專利名稱：：太陽(yáng)電池模塊及太陽(yáng)電池模塊的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及太陽(yáng)電池模塊及太陽(yáng)電池模塊的制造方法，更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，涉及高效率地將入射光導(dǎo)入太陽(yáng)電池單元而提高發(fā)電效率的太陽(yáng)電池模塊及其制造方法。
背景技術(shù)：
：在下述非專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)有以往的硅晶體系的太陽(yáng)電池模塊。參照?qǐng)D1的概略圖(剖面圖)說(shuō)明以往的太陽(yáng)電池模塊。以往的太陽(yáng)電池模塊由太陽(yáng)電池單元100、保護(hù)玻璃201、密封材(填充材)202、標(biāo)記線203、背部薄膜204構(gòu)成。在入射光205所入射的一側(cè)設(shè)置有保護(hù)玻璃(也稱為封罩玻璃)201。作為保護(hù)玻璃201，注重耐沖擊性而使用強(qiáng)化玻璃。在保護(hù)玻璃201中，為了提高接下來(lái)與所層壓的密封材202的緊貼性，使單面201b為由壓花(工y求7)加工產(chǎn)生的凹凸形狀。而且，該凹凸形狀形成在內(nèi)側(cè)，即在圖1中形成在保護(hù)玻璃201的下表面，且太陽(yáng)電池模塊的表面201a是平滑的。密封材202通常是以乙烯-醋酸乙烯共聚物(工于l/ytf二/KT七x一卜n求!J7—)為主要成分的樹(shù)脂，也稱為填充材。密封材202密封太陽(yáng)電池單元100。太陽(yáng)電池單元100將經(jīng)由保護(hù)玻璃201及密封材202導(dǎo)入的入射光205變換為電力。太陽(yáng)電池單元100使用例如多晶硅基板或單晶硅基板。而且，在密封材202的所述入射側(cè)的相反側(cè)形成有背部薄膜204。此外，在下述專利文獻(xiàn)l中公開(kāi)了如下結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)電池模塊即使用昆蟲(chóng)眼(moth-eye)構(gòu)造，減少反射損失而有效地將來(lái)自包括傾斜的所有角度的外部光攝入到太陽(yáng)電池單元。昆蟲(chóng)眼(moth-eye)構(gòu)造如下述非專利文獻(xiàn)2所示，是通過(guò)形成微細(xì)的圓錐或三棱錐、四棱錐等的透明形狀物來(lái)減少反射損失且高效地吸取外部光的技術(shù)。非專利文獻(xiàn)1:濱川圭弘編《太陽(yáng)光發(fā)電》最新的技術(shù)和系統(tǒng)，2000年，株式會(huì)社CMC(、乂一工厶7—)非專利文獻(xiàn)2:豐田宏；"無(wú)反射周期構(gòu)造"，光學(xué)，32巻8號(hào)489頁(yè)(2003年)專利文獻(xiàn)1:特開(kāi)2005-101513號(hào)公報(bào)但是，在所述的以往的太陽(yáng)電池單元中，由于太陽(yáng)電池單元100和密封材202的折射率差大，因此存在由界面引起光反射而不能有效地利用光(入射光205)的問(wèn)題。此外，通常，作為太陽(yáng)電池單元100的構(gòu)造，為了具有將光關(guān)在里面的效果，通過(guò)在硅基板實(shí)施蝕刻處理，形成紋理構(gòu)造。但是，開(kāi)路電壓V。。在不形成紋理構(gòu)造時(shí)比形成紋理構(gòu)造時(shí)大。這是因?yàn)殚_(kāi)路電壓V。。依賴于形成在太陽(yáng)電池單元100的pn接合面積，且接合面積小的一方開(kāi)路電壓V。e變高。g卩，在此前的高效率太陽(yáng)電池單元中，由形成紋理構(gòu)造產(chǎn)生的電流的增大量彌補(bǔ)并超過(guò)了開(kāi)路電壓V。。的降低量。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于所述情況，目的在于提供一種通過(guò)提高光利用率而能夠提高發(fā)電效率的太陽(yáng)電池模塊及其制造方法。此外，本發(fā)明以提供一種能夠回避開(kāi)路電壓V。。降低的太陽(yáng)電池模塊及其制造方法為目的。本發(fā)明涉及的太陽(yáng)電池模塊為了解決所述課題，在層壓含有多個(gè)透光層的構(gòu)件，并響應(yīng)于入射光而發(fā)電，在從所述入射光的入射側(cè)起，設(shè)所述多個(gè)透光層為第1層、第2層、、第m層，而且設(shè)各層的折射率分別為第l折射率rih第2折射率ri2、…、第m折射率n,n時(shí)，n^ib^…^nn,成立，此外，這些透光層中的至少一層是使所述入射光的入射側(cè)成為凹凸形狀的聚光膜，其折射率為1.62.4。在該太陽(yáng)電池模塊中，如下式O)所示，在所述入射光的波長(zhǎng)為4001200nm中，優(yōu)選所述聚光膜的標(biāo)準(zhǔn)化吸光度a的值為0.1以下。其中，T為透過(guò)率、L為薄膜平均厚度(pm)。此外，優(yōu)選為，在將所述入射光變換為電力的太陽(yáng)電池單元上且在所述透光膜與所述聚光膜之間，形成有與所述透光層中的一層相當(dāng)?shù)姆瓷浞乐鼓ぃ⑹顾鼍酃饽さ恼凵渎时人鎏?yáng)電池單元上的所述反射防止膜的折射率低。此外，優(yōu)選為，通過(guò)調(diào)整所述聚光膜的折射率與所述反射防止膜的折射率來(lái)提高所述聚光膜產(chǎn)生的對(duì)太陽(yáng)電池單元的光導(dǎo)入效率。此外，優(yōu)選為，在所述聚光膜上放置所述入射光的入射側(cè)成為凹凸形狀的型膜，并使型膜的折射率比所述聚光膜的折射率小。此外，優(yōu)選為，所述聚光膜由含有鈦四醇鹽(titaniumtetraalkoxide)的有機(jī)-無(wú)機(jī)混合組成物構(gòu)成。此外，優(yōu)選為，作為將所述入射光變換為電力的太陽(yáng)電池單元，使用以如下方式形成的太陽(yáng)電池單元即對(duì)利用機(jī)械加工進(jìn)行切片而形成的具有粗糙表面的硅基板，進(jìn)行主要為了將切片時(shí)受到損傷的表面部除去的蝕刻后，不積極地進(jìn)行形成凹凸的處理。