的短路 的問(wèn)題。對(duì)此，根據(jù)上述的本申請(qǐng)的發(fā)明的實(shí)施方式，像素輔助電容(電 容部)的平面形狀簡(jiǎn)單，因此能夠增加電容部的面積，并且能夠防止 電極之間的短路導(dǎo)致的成品率降低。本發(fā)明的薄膜電容，如以上所述，是設(shè)置在基板上由相互正交的 多個(gè)掃描信號(hào)線(xiàn)和多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)包圍的各領(lǐng)域，并且依次構(gòu)成有下 側(cè)電極、第一絕緣層、和上側(cè)電極的薄膜電容，使用位于相比該上側(cè) 電極更上方、并且與任一個(gè)上述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)交叉的連接配線(xiàn)，進(jìn)行相 互相鄰的上側(cè)電極彼此的電連接。此外，本發(fā)明的薄膜電容的制造方法，如以上所述，是設(shè)置在基 板上由相互正交的多個(gè)掃描信號(hào)線(xiàn)和多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)包圍的各區(qū)域， 并且依次構(gòu)成有下側(cè)電極、第一絕緣層、和上側(cè)電極的薄膜電容的制造方法，使用位于相比該上側(cè)電極更上方、并且與任一個(gè)上述數(shù)據(jù)信 號(hào)線(xiàn)交叉的連接配線(xiàn)，進(jìn)行相互相鄰的上側(cè)電極彼此的電連接。因此，起到能夠提供以下薄膜電容及其制造方法的效果，即，在 下側(cè)電極的中央部與端部不改變厚度、通過(guò)斷線(xiàn)可能性低的連接配線(xiàn) 將上側(cè)電極彼此連接。作為對(duì)發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明的部分的具體實(shí)施方式
或?qū)嵤├齼H闡明 本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，而并非僅限定于上述的具體例子并狹義地進(jìn)行解 釋?zhuān)诒景l(fā)明的精神和所記載的權(quán)利要求的范圍內(nèi)可以實(shí)施各種變更。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠應(yīng)用于由形成在基板上的下側(cè)電極、絕緣層和上側(cè)電 極分別構(gòu)成的多個(gè)薄膜電容及其制造方法。此外，具體而言，能夠應(yīng) 用于顯示裝置的像素輔助電容。作為顯示裝置，例如能夠用于有源矩 陣型的液晶顯示裝置，還能夠用于電泳型顯示器、雙極型顯示器、使 用微細(xì)的棱鏡膜的反射型顯示器、使用數(shù)字鏡器件等的光調(diào)制元件的顯示器、使用有機(jī)EL發(fā)光元件、無(wú)機(jī)EL發(fā)光元件、LED(Light Emitting Diode:發(fā)光二極管)等發(fā)光亮度可變的元件作為發(fā)光元件的顯示器、 場(chǎng)致發(fā)射顯示器(FED)、等離子體顯示器。此外，薄膜電容還能夠應(yīng)用于將DRAM集成在玻璃基板上的圖像 幀存儲(chǔ)器等的存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)保持用電容。
權(quán)利要求
1.一種薄膜電容，其設(shè)置在基板上由相互正交的多個(gè)掃描信號(hào)線(xiàn)和多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)包圍的各區(qū)域，并且依次構(gòu)成有下側(cè)電極、第一絕緣層、和上側(cè)電極，其特征在于使用位于相比該上側(cè)電極更上方、并且與任一個(gè)所述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)交叉的連接配線(xiàn)，進(jìn)行相互相鄰的上側(cè)電極彼此的電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電容，其特征在于在所述各上側(cè)電極上，隔著具有第一接觸孔的第二絕緣膜設(shè)置有第一配線(xiàn)，所述各第一配線(xiàn)與所述各上側(cè)電極通過(guò)所述各第一接觸孔電連接，作為所述連接配線(xiàn)，至少使用所述第一配線(xiàn)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜電容，其特征在于當(dāng)與所述各上側(cè)電極的1個(gè)電連接的相對(duì)方上側(cè)電極為多個(gè)時(shí)，在所述各上側(cè)電極上，設(shè)置有與相對(duì)方上側(cè)電極的數(shù)量相同數(shù)量的所述第一配線(xiàn)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜電容，其特征在于與所述各下側(cè)電極相對(duì)的所述各上側(cè)電極在平面上被完全包圍在所述下側(cè)電極的外形內(nèi)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的薄膜電容，其特征在于:在所述各第一配線(xiàn)上，隔著具有第二接觸孔的第三絕緣膜設(shè)置有第二配線(xiàn)，所述各第二配線(xiàn)跨越任一個(gè)所述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)設(shè)置，所述各第一配線(xiàn)與所述各第二配線(xiàn)通過(guò)所述各第二接觸孔電連接，作為所述連接配線(xiàn)，至少使用所述第一配線(xiàn)和所述第二配線(xiàn)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜電容，其特征在于所述第一接觸孔的中心位置與所述第二接觸孔的中心位置錯(cuò)開(kāi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的薄膜電容，其特征在于:所述各第一配線(xiàn)設(shè)置在任一個(gè)所述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的下側(cè)，并且單獨(dú)作為所述連接配線(xiàn)使用。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜電容，其特征在于所述第一配線(xiàn)與所述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)設(shè)置在相同階層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜電容，其特征在于所述第一配線(xiàn)設(shè)置在所述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的階層與上側(cè)電極的階層之間。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜電容，其特征在于所述第二配線(xiàn)設(shè)置在相比所述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的階層更上位的階層。