此外，優(yōu)選為，作為將所述入射光變換為電力的太陽(yáng)電池單元，利用如下方式形成的太陽(yáng)電池單元即對(duì)利用機(jī)械加工進(jìn)行切片而形成的具有粗糙表面的硅基板，使用含有0.25mol/l的氫氧化堿的水溶液進(jìn)行主要為了將切片時(shí)受到損傷的表面部除去的蝕刻后，不積極地進(jìn)行形成凹凸的處理。此外，優(yōu)選為，作為所述太陽(yáng)電池單元的所述反射防止膜，使用由Si、N及H構(gòu)成的折射率為1.82.7范圍的氮化硅膜。此外，優(yōu)選為，作為所述反射防止膜所使用的所述氮化硅膜，利用以Sffl4和Nft的混合氣體為原料的等離子體CVD法，在所述混合氣體流量比NHVSiH4為0.051.0、反應(yīng)室的壓力為0.12Torr、成膜時(shí)的溫度為30055(TC、用于等離子體放電的頻率為100KHZ以上的條件下形成。本發(fā)明涉及的太陽(yáng)電池模塊的制造方法為了解決所述課題，在通過(guò)層壓含有多個(gè)透光層的構(gòu)件并響應(yīng)入射光而發(fā)電而成的太陽(yáng)電池模塊的制造方法中，具有單元形成工序，其中在硅基板上至少形成防止入射光的反射的反射防止膜、正面電極及背面電極，從而形成太陽(yáng)電池單元；模塊形成工序，其中在由所述單元形成工序形成的太陽(yáng)電池單元的所述反射防止膜上形成將所述入射光聚光的聚光膜，而且通過(guò)密封材密封所述太陽(yáng)電池單元，而形成太陽(yáng)電池模塊，在所述模塊形成工序中，使所述聚光膜的折射率比所述反射防止膜的折射率小，且比所述密封材的折射率大，從而形成所述太陽(yáng)電池模塊。特別是本發(fā)明的重點(diǎn)是各層的折射率的關(guān)系，在所述專利文獻(xiàn)l中，以聚光膜自身控制折射率而達(dá)成目的，并通過(guò)在氮化硅膜、氧化鈦膜等的單元上無(wú)機(jī)膜中也控制折射率，從而能夠進(jìn)一步提高效果。在本發(fā)明中，其特征在于，由于聚光膜起到將光封閉在其中的作用，因此不需要單元的紋理構(gòu)造，而能夠回避開(kāi)路電壓V。。的下降。根據(jù)本發(fā)明，能夠提高太陽(yáng)電池模塊中的光利用率(發(fā)電效率)。而且，能夠避免開(kāi)路電壓v^的下降。圖1是的太陽(yáng)電池模塊的剖面圖。圖2是本發(fā)明的最佳方式的太陽(yáng)電池模塊的剖面圖。圖3是太陽(yáng)電池單元的剖面圖。圖4是表示將型膜放置在聚光膜上的狀態(tài)的剖面圖。圖5是表示將帶有型膜的聚光膜貼在太陽(yáng)電池單元上的太陽(yáng)電池模塊的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖6是表示在太陽(yáng)電池單元貼附聚光膜的處理順序的圖。圖7是表示實(shí)施例一的硅太陽(yáng)電池的制造工序的圖。圖8是對(duì)在多晶硅太陽(yáng)電池貼附聚光膜前后的反射率的波長(zhǎng)依賴性進(jìn)行評(píng)價(jià)的特性圖。圖9是表示在實(shí)施例二的p型硅基板不形成紋理構(gòu)造時(shí)的制造工序的圖。圖IO是作為實(shí)施例四表示聚光膜的形成方法的流程圖。圖中100太陽(yáng)電池單元101p型硅基板102紋理構(gòu)造103n型層104反射防止層201保護(hù)玻璃202密封材300聚光膜301型膜302聚光膜的底座部分303聚光膜的凹凸部分304PET薄膜305半硬化狀態(tài)的高折射率樹(shù)脂組成物層306pp薄膜具體實(shí)施例方式以下，參照用于實(shí)施本發(fā)明的最佳方式。圖2表示使用將硅基板作為材料的太陽(yáng)電池單元的太陽(yáng)電池模塊的剖面。該太陽(yáng)電池模塊是從入射光205的入射側(cè)將透過(guò)保護(hù)玻璃201、密封材202、聚光膜300這所謂的多個(gè)透光層的入射光向太陽(yáng)電池單元100導(dǎo)入而發(fā)電的太陽(yáng)電池模塊。此時(shí)的所謂透光層，表示結(jié)構(gòu)，是具體的一個(gè)例子。作為另一個(gè)例子，能夠在比保護(hù)玻璃201更靠前的位置設(shè)置玻璃表面反射防止膜。但是，在以往的太陽(yáng)電池模塊中，幾乎沒(méi)有玻璃表面反射防止膜，在本發(fā)明中也不是必需品。圖3是表示太陽(yáng)電池單元100的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖3所示，在太陽(yáng)電池單元100的光入射側(cè)貼附有聚光膜300。太陽(yáng)電池100由p型硅基板IOI、n型層103、反射防止膜104、正面電極107、背面電極108、p+層109、所述聚光膜300構(gòu)成。聚光膜300與反射防止膜104相接觸。太陽(yáng)電池單元100是使用多晶硅基板或單晶硅基板的硅晶體系的太陽(yáng)電池單元，使用例如厚度幾百jtmi的p型硅基板101。在p型硅基板101的表面同樣地形成有n型層103。在n型層103的表面以同樣的厚度形成有反射防止膜104。反射防止膜104防止由聚光膜300高效地聚光的入射光的無(wú)用的反射，使用由硅Si、氮N及氫H構(gòu)成的折射率為1.82.7范圍的氮化硅膜。膜厚的范圍是7090nm。作為反射防止膜104也可以使用氧化鈦膜。在反射防止膜104上形成表面電極用漿料，進(jìn)一步在該正面電極用漿料形成正面電極107。在反射防止膜104上貼附聚光膜300。聚光膜300形成為，如上所述，有規(guī)律地將多個(gè)微細(xì)的凸形狀或凹形狀的多角錐或圓錐鋪滿在單面?zhèn)?00a。多角錐為大致相同形狀。而且，圓錐也為大致相同形狀。該單面?zhèn)?00a形成在光入射側(cè)(使入射光205入射)，而光入射側(cè)的相反側(cè)300b與太陽(yáng)電池單元100的反射防止膜104接觸。而且，也可以無(wú)間隙地迎合太陽(yáng)電池單元100的表面的凹凸。而且，將聚光膜300的折射率n3設(shè)為1.62.4。為了反射損失少且高效地將從所有角度進(jìn)入的外部光(入射光205)導(dǎo)入到太陽(yáng)電池單元100內(nèi)，必須使聚光膜300的折射率比密封材202的折射率高，且比太陽(yáng)電池單元100上的反射防止膜104的折射率低，為1.62.4，優(yōu)選1.82.2。聚光膜300通過(guò)使用含有鈦四醇鹽(titaniumtetmalkoxide)的有機(jī)-無(wú)機(jī)混合組成物來(lái)謀求高折射率。而且，聚光膜300有光硬化性。而且，聚光膜300是在PET等的基材薄膜中通過(guò)鑄造法等成膜為薄膜狀的薄膜。再者，由PP等的隔離薄膜覆蓋。在對(duì)太陽(yáng)電池單元IOO進(jìn)行層壓時(shí)，剝開(kāi)PP等的隔離薄膜后放置在單元上，并利用真空層壓進(jìn)行層壓。聚光膜300的所述微細(xì)的凸或凹形狀的多角錐或圓錐通過(guò)后述的型膜形成。如果概略地說(shuō)明，則將以有規(guī)律且無(wú)間隙地鋪滿多個(gè)微細(xì)的凹部或凸部的方式形成的型膜放置在聚光膜300上，并再次使用真空層壓，進(jìn)行形狀轉(zhuǎn)印(転寫)。此后，剝開(kāi)型膜，通過(guò)UV照射使聚光膜300硬化。而且，也可以不除去型膜而在聚光膜300上進(jìn)行層壓。再者，在與p型硅基板101的所述入射側(cè)(表面?zhèn)?相反的背面?zhèn)刃纬捎斜趁嬗娩X漿料，并進(jìn)一步在其上形成背面電極108。而且，在背面?zhèn)戎?，鋁槳料中的鋁與背面?zhèn)鹊墓璺磻?yīng)而形成p+層，并形成改善發(fā)電能力的BSF(BackSurfaceField)層109。在使用圖3所示的太陽(yáng)電池單元100的圖2所示的太陽(yáng)電池模塊中，如果例如將密封材202作為第1層(由于保護(hù)玻璃201與密封材202的折射率大致相同，因此在光學(xué)方面考慮為相同)、將聚光膜300作為第2層，將反射防止膜104作為第3層，將n型層103作為第4層，而且若將各層的各折射率設(shè)為第l折射率m、第2折射率ri2、第3折射率n3、第4折射率ri4，則m^mSn3^n4成立。作為這些透光層中的一層的第2層的聚光膜300，如上所述，使入射光205的入射側(cè)300a為凹凸形狀。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，是以鋪滿多個(gè)微細(xì)的凸形狀或凹形狀的多角錐或圓錐的方式形成的聚光膜300。而且，關(guān)于聚光膜300，如上所述，將其折射率n3設(shè)為1.62.4。此外，聚光膜300由式(2)表示，在所述入射光的波長(zhǎng)為4001200nm中，標(biāo)準(zhǔn)化吸光度a的值為O.l以下。(數(shù)學(xué)式2)其中，T為透過(guò)率，L為薄膜平均厚度(/mi)。考慮圖2及圖3所示的太陽(yáng)電池模塊的制造。理想情況是，優(yōu)選，所述各層的折射率分布連續(xù)，并從較淺的一方(在此，所謂淺是指從入射側(cè)附加的所謂第1、第2…第m的編號(hào)中的較小編號(hào))開(kāi)始折射率漸次變高。但是，作為所述第3層的反射防止膜104及作為所述第4層的n型層103，由用于形成太陽(yáng)電池單元100的單元工序(t/WL程)形成。比其淺的層的保護(hù)玻璃201、密封材202及聚光膜300(第1及第2層)由模塊工序形成。因此，橫跨各層構(gòu)件并得到連續(xù)的折射率分布在以往技術(shù)中是困難的。在本發(fā)明中，通過(guò)互相最適合的平衡來(lái)調(diào)整由單元工序形成的反射防止膜104的折射率和由模塊工序形成的聚光膜300的折射率。具體來(lái)說(shuō)，使聚光膜300的折射率m低至反射防止膜的折射率n3以下。如果在模塊工序中使密封材(第1層)202的折射率n'低到聚光膜(第2層)300的折射率m以下，則能夠?qū)崿F(xiàn)所述的mSm^n3^m。可是，通過(guò)物理形狀來(lái)實(shí)現(xiàn)連續(xù)的等價(jià)折射率的是昆蟲(chóng)眼(moth-eye)構(gòu)造。但是，在非專利文獻(xiàn)2中可知，這里所需的微細(xì)的錐形狀是應(yīng)導(dǎo)入光的波長(zhǎng)量級(jí)(才一夕'一)。與此相對(duì)，本發(fā)明不需要如此微細(xì)的形狀，現(xiàn)實(shí)的模具加工所允許的10/mi以上也可以。這是因?yàn)槿缦戮壒始磁c其說(shuō)是得到連續(xù)的等價(jià)折射率分布，倒不如說(shuō)是利用通過(guò)用幾何光學(xué)說(shuō)明的光路及多重反射。如此，本發(fā)明，特別是一種減少依賴于工序的模塊層構(gòu)造上的光學(xué)界面、以往技術(shù)的密封材-單元界面的反射損失，并增加對(duì)太陽(yáng)電池單元ioo內(nèi)的光導(dǎo)入量的發(fā)明。因此，本發(fā)明的最重要點(diǎn)在于，提供一種作為聚光膜300能夠以比密封材202高的折射率最高效地對(duì)太陽(yáng)電池單元100的pn接合部實(shí)現(xiàn)光導(dǎo)入的結(jié)構(gòu)。更具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)聚光膜300和單元100上反射防止膜104的折射率控制，謀求最大化地實(shí)現(xiàn)由聚光膜300產(chǎn)生的光導(dǎo)入效果。換言之，本發(fā)明的特征是可以從聚光膜300和太陽(yáng)電池單元100的反射防止膜104雙方來(lái)調(diào)整最適合的折射率的構(gòu)成。例如，成為最外層(入射側(cè))的強(qiáng)化玻璃201、其下層的密封材202、太陽(yáng)電池單元內(nèi)部的n層103、p層101等，難以改變折射率。但是，通過(guò)作為它們的中間層的聚光膜300和反射防止膜104，可以調(diào)整折射率，容易實(shí)現(xiàn)所述的n,^m^n3如果最簡(jiǎn)單地進(jìn)行考慮，則如下所述。在此，由于保護(hù)玻璃201與密封材202的折射率大致相同，因此在光學(xué)方面考慮為相同(折射率nO。而且，如果聚光膜300的折射率為m、反射防止膜104的折射率為m、n型層103的折射率為m，則優(yōu)選下式。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>如果輸入大致具體的數(shù)值，則從n一1.5、3.4計(jì)算出n^1.97、n3—2.59。