11. 一種薄膜電容，其特征在于對(duì)于在第一方向上延伸的信號(hào)線(xiàn)，沿與第一方向交叉的第二方向，在所述信號(hào)線(xiàn)的兩側(cè)的每一側(cè)配置有下側(cè)電極、第一絕緣層、和上側(cè)電極的疊層結(jié)構(gòu)，使用位于相比上側(cè)電極更上層的配線(xiàn)，連接上側(cè)電極彼此，使得所述上側(cè)電極與沿所述第二方向相對(duì)的所述疊層結(jié)構(gòu)的各端部和所述信號(hào)線(xiàn)均不接觸。
12. —種顯示裝置，其特征在于其包括權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的薄膜電容。
13. —種存儲(chǔ)器單元，其特征在于其使用權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的薄膜電容作為數(shù)據(jù)保持電容。
14. 一種薄膜電容的制造方法，該薄膜電容設(shè)置在基板上由相互 正交的多個(gè)掃描信號(hào)線(xiàn)和多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)包圍的各區(qū)域，并且依次構(gòu) 成有下側(cè)電極、第一絕緣層、和上側(cè)電極，所述制造方法的特征在于:使用位于相比該上側(cè)電極更上方、并且與任一個(gè)所述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn) 交叉的連接配線(xiàn)，進(jìn)行相互相鄰的上側(cè)電極彼此的電連接。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜電容的制造方法，其特征在于 在所述各上側(cè)電極上，隔著具有第一接觸孔的第二絕緣膜設(shè)置第一配線(xiàn)，將所述各第一配線(xiàn)與所述各上側(cè)電極通過(guò)所述各第一接觸孔電連接，至少使用所述第一配線(xiàn)作為所述連接配線(xiàn)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜電容的制造方法，其特征在于 當(dāng)與所述各上側(cè)電極的1個(gè)電連接的相對(duì)方上側(cè)電極為多個(gè)時(shí)，在所述各上側(cè)電極上，設(shè)置與相對(duì)方上側(cè)電極的數(shù)量相同數(shù)量的所述 第一配線(xiàn)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜電容的制造方法，其特征在于-將與所述各下側(cè)電極相對(duì)的所述各上側(cè)電極，以在平面上被完全包圍在所述下側(cè)電極的外形內(nèi)的方式配置。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15至17中任一項(xiàng)所述的薄膜電容的制造方法，其特征在于在所述各第一配線(xiàn)上，隔著具有第二接觸孔的第三絕緣膜設(shè)置第 二配線(xiàn)，以跨越任一個(gè)所述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的方式設(shè)置所述各第二配線(xiàn)， 將所述各第一配線(xiàn)與所述各第二配線(xiàn)通過(guò)所述各第二接觸孔電連接，至少使用所述第一配線(xiàn)和所述第二配線(xiàn)作為所述連接配線(xiàn)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的薄膜電容的制造方法，其特征在于 使所述第一接觸孔的中心位置與所述第二接觸孔的中心位置錯(cuò)開(kāi)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15至17中任一項(xiàng)所述的薄膜電容的制造方法， 其特征在于-將所述各第一配線(xiàn)設(shè)置在任一個(gè)所述數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的下側(cè)，并且單 獨(dú)作為所述連接配線(xiàn)使用。
21. —種顯示裝置的制造方法，其特征在于其使用權(quán)利要求14至20中任一項(xiàng)所述的薄膜電容的制造方法。
22. —種存儲(chǔ)器單元的制造方法，其特征在于將權(quán)利要求14至20中任一項(xiàng)所述的薄膜電容的制造方法用于數(shù) 據(jù)保持用電容的制造。
全文摘要
本發(fā)明涉及薄膜電容、使用該薄膜電容的顯示裝置和存儲(chǔ)器單元、以及它們的制造方法。本發(fā)明提供一種薄膜電容，其設(shè)置在玻璃基板(1)上由相互正交的多個(gè)柵極金屬配線(xiàn)(12)和多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)(11)包圍的各區(qū)域、并且依次構(gòu)成有下側(cè)電極(3)、柵極絕緣膜和上側(cè)電極(5)，使用位于相比上側(cè)電極(5)更上方、并且與任一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)(11)交叉的第一配線(xiàn)(8)進(jìn)行相互相鄰的上側(cè)電極(5)彼此的電連接。由此，在下側(cè)電極(3)的中央部和端部不改變厚度，通過(guò)斷線(xiàn)可能性低的連接配線(xiàn)連接上側(cè)電極(5)彼此。
文檔編號(hào)H01L23/522GK101681882SQ20088001845
公開(kāi)日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2008年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月10日
發(fā)明者森脅弘幸 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社