接下來(lái)，關(guān)于為了在聚光膜300上以無(wú)間隙地多個(gè)鋪滿的方式形成微細(xì)的凹部或凸部而使用的薄膜進(jìn)行說(shuō)明。圖4是表示將型膜301放置在聚光膜300上的狀態(tài)的圖。型膜301，是在聚光膜300的微細(xì)的凹或凸部側(cè)300a無(wú)間隙地形成多個(gè)與該微細(xì)的凹部或凸部相補(bǔ)(無(wú)間隙、完全地吻合)而接合(接著)的微細(xì)的凸或凹部的薄膜，是形成聚光膜300的凹部或凸部的鑄模(鑄型)。作為制造順序，將型膜301放置在聚光膜300上，并使用真空層壓進(jìn)行形狀轉(zhuǎn)印。此后，剝開(kāi)型膜301，并通過(guò)UV照射使聚光膜300硬化。所述圖2是除去型膜301并層壓密封材202的結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，使得不產(chǎn)生空隙而成為無(wú)間隙地填補(bǔ)聚光膜300的凹凸的狀態(tài)。此外，也可以不除去型膜301，而使用在聚光膜300上進(jìn)行層壓的帶有型膜的聚光膜。圖5是將帶有型膜301的聚光膜300貼附在太陽(yáng)電池單元100上的太陽(yáng)電池模塊的結(jié)構(gòu)圖。使聚光膜300側(cè)向太陽(yáng)電池單元100側(cè)層壓。艮P，聚光膜300的單面無(wú)間隙地迎合太陽(yáng)電池單元表面的凹凸，貼附在太陽(yáng)電池單元100上，且不除去在聚光膜300的另一面300a的微細(xì)的凹部或凸部面中使用的型膜301，而進(jìn)行層壓。外觀為帶有平滑的型膜的聚光膜。在此使用的型膜301，是在聚光膜300的微細(xì)的凹部或凸部側(cè)300a無(wú)間隙地形成多個(gè)與該微細(xì)的凹部或凸部相補(bǔ)(無(wú)間隙、完全地吻合)而接著的微細(xì)的凸部或凹部、并且其折射率比聚光膜300中的折射率m小的薄膜。在本發(fā)明中，在聚光膜300的單面以鋪滿的方式無(wú)間隙地形成的多個(gè)微細(xì)的凹部或凸部，分別為微細(xì)的圓錐狀或微細(xì)的多角錐狀。在所述的非專利文獻(xiàn)2的無(wú)反射構(gòu)造中，頂角越窄越有利，但是在本發(fā)明中，由于將聚光膜密封于樹(shù)脂中，并進(jìn)一步接近太陽(yáng)電池單元，因此情況不同。為了將來(lái)自所有角度的入射光高效地導(dǎo)入太陽(yáng)電池單元內(nèi)，頂角越窄越有利，但是在聚光膜300與太陽(yáng)電池單元100的界面存在反射損失時(shí)，如果頂角過(guò)窄則反射光會(huì)再次向外部泄漏。為了通過(guò)聚光膜300使反射光再次反射并順利地返回太陽(yáng)電池單元IOO，理想的頂角為90度。如果頂角為90度，則可以說(shuō)是性能、加工精度方面最好的角度。根據(jù)非專利文獻(xiàn)2，底邊的大小為所使用的最短波長(zhǎng)除以該材料的折射率的值，作為例子，在折射率為2.0的情況下，在太陽(yáng)電池單元中底邊的大小為175nm左右。但是，為了得到如此微細(xì)的構(gòu)造，加工方法也受到限制。但是，在本發(fā)明中，不需要如此超微細(xì)的構(gòu)造。在本發(fā)明使用的聚光膜300中，如圖4所示，將該聚光膜300分成底座部分302和凹凸部分303而考慮。底座部分302由于需要迎合并填充太陽(yáng)電池單元100的凹凸形狀，因此厚度必須在凹凸以上。通常，在太陽(yáng)電池單元100表面施行紋理構(gòu)造，其深度為020/xm。另一方面，在聚光膜300中作為本質(zhì)的部分的、以有規(guī)則且無(wú)間隙地鋪滿的方式形成的微細(xì)凹部或凸部的高度，主要取決于加工方面的要求，為1100]tmi。此外，折射率為1.62.4的聚光膜，如上所述，由于必須迎合單元的凹凸并轉(zhuǎn)印聚光膜原有的微細(xì)的凹凸形狀，因此為半硬化狀態(tài)的樹(shù)脂組成物非常重要。作為聚光膜300，滿足高折射率且形狀轉(zhuǎn)印性的材料是本發(fā)明的含有鈦四醇鹽(titaniumtetraalkoxide)的有機(jī)-無(wú)機(jī)混合組成物。艮口，以半硬化狀態(tài)對(duì)太陽(yáng)電池單元100進(jìn)行真空層壓，此時(shí)能夠完全地填充單元凹凸。接下來(lái)剝開(kāi)隔離薄膜，并對(duì)具有聚光膜本來(lái)的微細(xì)凹凸形狀的型膜301，進(jìn)一步進(jìn)行真空層壓、形狀轉(zhuǎn)印。此時(shí)可以剝開(kāi)型膜301進(jìn)行硬化，也可以原樣附帶型膜301進(jìn)行硬化。在樹(shù)脂組成物的硬化方法中，可以事先對(duì)該樹(shù)脂組成物施加光硬化性，也可以施加熱硬化性。接下來(lái)，針對(duì)在太陽(yáng)電池單元100貼附聚光膜300的處理順序進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖6是表示在太陽(yáng)電池單元貼附聚光膜的處理順序的圖。作為聚光膜300，使用半硬化狀態(tài)的高折射率樹(shù)脂組成物305。半硬化狀態(tài)的高折射率樹(shù)脂組成物305，是通過(guò)使用鈦四醇鹽(dtaniumtetraalkoxide)的有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料來(lái)實(shí)現(xiàn)高折射率化并進(jìn)一步進(jìn)行光硬化性的材料。如圖6a所示，半硬化狀態(tài)的高折射率樹(shù)脂組成物305由PET薄膜304與PP薄膜(隔離薄膜)306所夾置。具體的制造處理順序是對(duì)PET等的基材薄膜304通過(guò)鑄造法在膜上進(jìn)行制膜，再由PP等的隔離薄膜306所覆蓋。接下來(lái)，如圖6b所示，在對(duì)太陽(yáng)電池單元IOO進(jìn)行層壓時(shí)，在剝開(kāi)PP等的隔離薄膜306后放置在太陽(yáng)電池單元100上，并通過(guò)真空層壓進(jìn)行層壓。再者，如圖6c及圖6d所示，放置以有規(guī)律且無(wú)間隙地鋪滿微細(xì)凹部或凸部的方式形成的型膜301，再一次使用真空層壓而進(jìn)行形狀轉(zhuǎn)印。并且，剝開(kāi)型膜301并通過(guò)UV照射使聚光膜300硬化。這樣，如果形狀轉(zhuǎn)印結(jié)束，則用光或熱使半硬化狀態(tài)的高折射率樹(shù)脂組成物305硬化。也可以原樣保留型膜301，并由保護(hù)玻璃201、密封材202、背部薄膜204夾持而進(jìn)行模塊化。圖6e表示從圖6d的狀態(tài)剝下型模301后的狀態(tài)。也可以剝下型模301后由保護(hù)玻璃201、密封材202、背部薄膜204所夾持而進(jìn)行模塊化。此時(shí)，如果單元的紋理構(gòu)造的深度為10/mi，型膜凹凸的深度為10/mi，則層壓前的聚光膜(半硬化狀態(tài)的高折射率薄膜)的厚度至少為20/mi。如果是上述說(shuō)法，則需要聚光膜300的底座部分302為10/mi，凹凸部303為10/mi。在本發(fā)明中，雖然沒(méi)有積極地形成紋理構(gòu)造，但是在來(lái)自硅鑄塊JXy3:y卜)的切片加工中，在很多表面都伴隨有凹凸，因此底座部分302需要滿足該凹凸的程度。在此，對(duì)作為聚光膜300使用的類似于半硬化狀態(tài)的高折射率樹(shù)脂組成物305那樣的有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料進(jìn)行說(shuō)明。在本發(fā)明中，為了得到高折射率，使用溶膠-凝膠法形成有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料。溶膠-凝膠法中的必需成分是(r'),'m-(or2;l表示的金屬醇鹽，但是在本發(fā)明中，至少將Ti—(or)4表示的鈦四醇鹽(titaniumtetraalkoxide)作為一部分而使用。需要補(bǔ)充的是，只要M是從Zn、Zr、Al、Si、Sb、Be、Cd、Cr、Sn、Cu、Ga、Mn、Fe、Mo、V、W及Ce選擇的金屬就可以。R是碳數(shù)110的r'及R2與M多個(gè)結(jié)合，可以相同，也可以不同。n為O以上的整數(shù)，m為l以上的整數(shù)，n+m與M的價(jià)數(shù)相等。由溶膠-凝膠法得到有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料時(shí)，使用的金屬醇鹽可以是一種，也可以是多種。在使用溶膠-凝膠法得到有機(jī)-無(wú)機(jī)混合材料中，通過(guò)在溶液狀的樹(shù)脂組成物中，添加金屬醇鹽、水及酸(或堿)催化劑，涂敷于基材，使溶劑飛濺并加熱得到。但是，根據(jù)選擇的金屬醇鹽的反應(yīng)性，也有不需要水及/或酸(或堿)催化劑的情況。而且，加熱溫度也依賴于金屬醇鹽的反應(yīng)性。在類似于Ti的高反應(yīng)性的材料中，不需要水、催化劑，而加熱溫度也可以是10(TC左右的溫度。在本發(fā)明中，并不一定是(-M-O)的三維構(gòu)造，只要能實(shí)現(xiàn)高折射率化就可以。特別是氧化鈦的三維構(gòu)造以在光催化劑中使用的方式而成為半導(dǎo)體。但是，該構(gòu)造在光裂化方面不合適，因此為了敢于破壞三維構(gòu)造，與其他的金屬醇鹽并用的方法是有效。再者，型膜301(成為聚光膜的凸部形成的鑄模的型膜)能夠通過(guò)特開(kāi)(日本)2002-225133號(hào)公報(bào)所記載的方法進(jìn)行制作。具體的制作例如下所述。以下，說(shuō)明實(shí)施例。(實(shí)施例1)在本發(fā)明中使用的太陽(yáng)電池單元只要是通常制造的太陽(yáng)電池，無(wú)論什么樣的方式都能發(fā)揮效力，但是對(duì)作為太陽(yáng)電池模塊用于謀求更高效率化的太陽(yáng)電池單元100的構(gòu)造并包含制造工序進(jìn)行說(shuō)明。圖7是硅太陽(yáng)電池的剖面的概略圖并將主要制造工序按照工序順序表示為af。圖7f是作為太陽(yáng)電池單元100完成的狀態(tài)。在圖7中，101是p型硅基板、102是紋理構(gòu)造、103是n型層、104是反射防止膜、105是正面電極用銀漿料、106是背面電極用鋁漿料、107是正面電極、108是背面電極、109是p+層。該p+層是在電極燒結(jié)時(shí)、改善發(fā)電能力的BSF(BackSurfaceField)層。接下來(lái)，根據(jù)圖7說(shuō)明制造太陽(yáng)電池單元的工序順序。現(xiàn)在量產(chǎn)最多的太陽(yáng)電池單元是使用多晶硅基板或單晶硅基板的硅晶體系的太陽(yáng)電池單元，使用厚度幾百/mi厚的p型硅基板的情況多。在以下的說(shuō)明中，以p型的硅晶體系基板為例進(jìn)行說(shuō)明。圖7a表示p型硅基板101。在接下來(lái)的工序中，如圖7b所示，以從鑄造鑄塊進(jìn)行切片(7，一7)時(shí)產(chǎn)生的硅表面的損壞層為例，用幾wt^20wt^的氫氧化鈉或碳酸氫氧化鈉除去1020/xm的厚度后，用在相同的低堿濃度液中添加IPA(異丙醇)后的溶液，進(jìn)行各向異性蝕刻，并以使硅面突出的方式形成紋理構(gòu)造102。太陽(yáng)電池單元通常類似于例如(日本)專利第3602323號(hào)所記載的方式通過(guò)在表面?zhèn)刃纬杉y理構(gòu)造而謀求高效率化。接下來(lái)，在圖7c中在三氯氧磷(才年V塩化U>0(POCB)、氮、氧的混合氣體氛圍中、在80090(TC下進(jìn)行數(shù)十分鐘的處理而在前面表面同樣地形成n型層103。在硅表面同樣地形成的n型層103的薄膜電阻的范圍為3080Q/mm2并能得到良好的太陽(yáng)電池單元的電特性。此時(shí)，由于n型層103在基板表面整面形成，因此需要除去背面?zhèn)鹊膎型層103。因此，例如，為了保護(hù)受光面?zhèn)萵層，在用網(wǎng)板印刷法使高分子保護(hù)膜漿料附著并干燥后，在20wt^氫氧化鉀溶液中浸泡幾分鐘而除去在硅背面等的所期望以外的硅表面上形成的n型層，并用有機(jī)溶劑除去保護(hù)膜。再者，在圖7d中在n型層103表面形成相同厚度的硅氮化膜的反射防止膜104。例如，在硅氮化膜中，根據(jù)以SiH4和NH3的混合氣體為原料的等離子CVD法，在所述混合氣體流量比NHVSiH4為0.051.0、反應(yīng)室的壓力為0.12Torr、成膜時(shí)的溫度為300550°C、用于等離子的放電的頻率為100KHZ以上的條件下，最適合的反射防止膜的折射率的范圍是1.82.7，膜厚的范圍是7090nm。接下來(lái)，在圖7e中用網(wǎng)板印刷法使電極用漿料105附著并干燥。此時(shí)，在反射防止膜104形成有正面電極用漿料105。接下來(lái)，在背面?zhèn)戎幸才c表面?zhèn)认嗤?，使背面用鋁漿料106印刷干燥。接下來(lái)，圖7f為燒制電極并作為太陽(yáng)電池單元而完成的狀態(tài)。如果在60090(TC的溫度范圍中燒制數(shù)分鐘，則在表面?zhèn)龋捎诒磴y漿料中含有玻璃材料而使得作為絕緣膜的反射防止膜成為熔融狀態(tài)，進(jìn)一步硅表面一部分也成為熔融狀態(tài)，在此期間銀材料與硅形成接觸部并凝固，并由此能夠?qū)崿F(xiàn)電接觸。通過(guò)本現(xiàn)象能夠確保正面銀電極與硅的導(dǎo)通。另一方面，在背面?zhèn)戎?，鋁漿料中的鋁與背面?zhèn)鹊墓璺磻?yīng)而形成p+層、并形成改善發(fā)電能力的BSF層。通過(guò)至此敘述的方法，將聚光膜貼附在該狀態(tài)的太陽(yáng)電池單元上。圖8是對(duì)在多晶硅太陽(yáng)電池貼附聚光膜前后的反射率的波長(zhǎng)依賴性進(jìn)行評(píng)價(jià)的圖。表1與形成紋理構(gòu)造的情況相關(guān)地表示聚光膜貼附前后的多晶硅太陽(yáng)電池單元的I-V特性。通過(guò)貼附聚光膜，短路電流(Js。)從32.22mA/cm2增加到32.78mA/cm2?！脖?多晶硅太陽(yáng)電池聚光膜貼附前后、紋理有無(wú)的I-V特性的比較<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>此外，如圖8所示，反射率大幅度降低，太陽(yáng)電池單元內(nèi)的光的吸收增加，作為I-V特性，電流增大。開(kāi)路電壓(V。。)隨著電流的增加量也增加了一些。變換效率(Eff)改善了0.3%。如上所述，通過(guò)將聚光膜300貼附在太陽(yáng)電池單元100，確認(rèn)到謀求了反射率的降低、并提高了太陽(yáng)電池模塊的變換效率。(實(shí)施例2)在未貼附聚光膜的狀態(tài)的太陽(yáng)電池單元的構(gòu)造中，最高效率的構(gòu)造是在正面?zhèn)刃纬杉y理構(gòu)造并使反射減少的構(gòu)造。實(shí)施例1的說(shuō)明表示了目前實(shí)現(xiàn)了高效率的太陽(yáng)電池單元構(gòu)造的聚光膜的效果。接下來(lái)，以下的實(shí)施例2以貼附聚光膜為前提，對(duì)能夠得到最高效率的太陽(yáng)電池單元的情況進(jìn)行說(shuō)明。圖9中將在p型硅基板101不形成紋理構(gòu)造時(shí)的制造工序按照工序順序表示為af。圖9f是作為太陽(yáng)電池單元100而完成的狀態(tài)。圖9a表示p型硅基板101。在接下來(lái)的工序中，如圖9b所示，以從鑄造鑄塊進(jìn)行切片時(shí)產(chǎn)生的硅表面的損壞層為例，用幾wt^20wt^的氫氧化鈉或碳酸氫氧化鈉除去1020/mi的厚度。雖然在表面存在少許凹凸，但是比形成紋理構(gòu)造的情況平坦。接下來(lái)，在圖9c中與所述圖7c中相同，在三氯氧磷(P0C13)、氮、氧的混合氣體氛圍中、在80090(TC下進(jìn)行幾十分鐘的處理而在前面表面同樣地形成n型層103。此時(shí)，由于n型層103形成在基板表面整面，因此除去背面?zhèn)鹊膎型層103。再者，在圖9d中與圖7d同樣地在n型層103表面形成相同厚度的硅氮化膜的反射防止膜104。接下來(lái)，在圖9e中與圖7e相同、用網(wǎng)板印刷法使電極用漿料105附著并干燥。此時(shí)，在反射防止膜104形成有正面電極用漿料105。接下來(lái)，在背面?zhèn)戎幸才c表面?zhèn)韧瑯拥赜∷⒈趁嬗娩X漿料106并干燥。接下來(lái)，圖9f是與圖7f同樣地?zé)齐姌O并作為太陽(yáng)電池單元而完成的狀態(tài)。如果在60090(TC的溫度范圍中經(jīng)幾分鐘的燒制，則在正面?zhèn)戎?，因表面銀漿料中含有的玻璃材料而使得作為絕緣膜的反射防止膜成為熔融狀態(tài)，進(jìn)一步硅表面一部分也為熔融狀態(tài)，在此期間，銀材料與硅形成接觸部并凝固，由此能夠進(jìn)行電接觸。利用本現(xiàn)象能夠確保正面銀電極與硅的導(dǎo)通。另一方面，在背面?zhèn)戎?，鋁漿料中的鋁與背面?zhèn)鹊墓璺磻?yīng)而形成p十層，并形成改善發(fā)電能力的BSF層。如果通過(guò)至此敘述的方法將聚光膜貼附在該狀態(tài)的太陽(yáng)電池單元上，則能夠以無(wú)紋理構(gòu)造的大致平坦的形狀完成太陽(yáng)電池單元。在使用多晶硅基板的情況下，在不貼附聚光膜的狀態(tài)下，在表2表示由有無(wú)形成紋理構(gòu)造而產(chǎn)生的I-V特性的比較結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>在該表2中，示出了形成有紋理構(gòu)造的五個(gè)單元與沒(méi)有形成紋理構(gòu)造的五個(gè)單元的開(kāi)路電壓V。。、電流尺、FF及Eff的測(cè)量結(jié)果。如表2所示，在不貼附聚光膜的狀態(tài)下形成紋理構(gòu)造時(shí)的J,。大、V。。小。有紋理構(gòu)造的L大。這也如上所述，是因?yàn)榕c無(wú)紋理構(gòu)造的情況相比，反射率降低、且更多的光被吸收的緣故。另一方面，未形成紋理構(gòu)造比形成紋理構(gòu)造的V。。大。V。。是依賴于形成在太陽(yáng)電池單元的pn接合面積，面積小的v。。高。由于未形成紋理構(gòu)造的面積小，因此v。。變高。也即，是因?yàn)樵诖饲暗母咝侍?yáng)電池單元中，如表1所示由形成紋理構(gòu)造引起的電流增大量彌補(bǔ)并超過(guò)了v^的降低量的緣故。在此，使用聚光膜時(shí)，由于聚光膜具有反射防止效果，因此作為太陽(yáng)電池單元的構(gòu)造，可以不應(yīng)用將光關(guān)在里面的構(gòu)造而進(jìn)行最適化。g卩，如所述表1所示，未形成明確的紋理構(gòu)造的情況下的V。。，能夠比形成紋理構(gòu)造的情況下的V。。高。原理如上所述，是由于凹凸減少而引起的pn接合面積減少的緣故。在所述表1表示了無(wú)紋理構(gòu)造時(shí)的聚光膜貼附前后的I-V特性。短路電流Jj曾加，開(kāi)路電壓V。。也隨著短路電流L的增加量而上升。并且，短路電流L通過(guò)聚光膜的效果而形成紋理構(gòu)造，并與貼附聚光膜的狀態(tài)大致相同。其結(jié)果，在貼附聚光膜的狀態(tài)下，未形成紋理構(gòu)造的情況與形成紋理構(gòu)造的情況相比，能夠提高V。。的上升量變換效率。(實(shí)施例3)到實(shí)施例2為止是使用多晶硅基板的情況，但是使用進(jìn)一步進(jìn)行了鏡面研磨的單晶硅基板并確認(rèn)了有無(wú)紋理構(gòu)造的效果。在多晶硅的情況下，在進(jìn)行除去切片的損傷層時(shí)的堿蝕刻時(shí)，殘留有若干凹凸，但是在單晶硅基板中如果使用鏡面的樣式，則基板表面能夠使用鏡面，如果在基板中使用鏡面的樣式，則形成紋理構(gòu)造時(shí)，能夠形成大致理想的凹凸構(gòu)造。因此，與多晶硅基板比較，在使用聚光膜的情況下，能夠更顯著地確認(rèn)有無(wú)紋理構(gòu)造的差別。太陽(yáng)電池單元的制造工序與實(shí)施例1、2相同，而基板使用單晶硅基板的情況是相異點(diǎn)。表3是比較使用單晶硅基板時(shí)的、有無(wú)紋理構(gòu)造時(shí)的太陽(yáng)電池單元的I-V特性的表。(表3〕(表3〕多晶硅太陽(yáng)電池紋理有無(wú)的I-V特性的比較<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>與使用多晶硅基板的情況相同，形成紋理構(gòu)造與未形成紋理構(gòu)造的情況相比，V。。降低，而Jsc大幅地增加，并彌補(bǔ)了V。。的降低，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高效率化。此外，表4是形成聚光膜的情況?！脖?〕多晶硅太陽(yáng)電池紋理有無(wú)的i-v特性的比較<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>在此，也與多晶硅太陽(yáng)電池單元的情況相同，與有無(wú)紋理構(gòu)造無(wú)關(guān)地，L大致相等，未形成紋理構(gòu)造的v。。高，并能夠確認(rèn)到謀求了高效率化。(實(shí)施例4)圖10是表示聚光膜的形成方法的流程圖。聚光膜的形成方法通過(guò)幾個(gè)步驟形成。以下，關(guān)于聚光膜的形成(貼附)方法參照?qǐng)D10進(jìn)行說(shuō)明。首先，在步驟Sl對(duì)型膜用的感光性樹(shù)脂組成物進(jìn)行調(diào)制。將作為粘結(jié)劑樹(shù)脂(A成分)的粘結(jié)劑樹(shù)脂(匕夕口^fK)HA7885(日立化成工業(yè)社制)50重量份、作為架橋性單體(B成分)的架橋性單體(:77乂夕U/P)FA-321M(日立化成工業(yè)社制)50重量份、及作為光開(kāi)始劑(C成分)的IRGACURE184(汽巴精化社制)3.0重量份在有機(jī)溶劑的甲基-乙基甲酮中溶解，而作成清漆(感光性樹(shù)脂組成物)。將該清漆在硅片上以成為約5000夂的方式形成膜，用偏振光橢圓率測(cè)量?jī)x測(cè)量的折射率為1,48。接下來(lái)，在步驟S2制作型膜。在有效面積為155mm的方形(角)且無(wú)間隙地形成底邊20/xm、高10/mi的四棱錐的金屬模具上，滴下12滴的所述感光性樹(shù)脂組成物，并將施行了50Mm厚的兩面易接合處理的聚對(duì)苯二甲酸乙酯(PET)薄膜(東洋紡社制、A-4300)放置在其上。以在樹(shù)脂液和PET薄膜之間不進(jìn)入氣泡的方式用輥除去氣泡，并從PET側(cè)照射UV光。通過(guò)從金屬模具剝開(kāi)PET薄膜而得到凹形狀的四棱錐型薄膜。接下來(lái)，作為步驟S3，調(diào)制聚光膜用的高折射樹(shù)脂組成物。在裝備有攪拌機(jī)、溫度計(jì)、冷卻管及空氣氣體導(dǎo)入管的反應(yīng)容器中導(dǎo)入空氣氣體后，裝入二羥基丙烯酸乙酯115份(羥基1.0當(dāng)量)、由1，9-壬二醇和2-甲基-1，8-辛二醇和碳酸二苯酯構(gòu)成的聚碳酸酯二醇(可樂(lè)麗(株)審U、商品名PNOC-2000、數(shù)平均分子量約2000)4000份(羥基4.0當(dāng)量)、對(duì)苯二酚單甲酯(和光純藥工業(yè)(株)制)0.5份、二丁基錫二月桂酸酯(東京精密化工(株)帝U、商品名L101)5.0份、甲苯4000份，升溫到70。C后，在7075。C間保溫30分鐘，將4，4，-二環(huán)己基酯甲烷二異氰酸酯(住友拜耳氨基甲酸乙酯(株)帝ij、商品名聚氨基甲酸酯類粘合劑W)650份(異氰酸酯基5.0當(dāng)量)及甲苯300份的混合液體在7075r均勻滴下3小時(shí)，使其反應(yīng)。滴下結(jié)束后，在7075。C保溫約5小時(shí)使其反應(yīng)，在通過(guò)IR測(cè)量確認(rèn)異氰酸酯消失之后，使反應(yīng)結(jié)束。再者，加入光重合開(kāi)始劑(,少力、年二7:igarcure)184(汽巴嘉基(株)制)30份、鈦四醇鹽(titaniumtetraalkoxide)8000份、日立化成工業(yè)(株)制FA-712HM1600份、第一工業(yè)制藥社制PET-3的3200份、二乙醇胺3000份并攪拌、溶解，得到氨基甲酸乙酯系UV硬化樹(shù)脂組成物。接下來(lái)，在步驟S4制作聚光(半硬化)薄膜。通過(guò)附件(77，亇一夕)將所述聚光膜用高折射的氨基甲酸乙酯系UV硬化樹(shù)脂組成物涂敷在PET薄膜(基材)上，并使8010(TC的熱風(fēng)對(duì)流式干燥機(jī)通過(guò)，而干燥約10分鐘，從而得到半硬化狀態(tài)的薄膜。在涂膜上，作為隔離薄膜，用PP薄膜保護(hù)半硬化狀態(tài)的薄膜。接下來(lái)，在步驟S5形成聚光膜的凹凸形狀。剝開(kāi)所述聚光膜的隔離薄膜之后放置在太陽(yáng)電池單元上，并使用真空層壓器進(jìn)行層壓。進(jìn)而剝開(kāi)半硬化狀態(tài)的薄膜基材即PET，并將所述型膜的凹凸面壓入半硬化狀態(tài)的薄膜，進(jìn)一步通過(guò)真空層壓，將微細(xì)的凹凸形狀向半硬化狀態(tài)的薄膜轉(zhuǎn)印。再進(jìn)一步通過(guò)曝光裝置進(jìn)行光照射，使薄膜硬化、成為聚光膜。真空層壓器使用(日本)名機(jī)制作所制作的產(chǎn)品，層壓、形狀轉(zhuǎn)印條件都是75t:、壓力0.4MPa、時(shí)間45秒。曝光機(jī)在高壓水銀燈下，曝光條件為1000mJ/cm2。權(quán)利要求1、一種太陽(yáng)電池模塊，通過(guò)層壓含有多個(gè)透光層的構(gòu)件而成，并響應(yīng)于入射光而發(fā)電，其特征在于，在從所述入射光的入射側(cè)起，設(shè)所述多個(gè)透光層為第1層、第2層、…、第m層，而且設(shè)各層的折射率分別為第1折射率n1、第2折射率n2、…、第m折射率nm時(shí)，n1≤n2≤…≤nm成立，此外，這些透光層中的至少一層是所述入射光的入射側(cè)成為凹凸形狀的聚光膜，其折射率為1.6～2.4。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)電池模塊，其特征在于，在所述入射光的波長(zhǎng)為4001200nm時(shí)，如下式(3)所表示的所述聚光膜的標(biāo)準(zhǔn)化吸光度a的值為0.1以下。其中，T為透過(guò)率，L為薄膜平均厚度(Mm)。3、根據(jù)權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)電池模塊，其特征在于，在將所述入射光變換為電力的太陽(yáng)電池單元上且在所述透光膜與所述聚光膜之間，形成有與所述透光層中的一層相當(dāng)?shù)姆瓷浞乐鼓?，并使所述聚光膜的折射率比所述太?yáng)電池單元上的所述反射防止膜的折射率低。4、根據(jù)權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)電池模塊，其特征在于，通過(guò)調(diào)整所述聚光膜的折射率與所述反射防止膜的折射率來(lái)提高所述聚光膜產(chǎn)生的對(duì)太陽(yáng)電池單元的光導(dǎo)入效率。5、根據(jù)權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)電池模塊，其特征在于，在所述聚光膜上放置所述入射光的入射側(cè)成為凹凸形狀的型膜，并使型膜的折射率比所述聚光膜的折射率小。6、根據(jù)權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)電池模塊，其特征在于，所述聚光膜由含有鈦四醇鹽(titaniumtetraalkoxide)的有機(jī)-無(wú)機(jī)混合組成物構(gòu)成。7、根據(jù)權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)電池模塊，其特征在于，作為將所述入射光變換為電力的太陽(yáng)電池單元，使用以如下方式形成的太陽(yáng)電池單元即對(duì)利用機(jī)械加工進(jìn)行切片而形成的具有粗糙表面的硅基板，進(jìn)行主要為了將切片時(shí)受到損傷的表面部除去的蝕刻后，不積極地進(jìn)行形成凹凸的處理。8、根據(jù)權(quán)利要求l所述的太陽(yáng)電池模塊，其特征在于，作為將所述入射光變換為電力的太陽(yáng)電池單元，利用如下方式形成的太陽(yáng)電池單元即對(duì)利用機(jī)械加工進(jìn)行切片而形成的具有粗糙表面的硅基板，使用含有0.25mol/l的氫氧化堿的水溶液進(jìn)行主要為了將切片時(shí)受到損傷的表面部除去的蝕刻后，不積極地進(jìn)行形成凹凸的處理。9、根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)電池模塊，其特征在于，作為所述太陽(yáng)電池單元的所述反射防止膜，使用由Si、N及H構(gòu)成的折射率為1.82.7范圍的氮化硅膜。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)電池模塊，其特征在于，作為所述反射防止膜使用的所述氮化硅膜，利用以SiH4和NH3的混合氣體為原料的等離子體CVD法，在所述混合氣體流量比NIL/SiEU為0.051.0、反應(yīng)室的壓力為0.12Torr、成膜時(shí)的溫度為300550°C、用于等離子體放電的頻率為100KHZ以上的條件下形成。11、一種太陽(yáng)電池模塊的制造方法，太陽(yáng)電池模塊通過(guò)層壓多個(gè)含有透光層的構(gòu)件而成，并響應(yīng)于入射光而發(fā)電，所述制造方法的特征在于，具有單元形成工序，其中在硅基板上至少形成防止入射光的反射的反射防止膜、正面電極及背面電極，從而形成太陽(yáng)電池單元；模塊形成工序，其中在由所述單元形成工序形成的太陽(yáng)電池單元的所述反射防止膜上形成將所述入射光聚光的聚光膜，而且通過(guò)密封材密封所述太陽(yáng)電池單元，而形成太陽(yáng)電池模塊，在所述模塊形成工序中，使所述聚光膜的折射率比所述反射防止膜的折射率小，且比所述密封材的折射率大，從而形成所述太陽(yáng)電池模塊。全文摘要本發(fā)明提供一種通過(guò)提高光利用率、能夠提高發(fā)電效率的太陽(yáng)電池模塊。密封材(202)為第1層(由于保護(hù)玻璃(201)與密封材(202)的折射率大致相同，因此在光學(xué)方面考慮為相同)、聚光膜(300)為第2層、反射防止層(104)為第3層、n型層(103)為第4層，而且各層的各折射率為，第1折射率n₁、第2折射率n₂、第3折射率n₃、第4折射率n₄，則n₁≤n₂≤n₃≤n₄成立，作為這些透光層中的一層的第2層的聚光膜(300)如上所述使入射光(205)的入射側(cè)(300a)成為凹凸形狀。文檔編號(hào)H01L31/042GK101657909SQ200880006499公開(kāi)日2010年2月24日申請(qǐng)日期2008年2月26日優(yōu)先權(quán)日2007年2月28日發(fā)明者岡庭香,森川浩昭,清水健博申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